JP2020119929A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細な配線にコンタクトを直接的に接続すること。【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に、第1の方向に延び、第1の方向に交わる第2の方向に周期性を有する第1のパターンと、半導体基板上に、第1の方向に延び、第2の方向に周期性を有し、第1のパターン間に配置される第2のパターンと、第1のパターン及び第2のパターン上の第1の領域ならびに第1のパターン及び第2のパターン上の第2の領域に、第1の方向に沿う第3の方向に延び、第2の方向に沿う第4の方向に第1のパターンと等しいピッチで周期性を有し、第1の領域と第2の領域とでは第4の方向に互いに半ピッチずれて配置される第3のパターンと、第1の領域の第3のパターン間に配置され、第1のパターンに接続される第1のコンタクトと、第2の領域の第3のパターン間に配置され、第2のパターンに接続される第2のコンタクトと、を備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
半導体装置の微細化に伴い、半導体装置の配線における微細化も進行している。ラインアンドスペースパターンを有する配線のように、周期的に配列される微細な配線の1つ1つに接続するコンタクトを如何に形成するかが課題となっている。
一つの実施形態は、微細な配線にコンタクトを直接的に接続することができる半導体装置を提供することを目的とする。
実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に、第1の方向に延び、前記第1の方向に交わる第2の方向に周期性を有する第1のパターンと、前記半導体基板上に、前記第1の方向に延び、前記第2の方向に周期性を有し、前記第1のパターン間に配置される第2のパターンと、前記第1のパターン及び前記第2のパターン上の第1の領域ならびに前記第1のパターン及び前記第2のパターン上の第2の領域に、前記第1の方向に沿う第3の方向に延び、前記第2の方向に沿う第4の方向に前記第1のパターンと等しいピッチで周期性を有し、前記第1の領域と前記第2の領域とでは前記第4の方向に互いに半ピッチずれて配置される第3のパターンと、前記第1の領域の前記第3のパターン間に配置され、前記第1のパターンに接続される第1のコンタクトと、前記第2の領域の前記第3のパターン間に配置され、前記第2のパターンに接続される第2のコンタクトと、を備える。
以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
半導体装置においては更なる微細化が望まれている。これに伴い、半導体装置に用いられる配線の微細化も進行している。記憶素子または論理素子等をアレイ状に配列した場合、配線も狭ピッチのラインアンドスペースパターンを有することとなり、これらの微細な配線1つ1つに如何にコンタクトを接続するかが課題となっている。
このような、狭ピッチの微細な配線を有する半導体装置として、主に、メモリセルに可変抵抗素子等を用いたクロスポイント型メモリを例に挙げて、微細な配線にコンタクトを直接的に接続することができる半導体装置について説明する。
(半導体装置の構成例)
図1は、実施形態にかかる半導体装置1の全体構成例を示す斜視図である。図1に示すように、実施形態の半導体装置1は、複数のビット線BLと複数のワード線WLとに挟まれた複数のメモリセルMCが多段に積まれた構造を有する。半導体装置1は、例えばメモリセルMCに可変抵抗素子を用いたクロスポイント型メモリとして構成されている。なお、図1には4段に積まれたメモリセルMCが示されているが、メモリセルMCは何段に積まれてもよい。
図1は、実施形態にかかる半導体装置1の全体構成例を示す斜視図である。図1に示すように、実施形態の半導体装置1は、複数のビット線BLと複数のワード線WLとに挟まれた複数のメモリセルMCが多段に積まれた構造を有する。半導体装置1は、例えばメモリセルMCに可変抵抗素子を用いたクロスポイント型メモリとして構成されている。なお、図1には4段に積まれたメモリセルMCが示されているが、メモリセルMCは何段に積まれてもよい。
最下段の複数のビット線BLaは、例えばY方向に延び、Y方向に交わるX方向に所定のピッチで配列される。複数のビット線BLaの上方には、複数のワード線WLcが、例えばX方向に延び、Y方向に所定のピッチで配列される。複数のワード線WLcの上方には、複数のビット線BLeが、例えばY方向に延び、X方向に所定のピッチで配列される。複数のビット線BLeの上方には、複数のワード線WLgが、例えばX方向に延び、Y方向に所定のピッチで配列される。複数のワード線WLgの上方には、複数のビット線BLiが、例えばY方向に延び、X方向に所定のピッチで配列される。
このように、複数のビット線BLと複数のワード線WLとは互いに交わる方向に延びる。また、ビット線BLとワード線WLとのピッチは例えば等しい。ビット線BLとワード線WLとは、例えばタングステン(W)等により構成される。
複数のビット線BLaと複数のワード線WLcとの間には、複数のメモリセルMCbがマトリクス状に配置される。複数のメモリセルMCbは、それぞれビット線BLaとワード線WLcとに接続される。複数のワード線WLcと複数のビット線BLeとの間には、複数のメモリセルMCdがマトリクス状に配置される。複数のメモリセルMCdは、それぞれワード線WLcとビット線BLeとに接続される。複数のビット線BLeと複数のワード線WLgとの間には、複数のメモリセルMCfがマトリクス状に配置される。複数のメモリセルMCfは、それぞれビット線BLeとワード線WLgとに接続される。複数のワード線WLgと複数のビット線BLiとの間には、複数のメモリセルMChがマトリクス状に配置される。複数のメモリセルMChは、それぞれワード線WLgとビット線BLiとに接続される。
複数のビット線BLaのそれぞれにはコンタクトCTaが接続され、電極パッド及び上層配線等に接続されている。複数のワード線WLcのそれぞれにはコンタクトCTcが接続され、電極パッド及び上層配線等に接続されている。複数のビット線BLeのそれぞれにはコンタクトCTeが接続され、電極パッド及び上層配線等に接続されている。複数のワード線WLgのそれぞれにはコンタクトCTgが接続され、電極パッド及び上層配線等に接続されている。複数のビット線BLiのそれぞれにはコンタクトCTiが接続され、電極パッド及び上層配線等に接続されている。これらのコンタクトCTa,CTc,CTe,CTg,CTiは、例えばタングステン(W)等により構成される。
図2は、実施形態にかかるメモリセルMCの構成例を示す断面図である。図2は、図1におけるY方向に平行な断面図である。
図2に示すように、メモリセルMCbは、ビット線BLa側からワード線WLc側へ向けて、非オーミック素子NO、可変抵抗素子VR、電極ELがこの順に積層された構造を有する。非オーミック素子NOはビット線BLaに接続され、電極ELはワード線WLcに接続される。メモリセルMCdは、ワード線WLc側からビット線BLe側へ向けて、電極EL、可変抵抗素子VR、非オーミック素子NOがこの順に積層された構造を有する。電極ELはワード線WLcに接続され、非オーミック素子NOはビット線BLeに接続される。ビット線BLe及びビット線BLi間では、ワード線WLgを挟んで、メモリセルMCf,MChにより、メモリセルMCb,MCdと同様の構成が繰り返される。
非オーミック素子NOは、ショットキー構造、PN構造、PIN(P+Poly−Silicon−Intrinsic−N+Poly−Silicion)構造、MIM(Metal−Insulator−Metal)構造、または、SIS(Poly−Si−Insulator−Poly−Si)構造等をとる。
可変抵抗素子VRは、電圧印加によって、電流、熱、化学エネルギー等を介して抵抗値が変化することで、データを不揮発に記憶することができる素子である。可変抵抗素子VRには、例えば遷移元素の陽イオンを含む複合化合物を用いることができる。複合化合物としては、例えばスピネル構造(AM2O4)、イルメナイト構造(AMO3)、デラフォサイト構造(AMO2)、LiMoN2構造(AMN2)、ウルフラマイト構造(AMO4)、オリビン構造(A2MO4)、ホランダイト構造(AxMO2)、ラムスデライト構造(AxMO2)、ペロブスカイト構造(AMO3)等の結晶構造を持つ材料がある。この場合、可変抵抗素子VRは、陽イオンの移動により抵抗値が変化するReRAM(Resistive Random Access Memory)等として構成される。
電極ELには、Pt,Au,Ag,TiAlN,SrRuO,Ru,RuN,Ir,Co,Ti,TiN,TaN,LaNiO,Al,PtIrOx,OtRhOx,Rh/TaAlN等を用いることができる。
(半導体装置の接続例)
次に、図3及び図4を用いて、実施形態の半導体装置1におけるビット線BL及びワード線WLの接続例について説明する。図3は、実施形態にかかる半導体装置1におけるビット線BLの接続例を示す断面図である。図3は、図1におけるX方向に平行な断面図である。
次に、図3及び図4を用いて、実施形態の半導体装置1におけるビット線BL及びワード線WLの接続例について説明する。図3は、実施形態にかかる半導体装置1におけるビット線BLの接続例を示す断面図である。図3は、図1におけるX方向に平行な断面図である。
なお、ビット線BLa,BLe,BLiは全て同一の接続構造を有しており、図3に示すビット線BLはいずれのビット線BLa,BLe,BLiであっても構わない。また、図3に示すコンタクトCTは、いずれかのビット線BLa,BLe,BLiに接続されるいずれかのコンタクトCTa,CTe,CTiである。図3において、ビット線BLの下部構造は下地層ULとして省略されている。また、これ以降、ビット線BLを例に取り半導体装置1の接続例について説明するが、ワード線WLc,WLgもビット線BLと同様の接続構造を有している。
図3に示すように、下地層UL上にはビット線BLが所定のピッチPで配列されている。図3の例では、ビット線BLは、ビット線BLのX方向の幅と、隣り合うビット線BL間の間隔が等しいラインアンドスペース構造を有している。ビット線BLは、例えばArFエキシマレーザを光源とする液浸露光機の露光限界以下の微細な幅およびピッチPを有している。各ビット線BL間には層間絶縁層ILが配置されている。
ビット線BL上には例えば1つおきに、ビット線BLを覆うようにストッパ層20が配置されている。すなわち、ストッパ層20は、例えばビット線BLの倍のピッチ2PでX方向に配列される。ストッパ層20は、例えばSiN等から構成される。
ビット線BLには例えば3つおきに、コンタクトCTが接続されている。コンタクトCTの上端は、例えばビット線BLの倍のピッチ2P分の径を有する。ただし、コンタクトCTはストッパ層20間に配置され、コンタクトCTの下端の一部はストッパ層20の肩の部分にかかる。このため、コンタクトCTが接続されるビット線BLの両側のビット線BLには、コンタクトCTの下端は接触しない。
コンタクトCTの上端には、例えば電極パッドPDが接続されている。電極パッドPDには図示しない上層配線が接続され、ビット線BLは、コンタクトCT及び電極パッドPDを介して上層配線に接続されている。ただし、コンタクトCTの上端に上層配線が直接接続されてもよい。
コンタクトCTが接続されていないストッパ層20間のビット線BL上には、ビット線BLを覆うようにガイド層10が配置されている。ガイド層10は、例えばSiO2等から構成される。また、コンタクトCTが接続されていないストッパ層20間には、ガイド層10及びストッパ層20を覆うように層間絶縁層13が配置されている。層間絶縁層13は、例えばSiO2等から構成される。
以上のような構成が、ビット線BLの配列方向に1ピッチずつずれて4列配置されることで、全てのビット線BLがコンタクトCTと接続されることとなる。その様子を図4に示す。
図4は、実施形態にかかる半導体装置1におけるビット線BLの接続例を示す平面図である。図4の平面図では、図3の断面図より広い範囲が示されている。図4においては、ガイド層10,層間絶縁層13、コンタクトCT、及び電極パッドPDが省略されている。また、図4においては、コンタクトCTの位置が円で示されている。
図4に示すように、コンタクトCTは例えばビット線BLの両端部にそれぞれ4列ずつ配列される。
具体的には、第1のコンタクトとしての1列目のコンタクトCT−1及び第1のコンタクトとしての2列目のコンタクトCT−2は、例えば第1の領域としての領域AR−1に配置され、第1のパターンとしてのビット線BL−1に接続される。
具体的には、第1のコンタクトとしての1列目のコンタクトCT−1及び第1のコンタクトとしての2列目のコンタクトCT−2は、例えば第1の領域としての領域AR−1に配置され、第1のパターンとしてのビット線BL−1に接続される。
第2のコンタクトとしての3列目のコンタクトCT−3及び第2のコンタクトとしての4列目のコンタクトCT−4は、例えば第2の領域としての領域AR−2に配置され、第2のパターンとしてのビット線BL−2に接続される。
ビット線BL−1は、X方向に周期的に配列されるビット線BLのうち、1つおきに配列され、コンタクトCT−1,CT−2に接続されるビット線BLである。ビット線BL−2は、ビット線BL−1間に配置され、コンタクトCT−3,CT−4に接続されるビット線BLである。
第3のパターンとしてのストッパ層20は、少なくとも領域AR−1,AR−2内においては、ビット線BL上に、ビット線BLに沿ってY方向に並列に配列される。しかし、領域AR−1,AR−2外では、ストッパ層20は、一部または全部がビット線BL上から外れ、指紋の隆線に似た不規則な配列を有する。ただし、領域AR−1,AR−2内外で、ストッパ層20のピッチは略一定であり、例えば、ビット線BLのピッチPの倍のピッチ、すなわち、ビット線BL−1のピッチ2Pと等しいピッチを保っている。
より具体的には、領域AR−1においては、第2のストッパ層としてのストッパ層20が、それぞれY方向にピッチ2Pで離間して、ビット線BL−2上に配置される。これにより、ビット線BL−2がコンタクトCT−1,CT−2に接触することなく、ビット線BL−1とコンタクトCT−1,CT−2とが電気的に接続される。領域AR−2においては、第1のストッパ層としてのストッパ層20が、それぞれY方向にピッチ2Pで離間して、ビット線BL−1上に配置される。これにより、ビット線BL−1がコンタクトCT−3,CT−4に接触することなく、ビット線BL−2とコンタクトCT−3,CT−4とが電気的に接続される。
第4のパターンとしてのガイド層10(図3参照)は、ストッパ層20の配置される領域以外の、ビット線BL及び層間絶縁層IL上に配置されている。
(半導体装置の製造処理の例)
次に、図5〜図17を用いて、実施形態の半導体装置1の製造処理の例について説明する。図5〜図17は、実施形態にかかる半導体装置1の製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
次に、図5〜図17を用いて、実施形態の半導体装置1の製造処理の例について説明する。図5〜図17は、実施形態にかかる半導体装置1の製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
図5(a)に示すように、所定の下地層UL上に、所定のピッチPを有するビット線BLを形成する。このとき、ビット線BLのピッチPは例えばArFエキシマレーザを光源とする液浸露光機の露光限界以下とする。露光限界以下のピッチPを有するビット線BLの配列は、例えば、SAQP(Self−Aligned Quadruple Patterning)等の側壁プロセス、または、自己組織化(DSA:Directed Self−Accembly)リソグラフィ等を用いて形成することができる。その他、ナノインプリント技術またはEUV(Extreme Ultra−Violet)露光技術等により、微細なビット線BLの配列を形成してもよい。ナノインプリント技術は、テンプレートの微細パターンをレジストに転写してナノレベルの微細パターンを形成する技術である。側壁プロセス及び自己組織化リソグラフィについては後の工程で詳述する。
形成されたビット線BLを覆うように絶縁層を形成し、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)等により絶縁層を平坦化して、ビット線BL間に埋め込まれた層間絶縁層ILを形成する。
図5(b)に示すように、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)等により絶縁層10bを形成する。絶縁層10bは、例えばSiO2層等である。
図5(c)に示すように、絶縁層10b上に、例えばスピンコート等でSOC(Spin on Carbon)層11bを形成する。SOC層11b上には、例えばスピンコート等でSOG(Spin on Glass)層12bを形成する。
図6(a)に示すように、SOG層12b上にレジストを塗布して、例えばArFエキシマレーザを光源とする液浸露光等によりレジストパターン31を形成する。レジストパターン31は、Y方向に延びるビット線BL上の一部分を覆ってY方向に延び、X方向にビット線BLの4倍のピッチ4Pで配列されるパターンを有する。このとき、所定のビット線BLが、レジストパターン31の幅方向(X方向)の中心位置にくるように、レジストパターン31が配置されることが好ましい。ただし、X方向において、ビット線BLのピッチPの4分の1程度(P/4)のずれは許容される。
図6(b)に、このときの上面図を示す。図6(b)の上面図では、図6(a)の断面図より広い範囲が示されている。図中、ビット線BLが点線で示されている。図6(b)に示すように、レジストパターン31は、ビット線BLの両端部に2列ずつ島状に形成される。このとき、互いの配列が、ビット線BLのピッチPと同じピッチだけずれるようにレジストパターン31を配列する。
図7(a)に示すように、例えばO2プラズマ等によりレジストパターン31をスリミングして、X方向の幅がビット線BLのピッチPと同程度となったレジストパターン31sを形成する。
図7(b)に示すように、レジストパターン31sをマスクに、例えばRIE(Reactive Ion Etching)等を用いてSOG層12bを加工して、SOGパターン12を形成する。
図8(a)に示すように、例えばRIE等により、SOGパターン12をマスクとして、X方向の幅がビット線BLのピッチPとなったSOCパターン11を形成する。なお、SOCパターン11のX方向の幅は、レジストパターン31のスリミング、SOGパターン12の形成、及びSOCパターン11の形成を通して、ビット線BLのピッチPと等しくなるよう調整されればよい。
図8(b)に、このときの上面図を示す。図8(b)の上面図では、図8(a)の断面図より広い範囲が示されている。図中、ビット線BLが点線で示されている。図8(b)に示すように、ビット線BLの両端部に、SOGパターン12及びSOCパターン11が、互いに1ピッチずれて2列ずつ島状に形成されている。
図9〜図11に示すように、例えば側壁プロセスにより絶縁層10bを加工する。側壁プロセスは、以下に説明するように、SOCパターン11を芯材として、SOCパターン11よりも微細なパターンを得る技術である。
図9(a)に示すように、例えばCVD等により、絶縁層10b上に、SOGパターン12及びSOCパターン11を覆う絶縁層21bを形成する。絶縁層21bは、例えばSiN層等である。絶縁層21bは、例えばSOCパターン11のX方向の幅と同程度の層厚とする。
図9(b)に示すように、例えばRIE等を用いたエッチバックにより絶縁層21bを膜減りさせて絶縁層パターン21を形成し、芯材であるSOCパターン11を露出させる。
図10(a)に示すように、露出させたSOCパターン11を除去する。これにより、X方向において、ビット線BLの2倍の線幅を有し、ビット線BLの2倍のピッチ2Pを有する絶縁層パターン21が形成される。
図10(b)に、このときの上面図を示す。図10(b)の上面図では、図10(a)の断面図より広い範囲が示されている。図中、ビット線BLが点線で示されている。図10(b)に示すように、絶縁層パターン21は、上面視で、SOCパターン11が除去された跡が穴状に残るリング状となっている。
図11(a)に示すように、例えばRIE等により、絶縁層パターン21をマスクに絶縁層10bを加工し、その後、絶縁層パターン21を、例えばウェット処理等により除去する。これにより、X方向において、ビット線BLの2倍の線幅を有し、ビット線BLの2倍のピッチ2Pを有するガイド層10が形成される。
図11(b)に、このときの上面図を示す。図11(b)の上面図では、図11(a)の断面図より広い範囲が示されている。図11(b)に示すように、ガイド層10は、絶縁層パターン21と同様、上面視でリング状となっている。このとき、上述の領域AR−1に相当する領域ではビット線BL−2が露出し、領域AR−2に相当する領域ではビット線BL−1が露出した状態となっている。
以上、図9〜図11に示す側壁プロセスにより、X方向において、ビット線BLのピッチPと同じ線幅を有し、当初のレジストパターン31と同じピッチ4Pを有するSOCパターン11から、SOCパターン11と同じ線幅を有し、2分の1のピッチ2Pを有するガイド層10が得られる。
図12に示すように、例えば自己組織化リソグラフィにより、2つのブロックから構成されるパターンを形成する。自己組織化リソグラフィは、以下に説明するように、ブロック共重合体(BCP:Block Co−Polymer)を用いて微細なパターンを得る技術である。
以下の例では、ブロック共重合体として例えばPS−b−PMMA(ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート)を用いる。なお、ブロック共重合体は、2つのブロックから構成されるパターンにおけるピッチの目標値に合わせて選定することができる。本例での目標値はピッチ2Pである。
まず、例えばスピン塗布等により、ガイド層10の形成されたビット線BL及び層間絶縁層IL上に、PS−b−PMMAを塗布する。PS−b−PMMAの塗布厚は例えば30nm〜90nmとすることができる。その後、例えば窒素雰囲気にて所定温度で所定時間加熱し、PS−b−PMMAを相分離させる。
ところで、W等の金属から構成されるビット線BLと、SiO2等の絶縁材から構成されるガイド層10とは、異なる表面エネルギーを有している。よって、ガイド層10はPS−b−PMMAの自己組織化における化学ガイドとして機能する。より具体的には、PS−b−PMMAにおけるPSは、疎水性のガイド層10をガイドパターンとしてガイド層10上に整列する。一方、PMMAは、親水性のビット線BLとの親和性が高く、主にビット線BL上に整列する。
図12(a)に、このように自己整合的に形成されたPSのブロック32aとPMMAのブロック32bとを示す。上記のように、ブロック32a,32bはそれぞれ自己整合的に配列される。このため、図6に示すレジストパターン31の形成時に多少の位置ずれ(P/4程度)が生じていても、図12(a)示すように、ブロック32a,32bは隣り合うビット線BL上に交互に配置される。
図12(b)に、このときの上面図を示す。図12(b)の上面図では、図12(a)の断面図より広い範囲が示されている。図12(b)に示すように、領域AR−1,AR−2内においては、ガイド層10がピッチ2Pで配列されているため、ブロック32a,32bは、それぞれ等しいピッチ2Pで周期的に配列されている。一方、領域AR−1,AR−2外においては、ガイド層10がピッチ2Pから外れ、あるいは、ガイド層10自体が存在しない。このため、PS−b−PMMAが目標とするピッチ2Pに合わず、ブロック32a,32bは、周期的な配列とはならない。つまり、ブロック32a,32bは、ピッチ2Pを維持しつつもランダムな配置を取る。
以上、図12に示す自己組織化リソグラフィにより、領域AR−1,AR−2内では、ブロック32aとブロック32bとが、それぞれピッチ2Pで周期的に配列され、領域AR−1,AR−2外では、ブロック32aとブロック32bとが、それぞれピッチ2Pを保ったまま無秩序に配置されたパターンが得られる。
図13(a)に示すように、例えばRIE等により、ブロック32bを選択的に除去する。
図13(b)に示すように、例えばCVD等により、ビット線BL及び層間絶縁層IL上に、ブロック32aを覆う絶縁層20bを形成する。絶縁層20bは、ブロック32a間が充填されるに足る層厚、例えばブロック32aのピッチの半分(P)とする。絶縁層20bは、例えばSiN層等である。
図13(c)に示すように、例えばCMP等により、絶縁層20bを平坦化してブロック32aを露出させる。絶縁層20bは、ブロック32aにより分断されてストッパ層20となる。
図14(a)に示すように、例えばO2アッシング等により、露出したブロック32aを除去する。これにより、X方向にピッチ2Pを有するストッパ層20が得られる。
図14(b)に、このときの上面図を示す。図14(b)の上面図では、図14(a)の断面図より広い範囲が示されている。ストッパ層20は、図13(a)で除去されたブロック32bと一致する位置に形成され、ブロック32bと同じパターンを有する。すなわち、領域AR−1,AR−2内では、ストッパ層20がピッチ2Pで周期的に配列され、領域AR−1,AR−2外では、ストッパ層20がピッチ2Pを保ったまま無秩序に配置されたパターンが得られる。このとき、領域AR−1内のストッパ層20はビット線BL−2を覆い、領域AR−2内のストッパ層20はビット線BL−1を覆っている。
図15(a)に示すように、例えばCVD等により所望の層厚で、ガイド層10及びストッパ層20を覆う絶縁層13bを形成する。
図15(b)に示すように、例えばスピンコート等でSOC層14bを形成する。SOC層14b上には、例えばスピンコート等でSOG層15bを形成する。
図16(a)に示すように、SOG層15b上にレジストを塗布して、例えばArFエキシマレーザを光源とする液浸露光等によりレジストパターン33を形成する。レジストパターン33は、図4に示すコンタクトCTの形成位置に、ビット線BLのピッチPの2倍の径のホールパターンを有する。このとき、所定のビット線BLが、レジストパターン33のホール(開口)の中心位置にくるように、レジストパターン33が配置されることが好ましい。ただし、X方向において、ビット線BLのピッチPの2分の1程度(P/2)のずれは許容される。
図16(b)に示すように、レジストパターン33をマスクに、例えばRIE等を用いてSOG層15b及びSOC層14bを加工し、ホールパターンを有するSOGパターン15及びSOCパターン14を形成する。
図17(a)に示すように、SOCパターン14をマスクに、例えばRIE等を用いて絶縁層13bを加工して、層間絶縁層13を形成する。このとき、ストッパ層20の選択比を取りながら絶縁層13bを加工する。例えばSiO2等から構成される絶縁層13bに対し、例えばSiN等から構成されるストッパ層20の選択比を取るには、RIE条件として、C4F8、O2、及びArの混合ガス、C4F6、O2、及びArの混合ガス、または、C4F8、C4F6、O2、及びArの混合ガス等を用いることができる。
これにより、SOCパターン14の開口部において、ストッパ層20が少なくとも完全に除去されることはなく、絶縁層13b、及び絶縁層13bと同種の材料から構成されるガイド層10が除去され、ストッパ層20間にホールHLが形成される。
図17(b)に、このときの上面図を示す。図17(b)の上面図では、図17(a)の断面図より広い範囲が示されている。図17(b)に示すように、SOCパターン14及びその下地の層間絶縁層13は、図4に示すコンタクトCTの形成位置に、ホールHLを有する。このとき、領域AR−1では、1つのホールHL内に、複数のビット線BL−1のうちの1つだけが露出した状態となっている。また、領域AR−2では、1つのホールHL内に、複数のビット線BL−2のうちの1つだけが露出した状態となっている。
これ以降、SOCパターン14を除去し、W等の導電材料をホールHL内に埋め込んで、コンタクトCTを形成する。以上により、実施形態の半導体装置1の製造処理が終了する。
(比較例)
記憶素子がアレイ状に配列されたメモリデバイスや、論理素子がアレイ状に配列されたロジックデバイスにおいては、これらの素子に接続される配線がラインアンドスペース構造のような微細で狭ピッチの周期的な配列を取ることがある。このような配線にコンタクトを接続する場合、配線の寸法より大きな電極パッド等を配線から引き出して、電極パッドとコンタクトとを接続することで、間接的に配線との電気的な導通を取っている。このため、セルアレイの外側に電極パッドを配置するためのスペースを確保しなければならず、セルアレイの面積が圧迫され、あるいは、半導体装置のサイズが増大してしまう。上述のクロスポイント型メモリ等のようにメモリセルとそれに接続される配線が多段積みされる構成では、このような弊害がより顕著に表れる。
記憶素子がアレイ状に配列されたメモリデバイスや、論理素子がアレイ状に配列されたロジックデバイスにおいては、これらの素子に接続される配線がラインアンドスペース構造のような微細で狭ピッチの周期的な配列を取ることがある。このような配線にコンタクトを接続する場合、配線の寸法より大きな電極パッド等を配線から引き出して、電極パッドとコンタクトとを接続することで、間接的に配線との電気的な導通を取っている。このため、セルアレイの外側に電極パッドを配置するためのスペースを確保しなければならず、セルアレイの面積が圧迫され、あるいは、半導体装置のサイズが増大してしまう。上述のクロスポイント型メモリ等のようにメモリセルとそれに接続される配線が多段積みされる構成では、このような弊害がより顕著に表れる。
しかしながら、周期的な配列を有する微細で狭ピッチの配線に直接的にコンタクトを接続することは非常に困難である。微細な配線上にコンタクトを形成しようとしても、しばしば位置ずれが生じてしまうからである。配線に対してコンタクトの位置ずれが生じると、コンタクトと隣の配線とがショートしてしまう。また、Hole Shrinkプロセスによりリソグラフィ時の寸法から大きく寸法を縮小させるプロセスはプロセスマージンが狭く、歩留まりの低下を招く。
実施形態の半導体装置1では、ストッパ層20により所定のビット線BLに隣接するビット線BLとの接触を避けつつ、所定のビット線BLにコンタクトCTを直接的に接続する。これにより、例えばビット線BLから寸法の大きな電極パッドを引き出す必要が無く、セルアレイの面積を拡大させたり、半導体装置1のサイズを小さくしたりすることができる。
実施形態の半導体装置1では、ストッパ層20が配置されることで、ビット線BLのピッチPよりも大きな径を有するコンタクトCTを直接、ビット線BLに接続することができる。また、コンタクトCT形成時のレジストパターン33に多少の位置ずれが生じていても、ストッパ層20により他のビット線BLへの接触が抑制されるので、位置ずれによる影響を抑制することができる。
実施形態の半導体装置1では、ストッパ層20は自己組織化リソグラフィを利用して形成される。これにより、ストッパ層20を所望のビット線BL上に、より確実に配置することができ、コンタクトCTと、コンタクトCTに接続するビット線BLに隣接するビット線BLとのショートを抑制することができる。
実施形態の半導体装置1では、自己組織化リソグラフィで用いるガイドパターンであるガイド層10を、例えば側壁プロセスにより形成する。これにより、より簡便に微細で狭ピッチのガイド層10を得ることができる。また、ガイド層10を形成するためのレジストパターン31に多少の位置ずれが生じていても、その後に自己組織化リソグラフィを用いることで、位置ずれによる影響を抑制することができる。
なお、上述の実施形態では、メモリセルMCは、ビット線BL側からワード線WL側へ向けて、非オーミック素子NO、可変抵抗素子VR、電極ELがこの順に積層された構造を有するものとしたがこれに限られない。メモリセルは、ビット線側からワード線側へ向けて、電極、可変抵抗素子、非オーミック素子がこの順に積層された構造を有していてもよい。また、非オーミック素子から可変抵抗素子、電極へと、それらの断面積を小さくしていくことで、可変抵抗素子における電流密度を向上させてもよい。
また、上述の実施形態では、ガイド層10を側壁プロセスにより形成することとしたがこれに限られない。ガイド層は、自己組織化リソグラフィ、ナノインプリント技術、またはEUV露光技術等を用いて形成されてもよい。
また、上述の実施形態では、半導体装置1をクロスポイント型メモリとしたがこれに限られない。実施形態の手法は、その他のメモリデバイスや、トランジスタ等を有するロジックデバイス等において、周期的な配列を有する微細で狭ピッチの配線に対して適用することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…半導体装置、10…ガイド層、13…層間絶縁層、20…ストッパ層、BL…ビット線、CT…コンタクト、EL…電極、IL…層間絶縁層、MC…メモリセル、NO…非オーミック素子、VR…可変抵抗素子、WL…ワード線。
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に、第1の方向に延び、前記第1の方向に交わる第2の方向に周期性を有する第1のパターンと、
前記半導体基板上に、前記第1の方向に延び、前記第2の方向に周期性を有し、前記第1のパターン間に配置される第2のパターンと、
前記第1のパターン及び前記第2のパターン上の第1の領域ならびに前記第1のパターン及び前記第2のパターン上の第2の領域に、前記第1の方向に沿う第3の方向に延び、前記第2の方向に沿う第4の方向に前記第1のパターンと等しいピッチで周期性を有し、前記第1の領域と前記第2の領域とでは前記第4の方向に互いに半ピッチずれて配置される第3のパターンと、
前記第1の領域の前記第3のパターン間に配置され、前記第1のパターンに接続される第1のコンタクトと、
前記第2の領域の前記第3のパターン間に配置され、前記第2のパターンに接続される第2のコンタクトと、を備える、
半導体装置。 - 前記第3のパターンは、自己組織化リソグラフィに起因する不規則パターンを含む、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第3のパターンは、前記第3のパターン間の層間絶縁層に対してエッチング選択比を有する材質で形成されている、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第3のパターンは、SiNを主成分とする、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 半導体基板上に、第1の方向に延び、前記第1の方向に交わる第2の方向に周期性を有する第1のパターンと、前記第1の方向に延び、前記第2の方向に周期性を有し、前記第1のパターン間に配置される第2のパターンと、
前記第1のパターン及び前記第2のパターン上の第1の領域に配置され、前記第1のパターンに接続される第1のコンタクトと、
前記第1のパターン及び前記第2のパターン上の第2の領域に配置され、前記第2のパターンに接続される第2のコンタクトと、を備え、
前記第1の領域では前記第1のコンタクトに接続予定の前記第1のパターンの両側の前記第1のパターン上に、前記第2の領域では前記第2のコンタクトに接続予定の前記第2のパターンの両側の前記第2のパターン上に、それぞれ第4のパターンを形成し、
前記第4のパターンをガイドパターンとして自己組織化リソグラフィによりブロック共重合体の自己組織化を行い、
前記第1の領域では前記第1のコンタクトに接続予定の前記第1のパターンの両隣の前記第2のパターン上のブロックを除去し、前記第2の領域では記第2のコンタクトに接続予定の前記第2のパターンの両隣の前記第1のパターン上のブロックを除去し、
前記ブロックが除去された跡に埋め込まれた第3のパターンをストッパ層として、
前記第1のコンタクトが前記第1のパターンに接続され、前記第2のコンタクトが前記第2のパターンに接続されている、
半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上であって、第1の方向に延び、前記第1の方向に交わる第2の方向にそれぞれ交互に離間して配置された第1の配線および第2の配線と、
前記第1の配線上であって、前記第1の方向に沿う第3の方向に延び、前記第2の方向に沿う第4の方向に第1のピッチで離間して配置された第1のストッパ層と、
前記第2の配線上であって、前記第3の方向に延び、前記第4の方向に前記第1のピッチで離間して配置された第2のストッパ層と、
前記第1の配線および前記第2のストッパ層上に配置され、前記第1の配線と電気的に接続される第1のコンタクトと、
前記第2の配線および前記第1のストッパ層上に配置され、前記第2の配線と電気的に接続される第2のコンタクトと、を備える、
半導体装置。
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KR100855571B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2008-09-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP5322533B2 (ja) | 2008-08-13 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
KR101522016B1 (ko) * | 2009-01-06 | 2015-05-21 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US8644046B2 (en) * | 2009-02-10 | 2014-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same |
JP2011077475A (ja) | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Toshiba Corp | コンタクト形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2011243790A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 配線方法、並びに、表面に配線が設けられた構造物、半導体装置、配線基板、メモリカード、電気デバイス、モジュール及び多層回路基板 |
JP2014154829A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Panasonic Corp | コンタクトを有する構造体の形成方法 |
FR3025937B1 (fr) | 2014-09-16 | 2017-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de grapho-epitaxie pour realiser des motifs a la surface d'un substrat |
US10109583B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-10-23 | Intel Corporation | Method for creating alternate hardmask cap interconnect structure with increased overlay margin |
US9646883B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Chemoepitaxy etch trim using a self aligned hard mask for metal line to via |
KR102395192B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2022-05-06 | 삼성전자주식회사 | 에어 스페이서를 포함하는 반도체 소자 |
US10818564B2 (en) | 2016-03-11 | 2020-10-27 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing tool having a micro sensor |
WO2018047861A1 (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
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