JP2020155469A - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書に記載されている技術を用いた、窒化物半導体装置の製造方法の一例について、説明する。本実施例では、窒化物半導体として窒化ガリウム(GaN)、II族元素のp型不純物としてマグネシウム(Mg)、n型不純物としてシリコン(Si)を用いている。
本明細書の技術で使用するアニール温度の意義を、p型不純物の活性化の観点から説明する。図6に、カソードルミネッセンス(CL)スペクトルCS1〜CS3を示す。横軸はフォトンエネルギー[eV]であり、縦軸はCL強度[任意単位]である。CLスペクトルCS1は、表面にMgがイオン注入されたGaN基板を1300℃でアニールした後に測定された結果である。同様に、CLスペクトルCS2は1400℃のアニール後の測定結果であり、CLスペクトルCS3は1480℃のアニール後の測定結果である。何れのアニールも1000MPaの窒素雰囲気中で行われた。CLスペクトル測定は、温度10Kで行った。2.8−3.4eVの範囲R1は、Mgがアクセプタとして活性化したことを示すドナーアクセプタペア発光の範囲である。ドナーアクセプタペア発光のCL強度は、アニール温度が上昇することに従って増強する。ピークCL強度PI1〜PI3は、それぞれ、約1.5、約13、約21である。
本明細書の技術で使用するアニール温度の意義を、p型不純物の拡散の観点から説明する。図8は、p型不純物の熱拡散の前後の状態を示している。図8(A)は、二次イオン質量分析(SIMS)法を用いた、Mgの深さ方向の濃度プロファイルである。図8(A)の縦軸はMgの濃度[cm−3]である。横軸は、n−型GaN層12の表面12sからの深さである。図8(B)は、図8(A)に対応する構造を図解したものである。図8(B)に示すように、GaN基板10は、支持基板9、n−型GaN層12を備えている。n−型GaN層12のn型不純物(Si)濃度は、3×1016[cm−3]程度である。
n−型GaN層12は、支持基板9上にエピタキシャル成長した層である。
Mgは水素と結合することで、GaN結晶中を拡散しやすくなることが知られている。水素と結合することにより移動エネルギーを高くすることができ、拡散障壁を乗り越えることができると考えられるためである。本明細書の技術では、ルツボ内に微量に存在させている水から、アニール雰囲気中に水素を供給することができる。これにより、Mgと水素を結合させることができるため、イオン注入したMgの熱拡散の速度を十分に高めることができる。
ステップS2において、p型不純物であるMgを導入する工程は、イオン注入に限られず、例えば固相拡散の技術を用いてもよい。具体的には、GaN基板10の表面に、p型不純物を含んだ膜を成膜してからアニールしてもよい。このような膜の一例としては、スパッタ等で成膜されたMg、Be、窒化マグネシウム(Mg3N2)、窒化ベリリウム(Be3N2)、などが挙げられる。
Claims (4)
- 窒化物半導体基板の表面にp型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、
前記窒化物半導体基板を1400℃以上の温度、および、1400℃における前記窒化物半導体基板の飽和蒸気圧以上の高圧でアニールするアニール工程と、
を備える、窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記アニール工程は、前記窒化物半導体基板、および、前記窒化物半導体基板と同一組成の窒化物半導体の粉体をアニール装置の容器内に格納した状態で行われる、請求項1に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記窒化物半導体基板はGaNであり、
前記p型不純物はII族元素である、請求項1または2に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記アニール工程は、600MPa以上の高圧下で行われる、
請求項3に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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