JP2020136670A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】イエローリングの低減が可能となる発光装置を実現する。
【解決手段】発光装置100は、外部に光を出射するレンズ20と、レンズ20を支持するホルダ40と、レンズ20の出射面と反対側の、ホルダ40内部に配置された波長変換部材30と半導体光源10とを少なくとも備え、レンズ20と波長変換部材30との間のホルダ40の内壁に、レンズ20側から見て波長変換部材30の外縁を覆う第1の段差部40cを備えている。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体レーザを光源として備えた半導体発光装置であって、特に波長変換部材で変換された光を高出力で出射可能な発光装置に関する。
従来、波長変換部材と、光透過体と離間させかつ対向させた位置に外側キャップを有し、波長変換部材が形成された外側キャップは、封止用キャップの外側で、封止用キャップを包含するように構成されている半導体発光装置が知られている。当該半導体発光装置において、出射光の光軸と、波長変換部材との中心軸がほぼ一致するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−305936号公報(2008年12月18日公開)
ところで、単一の半導体発光素子では緑色から橙色、おおよそ530〜630nm、の波長領域で発光色を実現することが難しい。半導体発光素子により所望の発光色を得るためには複数の発光素子を組み合わせることが一つの手段である。たとえば、黄色発光を実現するためには、緑色半導体発光素子と赤色半導体発光素子の2つを組み合わせて、適切な強度比で発光させることが一つの手段である。あるいは青色半導体発光素子、緑色半導体発光素子、そして赤色半導体発光素子の3つを組み合わせ、各々の発光強度を適宜変更することで所望の発光色を自由に得ることが出来る。
ただし、発光色の可変が不要な場合においては複数の発光素子を組み合わせることはコスト的に不利である。よって、所望の発光色を得るためのもう一つの方法であり、先行の特許文献1にあるように発光半導体素子と波長変換部材を組み合わせることに利点がある。しかしながら、半導体発光素子と波長変換部材を組み合わせた発光装置では照射面の中心部と外周部とで色が異なる、所謂イエローリング、という現象が生じることがある。発光装置では、このようなイエローリングをできるだけ抑制することが好ましい。
本発明の一態様は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子と波長変換部材を組み合わせることで所望の発光色を得られ、且つ、均一な色の照射面(イエローリングの低減)が可能となる発光装置を実現することを目的とする。
(1)本発明の一態様に係る発光装置は、外部に光を出射するレンズと、上記レンズを支持するホルダと、上記レンズの出射面と反対側の、上記ホルダ内部に配置された波長変換部材と半導体光源とを少なくとも備え、上記レンズと上記波長変換部材との間の上記ホルダの内壁に、上記レンズ側から見て上記波長変換部材の外縁を覆う第1の段差部を備えている。
(2)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)の構成に加え、上記ホルダの内壁は、上記半導体光源側から見て上記レンズの外縁を覆う第2の段差部を備えている。
(3)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)または上記(2)の構成に加え、上記レンズと上記波長変換部材は上記ホルダ内部に配置されており、上記波長変換部材は、固着用樹脂により上記第1の段差部に固着されており、上記レンズは、固着用樹脂により上記第2の段差部に固着されている。
(4)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)〜(3)何れか1つの構成に加え、放熱プレートを備え、上記放熱プレートに上記半導体光源が配置され、上記放熱プレートに上記ホルダが固着されている。
(5)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)〜(4)何れか1つの構成に加え、上記第1の段差部および第2の段差部には固着用樹脂量を調整するための溝が設けられている。
(6)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)〜(5)何れか1つの構成に加え、上記波長変換部材が、ガラス、SiO、AlN、ZrO、SiN、Al、GaNの少なくとも一種を含む無機材料をバインダにして、蛍光体を固めたものであること、または、ガラス、SiO、AlN、ZrO、SiN、Al、GaNの少なくとも一種を含む無機材料からなる可視光に対して透明な支持体に蛍光体と有機バインダもしくは無機バインダを混合したものを搭載したものであること、または、蛍光体のみからなる板状部材である。
(7)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)〜(6)何れか1つの構成に加え、上記半導体光源に搭載されている半導体発光素子は、360nm乃至800nmに発光ピーク波長を有する半導体レーザ素子である。
(8)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(6)の構成に加え、上記蛍光体は、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、赤色蛍光体であって、Ce賦活Ln(Al1−xGa12(LnはY,La,Gd、Luの少なくとも1つから選択され、CeはLnを置換する)、Eu、Ce賦活Ca(ScMg1−xSi12(CeはCaを置換する)、Eu賦活(Sr1−xCa)AlSiN、(EuはSrおよびCaを置換する)、Ce賦活(La1−xSi11(CeはLaおよびYを置換する)、Ce賦活Ca−α−Sialon、Eu賦活β−Sialon、Eu賦活MSi(MはCa,Sr,Baの少なくとも1つから選択され、EuはMを置換する)からなる群から選択される少なくとも1種を含む。
(9)また、本発明のある態様に係る発光装置は、上記(1)〜(8)何れか1つの構成に加え、上記波長変換部材は、フィラーを含有する。
本発明の一態様によれば、一種類の発光色の半導体発光素子を用いて、所望の発光色、且つ、均一な色の照射面(イエローリングの低減)が可能となる発光装置を実現することができる。
本発明の実施形態1に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施形態1に係る半導体光源の構成を模式的に示す図である。 実施形態1に係る波長変換部材を模式的に示す断面図であって、(a)は一例で、(b)は他の例である。 実施形態1に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態2に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態3に係る発光装置の一例を示す断面図である。 実施形態3に係る発光装置の他の例を示す断面図である。 実施形態3に係る発光装置の更に他の例を示す断面図である。 図10の(a)は実施形態3に係る発光装置の上面視の模式図であり、(b)は実施形態3に係る波長変換部材を模式的に示す断面図の一例で、(c)は他の例である。 図11(a)、および(b)は波長変換部材の変形例を示す図である。 実施形態3に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態3に係る波長変換部材の製造方法を示すフローチャートである。
〔実施形態1〕
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
(発光装置100の構成)
図1は本発明の実施形態1に係る発光装置100の構成を示す断面図である。発光装置100は、主に白色平行光をレンズ20から出射可能な発光装置100であって、例えば、屋内外の照明用、車載用ヘッドランプ、投光器等のピーク出力を必要とする用途に用いることができる高出力の発光装置である。図1に示すように、発光装置100は、半導体光源10と、レンズ20と、波長変換部材30と、ホルダ40と、ハウジング50と、放熱プレート60と、を備えている。半導体光源10、レンズ20、および、波長変換部材30は、筒状のホルダ40の内部(内径部)に配置されている。
半導体光源10は、半導体発光素子、特に半導体レーザ(レーザダイオード:LD)を光源として用いた所謂TO−CANパッケージ型の光源装置であってもよい。図1に示すように、半導体光源10は、後述するレンズ20の出射面と反対側の、後述するホルダ40内部に配置されている。
レンズ20は、半導体光源10からの照射光を集光させて外部に光を出射する光学部材である。レンズ20には、両凸レンズを好適に用いることができる。図1に示すように、筒状のホルダ40の内部において、レンズ20は、半導体光源10と、波長変換部材30との上部に配置される。
波長変換部材30は、半導体光源10からの照射光の波長を変換する。図1に示すように、筒状のホルダ40の内部において、波長変換部材30は、半導体光源10と、レンズ20との間に配置されている。換言すると、波長変換部材30は、レンズ20の出射面と反対側の、ホルダ40内部に配置されている。波長変換部材30は、レンズ20の焦点位置に設けられているのが望ましい。半導体光源10からの照射光は、波長変換部材30を通って波長が変換されてホルダ40の出射開口に向かう。
このように、筒状のホルダ40の内部において、レンズ20と、波長変換部材30との間に開口部(アパーチャー)40aが形成される。
(ホルダ40の構成)
ホルダ40は、熱伝導率が高い材質から形成されているのが望ましい。ホルダ40には、軽量で熱伝導率が高く、加工が容易な材質、例えばアルミニウム、を好適に用いることができる。また、ホルダ40は、アルミニウムに限らず、熱伝導率が10W/mK以上、より好ましくは、80W/mK以上の金属、または非金属の材質から形成してもよい。
レンズ20と波長変換部材30との間のホルダ40の内壁に、レンズ20側から見て波長変換部材30の外縁を覆う第1の段差部40cを備えている。換言すると、発光装置100において、第1の段差部40cは、波長変換部材30が、第1の段差部40cにより形成された筒状の空間に進入することができるように形成されている。また、第1の段差部40cは、波長変換部材30を支持する波長変換部材支持部とも称する。波長変換部材支持部40cは、ホルダ40の内部に突設され、内部に段差状に設けられている。波長変換部材支持部40cは、ホルダ40の内部に周方向に沿って、リング状に突設されているのが望ましい。
上記の構成によれば、発光装置100は、筒状のホルダ40の内部において、レンズ20と、波長変換部材30との間に開口部(アパーチャー)40aが形成されることにより、半導体光源10からのレーザ光の一部のみを透過させかつ混色領域を有することによって、イエローリングの低減が可能となる発光装置100を実現することができる。
また、図1に示すように、ホルダ40の内壁は、半導体光源10側から見てレンズ20の外縁を覆う第2の段差部40bを備えている。換言すると、発光装置100において、第2の段差部40bは、レンズ20が、第2の段差部40bにより形成された筒状の空間に進入することができるように形成されている。また、第2の段差部40bは、レンズ20を支持するレンズ支持部とも称する。レンズ支持部40bは、ホルダ40の内部に突設され、内部に段差状に設けられている。レンズ支持部40bは、ホルダ40の内部に周方向に沿って、リング状に突設されているのが望ましい。
上記の構成によれば、発光装置100は、筒状のホルダ40の内部において、第2の段差部40bが形成されることにより、レンズ20を支持することができると共に、第2の段差部40bおよび第1の段差部40cの間に開口部(アパーチャー)40aが好適に形成されることにより、半導体光源10からのレーザ光の一部のみを透過させかつ混色領域を有することによって、イエローリングの低減が可能となる発光装置100を確実に実現することができる。
上述したように、発光装置100において、レンズ20と波長変換部材30はホルダ40の内部に配置されている。また、波長変換部材30は、波長変換部材支持部40cに固着用樹脂80を用いて固着されている。あるいは、波長変換部材の外周部を金属蒸着するなどしてメタライズした上で、金バンプなどの金属バンプやSn−Au−Cu系のハンダ材料によりホルダと波長変換部材とを固着することも可能である。また、リング状の低融点ガラスをホルダと波長変換部材との間に配置し、300〜1000度の間の適切な温度範囲にて処理することで低融点ガラスが溶解するため、低融点ガラスを介してホルダと波長変換部材とを固着することも可能である。
波長変換部材30は、波長変換部材支持部40cの、ホルダ40における半導体光源10に対向する側の段差面に固定されている。これにより、波長変換部材30は、波長変換部材支持部40cから脱落した場合であっても、半導体光源10からの照射光の光束中に残る。よって、半導体光源10からのレーザ光が波長変換部材30を通ることなく直接放出されることがなく、安全性を向上することができる。なお、発光装置100において、波長変換部材30が脱落した場合、半導体光源10のレーザ出射光を遮るように波長変換部材30の径を配慮して配置されている。このため、発光装置100は、優れた安全性を有する。
なお、図示は省略するが、波長変換部材支持部40cは、ホルダ40の内部から突設された、互いに対向する一対の段差から構成されており、これらの一対の段差間に波長変換部材30を挟持することにより、波長変換部材30を内部に支持する構成であってもよい。
レンズ20は、レンズ支持部40bに、固着用樹脂80を用いて固着されている。
レンズ20は、レンズ支持部40bの、ホルダ40における出射開口側の段差面に固定されている。なお、図示は省略するが、レンズ支持部40bは、ホルダ40内部から突設された、互いに対向する一対の段差から構成されており、これらの一対の段差間にレンズ20を挟持することにより、レンズ20を内部に支持する構成であってもよい。
また、図1に示すように、半導体光源10は、ホルダ40における不図示の光源支持部と、ホルダ40の半導体光源側の開口を塞ぐ放熱プレート60との間に挟持されて支持される。
上記の構成によれば、発光装置100において、波長変換部材30およびレンズ20を、固着用樹脂80によりそれぞれ第1の段差部40cおよび第2の段差部40bに好適に固着することができる。
また、第1の段差部40cおよび第2の段差部40bには固着用樹脂80の量を調整するための溝が設けられてもよい。図1に例示するように、溝40eが、第2の段差部40bの固着用樹脂80に対応した位置に、径方向に向けて第2の段差部40bに凹設(図1のb)を参照)してもよいし、第2の段差部40bの固着用樹脂80の位置より下部に、下方に向けて第2の段差部40bに凹設(図1のc)を参照)してもよい。よって、波長変換部材30およびレンズ20を更に好適に固着することができる。
ハウジング50は、ホルダ40を固定する部材である。具体的には、ハウジング50は、ホルダ40を内包するように配置することが望ましい。よって、ホルダ40の側面とハウジング50が接触可能な構成になるため熱放散に優れ、発光装置100の放熱性を高めることでき、高出力および信頼性が優れた発光装置100を提供することができる。
ハウジング50も、熱伝導率が高い材質から形成されているのが望ましい。ハウジング50には、軽量で熱伝導率が高く、加工が容易な材質、例えばアルミニウム、を好適に用いることができる。また、ハウジング50は、アルミニウムに限らず、熱伝導率が10W/mK以上、より好ましくは、80W/mK以上の金属、または非金属の材質から形成してもよい。
図1に示すように、半導体光源10は、熱伝導率が高い材質から形成された放熱プレート60の上に搭載され、放熱プレート60にホルダ40およびハウジング50が固着されている。
放熱プレート60(プレート)は、熱伝導率が高い材質から形成された板状の部材である。放熱プレート60には、例えば、軽量で熱伝導率が高いアルミニウムを好適に用いることができる。また、放熱プレート60は、アルミニウムに限らず、熱伝導率が10W/mK以上、より好ましくは、80W/mK以上の金属、または非金属の材質から形成してもよい。
放熱プレート60は、半導体光源10のヒートシンクとして機能し、半導体光源10からの熱を吸熱する。また、放熱プレート60は、熱伝導率が高い材質から形成されたホルダ40およびハウジング50に接触している。
このように、熱伝導率が高い材質から形成された放熱プレート60の上に半導体光源10を搭載し、放熱プレート60と、熱伝導率が高い材質から形成されたホルダ40とハウジング50とを接触させている。よって、半導体光源10からの熱を放熱プレート60、および、ホルダ40およびハウジング50から効率よく放熱させることができる。よって、半導体光源10の高出力化を図っても、効率よく熱を放熱させることができ、半導体光源10の性能、および、寿命が熱影響を受けるのを防ぐことができる。なお、ハウジング50の外周にフィン等の放熱構造を好適に設けてもよい。
(半導体光源10の構成)
図2は、半導体光源10の構成を模式的に示す図である。図2に示すように、半導体光源10は、半導体レーザチップ11(半導体発光素子)を備えている。半導体レーザチップ11は、360nm乃至800nmに発光ピーク波長を有する半導体レーザ素子である。半導体光源10は、TO−CANパッケージ型のレーザ光源であることが望ましい。実施形態1の半導体レーザチップ11は、青色光を照射する青色半導体レーザチップであり、半導体レーザチップ11を、青色半導体レーザチップ11と称する。
半導体光源10は、半導体光源基板であるLDプレート14上に、搭載されるステム12を備え、ステム12から延びるワイヤ13(リード)に青色半導体レーザチップ11が接続されている。ステム12をLDプレート14上に搭載する方法として、溶接または溶着方法が挙げられる。
半導体光源10は、青色半導体レーザチップ11の周囲を覆う、金属製のキャップ状のキャン15を備えている。キャン15の照射開口には、青色半導体レーザチップ11からの照射光を透過する光透光板16(カバーガラス)が設けられている。また、ステム12から延びるピン18は、LDプレート14を貫通して延びる。青色半導体レーザチップ11は、ピン18からワイヤ13に供給される電源が印加されて発光する。
半導体光源10は、LDプレート14が放熱プレート60の上に搭載されており、LDプレート14を介して、放熱プレート60に青色半導体レーザチップ11からの熱が伝熱される(図1参照)。放熱プレート60には、ステム12から延びるピン18が貫通する穴が形成されており、当該穴を介して露出するピン18に外部の電源が接続される。
(波長変換部材30の構成)
図3は、波長変換部材30を模式的に示す断面図であって、(a)は一例で、(b)は他の例である。
図3に示すように、波長変換部材30は、断面視において複数の層が積層されている。実施形態1において、波長変換部材30は、厚さ2mmに形成されている。波長変換部材30は、例えば、基材であるサファイヤガラスから形成されたガラス層31と、波長選択層32と、蛍光体層35と、反射防止層33とが、積層されて構成されている。
一例として、波長変換部材30は、ガラス、SiO、AlN、ZrO、SiN、Al、GaNの少なくとも一種を含む無機材料をバインダにして、蛍光体を固めたものであってもよい。
他の例として、波長変換部材30は、ガラス、SiO、AlN、ZrO、SiN、Al、GaNの少なくとも一種を含む無機材料からなる可視光に対して透明な支持体に蛍光体と有機バインダもしくは無機バインダを混合したものを搭載したものであってもよい。
さらに他の例として、波長変換部材30は、蛍光体のみからなる板状部材であってもよい。
波長変換部材30における蛍光体は、例えば、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、または、赤色蛍光体であり、波長変換部材30は、Ce賦活Ln(Al1−xGa12(LnはY,La,Gd、Luの少なくとも1つから選択され、CeはLnを置換する)、Eu、Ce賦活Ca(ScMg1−xSi12(CeはCaを置換する)、Eu賦活(Sr1−xCa)AlSiN、(EuはSrおよびCaを置換する)、Ce賦活(La1−xSi11(CeはLaおよびYを置換する)、Ce賦活Ca−α−Sialon、Eu賦活β−Sialon、Eu賦活MSi(MはCa,Sr,Baの少なくとも1つから選択され、EuはMを置換する)からなる群から選択される少なくとも1種の蛍光体を含む蛍光体層35を備えている。なお、波長変換部材30に複数の蛍光体が含まれていても良く、蛍光体の組合せにより発光効率や演色性を高めることが可能となる。例えば、白色発光をさせたい場合に、青色発光半導体レーザチップと黄色発光を示す蛍光体を用いることで発光効率を高めることが可能であるし、青色発光半導体レーザチップと、黄色発光を示す蛍光体あるいは緑色発光を示す蛍光体と、赤色発光を示す蛍光体を組み合わせて用いることで演色性を高めることが可能となる。
図3に示すように、蛍光体層35は、1又は複数種類の蛍光体を含んで構成され、例えば、図3の(b)に示すように、粒子径が小さい蛍光体層と、粒子径が大きい蛍光体層と、が積層されて構成されていてもよい。また、蛍光体層35は、ガラス層31で挟まれている。
波長変換部材30の光出射面には、ガラス層31に積層された、反射防止層34が形成されている。反射防止層34は、蛍光体層35において励起された励起光の反射を防止する。
波長変換部材30の光入射面には、ガラス層31に積層された、波長選択層32が形成されている。波長選択層32は、ダイクロイックミラーによって構成され、青色波長領域の光だけを透過させる。
このように、波長変換部材30は、半導体光源10からの照射光であって、波長選択層32によって選択された、青色波長領域の光だけを、蛍光体層35において励起させて出射させることができる。蛍光体層35は、粒子径が小さい蛍光体層と、粒子径が大きい蛍光体層と、を備えているため、360nm乃至800nmに発光ピーク波長を有するレーザ光により励起され、演色正の高い白色光を発する。
また、上述のように、本実施形態における波長変換部材30は、黄色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の少なくとも一つを備えていればよい。各蛍光体は単層または積層構造であってもよい。
さらに、本実施形態における波長変換部材30において、異なる粒度分布を持つ蛍光体・無機バインダが混合されていてもよい。メインとなる蛍光体と、それよりも小さな粒度を持つ蛍光体もしくは無機粒子とを組み合わせることで、より緻密な蛍光体板で、より熱伝導性の高い蛍光体板の材料とすることが可能である。例えばメインとなる蛍光体のメディアン径は10um以上30um以下であり、小さな粒度を持つ蛍光体のメディアン径は1um以上8um以下であることが好ましい。これにより、透過型波長変換部材における蛍光体部での放熱が一つの大きな課題となっていたことを好適に改善できる。
また、上記構成以外に、本実施形態における波長変換部材30は、不図示のフィラーを含有してもよい。フィラー含有量が多いほど、フィラーによる光拡散が増え、実効的な光路長が増加することにより波長変換部材30での光変換量が大きくなる。よって、波長変換部材30の波長変換性能に寄与することができる。
(発光装置100の製造方法)
図4は、発光装置100の製造方法を示すフローチャートである。図4に示すように、まず、ステップS11において、放熱プレート60に、ハウジング50を組立てる。次に、ステップS12において、放熱プレート60に、半導体光源10を搭載する。次に、ステップS13において、予め第1の段差部40c、第2の段差部40b、および開口部40aが設けられたホルダ40を準備する。
次に、ステップS14において、ホルダ40の波長変換部材支持部40cに波長変換部材30(蛍光体層)を固着(固定)する。次に、ステップS15において、ホルダ40の、レンズ支持部40bに、レンズ20を固着(固定)する。次に、ステップS16において、ホルダ40を、ハウジング50固定する。また、本実施形態において、ステップS16とステップS16との順序が逆でもよい。
このように、発光装置100は、ホルダ40の内部に、波長変換部材支持部40c、レンズ支持部40b、および不図示の光源支持部を備え、これらの波長変換部材支持部40c、レンズ支持部40b、および不図示の光源支持部に、波長変換部材30、レンズ20、および半導体光源10がそれぞれ支持固定されている。これにより、発光装置100の組み立て時において、レンズ20、波長変換部材30、および半導体光源10の光軸合わせを容易に行うことができ、製造作業を効率よく行うことができる。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態1にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
図5は、実施形態2に係る発光装置100aの構成を示す断面図である。実施形態1に係る発光装置100と比較すると、発光装置100aは、ハウジングを備えないのは主な相違点である。これにより、部品点数の削減を実現できるため、発光装置100aの製造コストを低減することができる。以下、この相違点を中心に説明する。
また、発光装置100aにおいて、ホルダ40の一部で、半導体光源10のキャン15(図2を参照)を包囲する部分の厚さが発光装置100の対応部位の厚さよりも厚くなっている。これにより、半導体光源10からの熱を放熱することに有利である。
更に、発光装置100aにおいて、ホルダ40の、半導体光源10のキャン15(図2を参照)を包囲する部分の構造が簡素化されている。これにより、ホルダ40の機械加工コスト低減に寄与することが図れる。
また、本実施形態でも、波長変換部材30は、黄色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の少なくとも一つを備えていればよい。各蛍光体は単層または積層構造であってもよい。
本実施形態に係る発光装置100aは、実施形態1に係る発光装置100と同様な効果を奏することができる。
(発光装置100aの製造方法)
図6は、発光装置100aの製造方法を示すフローチャートである。図6に示すように、まず、ステップS21において、放熱プレート60の貫通穴60a(図5を参照)を介して、放熱プレート60に、半導体光源10を搭載する。次に、ステップS22において、ホルダ40の波長変換部材支持部40cに波長変換部材30(蛍光体層)を固着(固定)する。次に、ステップS23において、放熱プレート60にホルダ40を固定する。次に、ステップS24において、ホルダ40の、レンズ支持部40bに、レンズ20を固着(固定)する。
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態1および2にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
上記実施形態1および2において、単一の半導体光源10を備えた発光装置を説明したが、本実施形態では、複数の半導体光源10を備える発光装置を説明する。図7は、本実施形態に係る発光装置の一例を示す断面図である。図8は、発光装置の他の例を示す断面図である。図9は、発光装置の更に他の例を示す断面図である。
(発光装置100bの構成)
図7に示すように、発光装置100bは、複数の半導体光源10と、レンズ20aと、波長変換部材30aと、ホルダ40dと、貫通穴60aを備えた放熱プレート60と、貫通穴70aを備えた波長変換部材搭載プレート70と、樹脂ダム71と、を備えている。複数の半導体光源10と、レンズ20aと、および、波長変換部材30aは、筒状のホルダ40dの内部に配置されている。
レンズ20と同様に、レンズ20aも、半導体光源10からの照射光を集光させて外部に光を出射する光学部材である。レンズ20aにも、両凸レンズを好適に用いることができる。
波長変換部材30と同様に、波長変換部材30aも、半導体光源10からの照射光の波長を変換する。発光装置100bにおいて、波長変換部材30aは、樹脂ダム71に包囲されて波長変換部材搭載プレート70に搭載されている。
図7に示すように、波長変換部材搭載プレート70の、複数の半導体光源10に対応する箇所に貫通穴70aが形成されている。よって、複数の半導体光源10からのレーザ光を発光装置100bの外部に放出することができる。
また、図7に示すように、発光装置100bにおいても、レンズ20aと波長変換部材30aはホルダ40dの内部に配置されている。また、波長変換部材30aは、波長変換部材支持部40cに固着用樹脂80を用いて固着されている。また、レンズ20aは、レンズ支持部40bに固着用樹脂80を用いて固着されている。
上記の構成によれば、発光装置100bは、上記実施形態に係る発光装置と同様な効果を奏することができるとともに、大型化により高出力化が図れる。
(発光装置100cの構成)
図8に示すように、発光装置100cは、複数の半導体光源10と、レンズ20bと、複数の波長変換部材30bと、ホルダ40dと、貫通穴60aを備えた放熱プレート60と、貫通穴を備えた波長変換部材搭載プレート70bと、を備えている。
発光装置100bと比較すると、発光装置100cは、レンズ20bおよび波長変換部材搭載プレート70bの構造は相違する。以下、この相違点を中心に説明する。図8に示すように、波長変換部材搭載プレート70bの、複数の半導体光源10に対応する箇所に貫通穴が形成されている。さらに、複数の波長変換部材30bは複数の貫通穴にそれぞれ、半導体光源10側から嵌入されている。よって、複数の半導体光源10からのレーザ光を発光装置100cの外部に放出することができる。
また、発光装置100cにおいて、レンズ20bの、複数の半導体光源10および複数の波長変換部材30bに対応する箇所に隆起部が形成されている。よって、レンズ20bは、複数の隆起部により対応する半導体光源10からの照射光を集光させて発光装置100cの外部に光を出射することができる。
上記の構成によれば、発光装置100cは、発光装置100bと同様な効果を奏することができる。
(発光装置100cの構成)
図8に示すように、発光装置100cは、複数の半導体光源10と、レンズ20bと、複数の波長変換部材30bと、ホルダ40dと、貫通穴60aを備えた放熱プレート60と、貫通穴を備えた波長変換部材搭載プレート70bと、を備えている。
発光装置100bと比較すると、発光装置100cは、レンズ20bおよび波長変換部材搭載プレート70bの構造は相違する。以下、この相違点を中心に説明する。図8に示すように、波長変換部材搭載プレート70bの、複数の半導体光源10に対応する箇所に貫通穴が形成されている。さらに、複数の波長変換部材30bは複数の貫通穴にそれぞれ、半導体光源10側から嵌入されている。よって、複数の半導体光源10からのレーザ光を発光装置100cの外部に放出することができる。
また、発光装置100cにおいて、レンズ20bの、複数の半導体光源10および複数の波長変換部材30bに対応する箇所に隆起部が形成されている。よって、レンズ20bは、複数の隆起部により対応する半導体光源10からの照射光を集光させて発光装置100cの外部に光を出射することができる。
上記の構成によれば、発光装置100cは、発光装置100bと同様な効果を奏することができる。
(発光装置100dの構成)
図9に示すように、発光装置100dは、複数の半導体光源10と、レンズ20aと、複数の波長変換部材30cと、ホルダ40dと、貫通穴60aを備えた放熱プレート60と、貫通穴を備えた波長変換部材搭載プレート70cと、を備えている。
発光装置100cと比較すると、発光装置100dは、レンズ20a(図7を参照)および波長変換部材搭載プレート70cの構造は相違する。以下、この相違点を中心に説明する。図9に示すように、波長変換部材搭載プレート70cの、複数の半導体光源10に対応する箇所に貫通穴が形成されている。さらに、複数の波長変換部材30cは複数の貫通穴にそれぞれ、波長変換部材搭載プレート70cの上下面と面一になるよう挿入されている。よって、複数の半導体光源10からのレーザ光を発光装置100dの外部に放出することができる。
上記の構成によれば、発光装置100dは、発光装置100b、および発光装置100cと同様な効果を奏することができる。
(発光装置100b〜100dの半導体光源の配置例および波長変換部材の構成)
図10の(a)は発光装置100b〜100dの上面視の模式図であり、(b)は波長変換部材30a〜30cを模式的に示す断面図の一例で、(c)は他の例である。
図10の(a)に示すように、上記説明した発光装置100b〜100dにおいて、複数(図示では9個)の半導体光源10は、例えば近隣同士間の距離が略等しくなるように円状に配置することが望ましい。光源間の距離が近いほど点光源に近くなるため、光学系の設計が容易になる。一方で、図8に示すようにマイクロレンズアレイを用いたり、複数のレンズを組み合わたりする場合においては、半導体光源10の距離および位置関係はレンズ設計に適したものとする。ただし、半導体光源10の配置は上記に限られるものではなく、用いられる状況に合わせ、格子状の配置など光学的な理由や熱設計、筺体設計などの理由により適切になるように適宜変更される。例えば、12個の半導体光源10を配置する場合に円形では無く、3列4行あるいは2行6列などとするなど、本発光装置を用いる照明装置の筺体に合わせて変更することなどが考えられる。
図10の(b)に示すように、発光装置100b〜100dにおける波長変換部材30a〜30cの構成は、例えば実施形態1における図3の(a)に示す構成となってもよい。すなわち、波長変換部材30a〜30cは、基材であるサファイヤガラスから形成されたガラス層31と、波長選択層32と、蛍光体層35と、反射防止層33とが、積層されて構成されている。
波長変換部材30a〜30cの構成の他の例として、例えば、図10の(b)に示すように、反射防止層33と、反射防止層33と隣接しているガラス層31との間に、さらにカラーフィルタ36を有してもよい。このカラーフィルタ36は、波長変換部材30a〜30cにより発光された光を主に透過させる層である。
本実施形態における波長変換部材30a〜30cも、実施形態1および2における波長変換部材30と同様な効果を奏することができる。
また、本実施形態でも、波長変換部材30a〜30cは、黄色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の少なくとも一つを備えていればよい。各蛍光体は単層または積層構造であってもよい。
(波長変換部材の変形例)
なお、波長変換部材は、上述した波長変換部材30a〜30cの構造に限らず、以下のような構造を有するものであってもよい。
波長変換部材は、蛍光体のみからなる板状の部材であってもよく、例えば、
‐単結晶蛍光体を板状に切り出したもの
‐蛍光体粒子を焼結して板状としたもの
‐蛍光体粒子と光散乱機能を持つ粒子を混ぜ合わせ焼結して板状としたもの
‐蛍光体粒子を圧縮成形し、板状の形状としたもの
‐蛍光体粒子と光散乱用の粒子を混ぜ合わせ圧縮形成したもの
‐有機バインダあるいは無機バインダを用いて、サファイア、およびガラスなどから形成された透明の基板の上に蛍光体粒子を層状に塗布形成したもの
とすることができる。なお、波長変換部材30a〜30c中の蛍光体層や上記の簡便な構造の波長変換部材においてはその形成方法により空隙を有する可能性があり、光散乱性に影響を与え、空隙の存在量が多いほど光散乱性が強くなる。また、波長変換部材は30a〜30cの構造や上記の構造のいくつかを複数組み合わせたものであっても良い。
図11の(a)および(b)は、変形例の波長変換部材30d、30eの構成を示す図である。
図11の(a)に示すように、波長変換部材30dは、上述した蛍光体のみからなる板状の部材31aのレーザからの光の入射側に、蛍光体光を反射するような特性の、波長選択的な光反射性の領域32aを形成したものであってもよい。光反射性の領域32aは、ダイクロイックミラーから構成することができる。
また、図11の(b)に示すように、波長変換部材30eは、蛍光体のみからなる板状の部材(蛍光体板)31a、または、蛍光体のみからなる板状の部材31aに光反射性の領域32aを形成した部材(31a+32a)、の何れかの、レーザからの光の射出側に、レーザからの光を反射するような特性のダイクロイックミラー、または波長選択的な光吸収性のカラーフィルタ層33aを形成したものであってもよい。ダイクロイックミラーの反射率、またはカラーフィルタの透過スペクトル特性は、半導体光源装置から射出される光のスペクトルの所望の特性に合わせて、適宜に設計が変更される。
また、波長変換部材は、蛍光体のみからなる板状の部材の、レーザからの光の入射側、または、レーザからの光の入射側および出射側の両側に、光散乱層を形成したものであってもよい。
また、波長変換部材は、蛍光体のみからなる板状の部材内での面内導波を抑制するために、蛍光体板の両側面に、金属膜、またはダイクロイックミラーなどによって形成された反射膜、または反射層を備えている構成であってもよい。このように、蛍光体板の両側面に反射膜、または反射層を設けることで、波長変換部材の出射面からの光取り出し効率を向上することができる。
(発光装置100b〜100dの製造方法)
図12は、発光装置100b〜100dの製造方法を示すフローチャートである。図12に示すように、まず、ステップS311において、放熱プレート60の貫通穴60a(図7〜図9を参照)を介して、放熱プレート60に、複数の半導体光源10を搭載する。次に、ステップS312において、ホルダ40dの、波長変換部材支持部40cに波長変換部材30a〜30cをそれぞれ固着(固定)する。次に、ステップS313において、放熱プレート60にホルダ40dを固定する。次に、ステップS314において、ホルダ40の、レンズ支持部40bにレンズ20〜20aを固着(固定)する。
(波長変換部材30aの製造方法)
図13は、波長変換部材30aの製造方法を示すフローチャートである。図13に示すように、まず、ステップS321において、複数の貫通穴70aが形成された波長変換部材搭載プレート70(放熱プレート)に樹脂ダム71を形成する。次に、ステップS322において、樹脂ダム71内に波長変換部材30a(蛍光体層)を形成する。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
10 半導体光源
11 青色半導体レーザチップ(半導体発光素子、青色半導体レーザ素子)
20、20a、20b レンズ
30、30a〜30e 波長変換部材
35 蛍光体層
40、40d ホルダ
40a 開口部(アパーチャー)
40b 第2の段差部(レンズ支持部)
40c 第1の段差部(波長変換部材支持部)
50 ハウジング
60 放熱プレート(プレート)
70 波長変換部材搭載プレート(放熱プレート(プレート))
100、100a〜100d 発光装置

Claims (9)

  1. 外部に光を出射するレンズと、
    上記レンズを支持するホルダと、
    上記レンズの出射面と反対側の、上記ホルダ内部に配置された波長変換部材と半導体光源とを少なくとも備え、
    上記レンズと上記波長変換部材との間の上記ホルダの内壁に、上記レンズ側から見て上記波長変換部材の外縁を覆う第1の段差部を備えている
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 上記ホルダの内壁は、上記半導体光源側から見て上記レンズの外縁を覆う第2の段差部を備えている
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 上記レンズと上記波長変換部材は上記ホルダ内部に配置されており、
    上記波長変換部材は、固着用樹脂により上記第1の段差部に固着されており、
    上記レンズは、固着用樹脂により上記第2の段差部に固着されている
    ことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 放熱プレートを備え、
    上記放熱プレートに上記半導体光源が配置され、上記放熱プレートに上記ホルダが固着されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  5. 上記第1の段差部および上記第2の段差部には固着用樹脂量を調整するための溝が設けられている
    ことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  6. 上記波長変換部材が、
    ガラス、SiO、AlN、ZrO、SiN、Al、GaNの少なくとも一種を含む無機材料をバインダにして、蛍光体を固めたものであること、または、
    ガラス、SiO、AlN、ZrO、SiN、Al、GaNの少なくとも一種を含む無機材料からなる可視光に対して透明な支持体に蛍光体と有機バインダもしくは無機バインダを混合したものを搭載したものであること、または、
    蛍光体のみからなる板状部材である
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  7. 上記半導体光源に搭載されている半導体発光素子は、360nm乃至800nmに発光ピーク波長を有する半導体レーザ素子である
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  8. 上記蛍光体は、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、赤色蛍光体であって、Ce賦活Ln(Al1−xGa12(LnはY,La,Gd、Luの少なくとも1つから選択され、CeはLnを置換する)、Eu、Ce賦活Ca(ScMg1−xSi12(CeはCaを置換する)、Eu賦活(Sr1−xCa)AlSiN、(EuはSrおよびCaを置換する)、Ce賦活(La1−xSi11(CeはLaおよびYを置換する)、Ce賦活Ca−α−Sialon、Eu賦活β−Sialon、Eu賦活MSi(MはCa,Sr,Baの少なくとも1つから選択され、EuはMを置換する)からなる群から選択される少なくとも1種を含む
    ことを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  9. 上記波長変換部材は、フィラーを含有する
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007234637A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Kyocera Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2008305936A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Nichia Corp 半導体発光装置
JP2010528467A (ja) * 2007-05-25 2010-08-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 開口部を持つ支持構造体によって保持される波長変換素子を備える照明装置
WO2013172025A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたled素子および半導体レーザ発光装置
JP2018013688A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 国立大学法人京都大学 波長変換装置及び光源装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007234637A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Kyocera Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2010528467A (ja) * 2007-05-25 2010-08-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 開口部を持つ支持構造体によって保持される波長変換素子を備える照明装置
JP2008305936A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Nichia Corp 半導体発光装置
WO2013172025A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたled素子および半導体レーザ発光装置
JP2018013688A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 国立大学法人京都大学 波長変換装置及び光源装置

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