JP2020136031A - ターゲット装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ターゲット液体の適切な位置に荷電粒子線が照射されるようにするターゲット装置を提供する。【解決手段】ターゲット装置7は、ターゲット液体Tを収容するターゲット収容部27と、サイクロトロン3の真空箱9から出射された荷電粒子線Bをターゲット収容部27まで通過させるビーム通過路17と、ビーム通過路17内の所定位置に設けられ、所定位置におけるビーム通過路17の断面の一部を遮蔽して荷電粒子線Bの通過を許容しない遮蔽部位63を有すると共に断面の他部では荷電粒子線Bの通過を許容するコリメータ61と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、ターゲット装置に関するものである。
従来、このような分野の技術として、下記特許文献1に記載のターゲット装置が知られている。このターゲット装置にはターゲット液体が収容され、ターゲット液体に荷電粒子線が照射されてターゲット液体の放射性同位元素(RI)が生成される。
この種のターゲット装置においては、ターゲット液体の収容部の適切な位置(収容部の下部)に荷電粒子線が照射されれば、照射で加熱された下部のターゲット液体が上昇することで液体全体で循環が発生し、ターゲット液体が過剰に加熱されることは避けられる。しかしながら、ターゲット液体の収容部の上部に荷電粒子線が照射されれば、ターゲット液体の上部のみが加熱されターゲット液体の下部は滞留したままといった状態となる。そうすると、ターゲット液体の上部が過剰な加熱により沸騰して気泡が発生し、荷電粒子線が気泡部分を通過して収容部の壁部に照射され壁部に損傷を与える虞がある。またこの場合、気泡部分を荷電粒子線が通過することによりRIの生成効率も低下する。
本発明は、ターゲット液体の適切な位置に荷電粒子線が照射されるようにするターゲット装置を提供することを目的とする。
本発明のターゲット装置は、ターゲット液体を収容する液体収容部と、粒子加速器の真空箱から出射された荷電粒子線を液体収容部まで通過させるビーム通過路と、ビーム通過路内の所定位置に設けられ、所定位置におけるビーム通過路の断面の一部を遮蔽して荷電粒子線の通過を許容しない遮蔽部位を有すると共に断面の他部では荷電粒子線の通過を許容するビーム遮蔽部と、を備える。
遮蔽部位は断面の上部に形成されることとしてもよい。また、本発明のターゲット装置は、粒子加速器からの荷電粒子線の出射を制御する出射制御部と、遮蔽部位で荷電粒子線が遮断されたことを検知する遮断検知部と、を備え、出射制御部は、遮断検知部により荷電粒子線の遮断が検知された場合には、粒子加速器からの荷電粒子線の出射を停止するように制御するようにしてもよい。
本発明によれば、ターゲット液体の適切な位置に荷電粒子線が照射されるようにするターゲット装置を提供することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において同一部分又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、説明中で「上流」、「下流」というときには、後述する荷電粒子線Bの上流、下流を意味するものとする。また、図1及び図2中に示されるように、荷電粒子線Bの上下流方向をZ方向とする直角座標系に基づいて、X,Y,Zを含む語(「X方向」、「X位置」など)を位置関係の説明に用いる場合がある。本実施形態では、Z方向(荷電粒子線Bの上下流方向)は鉛直方向に対して傾斜しており、X方向はZ方向に直交する水平方向である。
放射性同位元素製造システム(以下、「RI製造システム」)1は、荷電粒子線Bをターゲット液体Tに照射して放射性同位元素(以下、「RI」)を製造する装置である。当該システムで製造されたRIは、例えば放射性同位元素標識化合物である放射性薬剤(放射性医薬品を含む)の製造に用いられる。ターゲット液体Tは、例えば18O水である。放射性同位元素標識化合物としては、病院等のPET検査(陽電子断層撮影検査)に使用されるものとして、18F−FLT(フルオロチミジン)、18F−FMISO(フルオロソニダゾール)、11C−ラクロプライド等がある。
RI製造システム1は、サイクロトロン3(粒子加速器)と、当該サイクロトロン3のポート5に形成されるターゲット装置7と、を備えている。サイクロトロン3は、荷電粒子線Bを出射する加速器である。サイクロトロン3は、イオン源から荷電粒子を加速空間内に供給し、加速空間内の荷電粒子を加速して荷電粒子線Bを出力する縦置きの円形加速器である。サイクロトロン3は、一対の磁極と、真空箱9と、これらの一対の磁極及び真空箱9を取り囲む環状のヨークとを有している。一対の磁極は、一部が真空箱9内で主面同士が所定間隔空けて対面している。これらの一対の磁極の隙間内で、荷電粒子が多重加速される。荷電粒子としては、例えば陽子、重粒子(重イオン)などが挙げられる。
本実施形態では、サイクロトロン3は、荷電粒子線を出射する複数のポート5を備えており、複数のポート5の一つにターゲット装置7が形成される。サイクロトロン3は、加速空間内の荷電粒子線の軌道を調整して、所望のポート5から荷電粒子線を取り出す。このようなサイクロトロン3の構成は公知であるので、更なる詳細な説明やサイクロトロン3の内部の詳細な図示は省略する。
ターゲット装置7は、サイクロトロン3に固定された固定ユニット11と、ターゲット液体Tを保持し固定ユニット11に対して着脱可能な可動ユニット13と、を備えている。なお、図1は、固定ユニット11と可動ユニット13とが分解されて示されているが、運転時には、固定ユニット11と可動ユニット13とが連結される。
固定ユニット11は、真空箱9の外周から突出した状態に設けられている。固定ユニット11は、荷電粒子線Bの照射軸に対応する位置に当該荷電粒子線Bを通過させるためのビーム通過路17を備えている。ビーム通過路17は、荷電粒子線Bの照射軸を中心線として断面円形に形成され、当該照射軸に沿って延びるように形成されている。なお、RI製造システム1においては、荷電粒子線Bの照射軸(ビーム通過路17の延在方向)は、鉛直方向に対して傾いており、荷電粒子線Bは斜め下方に向けて出射される。固定ユニット11の先端には、可動ユニット13の先端が接続される円形の接続口19が設けられている。接続口19には、上記のビーム通過路17の先端が開口している。
固定ユニット11は、ビーム通過路17内に設置された真空フォイル21を備えている。真空フォイル21は、ビーム通過路17のうち、真空フォイル21より上流側の領域を真空に保つ。また、固定ユニット11は、ビーム通過路17にヘリウムなどの冷却ガスを吹き出す2つの冷却流路23を有している。各冷却流路23は、上流側に向いた部分と下流側に向いた部分とに分岐している。冷却流路23のうち上流側に向いた部分は、真空フォイル21に対して冷却ガスを吹付け、下流側に向いた部分は、後述するターゲット収容部27(液体収容部)に対して冷却ガスを吹付ける。
可動ユニット13は、円柱状をなし、前面フランジ31、フォイル33、ターゲット容器35、冷却機構37を備えている。可動ユニット13の円柱軸は、ビーム通過路17の延在方向に対してX軸周りに傾いており、ビーム通過路17の延在方向に比べてより水平に近い。
前面フランジ31は可動ユニット13の正面側(荷電粒子線Bの照射側)に設けられており、前面フランジ31が固定ユニット11の接続口19に嵌り込むことにより、固定ユニット11と可動ユニット13とが連結される。前面フランジ31には、ビームを通過させる貫通孔31aが形成されており、サイクロトロン3からの荷電粒子線Bは、貫通孔31aを通りターゲット容器35に到達する。
ターゲット容器35は、前面フランジ31の背面側に配置されており、前面フランジ31とターゲット容器35との間にはフォイル33が挟み込まれている。フォイル33の正面側の面の一部は、貫通孔31aを通して可動ユニット13の正面側に露出している。フォイル33は、ビームの通過を許容する一方、ターゲット液体Tやヘリウムガスといった流体の通過を遮断する。フォイル33は、例えばTi等の金属又は合金から形成された円形状の薄い箔であり、その厚さが10μm〜50μm程度となっている。
ターゲット容器35は、正面視中央部に形成されターゲット液体Tを収容可能なターゲット収容部27と、ターゲット収容部27の上方に位置しターゲット収容部27に連通するバッファ部41とを備えている。ターゲット収容部27及びバッファ部41は、ターゲット容器35の正面側に設けられた凹部が上記フォイル33により塞がれて形成される閉鎖空間で構成される。この閉鎖空間の一部が、ターゲット液体Tが貯留されるターゲット収容部27であり、上記閉鎖空間のうちターゲット液体Tの液面より上方の部分がバッファ部41である。ターゲット収容部27には、配管42を通じてターゲット液体Tが供給充填され、処理後のターゲット液体Tは再び配管42を通じて回収される。
ターゲット収容部27及びバッファ部41を画成する背面壁43の更に背面側に、冷却機構37が設けられている。冷却機構37は、背面壁43に接触する冷却水を供給してターゲット収容部27及びバッファ部41を冷却する。冷却機構37は、背面壁43の直ぐ背面側の背面水路45と、この背面水路45に冷却水を導入する導水路47と、背面水路45から冷却水を排出する排水路49と、を有している。冷却水は、導水路47に接続された冷却水供給配管51を通じて外部から供給される。このような冷却機構37によって、ターゲット収容部27内のターゲット液体Tが冷却される。また、冷却機構37によってバッファ部41が冷却されることにより、ターゲット収容部27内のターゲット液体Tから蒸発した蒸気はバッファ部41で凝縮され、自重でターゲット収容部27内に戻る。なお、ターゲット収容部27及びバッファ部41は、配管53を通じて供給される不活性ガス(例えばHe)によって加圧され、これにより、ターゲット液体Tの沸点が上昇する。
以上のように構成されたターゲット装置7では、ビーム通過路17を通じてターゲット収容部27に荷電粒子線Bが照射される。ターゲット収容部27の正面壁を構成するフォイル33には、当該フォイル33の法線に対して傾斜した方向から上記荷電粒子線Bが照射される。これにより、ターゲット収容部27内のターゲット液体Tが核反応し、放射性同位元素が生成する。
ターゲット装置7は、ビーム通過路17を通過した荷電粒子線Bが、ターゲット収容部27の下部(ターゲット液体Tの下部)に照射されるような位置関係で組立てられている。この位置関係は次の理由による。すなわち、ターゲット収容部27のやや下部の位置に荷電粒子線Bが照射されれば、照射で加熱された下部のターゲット液体Tが上昇することで液体全体で循環が発生し、ターゲット液体Tが過剰に加熱されることが避けられる。
しかしながら、仮に、ターゲット収容部27の上部に荷電粒子線Bが照射されれば、ターゲット液体Tの上部のみが加熱されターゲット液体Tの下部は滞留したままといった状態となる。そうすると、ターゲット液体Tの上部が過剰な加熱により沸騰して気泡が発生し、荷電粒子線Bが気泡部分を通過して背面壁43に照射され背面壁43に損傷を与える虞がある。またこの場合、気泡部分を荷電粒子線Bが通過することによりRIの生成効率も低下する。そこで、ターゲット装置7では、ターゲット液体Tの下部の位置に適切に荷電粒子線Bが照射されるようにすべく、コリメータ61(ビーム遮蔽部)がビーム通過路17内に設けられている。また、ターゲット装置7は、上記コリメータ61を利用してターゲット装置7によるRI製造処理を制御する制御部69を備えている。
図2は、コリメータ61の斜視図であり、合わせてビーム通過路17を位置関係の説明のために二点鎖線で示している。
コリメータ61は、グラファイト製の板材で構成され、図1及び図2に示されるようにビーム通過路17の延在方向を板厚方向とする姿勢で、ビーム通過路17を横切るように固定されている。上下流方向の位置関係について、コリメータ61を可能な限りターゲット液体T側に近づけるために、コリメータ61は真空箱9の外表面よりも下流側の位置に配置されている。また、コリメータ61は、真空フォイル21よりも上流側に位置している。
コリメータ61のうちビーム通過路17と重複する部位は、X軸に平行な直径を境界として特性が異なる2つの部位に分かれている。これら2つの部位のうち+Y側の半円状の部位を遮蔽部位63と呼び、−Y側の半円状の部位を通過部位65と呼ぶ。なお、Y軸は水平方向に対して傾斜しているので、遮蔽部位63と通過部位65との間には高低差があり、遮蔽部位63が位置する+Y側が上部であり、通過部位65が位置する−Y側が下部である。
遮蔽部位63は、ビーム通過路17の断面の上部半分に亘って半円状に形成されており、荷電粒子線Bは遮蔽部位63を透過することはできない。すなわち、ビーム通過路17の断面の上部半分を遮蔽して荷電粒子線Bを通過させないといった機能を有する。通過部位65は、コリメータ61を板厚方向に貫通する半円状の開口で構成されており、当該開口を通じて荷電粒子線Bの通過を許容する。なお、遮蔽部位63と通過部位65との境界は、設計方針に応じて適宜Y方向に位置を変えてもよい。すなわち、ターゲット収容部27の上下方向で荷電粒子線Bを主に照射すべき位置に対応させて、遮蔽部位63と通過部位65との境界位置を決めればよい。
コリメータ61からは、固定ユニット11の筐体壁を貫通してビーム電流検出用の信号線67が筐体外に引き出されている。遮蔽部位63に荷電粒子線Bが当たり遮断されたときには、コリメータ61の材料であるグラファイトの導電性によって荷電粒子線Bのビーム電流が信号線67に伝達される。信号線67のビーム電流検出信号は、制御部69に入力される。なお、コリメータ61は、電気絶縁材を介して固定ユニット11の筐体に固定されている。
制御部69は例えばコンピュータで構成される。制御部69は、上記ビーム電流検出信号に基づいて、遮蔽部位63で荷電粒子線Bが遮断されたことを検知し遮断された荷電粒子線Bのビーム電流を検知する遮断検知部69aと、サイクロトロン3からの荷電粒子線Bの出射を制御する出射制御部69bとを備えている。出射制御部69bは、遮断検知部69aにより検知される荷電粒子線Bのビーム電流が所定の閾値を超えた場合には、荷電粒子線Bの出射を停止するようにサイクロトロン3に制御信号を送信する。例えば、制御部69を構成するコンピュータが所定の制御プログラムに従って動作することにより、上記のような遮断検知部69aと出射制御部69bとが実現される。
以上説明したターゲット装置7による作用効果について説明する。上述したようなビーム通過路17とターゲット収容部27との配置関係によれば、ビーム通過路17の断面内において、荷電粒子線Bの通過位置が上側(+Y側)に行くほど、ターゲット収容部27のより上部に荷電粒子線Bが照射されることになる。従って、ビーム通過路17の断面上部を通過する荷電粒子線Bは、仮にコリメータ61が無い場合には、ターゲット収容部27の比較的上部に照射され、前述したような不具合を発生させる虞がある。これに対して、ターゲット装置7におけるコリメータ61は、遮蔽部位63によってビーム通過路17の断面上部を通過する荷電粒子線Bを下流側に通過させない。その結果、荷電粒子線Bは、ターゲット液体Tの比較的下部の適切な位置に照射され、前述したような不具合が抑制される。すなわち、可動ユニット13の背面壁43への損傷の可能性が低減され、またRIの生成効率低下も抑えられる。
また、ビーム通過路17の断面上部を通過する荷電粒子線Bが所定の閾値を超えて存在する場合には、制御部69によって荷電粒子線Bの出射が停止されるので、上記の可動ユニット13の背面壁43への損傷の可能性がより低減される。また、コリメータ61は真空箱9の外表面よりも下流側に配置されるので、コリメータ61とターゲット収容部27とが比較的近くに位置する。従って、コリメータ61の位置における荷電粒子線Bの通過位置とターゲット収容部27への荷電粒子線Bの照射位置との相関性が高い。その結果、荷電粒子線Bの遮蔽や出射停止処理が必要に応じて正確に実行される。
本発明は、上述した実施形態を始めとして、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した様々な形態で実施することができる。また、上述した実施形態に記載されている技術的事項を利用して、変形例を構成することも可能である。各実施形態の構成を適宜組み合わせて使用してもよい。
1…放射性同位元素製造システム、3…サイクロトロン(粒子加速器)、9…真空箱、17…ビーム通過路、27…ターゲット収容部(液体収容部)、61…コリメータ(ビーム遮蔽部)、63…遮蔽部位、69a…遮断検知部、69b…出射制御部、B…荷電粒子線。
Claims (3)
- ターゲット液体を収容する液体収容部と、
粒子加速器の真空箱から出射された荷電粒子線を前記液体収容部まで通過させるビーム通過路と、
前記ビーム通過路内の所定位置に設けられ、前記所定位置における前記ビーム通過路の断面の一部を遮蔽して前記荷電粒子線の通過を許容しない遮蔽部位を有すると共に前記断面の他部では前記荷電粒子線の通過を許容するビーム遮蔽部と、を備えたターゲット装置。 - 前記遮蔽部位は前記断面の上部に形成される、請求項1に記載のターゲット装置。
- 前記粒子加速器からの前記荷電粒子線の出射を制御する出射制御部と、
前記遮蔽部位で前記荷電粒子線が遮断されたことを検知する遮断検知部と、を備え、
前記出射制御部は、
前記遮断検知部により前記荷電粒子線の遮断が検知された場合には、前記粒子加速器からの前記荷電粒子線の出射を停止するように制御する、請求項1又は2に記載のターゲット装置。
Priority Applications (1)
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JP2019026733A JP2020136031A (ja) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | ターゲット装置 |
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JP2019026733A JP2020136031A (ja) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | ターゲット装置 |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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JP2019026733A Pending JP2020136031A (ja) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | ターゲット装置 |
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2019
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