JP2020149001A - 光配向膜用ワニス及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶層の液晶分子を初期配向する性能を低下させることなく、シール部との接着強度を向上させた光配向膜を形成するためのワニスを提供する。【解決手段】光配向膜用ワニスは、有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第１ポリアミド酸系化合物、及び第１ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第２ポリアミド酸系化合物を含有する。テトラカルボン酸エステル残基は、シクロブタン骨格を有する。ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合した芳香環を含む第１ジアミン化合物残基を含有する。【選択図】なし

Description

本発明は、光配向膜用ワニス及び液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、対向して配置された２つの基板（第１基板及び第２基板）を有する。第１基板は、第１領域と第２領域を有する一方、第２基板は、第１基板の第１領域に対向しているが、第１基板の第２領域には対向していない。すなわち、第１基板の第２領域は、第２基板の端縁よりも外側に延出している。第１基板の第１領域には、画素電極及びＴＦＴ等が設けられ、第２基板には、カラーフィルタ、遮光膜等が設けられている。第１基板の第２領域には、外部回路等が設けられている。

第１基板と第２基板とは、それらの間に一定のセルギャップを規定するように、第１基板の第１領域の周縁部と第２基板の周縁部とは、枠状に形成されたシール部により接着され、シール部の内側には液晶が封入されている。枠状のシール部は、第２基板に設けられた遮光膜によって覆われ、枠状のシール部と遮光膜とは、非表示領域を規定し、非表示領域は、その内側に画像表示領域を規定している。各基板の液晶側には、液晶層の液晶分子を配向させるための配向膜が設けられている。

配向膜は、一般に、有機溶媒に溶かした前駆体有機化合物溶液（配向膜用ワニス）を各基板上に塗布し、加熱して有機膜に変換し、有機膜に配向制御能を付与することによって、形成されている。従来、配向膜の周縁は、非表示領域にまで延出しないように、画像表示領域と非表示領域との境界部に止めて設けられていた。

有機膜に配向制御能を付与する方法として、有機膜に非接触で配向制御能を付与する光配向処理が採用されている。光配向処理は、例えば、２５４ｎｍから３６５ｎｍ領域の偏光紫外線を有機膜に照射して、有機膜の分子を偏光方向と平行する方向で切断することによって、有機膜に、偏光方向と直交する方向に一軸異方性を付与する。液晶分子は、一軸異方性を付与された配向膜によって初期配向される。

近時、液晶表示装置は、非表示領域を狭くすること、すなわち狭額縁化が要求されるようになっており、そのため、各配向膜の周縁を画像表示領域と非表示領域との境界部に止めて設けることが困難となった。その結果、各配向膜の周縁は非表示領域内にも延出して設けられるようになり、枠状のシール部は各配向膜を介して第１基板と第２基板とを接着する構造となってきている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１８−１４６８７０号公報

しかしながら、光配向処理によって形成された配向膜（光配向膜）と枠状のシール部との接着強度は、十分ではない場合がある。そこで光配向膜とシール部との接着強度を向上させようとすると、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が低下することがある。

本発明の課題は、液晶層の液晶分子を初期配向する性能を低下させることなく、シール部との接着強度を向上させた光配向膜を形成するためのワニスを提供することである。
本発明の他の課題は、上記光配向膜を備える液晶表示装置を提供することである。

一つの側面によれば、有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第１ポリアミド酸系化合物、及び前記第１ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第２ポリアミド酸系化合物を含有し、前記テトラカルボン酸エステル残基は、シクロブタン骨格を有し、前記ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合した芳香環を含む第１ジアミン化合物残基を含有する光配向膜用ワニスが提供される。

他の側面によれば、第１基板と、前記第１基板から離間して対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着する枠状のシール部と、前記第１基板と前記第２基板と前記シール部との間にある液晶層と、前記第１基板にあり前記液晶層及び前記シール部と接する配向膜とを備え、前記配向膜は本発明の光配向膜用ワニスのイミド化物を含む液晶表示装置が提供される。

実施形態に係る液晶表示装置の概略平面図である。 図１のii−ii線に沿った一部破断概略断面を拡大して示す図である。 図１のiii−iii線に沿った一部破断概略断面を拡大して示す図である。 実施形態に係る二層構造の光配向膜の構成を示す模式図である。 焼付き試験の検査パターンを示す図である。

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、先行する図に関して説明したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

＜液晶表示装置＞
実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰを、図１〜図３を参照して説明する。図１は、液晶表示装置ＤＳＰの概略平面図、図２は、図１のii−ii線に沿った一部破断概略断面を拡大して示す図、図３は、図１のiii−iii線に沿った一部破断概略断面を拡大して示す図である。

本実施形態においては、液晶表示装置ＤＳＰの短辺に平行な方向を第１方向Ｘとし、液晶表示装置ＤＳＰの長辺に平行な方向を第２方向Ｙとし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な方向を第３方向Ｚとしている。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、本実施形態では互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。
また、本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向きを上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向きを下又は下方と定義する。さらに、液晶表示装置ＤＳＰを上方から見ることを平面視と定義する。平面視での液晶表示装置ＤＳＰは、平面図（図１）に見られる。

図１に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、駆動ＩＣチップ１と、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）基板２とを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、枠状に形成されたシール部ＳＥと、非表示領域ＮＤＡと、画像表示領域ＤＡとを備えている。

第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、互いに離間対向して配置されている（図２）。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と対向する領域と、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＴとを有する。言い換えると、第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴは、第２基板ＳＵＢ２の端縁よりも外側に延出している。

駆動ＩＣチップ１は、実装部ＭＴの第２方向Ｙの前半部に実装されている。駆動ＩＣチップ１は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバや、液晶表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラを内蔵していてもよい。

ＦＰＣ基板２は、実装部ＭＴの第２方向Ｙの後半部に実装されている。ＦＰＣ基板２の第２方向Ｙ側には、回路基板が電気的に接続されている（図示せず）。回路基板は、ＦＰＣ基板２を通して第１基板ＳＵＢ１に駆動信号を伝送する。

非表示領域ＮＤＡは、その内側に画像を表示する画像表示領域ＤＡを規定している。画像表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。

第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、実装部ＭＴを除く第１基板ＳＵＢ１の周縁部と第２基板ＳＵＢ２の周縁部とにおいて、枠状に形成されたシール部ＳＥにより接着されている。枠状のシール部ＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に一定のセルギャップを規定している。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間、及びシール部ＳＥの内側には、液晶が封入され、後述する液晶層ＬＣを形成している（図３）。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。

図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０と、第１及び第２絶縁膜１１、１２と、共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥとを備えている。なお、図２に示す例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。

第１絶縁基板１０は、ガラス基板、可撓性の樹脂基板のような光透過性の基板である。第１絶縁基板１０の下面には、偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１が接着されている。なお、光学素子ＯＤ１は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層等を備えていてもよい。光学素子ＯＤ１の下には、照明装置ＢＬが設けられている。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。非表示領域ＮＤＡに配置されている第１絶縁膜１１には、凹凸部１１１と、スリット１１２とが形成されている（図３）。スリット１１２は、第１絶縁膜１１を貫通し、第１絶縁基板１０の表面を露出させている。第１絶縁膜１１は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等の絶縁性の無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

共通電極ＣＥは、第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成された透明電極である。

第２絶縁膜１２は、共通電極ＣＥの上に配置されている。また、第２絶縁膜１２は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１絶縁膜１１の凹凸部１１１の表面に沿って配置されている（図３）。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１と同様に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等の絶縁性の無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成された透明電極である。画素電極ＰＥには、スリットＳＬＡが形成されている。スリットＳＬＡは、画素電極ＰＥを貫通し、第２絶縁膜１２を露出させている。

画素電極ＰＥ及び第２絶縁膜１２の上には、それらを覆うようにして第１配向膜ＡＬ１が設けられている。非表示領域ＮＤＡに設けられている第１配向膜ＡＬ１は、スリット１１２により露出している第１絶縁基板１０の表面を覆っている（図３）。第１配向膜ＡＬ１の詳細な構成については後述する。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０と、カラーフィルタＣＦと、遮光膜ＢＭと、オーバーコート層ＯＣとを備えている。

第２絶縁基板２０は、第１絶縁基板１０と同様に、ガラス基板、可撓性の樹脂基板のような光透過性の基板である。第２絶縁基板２０には、偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２が接着されている。なお、光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層等を備えていてもよい。

カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。カラーフィルタＣＦは、緑色のカラーフィルタセグメントＣＦＧを備え、これに赤色及び青色のカラーフィルタセグメントＣＦＲ、ＣＦＢが隣接している。
遮光膜ＢＭは、各カラーフィルタセグメント間に配置され、それらの混色を防止している。遮光膜ＢＭは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側の表面上にも配置されている（図３）。
オーバーコート層ＯＣは、画像表示領域ＤＡにおいて、カラーフィルタＣＦを覆っており、非表示領域ＮＤＡにおいて、遮光膜ＢＭを覆っている（図３）。非表示領域ＮＤＡにおけるオーバーコート層ＯＣには、凹凸部ＯＣ１が形成されている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。

オーバーコート層ＯＣの第１基板ＳＵＢ１と対向する側には、第２配向膜ＡＬ２の端縁を規定する突出部ＰＪ（図３）と、第２配向膜ＡＬ２と、スペーサＳＰ（図３）とが設けられている。突出部ＰＪは、非表示領域ＮＤＡにおいて、末端側に設けられ、樹脂材料によって形成されている。
第２配向膜ＡＬ２は、画像表示領域ＤＡにおいて、オーバーコート層ＯＣを覆い、非表示領域ＮＤＡにおいて、オーバーコート層ＯＣの凹凸部ＯＣ１と、スペーサＳＰの第２絶縁基板２０側の端部とを覆っている。第２配向膜ＡＬ２の端部は、突出部ＰＪに接している。第２配向膜ＡＬ２の詳細な構成については後述する。
スペーサＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップを保持している。スペーサＳＰの先端は、第１配向膜ＡＬ１に接触していない。スペーサＳＰは、樹脂材料によって形成されている。

シール部ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、枠状に形成されており（図１）、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２とともに液晶層ＬＣを挟持している。シール部ＳＥは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に接着し、これら第１及び第２配向膜ＡＬ１、ＡＬ２を介して第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接続している。

シール部ＳＥは、例えば、アクリレート骨格を有しないエポキシ樹脂と、アクリレート骨格を有する樹脂とを含む。例えば、アクリレート骨格を有しないエポキシ樹脂は熱硬化性樹脂として機能し、アクリレート骨格を有する樹脂は光硬化性樹脂として機能する。

上記アクリレート骨格を有しないエポキシ樹脂は、特に限定されるものではなく、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等から、適宜選択することができる。例えば、上記エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、プロピレンオキシド付加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スルフィド型エポキシ樹脂、エーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、アルキルポリオール型エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、グリシジルエステル化合物、ビスフェノールＡ型エピスルフィド樹脂、又はその他のエポキシ樹脂である。これらのアクリレート骨格を有しないエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。

上記アクリレート骨格を有する樹脂は、特に限定されるものではなく、ポリエステル（メタ）アクリレート樹脂、エポキシ（メタ）アクリレート樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂、等から適宜選択することができる。なお、これらのアクリレート骨格を有する樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ポリエステル（メタ）アクリレート樹脂は、（メタ）アクリル酸に水酸基を有する化合物を反応させることにより得られるエステル化合物の重合体である。エステル化合物は、特に限定されるものではなく、１個の（メタ）アクリル基を有する単官能の（メタ）アクリル酸エステルでもよく、２個以上の（メタ）アクリル基を有する多官能（メタ）アクリル酸エステルでもよい。例えば、上記エステル化合物は、特開２０１０−８５７１２号公報の（００１０）段落から（００１２）段落に亘って記載された化合物についての説明を参照することができる。ポリエステル（メタ）アクリレート樹脂は、複数のエステル化合物で形成された共重合体であってもよい。

上記エポキシ（メタ）アクリレート樹脂は、特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸とを塩基性触媒の存在下で反応させることにより得られる重合体等である。上記エポキシ樹脂は、特に限定されるものではなく、例えば、上記アクリレート骨格を有しないエポキシ樹脂から適宜選択することができる。エポキシ（メタ）アクリレート樹脂は、複数のエポキシ樹脂や複数の（メタ）アクリル酸で形成された共重合体であってもよい。

上記水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体は、特に限定されるものではなく、例えば特開２０１０−８５７１２号公報の（００２０）段落に記載された化合物についての説明を参照することができる。水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に挟持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＢＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＢＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

実施形態に係る配向膜（第１配向膜ＡＬ１、第２配向膜ＡＬ２）は、光配向膜用ワニスを基板（第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２）上に塗布し、加熱してポリイミド膜に変換し、そのポリイミド膜に偏光紫外線を照射することにより、液晶分子ＬＭを初期配向する性能（配向制御能）が付与されている。

＜光配向膜用ワニス＞
第１の側面に係る光配向膜用ワニス
第１の側面に係る光配向膜用ワニスは、有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第１ポリアミド酸系化合物、及び第１ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第２ポリアミド酸系化合物を含有する。テトラカルボン酸エステル残基は、シクロブタン骨格を有する。ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合した芳香環を含む第１ジアミン化合物残基を含有する。
ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第１ポリアミド酸系化合物は、後述するようにジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二水物）とを反応させることによって、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する前駆体を製造し、その前駆体をエステル化することによって合成することができる。上述した前駆体は、ポリアミド酸である第２ポリアミド酸系化合物として用いることができる。
そのため、第１ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有し、第２ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する。

＜第１ポリアミド酸系化合物＞
第１ポリアミド酸系化合物は、シクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸エステル残基を有する。そのようなシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸エステル残基は、下記式（１）で表すことができる。

式（１）において、Ｒ^１は、それぞれアルキル基であり、Ｒ^ａは、それぞれ水素又はアルキル基である。ここで、式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基に付されている「※」印は、後で詳述するジアミン化合物残基との結合部位を示す。
上記式（１）におけるＲ^１は、例えば、１個〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、アルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましい。また、上記式（１）におけるＲ^ａがアルキル基である場合、Ｒ^ａは、例えば１個〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、アルキル基としては、メチル基が特に好ましい。

第１ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基を有する。ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合した芳香環を含む第１ジアミン化合物残基を含有する。そのような第１ジアミン化合物残基は、下記式（２−１）で表すことができる。

式（２−１）において、Ｌ^１は、単結合又は第１連結基であり、Ｒ^２は、−ＣＯＯＨ又は−Ｎ（Ｒ^３）_２（ここで、Ｒ^３は、それぞれ水素又はアルキル基である）であり、Ａｒ^１は芳香環である。すなわち、芳香環であるＡｒ^１には、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基であるＬ^１を介して、カルボキシル基又はアミノ基であるＲ^２が結合している。ここで、式（２−１）で表される第１ジアミン化合物残基に付されている「※」印は、テトラカルボン酸エステル残基との結合部位（上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基に付されている「※」印との結合部位）を示す。

上記式（２−１）において、Ｌ^１が第１連結基である場合、第１連結基は、例えば脂肪族基又は芳香族基である。脂肪族基は、例えば、１個〜１０個の炭素原子を有するアルキレン基であり、好ましくは１個〜５個の炭素原子を有するアルキレン基である。芳香族基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセン基、又はピレン基である。
上記式（２−１）において、Ｒ^３がアルキル基である場合、Ｒ^３は、例えば、１個〜１０個の炭素原子を有するアルキル基である。
上記式（２−１）において、芳香環であるＡｒ^１は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセン基、又はピレン基である。

第１ポリアミド酸系化合物が、上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基と、上記式（２−１）で表される第１ジアミン化合物残基とを有する場合、第１ポリアミド酸系化合物は、下記式（３−１）で表される構造単位（繰り返し単位）を含有する。

式（３−１）において、Ｒ^１及びＲ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｌ^１、Ｒ^２及びＡｒ^１は、式（２−１）に関して定義した通りである。

第１ポリアミド酸系化合物の製造
第１ポリアミド酸系化合物の製造は、下記に示す通りである。最初に、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二無水物）とを常法により反応させることによって、前駆体として、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物を製造する。続いて、前駆体としての、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物に、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジアルキルアセタールを反応させることによって、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第１ポリアミド酸系化合物を製造することができる。
また、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有するポリアミド酸系化合物は、特開２０００−２７３１７２号公報に記載された方法によっても製造することができる。

第１ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、下記式（４）に示すシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物で表すことができる。

式（４）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りである。

上記式（４）で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物は、例えば、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、及び１，２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物である。シクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物は、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、又は１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物であることが好ましい。

第１ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、下記式（５−１）に示すジアミン化合物で表すことができる。

式（５−１）において、Ｌ^１、Ｒ^２及びＡｒ^１は、式（２−１）に関して定義した通りである。
ここで、Ｒ^２が−ＣＯＯＨである場合には、例えば、臭化ベンジルのようなベンジルハライドを用いて当該−ＣＯＯＨをベンジルエステル基に変換、保護した状態で、第１ポリアミド酸系化合物の合成に用いることができる。このベンジルエステル基は、パラジウムを触媒とした水素付加反応等により−ＣＯＯＨに変換することができる。
また、Ｒ^２が−ＮＨ_２、すなわち第一級アミノ基である場合には、例えば、クロロギ酸ベンジルを用いて当該−ＮＨ_２をカルボベンゾキシ基に変換、保護した状態で、第１ポリアミド酸系化合物の合成に用いることができる。このベンジルエステル基は、パラジウムを触媒とした水素付加反応等により−ＮＨ_２に変換することができる。

上記式（５−１）で表されるジアミン化合物は、例えば、２，５−ジアミノ安息香酸、１，２，４−トリアミノベンゼンである。

＜第２ポリアミド酸系化合物＞
第２ポリアミド酸系化合物は、ポリアミド酸である。このようなポリアミド酸は、例えば、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する。このテトラカルボン酸残基は、下記式（６）で表すことができる。

式（６）において、Ｘ^１は、シクロブタン骨格、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、鎖式骨格、又は芳香環である。
シクロブタン骨格以外の脂環式骨格は、例えば、シクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、ビシクロ［２，２，１］ヘプタン骨格、２−メチルビシクロ［２，２，１］ヘプタン骨格であり、鎖式骨格は、例えば、ブチル骨格であり、芳香環は、例えば、ベンゼン環である。

第２ポリアミド酸系化合物に含まれ得るジアミン化合物残基は、下記式（７）で表すことができる。

式（７）において、Ｙ^１は、Ａｒ^２、又はＡｒ^３−Ｍ−Ａｒ^４であり、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、芳香環であり、Ｍは、酸素又は硫黄のいずれか１つ、あるいは酸素、窒素、硫黄、炭素、水素の２つ以上の組合せからなる有機基である。
上記式（７）において、芳香環であるＡｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセン基、又はピレン基である。

第２ポリアミド酸系化合物が、上記式（６）で表されるテトラカルボン酸残基と上記式（７）で表されるジアミン化合物残基とを有する場合、第２ポリアミド酸系化合物は、下記式（８）で表される構造単位（繰り返し単位）を含有する。

式（８）において、Ｘ^１は、式（６）に関して定義した通りであり、Ｙ^１は、式（７）に関して定義した通りである。

第２ポリアミド酸系化合物の製造
第２ポリアミド酸系化合物の製造は、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二無水物）とを常法により反応させることによって、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物、すなわちポリアミド酸である第２ポリアミド酸系化合物を製造できる。

第２ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、下記式（９）で表されるテトラカルボン酸化合物で表すことができる。

式（９）において、Ｘ^１は、式（６）に関して定義した通りである。

上記式（９）で表されるＸ^１がシクロブタン骨格であるテトラカルボン酸化合物は、例えば、上記式（４）で表されるテトラカルボン酸化合物と同じである。
上記式（９）で表されるＸ^１がシクロブタン骨格以外の脂環式骨格であるテトラカルボン酸化合物は、例えば、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸２；３，５；６−二無水物、及び３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−２−酢酸２，３；５，６−二無水物、３−（カルボキシメチル）−１，２，４−シクロペンタントリカルボン酸１，４：２，３二無水物である。
上記式（９）で表されるＸ^１が鎖式骨格であるテトラカルボン酸化合物は、例えば、メソ−ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物である。
上記式（９）で表されるＸ^１が芳香族基であるテトラカルボン酸化合物は、例えば、ピロメリット酸二無水物である。

上記式（９）で表されるテトラカルボン酸化合物において、Ｘ^１がシクロブタン骨格であるテトラカルボン酸化合物は、第２のポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル％（１００モル％）のうち、２０モル％未満であり、１０モル％未満であることが好ましい。第２のポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル％のうち、Ｘ^１がシクロブタン骨格であるテトラカルボン酸化合物を２０モル％未満にすることによって、高い抵抗値を有する配向膜を形成することができる。

第２ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、下記式（１０）で表すことができる。

式（１０）において、Ｙ^１は、式（７）に関して定義した通りである。

上記式（１０）で表されるジアミン化合物は、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトルエン、３，５−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノ−２−メトキシベンゼン、２，５−ジアミノ−ｐ−キシレン、１，３−ジアミノ−４−クロロベンゼン、３，５−ジアミノ安息香酸、１，４−ジアミノ−２，５−ジクロロベンゼン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビベンジル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’―ジメチルジフェニルメタン、２，２’−ジアミノスチルベン、４，４’−ジアミノスチルベン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）安息香酸、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビベンジル、２，２−ビス［（４−アミノフェノキシ）メチル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、α、α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，４−ジアミノジフェニルアミン、１，８−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノアントラキノン、１，３−ジアミノピレン、１，６−ジアミノピレン、１，８―ジアミノピレン、２，７−ジアミノフルオレン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）テトラメチルジシロキサン、ベンジジン、２，２’−ジメチルベンジジン、１，２−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ブタン、１，５−ビス（４−アミノフェニル）ペンタン、１，６−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサン、１，７−ビス（４−アミノフェニル）ヘプタン、１，８−ビス（４−アミノフェニル）オクタン、１，９−ビス（４−アミノフェニル）ノナン、１，１０−ビス（４−アミノフェニル）デカン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ブタン、１，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ペンタン、１，６−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘキサン、１，７−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘプタン、１，８−ビス（４−アミノフェノキシ）オクタン、１，９−ビス（４−アミノフェノキシ）ノナン、１，１０−ビス（４−アミノフェノキシ）デカン、ジ（４−アミノフェニル）プロパン−１，３−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ブタン−１，４−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ペンタン−１，５−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ヘキサン−１，６−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ヘプタン−１，７−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）オクタン−１，８−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）ノナン−１，９−ジオエート、ジ（４−アミノフェニル）デカン−１，１０−ジオエート、１，３−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕プロパン、１，４−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ブタン、１，５−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ペンタン、１，６−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ヘキサン、１，７−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ヘプタン、１，８−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ］オクタン、１，９−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕ノナン、及び１，１０−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ］デカンである。さらに、式（１０）で表されるジアミンの例を以下に示す（以下の例において、ｎは、１〜１０の整数である）。

＜有機溶媒＞
第１及び第２ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒として、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、２−ピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジグライム、及び４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、及びブチルセロソルブが使用できる。

いくつかの実施形態において、光配向膜用ワニスにおける第１ポリアミド酸系化合物と第２ポリアミド酸系化合物の重量比は、６：４から２：８までであり、４：６から３：７までであることが好ましい。

第１の側面に係る光配向膜用ワニスにおいて、テトラカルボン酸エステル残基を有する（ポリアミド酸エステルである）第１のポリアミド酸系化合物と、ポリアミド酸である第２のポリアミド酸系化合物とが共存する。このような場合、ポリアミド酸がポリアミド酸エステルよりも大きな表面エネルギーを有する。すなわちポリアミド酸はポリアミド酸エステルよりも高い極性を有する。このため、第１ポリアミド酸系化合物と第２ポリアミド酸系化合物は相分離する。

図２を参照すると、第１の側面に係る光配向膜用ワニスを第１基板ＳＵＢ１の画素電極ＰＥ及び第２絶縁膜１２の上に塗布すると、第２ポリアミド酸系化合物の方が、画素電極ＰＥを形成するＩＴＯやＩＺＯと、第２絶縁膜１２を形成するシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等の無機絶縁材料との親和性が高いので、第２ポリアミド酸系化合物が下層となり、第１ポリアミド酸系化合物が上層を構成して液晶層ＬＣ及びシール部ＳＥと接するようになる。
また、第１の側面に係る光配向膜用ワニスを第２基板ＳＵＢ２のオーバーコート層ＯＣの上に塗布すると、第２ポリアミド酸系化合物の方が、有機樹脂を用いたオーバーコート層ＯＣとの親和性が高いので、第２ポリアミド酸系化合物が下層を構成してオーバーコート層ＯＣと接し、第１ポリアミド酸系化合物は、上層を形成して液晶層ＬＣ及びシール部ＳＥと接するようになる。

塗布対象に塗布し、二相に分離した光配向膜用ワニスを２００℃程度の温度で加熱することによってイミド化し、イミド化後の二層膜に光配向処理を行って配向膜、すなわち光配向膜を提供する。光配向処理は、波長２５４ｎｍから３６５ｎｍ領域の偏光紫外線をイミド化膜に照射することによって行なうことができる。上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物に光配向処理を行なうと、シクロブタン骨格が開裂して、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）がイミド化物に付与される。光配向処理したイミド化膜を備える第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、さらに２００℃程度の温度で加熱してもよい。
上述したような加熱によるイミド化反応において、イミド化率は、７０％〜９０％である。このため、第１ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸エステル残基に含まれるカルボン酸エステル基のモル百分率を１００モル％とした場合、この第１ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボン酸エステル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。
同様に、第２ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸残基に含まれるカルボキシル基のモル百分率を１００モル％とした場合、この第２ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第２ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。

図４は、実施形態に係る二層構造の光配向膜（第１配向膜ＡＬ１）を示す模式図である。第１配向膜ＡＬ１は、第２絶縁膜１２の上に形成され、上層ＡＬ１−１と、下層ＡＬ１−２から形成されている。ここで、第１配向膜ＡＬ１の上層ＡＬ１−１と下層ＡＬ１−２の境界は明確ではないので、図４では、それらの境界を点線で示している。

上述したように、第１の側面に係る光配向膜用ワニスを用いて形成した二層構造の光配向膜は、第２ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、下層（絶縁基板側）を形成し、第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、上層（液晶及びシール部側）を形成する。

いくつかの実施形態において、上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、下記式（１１−１）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（１１−１）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｌ^１、Ｒ^２及びＡｒ^１は、式（２−１）に関して定義した通りである。

いくつかの実施形態において、下層を形成する第２ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、下記式（１２）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（１２）において、Ｘ^１は、式（６）に関して定義したとおりであり、Ｙ^１は、式（７）に関して定義したとおりである。

従って、上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基が結合した芳香環を有し、当該カルボキシル基又はアミノ基がシール部と結合するため、シール部と強固に接着する。
また、上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、シクロブタン骨格を有するため、光配向処理により当該シクロブタン骨格が開裂して、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与される。
下層を形成する第２ポリアミド酸系化合物のイミド化物には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が残存しているため、当該カルボキシル基が、第２絶縁膜、画素電極、オーバーコート層等と結合する。そのため第２ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、これら材料と強固に接着する。
それ故、第１の側面に係る光配向膜用ワニスを用いることによって、液晶層の液晶分子を初期配向する性能を低下させることなく、シール部との接着強度を向上させた光配向膜を形成することができる。

いくつかの実施形態において、第１の側面に係る光配向膜用ワニス中の第１ポリアミド酸系化合物に含まれるジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合した複数（例えば、２個）の芳香環を有する第２ジアミン化合物残基をさらに含有する。そのような第２ジアミン化合物残基は、下記式（２−２）で表すことができる。

式（２−２）において、Ｌ^２は、第２連結基であり、Ａｒ^５及びＡｒ^６はそれぞれ芳香環である。すなわち、複数の芳香環であるＡｒ^５及びＡｒ^６は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合している。ここで、式（２−２）で表される第２ジアミン化合物残基に付されている「※」印は、テトラカルボン酸エステル残基との結合部位（上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基に付されている「※」印との結合部位）を示す。

第２連結基は、例えば、アルキレン基を含む。上記式（２−２）における第２連結基（Ｌ^２）は、例えば、−Ａ^１−Ｒ^４−Ａ^２−であり、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、単結合又は酸素若しくは硫黄であり、Ｒ^４は、１個〜１０個の炭素原子を有するアルキレン基である。Ｒ^４は、好ましくは１個〜５個の炭素原子を有するアルキレン基である。
上記式（２−２）において、芳香環であるＡｒ^５及びＡｒ^６は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセン基、又はピレン基である。

第１ポリアミド酸系化合物が、上記式（１）で表されるテトラカルボン酸残基と上記式（２−２）で表される第２ジアミン化合物残基とを有する場合、第１ポリアミド酸系化合物は、下記式（３−２）で表される構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（３−２）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、式（２−２）に関して定義した通りである。

このような第１ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、下記式（１３）に示すジアミン化合物で表すことができる。

式（１３）において、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、式（２−２）に関して定義した通りである。

上記式（１３）で表されるジアミン化合物は、例えば、１，２−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１，２−ビス（４−アミノフェノキシ）エタンである。

いくつかの実施形態において、第１ポリアミド酸系化合物は、上記式（２−１）で表さエル第１ジアミン化合物残基とともに上記式（２−２）で表される第２ジアミン化合物残基を有する。上記式（２−２）で表される第２ジアミン化合物残基をさらに有する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、上記式（１１−１）で表される構造単位に加えて、下記式（１１−２）で表される構造単位を有する。

式（１１−２）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、式（２−２）に関して定義した通りである。

従って、上記式（１１−１）で表される構造単位に加えて、上記式（１１−２）で表される構造単位を有するイミド化物を含む光配向膜は、上記式（１１−１）で表される構造単位を有するイミド化物を含む光配向膜の特徴に加え、下記の特徴をさらに有する。
上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物は、第２連結基を介して結合した複数の芳香環をさらに有するため、第２ポリアミド酸系化合物に対してさらに相分離し易くなる。このため、液晶分子を初期配向する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物が上層として形成され易くなる。
また、上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、第２連結基を介して結合した複数の芳香環をさらに有するため、柔軟性が付与される。このため、液晶表示装置に外力が加えられても、当該イミド化物が外力による衝撃を吸収して、シール部と配向膜とが剥離し難くなる。

いくつかの実施形態において、第２ジアミン化合物残基が有する複数の芳香環の少なくとも１つ（通常、各芳香環）には、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している。このようなジアミン化合物残基は、例えば、第３ジアミン化合物残基として表すことができる。第３ジアミン化合物残基は、例えば、下記式（２−３）で表すことができる。

式（２−３）において、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は式（２−２）に関して定義した通りであり、Ｒ^２は、式（２−１）に関して定義した通りであり、Ｌ^３は単結合又は第３連結基である。すなわち、複数の芳香環の少なくとも１つ（Ａｒ^５及びＡｒ^６）には、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している。ここで、式（２−３）で表される第３ジアミン化合物残基に付されている「※」印は、テトラカルボン酸エステル残基との結合部位（上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基に付されている「※」印との結合部位）を示す。

上記式（２−３）において、Ｌ^３が第３連結基である場合、第３連結基は、例えば脂肪族基又は芳香族基である。脂肪族基は、例えば、１個〜１０個の炭素原子を有するアルキレン基であり、好ましくは１個〜５個の炭素原子を有するアルキレン基である。芳香族基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセン基、又はピレン基である。

第１ポリアミド酸系化合物が上記式（１）で表されるテトラカルボン酸残基と、上記式（２−３）で表される第３ジアミン化合物残基とを有する場合、第１ポリアミド酸系化合物は、下記式（３−３）で表される構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（３−３）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、式（２−２）に関して定義した通りであり、Ｒ^２は、式（２−１）に関して定義した通りであり、Ｌ^３は式（２−３）に関して定義した通りである。

このような第１ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、下記式（１４）に示すジアミン化合物で表すことができる。

式（１４）において、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、式（２−２）に関して定義した通りであり、Ｒ^２は、式（２−１）に関して定義した通りであり、Ｌ^３は式（２−３）に関して定義した通りである。

上記式（１４）で表されるジアミン化合物は、例えば、１，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）エタンである。

いくつかの実施形態において、第１ポリアミド酸系化合物は、上記式（２−１）で表される第１ジアミン化合物残基に加えて、上記式（２−３）で表される第３ジアミン化合物残基を有する。上記式（２−３）で表されるジアミン化合物残基をさらに有する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、上記式（１１−１）で表される構造単位に加えて、下記式（１１−３）で表される構造単位を有する。

式（１１−３）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｌ^２、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、式（２−２）に関して定義した通りであり、Ｒ^２は、式（２−１）に関して定義した通りであり、Ｌ^３は式（２−３）に関して定義した通りである。

従って、上記式（１１−１）で表される構造単位に加えて、上記（１１−３）で表される構造単位を有するイミド化物を光配向膜は、上記式（１１−１）で表される構造単位を有するイミド化物を含む光配向膜の特徴に加え、下記の特徴をさらに有する。
上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物は、第２連結基を介して結合した複数の芳香環をさらに有するため、第２ポリアミド酸系化合物に対してさらに相分離し易くなる。このため、液晶分子を初期配向する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物が上層として形成され易くなる。
また、上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、第２連結基を介して結合した複数の芳香環をさらに有するため、柔軟性が付与される。このため、液晶表示装置に外力が加えられても、当該イミド化物が外力による衝撃を吸収して、シール部と配向膜とが剥離し難くなる。
さらに、上層を形成する第１ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、複数の芳香環の少なくとも１つに、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合しており、当該カルボキシル基又はアミノ基がシール部と結合するため、シール部と強固に接着する。

第２の側面に係る光配向膜用ワニス
第２の側面に係る光配向膜用ワニスは、有機溶媒中に、有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とカルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基とを有する第３ポリアミド酸系化合物、及び第３ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第４ポリアミド酸系化合物を含有する。テトラカルボン酸系残基は、シクロブタン骨格を有する。
ジアミン化合物残基とカルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基とを有する第３ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二水物）とを反応させることによって、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する前駆体を製造し、その前駆体に含まれる半数のカルボキシル基をエステル化することによって合成することができる。上述した前駆体は、ポリアミド酸である第４ポリアミド酸系化合物として用いることができる。
そのため、第３ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とカルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基とを有し、第４ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する。

＜第３ポリアミド酸系化合物＞
第３ポリアミド酸系化合物は、シクロブタン骨格を有し、カルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基を有する。そのようなテトラカルボン酸系残基は、下記式（１５−１）で表すことができる。

式（１５−１）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｒ^５は、アルキル基である。ここで、式（１５−１）で表されるテトラカルボン酸系残基に付されている「※」印は、ジアミン化合物残基との結合部位（上記式（７）で表されるジアミン化合物残基に付されている「※」印との結合部位）を示す。
式（１５−１）において、Ｒ^５は、例えば１個〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、アルキル基としては、メチル基が特に好ましい。

また、第３ポリアミド酸系化合物は、上記式（１５−１）に加えて下記式（１５−２）で表されるテトラカルボン酸残基、及び上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基を含み得る。

式（１５−２）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りである。ここで、式（１５−２）で表されるテトラカルボン酸残基に付されている「※」印は、ジアミン化合物残基との結合部位（上記式（７）で表されるジアミン化合物残基に付されている「※」印との結合部位）を示す。

第３ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基を有する。このジアミン化合物残基は、上記式（７）で表すことができる。

第３ポリアミド酸系化合物が上記式（１５−１）で表されるテトラカルボン酸系残基と、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基とを有する場合、第３ポリアミド酸系化合物は、下記式（１６）で表される構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（１６）において、Ｒ^５は、式（１５−１）に関して定義した通りであり、Ｙ^１は、式（７）に関して定義した通りである。

このような第３ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、上記式（４）に示すテトラカルボン酸化合物で表すことができる。
また、第３ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、上記式（１０）に示すジアミン化合物で表すことができる。

このような第３ポリアミド酸系化合物において、カルボキシル基とカルボン酸エステル基との存在比は、例えば、１：３から３：１までであり、１：２から２：１までであることが好ましい。いくつかの実施形態において、第３ポリアミド酸系化合物におけるカルボキシル基とカルボン酸エステル基との存在比は、例えば、１：１である。

＜第４ポリアミド酸系化合物＞
第４ポリアミド酸系化合物は、第２ポリアミド酸系化合物と同じ構成を有するため、繰り返しの説明を省略する。

第３及び第４ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒として、上述したような、第１及び第２ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒を使用することができる。

いくつかの実施形態において、光配向膜用ワニスにおける第３ポリアミド酸系化合物と第４ポリアミド酸系化合物の重量比は、４：６から２：８までであり、４：６から３：７までであることが好ましい。

第２の側面に係る光配向膜用ワニスにおいて、カルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基を有する第３ポリアミド酸系化合物と、ポリアミド酸である（テトラカルボン酸残基を有する）第４のポリアミド酸系化合物とが共存する。このような場合、テトラカルボン酸残基を有する第４のポリアミド酸系化合物は、カルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基を有する第３のポリアミド酸系化合物よりも大きな表面エネルギーを有する。すなわち第４のポリアミド酸系化合物は第３のポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する。このため、第３ポリアミド酸系化合物と第４ポリアミド酸系化合物は相分離する。

このような第２の側面に係る光配向膜用ワニスを塗布対象に塗布すると、第４ポリアミド酸系化合物の方が、画素電極ＰＥ、第２絶縁膜１２、オーバーコート層ＯＣとの親和性が高いので、第４ポリアミド酸系化合物が下層となり、第３ポリアミド酸系化合物が上層を構成して液晶層ＬＣ及びシール部ＳＥと接するようになる。
塗布対象に塗布し、二相に分離した光配向膜用ワニスを２００℃程度の温度で加熱することによってイミド化し、イミド化後の二層膜に光配向処理を行って配向膜、すなわち光配向膜を提供する。
上述したような加熱によるイミド化反応において、イミド化率は、７０％〜９０％である。このため、第３ポリアミド酸系化合物に含まれるカルボキシシル基及びカルボン酸エステル基のモル百分率を１００モル％とした場合、この第３ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第３ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボキシシル基及びカルボン酸エステル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。
同様に、第４ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸残基に含まれるカルボキシル基のモル百分率を１００モル％とした場合、この第４ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第４ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。

上述したように、第２の側面に係る光配向膜用ワニスを用いて形成した二層構造の光配向膜は、第４ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、下層（絶縁基板側）を形成し、第３ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、上層（液晶及びシール部側）を形成する。

いくつかの実施形態において、上層を形成する第３ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、下記式（１７）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（１７）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｙ^１は、式（７）に関して定義した通りである。

いくつかの実施形態において、下層を形成する第４ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、上記式（１２）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

従って、上層を形成する第３ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、シクロブタン骨格を有するため、光配向処理により当該シクロブタン骨格が開裂して、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与される。
また、上層を形成する第３ポリアミド酸系化合物のイミド化物には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が残存しているため、当該カルボキシル基が、シール部と結合する。そのため第３ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、シール部と強固に接着する。
下層を形成する第４ポリアミド酸系化合物のイミド化物には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が残存しているため、当該カルボキシル基が、画素電極、オーバーコート層等と結合する。そのため第４ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、これら材料と強固に接着する。
それ故、第２の側面に係る光配向膜用ワニスを用いることによって、液晶層の液晶分子を初期配向する性能を低下させることなく、シール部との接着強度を向上させた光配向膜を形成することができる。

いくつかの実施形態において、第３ポリアミド酸系化合物は、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基に加えて、上記式（２−１）で表される第１ジアミン化合物残基、上記式（２−２）で表される第２ジアミン化合物残基、及び上記式（２−３）で表される第３ジアミン化合物残基のうち少なくとも１つを有してもよく、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基に代えて、上記式（２−１）〜（２−３）で表される第１〜第３ジアミン化合物残基のうち少なくとも１つを有してもよい。第１〜第３ジアミン化合物残基を備えることにより、第１ポリアミド酸系化合物にて述べた効果が第３ポリアミド酸系化合物においても得られる。

第３の側面に係る光配向膜用ワニス
第３の側面に係る光配向膜用ワニスは、有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する第５ポリアミド酸系化合物、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第６ポリアミド酸系化合物、並びに第５及び第６ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第７ポリアミド酸系化合物を含有する。テトラカルボン酸残基及び前記テトラカルボン酸エステル残基は、それぞれシクロブタン骨格を有する。第５ポリアミド酸系化合物は、第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、２５重量部以上７５重量部以下の範囲で含まれる。
ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する第５ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二水物）とを反応させることによって製造することができる。ジアミン化合物とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第６ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物を前駆体として、その前駆体をエステル化することによって合成することができる。ポリアミド酸は、上述した前駆体を第７ポリアミド酸系化合物として用いることができる。
そのため、第５及び第７ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有し、第６ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する。

＜第５ポリアミド酸系化合物＞
第５ポリアミド酸系化合物は、シクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸残基を有する。そのようなシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸残基は、上記式（１５−２）で表すことができる。

第５ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基を有する。このようなジアミン化合物残基は、上記式（７）で表すことができる。

第５ポリアミド酸系化合物が上記式（１５−２）で表されるテトラカルボン酸残基と、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基とを有する場合、第５ポリアミド酸系化合物は、下記式（１８）で表される構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（１８）において、Ｒ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｙ^１は、式（７）に関して定義した通りである。

このような第５ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、上記式（４）に示すテトラカルボン酸化合物で表すことができる。
第５ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、上記式（１０）に示すジアミン化合物で表すことができる。

＜第６ポリアミド酸系化合物＞
第６ポリアミド酸系化合物は、シクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸エステル残基を有する。そのようなシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸エステル残基は、上記式（１）で表すことができる。

第６ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基を有する。このようなジアミン化合物残基は、上記式（７）で表すことができる。

第６ポリアミド酸系化合物が上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基と、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基とを有する場合、第６ポリアミド酸系化合物は、下記式（１９）で表される構造単位（繰り返し単位）を有する。

式（１９）において、Ｒ^１及びＲ^ａは、式（１）に関して定義した通りであり、Ｙ^１は、式（７）に関して定義した通りである。

このような第６ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、上記式（４）に示すテトラカルボン酸化合物で表すことができる。
第６ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、上記式（１０）に示すジアミン化合物で表すことができる。

＜第７ポリアミド酸系化合物＞
第７ポリアミド酸系化合物は、ポリアミド酸である。
第７ポリアミド酸系化合物は、第２ポリアミド酸系化合物と同じ構成を有するが、第５ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する。このような第７ポリアミド酸系化合物は、例えば、第５ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物残基と比べて、当該第７ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物残基に酸素が多く存在することにより、高い極性を有する。すなわち、第７ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基に酸素が多く存在することにより、第５ポリアミド酸系化合物よりも大きな表面エネルギーを有する。

このような第７ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、上記式（９）に示すテトラカルボン酸化合物で表すことができる。
第７ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、上記式（１０）に示すジアミン化合物で表すことができるが、酸素を多く含むジアミン化合物であることが好ましい。

第５〜第７ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒として、上述したような、第１及び第２ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒を使用することができる。

いくつかの実施形態において、光配向膜用ワニスにおける第５ポリアミド酸系化合物の重量比は、第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、２５重量部以上７５重量部以下である。このような光配向膜用ワニスにおいて、第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計重量と第６ポリアミド酸系化合物の重量とは、例えば、４：６から２：８までであり、４：６から３：７までであることが好ましい。

第３の側面に係る光配向膜用ワニスにおいて、テトラカルボン酸残基を有する（ポリアミド酸である）第５ポリアミド酸系化合物と、テトラカルボン酸エステル残基を有する（ポリアミド酸エステルである）第６ポリアミド酸系化合物と、ポリアミド酸である（テトラカルボン酸残基を有する）第７ポリアミド酸系化合物とが共存する。このような場合、ポリアミド酸がポリアミド酸エステルよりも大きな表面エネルギーを有する。すなわちポリアミド酸はポリアミド酸エステルよりも高い極性を有する。このため、第６ポリアミド酸系化合物と第７ポリアミド酸系化合物とは相分離する。
また、第５及び第７ポリアミド酸系化合物はともにポリアミド酸であるが、上述したように、第７ポリアミド酸系化合物が、第５ポリアミド酸系化合物よりも大きな表面エネルギーを有するように構成されている。このため、第５ポリアミド酸系化合物と第７ポリアミド酸系化合物とは相分離する。
ここで、第５ポリアミド酸系化合物と第６ポリアミド酸系化合物は、第７ポリアミド酸系化合物と相分離していればよく、第５ポリアミド酸系化合物と第６ポリアミド酸系化合物は混ざり合っていてよい。

このような第３の側面に係る光配向膜用ワニスを塗布対象に塗布すると、第７ポリアミド酸系化合物の方が、画素電極ＰＥ、第２絶縁膜１２、オーバーコート層ＯＣとの親和性が高いので、第７ポリアミド酸系化合物が下層となり、第５及び第６ポリアミド酸系化合物が上層を構成して液晶層ＬＣ及びシール部ＳＥと接するようになる。
塗布対象に塗布し、二相に分離した光配向膜用ワニスを２００℃程度の温度で加熱することによってイミド化し、イミド化後の二層膜に光配向処理を行って配向膜、すなわち光配向膜を提供する。
上述したような加熱によるイミド化反応において、イミド化率は、７０％〜９０％である。このため、第６ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸エステル残基に含まれるカルボン酸エステル基のモル百分率を１００モル％とした場合、この第６ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第６ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボン酸エステル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。
同様に、第５及び第７ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸残基に含まれるカルボキシル基のモル百分率をそれぞれ１００モル％とした場合、第５及び第７ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第５及び第７ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基がそれぞれ１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。

上述したように、第３の側面に係る光配向膜用ワニスを用いて形成した二層構造の光配向膜は、第７ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、下層（絶縁基板側）を形成し、第５及び第６ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、上層（液晶及びシール部側）をそれぞれ形成する。

いくつかの実施形態において、上層を形成する第５ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、上記式（１７）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

いくつかの実施形態において、上層を形成する第６ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、上記式（１７）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

いくつかの実施形態において、下層を形成する第７ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、上記式（１２）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

従って、上層を形成する第５及び第６ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、それぞれシクロブタン骨格を有するため、光配向処理により当該シクロブタン骨格が開裂して、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）がそれぞれ付与される。
また、上層を形成する第５ポリアミド酸系化合物のイミド化物には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が残存しているため、当該カルボキシル基が、シール部と結合する。そのため第５ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、シール部と強固に接着する。
下層を形成する第７ポリアミド酸系化合物のイミド化物には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が残存しているため、当該カルボキシル基が、第２絶縁膜、画素電極、オーバーコート層等と結合する。そのため第７ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、これら材料と強固に接着する。
それ故、第３の側面に係る光配向膜用ワニスを用いることによって、液晶層の液晶分子を初期配向する性能を低下させることなく、シール部との接着強度を向上させた光配向膜を形成することができる。

ここで、第５ポリアミド酸系化合物は、第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、２５重量部以上７５重量部以下の範囲で含まれる。第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、第５ポリアミド酸系化合物を２５重量部未満にすると、上層を形成する第５ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）が減少する。その結果、上層は、当該上層中のカルボキシル基が減少してシール部と結合し難くなり、シール部と強固に接着できない虞がある。
また、第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、第５ポリアミド酸系化合物が７５重量部を超えると、上層を形成する第５及び第６ポリアミド酸系化合物と、下層を形成する第７ポリアミド酸系化合物とが相分離し難くなり、光配向処理により当該シクロブタン骨格が開裂して配向制御能が付与され難く、液晶分子ＬＭを初期配向し難くなる虞がある。

いくつかの実施形態において、第５及び第６ポリアミド酸系化合物はそれぞれ、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基に加えて、上記式（２−１）で表される第１ジアミン化合物残基、上記式（２−２）で表される第２ジアミン化合物残基、及び上記式（２−３）で表される第３ジアミン化合物残基のうち少なくとも１つを有してもよく、上記式（７）で表されるジアミン化合物残基に代えて、上記式（２−１）〜（２−３）で表される第１〜第３ジアミン化合物残基のうち少なくとも１つを有してもよい。第１〜第３ジアミン化合物残基を備えることにより、第１ポリアミド酸系化合物にて述べた効果が第５及び第６ポリアミド酸系化合物においても得られる。

第４の側面に係る光配向膜用ワニス
第４の側面に係る光配向膜用ワニスは、有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第８ポリアミド酸系化合物、及び第８ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第９ポリアミド酸系化合物を含有する。テトラカルボン酸エステル残基は、シクロブタン骨格を有する。ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有する第３ジアミン化合物残基を含有する。第３ジアミン化合物残基が有する芳香環は、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している。
ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第８ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二水物）とを反応させることによって、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する前駆体を製造し、その前駆体をエステル化することによって合成することができる。上述した前駆体は、ポリアミド酸である第９ポリアミド酸系化合物として用いることができる。
そのため、第９ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有し、第８ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する。

＜第８ポリアミド酸系化合物＞
第８ポリアミド酸系化合物は、シクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸エステル残基を有する。そのようなシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸エステル残基は、上記式（１）で表すことができる。

第８ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物残基を有する。このジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有する第３ジアミン化合物残基を含有する。第３ジアミン化合物残基が有する芳香環は、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している。そのような第３ジアミン化合物残基は、上記式（２−３）で表すことができる。

第８ポリアミド酸系化合物が上記式（１）で表されるテトラカルボン酸エステル残基と、上記式（２−３）で表される第３ジアミン化合物残基とを有する場合、第８ポリアミド酸系化合物は、上記式（３−３）で表される構造単位（繰り返し単位）を有する。

このような第８ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、例えば、上記式（４）に示すテトラカルボン酸化合物で表すことができる。
第８ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、例えば、上記式（１３）に示すジアミン化合物で表すことができる。

＜第９ポリアミド酸系化合物＞
第９ポリアミド酸系化合物は、第２ポリアミド酸系化合物と同じ構成を有するため、繰り返しの説明を省略する。

第８及び第９ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒として、上述したような、第１及び第２ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒を使用することができる。

いくつかの実施形態において、光配向膜用ワニスにおける第８ポリアミド酸系化合物と第９ポリアミド酸系化合物の重量比は、４：６から２：８までであり、４：６から３：７までであることが好ましい。

第４の側面に係る光配向膜用ワニスにおいて、テトラカルボン酸エステル残基を有する（ポリアミド酸エステルである）第８のポリアミド酸系化合物と、ポリアミド酸である第９のポリアミド酸系化合物とが共存する。このような場合、ポリアミド酸がポリアミド酸エステルよりも大きな表面エネルギーを有する。すなわちポリアミド酸はポリアミド酸エステルよりも高い極性を有する。このため、第８ポリアミド酸系化合物と第９ポリアミド酸系化合物は相分離する。

このような第４の側面に係る光配向膜用ワニスを塗布対象に塗布すると、第９ポリアミド酸系化合物の方が、画素電極ＰＥ、第２絶縁膜１２、オーバーコート層ＯＣとの親和性が高いので、第９ポリアミド酸系化合物が下層となり、第８ポリアミド酸系化合物が上層を構成して液晶層ＬＣ及びシール部ＳＥと接するようになる。
塗布対象に塗布し、二相に分離した光配向膜用ワニスを２００℃程度の温度で加熱することによってイミド化し、イミド化後の二層膜に光配向処理を行って配向膜、すなわち光配向膜を提供する。
上述したような加熱によるイミド化反応において、イミド化率は、７０％〜９０％である。このため、第８ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸エステル残基に含まれるカルボン酸エステル基のモル百分率を１００モル％とした場合、この第８ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボン酸エステル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。
同様に、第９ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸残基に含まれるカルボキシル基のモル百分率を１００モル％とした場合、第９ポリアミド酸系化合物をイミド化すると、第９ポリアミド酸系化合物のイミド化物中には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が１０モル％〜３０モル％の範囲で残存する。

上述したように、第４の側面に係る光配向膜用ワニスを用いて形成した二層構造の光配向膜は、第９ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、下層（絶縁基板側）を形成し、第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、上層（液晶及びシール部側）をそれぞれ形成する。

いくつかの実施形態において、上層を形成する第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、上記式（１１−３）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

いくつかの実施形態において、下層を形成する第９ポリアミド酸系化合物のイミド化物（ポリイミド）は、上記式（１２）で示す構造単位（繰り返し単位）を有する。

従って、上層を形成する第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、シクロブタン骨格を有するため、光配向処理により当該シクロブタン骨格が開裂して、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与される。
また、上層を形成する第８ポリアミド酸系化合物は、第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有するため、第９ポリアミド酸系化合物に対してさらに相分離し易くなる。このため、液晶分子を初期配向する第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物が上層として形成され易くなる。
また、上層を形成する第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有するため、柔軟性が付与される。このため、液晶表示装置に外力が加えられても、当該イミド化物が外力による衝撃を吸収して、シール部と配向膜とが剥離し難くなる。
さらに、上層を形成する第８ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、複数の芳香環の少なくとも１つに、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合しており、当該カルボキシル基又はアミノ基がシール部と結合するため、シール部とさらに強固に接着する。
下層を形成する第９ポリアミド酸系化合物のイミド化物には、イミド化未反応部位であるカルボキシル基が残存しているため、当該カルボキシル基が、第２絶縁膜、画素電極、オーバーコート層と結合する。そのため第９ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、これら材料と強固に接着する。
それ故、第４の側面に係る光配向膜用ワニスを用いることによって、液晶層の液晶分子を初期配向する性能を低下させることなく、シール部との接着強度を向上させた光配向膜を形成することができる。

第１〜第４の側面に係る光配向膜用ワニスはそれぞれ、シランカップリング剤を含むことができる。シランカップリング剤は、画素電極ＰＥ、オーバーコート層ＯＣ、及びシール部ＳＥと結合して、シール部ＳＥとの密着性の向上に寄与できる。シランカップリング剤は、光配向膜用ワニスに含まれるポリアミド酸系化合物を１００重量部としたきに、光配向膜用ワニス中に０．３重量部〜２．０重量部の範囲で含まれる。
シランカップリング剤が０．３重量部未満である場合、画素電極ＰＥ、オーバーコート層ＯＣ、及びシール部ＳＥとの接着性の向上に寄与できない虞がある。
シランカップリング剤が２．０重量部を超える場合、当該シランカップリング剤が液晶層中に溶出して、液晶表示装置に残像等の表示不良を発生させる虞がある。

シランカップリング剤は、例えば、エポキシ系シランカップリング剤又はアミン系シランカップリング剤である。エポキシ系シランカップリング剤は、例えば、下記に示すことができる。

アミン系シランカップリング剤は、例えば、下記に示すことができる。

なお、上記側面において、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が本発明の光配向膜用ワニスから形成されるが、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の少なくとも一方が、本発明の光配向膜用ワニスから形成されていればよい。

以下、本発明を実施例により説明するが、初めに、ポリアミド酸系化合物の合成例を記載する。
ポリアミド酸系化合物の合成例
合成例１
ジアミン化合物としての２，５−ジアミノ安息香酸１００モル部のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）溶液と、テトラカルボン酸化合物としての１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物（ＣＢＤＡ）１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、テトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物前駆体を生成させた。この反応混合物に１００モル部のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＦＡ）を滴下し、５０℃で２時間反応させて、前駆体中のテトラカルボン酸残基のカルボキシル基をメチルエステル化させた。未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸エステル残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例２
ジアミン化合物としての２，５−ジアミノ安息香酸５０モル部及び４，４’−エチレンジアニリンのＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのＣＢＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、テトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物前駆体を生成させた。この反応混合物に１００モル部のＤＦＡを滴下し、５０℃で２時間反応させて、前駆体中のテトラカルボン酸残基のカルボキシル基をメチルエステル化させた。未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸エステル残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例３
ジアミン化合物としての１，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）エタン１００モル部のＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのＣＢＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、テトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物前駆体を生成させた。この反応混合物に１００モル部のＤＦＡを滴下し、５０℃で２時間反応させて、前駆体中のテトラカルボン酸残基のカルボキシル基をメチルエステル化させた。未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸エステル残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例４
ジアミン化合物としてのｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）１００モル部のＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのＣＢＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、テトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物前駆体を生成させた。この反応混合物に１００モル部のＤＦＡを滴下し、５０℃で２時間反応させて、前駆体中のテトラカルボン酸残基のカルボキシル基をメチルエステル化させた。未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸エステル残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例５
ジアミン化合物としてのＰＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのピロメリット酸二無水物１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例６
ジアミン化合物としてのＰＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのＣＢＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、カルボキシル基が結合しているテトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物前駆体を生成させた。この反応混合物に５０モル部のＤＦＡを滴下し、５０℃で２時間反応させて、前駆体中のテトラカルボン酸残基のカルボキシル基の概半数をメチルエステル化させた。未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のカルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例７
ジアミン化合物としてのＰＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのＣＢＤＡ１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

合成例８
ジアミン化合物としての４，４−ジアミノジフェニルエーテル１００モル部のＮＭＰ溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのピロメリット酸二無水物１００モル部のＮＭＰ溶液と、ブチルセロソルブとを混合し、未反応のモノマー、低分子量成分を除去して、固形分濃度１５重量％の所望のテトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物溶液を得た。

例１〜例４
下記表１に示す上層成分及び下層成分を重量比５：５の比率で混合し、例１〜例４の塗布液（光配向膜用ワニス）を調製した。
図２に示す構造の液晶表示装置の第１基板ＳＵＢ１の第１配向膜ＡＬ１及び第２基板ＳＵＢ２の第２配向膜ＡＬ２を塗布すべき領域に、例１〜例４の塗布液をそれぞれ膜厚が１００ｎｍとなるように塗布し、２３０℃、１０分間加熱してイミド化を行なった。イミド化率は、いずれも８０％であった。

各イミド化膜に対し、２５４ｎｍから３６５ｎｍ領域の偏光紫外線を照射して光配向処理を行なった。光配向処理には、ショートアーク光源（ウシオ電機製、ＵＸＭ−５０００ＢＹ）を使用した。光配向処理における偏光紫外線の照射量は、約１．５Ｊ／ｃｍ^２であった。照射量は積算照度計（ウシオ電機製、ＵＶＤ−Ｓ２５４センサ）での値である。

光配向処理後のイミド化膜を、２３０℃、３０分間加熱して光配向膜を形成した。こうして形成した光配向膜を第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を用いて、一方の基板に形成した光配向膜の周縁にシールを設け、液晶材料を滴下し封入するようにして、他方の基板の光配向膜と対向するように張り合わせて、液晶セルを作製した。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のギャップは３μｍとした。液晶としては、ネガ型の液晶材料（Δｎ＝０．１１）を用いた。

作製した液晶セルの両面に偏光板をクロス二コルとなるように貼り合わせ、常法により例１の液晶表示装置を製造した。照明装置は、１００００ｃｍ／ｃｍ^２のＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体）−ＬＥＤ光源を使用した。駆動電圧は、電圧−輝度特性を取得し、最大輝度の２２％となる電圧（２．２Ｖ）に設定した。例２〜例４の液晶表示装置を、例１の液晶表示装置の製造方法に準じて製造した。

例１〜例４の液晶表示装置を用いて、落下試験（評価１）及び焼付き試験（評価２）を実施した。

＜評価１：落下試験＞
例１〜４の液晶表示装置を１台ずつ準備し、２ｍの高さから垂直方向に落下させ、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に剥離が生じていないかを観察して、配向膜と、画素電極、オーバーコート層及びシール部との接着性を以下の３段階で評価した。
Ａ：剥離しなかった。
Ｂ：剥離した部分が一部見られた。
Ｃ：剥離した。

＜評価２：焼付き試験＞
配向膜の配向制御能（液晶分子を初期配向する性能）を評価するために、焼付き試験を実施した。
例１〜例４の液晶表示装置に、図５に示す白と黒（図中斜線で示す）のチェッカーフラグパターンを６０℃で１時間表示させた。各チェッカーパターンは、一辺５ｍｍの正方形であった。白は最大輝度（２５６／２５６階調）であり、黒は最少輝度（０／２５６階調）である。１時間後、画面全体に最大輝度の１％となる電圧を印加し画面全体に３／２５６階調のグレー表示をさせると、１時間表示時の白表示部と黒表示部で輝度が異なる現象（焼付き）が観察された。両表示部の輝度変化率：
｛（ａ−ｂ）／ｂ｝×１００
（式中、ａは、白表示部の輝度であり、ｂは、黒表示部の輝度である）を残像強度とした。この数値が１％以上あると、人間の目には残像として認識される。
上記チェッカーフラグパターンを６０℃で１時間連続点灯した後のグレー表示における焼付きの発生の有無を目視によって観測して、配向膜の配向制御能（液晶分子を初期配向する性能）を以下の２段階で評価した。
Ａ：グレー表示において焼付きは視認されなかった。（配向制御能は低下していなかった）
Ｂ：グレー表示において焼付きが視認された。（配向制御能が低下していた）
結果を下記表１に併記する。

例１に示すように、上層成分としてシクロブタン骨格と第１ジアミン化合物残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例１）のイミド化物を備える光配向膜は、シール部と強固に接着し、かつ液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与されていることがわかる。
例２及び例３に示すように、上層成分として、シクロブタン骨格と第１及び第２ジアミン化合物残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例２）のイミド化物を備える光配向膜、及びシクロブタン骨格と第３ジアミン化合物残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例３）のイミド化物を備える光配向膜は、シール部と強固に接着し、かつ液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与されていることがわかる。
一方、例４に示すように、上層成分として第１〜第３ジアミン化合物残基のいずれも含まないポリアミド酸系化合物（合成例４）のイミド化物を備える光配向膜は、シール部と強固に接着していないことがわかる。

例５〜例７
下記表２に示す上層成分及び下層成分を重量比５：５の比率で混合し、例５〜例７の塗布液（光配向膜用ワニス）を調製した。次に、これら例５〜例７の塗布液をそれぞれ用いて、例５〜例７の液晶表示装置を、例１の液晶表示装置の製造方法に準じて製造した。
続いて、例５〜例７の液晶表示装置を用いて、上述した評価１及び２を行なった。結果を下記表２に併記する。

例６に示すように、上層成分としてシクロブタン骨格とカルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例６）のイミド化物を備える光配向膜は、シール部と強固に接着し、かつ液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与されていることがわかる。
一方、例５に示すように、上層成分としてシクロブタン骨格とテトラカルボン酸エステル残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例４）のイミド化物を備える光配向膜は、カルボキシル基を有していないため、シール部と強固に接着していないことがわかる。
また、例７に示すように、上層成分としてシクロブタン骨格とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例７）のイミド化物を備える光配向膜は、下層成分としてテトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物（合成例５）と上層成分とが層分離し難く、光配向処理によって液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与され難いことがわかる。

例８〜例１２
下記表３に示す混合比率で上層成分及び下層成分を混合し、例８〜例１２の塗布液（光配向膜用ワニス）を調製した。次に、これら例８〜例１２の塗布液をそれぞれ用いて、例８〜例１２の液晶表示装置を、例１の液晶表示装置の製造方法に準じて製造した。
続いて、例８〜例１２の液晶表示装置を用いて、上述した評価１及び２を行なった。結果を下記表３に併記する。

例９〜例１１に示すように、上層成分として、シクロブタン骨格とテトラカルボン酸エステル残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例４）及びシクロブタン骨格とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例７）が、合成例４及び７のポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、２５重量部以上７５重量部以下の範囲で含まれるポリアミド酸系化合物のイミド化物を備える光配向膜は、シール部と強固に接着し、かつ液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与されていることがわかる。
一方、例８に示すように、上層成分としてシクロブタン骨格とテトラカルボン酸残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例７）のイミド化物を備える光配向膜は、下層成分としてテトラカルボン酸残基を有するポリアミド酸系化合物（合成例８）と上層成分とが層分離し難く、液晶分子を初期配向する性能（配向制御能）が付与され難いことがわかる。
また、例１２に示すように、上層成分としてシクロブタン骨格とテトラカルボン酸エステル残基とを有するポリアミド酸系化合物（合成例４）のイミド化物を備える光配向膜は、カルボキシル基を有していないため、シール部と強固に接着していないことがわかる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…液晶表示装置 ＰＮＬ…表示パネル １…フレキシブルプリント回路基板 ２…ＩＣチップ ３…回路基板 ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 ＭＴ…実装部 ＬＣ…液晶層 ＬＭ…液晶分子 ＳＥ…シール部 ＬＳ…遮光層 ＳＰ１〜ＳＰ４…スペーサ ＤＡ…画像表示領域 ＮＤＡ…非表示領域 ＰＸ…画素 ＢＬ…照明装置 第１偏光板…ＰＬ１ 第２偏光板…ＰＬ２ 第１光学素子…ＯＤ１ 第２光学素子…ＯＤ２ １０…第１絶縁基板 １１、１２…絶縁膜 ２０…第２絶縁基板 ＢＭ…遮光膜 ＡＬ１…第１配向膜 ＡＬ２…第２配向膜 ＣＦ…カラーフィルタ ＯＣ…オーバーコート層 ＣＥ…共通電極 ＰＥ…画素電極 上層…ＡＬ１−１ 下層…ＡＬ１−２

Claims (14)

1. 有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第１ポリアミド酸系化合物、及び前記第１ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第２ポリアミド酸系化合物を含有し、
   前記テトラカルボン酸エステル残基は、シクロブタン骨格を有し、
   前記ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合した芳香環を含む第１ジアミン化合物残基を含有する
   光配向膜用ワニス。
2. 有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とカルボキシル基及びカルボン酸エステル基が結合しているテトラカルボン酸系残基とを有する第３ポリアミド酸系化合物、及び前記第３ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第４ポリアミド酸系化合物を含有し、
   前記テトラカルボン酸系残基は、シクロブタン骨格を有する
   光配向膜用ワニス。
3. 有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸残基とを有する第５ポリアミド酸系化合物、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第６ポリアミド酸系化合物、並びに前記第５及び第６ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第７ポリアミド酸系化合物を含有し、
   前記テトラカルボン酸残基及び前記テトラカルボン酸エステル残基は、それぞれシクロブタン骨格を有し、
   前記第５ポリアミド酸系化合物は、前記第５及び第６ポリアミド酸系化合物の合計を１００重量部としたときに、２５重量部以上７５重量部以下の範囲で含まれる
   光配向膜用ワニス。
4. 前記ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基が結合するとともに、直接に又は第１連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合した芳香環を含む第１ジアミン化合物残基を含有する請求項２又は３に記載の光配向膜用ワニス。
5. 前記第１連結基は、脂肪族基又は芳香族基である請求項１又は４に記載の光配向膜用ワニス。
6. 前記ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有する第２ジアミン化合物残基をさらに含有する請求項１、４、５のいずれか１項に記載の光配向膜用ワニス。
7. 前記第２ジアミン化合物残基が有する複数の芳香環の少なくとも１つには、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している請求項６に記載の光配向膜用ワニス。
8. 前記ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有する第３ジアミン化合物残基を含有し、
   前記第３ジアミン化合物残基が有する複数の芳香環の少なくとも１つには、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している請求項１〜６のいずれか１項に記載の光配向膜用ワニス。
9. 有機溶媒中に、ジアミン化合物残基とテトラカルボン酸エステル残基とを有する第８ポリアミド酸系化合物、及び前記第８ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸である第９ポリアミド酸系化合物を含有し、
   前記テトラカルボン酸エステル残基は、シクロブタン骨格を有し、
   前記ジアミン化合物残基は、２つの第二級アミノ基を有し、かつ第２連結基を介して結合した複数の芳香環を有する第３ジアミン化合物残基を含有し、
   前記第３ジアミン化合物残基が有する芳香環は、直接に又は第３連結基を介して、カルボキシル基又はアミノ基がさらに結合している
   光配向膜用ワニス。
10. 前記第２連結基は、アルキレン基を含む請求項６〜９のいずれか１項に記載の光配向膜用ワニス。
11. 前記第３連結基は、脂肪族基又は芳香族基である請求項７〜９のいずれか１項に記載の光配向膜用ワニス。
12. シランカップリング剤をさらに含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光配向膜用ワニス。
13. 前記シランカップリング剤は、アミン系シランカップリング剤、又はエポキシ系シランカップリング剤である請求項１２に記載の光配向膜用ワニス。
14. 第１基板と、
    前記第１基板から離間して対向配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板とを接着する枠状のシール部と、
    前記第１基板と前記第２基板と前記シール部との間にある液晶層と、
    前記第１基板にあり前記液晶層及び前記シール部と接する配向膜と
    を備え、
    前記配向膜は請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光配向膜用ワニスのイミド化物を含む液晶表示装置。

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