JP2020123610A - シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
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Abstract
Description
該面取り工程の後に、前記シリコンウェーハの主面にラッピング又は両面研削加工を行うラッピング又は両面研削工程と、
該ラッピング又は前記両面研削工程の後に、前記シリコンウェーハにエッチング加工を行うエッチング工程と、
該エッチング工程の後に、前記シリコンウェーハの面取り部の鏡面面取り加工を行う鏡面面取り工程とを含むシリコンウェーハの製造方法であって、
前記シリコンウェーハの前記ノッチの前記面取り部の断面形状において、前記シリコンウェーハの第1の主面に接続する傾斜部の前記第1の主面に対する傾斜角度をθ1とし、前記シリコンウェーハの第2の主面に接続する傾斜部の前記第2の主面に対する傾斜角度をθ2と定義したとき、
前記面取り工程において、前記ノッチにおける前記傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下となるように前記面取り加工を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。
前記シリコンウェーハの前記ノッチの面取り部の断面形状において、前記シリコンウェーハの第1の主面に接続する傾斜部の前記第1の主面に対する傾斜角度をθ1とし、前記シリコンウェーハの第2の主面に接続する傾斜部の前記第2の主面に対する傾斜角度をθ2と定義したとき、
前記ノッチにおける前記傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下であることを特徴とするシリコンウェーハを提供する。
図1−3に本発明のシリコンウェーハを示す。図1は全体図である。また図2はノッチの面取り部の断面形状、図3はノッチの面取り部を主面に垂直な方向から見た説明図である。
図1に示すように、本発明のシリコンウェーハ20はノッチNを有している。そして、表裏面に主面M(第1の主面、第2の主面)を有し、周縁部は面取りされた面取り部Cを有している。
ここでは主面Mの結晶面方位が(100)、ノッチNの結晶方位が<100>のシリコンウェーハを挙げるが、本発明はこれに限定されない。結晶面方位等の関係が特にこのような場合の従来のシリコンウェーハでは、エッチング加工を行ったときに、エッチング速度の結晶方位依存性によりノッチの面取り部に突起が生じやすいが、本発明のシリコンウェーハではその突起の発生を防ぐことができる。
ここで、第1の傾斜部3の第1の主面1に対する傾斜角度をθ1とし、第2の傾斜部4の第2の主面2に対する傾斜角度をθ2と定義すると、このノッチNにおける傾斜部3、4の傾斜角度θ1、θ2は共に12°以下となっている。
図4に本発明のシリコンウェーハの製造方法のフローの一例を示す。
(ウェーハ用意工程)
まず、シリコン単結晶インゴットをスライスしてノッチを有するシリコンウェーハを用意する。例えば、チョクラルスキー法などによりシリコン単結晶インゴットを育成し、該インゴットにノッチを形成した後、ワイヤーソー等を用いてインゴットをスライスすることにより、ノッチ付きシリコンウェーハを得ることができる。
ここでは例として主面の結晶面が(100)面、ノッチの結晶方位が<100>である薄円板状のシリコンウェーハとする。
次に面取り工程を実施する。
この面取り工程において使用することができる面取り砥石について図5を参照して説明する。図5に示すように面取り砥石10は溝11が形成されている。この溝11の形状は、面取り加工により最終的に得るシリコンウェーハの所望の面取り部の形状に形作られている。すなわち、ノッチの面取り加工に用いるものの場合、溝11の2つの斜面12の水平面に対する傾斜角度は12°以下であり、それぞれ、図2のθ1及びθ2と同じ傾斜角度になっている。
このような面取り砥石10を用いて面取り加工を実施する場合、面取り砥石10に形成された溝11にシリコンウェーハWの周縁部を当接し、シリコンウェーハWの周縁部を面取り砥石10の溝11の形状に成形することで行うことができる。すなわち、ノッチNの面取り部5における傾斜角度θ1及びθ2が12°以下となるように、上記のように設計した溝形状を有する面取り砥石10を用いることで、ノッチNを所望の面取り形状(傾斜角度θ1及びθ2が12°以下)に簡単に成形することができる。
なお、ここでは面取り工程として図5に示すような面取り砥石10を用いる例を挙げたが、これに限定されない。使用する面取り装置は適宜決定でき、ノッチの面取り部の傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下になるように面取り加工できれば良い。
上記のようにして面取り工程を実施した後、ウェーハ主面にラッピング又は両面研削加工を行う。例えば従来と同様のラッピング装置、両頭研削装置等を用いて行うことができる。
次に、ラッピング又は両面研削加工によりウェーハに導入された加工歪みや汚染物を除去するために、エッチング工程を実施する。エッチング加工は、比較的エッチングレートの遅い、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ系水溶液を用いて行うことが好ましい。これにより、エッチングによるウェーハ主面の形状変化を比較的抑制することができ、ラッピングや両面研削で向上させたウェーハの平坦度を悪化させずにエッチングすることができる。
エッチングを行ったウェーハについて鏡面研磨工程を実施する。例えば従来と同様の研磨装置等を用いて主面の両面又は片面の鏡面研磨を行うことができる。
主面の鏡面研磨工程を実施した後、鏡面面取り工程を実施する。
図6はノッチの鏡面面取り加工を説明する説明図である。ノッチNの鏡面面取り加工には、例えば、ノッチNの形状に合わせた周縁部分を有する円板形状またはリング形状の発泡ウレタンあるいは不織布から成る研磨部材13を用いることができる。
鏡面面取り加工の際には、この研磨部材13を回転させながらノッチNに圧接することで行うことができる。このとき、ウェーハWは、研磨部材13に対して所定の傾斜角度となるよう傾けられる。
ノッチNを除くウェーハ外周部の鏡面面取り加工は、例えば、ウェーハを一定速度で回転させながら、研磨布を貼り付けた円筒ドラムを回転させ、研磨布をウェーハ外周部に圧接することで遂行できる。
ウェーハ主面の結晶面が(100)面、ノッチ方位が<100>である薄円板状のシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハについて、面取り加工を実施した。このときノッチの面取り加工は、図5のような面取り砥石(具体的にはノッチの面取り部の断面形状寸法である傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下となるように設計した溝形状を有するダイヤモンド砥石)を用いて実施した。
この面取り工程により、ノッチにおける傾斜角度θ1及びθ2が、実施例1では10°、実施例2では12°、実施例3では5°のシリコンウェーハを得た。
この結果を下記表1に示す。表1に示したように、実施例1〜3においては、突起の面積値は0μm2であり、エッチング工程後にノッチの面取り部の傾斜部に突起の発生は見られなかった。
実施例1と同様のウェーハ主面の結晶面が(100)面、ノッチ方位が<100>である薄円板状のシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハについて、ノッチの面取り断面形状寸法である傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°より大きくなるように設計した溝形状を有するダイヤモンド砥石を用いて面取り加工を実施した。
この面取り工程により、ノッチにおける傾斜角度θ1およびθ2が、14°(比較例1)、16°(比較例2)、18°(比較例3)、22°(比較例4)、24°(比較例5)、26°(比較例6)のシリコンウェーハを得た。
比較例1〜6においては、いずれもノッチの面取り部の傾斜部に突起の発生が認められた。また、傾斜角度θ1及びθ2が大きくなるほど突起の面積値が大きくなった。
表1にその結果を記載したが、比較例1〜6においては、いずれもノッチに突起由来の研磨残りが発生した。
実施例1と同様のウェーハ主面の結晶面が(100)面、ノッチ方位が<100>である薄円板状のシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハについて、ノッチの面取り断面形状寸法である傾斜部の傾斜角度θ1が12°、θ2が14°となるように設計した溝形状を有するダイヤモンド砥石を用いて面取り加工を実施した。
この面取り工程により、ノッチにおける表面側の傾斜角度θ1が12°、裏面側の傾斜角度θ2が14°のシリコンウェーハを得た。
比較例7において、裏面側のノッチの面取り部の傾斜部に突起の発生が認められた。なお、表1の面積値(378μm2)は、表面側の値(0μm2)と裏面側の値(756μm2)の平均である。
表1にその結果を記載したが、比較例7においては、表面側のノッチに突起由来の研磨残りは発生しなかったものの、裏面側には発生した。
5…ノッチの面取り部、 6…ウェーハの主面のノッチ近傍、 7…ノッチ斜面、
8…ノッチ底、 9…突起発生領域、 10…面取り砥石、 11…溝、
12…溝の斜面、 13…研磨部材、 20…本発明のシリコンウェーハ、
N…ノッチ、 M…ウェーハの主面、 C…面取り部、 W…ウェーハ。
Claims (7)
- ノッチを有するシリコンウェーハの周縁部を研削して面取り加工を行う面取り工程と、
該面取り工程の後に、前記シリコンウェーハの主面にラッピング又は両面研削加工を行うラッピング又は両面研削工程と、
該ラッピング又は前記両面研削工程の後に、前記シリコンウェーハにエッチング加工を行うエッチング工程と、
該エッチング工程の後に、前記シリコンウェーハの面取り部の鏡面面取り加工を行う鏡面面取り工程とを含むシリコンウェーハの製造方法であって、
前記シリコンウェーハの前記ノッチの前記面取り部の断面形状において、前記シリコンウェーハの第1の主面に接続する傾斜部の前記第1の主面に対する傾斜角度をθ1とし、前記シリコンウェーハの第2の主面に接続する傾斜部の前記第2の主面に対する傾斜角度をθ2と定義したとき、
前記面取り工程において、前記ノッチにおける前記傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下となるように前記面取り加工を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記面取り工程において、前記ノッチにおける前記傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が10°以上となるように前記面取り加工を行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記面取り工程の面取り加工を、砥石に形成された溝に前記シリコンウェーハの周縁部を当接し、該シリコンウェーハの周縁部を前記砥石の溝形状に成形することで行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコンウェーハを、前記主面の結晶面方位が(100)であり、前記ノッチの結晶方位が<100>のものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- ノッチを有するシリコンウェーハであって、
前記シリコンウェーハの前記ノッチの面取り部の断面形状において、前記シリコンウェーハの第1の主面に接続する傾斜部の前記第1の主面に対する傾斜角度をθ1とし、前記シリコンウェーハの第2の主面に接続する傾斜部の前記第2の主面に対する傾斜角度をθ2と定義したとき、
前記ノッチにおける前記傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 前記ノッチにおける前記傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が10°以上であることを特徴とする請求項5に記載のシリコンウェーハ。
- 前記シリコンウェーハは、前記主面の結晶面方位が(100)であり、前記ノッチの結晶方位が<100>であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のシリコンウェーハ。
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