JP2020154267A - マスクパターン製造装置及びマスクパターン製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パターン形状予測の精度向上と計算時間短縮という二律背反の改題を克服する。【解決手段】半導体製造を行う１つの実物大セルの面積を縮小した面積のシミュレーションサイズ領域に、実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報を用いて光近接効果補正を行うＯＰＣ手段１１と、シミュレーションサイズ領域を、前記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分しＯＰＣ後マスク位置情報と前記ＯＰＣ前マスク位置情報を割り当てて影響度対応領域マスク情報群を作成する影響度対応領域マスク情報群作成手段１２と、前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア毎における光近接効果の影響度に応じて所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、対応するエリアに配置して影響度対応領域マスク情報マップを生成するマップ生成手段１３とを具備する。【選択図】図１

Description

この発明は、マスクパターン製造装置及びマスクパターン製造方法に関するものである。

半導体の製造、特にＬＳＩの製造においては、微細化技術の進展に伴い、光近接効果（ＯＰＥ）が顕著化・複雑化し、大規模な補正が必須となってきている。ＯＰＥによって変形したマスクパターンを元のマスクパターンに近付けるマスクパターンを復旧するためには、ＯＰＣ（Optical Proximity Correction）と称される補正処理が開発されている。

上記補正処理をより正確に行うためには、補正の最小単位であるグリッドサイズを小さくする必要がある。ＯＰＣは回路素子のレイアウトデータに基づき行われるものであるが、その対象に係るデータが膨大な容量となるとＯＰＣに多大な時間を要するという問題がある。これに加えて、ＯＰＣ後のデータ量も膨大となるため、ディスク容量が大きくなり装置の大型化及び高コスト化がもたらされるという問題がある。

なお、大規模やパターンとなるにつれて外側が内側に比較してＯＰＥの変動量が大きくなる一方、中央部は一定の変動量を有していることが知られている。

上記に鑑みて、特許文献１にはＯＰＣ処理時間の短縮と、半導体デバイス製造のターンアラウンドタイムの短縮を実現し、コスト削減を狙ったマスクパターン設計方法が開示されている。この特許文献１の手法では、セルライブラリパターンに予めＯＰＣ処理を行い、ＯＰＣ処理されたセルライブラリパターンを用いて半導体チップを作成する。このときのマスクパターン設計方法としては、マスクパターンを露光してパターンを形成する際に生じる形状変化を補正する近接効果補正の処理をセルライブラリ毎に施すセルライブラリのパターン設計工程、複数の上記セルライブラリを配置してマスクパターンを設計する工程、上記セルライブラリに施した近接効果補正の補正量を、周囲に配置したセルライブラリパターンの影響を考慮して変化させる工程を含むものである。

また、特許文献２には、ＯＰＣ処理に要する時間の低減を図るマスク製造方法が開示されている。このマスク作成方法は、半導体集積回路のレイアウトを複数の単位領域に分割するステップ、各単位領域を包含する処理領域を規定するステップ、各単位領域に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域を処理領域から抽出するステップ、処理領域の中の図形に対してＯＰＣ処理を実行し、ＯＰＣレイアウトを作成するステップ、ＯＰＣレイアウトに基づきマスクを製造するステップを有するＯＰＣレイアウトを作成するステップにおいては、処理領域中の図形が光学的影響領域に重なり、且つ、設計基準に違反する異常部分を含む場合、当該図形から異常部分を除去した後にＯＰＣ処理を実行するというものである。

更に、特許文献３には、第１マスクレイヤと第２のマスクレイヤを有する半導体素子製造用マスクが開示されている。上記第１のマスクレイヤは、第１ハーフトーンパターンが形成されて第１パターン領域を画定する第１露光領域を含むものである。また、上記第２のマスクレイヤは、バイナリパターン領域および第２ハーフトーンパターンが形成されて第２パターン領域を画定する第２露光領域を含むものである。バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第２マスクレイヤを使用することで、第１マスクレイヤを使用して第１露光した後に、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される１次露光の異常露光を２次露光で補正できるというものである。

また、非特許文献１には、モデルベースＯＰＣで計算されたＯＰＣ前後のパターンを補正ライブラリに登録し、再び同じパターンを補正するときには、補正ライブラリの中のパターンを再利用するライブラリベースＯＰＣが開示されている。また、このライブラリベースＯＰＣを通常行われているルールベースＯＰＣと組み合わせることで、少ないシミュレーション回数で補正を行うことができるＯＰＣツールについての開示がなされている。更に、設計から製造に移行した段階で発生する問題を、設計段階で事前に予測し、解決する手法であるＤＦＭ（Design for Manufacturability）と称される技術も開示されており、ＯＰＣとＤＦＭによってパターン形状予測の精度向上と計算時間短縮という二律背反の改題を克服することが述べられている。

特開２００６−２７６０７９号公報 特開２００８−１４５６００号公報 特開２００６−１０６７５７号公報

小谷敏也、他２名、「半導体デバイスの微細化を支えるＯＰＣ技術とＤＦＭ技術」、東芝レビュー、Ｖｏｌ．６７、Ｎｏ．４（２０１２）、ｐ．１１−１５

本発明は、パターン形状予測の精度向上と計算時間短縮という二律背反の改題を克服し、更に推し進めることを目的とする。

本発明の実施形態は、半導体製造を行う１つの実物大セルの面積を縮小した面積のシミュレーションサイズ領域に、前記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報を用いて光近接効果補正を行うＯＰＣ手段と、前記シミュレーションサイズ領域を、前記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分し、影響度対応領域毎に、前記ＯＰＣ手段により得られる光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報と前記ＯＰＣ前マスク位置情報を割り当てて構成した影響度対応領域マスク情報群を作成する影響度対応領域マスク情報群作成手段と、前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア毎における光近接効果の影響度に応じて前記影響度対応領域マスク情報群から所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、この影響度対応領域マスク情報を対応するエリアに配置して前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを生成するマップ生成手段と、生成された影響度対応領域マスク情報マップの影響度対応領域マスク情報に基づき、実物大セルにおける少なくとも寸法とスペースのズレを検証するデザインルールチェックを行うデザインルールチェック手段とを具備することを特徴とする。

本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置の構成図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において用いるシミュレーションサイズ領域情報の説明図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において用いるシミュレーションサイズ領域区分の第１タイプを説明する図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において用いるシミュレーションサイズ領域区分の第２タイプを説明する図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において用いるシミュレーションサイズ領域区分の第３タイプを説明する図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において用いるシミュレーションサイズ領域区分の第４タイプを説明する図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置の動作を説明するためのフローチャート。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において、シミュレーションサイズ領域を、実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分する区分を説明する図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において、区分する各エリアには、破線の枠により示したＯＰＣ前マスク位置情報ＰＭと共に塗り潰した四角マークにより示した光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報が対応付けられていることを説明する図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において作成される影響度対応領域マスク情報群の説明図。 本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置において生成される実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを示す図。

以下添付図面を参照して、本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置及びマスクパターン製造方法を説明する。各図において同一の構成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。図１には、本発明の実施形態に係るマスクパターン製造装置の構成図を示す。１０はコンピュータ部であり、ＣＰＵ、主メモリ、外部記憶装置を含み、半導体のマスクパターン製造に必要な全てのプログラムを有しており、このプログラムによって図示の各手段を実現する。

コンピュータ部１０には、入力装置２０と出力装置３０とが接続されている。入力装置２０は、コンピュータ部１０に対するコマンドの入力、各種データの入力を行うためのものであって、キーボード、マウスなどのポインティングデバイス、タッチパネルなどを含み、更には、記憶媒体やネットワークを接続してデータ等の入力を行うものなど、全ての入力手段を含むものとする。ただし、すべての入力手段が接続されている必要はなく、適宜な入力手段が接続され得る。

出力装置３０は、コンピュータ部１０から出力される全てのデータ及び情報に関し外部出力するためのものであって、各種のディスプレイ装置、プリンタ装置、記憶媒体装置、音声出力装置等のすべての出力手段を含むものとする。ただし、すべての出力手段が接続されている必要はなく、適宜な出力手段が接続され得る。

コンピュータ部１０は、プログラムによって実現される次の各手段を有する。即ち、ＯＰＣ手段１１、影響度対応領域マスク情報群作成手段１２、マップ生成手段１３、デザインルールチェック手段１４である。ＯＰＣ手段１１は、半導体製造を行う１つの実物大セルの面積を縮小した面積のシミュレーションサイズ領域に、上記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報を用いて光近接効果補正を行うものである。ＯＰＣ手段１１によるＯＰＣの処理手法には限定はなく、ＯＰＥの影響度に応じて補正用のデータを発生させるものであれば良い。

影響度対応領域マスク情報群作成手段１２は、上記シミュレーションサイズ領域を、上記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分し、影響度対応領域毎に、上記ＯＰＣ手段により得られる光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報と上記ＯＰＣ前マスク位置情報を割り当てて構成した影響度対応領域マスク情報群を作成するものである。

マップ生成手段１３は、上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア毎における光近接効果の影響度に応じて前記影響度対応領域マスク情報群から所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、この影響度対応領域マスク情報を対応するエリアに配置して上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを生成するものである。

デザインルールチェック手段１４は、生成された影響度対応領域マスク情報マップの影響度対応領域マスク情報に基づき、実物大セルにおける少なくとも寸法とスペースのズレを検証するデザインルールチェックを行うものである。

上記各手段が処理を行う必要のため、入力装置２０から予め、半導体製造を行う１つの実物大セルの面積Ｓの情報、実物大セルの面積Ｓを縮小した面積ｓの情報が与えられる。また、入力装置２０から予め、上記面積ｓのシミュレーションサイズ領域に、上記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報が与えられる。このシミュレーションサイズ領域情報は、上記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報が入力装置２０から予め与えられると、このＯＰＣ前マスク位置情報と上記面積ｓの情報に基づき、コンピュータ部１０が作成しても良い。

シミュレーションサイズ領域情報は、図２に示すような、上記面積ｓのシミュレーションサイズ領域Ｅである矩形の領域に、ＯＰＣ前マスク位置情報ＰＭを対応付けしたものである。この図では、ＯＰＣ前マスク位置情報ＰＭを四角マークにより示しているが、本装置が行うＯＰＣ処理の内容によっては、マークに限らず数値でも良い。シミュレーションサイズ領域情報は、上記面積ｓのシミュレーションサイズ領域Ｅである矩形の領域における座標及びレイヤ（格子）の大きさ（縦横の寸法）を特定することにより、その位置（座標）におけるＯＰＥ影響度を算出でき、適切にＯＰＣ補正を行うことができる情報であれば、特に限定はない。

なお、上記面積ｓのシミュレーションサイズ領域Ｅである矩形の領域（つまり、マスクに対応するレイヤ）は、メモリ素子のように、ある程度規則的に（周期的に）繰り返されることが望ましく、実物大セルにおけるＯＰＥの影響を安定的に反映する長さを有していれば良い。例えば、上記面積ｓのシミュレーションサイズ領域Ｅには、実物大セルにおけるいくつかの典型的なＯＰＥの影響を反映しているエリアが含まれると好適である。勿論、上記面積ｓのシミュレーションサイズ領域Ｅは、全てが、実物大セルにおけるいくつかの典型的なＯＰＥの影響を反映しているエリアであっても良い。

具体的には、上記シミュレーションサイズ領域Ｅを、図３に示されるように矩形の四隅における所定面積の四隅のエリアＥＡ、ＥＢ、ＥＣ、ＥＤと、それ以外の領域ＣＣにより構成することができる（第１タイプという）。上記所定面積の四隅中における、矩形（エリアＥＡ、ＥＢ、ＥＣ、ＥＤの矩形）の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域を、影響度に対応する複数のエリアに分けることができる。例えば、図４に示すように、第１の２辺を、エリアＥＡとエリアＥＤとを結ぶ領域Ｓ１による１辺（帯状領域）と、エリアＥＢとエリアＥＣとを結ぶ領域Ｓ２による１辺（帯状領域）とすることができる。この領域Ｓ１、Ｓ２をそれぞれ、何等分（例えば、３等分、４等分、…など）とすることができる（第２タイプという）。

更に、上記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域を、影響度に対応する複数のエリアに分けることができる。例えば、図５のように、矩形の平行する上記第１の２辺（領域Ｓ１、Ｓ２に対応する２辺）と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペアエリア（エリアＥＡとエリアＥＢのペアと、エリアＥＣとエリアＥＤのペア）とする。このとき、例えば、図５に示すように、第１の２辺を、エリアＥＡとエリアＥＢとを結ぶ領域Ｓ３による１辺と、エリアＥＣとエリアＥＤとを結ぶ領域Ｓ４による１辺とすることができる。この領域Ｓ３、Ｓ４をそれぞれ、何等分（例えば、３等分、４等分、…など）とすることができる（第３タイプという）。

上記シミュレーションサイズ領域Ｅを、図６に示した如く、上記所定面積の四隅（エリアＥＡ〜ＥＤ）と、上記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域Ｓ１、Ｓ２と、上記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域Ｓ３、Ｓ４と、上記四隅（エリアＥＡ〜ＥＤ）、上記領域以外の中央エリアＣＣ２に分ける。更に、上記中央エリアＣＣ２を同じ面積の小エリアＣＣｓに分ける（第４タイプという）。

上記の前記シミュレーションサイズ領域を分割する手法は一例に過ぎず、本実施形態の趣旨を逸脱しない限りどのような分割手法を用いても良い。例えば、上記の第４タイプにおいて、上記中央エリアＣＣ２を異なる面積の複数の小エリアに分けるなどを行っても良い。

上記のシミュレーションサイズ領域情報の設定を含め、本実施形態における装置の動作を図７に示すフローチャートを参照して、以下に説明する。既に説明したように、半導体製造を行う１つの実物大セルの面積、この１つの実物大セルの面積を縮小した面積、上記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報、縮小した面積のシミュレーションサイズ領域に、上記ＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報等の設定（或いは、一部の作成）などが行われる（ＳＴＥＰ１１）。

次に、シミュレーションサイズ領域情報を用いて光近接効果補正を行う（ＳＴＥＰ１２）。上記シミュレーションサイズ領域Ｅを、上記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分する（ＳＴＥＰ１３）。図８に、この処理による区分の一例を示す。本実施形態では、シミュレーションサイズ領域Ｅを、９ブロックに分割している。９ブロック中の４隅エリアＥＡ〜ＥＤはＯＰＥの影響が最も大きなエリアであり、本実施形態では４隅エリアＥＡとＥＤとの間のエリアＭＡと、４隅エリアＥＢとＥＣとの間のエリアＭＢとは、ＯＰＥの影響度が次に大きなエリアであり、その他のエリアがＯＰＥの影響度が最も安定したエリアである。

また、上記のＳＴＥＰ１３において区分する各エリアには、破線の四角枠により示したＯＰＣ前マスク位置情報ＰＭと共に塗り潰した四角マークにより示した光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報が対応付けられており、これが図９に示されている。これらは、図９においてマークや塗り潰しにより示されているが、座標や枠線により囲まれた領域の広さなどのマスク位置情報である。従って、ＯＰＣ後にＳＴＥＰ１３において区分した各エリアには、ＯＰＣ後マスク位置情報と上記ＯＰＣ前マスク位置情報とが割り当てられてセットされているため、ＯＰＣ後にＳＴＥＰ１３において区分した各エリアにＯＰＣ後マスク位置情報と上記ＯＰＣ前マスク位置情報とが割り当てて構成した影響度対応領域マスク情報群を、図１０に示すように作成する（ＳＴＥＰ１４）。

上記ＳＴＥＰ１４において作成された影響度対応領域マスク情報群は、シミュレーションサイズ領域Ｅにまとめた状態で示されるように、４隅エリアＥＡ、ＥＢ、ＥＣ、ＥＤに対応して、図１０（ｂ）に影響度対応領域（図では、簡略化して「領域」）Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの影響度対応領域マスク情報と、影響度対応領域Ａ、Ｄ間の中央部の影響度対応領域Ｅの影響度対応領域マスク情報と、影響度対応領域Ｂ、Ｃ間の中央部の影響度対応領域Ｆの影響度対応領域マスク情報と、影響度対応領域Ａ、Ｅ、Ｄと影響度対応領域Ｂ、Ｆ、Ｃとに挟まれた影響度対応領域Ｇ、Ｈ、Ｉの影響度対応領域マスク情報とにより構成される。図１０（ｂ）の影響度対応領域Ｇ、Ｈ、Ｉは、図１０（ａ）においてはエリアＥＧ、ＥＨ、ＥＩの位置にあった影響度対応領域マスク情報である。

上記のように影響度対応領域マスク情報群作成されると、次に、上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア毎における光近接効果の影響度に応じて上記影響度対応領域マスク情報群から所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、この影響度対応領域マスク情報を対応するエリアに配置して上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを生成する（ＳＴＥＰ１５）。

上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリアは、図１０を用いて説明した影響度対応領域Ａ、Ｅ、Ｄ、Ｂ、Ｆ、Ｃ、Ｇ、Ｈ、Ｉと同じ大きさである。しかも、影響度対応領域マスク情報群は、上記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分し、影響度対応領域毎に、上記ＯＰＣ手段１１により得られる光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報と上記ＯＰＣ前マスク位置情報を割り当てて構成したものであるから、影響度対応領域Ａ、Ｅ、Ｄ、Ｂ、Ｆ、Ｃ、Ｇ、Ｈ、Ｉが、上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア中のどこのエリアに対応付いているか明らかになっている。

従って、所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、この影響度対応領域マスク情報を対応するエリアに配置して上記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを生成することができる。

上記で生成された影響度対応領域マスク情報マップを、図１１に示す。図１１には、影響度対応領域Ａ、Ｅ、Ｄ、Ｂ、Ｆ、Ｃ、Ｇ、Ｈ、Ｉから所要の影響度対応領域マスク情報が適切に選択され、配置されている様子が判る。

以上のようにして実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップが生成されると、影響度対応領域マスク情報マップの影響度対応領域マスク情報に基づき、実物大セルにおける少なくとも寸法とスペースのズレを検証するデザインルールチェックを行う（ＳＴＥＰ１６）。

以上の実施形態によれば、実物大セルに対してそのままでＯＰＣ処理を施した場合に比べて、全体の処理時間を短縮することができる。また、実物大セルに対してそのままでＯＰＣ処理を施した場合に比べて、保存などするデータ量を大幅に削減することができる。更に、実物大セルの規模を変更した場合にも、ＯＰＥの影響度が最も安定したエリアの情報を繰り返して使用することで対応できるようになり、ＯＰＣ処理に必要な時間を短縮できる効果がある。

１０ コンピュータ部
１１ ＯＰＣ手段
１２ 影響度対応領域マスク情報群作成手段
１３ マップ生成手段
１４ デザインルールチェック手段
２０ 入力装置
３０ 出力装置

Claims (12)

1. 半導体製造を行う１つの実物大セルの面積を縮小した面積のシミュレーションサイズ領域に、前記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報を用いて光近接効果補正を行うＯＰＣ手段と、
   前記シミュレーションサイズ領域を、前記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分し、影響度対応領域毎に、前記ＯＰＣ手段により得られる光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報と前記ＯＰＣ前マスク位置情報を割り当てて構成した影響度対応領域マスク情報群を作成する影響度対応領域マスク情報群作成手段と、
   前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア毎における光近接効果の影響度に応じて前記影響度対応領域マスク情報群から所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、この影響度対応領域マスク情報を対応するエリアに配置して前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを生成するマップ生成手段と、
   生成された影響度対応領域マスク情報マップの影響度対応領域マスク情報に基づき、実物大セルにおける少なくとも寸法とスペースのズレを検証するデザインルールチェックを行うデザインルールチェック手段と
   を具備することを特徴とするマスクパターン製造装置。
2. 前記影響度対応領域マスク情報群作成手段は、前記シミュレーションサイズ領域を、矩形の四隅における所定面積の四隅の４パターンと、それ以外の領域の１パターンにより構成することを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン製造装置。
3. 前記影響度対応領域マスク情報群作成手段は、前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域を、影響度に対応する複数のエリアに分けて影響度に対応する影響度対応領域マスク情報群を作成することを特徴とする請求項２に記載のマスクパターン製造装置。
4. 前記影響度対応領域マスク情報群作成手段は、前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域を、影響度に対応する複数のエリアに分けて影響度に対応する影響度対応領域マスク情報群を作成することを特徴とする請求項３に記載のマスクパターン製造装置。
5. 前記影響度対応領域マスク情報群作成手段は、前記シミュレーションサイズ領域を、
   前記所定面積の四隅と、
   前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
   前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
   前記四隅、前記領域以外の中央エリアに分け、
   前記中央エリアを同じ面積の小エリアに分けて、この小エリアを同一パターンの影響度対応領域マスク情報群とすることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクパターン製造装置。
6. 前記影響度対応領域マスク情報群作成手段は、前記シミュレーションサイズ領域を、
   前記所定面積の四隅と、
   前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
   前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
   前記四隅、前記領域以外の中央エリアに分け、
   前記中央エリアを同じ面積の小エリアに分けて、この小エリアを複数段階の異なるパターンの影響度対応領域マスク情報群とすることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクパターン製造装置。
7. 半導体製造を行う１つの実物大セルの面積を縮小した面積のシミュレーションサイズ領域に、前記実物大セルにおける光近接効果補正を行う前のＯＰＣ前マスク位置情報を対応付けしたシミュレーションサイズ領域情報を用いて光近接効果補正を行うＯＰＣステップと、
   前記シミュレーションサイズ領域を、前記実物大セルにおける光近接効果の影響度に応じて影響度対応領域に区分し、影響度対応領域毎に、前記ＯＰＣ手段により得られる光近接効果補正後のＯＰＣ後マスク位置情報と前記ＯＰＣ前マスク位置情報を割り当てて構成した影響度対応領域マスク情報群を作成する影響度対応領域マスク情報群作成ステップと、
   前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域のエリア毎における光近接効果の影響度に応じて前記影響度対応領域マスク情報群から所要の影響度対応領域マスク情報を選択し、この影響度対応領域マスク情報を対応するエリアに配置して前記実物大セルにおける全領域の影響度対応領域マスク情報マップを生成するマップ生成ステップと、
   生成された影響度対応領域マスク情報マップの影響度対応領域マスク情報に基づき、実物大セルにおける少なくとも寸法とスペースのズレを検証するデザインルールチェックを行うデザインルールチェックステップと
   を具備することを特徴とするマスクパターン製造方法。
8. 前記影響度対応領域マスク情報群作成ステップでは、前記シミュレーションサイズ領域を、矩形の四隅における所定面積の四隅の４パターンと、それ以外の領域の１パターンにより構成することを特徴とする請求項７に記載のマスクパターン製造方法。
9. 前記影響度対応領域マスク情報群作成ステップでは、前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域を、影響度に対応する複数のエリアに分けて影響度に対応する影響度対応領域マスク情報群を作成することを特徴とする請求項８に記載のマスクパターン製造方法。
10. 前記影響度対応領域マスク情報群作成ステップでは、前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域を、影響度に対応する複数のエリアに分けて影響度に対応する影響度対応領域マスク情報群を作成することを特徴とする請求項９に記載のマスクパターン製造方法。
11. 前記影響度対応領域マスク情報群作成ステップでは、前記シミュレーションサイズ領域を、
    前記所定面積の四隅と、
    前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
    前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
    前記四隅、前記領域以外の中央エリアに分け、
    前記中央エリアを同じ面積の小エリアに分けて、この小エリアを同一パターンの影響度対応領域マスク情報群とすることを特徴とする請求項７または８に記載のマスクパターン製造方法。
12. 前記影響度対応領域マスク情報群作成ステップでは、前記シミュレーションサイズ領域を、
    前記所定面積の四隅と、
    前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する第１の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
    前記所定面積の四隅中における、矩形の平行する前記第１の２辺と異なる第２の２辺の端部に存在する２隅の２ペア間に存在する領域と、
    前記四隅、前記領域以外の中央エリアに分け、
    前記中央エリアを同じ面積の小エリアに分けて、この小エリアを複数段階の異なるパターンの影響度対応領域マスク情報群とすることを特徴とする請求項７または８に記載のマスクパターン製造方法。