JP2020150002A - 受光回路、及びapdアレイ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
PN接合層においてN型又はP型の不純物を有するアバランシェ増倍層を備え、光電変換電流を出力するアバランシェフォトダイオード(APD)と、
バンドギャップリファレンス回路(BGR回路)を用いて温度を検出し、検出された温度に基づいて、前記APDのカソードバイアス電圧を変化させて出力する温度センサBGR回路とを備えた受光回路であって、
前記温度センサBGR回路は、半導体基板において、前記APDの近傍であって前記APDに隣接して形成されたことを特徴とする。
本実施形態は、図3Aを参照して後述するAPD30をICに内蔵し、ウエハ表面側のみに電極51,52を形成して周辺制御回路と1チップ化したときに、小型化する。これを同時に、エッジブレークダウンを抑制するように、アノード領域51AのPwell層43とカソード領域52AのNwell層47の間でDeep Nwell層46よりウエハ表面側において、ガードリング領域53を設ける。アバランシェ増倍層48を、不純物濃度の勾配をつけて形成することで、ウエハ深さ方向でアバランシェブレークダウンを起こすような構造を形成する。従って、アバランシェ増倍層48による入射光信号の増倍ができ、例えば100〜200倍程度の適当な増倍率を確保することを可能とする。
(1)カソード領域52Aであり、カソード電極52に電気的に接続されるN+半導体層44と、
(2)アノード層であり、アノード電極51に電気的に接続されるP+半導体層54と、
(3)DTI(Deep Trench Insolation)構造部を有するガードリング領域53と、
(4)Deep Nwell層46とPwell層43との間に形成されるアバランシェ増倍層48とを有し、これらは以下のように形成されることを特徴とする。
(1)ボロン注入:注入エネルギー=180keV;注入チルト角=0°;注入量=1.1×1012cm−2;
(2)リン注入:注入エネルギー=140keV;注入チルト角=7°;注入量=3.0×1012cm−2。
(1)1180°CのN2雰囲気で60分のウェルドライブ工程であり、
(2)最終的に不純物濃度は、1×1015〜1×1017[cm−3]の範囲内で、アノード領域51Aの不純物濃度がカソード領域52Aの不純物濃度の2倍以上高く設定することである。
特許文献1には、高感度の光受信器を提供する目的で、APDのカソードバイアス電圧を温度変化に追従して変化させる方法が開示されている。しかし、特許文献1では、「各チップのダイオードがバラつくため、細かな温度補正に対応できない」という問題は解消できていない。
2 受光部
3 制御回路
11 光源
13 カプリングレンズ
14 光スキャナ(光走査部)
16 光源駆動回路
17 光スキャナ駆動回路
18 走査角モニタ
21 受光素子
22 受光レンズ
23 増幅器
25 積算器
30 アバランシェフォトダイオード(APD)
31 カソードバイアス制御回路
32 温度センサバンドギャップリファレンス回路(温度センサBGR回路)
33 AD変換器(ADC)
40 半導体基板
41 P+半導体層
42 P半導体層
43 Pwell層
44 N+半導体層
45 STI構造部
46 Deep Nwell層
47 Nwell層
48 アバランシェ増倍層
51 アノード電極
51A アノード領域
52 カソード電極
52A カソード領域
53 ガードリング領域
61 Nwell層
62 Pwell層
63 STI構造部
64 N+半導体層
65 N+半導体層
100 距離計測装置
Claims (5)
- PN接合層においてN型又はP型の不純物を有するアバランシェ増倍層を備え、光電変換電流を出力するアバランシェフォトダイオード(APD)と、
バンドギャップリファレンス回路(BGR回路)を用いて温度を検出し、検出された温度に基づいて、前記APDのカソードバイアス電圧を変化させて出力する温度センサBGR回路とを備えた受光回路であって、
前記温度センサBGR回路は、半導体基板において、前記APDの近傍であって前記APDに隣接して形成されたことを特徴とする受光回路。 - 前記温度センサBGR回路は、前記APDからDTI構造部を介して隣接するように形成されたことを特徴とする請求項1記載の受光回路。
- 前記APDにおいて、前記アバランシェ増倍層の不純物濃度が、1×1015〜1017[cm−3]の範囲内であって、アノード領域の不純物濃度がカソード領域の不純物濃度の2倍以上高いことを特徴とする請求項1又は2記載の受光回路。
- 前記受光回路は、前記APDからの光電変換電流の信号をデジタル信号にAD変換するAD変換器をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載の受光回路。
- 請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載の受光回路のためのAPDアレイ装置であって、
複数の前記APDを1次元又は2次元に配列したことを特徴とするAPDアレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019043653A JP2020150002A (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 受光回路、及びapdアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2019043653A JP2020150002A (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 受光回路、及びapdアレイ装置 |
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JP2020150002A true JP2020150002A (ja) | 2020-09-17 |
Family
ID=72429866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019043653A Pending JP2020150002A (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 受光回路、及びapdアレイ装置 |
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JP (1) | JP2020150002A (ja) |
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