JP2008139896A - マスクデータ補正方法とマスクデータ補正装置及び記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクデータ補正方法において、設計パターンから複数のプロセスステップA1、A2、A3、…Anをへてウェハ上にパターンを作成する際に、各プロセスステップ毎に生ずる変換差△A1、△A2、△A3、…△Anについて、各プロセスステップ毎に補正を行う。そして、各プロセスステップ毎の補正結果に基づいて、ウェハ上で所望のパターンを得られるようなマスクパターンを作成する。
【選択図】図2
Description
(1)露光プロセスにおける変換差のみを補正する−光学像シミュレーションに基づく、
(2)露光及び現像における変換差を補正する−現像まで含めたシミュレーションを行ったり、光学像にガウス関数をコンボリューションすることで現像を模擬する、
(3)露光からエッチングまでを通しての変換差を補正する、
という3種類に大別される。
エス ピー アイ イー(SPIE)vol. 2440 192 ページ Jpn. J. Appl. Phys. vol. 35(1995) pp.6552-6559)に掲載さ Optical/Laser Microlithography VII, Vol 2197、SPIE Symposium On Microlithography,1994,p278-293 Optical/Laser Microlithography VII, Vol 2197、SPIE Symposium On Microlithography, 1994, p294-301 Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (USA) vol. 2322: p.229-238(1994)) Jpn. J. Appl. Phys. vol. 34(1995) pp.6557-6551
本発明をゲートパターンの一次元方向の補正に適用した実施形態として、本発明者らにより提案された一次元大フィールドOPC(S. Miyama et al, Digestof Papers Micro Process '96 (1996) p. 100 )を組み合わせた例を、図1の模式図及び図2のフローチャートを用いて説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態を説明するための模式図であり、図1と同様に、図3(a)は設計パターンの一部を拡大した例、図3(b)は図3(a)におけるEに対応するトレーニングパターンの例、図3(c)は配置テーブルの例、図3(d)はマスク上に作成するトレーニングパターンの例、図3(e)は作成した補正テーブルの例を示している。
図5は、本発明の第3の実施形態を説明するための模式図である。この実施形態は、微小なゲートパターンがランダムに種々の配置をとるデバイスのポリシリコンレイヤーの補正を仮定している。図5(a)は設計パターンの一部を拡大した例、図5(b)は図5(a)より抽出した被補正領域の例、図5(c)はマスク上に作成するトレーニングパターンの例、図5(d)は被補正領域内パターンとSEM測定位置及び補正パターンの例、図5(e)は補正テーブルの例を示している。
図6は、本発明の第4の実施形態を説明するための模式図であり、図6(a)は設計パターンの一部を拡大した例、図6(b)は図6(a)におけるEに対応するトレーニングパターンの例、図6(c)はマスク上に作成するトレーニングパターンの例、図6(d)は作成した補正テーブルの例を示している。
図8は、本発明の第5の実施形態を説明するための模式図である。
図9は、本発明の第6の実施形態を説明するためのフローチャートである。
図10は、本発明の第7の実施形態に係わるマスクデータ作成装置を示すブロック図である。
図11は第8の実施形態を説明するための半導体製造プロセスを示すフローチャートであり、図12は本発明の第8の実施形態に係るマスクデータ補正方法を示すフローチャートである。このフローチャートに従って、変換差と補正ルールの算出、および補正方法を説明する。
(1)精度の良いリソグラフィシミュレーションを用いる、
(2)変換差の生じないマスクプロセスを通じて作成したマスクを用いて露光をする、
(3)プロセスP1後に得られた変換差からマスクプロセスPmにより生じた分の変換差を差し引いて得る、
などの方法を用いる。それぞれの方法について図16〜図18に示す。
(1)プロセスPe後に得られた変換差からリソグラフィプロセスP1後に得られる変換差を差し引いて得る、
(2)設計データをマスクの変換差データに基づいて変形し、変形したマスクデータを精度の良いリソグラフィシミュレーションを用いてリソ後パターンを得、実際のプロセスで得たエッチングプロセス後の線幅と比較してプロセスPe分の変換差を得る、
などの方法を用いる。それぞれの方法について、図19〜図20を使って説明する。
図21は、補正を順を追って説明するための図である。図21を用いて補正方法を説明する。
上記の第8及び第9の実施形態は、異なるパターン変換差を有するような複数の装置を使用する際のマスクを設計する場合に非常に有効である。第10の実施形態では、具体的に、これらのマスクの設計について、第8及び第9の実施形態を適用した場合について説明する。
第8及び第9の実施形態におけるマスクデータ補正方法のエッチングプロセス相当の変換差を補正する方法を以下に説明する。
図30は、マスクデータ設計装置の構成を示すブロック図である。本装置は、例えば磁気ディスク等の記録媒体に記録されたプログラムを読込み、このプログラムによって動作か制御されるコンピュータによって実現される。
11…被補正パターン抽出手段
12…補正テーブル参照手段
13…補正テーブル追加手段
14…テストマスク生成手段
15…補正値取得手段I
21…表示部
22…入力部
23…出力部
24…パターンデータ格納部
25…補正テーブル
30…補正値取得手段II
Claims (13)
- 設計パターンから複数のプロセスステップA1、A2、A3、…Anをへてウェハ上にパターンを作成する際に、各プロセスステップ毎に生ずる変換差△A1、△A2、△A3、…△Anについて、各プロセスステップ毎に補正を行う工程と、
前記各プロセスステップ毎の補正結果に基づいて、ウェハ上で所望のパターンを得られるようなマスクパターンを作成する工程とを備えたことを特徴とするマスクデータ補正方法。 - 請求項1のマスクデータ補正方法において、前記補正工程は、前記変換差△A1、△A2、△A3、…△Anについて、各プロセスステップ毎に△An、△An−1、…△A2、△A1の順に変換差の補正を行う工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 設計パターンに対し、エッチングプロセス相当の変換差を補正する第1の補正工程と、
リソグラフィプロセス相当の変換差を補正する第2の補正工程と、
マスクプロセス相当の変換差を補正する第3の補正工程とを備えたことを特徴とするマスクデータ補正方法。 - 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第1の補正工程は、被補正パターンに関して、被補正パターン周辺のパターン密度に依存する補正ルールを適用して補正する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第1の補正工程は、被補正パターンと被補正パターンに隣接するパターンとの距離に依存する補正ルールを適用して補正する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第1の補正工程は、被補正パターン近傍のレイアウトのリソグラフィプロセス後の像を入力として、これにエッチングモデルに相当する計算を行い、この計算結果より補正値を算出して補正する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第1の補正工程は、被補正パターン近傍のレイアウトに関してエッチングシミュレータを用いてエッチング結果を予測し、この計算結果をもとに補正値を算出して補正に適用する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第3の補正工程は、被補正パターンに関して、被補正パターン周辺のパターン密度に依存する補正ルールを適用する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第3の補正工程は、被補正パターンと被補正パターンに隣接するパターンとの距離に依存する補正ルールを適用して補正する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第3の補正工程は、被補正パターン近傍のレイアウトを入力として、これにマスクプロセスモデルに相当する計算を行い、この計算結果より補正値を算出して補正する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 請求項3のマスクデータ補正方法において、前記第3の補正工程は、被補正パターン近傍のレイアウトに関してマスクプロセスシミュレータを用いてマスクプロセス結果を予測し、この計算結果をもとに補正値を算出して補正に適用する工程を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
- 設計パターンから複数のプロセスステップA1、A2、A3、…Anをへてウェハ上にパターンを作成する際に、各プロセスステップ毎に生ずる変換差△A1、△A2、△A3、…△Anについて、各プロセスステップ毎に補正を行う手段と、
前記各プロセスステップ毎の補正結果に基づいて、ウェハ上で所望のパターンを得られるようなマスクパターンを作成する手段と、
を備えたことを特徴とするマスクデータ補正装置。 - マスクデータを補正するためのプログラムであって、
設計パターンから複数のプロセスステップA1、A2、A3、…Anをへてウェハ上にパターンを作成する際に、各プロセスステップ毎に生ずる変換差△A1、△A2、△A3、…△Anについて、各プロセスステップ毎に補正を行う手順と、
前記各プロセスステップ毎の補正結果に基づいて、ウェハ上で所望のパターンを得られるようなマスクパターンを作成する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
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JP2007333282A JP4343245B2 (ja) | 1997-07-31 | 2007-12-25 | パターンデータ生成方法、パターンデータ生成装置、及びパターンデータ生成プログラムを格納した記録媒体 |
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2007
- 2007-12-25 JP JP2007333282A patent/JP4343245B2/ja not_active Expired - Lifetime
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