JP2020123633A - 配線構造の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低温低圧の接合条件で接合対象となる配線層同士を接続し、配線層の狭ピッチ化が可能な配線構造の製造方法を提供する。【解決手段】第１導電層と第２導電層と１以上のバンプとを有する配線構造の製造方法であって、第１導電層の第１面上に、導電性粒子を含む導電ペーストを用いて、尖塔型の先端部を有し、先端の曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下のバンプ前駆体を１以上形成し、第１面と第２導電層の一方の表面である第２面とを対向配置し、１以上のバンプ前駆体の先端と第２面とを圧着する、配線構造の製造方法とする。【選択図】なし

Description

本発明は、配線構造の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型軽量化、多機能化に伴い、電子機器に搭載される配線基板においても高密度実装に対する狭ピッチ化の要求が高まっている。係る要求に対応するため、複数の絶縁性基材と導電性パターンとを交互に積み重ねて多層配線基板を形成する技術や、多層配線基板上に電子部品を実装する技術の開発が進められている。

導電性パターン同士を接続する配線構造の製造方法として、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）法及びバンプ法等が一般的に知られている。このうち、バンプ法にて用いられるバンプの種類には、半田バンプ、ワイヤーボンディングバンプ、銅めっきバンプ、及び導電性ペーストバンプ等が挙げられる。

特許文献１は、フォトリソグラフィー技術により金属バンプを作製する方法を開示している。金属バンプは、接着剤層を介して被接続体の接続パットに圧着されている。
特許文献２は、開口を有する印刷製版を用い、導電性ペーストを基板上に印刷してバンプを作製することを開示している。バンプは、実装基板と外部導体部材とを電気的に接続するものであり、実装基板と外部導体部材との間に非導電性接着剤が存在する。

特許第３７７０７９４号公報 特許第５５１３４１７号公報

特許文献１に記載の金属バンプは、形成する際にフォトリソグラフィー技術を必要とすることから製造コストが高い。また、金属バンプを用いた接続パットとの接続圧着は、高温で行う必要があるため、配線構造には耐熱性を有する材料を使用する必要がある。
一方、特許文献２に記載の導電性ペーストを用いて形成するバンプ（以下、導電性ペーストバンプという）は、形成に複数回の印刷及び乾燥を要するため、生産性が低い。また、導電性ペーストバンプは、導電性パターン同士を圧着接続する際に大きく潰れるため、隣接する導電性ペーストバンプ間で短絡するおそれがあり、狭ピッチ化への対応が困難である。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、低温低圧の接合条件で接合対象となる配線層同士を接続し、配線層の狭ピッチ化が可能な配線構造の製造方法を提供することを課題とする。

本発明は以下の態様を有する。
［１］ 第１導電層と、第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に位置する１以上のバンプとを有する配線構造の製造方法であって、
第１導電層の一方の表面である第１面上に、導電性粒子を含む導電ペーストを用いて、前記第１面に対して垂直方向上方に尖塔型の先端部を有し、先端の曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下のバンプ前駆体を１以上形成し、
前記第１面と前記第２導電層の一方の表面である第２面とを対向配置し、１以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する、配線構造の製造方法。
［２］ 前記バンプ前駆体のアスペクト比が、０．２以上０．８以下である、［１］に記載の配線構造の製造方法。
［３］ 前記バンプ前駆体を、スクリーン印刷によって形成する、［１］又は［２］に記載の配線構造の製造方法。
［４］ 前記バンプ前駆体を、ディスペンサによる前記導電ペーストの吐出によって形成する、［１］又は［２］に記載の配線構造の製造方法。
［５］ 前記バンプ前駆体を形成する前に、前記第１面をプラズマ処理する、［１］乃至［４］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［６］ １以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する前に、前記バンプ前駆体の表面及び前記第２面のいずれか一方又は両方をプラズマ処理する、［１］乃至［５］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［７］ 前記第１面と前記第２面との間に、前記第１面と前記第２面との間の距離を規制する１以上のダミーバンプを配置した後、１以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する、［１］乃至［６］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［８］ 前記第１導電層が、第１配線基板の一方の表面に位置する配線層である、［１］乃至［７］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［９］ 前記第２導電層が、第２配線基板の一方の表面に位置する配線層である、［１］乃至［８］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［１０］ 前記第２導電層が、表面実装部品の一方の表面に位置する複数のランド端子である、［１］乃至［８］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［１１］ 湾曲した前記第１面と前記第２面とを対向配置し、１以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する、［１］乃至［１０］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
［１２］ １以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着した後、前記第１面と前記第２面とを湾曲する、［１］乃至［１０］のいずれかに記載の配線構造の製造方法。

本発明によれば、低温低圧の接合条件で接合対象となる配線層同士を接続し、配線層の狭ピッチ化が可能な配線構造の製造方法を提供することができる。

第１実施形態の配線構造の製造方法に適用可能な配線構造の構成の一例を示す断面模式図である。 第１実施形態の配線構造の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態の配線構造の製造方法を説明するための断面模式図である。 第１実施形態の配線構造の製造方法を説明するための断面模式図である。 第２実施形態の配線構造の製造方法に適用可能な配線構造の構成の一例を示す断面模式図である。 第２実施形態の配線構造の製造方法を説明するための断面模式図である。 第２実施形態の配線構造の製造方法を説明するための断面模式図である。 第２実施形態の配線構造の製造方法を説明するための断面模式図である。 実施例２に用いたバンプ前駆体と比較例１に用いたバンプ前駆体との断面形状（断面プロファイル）を比較した図である。

以下、図を参照しながら、本発明の一態様における配線構造の製造方法について説明する。以下の複数の実施形態では、好ましい例や条件を共有してもよい。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、数、量、位置及び形状等について変更、省略及び置換等してもよい。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてあることがある。

＜第１の実施形態＞
先ず、本発明の配線構造の製造方法を適用した第１の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の配線構造の製造方法に適用可能な配線構造の構成の一例を示す断面模式図である。図１に示すように、本実施形態に適用可能な配線構造１は、第１配線基板２と、第２配線基板３と、第１配線層（第１導電層）４と、第２配線層（第２導電層）５と、導電性粒子６を含むバンプ７と、絶縁層８とを備える。また、配線構造１は、ダミーバンプ９を有していてもよい。
配線構造１は、いわゆるＦＯＦ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）構造である。

第１配線基板２は、第１基材１０と、第１基材１０の一方の表面に位置する第１配線層４とを有する。
第２配線基板３は、第２基材１１と、第２基材１１の一方の表面に位置する第２配線層５とを有する。
第１配線基板２と第２配線基板３とは、第１配線層４の表面４Ａと第２配線層５の表面５Ａとが対向して配置される。
バンプ７は、表面４Ａと第２配線層５の表面５Ａとの間に位置し、バンプ７の導電性粒子６により、第１配線層４と第２配線層５とを電気的に接続する。
絶縁層８は、第１配線基板２と第２配線基板３との間を充填しており、第１配線基板２と第２配線基板３とを接着する接着剤の硬化物である。
ダミーバンプ９は、第１配線基板２と第２配線基板３との間の距離（クリアランス）を確保する。

第１配線基板２は、第１基材１０と、第１配線層４とを少なくとも有し、第１基材１０と第１配線層４との積層部分を含む単層の配線基板であってもよいし、多層配線基板であってもよい。第１配線基板２は、可撓性を有するプリント配線基板（ＦＰＣ）でもよい。

第１配線基板２は、曲面を有してもよい。曲面は第１配線基板２の一部であってもよいし、全体が曲面を形成していてもよい。第１配線基板２の曲面の曲率半径は、例えば５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下である。第１配線基板２の曲面部分にバンプ７が位置してもよい。

第１基材１０に含まれる材料としては、市販のプラスチックフィルムを用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ，Ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃ Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。第１基材１０は、これらの材料のうち１つのみ含んでいてもよいし、２以上を含んでいてもよい。

第１配線層４は、第１配線基板２の一方の表面上に形成されている配線である。第１配線層４は、例えばめっきやスクリーン印刷等により第１基材１０上に所望のパターンで形成される。第１配線層４のうち、配線の途中又は端部が電極となる。電極となる配線は、銅、金、ニッケル、銀、錫、アルミ、若しくは鉛、又はこれらのうち少なくとも１種を含む合金を含む。第１配線層４は、配線上に他の導電層が形成されている多層構造であってもよい。例えば、第１配線層４は、銅配線上に、金めっき、ニッケルめっき、錫めっき、鉛めっきのうち少なくとも一つが施されている多層構造であってもよい。

第１配線層４のうち、電極となる配線の幅は、５０μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電極となる配線の幅が上記好ましい範囲内であると、フレキシブル配線基板の電気的な接続を十分確保でき、且つ適用されるデバイスの小型化や高集積化に寄与することができる。

電極となる配線間のピッチｄは、１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。ピッチｄが上記好ましい範囲内であると、フレキシブル配線基板の電気的な接続を十分確保でき、且つ適用されるデバイスの小型化や高集積化に寄与することができる。なお、配線間のピッチｄとは、隣り合う配線の中心間の距離を意味する。

電極となる配線間のスペースは、５０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であることがより好ましい。配線間のスペースが上記好ましい範囲内であると、バンプ７と第２配線層５の表面５Ａとの圧着後に隣り合うバンプ７がショートし難い。なお、配線間のスペースとは、隣り合う配線の端部間の距離を意味する。一般的に、配線間のスペースは、配線間のピッチの４分の１以上２分の１以下である。

第２配線基板３は、第２基材１１と、第２配線層５とを少なくとも有し、第２基材１１と第２配線層５との積層部分を含む単層の配線基板であってもよいし、多層配線基板であってもよい。第２配線基板３は、可撓性を有するプリント配線基板であってもよい。

第２配線基板３は、曲面を有してもよい。曲面は第２配線基板３の一部であってもよいし、全体が曲面を形成していてもよい。第２配線基板３の曲面の曲率半径は、上述した第１配線基板２と同程度とすることができる。第２配線基板３の曲面部分にバンプ７が位置してもよい。

第２基材１１に含まれる材料としては、市販のプラスチックフィルムを用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ，Ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃ Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）等が挙げられる。第２基材１１は、これらの材料のうち１つのみ含んでいてもよいし、２以上を含んでいてもよい。

第２配線層５は、第２配線基板３の一方の表面上に形成されている配線である。第２配線層５は、上述した第１配線層４と同じ方法により形成できる。第２配線層５のうち、配線の途中又は端部が電極となる。電極となる配線は、銅、金、ニッケル、銀、錫、アルミ、若しくは鉛、又はこれらのうち少なくとも１種を含む合金を含む。第２配線層５は、第１配線層４と同様に、多層構造であってもよい。

第２配線層５のうち、電極となる配線間のピッチは、第１配線層４の電極となる配線間のピッチｄと同じ値であることが好ましい。なお、配線間のピッチとは、隣り合う配線の中心間の距離を意味する。

電極となる配線の幅は、５０μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上２００μｍ以下μｍであることがより好ましい。電極となる配線の幅が上記好ましい範囲内であると、バンプ７と第２配線層５の電極となる配線の表面との圧着後に、隣り合うバンプ７同士が短絡（ショート）し難い。

バンプ７は、第１配線層４の表面４Ａと第２配線層５の表面５Ａとの間に位置する。具体的には、第１配線層４のうち電極となる配線の一本と、第２配線層５のうち電極となる配線の一本との間に、一つのバンプ７がそれぞれ位置する。

バンプ７は、導電性粒子６を含み、さらにバインダー樹脂を含んでいてもよい。
導電性粒子６は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ，Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｉ若しくはＧｅ、それらの少なくとも１種以上を含む合金、又は、それらの１種以上を含む化合物を含有する。導電性粒子６の平均粒径は、０．０５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。導電性粒子６の平均粒径が上記好ましい範囲内であると、ディスペンサで塗布した際にノズルの詰まりが発生しにくく好適である。

導電性粒子６の平均粒径は、レーザー回折散乱粒度分布測定装置を用いて測定された値であると定義する。具体的には、レーザー回折粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ社製、型番：ＬＡ−９６０）を用い、測定対象物０．５ｇを、エタノール溶液１０ｍｌに投入し、測定対象物を分散させた分散液を得る。得られた分散液について粒度分布を測定し、体積基準の累積粒度分布曲線を得る。得られた累積粒度分布曲線において、５０％累積時の微小粒子側から見た粒子径（Ｄ５０）の値を、平均粒径とする。

バンプ７の上面及び底面の直径は、それぞれ５μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。バンプ７の上面及び底面の直径が１０μｍ以上１００μｍ以下であると、配線構造１が適用されるデバイスの小型化や高集積化に寄与することができる。なお、バンプ７の上面及び底面とは、第１配線層４のうち電極となる配線との接触面と、第２配線層５のうち電極となる配線との接触面とのうち、大きい方を底面、小さい方を上面というものとする。

バンプ７の高さは、特に限定されず、バンプ７の底面の直径に応じて設定してもよい。例えば、バンプ７の底面の直径の０．２倍以上０．８倍以下とすることができる。この場合、バンプ７のアスペクト比（高さ／底面の直径）は、０．２以上０．８以下となる。具体的には、バンプ７の高さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましい。バンプ７の底面の直径及び高さは、包埋処理で樹脂に埋め込んだフレキシブル基板を、研磨によりバンプ面で面出しを行い、光学顕微鏡（ＯＬＹＭＰＵＳ社製、型番：ＢＸ−５３Ｍ）を用いて測定した値である。

絶縁層８は、１以上のバンプ７を覆うように第１配線基板２と第２配線基板３との間に位置する。絶縁層８は、第１配線基板２と第２配線基板３との間に充填された樹脂成分である。絶縁層８は、第１配線基板２と第２配線基板３とを密着させる。絶縁層８は、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂、及び熱硬化樹脂等の硬化物を適用できる。これらの中でも熱硬化性樹脂を用いることが、十分な剥離強度が得られる点で好ましい。具体的には、絶縁層８として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン等の熱硬化性樹脂が挙げられる。

絶縁層８と第２配線基板３との剥離強度は、１Ｎ／ｃｍ以上２０Ｎ／ｃｍ以下であることが好ましく、３Ｎ／ｃｍ以上２０Ｎ／ｃｍ以下であることがより好ましい。上記剥離強度が上述した好ましい範囲内であると、配線構造１を湾曲させる等、曲げ応力を加えても絶縁層８と第２配線基板３との界面にて剥離が生じ難い。

絶縁層８と第２配線基板３との剥離強度は、ピール試験機（例えばＡＩＫＯＨ社製、型番：ＦＴＮ４−１５Ａ）を用いて、９０°剥離試験により測定できる。

本実施形態の配線構造１は、第１配線基板２と第２配線基板３との間に、ダミーバンプ９が配置されていてもよい。
ダミーバンプ９は、第１配線基板２と第２配線基板３との間の、バンプ７がない空間に位置する。本実施形態の配線構造１では、バンプ７は導電ペーストによって形成されるため、弾性率が低く変形しやすい。そこで、第１配線基板２と第２配線基板３との間の、バンプ７がない空間に１つ以上のダミーバンプ９を配置することで、第１配線基板２と第２配線基板３との間の距離を所定の間隔により安定して保つことができる。

ダミーバンプ９の材料としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、アクリル／スチレン樹脂（アクリレートとスチレンとの共重合体）、ポリオレフィン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、自ビニルベンゼン架橋体等が挙げられる。ダミーバンプ９の形状は特に限定されず、球形及び柱状等であってもよい。ダミーバンプ９の最大寸法は、第１配線基板２と第２配線基板３との間の距離よりも大きく、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましい。ダミーバンプ９の数は、第１配線基板２の１ｍｍ四方当たり２個以上２００個以下であることが好ましい。

上述の構成を有する配線構造１は、バンプ７によって接続する配線間の狭ピッチ化が可能である。

次に、本実施形態の配線構造１の製造方法の一例について、図２〜図４を参照して説明する。図２〜図４は、本実施形態の配線構造１の製造方法を説明するための断面模式図である。
本実施形態の配線構造１の製造方法は、上述したように第１配線層（第１導電層）４と、第２配線層（第２導電層）５と、第１配線層４と第２配線層５との間に位置する１以上のバンプ７とを有する配線構造１の製造方法であって、第１配線層４の一方の表面である第１面４Ａ上に、導電性粒子６を含む導電ペーストを用いて、第１面４Ａに対して垂直方向上方に尖塔型の先端部を有し、先端１２Ａの曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下のバンプ前駆体１２を１以上形成し、第１面４Ａと第２配線層５の一方の表面である第２面５Ａとを対向配置し、１以上のバンプ前駆体１２の先端１２Ａと第２面５Ａとを圧着するものである。

先ず、図２に示すように、第１基材１０の一方の表面上にスクリーン印刷法等により導電ペーストを印刷することで、電極となる配線を含む第１配線層４を形成した第１配線基板２を用意する。
次いで、第１配線層４の第１面４Ａ上（すなわち、電極となる配線上）に、導電ペーストを用いて、尖塔型の先端部を有するバンプ前駆体１２を形成する。

導電ペーストは、少なくとも導電性粒子６を含むものであれば、特に限定されない。
導電ペーストとしては、せん断速度が１０ｓ^−１のときの粘度が１００Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下であり、せん断速度が１００ｓ^−１のときの粘度が５Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下であるものが好ましい。なお、導電ペーストの粘度は、コーンプレート型粘度計で測定する粘度の値である。

バンプ前駆体１２は、電極となる配線上に、ディスペンサによる導電ペーストの吐出によって形成する。

ディスペンサは、導電ペーストの吐出が可能なものであれば、特に限定されない。このようなディスペンサとしては、例えば、エンジニアリングシステム社製「Ｒ−ｊｅｔ」等が挙げられる。ディスペンサから導電ペーストを吐出する際の条件としては、シリンジ背圧（空圧）：０．１〜０．３ＭＰａ、Ｒ−ｕｎｉｔの空圧：０．１〜０．３ＭＰａ、塗布時間：０．０１〜０．５秒、ノズル内径：４０μｍとすることが好ましい。ディスペンサからの１回の吐出によって、１つのバンプ前駆体１２を形成することが好ましい。

導電ペーストによって形成したバンプ前駆体１２は、後述するバンプ前駆体１２と第２配線基板３との圧着時にバンプ前駆体１２が大きく変形可能である。そのため、第１配線基板２及び第２配線基板３の平坦度や、第１配線層４及び第２配線層５の高さ（層厚）のばらつきが大きい場合でも、確実に電気的接続性が得られる。

バンプ前駆体１２は、第１面４Ａに対して垂直方向上方に、先端１２Ａを含む先端部を有する。バンプ前駆体１２の形状は、先端１２Ａを含む垂直断面を断面視した際、少なくとも先端部が尖塔型である。すなわち、バンプ全体が尖塔型であってもよいし、先端部のみが尖塔型であってもよい。また、尖塔型としては、円錐や多角錐等の錐状体が挙げられる。

バンプ前駆体１２の先端１２Ａの曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下であり、５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。バンプ前駆体１２の先端部が尖塔型であり、先端１２Ａの曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下であると、被接続体との圧着時に圧力の伝達が容易であり、かつバンプ前駆体１２が押しつぶされてバンプ７となる際、隣接するバンプ７と接触（短絡）しにくいため、信頼性の高い電気的接続が得られる。

バンプ前駆体１２の先端１２Ａの曲率半径は、白色干渉顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型番：ＶＳ１３３０）で測定したバンプ前駆体の断面プロファイルから、真円の円弧にあたる部分の弦長と円弧の高さとを見積り、公知の方法であるＮｅｗｔｏｎ−Ｒａｐｈｓｏｎ法を用いて算出する。

バンプ前駆体１２の底面の直径は、１０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。バンプ前駆体１２の底面の直径が３０μｍ以上１００μｍ以下であると、配線構造１が適用されるデバイスの小型化や高集積化に寄与できる。

バンプ前駆体１２の高さは、バンプ前駆体１２の底面の直径に応じて設定してもよい。例えば、バンプ前駆体１２の底面の直径の０．２倍以上０．８倍以下である。つまり、バンプ前駆体１２のアスペクト比（高さ／底面の直径）は、０．２以上０．８以下であることが好ましい。具体的には、バンプ前駆体１２の高さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましい。バンプ前駆体１２の底面の直径及び高さは、白色干渉顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型番：ＶＳ１３３０）で測定した値である。また、バンプ前駆体１２の底面の直径及び高さとして、バンプ前駆体１２の先端１２Ａを含む垂直断面を断面視した際、算出した値を用いてもよい。

なお、バンプ前駆体１２を形成する前に、第１配線基板２の、第１配線層４の第１面４Ａを含む表面にプラズマ処理してもよい。プラズマ処理により、第１面４Ａに付着する有機物等の不純物が除去され、あるいは第１面４Ａの改質がなされるため、第１面４Ａとバンプ前駆体１２との密着性が向上する。

プラズマ装置は、第１配線層４の第１面４Ａのプラズマ処理が可能なものであれば、特に限定されない。このようなプラズマ装置としては、例えば、魁半導体社製「Ｐ５００−ＳＭ」等が挙げられる。プラズマ処理の条件としては、窒素雰囲気化、圧力：０．１５ＭＰａ、照射時間：５秒、ギャップ：４ｍｍが好ましい。

次いで、バンプ前駆体１２を加熱乾燥して、バンプ前駆体１２に含まれる溶媒成分を除去する。具体的には、バンプ前駆体１２を形成した第１配線基板２をホットプレート等で８０℃以上１２０℃以下、１５分間〜６０分間乾燥させる。

次に、図３に示すように、１以上のバンプ前駆体１２を形成した第１配線基板２の表面のうち、バンプ前駆体１２を形成した表面上に、ディスペンサ（例えば、武蔵エンジニアリング社製、型番：ＭＬ−５０００ＸＩＩ）を用いてダミーバンプ９を含む接着剤を塗布して、接着剤層１３を形成する。

接着剤層１３の厚さとしては、バンプ前駆体１２の先端部が接着剤層１３から露出する厚さであれば、特に限定されない。接着剤層１３の厚さとしては、例えば、５μｍ以上２００μｍ以下とすることができ、１０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。

次に、第２基材１１の一方の表面上に電極となる配線を含む第２配線層５を形成した第２配線基板３を用意する。
次いで、図４に示すように、第１配線層４の第１面４Ａと第２配線層５の第２面５Ａとを対向配置し、第１配線層４の電極となる配線と、第２配線層５の電極となる配線とを位置合わせする。位置合わせの完了後、第１配線基板２と第２配線基板３とをそれぞれ固定し、第１面４Ａ上の１以上のバンプ前駆体１２の先端１２Ａと、被接合面となる第２面５Ａ（電極となる各配線の表面）とを一括で加熱圧着する。

加熱圧着には、市販の熱圧着機（例えば、大橋製作所社製、型番：ＢＤ−０３）を用いることができる。また、加熱圧着条件としては、例えば、温度：８０℃以上１２０℃以下、圧力：０．５ＭＰａ以上２ＭＰａ以下、処理時間：６０秒以上１２０秒以下を用いることができる。

加熱圧着により、バンプ前駆体１２の先端１２Ａが第２配線層５の第２面５Ａと加熱圧着する間に押しつぶされてバンプ７となり、接着剤層１３が硬化して絶縁層８となることで、図１に示す配線構造１を作製することができる。

なお、バンプ前駆体１２の先端１２Ａと、第２面５Ａ（電極となる各配線の表面）とを加熱圧着する前に、接着剤層１３から露出するバンプ前駆体１２の先端部の表面と、第２配線基板３の、第２配線層５の第２面５Ａを含む表面にプラズマ処理してもよい。プラズマ処理により、有機物等の不純物が除去され、あるいは改質がなされるため、バンプ前駆体１２と第２面５Ａとの密着性が向上する。
プラズマ装置及び処理条件としては、第１配線層４の第１面４Ａのプラズマ処理と同じものを用いることができる。

以上説明したように、本実施形態の配線構造１の製造方法によれば、第１配線基板２と第２配線基板３とを接合対象とし、一方の接合対象である第１配線基板２の第１配線層４の表面４Ａ上に、導電性粒子６を含む導電ペーストを用いて、所要の先端形状を有する１以上のバンプ前駆体１２を形成し、接合対象同士を対向配置した後、１以上のバンプ前駆体１２の先端１２Ａと他方の接合対象である第２配線基板３の第２配線層５の第２面５Ａとを圧着する構成であるため、低温低圧の接合条件で接合対象を接続し、配線層の狭ピッチ化が可能となる。

バンプ前駆体１２の先端部が尖塔型であり、先端１２Ａの曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下であれば、温度：８０℃以上１２０℃以下、圧力：０．５ＭＰａ以上２ＭＰａ以下の条件で、接合対象同士を接続できる。また、バンプ前駆体１２の周囲にダミーバンプ９を配置することで、バンプ前駆体１２の潰れ量を規制できる。

また、本実施形態の配線構造１の製造方法によれば、配線ピッチが１００μｍ以上１０００μｍ以下のＦＯＦ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）構造に適用できる。

＜第２の実施形態＞
次に、本発明を適用した第２の実施形態である配線構造の構成及び製造方法について、図５〜図８を参照して詳細に説明する。
図５に示すように、第２の実施形態の配線構造５１の構成は、上述した第１の実施形態の配線構造１の構成とは、第１実施形態で示した第２配線基板３を表面実装部品５３として備える点、及び第２配線層５を複数のランド端子（第２導電層）５５として備える点で異なるものであり、その他の構成については第１の実施形態と同一である。したがって、本実施形態の配線構造の構成及び製造方法については、第１の実施形態の配線構造１の構成及び製造方法と同一の構成部分については同じ符号を付すると共に説明を省略する。

図５に示すように、本実施形態に適用可能な配線構造５１は、第１配線基板２と、表面実装部品５３と、第１配線層（第１導電層）４と、複数のランド端子（第２導電層）５５と、導電性粒子６を含むバンプ７と、絶縁層８とを備える。また、配線構造５１は、ダミーバンプ９を有していてもよい。
配線構造５１は、いわゆるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）構造である。

表面実装部品５３は、表面実装部品５３の一方の表面に位置する複数のランド端子５５を有する。
第１配線基板２と表面実装部品５３とは、第１配線層４の表面４Ａとランド端子５５の表面５５Ａとが対向して配置される。
バンプ７は、第１配線層４の表面４Ａとランド端子５５の表面５５Ａとの間に位置し、バンプ７の導電性粒子６により、第１配線層４とランド端子５５とを電気的に接続する。
絶縁層８は、第１配線基板２と表面実装部品５３との間を充填しており、第１配線基板２と表面実装部品５３とを接着する接着剤の硬化物である。
ダミーバンプ９は、第１配線基板２と表面実装部品５３との間の距離（クリアランス）を確保する。

表面実装部品５３は、第１配線基板２の表面にバンプ７によって実装することのできる電子部品であれば、特に限定されない。表面実装部品５３としては、例えば、ＩＣチップ、チップコンデンサ、チップ抵抗、ＬＥＤ等が挙げられる。

ランド端子５５は、表面実装部品５３の一方の表面に位置し、外部と電気的な接続を行う。ランド端子５５の材質は、特に限定されない。ランド端子５５の材質としては、例えば、銅、金、ニッケル、銀、錫、アルミ、若しくははんだ、又はこれらのうち少なくとも１種を含む合金層を含む積層体が挙げられる。これらの中でも、金、ニッケル、アルミ等がより好ましい。

ランド端子５５間のピッチは、第１配線層４の電極となる配線間のピッチｄと同じ値であることが好ましい。

ランド端子５５の幅は、２０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。ランド端子５５の幅が上記好ましい範囲内であると、バンプ７とランド端子５５との圧着後に、隣り合うバンプ７同士が短絡（ショート）し難い。

上述の構成を有する配線構造５１は、バンプ７によって接続するランド端子間の狭ピッチ化が可能である。

次に、本実施形態の配線構造５１の製造方法の一例について、図６〜図８を参照して説明する。図６〜図８は、本実施形態の配線構造１の製造方法を説明するための断面模式図である。
本実施形態の配線構造５１の製造方法は、上述したように第１配線層（第１導電層）４と、複数のランド端子（第２導電層）５５と、第１配線層４とランド端子５５との間に位置する１以上のバンプ７とを有する配線構造５１の製造方法であって、第１配線層４の一方の表面である第１面４Ａ上に、導電性粒子６を含む導電ペーストを用いて、第１面４Ａに対して垂直方向上方に尖塔型の先端部を有し、先端１２Ａの曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下のバンプ前駆体１２を１以上形成し、第１面４Ａとランド端子５５の表面５５Ａとを対向配置し、１以上のバンプ前駆体１２の先端１２Ａとランド端子５５とを圧着するものである。

先ず、上述した第１実施形態と同様に、第１配線層４を有する第１配線基板２を用意する。
次いで、第１配線層４の第１面４Ａ上（すなわち、電極となる配線上）に、導電ペーストを用いて、尖塔型の先端部を有するバンプ前駆体１２を形成し、乾燥させる（図２を参照）。なお、バンプ前駆体１２を形成する前に、第１実施形態と同様にプラズマ処理してもよい。

次に、図６に示すように、第１配線基板２のバンプ前駆体１２を形成した表面側に、ダミーバンプ９を配置する。ダミーバンプ９は、バンプ前駆体１２が配置されていない、バンプ前駆体１２の周囲に設ける。

次に、図７に示すように、第１配線層４の第１面４Ａと表面実装部品５３のランド端子５５とを対向配置し、第１配線層４の電極となる配線とランド端子５５とを位置合わせする。位置合わせの完了後、第１配線基板２と表面実装部品５３とをそれぞれ固定し、第１面４Ａ上の１以上のバンプ前駆体１２の先端１２Ａと、被接合面となるランド端子５５とを一括で加熱圧着する。

加熱圧着には、市販の実装装置（例えば、ＴＲＥＳＫＹ社製、型番：Ｔ−４９０９）を用いることができる。また、加熱圧着条件としては、例えば、温度：８０℃以上１２０℃以下、圧力：０．５ＭＰａ以上２ＭＰａ以下、処理時間：６０秒以上１２０秒以下を用いることができる。

加熱圧着により、バンプ前駆体１２の先端１２Ａが第１配線層４の第１面４Ａとランド端子５５の表面５５Ａとの間で押しつぶされてバンプ７となる。この際、バンプ前駆体１２は、導電ペーストを用いて形成するため、潰れ量が大きくなるが、ダミーバンプ９をバンプ前駆体１２の周囲に配置することで潰れ量を規制できる。

次に、図８に示すように、第１配線基板２と表面実装部品５３との間の空間に、ディスペンサ（例えば、武蔵エンジニアリング社製、型番：ＭＬ−５０００ＸＩＩ）を用いて接着剤を注入して、バンプ７及びダミーバンプ９の周囲を覆うように接着剤層１３を形成する。
次いで、接着剤層１３を硬化して絶縁層８を形成する。これにより、図５に示す配線構造５１を作製することができる。

なお、バンプ前駆体１２の先端１２Ａと、ランド端子５５とを加熱圧着する前に、バンプ前駆体１２の表面にプラズマ処理してもよい。プラズマ処理により、有機物等の不純物が除去され、あるいは改質がなされるため、バンプ前駆体１２とランド端子５５との密着性が向上する。
プラズマ装置としては、第１配線層４の第１面４Ａのプラズマ処理と同じものを用いることができる。

以上説明したように、本実施形態の配線構造５１の製造方法によれば、上述した第１実施形態と同様に、低温低圧の接合条件で表面実装部品５３を第１配線基板２上に実装し、配線層の狭ピッチ化が可能となる。

また、本実施形態の配線構造５１の製造方法によれば、配線ピッチが４０μｍ以上４００μｍ以下のＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）構造に適用できる。

＜他の実施形態＞
次に、本発明を適用した他の実施形態である配線構造の構成及び製造方法について説明する。上述した第１実施形態の配線構造１及び第２実施形態の配線構造５１の構成は、いずれも第１配線基板２の平坦部分にバンプ７が位置するが、他の実施形態の配線構造の構成は、第１配線基板２の一部または全体が曲面を形成しており、その曲面部分にバンプ７が位置するものである。

曲面部分を有する配線構造の製造方法としては、以下の二つの方法が挙げられる。
第一の方法は、先ず、第１配線基板２の第１配線層４の第１面４Ａにバンプ前駆体１２を形成した後、第１面４Ａを湾曲する。次いで、この第１面４Ａに対向するように湾曲した第２配線基板３を配置し、バンプ前駆体１２の先端１２Ａと第２配線基板３の第２配線層５の第２面５Ａとを圧着する。これにより、曲面部分を有する配線構造が得られる。なお、第２配線基板３を表面実装部品５３に変更する場合も同様に、湾曲した第１面４Ａに対向するように表面実装部品５３を配置し、バンプ前駆体１２の先端１２Ａとランド端子５５の表面５５Ａとを圧着すればよい。

第二の方法は、上述した第１及び第２の実施形態と同様に、配線構造１，５１を得る。その後、バンプ７を介する接合部分を所要の曲率半径となるように湾曲する。これにより、曲面部分を有する配線構造が得られる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上述した実施形態では、バンプ前駆体１２を断面視した際、全体の形状が尖塔型である構成を一例として説明したが、これに限定されない。バンプ前駆体１２の断面視した際の形状は、少なくとも先端部が尖塔型であればよい。例えば、基端側が円柱や多角柱等の柱状であり、先端側円錐や多角錘等の錘状であってもよい。

また、上述した実施形態では、バンプ前駆体１２をディスペンサによって形成する構成を一例として説明したが、これに限定されない。ディスペンサに代えて、スクリーン印刷によって所要の形状を有するバンプ前駆体１２を形成してもよい。なお、スクリーン印刷によってバンプ前駆体１２を形成する場合、１回の印刷で形成することが好ましい。

また、上述した実施形態では、絶縁層８にダミーバンプ９を含む構成を一例として説明したが、これに限定されない。絶縁層８は、ダミーバンプ９を含まない構成としてもよい。

また、上述した実施形態では、バンプ前駆体１２を形成する前及びバンプ前駆体１２の先端１２Ａを被接合面に圧着する前のいずれか一方又は両方に、プラズマ処理する構成を一例として説明したが、これに限定されない。いずれにおいてもプラズマ処理をしない構成としてもよい。

上述した第１実施形態では、バンプ前駆体１２を形成した後、バンプ前駆体１２の先端１２Ａを被接合面（第２面５Ａ）に圧着する前に接着剤層１３を形成する構成を一例として説明したが、これに限定されない。バンプ前駆体１２の先端１２Ａを被接合面（第２面５Ａ）に圧着した後に、第１配線基板２と第２配線基板３との間の空間に接着剤層１３を形成してもよい。

また、上述した第２実施形態では、バンプ前駆体１２の先端１２Ａを被接合面（表面５５Ａ）に圧着した後に、第１配線基板２と表面実装部品５３との間の空間に接着剤層１３を形成する構成を一例として説明したが、これに限定されない。バンプ前駆体１２を形成した後、バンプ前駆体１２の先端１２Ａを被接合面（表面５５Ａ）に圧着する前に接着剤層１３を形成してもよい。

また、上述した実施形態では、ディスペンサから接着剤を塗布して接着剤層１３を形成する構成を一例として説明したが、これに限定されない。あらかじめシート状に成型した接着剤層１３を用いる構成としてもよい。なお、シート状の接着剤層１３を用いる場合、接合前あるいは接合時にバンプ前駆体１２が接着剤層１３を貫通する構成としてもよい。

また、上述した実施形態では、第１配線層４の表面（第１面４Ａ）上にバンプ前駆体１２を形成する構成を一例として説明したが、これに限定されない。第２配線層５の表面（第２面５Ａ）上、あるいは表面実装部品５３のランド端子５５の表面５５Ａ上にバンプ前駆体１２を形成してもよい。この場合、第１配線層４の表面（第１面４Ａ）が、バンプ前駆体１２の先端１２Ａの被接合面となる。

上述した第１実施形態では、第１配線層（第１導電層）４及び第２配線層（第２導電層）５が、いずれもバンプ７と反対側に第１基材１０及び第２基材１１を有する第１配線基板２及び第２配線基板３の一部であり、それぞれ配線パターンが形成された配線構造１を一例として説明したが、これに限定されない。例えば、第１配線層（第１導電層）及び第２配線層（第２導電層）がいずれもバンプと反対側に第１基材及び第２基材を有さず、いずれも配線パターンが形成されていない金属箔である配線構造であってもよい。金属箔としては、圧延銅あるいは電解銅等の銅箔が挙げられる。すなわち、本発明の配線構造の製造方法は、両面積層銅張板の製造にも適用可能である。なお、両面積層銅張板を得た後、その両面に、それぞれ所要の配線をパターニング形成してもよい。

以下、実施例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。

＜評価方法＞
（接続部の導通評価）
各実施例のフレキシブル配線基板について、ＦＰＣの電極と、印刷電極シートの導体部とをそれぞれ評価ボードに接続させて、テスター（ＳＡＮＷＡ社製、型番：ＰＣ７００）を用いてバンプによる接続部の導通の有無を確認した。１００箇所の接続部について導通の有無を確認し、導通が確認された接続部の割合を算出し、初期の接続割合とした。

その後、液槽式温度サイクル試験機を用い、温度サイクル試験を実施した。温度サイクル試験の条件は、低温側温度：−４０℃、高温側温度：１０５℃、保持時間：各１５分、繰り返し回数：２３０サイクルとした。試験完了後に再び接続割合を算出し、温度サイクル試験後の接続割合とした。

（接続可能な圧着時の圧力の下限値）
各実施例のフレキシブル配線基板の作製手順における、バンプと導電部との圧着時の圧力を１ＭＰａから０．１ＭＰａずつ下げた各条件でフレキシブル配線基板を作製し、それぞれ初期の接続割合を上述の方法により算出した。初期の接続割合が１００％である最小の圧着時の圧力を、接続可能な圧着時の圧力の下限値とした。

（短絡しない電極ピッチの下限値）
各実施例のフレキシブル配線基板の作製手順における、ＦＰＣ上の電極のピッチを０．５ｍｍ、０．４ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍ、及び０．１ｍｍとし、同様に印刷電極シート上の導電部のピッチを０．５ｍｍ、０．４ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍ、及び０．１ｍｍとしてフレキシブル配線基板を作製した。圧着前のバンプの直径は、電極からはみ出さないように調整した。

圧着後のフレキシブル配線基板の、ＦＰＣ上の電極と印刷電極シート上の導電部をそれぞれ評価ボードに接続させて、それぞれ隣り合う電極又は導電部との短絡の有無を、テスター（ＳＡＮＷＡ社製、型番：ＰＣ７００）を用いて確認した。短絡が発生しなかった最小の電極ピッチを短絡しない電極ピッチの下限値とした。

（曲面を有する基板を用いた導通評価）
各実施例のフレキシブル配線基板において、印刷電極シートとして曲率半径１００ｍｍとなるようモールド加工されたポリカーボネート基板を用いた。上述の方法により導通評価を行い、初期の接続割合を算出した。

（実施例１）
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のフィルム基材上にグラビアオフセット印刷法により導電ペースト（ＤＮＰファインケミカル社製、型番：ＦＡＩＮＡＰ）を印刷することで電極を有する引き出し電極パターン形成し、印刷電極シートを作製した。引き出し電極パターンは、電極のピッチが０．５ｍｍ、電極幅が０．２５ｍｍ、電極間スペースが０．２５ｍｍ、電極数が１００本のパターンとした。

ポリイミドフィルムと銅の引き出し配線のＦＰＣ（太洋工業社製）を準備した。引き出し配線の導電部の銅表面にはニッケル及び金めっきが施されていた。引き出し電極の導電部のピッチは、印刷電極シートの電極のピッチと同様に０．５ｍｍとし、導電部数も１００本とした。

導電ペーストは平均粒子径が１μｍの銀粉、市販のエポキシ樹脂と硬化剤、及び有機溶剤を公知の割合で混合して得た。
コーンプレート型粘度計で測定された導電ペーストの粘度は、せん断速度が１０ｓ^−１のときの粘度が１５０Ｐａ・ｓであり、せん断速度が１００ｓ^−１のときの粘度が１２Ｐａ・ｓであった。この導電ペーストを用いて、ディスペンサ（エンジニアリングシステム社製、Ｒ−ｊｅｔ）で塗布し、印刷電極シートの電極上にバンプ前駆体を形成した。塗布条件は、シリンジ背圧（空圧）を０．２Ｐａ、Ｒ−ｕｎｉｔの空圧を０．２Ｐａ、ディスペンサのノズル内径を４０μｍとした。

バンプ前駆体を形成した印刷電極シートをホットプレート上で１００℃３０分間乾燥させた。白色干渉顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型番：ＶＳ１３３０）を用いて観察したバンプ前駆体の底面直径は１００μｍ、高さは５０μｍ（アスペクト比：０．５）であった。また、断面プロファイルから見積もられたバンプ前駆体の先端部の曲率半径は８μｍであった。

バンプ前駆体を形成した印刷電極シート上に、ディスペンサ（武蔵エンジニアリング社製、型番：ＭＬ−５０００ＸＩＩ）を用いて接着剤（味の素ファインテクノ社製、ＡＥ−４００）を厚さ３０μｍとなるよう塗布した。

ＦＰＣと印刷電極シートとを、ＦＰＣの導電部と印刷電極シートの電極との位置が整合するよう固定し、熱圧着機（大橋製作所社製、型番：ＢＤ−０３）で１００℃、圧力１ＭＰａ下で９０秒間加熱圧着し、フレキシブル配線基板を得た。圧着ツールとしては、２ｍｍ×４０ｍｍの長方形のものを用いた。

（実施例２）
ＦＰＣの導電部を、大気圧プラズマ装置（魁半導体社製、型番：Ｐ５００−ＳＭ）を用いて、窒素雰囲気下、圧力：０．１５ＭＰａの条件で５秒間プラズマ処理を行った後、ＦＰＣと印刷電極シートの熱圧着を行った以外は、実施例１と同じ方法でフレキシブル配線基板を得た。

（実施例３）
ＦＰＣの引き出し配線の導電部の銅表面に鉛めっきが施されていた以外は、実施例２と同じ方法でフレキシブ配線基板を得た。

（実施例４）
接着剤としてＵＶ硬化型の接着剤（協立化学産業社製、型番：８５３０）を用いた以外は、実施例２と同じ方法でフレキシブル配線基板を得た。

（比較例１）
バンプ前駆体を作製する際、実施例１で用いた導電ペーストのかわりに導電ペースト（太陽インキ社製、型番：ＡＦ６１００ Ｈ２０）を用い、スクリーン印刷でバンプを形成した。白色干渉顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型番：ＶＳ１３３０）を用いて観察したバンプの底面直径は１２０μｍ、高さは３０μｍ（アスペクト比：０．２５）であった。これ以外は、実施例２と同じ方法でフレキシブル配線基板を得た。

（比較例２）
バンプ前駆体を作製する際、実施例１で用いた導電ペーストのかわりに導電ペースト（太陽インキ社製、型番：ＡＦ６１００ Ｈ２０）を酢酸２−（２−エトキシエトキシ）エチルで、せん断速度が１００ｓ^−１のときの粘度が９Ｐａ・ｓになるように希釈したペーストを用い、ディスペンサでバンプを形成した。白色干渉顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型番：ＶＳ１３３０）を用いて観察したバンプの底面直径は１２５μｍ、高さは５７μｍ（アスペクト比：０．４６）であった。これ以外は、実施例２と同じ方法でフレキシブル配線基板を得た。

（比較例３）
実施例２におけるバンプの形成及び接着剤の塗布のかわりに、プラズマ処理後のＦＰＣ上に異方導電ペースト（京セラ社製、ＸＡＰ−９００）を厚さ５０μｍとなるよう塗布した。ＦＰＣと印刷電極シートをＦＰＣの導電部と印刷電極シートの電極の位置が整合するよう固定し、熱圧着機（大橋製作所社製、型番：ＢＤ−０３）で１５０℃、圧力０．１１ＭＰａ下で１０秒間加熱圧着し、フレキシブ配線基板を得た。圧着ツールは２ｍｍ×４０ｍｍの長方形のものを用いた。

実施例１〜４、比較例１〜３のバンプ前駆体の形状、フレキシブル配線基板の熱サイクル試験後の導通評価、及び接続可能な圧着時の圧力の下限値の結果を表１に示す。なお、全ての実施例及び比較例において、フレキシブル配線基板の導通評価における初期接続割合は１００％であった。

実施例１〜４のバンプ前駆体の先端部の形状はいずれも尖塔型であり、先端の曲率半径は１０μｍであった。また、実施例１〜４の温度サイクル試験後の接続割合は、いずれも１００％であった。
一方、比較例１のバンプ前駆体の形状は椀型であり、先端の曲率半径は６２μｍであった。また、温度サイクル試験後の接続割合は、５０％であった。
また、比較例２のバンプ前駆体の形状も椀型であり、先端の曲率半径は５０μｍであった。また、温度サイクル試験後の接続割合は、７０％であった。
先端部の形状が尖塔型であり、先端の曲率半径が１０μｍのバンプ前駆体は、接続可能な圧着時の圧力の緩和に寄与しているものと考えられる。

図９は、実施例２に用いたバンプ前駆体と比較例１に用いたバンプ前駆体との断面形状（断面プロファイル）を比較した図である。
図９に示すように、実施例２に用いたバンプ前駆体の断面形状は、底面から先端に向けて漸次縮径しており、先端部の形状が尖塔型であることを確認した。
一方、比較例１に用いたバンプ前駆体の断面形状は、底面から先端に向けてなだらかに縮径しており、先端部の形状が椀型であることを確認した。

実施例１〜４のフレキシブル配線基板について、接続可能な圧着時の圧力の下限値は、いずれも０．２ＭＰａ〜０．３ＭＰａの範囲であり、圧着時に低い圧力で信頼性の高い接続が得られることを確認した。
一方、比較例１〜３は、それぞれ０．５ＭＰａ〜０．８ＭＰａの範囲であり、圧着時に高い圧力が必要であることを確認した。

実施例２及び比較例１のフレキシブル配線基板について、短絡しない電極ピッチの下限値を測定したところ、実施例２は１００μｍであり、比較例１は４００μｍであった。この結果から、フレキシブル配線基板に要求される微細化に対応できるといえる。

実施例２及び比較例１のフレキシブル配線基板について、曲面を有する基板を用いた場合の初期の接続割合を評価した。実施例２では、初期の接続割合が１００％であり、接続部分が局面を有する場合であっても電気的接続を十分に維持できることが分かった。一方で、比較例３では、初期の接続割合が３０％と低かった。

１，５１…配線構造
２…第１配線基板
３…第２配線基板
４…第１配線層（第１導電層）
４Ａ…第１面
５…第２配線層（第２導電層）
５Ａ…第２面
６…導電性粒子
７…バンプ
８…絶縁層
９…ダミーバンプ
１０…第１基材
１１…第２基材
１２…バンプ前駆体
１２Ａ…先端
１３…接着剤層
５３…表面実装部品
５５…ランド端子
５５Ａ…表面

Claims (12)

1. 第１導電層と、第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に位置する１以上のバンプとを有する配線構造の製造方法であって、
   第１導電層の一方の表面である第１面上に、導電性粒子を含む導電ペーストを用いて、前記第１面に対して垂直方向上方に尖塔型の先端部を有し、先端の曲率半径が１μｍ以上４０μｍ以下のバンプ前駆体を１以上形成し、
   前記第１面と前記第２導電層の一方の表面である第２面とを対向配置し、１以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する、配線構造の製造方法。
2. 前記バンプ前駆体のアスペクト比が、０．２以上０．８以下である、請求項１に記載の配線構造の製造方法。
3. 前記バンプ前駆体を、スクリーン印刷によって形成する、請求項１又は２に記載の配線構造の製造方法。
4. 前記バンプ前駆体を、ディスペンサによる前記導電ペーストの吐出によって形成する、請求項１又は２に記載の配線構造の製造方法。
5. 前記バンプ前駆体を形成する前に、前記第１面をプラズマ処理する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
6. １以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する前に、前記バンプ前駆体の表面及び前記第２面のいずれか一方又は両方をプラズマ処理する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
7. 前記第１面と前記第２面との間に、前記第１面と前記第２面との間の距離を規制する１以上のダミーバンプを配置した後、１以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
8. 前記第１導電層が、第１配線基板の一方の表面に位置する配線層である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
9. 前記第２導電層が、第２配線基板の一方の表面に位置する配線層である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
10. 前記第２導電層が、表面実装部品の一方の表面に位置する複数のランド端子である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
11. 湾曲した前記第１面と前記第２面とを対向配置し、１以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。
12. １以上の前記バンプ前駆体の先端と前記第２面とを圧着した後、前記第１面と前記第２面とを湾曲する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の配線構造の製造方法。

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