JP2020105030A - 真空チャック用シリカ多孔体 - Google Patents
真空チャック用シリカ多孔体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020105030A JP2020105030A JP2018242913A JP2018242913A JP2020105030A JP 2020105030 A JP2020105030 A JP 2020105030A JP 2018242913 A JP2018242913 A JP 2018242913A JP 2018242913 A JP2018242913 A JP 2018242913A JP 2020105030 A JP2020105030 A JP 2020105030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- less
- surface layer
- silica particles
- vacuum chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 21
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
なお、支持体部のシリカ粒子の平均粒子径は、表面層部のシリカ粒子の平均粒子径よりも10μm以上大きくなければならない。両者の平均粒子径差が10μm未満であったり、大小関係が逆転してしまうと、二層構造とする本発明の効果が得られなくなってしまう。
まず、球状シリカを分級して粒径及び平均粒径を調整し、結合剤と混合して鋳型に鋳込み、25℃で12時間放置してゲル化した後、離型し、1350℃で12時間保持することにより焼成して円盤状の支持体部11及び表面層部12を形成した。支持体部11を形成する球状シリカの粒径は30μm以上100μm以下とし、平均粒径は約70μmとした。表面層部12を形成するシリカ粒子の粒径は20μm以上40μm以下とし、平均粒径は約30μmとした。得られた支持体部11の平均気孔径は約15μm、表面層部12の平均気孔径は約7μmであった。また、支持体部11の厚みは5mmとし、表面層部12の厚みは0.5mmとした。
比較例1として、実施例1の支持体部11と同様にしてシリカ多孔体を作製した。厚みは5.5mmとした。比較例2として、実施例1の表面層体12と同様にしてシリカ多孔体を作製した。厚みは同じく5.5mmとした。比較例1,2についても、表面出し加工を行い、実施例1と同様にして平面度,光透過度を測定した。その結果、比較例1の平面度は約40μmであった。また、比較例2の光透過度は3%であった。すなわち、実施例1によれば、吸着面の平面度をチャックプレートとして要求される5μm以下とすることができ、かつ、光透過率を高くできることが分かった。
支持体部11の厚みを3mm程度まで薄くすれば、光の透過率はさらに大きくなる。
Claims (3)
- 対象物を吸着して支持する真空チャックのチャックプレートに用いられる真空チャック用シリカ多孔体であって、
粒径が30μm以上100μm以下のシリカ粒子の多孔質焼結体よりなり、平均気孔径が10μm以上15μm以下である支持体部と、
この支持体部に対して前記対象物を吸着する側に配設され、粒径が1μm以上40μm以下のシリカ粒子の多孔質焼結体よりなり、平均気孔径が3μm以上7μm以下である表面層部とを備え、
前記支持体部のシリカ粒子の平均粒子径は、前記表面層部のシリカ粒子の平均粒子径よりも10μm以上大きい
ことを特徴とする真空チャック用シリカ多孔体。 - 前記支持体部の厚みは3mm以上5mm以下であり、前記表面層部の厚みは0.5mm以上1mm以下であることを特徴とする請求項1記載の真空チャック用シリカ多孔体。
- 前記支持体部のシリカ粒子の粒子分布幅は30μm以下であり、前記表面層部のシリカ粒子の粒子分布幅は20μm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の真空チャック用シリカ多孔体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018242913A JP7156935B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 真空チャック用シリカ多孔体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018242913A JP7156935B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 真空チャック用シリカ多孔体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020105030A true JP2020105030A (ja) | 2020-07-09 |
JP7156935B2 JP7156935B2 (ja) | 2022-10-19 |
Family
ID=71450471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018242913A Active JP7156935B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 真空チャック用シリカ多孔体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7156935B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05345685A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリカ質多孔体の製造方法 |
JP2006205187A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2008060232A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Bridgestone Corp | 真空チャック |
JP2013121888A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Covalent Materials Corp | 真空チャック用シリカ多孔体 |
JP2017183535A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 日本碍子株式会社 | 吸着部材及びその使用方法 |
-
2018
- 2018-12-26 JP JP2018242913A patent/JP7156935B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05345685A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリカ質多孔体の製造方法 |
JP2006205187A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2008060232A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Bridgestone Corp | 真空チャック |
JP2013121888A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Covalent Materials Corp | 真空チャック用シリカ多孔体 |
JP2017183535A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 日本碍子株式会社 | 吸着部材及びその使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7156935B2 (ja) | 2022-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6708460B2 (ja) | 接合体の製造方法 | |
JP4908263B2 (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
EP3075719B1 (en) | Porous material and heat insulating film | |
CN109564308A (zh) | 波长变换部件及其制造方法 | |
JP2020105030A (ja) | 真空チャック用シリカ多孔体 | |
JP6783159B2 (ja) | 複合シリカガラス製光拡散部材 | |
JP2005205507A (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP4405887B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
JP5845078B2 (ja) | 真空チャック用シリカ多孔体 | |
JP6059523B2 (ja) | シリカ接合体及びその製造方法 | |
TWI616341B (zh) | 製造具有高矽酸含量之材料的複合體之方法 | |
JP4704971B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
CN112867698B (zh) | 多层二氧化硅玻璃体的制造方法 | |
JP4405886B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
WO2021065556A1 (ja) | 熱反射部材及び熱反射層付きガラス部材の製造方法 | |
JP6120702B2 (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP5530275B2 (ja) | 真空吸着装置及びその製造方法 | |
JP2020021799A (ja) | 真空チャックテーブル | |
JP6199180B2 (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP6590675B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
JP2013157571A (ja) | 真空吸着装置及びその製造方法 | |
JP7130529B2 (ja) | シリカ多孔体の製造方法 | |
TWI660933B (zh) | 透光陶瓷材料的製造方法 | |
WO2021049256A1 (ja) | 反射部材及びガラス積層部材の製造方法 | |
CN109642967A (zh) | 波长变换部件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7156935 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |