JP2020140979A - ロードロックモジュール、基板処理装置及び基板の搬送方法 - Google Patents

ロードロックモジュール、基板処理装置及び基板の搬送方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 ロードロックモジュールにて基板を検知する技術を提供すること。【解決手段】大気圧下で基板が搬送される大気搬送モジュールと、真空圧下で基板の搬送が行われる真空搬送モジュールと、の間に設置されたロードロックモジュールにおいて、内部を大気圧と、真空圧との間で切り替え可能なロードロック室を設ける。このロードロック室に、基板を冷却する冷却機構を備えた載置台を設けると共に、基板を昇降移動させるための昇降ピンを、載置台から突没自在に設ける。さらに、載置台から突出した昇降ピンによって基板が支持される位置に対応させて検知領域が設定され、当該検知領域にて基板を検知するための検知部を設ける。【選択図】 図4

Description

本開示は、ロードロックモジュール、基板処理装置及び基板の搬送方法に関する。
半導体装置の製造工程においては、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)に対して、エッチングや成膜などの様々な真空処理が行われる。この真空処理を高いスループットで行う装置として、真空搬送室の周囲に複数の真空処理室を配置し、大気搬送室からロードロック室及び真空搬送室を介して真空処理室にウエハを搬送する構成が知られている。真空処理室にて処理されたウエハは、真空搬送室のアームにより真空雰囲気のロードロック室に搬送され、ロードロック室内が大気雰囲気に調節された後、当該ロードロック室から大気搬送室のアームにより搬出される。
特許文献1には、走査型電子顕微鏡(SEM)を備えた走査型電子顕微鏡本体に基板を搬送するためのロードロック室に、水平な光軸を備えたウエハ有無センサーとウエハ傾きセンサーを設ける構成が記載されている。また、特許文献2には、カセット内に収納されている被処理体の位置を検出するための発光素子及び受光素子をウエハ搬送装置のアームに設ける構成が記載されている。
特開2012−33594号公報 特開平5−243347号公報
本開示は、ロードロックモジュール内にて基板を検知する技術を提供する。
本開示のロードロックモジュールは、
内部の圧力を切り替えて基板の搬送が行われるロードロックモジュールであって、
大気圧下で基板が搬送される大気搬送モジュールと、基板の処理を行う処理モジュールに接続され、真空圧下で基板の搬送が行われる真空搬送モジュールと、の間に設けられ、内部を大気圧と、真空圧との間で切り替え可能なロードロック室と、
前記ロードロック室内に設けられ、処理モジュールにて処理された基板が受け渡されると共に、受け渡された基板を支持する受け渡し機構を備えた載置台と、
前記受け渡し機構によって基板が支持される位置に対応させて検知領域が設定され、当該検知領域にて基板を検知するための検知部と、を備えたことを特徴とする。
本開示によれば、ロードロックモジュール内にて基板を検知することができる。
本開示の基板処理装置の第1の実施形態を示す平面図である。 前記基板処理装置を示す縦断側面図である。 前記基板処理装置のロードロックモジュールに設けられる弁体の一例を示す斜視図である。 前記弁体に設けられた検出部の一例とウエハとを示す平面図である。 前記弁体と検出部とを示す斜視図である。 前記ロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 前記ロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 本開示の基板の搬送方法の一例を示すフローチャートである。 本開示の基板処理装置の第2の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 第2の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 本開示の基板の搬送方法の他の例を示すフローチャートである。 本開示の基板処理装置の第3の実施形態のロードロックモジュールを示す平面図である。 第3の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 第3の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 本開示の基板の搬送方法のさらに他の例を示すフローチャートである。 本開示の基板処理装置の第4の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 第4の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 本開示の基板搬送方法のさらに他の例を示すフローチャートである。 本開示の基板処理装置の第5の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。 第5の実施形態のロードロックモジュールに設けられる載置台と検出部とを示す側面図である。
(第1の実施形態)
本発明の実施の形態に係る基板処理装置1について、図1の平面図及び図2の縦断側面図を参照しながら説明する。この基板処理装置1は、例えば大気搬送モジュール2と、ロードロックモジュール3(3A、3B)と、真空搬送モジュール4と、処理モジュール5(5A〜5F)と、を備える。処理対象となるウエハWの直径は例えば300mmである。大気搬送モジュール2は、大気圧下でウエハWが搬送されるモジュールであり、例えば平面視長方形状の大気搬送室21を備える。大気搬送室21の長手方向に伸びる2つの側面のうちの一方に、ロードロックモジュール3A、3Bが接続され、前記2つの側面のうちの他方には、複数のウエハWを収容するキャリアCを載置するためのキャリア載置台22が設けられる。
大気搬送室21の内部には、キャリア載置台22上のキャリアCと、ロードロックモジュール3A、3Bとの間でウエハWの受け渡しを行うために、第1の基板搬送機構23が配置される。この第1の基板搬送機構23は、例えば不図示のガイドレールと、多関節アームタイプの搬送アーム24と、を備え、搬送アーム24は、大気搬送室21の長手方向に移動自在、旋回自在、伸縮自在且つ昇降自在に構成される。図2中、符号25は、キャリアCの蓋体を開閉するためのドアである。
大気搬送モジュール2は、2つのロードロックモジュール3A、3Bを介して真空搬送モジュール4に接続される。真空搬送モジュール4は、真空圧下でウエハWが搬送されるモジュールであり、例えば平面視細長の五角形状の真空搬送室41を備える。この真空搬送室41の周囲には、例えば6つの処理モジュール5A〜5Fが例えば放射状に配置されて、真空搬送室41に夫々ゲートバルブ51を介して接続される。処理モジュール5A〜5Fは、真空容器52内にて、ウエハに対して成膜、エッチング、加熱などの各種処理を行なうモジュールである。
真空搬送室41の内部は真空雰囲気に維持されており、ロードロックモジュール3A、3Bと、各処理モジュール5A〜5Fとの間でウエハWの受け渡しを行うために、第2の基板搬送機構42が配置される。この第2の基板搬送機構42は、例えば不図示のガイドレールと、2つの多関節アームタイプの搬送アーム43とを備え、搬送アーム43は、真空搬送室41の長手方向に移動自在、旋回自在、伸縮自在且つ昇降自在に構成される。
ロードロックモジュール3A、3Bは、既述のように、大気搬送モジュール2と、真空搬送モジュール4との間に設けられ、その内部の圧力を切り替えてウエハWの搬送を行うモジュールである。ロードロックモジュール3A、3Bは、例えば2つのうち一方が搬入用、他方が搬出用に用いられる。この例では、ロードロックモジュール3Aを搬入用、ロードロックモジュール3Bを搬出用とする。搬入用ロードロックモジュール3Aは、処理前のウエハWを大気搬送室21から真空搬送室41に受け渡すためのモジュールである。また、搬出用ロードロックモジュール3Bは、処理モジュール5A〜5Fにて処理が行われたウエハWを真空搬送室41から大気搬送室21に受け渡すためのモジュールである。これらロードロックモジュール3A、3Bは、例えば平面視四角形状のロードロック室31を備え、このロードロック室31は、その内部の圧力を、大気圧と真空圧との間で切り替え可能な内圧可変室として構成される。
ロードック室31は、大気搬送室21との間でウエハWを受け渡す搬入出口32と、真空搬送室41との間でウエハWを受け渡す搬入出口33と、を備える。これら搬入出口32、33は、例えば横長の長方形状に形成され、夫々弁体34、35により開閉自在に構成される。この例では、大気搬送モジュール2側の搬入出口32を開閉する弁体34をドアバルブ34、真空搬送モジュール4側の搬入出口33を開閉する弁体35をゲートバルブ35と称する。図3は、ドアバルブ34をロードロック室31側から見た斜視図であり、ドアバルブ34において、搬入出口32の周囲の壁面と接触して搬入出口32を塞ぐ閉止面30を示している。ここでは、ドアバルブ34の閉止面30を例にして示すが、ドアバルブ34及びゲートバルブ35の閉止面30は、例えば夫々搬入出口32、33を覆う大きさの長方形状に構成される。
これらドアバルブ34、ゲートバルブ35における搬入出口32、33の周囲の壁面との接触領域は夫々シール面301として形成される。搬入出口32、33を閉じるときには、当該シール面301と搬入出口32、33の周囲の壁面とが密着されて気密にシールされる。なお、図3中、点線にて囲まれた領域は、搬入出口32に対応する領域を示す。これらドアバルブ34、ゲートバルブ35の下面は、例えば夫々シャフト341、351を介して夫々開閉機構342、352に接続される。この例の開閉機構342、352はエアシリンダを含み、エア駆動によりシャフト341、351が伸縮するように構成される。
これにより、ドアバルブ34、ゲートバルブ35は、搬入出口32、33の下方側にある開放位置と、搬入出口32、33を塞ぐ閉止位置との間で上下方向に移動する。実際には、開閉機構342、352は、例えば不図示のカム機構を備える。そして、搬入出口32、33を閉じるときには、ドアバルブ34、ゲートバルブ35が上下移動する領域から搬入出口32、33側へ横移動し、搬入出口32、33を気密に塞ぐことができるようになっている。図3中、符号343は、開閉機構342の動作により、シャフト341が伸縮、及び横方向に移動するための孔部である。
また、ロードロック室31は、ガス供給路361を介して、圧力調整用のガス例えば窒素(N)ガスの供給源362に接続されると共に、排気路371を介して排気機構372例えば真空ポンプに接続される。ガス供給路361や排気路371には図示しないバルブ、流量調整部又は圧力調整部などが設けられ、後述する制御部からの指令に基づいて、ロードロック室31内の圧力を大気圧と真空圧との間で切り替えるように構成される。つまり、ロードロック室31内へのNガスの供給を停止して、排気機構372により真空引きを行うことにより、ロードロック室31内が真空圧に設定される。また、真空圧のロードロック室31に対して、排気を停止すると共に、Nガスを供給することにより、ロードロック室31内の圧力が大気圧に復帰する。
この実施形態では、搬出用ロードロックモジュール3Bに検出部7を設けており、続いて、ロードロック室31の内部について、搬出用ロードロックモジュール3Bを例にして説明する。ロードロック室31の内部には、ウエハWを載置するための載置台6が設けられ、この載置台6は、処理モジュール5にて処理されたウエハWを冷却する冷却機構61を備えたクーリングプレートとして構成される。冷却機構61は、環状の冷媒室611と、冷媒供給路612と、を備え、チラーユニット613から低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン(登録商標)を循環供給するように構成される。このほか、冷媒を通流させる冷媒供給路612を設ける場合に替えて、ペルチェ素子を用いて載置台6を冷却する構成を採用してもよい。
また、載置台(クーリングプレート)6は、処理モジュールにて処理されたウエハWが受け渡される受け渡し機構を備える。この例の受け渡し機構は、載置台6上の載置位置と、載置台6の上方側の受け渡し位置との間でウエハWを昇降移動させるための、複数本例えば3本の昇降ピン62よりなる。この昇降ピン62は、エア駆動により、昇降機構63により載置台6に対して突没自在に構成される。前記受け渡し位置とは、載置台6と、第1の基板搬送機構23又は第2の基板搬送機構42との間で、ウエハWの受け渡しを行う位置である。図2中、符号631はベローズである。
さらに、ロードロック室31には、ウエハWを検知するための検知部7が設けられる。この検知部7は、載置台6から突出した昇降ピン62によってウエハWが支持される位置に対応させて検知領域が設定され、この検知領域にてウエハWを検知するものである。昇降ピン62によりウエハWが支持される位置は前記受け渡し位置であり、この受け渡し位置にあるウエハWを検知できる領域が検知領域として設定される。例えば図4に示すように、検知部7は,検知領域にて支持されるウエハWの側面に向けて検知光を投光する投光部71と、検知光を受光する光センサーよりなる受光部72と、を備える。
図4に示すように、これら投光部71と受光部72は、夫々ドアバルブ34の閉止面30において、シール面301の形成領域よりも内側に、例えば夫々棒状の支持部材711、721により支持された状態で設けられる。具体的には、投光部71及び受光部72は、夫々支持部材711、721の先端側に取り付けられ、この支持部材711、721の基端側は、例えば支持部材711、721を水平方向に回動させる移動機構712、722に夫々接続される。
ドアバルブ34の閉止面30には、各支持部材711、721に対応して、支持部材711、721を格納可能な凹部713、723が形成され、例えば各移動機構712、722はドアバルブ34の内部に設けられる。そして、これら移動機構712、722により、各支持部材711、721を回動させて、投光部71及び受光部72が格納位置と検知位置との間で水平方向に移動自在に構成される。図4は、検知位置にある支持部材711、721を実線にて示し、格納位置にある支持部材711、721を点線にて示す。格納位置とは、支持部材711、721がドアバルブ34の凹部713、723内に収まる位置であり、この例では、支持部材711、721は、閉止面30に沿って前記凹部713、723内に収納される。検知位置とは投光部71及び受光部72がロードロック室31内に進入して検知領域を形成する位置であり、この例では、各支持部材711、721は例えば閉止面30に対して直交する位置まで回動して前記検知位置を構成する。
こうして、図5に示すように、検知部7の各支持部材711、721は、凹部713、723内の格納位置と検知位置との間を回転移動する。そして、図4に示すように平面で見たとき、検知位置にある投光部71と受光部72は、互いにウエハWを挟んで対向する状態となる。また、投光部71と受光部72との間で、昇降ピン62に干渉しない位置にて検知光の水平な光軸Lを形成するように配置される。なお、図4では、図示の便宜上、ウエハWの端部を通過するように光軸Lを示してある。
ここでは、投光部71、受光部72、支持部材711、721、移動機構712、722をマッピング機構70と称する。そして、投光部71及び受光部72がドアバルブ34に格納位置にある状態をマッピング機構70が格納された状態、投光部71及び受光部72が検知位置にある状態をマッピング機構70が展開された状態とする場合がある。
この実施形態では、ドアバルブ34の上下方向の移動動作を利用して、検知領域と、昇降ピン62に支持されるウエハWとの相対的な位置関係を変化させて、ウエハWの検知が行われる。検知領域とは、例えば検知光の光軸Lが形成される領域であり、ドアバルブ34の移動に合わせて光軸Lも移動するため、この例における検知領域とは、光軸Lが上下方向に移動する領域である。また、ドアバルブ34の開放動作を利用してウエハWの検知を行っており、図6に示すように、例えばドアバルブ34の開放動作の開始直前に、閉止位置にあるドアバルブ34からマッピング機構70を展開する。この位置では、投光部71からの検知光の光軸Lが、昇降ピン62により受け渡し位置にて支持されたウエハWの上方側にある。
そして、図7に示すように、ドアバルブ34を下降させて、搬入出口32を開放しながらウエハWの検知を行う。搬入出口32を開放するときには、ドアバルブ34を搬入出口32から大気搬送室21側に少し後退移動させてから下降させる。この動作を利用し、投光部71及び受光部72は、ドアバルブ34を下降させるときに、投光部71からの検知光がウエハWにより遮光されるように、夫々配置される。投光部71からの検知光は、ウエハWが存在しない高さ位置では、受光部72に受光され、ウエハWが存在する高さ位置では、ウエハWにより検知光が遮光されるので、受光部72では非受光状態となる。このように、この例の検知部7は、ウエハWにより検知光が遮光された場合に、ウエハWの存在を検知する遮光センサーとして構成され、受光状態の変化は検出部73を介して制御部100に出力される。
搬出用ロードロックモジュール3Bのゲートバルブ35は、検知部が設けられていないこと以外は、ドアバルブ34と同様に構成される。
また、搬入用ロードロックモジュール3Aについては、例えば載置台6に冷却機構が設けられておらず、ドアバルブ34に検知部が設けられていないこと以外は、上述の搬出用ロードロックモジュール3Bと同様に構成される。
制御部100は、例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部を備える。プログラムは、制御部100から基板処理装置1の各部に制御信号を送り、後述の基板の搬送を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれる。プログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)等の記憶部に格納されて制御部にインストールされる。
また、プログラムには、ウエハの存在を検知する検知プログラムも含まれている。検知プログラムは、ウエハWの検知を行うときに、検知部7のオンオフ動作、昇降ピン62の昇降機構621や、ドアバルブ34の移動機構342、支持部材711、721の移動機構712、722の駆動を制御する。また、ウエハWの検知(ウエハWの有無の判定)を行い、この検知結果に基づいて、ロードロック室31からウエハWを搬出する動作を停止するための信号の出力、またはアラームの発報の少なくとも一方を実施するように構成される。
続いて、本発明の基板の搬送方法の一例について説明する。先ず、基板処理装置1におけるウエハWの搬送経路について簡単に説明する。初めにドア25を開いて、キャリア載置部22に載置されたキャリアC内のウエハWを、大気搬送室21の第1の基板搬送機構23により受け取る。そして、搬入用ロードロックモジュール3Aのドアバルブ34を下降させて搬入出口32を開き、第1の基板搬送機構23によりウエハWを大気圧のロードロック室31の載置台6の昇降ピン62に受け渡す。搬入用ロードロックモジュール3Aでは、ドアバルブ34を上昇させて搬入出口32を閉じた後、その内部圧力を大気圧から真空圧に切り替える。次いで、ゲートバルブ35を下降させて搬入出口33を開き、載置台6の昇降ピン62から、真空搬送室41側の第2の基板搬送機構42へとウエハWを受け取る。続いて、ゲートバルブ35を上昇させて搬入出口33を閉じ、ロードロック室31内を大気圧に戻す。
第2の基板搬送機構42は、ウエハWを所定の処理モジュール5に搬送し、当該処理モジュール5にて、例えば成膜処理やエッチング処理、加熱処理などの基板処理を実施する。ここからは、図8のフローチャートも参照して説明する。第2の基板搬送機構42は、処理モジュール5にて処理されたウエハWを、搬出用ロードロックモジュール3Bのロードロック室31に搬入する工程を実施する(ステップS11)。つまり、搬出用ロードロックモジュール3Bのゲートバルブ35を下降させて搬入出口33を開き、真空圧に設定されたロードロック室31に対してウエハWを搬入し、昇降ピン62を介して載置台6に受け渡す。しかる後、第2の基板搬送機構42が搬入出口33から退出させ、ゲートバルブ35を上昇させて搬入出口33を閉じる。載置台6は冷却機構61により冷却されており、載置台(クーリングプレート)6にウエハWを載置することにより、ウエハWを例えば80℃に冷却する(ステップS12)。
一方、搬入出口33が閉じられたロードロック室31内を大気圧に切り替えるように調節する工程を実施する(ステップS13)。ウエハWを冷却する工程と、ロードロック室31内を大気圧に調節する工程とは、いずれか一方を先に行ってもよいし、同時に行ってもよい。但し、窒素ガスによる熱伝達を利用してウエハWを冷却するという観点からは、冷却前にロードロック室31内を大気圧に調節することが好ましい。こうして、ウエハWを冷却した後、載置台6から昇降ピン62を突出させて、載置台6の上方側の受け渡し位置までウエハWを上昇移動(リフトアップ)させる工程を実施する(ステップS14)。続いて、閉止位置にあるドアバルブ34のマッピング機構70を展開し(ステップS15)、各支持部材711、721をロードロック室31に進入させて、投光部71及び受光部72を検知位置に移動させる。
続いて、投光部71と受光部72の間に検知光の光軸Lを形成した状態で、ドアバルブ34を閉止位置から下降させて搬入出口22を開放し、この開放動作に伴い、ウエハWを検知する(ステップS16)。こうして、予め設定された検知領域にて、載置台6から突出した昇降ピン62に支持されるウエハWを検知する工程を実施する。予め設定された検知領域とは、既述のように、載置台6から突出した昇降ピン62に支持されるウエハWを検知するために、光軸Lが移動する領域である。この例では、検知領域は、ドアバルブ34の閉止位置に対応する位置から、ドアバルブ34の開放位置に対応する位置までの光軸Lの移動領域である。
例えばマッピング機構70が展開するタイミングで検出部7をオン状態に設定し、検知領域を移動する間は、受光部72にて検知光を受光していることを示す受光信号が検出部73を介して制御部100に出力される。この場合には、当該受光信号が途切れた際に、ウエハWの存在が検知された(ウエハWが有る)と判定する。ドアバルブ34が開放位置に移動すると、検知部7をオフ状態にすると共に、マッピング機構70をドアバルブ34内に格納し、ウエハWの検知作業を終了する。
そして、ウエハWが有ると判定した(ウエハWの存在を検知した)場合には(ステップS17)、第1の基板搬送機構23にロードロック室31から大気搬送室21へウエハWを搬出させるための信号を出力する(ステップS18)。一方、ウエハWを検知しないと判定した場合には、第1の基板搬送機構23に、ロードロック室31からウエハWを搬出する動作を停止させるための信号を出力し、ウエハWの搬出を停止する工程を実施する。また、アラームを発報する工程を実施する(ステップS19)。アラームの発報とは、アラームランプの点灯やアラーム音の発生、コンピュータの表示手段へのアラーム表示などをいう。なお、ウエハWを検知しない場合には、ロードロック室31からのウエハWの搬出動作停止、及びアラーム発報の、少なくとも一方を実施するように設定してよい。
この実施形態によれば、搬出用ロードロックモジュール3Bにて載置台6から突出した昇降ピン62によって支持されるウエハWを検知しているので、昇降ピン62上にウエハWが有るか否かを確認することができる。このため、搬出用ロードロックモジュール3BからウエハWを搬出する動作を行う前に、昇降ピン62上にウエハWがないという異常を把握でき、ウエハ搬出時に発生するおそれがある事故を未然に防止することができる。
例えば大気搬送室21の搬送アーム24が、キャリアC内のウエハWの検出を行うマッピング機構を備える場合や、各処理モジュール5A〜5Fにおいて、ウエハWが正しい位置に載置されているかを検出する機構が設けられる場合がある。しかしながら、搬入用ロードロックモジュール3Aと真空搬送室41との間や、各種処理モジュール5A〜5Fと真空搬送室41との間のウエハWの受け渡しや、ウエハWの処理の際に、僅かな位置ずれが発生することがある。これらの位置ずれが互いに打ち消し合わない方向に積み重なってしまうと、搬出用ロードロックモジュール3Bにおいて、昇降ピン62上の正しい位置にウエハWが受け渡されずに、昇降ピン62からウエハWが落下する場合がある。
しかしながら、ロードロック室31内にてウエハWの検知を行わない場合には、昇降ピン62におけるウエハWの載置異常に気が付かずに、第1の基板搬送機構23の搬送アーム24をロードロック室31内に進入させることになる。この結果、落下したウエハWに搬送アーム24が衝突して、ウエハWや搬送アーム24が破損し、装置を停止する必要が発生するおそれがある。このように、ロードロック室31内でウエハWの検知を行うことは、基板処理装置1を停止させずに、処理をスムーズに実施する上で有効である。
また、上述の実施形態によれば、検知領域と、昇降ピン62にて支持されるウエハWとの相対的な位置関係を変化させて検知している。このため、ウエハWが本来、支持されるべき位置を含むように検知領域を設定し、ウエハWの存在の検知を精度よく行うことができる。さらに、検知部7をドアバルブ(弁体)34に設け、ドアバルブ34の上下方向の移動動作を利用して、昇降ピン62によって支持されるウエハWの検知を行っている。これにより、検知部7の上下方向の移動とドアバルブ34の開放動作を同時に行うことができる。従って、ウエハの検知のために、検知部7を上下方向に移動させる工程の実施時間を別個に確保する必要がないので、スループットの低下が抑制される。また、検知部7と、昇降ピン62によって支持されるウエハWとの相対的な位置関係を変化させる機構を新たに設ける必要がなく、スペース的にもコスト的にも有利である。
さらにまた、検知部7はドアバルブ34内に格納された格納位置と、ロードロック室31内に進入した検知位置との間で移動機構712、722により移動自在に設けられ、検知を行わないときにはドアバルブ34内に収まっている。このため、載置台6と第1の基板搬送機構23、又は第2の基板搬送機構42との間のウエハWの受け渡しのときに、検知部7がこれらの動作を干渉するおそれはない。さらにまた、検知領域にてウエハWが検知されなかった場合に、ロードロック室31からウエハWを搬出する動作を停止するか、アラームを発報する場合には、ウエハWの載置異常の認知を確実に行うことができる。
さらに、この例では、搬出用ロードロックモジュール3Bにて、載置台6で冷却した後、ウエハWを昇降ピン62にてリフトアップしてウエハWの検知を行っている。冷却後に昇降ピン62にてリフトアップされたウエハWは、第1の基板搬送機構23によりロードロック室31から搬出されるため、搬出前の最終タイミングでウエハWの検知を行っていることになる。冷却によりウエハWに反りや変形が発生し、昇降ピン62にてリフトアップするときに載置異常が発生する場合もある。このため、このタイミングでウエハWの検知を行うことにより、ロードロック室31から搬出直前のウエハWの載置異常を把握でき、ロードロック室31からのウエハWの搬出に関する動作をより確実に実施することができる。
(第2の実施形態)
この実施形態は、ウエハWの検知を行う際に、ウエハWの存在の検知の他、ウエハWの反り量、傾き、または受け渡し機構である昇降ピン62の異常の少なくとも一つの検出も同時に行うものである。この実施形態について、図9〜図11を参照して、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、以下に説明する各実施形態に係る図において、図1〜図7を用いて説明した第1の実施形態に係る基板処理装置1と共通の構成要素には、これらの図に示したものと同じ符号を付してある。ドアバルブ34の開閉機構343は、シャフト341を伸縮させるモータ駆動の駆動機構よりなり、ドアバルブ34に設けられた検知部7の高さ位置を検出するエンコーダ344を備えている。受光部72における受光状態や、エンコーダ344のパルス値は、制御部100に出力される。
制御部100の検知プログラムは、受光部72における受光状態の変化と、エンコーダ344のパルス値に対応する検知部7の高さ位置と対応付けて、検知光が遮光された高さ位置を検出するように構成される。そして、検知領域にてウエハWの上端が検知光を遮光する高さ位置H1と、ウエハWの下端が検知光を遮光する高さ位置H2と、を取得するように構成される。また、これら高さ位置H1、H2の差分である遮光範囲を演算し、この遮光範囲に基づき、昇降ピン62に保持されるウエハWの反り量、または傾きの少なくとも一方を検出するように構成される。反りのないウエハWが正常な姿勢で昇降ピン62に支持されているときの遮光範囲は、ウエハWの厚みに対応する範囲となる。これに対して、ウエハWに反りが生じたり、ウエハWが昇降ピン62に傾いた状態で支持されていると、遮光範囲がウエハWの厚みに対応する範囲よりも大きくなる。従って、この例では、前記遮光範囲をウエハWの反り量、または傾き量として検出する。
また、制御部100の検知プログラムは、前記遮光範囲が許容範囲より大きい場合に、ロードロック室31からウエハWを搬出する動作を停止する工程、またはアラームを発報する工程の少なくとも一方を実施するように構成される。前記許容範囲は予め設定されるものであり、例えば予め設定された許容反り量のウエハWが正常な姿勢で昇降ピン62に支持されているときの遮光範囲が許容範囲として設定される。その他の構成は、第1の実施形態と同様であり、説明を省略する。
この実施形態の基板の搬送方法の一例について、ウエハWの検知と反り量とを検出する場合を例にして、図11のフローチャートを参照して説明する。図11のステップS11〜S16までは、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。この例においても、閉止位置にあるドアバルブ34のマッピング機構70を展開し、検知部7により検知光の光軸Lを形成した状態で、ドアバルブ34を開放位置まで下降させながら、ウエハWを検知する。
受光部72における受光状態や、このときのエンコーダ344のパルス値は制御部100に出力され、制御部100にて、ウエハWの有無の判定、前記遮光範囲の特定が行われる(ステップS17A)。そして、ウエハWが有ると判定した場合には、反り量(遮光範囲)が許容範囲内に収まっているか判定する(ステップS17B)。そして、許容範囲内であれば、ロードロック室31から大気搬送室21へウエハWを搬出するように、第1の基板搬送機構23に指令を出力する(ステップS18)。
一方、検知領域にてウエハWが検知されない場合、または反り量が許容範囲を超えている場合には、ロードロック室31から大気搬送室21へのウエハWの搬出動作を停止し、アラームを発報する(ステップS19)。ここでは、ウエハの反り量を検出する場合を例にして説明したが、ウエハWの傾きを検出してもよい。ウエハWが傾いた状態で昇降ピン62に支持されているときには、検知光の遮光範囲は、ウエハWが反っている場合よりも大きくなる場合もあると推察される。そこで例えば予めウエハWが最も反った状態を想定して、このときの遮光範囲を把握しておき、この遮光範囲を越えている場合にはウエハWが傾いていることを検出してもよい。また、ウエハWの反り量が大きいこと、ウエハWが傾いていることを区別して把握せず、遮光範囲が許容範囲を超えている場合は、いずれかの事象が発生していると判断して、ウエハWの搬出動作の停止やアラームの発報を実行してもよい。
さらに、ウエハWが傾いているときは、昇降ピン62の異常であることが多いことから、ウエハWの傾き量に基づいて、昇降ピン62の異常を検知するようにしてもよい。昇降ピン62の異常としては、昇降ピン62の破損や変形により、複数本の昇降ピン62の高さ位置が揃わない場合などが例示できる。例えば、ウエハWの傾いていると検出されたときに、昇降ピン62の異常を検知するようにしてもよいし、予め傾き量に閾値を設定しておき、検出された傾き量が閾値を越えている場合には昇降ピン26の異常であると判定するようにしてもよい。
この実施形態によれば、ウエハWの存在のみならず、ウエハWの反り量または傾きの少なくとも一方を検出している。昇降ピン62上にウエハWが載置されていても、ウエハWの反りや昇降ピン62の異常などがある場合もある。このような場合、ウエハWの反り量や傾きが大きいと、昇降ピン62からウエハWを第1の基板搬送機構23が受け取る際に、搬送アーム24とウエハWとが衝突することがある。また、搬送アーム24上の正常な位置にウエハWが支持されずに、搬送中にウエハWが落下したり、キャリアC内の他のウエハWと衝突して破損する場合もある。従って、反り量または傾きなどの、昇降ピン62上のウエハWの姿勢異常や昇降ピン62の異常を把握することにより、ロードロック室31からウエハWの搬出を行うときに、より正常な状態で第1の基板搬送機構23に受け渡すことができる。
第1の実施形態及び第2の実施形態において、マッピング機構70は、ドアバルブ34に設ける代わりに、ゲートバルブ35に設けてもよい。この場合は、例えば搬出用ロードロックモジュール3Bのゲートバルブ35を開放位置に下降させて搬入出口33を開き、処理モジュール5にて処理が行われたウエハWを、載置台6から突出した受け渡し位置にある昇降ピン62に受け渡す。そして、ゲートバルブ35からマッピング機構70を展開し、ゲートバルブ35を開放位置から閉止位置に上昇させる動作を利用して、ウエハWの検知や、反り量又は傾きの検出を行う場合を例示することができる。
この例では、ウエハWが昇降ピン62上に有り、遮光範囲が許容範囲内であると判定されると、昇降ピン62を下降してウエハWを載置台6に載置して冷却する。一方、ウエハWが検知されない、または遮光範囲が許容範囲外であると判定されると、昇降ピン62の下降動作を停止し、アラームを発報する。このように、搬出用のロードロック室31にウエハWを搬送し、ゲートバルブ35を閉じるタイミングでウエハWの検知を行うことにより、昇降ピン62上のウエハWの不具合を早い段階で把握することができる利点がある。
さらに、第1の実施形態及び第2の実施形態において、受け渡し機構は、載置台の上方側の位置でウエハWを支持するため、載置台から突出するように設けられた複数の受け渡しピンであってもよい。このように高さ位置が固定された受け渡しピンに対しては、第1の基板搬送機構23や第2の基板搬送機構42が昇降することにより、ウエハWの受け渡しが行われる。そして、ロードロック室31に処理モジュールにて処理された処理済みのウエハWを搬入し、受け渡しピン上に受け渡した後、ロードロック室31内を大気圧に調節する。次いで、ドアバルブ34のマッピング機構70を展開して、ドアバルブ34の開放動作に伴い、ウエハWの検知を行う。同時に、ウエハWの反り量、傾き、または受け渡しピンの異常の少なくとも一つの検出も行うようにしてもよい。
(第3の実施形態)
この実施形態は、検知部8を、ドアバルブ34又はゲートバルブ35に設ける代わりに、ロードロック室31の側壁面に設けた例であり、図12〜図15を参照して、上述の実施形態と異なる点を中心に説明する。この例では、昇降ピン62に支持されたウエハWの昇降移動を利用して、ウエハWが検知部8の検知領域を通過するように、検知領域とウエハWとの相対的な位置関係を変化させる。図12は、搬出用ロードロックモジュール3Bの平面図であり、例えば平面視四角形状のロードロック室311において、搬入出口32、33が形成されていない、互いに対向する側壁面312、313に検知部8が設けられる。
検知部8としては、例えば投光部81及び受光部82を備えた、遮光センサーが用いられ、互いに対向する側壁面312、313の一方に投光部81、他方に受光部82が設けられる。これら投光部81及び受光部82は、検出光を透過させるために側壁面312、313に形成された窓部314、315を介して設けられる。図13、図14は、側面側から見た載置台6と検知部8の位置関係を示す。例えば検知部8は、載置台6の表面と、載置台6の上方側の受け渡し位置(図14に示す位置)との間の高さ位置に光軸Lを形成し、昇降ピン62にて投光部81からの検知光が遮光されないように配置される。この例における検知領域は、投光部81と受光部82との間で検知光の光軸Lが形成される領域である。
この例の昇降ピン62は、第1の実施形態と同様に、エア駆動の昇降機構621により、その先端が載置台6の内部にある位置と、前記受け渡し位置との間で昇降自在に構成される。そして、ウエハWを昇降ピン62により載置台6表面と受け渡し位置との間で昇降させることで、ウエハWが検知領域を通過する。
ドアバルブ34及びゲートバルブ35は、検知部8が設けられていない点以外は第1の実施形態と同様に構成される。その他の構成は、第1の実施形態と同様であり、説明を省略する。
この実施形態の基板の搬送方法の一例について、図15のフローチャートを参照して説明する。先ず、第2の基板搬送機構42により、処理モジュール5にて処理されたウエハWを、搬出用ロードロックモジュール3Bに搬入し(ステップS21)、第2の基板搬送機構42が退出した後、搬入出口33を閉じる。また、載置台6にウエハWを載置して、ウエハWを冷却する(ステップS22)。一方、搬入出口33が閉じられたロードロック室31内を大気圧に切り替えるように調節する(ステップS23)。
そして、ウエハWを冷却した後、昇降ピン62を載置台6から突出させて、ウエハWを載置台6の上方側の受け渡し位置までリフトアップする動作に伴い、ウエハWの検知を行う(ステップS24)。つまり、例えばウエハWのリフトアップを開始するタイミングで、検知部8をオン状態にして検知光の光軸Lを形成してから、載置台6表面のウエハWを受け渡し位置まで上昇させる。こうして、ウエハWが検知光の光軸L(検知領域)を通過して受け渡し位置に移動すると、検知部8をオフ状態にして検知光の投光を停止し、ウエハWの検知作業を終了する。
受光部82における受光状態は制御部100に出力され、制御部100に入力される受光信号が途切れたときに、ウエハWの存在を検知する(ステップS25)。そして、ウエハWが有ると判定した場合には、ドアバルブ34を開いてロードロック室31から大気搬送室21へウエハWを搬出するように、第1の基板搬送機構23に指令を出力する(ステップS26)。一方、検知領域にてウエハWが検知されない場合には、ロードロック室31から大気搬送室21へのウエハWの搬出動作を停止し、アラームを発報する(ステップS27)。なお、ステップS27は、ウエハWの搬出動作停止、及びアラーム発報の少なくとも一方を実施してよい。
この実施形態によれば、昇降ピン62の昇降移動を利用して検知領域にウエハWを通過させているので、ウエハWが昇降ピン62上にある場合には、ウエハWが確実に光軸Lを通過し、ウエハWの存在の検知を精度よく行うことができる。
また、この例においても、ウエハWの検知と昇降ピン62の昇降移動を同時に行っているので、ウエハの検知を実施することによるスループットの低下が抑制される。さらに、検知部8がロードロック室31の側壁面に設けられるので、昇降ピン62と第1の基板搬送機構23又は第2の基板搬送機構との間のウエハWの受け渡し動作を干渉するおそれがない。その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第4の実施形態)
この実施形態は、第3の実施形態のロードロックモジュールにおいて、ウエハWの検知を行う際に、ウエハWの存在の検知の他、ウエハWの反り量、傾き、または昇降ピン62の異常の少なくとも一つの検出も同時に行うものである。この実施形態について、図16〜図18を参照して、第3の実施形態と異なる点を中心に説明する。この例の昇降ピン62はモータ駆動の昇降機構622により昇降自在に構成され、昇降ピン62に支持されたウエハWの高さ位置を検出するエンコーダ623を備えている。ウエハWの高さ位置とは、検知部8に配置位置に対する相対的な高さ位置であり、受光部82における受光状態や、エンコーダ623のパルス値は、制御部100に出力される。
制御部100の検知プログラムは、第2の実施形態の検知プログラムと同様に、検知領域にてウエハWの上端が検知光を遮光する高さ位置H1と、ウエハWの下端が検知光を遮光する高さ位置H2と、を取得する。そして、これら高さ位置H1、H2の差分である遮光範囲を演算し、この遮光範囲に基づき、昇降ピン62に保持されるウエハWの反り量、または傾きの少なくとも一方を検出するように構成される。この例では、前記遮光範囲をウエハWの反り量、または傾き量として検出する。
また、制御部100の検知プログラムは、前記遮光範囲が許容範囲より大きかった場合に、ロードロック室31からウエハWを搬出する動作を停止する工程、またはアラームを発報する工程の少なくとも一方を実施するように構成される。前記許容範囲は予め設定されるものであり、例えば予め設定された許容反り量のウエハWが正常な姿勢で昇降ピン62に支持されているときの遮光範囲が許容範囲として設定される。その他の構成は、第3の実施形態と同様である。
この実施形態の基板の搬送方法の一例について、反り量を検出する場合を例にして、図18のフローチャートを参照して説明する。図18のステップS21〜S24までは、第3の実施形態と同様であるので省略する。受光部82における受光状態や、このときのエンコーダ623のパルス値が制御部100に出力され、制御部100にて、ウエハWの存在を検知し、前記遮光範囲が取得される。
そして、ウエハWが有ると判定した場合(ステップS25A)には、反り量が許容範囲内に収まっているか判定する(ステップS25B)。許容範囲内であれば、ドアバルブ34を開いて、ロードロック室31から大気搬送室21へウエハWを搬出するように、第1の基板搬送機構23に指令を出力する(ステップS26)。
一方、検知領域にてウエハWが検知されない場合、または反り量が許容範囲を超えている場合には、ロードロック室31から大気搬送室21へのウエハWの搬出動作を停止し、アラームを発報する(ステップS27)。このフローチャートでは反り量を検出のみ言及したが、第2の実施形態と同様に、本例も遮光範囲に基づいてウエハWの傾きを検出する場合や、昇降ピン62の異常を検知する場合を含んでいる。
この実施形態によれば、ウエハWの存在のみならず、反り量、傾き、または昇降ピン62の異常の少なくとも一つを検出しているので、第3の実施形態の効果に加えて、反り量または傾きなどの、昇降ピン62上のウエハWの姿勢の異常や昇降ピン62の異常を把握できる。このため、これらの異常が原因となる事故の発生を未然に防止し、より確実にロードロック室31からの搬出動作を実施することができる。
(第5の実施形態)
この実施形態は、図19及び図20に示すように、第3の実施形態において、検知部の受光部を、ウエハWの厚さ方向に沿って伸びるように設けられたラインセンサー92により構成したものである。ラインセンサー92としては、例えばCCD(Charge Coupled Device)センサーを用いることができる。投光部91は、ラインセンサー92の受光範囲に対応する広がりを持つ検知光を投光するように構成され、図19、図20中、点線にて示す領域90は、投光部91からの投光範囲(ラインセンサー92の受光範囲)である。この投光範囲のウエハWの厚さ方向の寸法は、ウエハWの厚さよりも大きく設定される。
そして、ウエハが昇降ピン62により受け渡し位置に支持されたときに、ウエハWが投光範囲内に位置し、昇降ピン62が投光範囲内に位置しないように、検知部9と、昇降ピン62にて支持されるウエハWの位置関係が設定される。この例における検知領域とは、検知光の投光範囲である。図19、図20中、符号316、317は、検知光を透過させるためにロードロック室31の側壁面に形成された窓部であり、受光部がラインセンサー92であること以外は、第3の実施形態と同様に構成されている。
この実施形態では、第3の実施形態と同様に、処理モジュール5にて処理されたウエハWを、搬出用ロードロックモジュール3Bの載置台6に載置して冷却する。そして、冷却後のウエハWの昇降ピン62によりリフトアップし、受け渡し位置にて支持してから、検知部9を作動させる。こうして、受け渡し位置にあるウエハWに対して検知光を投光し、このときの受光部92における受光状態を制御部100に出力して、制御部100にてウエハWの存在の検知及びウエハWの反り量(傾き)の特定を行う。
図19、図20中に示すように、受け渡し位置にあるウエハに対して検知光が投光されると、ラインセンサー92の受光範囲において、ウエハWが存在しない領域では検知光を受光し、ウエハWが存在する領域では検知光を受光しない。図19、20中には斜線にて示す領域94はウエハWの影である。図19に示すように、ウエハWに反りがなく、正常な姿勢で昇降ピン62にて支持されているときには、ウエハWにより検知光が遮光される遮光領域は、ウエハWの厚さに対応するものである。また、図20には、ウエハWに反りがある場合を示すが、この場合には、前記遮光領域が、ウエハWに反りがない場合よりも大きくなる。
ラインセンサー92では、前記遮光領域が非受光領域(暗部領域)93として検出される。このため、制御部100の検知プログラムでは、この非受光領域93の高さ寸法に基づいてウエハWの存在及び反り量を検出する。つまり、非受光領域93の存在が検出されるとウエハWが存在すると判定し、非受光領域93の高さ寸法によりウエハWの反り量(傾き量)を特定する。制御部100の検知プログラムは、非受光領域93が許容範囲より大きかった場合に、ロードロック室31からのウエハWの搬出動作停止、またはアラーム発報の少なくとも一方を実施するように構成される。前記許容範囲は予め設定されるものであり、例えば予め設定された許容反り量のウエハWが正常な姿勢で昇降ピン62に支持されているときの非受光領域93の大きさが許容範囲として設定される。なお、検知光の投光範囲(ウエハWの厚さ方向の高さ寸法)は、例えば予め反り量の最大量を想定し、この最大量に応じて設定される。
この実施形態の基板の搬送方法では、既述の実施形態と同様に、ウエハWの検知を行って、ウエハWが有ると判定した場合には、さらに、反り量が許容範囲内に収まっているか判定する。反り量が許容範囲内であれば、ドアバルブ34を開いて、ロードロック室31から大気搬送室21へウエハWを搬出するように、第1の基板搬送機構23に指令を出力する。一方、検知領域にてウエハWが検知されない場合、または反り量が許容範囲を超えている場合には、ロードロック室31から大気搬送室21へのウエハWの搬出動作を停止し、アラームを発報する。なお、ロードロック室31から大気搬送室21へのウエハWの搬出動作停止及びアラーム発報は、少なくとも一方を実施してもよい。なお、本例においても、遮光領域の高さ寸法に基づいて、ウエハWの傾きを検出する場合や、昇降ピン62の異常を検知する場合を含んでいる。また、この実施形態では、載置台6に昇降ピン62の代わりに高さ位置が固定された受け渡しピンを備える構成であってもよい。
この実施形態によれば、検出部9の受光部をウエハWの厚さ方向に沿って伸びるように設けられたラインセンサー92により構成している。従って、検知光の投光範囲内において、昇降ピン62にてウエハWを支持させることによって、ウエハWの存在の検知及びウエハWの反り量(傾き)の特定を行うことができる。このため、昇降ピン62の昇降にモータ駆動を採用して、エンコーダのパルスと対応付けた検出を行う必要がなく、装置構成や検知動作が簡素となる。
以上の第3〜第5の実施形態において、検出部8、9は、ロードロック室31のドアバルブ34及びゲートバルブ35の一方に投光部81、91を設け、他方に受光部82、92を設けるように構成してもよい。この場合には、ドアバルブ34及びゲートバルブ35が閉止位置にあるときに、検知光の投光範囲内に載置台6から突出する昇降ピン62により支持されたウエハWが位置する状態で、ウエハWの検知及び反り量の検出が行われる。
また、本開示では、図3〜5に示すドアバルブ(弁体)34に、第5の実施形態に示すようなラインセンサーよりなる受光部を備えた検出部を設けるようにしてもよい。例えば、投光部71及び受光部(ラインセンサー)72の支持部材711、721をウエハの厚さ方向に沿って伸びる板状体により構成し、夫々の先端に投光部71及び受光部72を設ける。そして、閉止位置にあるドアバルブ34から支持部材711、721を検出位置に移動して、検知領域を形成する。そして、この検知領域にて検知光を投光したときに、ウエハWが検知光の投光範囲内に位置するように昇降ピン62にてウエハWを支持した状態で、ウエハWの検知及び反り量の検出を行うようにしてよい。
以上において、既述のように、ロードロック室内を大気圧に調節した後は、圧力調整用のガスによる熱伝導でウエハWが冷却されるため、載置台6は必ずしも冷却機構を備える必要はない。また、本開示の検知部は、遮光センサー以外の光センサーにより構成してもよい。例えば検知領域にて支持される基板の側面に向けて検知光を投光する投光部と、その反射光を受光する受光部と、を備え、基板の側面にて反射された反射光を受光した場合に、基板の存在を検知する構成であってもよい。この他、ロードロックモジュール3A内に設ける受け渡し機構は、昇降自在な昇降ピンや、ウエハWの支持位置が固定された受け渡しピンに限定されるものではない。例えば大気搬送室21や真空搬送室41の搬送アーム24、43との間でウエハWを受け渡し可能なアームや、受け渡し棚を設けてもよい。さらに、上述の実施形態では、2つのロードロックモジュールの一方を搬入用、他方を搬出用に使い分ける場合を例にして説明したが、双方のロードロックモジュールを搬入用、搬出用の両方に利用してもよい。この場合には、2つのロードロックモジュール3A、3Bを同様に構成し、ロードロックモジュール3Aは、例えば載置台6に冷却機構61を備えると共に、検出部7〜9を設けるように構成してもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
W 半導体ウエハ
2 大気搬送モジュール
3A、3B ロードロックモジュール
31 ロードロック室
4 真空搬送モジュール
5 処理モジュール
6 載置台
61 冷却機構
62 昇降ピン
7、8、9 検知部

Claims (19)

  1. 内部の圧力を切り替えて基板の搬送が行われるロードロックモジュールであって、
    大気圧下で基板が搬送される大気搬送モジュールと、基板の処理を行う処理モジュールに接続され、真空圧下で基板の搬送が行われる真空搬送モジュールと、の間に設けられ、内部を大気圧と、真空圧との間で切り替え可能なロードロック室と、
    前記ロードロック室内に設けられ、処理モジュールにて処理された基板が受け渡されると共に、受け渡された基板を支持する受け渡し機構を備えた載置台と、
    前記受け渡し機構によって基板が支持される位置に対応させて検知領域が設定され、当該検知領域にて基板を検知するための検知部と、を備えた、ロードロックモジュール。
  2. 前記検知領域と、受け渡し機構に支持される基板との相対的な位置関係を変化させ、前記検知領域に基板を通過させることにより基板の検知が行われる、請求項1に記載のロードロックモジュール。
  3. 前記ロードック室は、前記大気搬送モジュールとの間で基板の搬入出が行われる搬入出口を開閉するため、上下方向に移動する弁体を有する開閉機構を備え、
    前記検知部は、前記搬入出口を閉じるための前記弁体の閉止面側に設けられ、当該弁体の上下方向の移動動作を利用して、前記受け渡し機構に支持された基板が前記検知領域を通過するように、前記相対的な位置関係を変化させる、請求項2に記載のロードロックモジュール。
  4. 前記弁体内に格納された格納位置と、前記ロードロック室内に進入して前記検知領域を形成する検知位置と、の間で前記検知部を移動させる移動機構を備える、請求項2に記載のロードロックモジュール。
  5. 前記受け渡し機構は、支持した基板を昇降自在に構成され、前記検知部は、前記ロードロック室の側壁面に設けられ、前記受け渡し機構に支持された基板の昇降移動を利用して、基板が前記検知領域を通過するように、前記相対的な位置関係を変化させる、請求項2に記載のロードロックモジュール。
  6. 前記検知領域にて基板が検知されなかった場合に、前記ロードロック室から基板を搬出する動作を停止するための信号の出力、またはアラームの発報の少なくとも一方を実施する、請求項1ないし5のいずれか一つに記載のロードロックモジュール。
  7. 前記検知部は、前記検知領域にて支持される基板の側面に向けて検知光を投光する投光部と、前記検知光を受光する受光部とを備え、基板により前記検知光が遮光された場合に、基板の存在を検知する遮光センサーである、請求項1ないし6のいずれか一つに記載のロードロックモジュール。
  8. 前記検知部は、前記検知領域にて基板の上端が前記検知光を遮光する高さ位置と、基板の下端が前記検知光を遮光する高さ位置と間の遮光範囲に基づき、前記受け渡し機構に保持される基板の反り量、傾き、または前記受け渡し機構の異常の少なくとも一つを検出する、請求項7に記載のロードロックモジュール。
  9. 前記受光部は、基板の厚さ方向に沿って伸びるように設けられたラインセンサーである、請求項7または8に記載のロードロックモジュール。
  10. 前記遮光範囲が予め設定された許容範囲より大きかった場合に、前記ロードロック室から基板を搬出する動作を停止するための信号の出力、またはアラームの発報の少なくとも一方を実施する、請求項8に記載のロードロックモジュール。
  11. 前記受け渡し機構は、前記載置台上の位置と、当該載置台の上方側の位置との間で基板を昇降移動させるため、前記載置台から突没自在に設けられた複数の昇降ピンである、請求項1ないし10のいずれか一つに記載のロードロックモジュール。
  12. 前記受け渡し機構は、前記載置台の上方側の位置で基板を支持するため、載置台から突出するように設けられた複数の受け渡しピンである、請求項1ないし4、6ないし11のいずれか一つに記載のロードロックモジュール。
  13. 前記載置台は、前記処理モジュールにて処理された基板を冷却する冷却機構を備える、請求項1ないし12のいずれか一つに記載のロードロックモジュール。
  14. 請求項1ないし13のいずれか一つに記載のロードロックモジュールと、
    一方側に設けられた基板の搬入出口を介して前記ロードロック室に接続され、第1の基板搬送機構が設けられた大気搬送モジュールと、
    前記一方側の搬入出口とは異なる他方側に設けられた基板の搬入出口を介して前記ロードロック室に接続され、第2の基板搬送機構が設けられた真空搬送モジュールと、
    前記真空搬送モジュールに接続され、前記第2の基板搬送機構により搬送された基板の処理を実行する処理モジュールと、を備えた、基板処理装置。
  15. 内部の圧力が切り替えられるロードロックモジュールを介した基板の搬送方法であって、
    大気圧下で基板が搬送される大気搬送モジュールと、基板の処理を行う処理モジュールに接続され、真空圧下で基板の搬送が行われる真空搬送モジュールと、の間に設けられ、真空圧となっているロードロック室に対し、前記処理モジュールにて処理された基板を搬入する工程と、
    前記ロードロック室内に設けられ、当該ロードロック室に搬入された基板を支持する受け渡し機構に、基板を受け渡す工程と、
    前記搬入された基板を前記大気搬送モジュールへ向けて搬出するため、前記ロードロック室内を大気圧に切り替える工程と、
    予め設定された検知領域にて、前記受け渡し機構に支持される基板を検知する工程と、を含む基板の搬送方法。
  16. 前記基板を検知する工程にて基板が検知されなかった場合に、前記ロードロック室から基板を搬出する動作を停止する工程、またはアラームを発報する工程の少なくとも一方を実施する、請求項15に記載の基板の搬送方法。
  17. 前記基板を検知する工程は、前記検知領域にて支持される基板の側面に向けて検知光を投光する投光部と、前記検知光を受光する受光部と、基板により前記検知光が遮光された場合に、基板の存在を検知する遮光センサーを用いて実施される、請求項15または16に記載の基板の搬送方法。
  18. 前記遮光センサーを用い、前記検知領域にて基板の上端が前記検知光を遮光する高さ位置と、基板の下端が前記検知光を遮光する高さ位置と間の遮光範囲に基づき、前記昇降ピンに保持される基板の反り量、または傾きの少なくとも一方を検出する工程を含む、請求項17に記載の基板の搬送方法。
  19. 前記遮光範囲が予め設定された許容範囲より大きかった場合に、前記ロードロック室から基板を搬出する動作を停止する工程、またはアラームを発報する工程の少なくとも一方を実施する、請求項18に記載の基板の搬送方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022116807A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボット
CN113161279A (zh) * 2021-03-12 2021-07-23 拓荆科技股份有限公司 预防圆晶破裂的装置和预防方法
CN117352441B (zh) * 2023-12-06 2024-02-09 华芯(武汉)智能装备有限公司 晶圆扫描装置及其扫描方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01244634A (ja) * 1988-03-25 1989-09-29 Teru Barian Kk 半導体ウエハの製造装置
JPH11145244A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004072088A (ja) * 2002-06-14 2004-03-04 Shinko Electric Co Ltd 基板検出装置
JP2008041896A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 基板検知機構およびそれを用いた基板処理装置
JP2009182235A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置および基板冷却方法
JP2012033594A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 基板保持具及び基板搬送システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243347A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Tokyo Electron Ltd 移動制御方法及び被処理体位置検出装置
JP5108557B2 (ja) * 2008-02-27 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置および基板冷却方法
KR102092150B1 (ko) * 2013-08-30 2020-03-23 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01244634A (ja) * 1988-03-25 1989-09-29 Teru Barian Kk 半導体ウエハの製造装置
JPH11145244A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004072088A (ja) * 2002-06-14 2004-03-04 Shinko Electric Co Ltd 基板検出装置
JP2008041896A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 基板検知機構およびそれを用いた基板処理装置
JP2009182235A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置および基板冷却方法
JP2012033594A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 基板保持具及び基板搬送システム

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