JP2020095989A - 希土類磁石及び回転機 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｎｄの代替元素としてＣｅを含む希土類磁石の中でも大きい保磁力を有する希土類磁石を提供すること。【解決手段】希土類磁石１０は、Ｒ、Ｔ及びＢを含む複数の主相粒子１１と、主相粒子１１の間に位置する粒界相９と、を備え、ＲはＮｄ及びＣｅを含み、ＴはＦｅを含み、粒界相は、Ｒ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５を含み、Ｒ‐Ｔ相３はＲ及びＴの金属間化合物を含有し、Ｒリッチ相５におけるＲの含有量は、Ｒ‐Ｔ相３におけるＲの含有量よりも大きく、Ｒ‐Ｔ相３におけるＣｅの含有量は［Ｃｅ］Ｒ‐Ｔであり、Ｒ‐Ｔ相３におけるＲの含有量の合計は［Ｒ］Ｒ‐Ｔであり、Ｒリッチ相５におけるＲの含有量は［Ｒ］Ｒ‐ＲＩＣＨであり、１００・［Ｃｅ］Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］Ｒ‐Ｔは６５〜１００であり、［Ｒ］Ｒ‐ＲＩＣＨは７０〜１００原子％である。【選択図】図２

Description

本発明は、希土類磁石及び回転機に関する。

主相としてＮｄ_２Ｆｅ_１４Ｂを含む希土類磁石は、大きい最大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと大きい保磁力とを兼ね備えることから、様々な技術分野において実用されている。しかし、希土類磁石の原料であるＮｄ、Ｐｒ、Ｄｙ又はＴｂ等の希土類元素は高価であり、その供給量が安定しない。したがって、希土類磁石を構成するＮｄの一部をＹ、Ｌａ又はＣｅ等の安価な元素に置換する研究が行われている。（下記特許文献１参照。）

特開２０１６‐１１５７７４号公報

しかしながら、Ｙ、Ｌａ又はＣｅ等の安価な元素から構成される主相の飽和磁化Ｉｓ及び異方性磁界Ｈａは、Ｎｄ_２Ｆｅ_１４Ｂと比較して著しく小さい。例えば、Ｎｄ_２Ｆｅ_１４Ｂの異方性磁界Ｈａは６７ｋＯｅであり、Ｃｅ_２Ｆｅ_１４Ｂの異方性磁界Ｈａは３０ｋＯｅである。単位（ｋＯｅ）は、「×（１０^３／４π）×（ｋＡ／ｍ）」と等価である。Ｎｄ_２Ｆｅ_１４ＢとＣｅ_２Ｆｅ_１４Ｂとの間の異方性磁界Ｈａの差があるため、Ｎｄの一部がＣｅで置換された希土類磁石の保磁力ＨｃＪは、Ｎｄが置換されていない場合に比べて著しく小さい。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、Ｎｄの代替元素としてＣｅを含む希土類磁石の中でも大きい保磁力を有する希土類磁石、及び当該希土類磁石を備える回転機を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る希土類磁石は、希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ、及びホウ素を含む複数の主相粒子と、複数の主相粒子の間に位置する粒界相と、を備え、希土類元素Ｒは、少なくともＮｄ及びＣｅを含み、遷移金属元素Ｔは、少なくともＦｅを含み、粒界相は、Ｒ‐Ｔ相と、Ｒリッチ相と、を含み、Ｒ‐Ｔ相は、希土類元素Ｒ及び遷移金属元素Ｔの金属間化合物を含有する相であり、Ｒリッチ相における希土類元素Ｒの含有量の合計は、Ｒ‐Ｔ相における希土類元素Ｒの含有量の合計よりも大きく、Ｒ‐Ｔ相におけるＣｅの含有量は、［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ原子％であり、Ｒ‐Ｔ相における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ原子％であり、Ｒリッチ相における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％であり、１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、６５以上１００以下であり、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、７０原子％以上１００原子％以下である。

希土類磁石の断面の面積は、Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}であり、断面における全ての主相粒子の断面積の合計は、Ｓ_ＭＰＧであり、断面におけるＲ‐Ｔ相の断面積の合計は、Ｓ_Ｒ‐Ｔであり、断面におけるＲリッチ相の断面積の合計は、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}であり、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、９７以上１００以下であってよい。

Ｒ‐Ｔ相はラーベス（Ｌａｖｅｓ）相であってよい。

本発明の一側面に係る回転機は、上記希土類磁石を備える。

本発明によれば、Ｎｄの代替元素としてＣｅを含む希土類磁石の中でも大きい保磁力を有する希土類磁石、及び当該希土類磁石を備える回転機が提供される。

図１中の（ａ）は、本発明の一実施形態に係る希土類磁石１０の模式的な斜視図であり、図１中の（ｂ）は、図１中の（ａ）に示される希土類磁石１０の断面１０ｃｓの模式図（ｂ‐ｂ線方向の矢視図）である。 図２は、図１中の（ｂ）に示される希土類磁石１０の断面１０ｃｓの一部ＩＩの拡大図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る回転機の模式的な斜視図である。 図４は、実施例１の希土類磁石の断面の反射電子像である。

以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明は下記実施形態に何ら限定されるものではない。図面において、同一又は同等の構成要素には同一の符号を付す。

本実施形態に係る希土類磁石１０の全体は、図１中の（ａ）に示される。希土類磁石１０の断面１０ｃｓは、図１中の（ｂ）に示される。図２は、希土類磁石１０の断面１０ｃｓの一部ＩＩの拡大図である。図２に示されるように、本実施形態に係る希土類磁石１０は、複数の主相粒子１１と、主相粒子１１の間に位置する粒界相９と、を備える。つまり、希土類磁石１０は、粒界相９を介して互いに焼結した多数の主相粒子１１から構成される焼結体である。

各主相粒子１１は、少なくとも希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ、及びホウ素（Ｂ）を含む。希土類元素Ｒは、少なくともＮｄ（ネオジム）及びＣｅ（セリウム）を含む。つまり、Ｎｄの一部がＣｅで置換されている。遷移金属元素Ｔは、少なくともＦｅ（鉄）を含む。遷移金属元素Ｔは、ＦｅとＣｏ（コバルト）とを含んでよい。つまり、Ｆｅの一部がＣｏで置換されてよい。各主相粒子１１は、ホウ素に加えて炭素（Ｃ）を含んでよい。つまり、Ｂの一部がＣで置換されてよい。主相粒子１１は、主相としてＲ_２Ｔ_１４Ｍを含んでよい。元素ＭはＢのみであってよい。元素Ｍは、Ｂ及びＣであってもよい。Ｒ_２Ｔ_１４Ｍは、Ｎｄ_２−ｘＣｅ_ｘＦｅ_１４−ｓＣｏ_ｓＢ_１−ｔＣ_ｔと表されてよい。ｘは、０より大きく２未満である。ｓは、０以上１４未満である。ｔは、０以上１未満である。例えば、主相粒子１１は、Ｎｄ_２Ｆｅ_１４Ｂを含んでよい。例えば、主相粒子１１は、Ｃｅ_２Ｆｅ_１４Ｂを含んでもよい。

図２に示されるように、粒界相９は少なくともＲ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５を含む。Ｒ‐Ｔ相３は、Ｒ及びＴの金属間化合物を含有する相である。Ｒリッチ相５における希土類元素Ｒの含有量の合計は、Ｒ‐Ｔ相３における希土類元素Ｒの含有量の合計よりも大きい。粒界相９はＲ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５のみからなっていてよい。粒界相９は、Ｒ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５に加えて、異相（ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ ｐｈａｓｅ）７を含んでよい。粒界相９は、Ｒ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５に加えて、Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相を含んでもよい。元素Ｅは、例えば、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｓｎ（錫）及びＢｉ（ビスマス）からなる群より選ばれる少なくとも一種である。

Ｒ‐Ｔ相３、Ｒリッチ相５、異相７、及びＲ_６Ｔ_１３Ｅ相それぞれの定義は、下記の通りであってよい。

Ｒ‐Ｔ相３におけるＣの含有量は、［Ｃ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３におけるＮの含有量は、［Ｎ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３におけるＯの含有量は、［Ｏ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３におけるＣｅの含有量は、［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３における希土類元素Ｒの含有量の合計［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、主相粒子１１における希土類元素Ｒの含有量の合計よりも大きい。Ｒ‐Ｔ相３における遷移金属元素Ｔの含有量の合計は、［Ｔ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３における元素Ｅの含有量の合計は、［Ｅ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３は、下記不等式（１）、（２）、及び（３）の全てを満たす相であってよい。
０≦［Ｃ］_Ｒ‐Ｔ＋［Ｎ］_Ｒ‐Ｔ＋［Ｏ］_Ｒ‐Ｔ＜３０ …（１）
０．２６≦［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ／（［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ＋［Ｔ］_Ｒ‐Ｔ）≦０．４０ …（２）
０．００≦［Ｅ］_Ｒ‐Ｔ／（［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ＋［Ｔ］_Ｒ‐Ｔ＋［Ｅ］_Ｒ‐Ｔ）≦０．０３ …（３）

Ｒ‐Ｔ相３は、Ｒ及びＴの金属間化合物のみからなってよい。金属間化合物は、Ｒ及びＴのみからなっていてよい。Ｒ‐Ｔ相３に含まれる金属間化合物は、例えば、ＲＴ_２であってよい。Ｒ‐Ｔ相３はＲＴ_２のみからなっていてよい。ＲＴ_２は、Ｎｄ_1−γＣｅ_γＦｅ_２−δＣｏ_δと表されてよい。γは０以上１以下である。δは０以上２以下である。ＲＴ_２は、例えば、ＮｄＦｅ_２又はＣｅＦｅ_２であってよい。Ｒ‐Ｔ相３は、Ｒ及びＴの金属間化合物に加えて、Ｒ及びＴ以外の微量の元素を含んでもよい。Ｒ‐Ｔ相３は、ラーベス相であってよい。Ｒ‐Ｔ相３の結晶構造は、Ｃ１５型であってよい。Ｒ‐Ｔ相３は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンに基づいて特定されてよい。つまり、Ｒ‐Ｔ相３は、格子面（ｈｋｌ）に由来するＸ線回折ピークの回折角２θに基づいて特定されてよい。例えば、Ｒ‐Ｔ相３のＸＲＤパターンの測定においてＸ線の線源としてＣｕＫα線を用いた場合、Ｒ‐Ｔ相３の格子面（２２０）に由来する２θは、３４．０〜３４．７３°であってよい。また、Ｒ‐Ｔ相３のＸＲＤパターンの測定においてＸ線の線源としてＣｕＫα線を用いた場合、Ｒ‐Ｔ相３の格子面（３１１）に由来する２θは、４０．１０〜４０．９７°であってよい。上記２θは、Ｒ‐Ｔ相３に含まれる希土類元素Ｒの種類に応じて、上記範囲内で変化してよい。

Ｒリッチ相５におけるＣの含有量は、［Ｃ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％と表される。Ｒリッチ相５におけるＮの含有量は、［Ｎ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％と表される。Ｒリッチ相５におけるＯの含有量は、［Ｏ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％と表される。Ｒリッチ相５における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％と表される。Ｒリッチ相５における希土類元素Ｒの含有量の合計［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、Ｒ‐Ｔ相３における希土類元素Ｒの含有量の合計［Ｒ］_Ｒ‐Ｔよりも大きい。Ｒリッチ相５における遷移金属元素Ｔの含有量の合計は、［Ｔ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％と表される。Ｒリッチ相５は、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}が［Ｒ］_Ｒ‐Ｔよりも大きく、且つ下記不等式（４）及び（５）を満たす相であってよい。
０≦［Ｃ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}＋［Ｎ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}＋［Ｏ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}＜３０ …（４）
０．５０≦［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}／（［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}＋［Ｔ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）≦１．００ …（５）

異相７は、例えば、Ｏ、Ｃ及びＮからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。異相７におけるＣの含有量は、［Ｃ］_Ｈ原子％と表される。異相７におけるＮの含有量は、［Ｎ］_Ｈ原子％と表される。異相７におけるＯの含有量は、［Ｏ］_Ｈ原子％と表される。異相７は、［Ｃ］_Ｈ＋［Ｎ］_Ｈ＋［Ｏ］_Ｈが３０〜１００である相であってよい。つまり、異相７は、下記不等式（６）を満たす相であってよい。異相７は、例えば、Ｒの酸化物、Ｒの炭化物及びＲの窒化物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。
３０≦［Ｃ］_Ｈ＋［Ｎ］_Ｈ＋［Ｏ］_Ｈ≦１００ …（６）

Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相におけるＣの含有量は、［Ｃ］_Ａ原子％と表される。Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相におけるＮの含有量は、［Ｎ］_Ａ原子％と表される。Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相におけるＯの含有量は、［Ｏ］_Ａ原子％と表される。Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_Ａ原子％と表される。Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相における遷移金属元素Ｔの含有量の合計は、［Ｔ］_Ａ原子％と表される。Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相における元素Ｅの含有量の合計は、［Ｅ］_Ａ原子％と表される。Ｒ_６Ｔ_１３Ｅ相は、下記不等式（７）、（８）及び（９）の全てを満たす相であってよい。
０≦［Ｃ］_Ａ＋［Ｎ］_Ａ＋［Ｏ］_Ａ＜３０ …（７）
０．２６≦［Ｒ］_Ａ／（［Ｒ］_Ａ＋［Ｔ］_Ａ）≦０．４０ …（８）
０．０３＜［Ｅ］_Ａ／（［Ｒ］_Ａ＋［Ｔ］_Ａ＋［Ｅ］_Ａ）≦１．００ …（９）

上述の通り、Ｒ‐Ｔ相３におけるＣｅの含有量は、［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒ‐Ｔ相３における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ原子％と表される。Ｒリッチ相５における希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％と表される。１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、６５以上１００以下であり、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、７０原子％以上１００原子％以下である。つまり、Ｒ‐Ｔ相３に含まれる希土類元素Ｒのうち６５％以上の元素がＣｅであり、Ｒリッチ相における希土類元素Ｒの含有量が７０原子％以上である。１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔが６５以上であり、且つ［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}が７０原子％以上であるため、本実施形態に係る希土類磁石１０は、Ｎｄの代替元素としてＣｅを含む希土類磁石の中でも、大きい保磁力を有することができる。また本実施形態によれば、希土類磁石１０中のＮｄの一部が安価なＣｅで置換され、Ｎｄの使用量が従来よりも低減され、希土類磁石１０の原材料費が低減される。希土類磁石１０が大きい保磁力を有するメカニズムは以下の通りである、と本発明者らは考える。ただし、希土類磁石１０が大きい保磁力を有するメカニズムは以下に限定されない。

主相粒子１１同士が粒界相９を介して磁気的に結合している構造では、個々の主相粒子１１の異方性磁界Ｈａが大きかったとしても希土類磁石１０全体の保磁力は必ずしも大きくない。希土類磁石１０全体の保磁力を増加させるためには粒界相９の組成及び構造を改善することが重要である。本実施形態では、１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔが６５以上であるＲ‐Ｔ相３と［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}が７０原子％以上であるＲリッチ相５とが粒界相９に含まれるため、粒界相９の磁化が小さく、主相粒子１１同士が磁気的に分断される。その結果、希土類磁石１０が大きい保磁力を有することが可能になる。１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔが６５未満である場合、Ｒ‐Ｔ相３の磁化が大きくなり、主相粒子１１同士が磁気的に結合し易く、希土類磁石１０の保磁力が減少する。［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}が７０原子％未満である場合、Ｒリッチ相５の磁化が大きくなり、主相粒子１１同士が磁気的に結合し易く、希土類磁石１０の保磁力が減少する。

希土類磁石１０の断面の面積は、Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}と表される。希土類磁石１０の断面における全ての主相粒子１１の断面積の合計は、Ｓ_ＭＰＧと表される。希土類磁石１０の断面におけるＲ‐Ｔ相の断面積の合計は、Ｓ_Ｒ‐Ｔと表される。希土類磁石１０の断面におけるＲリッチ相の断面積の合計は、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}と表される。１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、９７以上１００以下であってよい。Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}、Ｓ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}それぞれの単位は、ｍ^２又は（μｍ）^２であってよい。粒界相９に含まれる異相７は、磁化反転核となり、希土類磁石１０の保磁力を低下させ易い。１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}が９７以上であることより、異相７の体積が粒界相９に占める割合が十分に抑制される。その結果、異相７に起因する保磁力の低下が抑制され、希土類磁石１０の保磁力が向上し易い。ただし、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}が９７未満である場合であっても、本発明の効果は得られる。１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、９７．２以上１００以下、又は９８．２以上１００以下であってよい。希土類磁石の製造に用いる諸添加剤（例えば潤滑剤）を低減することにより、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}が９７以上に調整され易い。希土類磁石の出発原料における不純物（例えばＯ、Ｃ及びＮ）の含有量を低減することにより、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}が９７以上に調整され易い。希土類磁石の製造の各工程を不活性ガス（例えば希ガス）又は真空雰囲気の下で実施することにより、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}が９７以上に調整され易い。希土類磁石の製造過程において出発原料又は仕掛品の還元処理を実施することにより、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}が９７以上に調整され易い。

Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}、Ｓ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ及びＳ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、例えば、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ‐ＳＥＭ）を用いた以下の方法によって測定されてよい。測定に先立って、希土類磁石１０の断面を、研磨紙、バフ、ダイヤモンド砥粒等を用いて研磨する。研磨後の断面にイオンミリング処理を施して、断面上にある酸化膜及び窒化膜等の不純物を除去する。イオンミリング処理後の希土類磁石１０の断面の反射電子像を、ＦＥ‐ＳＥＭで撮影する。反射電子像において、希土類元素Ｒの含有量が多い領域ほど白く見え、希土類元素Ｒの含有量が少ない領域ほど黒く見える。例えば、図４は、ＦＥ‐ＳＥＭで撮影された本発明の実施例１の希土類磁石の断面の反射電子像である。図４において、主相粒子１１はグレーに見える。Ｒ‐Ｔ相３は、主相粒子１１よりも薄いグレーに見える。Ｒリッチ相５は白に見える。つまり、Ｒ‐Ｔ相３における反射電子の放射効率は、主相粒子１１における反射電子の放射効率と、Ｒリッチ相５における反射電子の放射効率との中間の値である。このように、主相粒子１１、Ｒ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５を反射電子像によって識別することができる。Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、反射電子像における所定の領域（単位断面）の面積と定義されてよい。Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}（単位断面の面積）は、例えば、５０μｍ×５０μｍであってよい。ＦＥ‐ＳＥＭに付属するエネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）による単位断面の組成分析を行ってよい。組成分析により、単位断面において互い識別される主相粒子１１、Ｒ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５の組成を確認することができる。反射電子像の濃淡を画する閾値を設ける画像解析法により、主相粒子１１、Ｒ‐Ｔ相３及びＲリッチ相５それぞれの断面が抽出され、Ｓ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ及びＳ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}それぞれが測定される。

希土類磁石１０の分析方法は上記の方法に限定されない。希土類磁石１０の組成は、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）、蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析法、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）発光分析法、不活性ガス融解‐非分散型赤外線吸収法、酸素気流中燃焼‐赤外吸収法、又は不活性ガス融解‐熱伝導度法等によって特定されてよい。

希土類磁石１０におけるＯ、Ｃ及びＮ等の不純物元素の含有量は小さいほどよい。例えば、希土類磁石１０におけるＯの含有量は５０００質量ｐｐｍ以下、又は３０００質量ｐｐｍ以下であってよい。Ｏの含有量が小さいほど、希土類元素の酸化物（非磁性成分）が希土類磁石１０に含まれ難く、希土類磁石１０の磁気特性が損なわれ難い。

希土類磁石１０における希土類元素Ｒの含有量は、例えば、１１原子％以上２０原子％以下あってよい。希土類元素Ｒの含有量が１１原子％以上である場合、希土類磁石１０が十分な量の主相（Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ相）を含み易く、α‐Ｆｅ等の軟磁性体が希土類磁石１０中に析出し難い。その結果、希土類磁石１０が大きい保磁力を有し易い。希土類元素Ｒの含有量が２０原子％以下である場合、希土類磁石１０における主相（Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ相）の体積比率が十分に高く、希土類磁石１０が大きい残留磁束密度を有し易い。

希土類磁石１０は、希土類元素Ｒとして、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）及びＴｂ（テルビウム）からなる群より選ばれる少なくも一種を更に含んでよい。原材料費を抑制するために、Ｈｏ、Ｄｙ及びＴｂの含有量の合計は、希土類磁石１０全体に対して１原子％以下であってよい。残留磁束密度及び異方性磁界を増加させるために、Ｎｄ及びＣｅを除く他の希土類元素の含有量の合計は、希土類磁石１０全体に対して１原子％以下であってよい。希土類磁石１０に含まれる全希土類元素の数に対するＮｄの数の割合は、４０％以上９０％以下であってよい。全希土類元素の数に対するＮｄの数の割合が４０％以上である場合、残留磁束密度及び保磁力が増加し易い。全希土類元素の数に対するＮｄの数の割合が９０％以下である場合、原材料費が低減される効果と、保磁力が大きくなる上記効果とが得られ易い。

希土類磁石１０におけるＢの含有量は、４原子％以上７原子％以下であってよい。Ｂの含有量が４原子％以上ある場合、希土類磁石１０が大きい保磁力を有し易い。Ｂの含有量が７原子％以下ある場合、希土類磁石１０が大きい残留磁束密度を有し易い。

希土類磁石１０におけるＦｅの含有量は、７０原子％以上８５原子％以下であってよい。希土類磁石１０におけるＣｏの含有量は、０．０原子％以上４．０原子％以下であってよい。Ｃｏは、希土類磁石１０のキュリー温度を高めたり、粒界相９の耐食性を向上させたりする。希土類磁石１０は、Ａｌ及びＣｕのうち一方を含んでよい。希土類磁石１０は、Ａｌ及びＣｕの両方を含んでもよい。希土類磁石１０におけるＡｌ及びＣｕの含有量の合計は、０．０１原子％以上１．２原子％以下であってよい。Ａｌ及びＣｕの含有量の合計は、０．０１原子％以上１．２原子％以下である場合、希土類磁石１０の保磁力、耐食性及び温度特性が向上し易い。

希土類磁石１０は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｖ（バナジウム）、Ａｇ（銀）及びＧｅ（ゲルマニウム）からなる群より選ばれる少なくとも一種を更に含んでよい。

（希土類磁石の製造方法）
希土類磁石１０は、３合金法によって製造される。３合金法では、互いに組成の異なる少なくとも３種類の合金を用いる。３合金法では、主相粒子１１と略同じ組成を有する合金の微粉末（主相用微粉）と、Ｒ‐Ｔ相３と略同じ組成を有する合金の微粉末（Ｒ‐Ｔ相用微粉）と、Ｒリッチ相５と略同じ組成を有する合金の微粉末（Ｒリッチ相用微粉）とを、それぞれ個別に作製する。仮に主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉とＲリッチ相用微粉それぞれを個別に作製しない場合、主相粒子、Ｒ‐Ｔ相、及びＲリッチ相其々の組成を、上述の所望の組成に制御することは困難である。つまり、１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔが６５以上１００以下であり、且つ［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}が７０原子％以上１００原子％以下である希土類磁石を、１合金法又は２合金法によって製造することは困難である。仮に１合金法又は２合金法によって希土類磁石を製造した場合、製造過程においてＲ‐Ｔ相におけるＣｅの含有量が減少したり、Ｒリッチ相におけるＴの含有量が増加したりするため、Ｒ‐Ｔ相及びＲリッチ相其々の要件を満たさない別の安定した相が生成し易い。

出発原料は、希土類磁石を構成する各元素の単体（単体金属）、又は各元素を含む合金であってよい。出発原料は、例えば、純ネオジム、純セリウム、純鉄、並びに、鉄及びホウ素の合金（ホウ化鉄）であってよい。主相用微粉の出発原料として、目的とする主相粒子の組成に略一致するように、希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ、及びホウ素等を含む一種以上の出発原料を秤量する。Ｒ‐Ｔ相用微粉の出発原料として、目的とするＲ‐Ｔ相の組成に略一致するように、希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ、及びホウ素等を含む一種以上の出発原料を秤量する。Ｒリッチ相用微粉の出発原料として、目的とするＲリッチ相の組成に略一致するように、希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ、及びホウ素等を含む一種以上の出発原料を秤量する。

ストリップキャスト法により、主相用微粉の出発原料から、主相用合金のみを作製する。そして、主相用合金のみを用いて粉砕工程を実施する。

別のストリップキャスト法により、Ｒ‐Ｔ相用微粉の出発原料から、Ｒ‐Ｔ相用合金のみを作製する。そして、Ｒ‐Ｔ相用合金のみを用いて粉砕工程を実施する。

さらに別のストリップキャスト法により、Ｒリッチ相用微粉の出発原料から、Ｒリッチ相用合金のみを作製する。Ｒリッチ相用合金をストリップキャスト法で作製する場合、Ｒリッチ相用微粉の出発原料を溶融して冷却することにより、Ｒリッチ相用合金を得てから、Ｒリッチ相用合金を７００℃以下でアニール（ａｎｎｅａｌ）する。アニーリング後、Ｒリッチ相用合金のみを用いて粉砕工程を実施する。水素吸蔵処理前のＲリッチ相用合金のアニーリングにより、Ｒリッチ相用合金中における主相及びＲ‐Ｔ相の析出が抑制され、後工程において希土類磁石の組成を制御し易くなる。

ストリップキャスト法では、出発原料を非酸化雰囲気中で溶解して、溶湯（合金の融液）を作製する。溶湯を非酸化雰囲気中で、回転するロールの表面へ出湯（ｐｏｕｒ）する。溶湯がロールの表面で急冷され、凝固することにより、合金の薄板又は薄片（鱗片）が得られる。溶湯の凝固に伴う偏析を抑制するため、溶湯を、水冷銅板の表面へ出湯してもよい。それぞれのストリップキャスト法を非酸化雰囲気中で実施してよい。非酸化雰囲気は、例えば、真空、又はＡｒ等の不活性ガスであってよい。

粗粉砕工程では、上記のストリップキャスト法によって得られた原料合金を粉砕して、粗粉末を得る。原料合金の粉砕方法は、例えば、水素粉砕であってよい。水素粉砕では、原料合金を水素雰囲気中に置いて、原料合金に水素を吸蔵させる。原料合金が水素を吸蔵すると、原料合金の体積が膨張する。また、原料合金に含まれる金属が水素化されて、原料合金が脆くなる。その結果、原料合金にクラックが生じて、原料合金が粉砕される。原料合金の粗粉末の粒径は、例えば、１０〜１０００μｍであってよい。

原料合金の粗粉末を加熱することにより、粗粉末から水素を放出させてよい。水素放出処理は、真空中又はＡｒガスのフロー下で行う。水素放出処理では、原料合金の粗粉末を、所定の温度で加熱しながら所定の時間にわたって真空雰囲気中に保持することにより、水素が原料合金から放出される。水素放出温度は、２００〜４００℃であってよい。水素放出時間は、０．５〜２０時間であってよい。

水素吸蔵及び水素放出処理以外の方法で、粗粉砕工程を実施してもよい。粗粉砕工程では、合金の粒径が数百μｍ程度になるまで原料合金を粉砕する。粗粉砕工程の具体的な手段は、スタンプミル、ジョークラッシャー、又はブラウンミル等であってよい。粗粉砕工程を不活性ガス雰囲気中で実施してよい。粗粉砕工程として、上述の水素吸蔵処理による合金の粉砕を行ってもよい。

粗粉砕工程に続く微粉砕工程では、合金から微粉を得る。微粉砕工程では、ジェットミルを用いて合金を粉砕してよい。ジェットミルの場合、合金の平均粒径を、２．５μｍ以上６μｍ以下、望ましくは３以上５μｍ以下に調整してよい。

微粉砕工程では、合金の湿式粉砕を実施してもよい。湿式粉砕の具体的な手段は、ボールミル、又は湿式アトライタであってよい。湿式粉砕の場合、合金の平均粒径を、１．５μｍ以上５μｍ以下、望ましくは２μｍ以上４．５μｍ以下に調整してよい。湿式粉砕では、合金が分散媒中で粉砕されるため、合金が大気中の酸素に直接触れ難く、酸素の含有量が小さい微粉末が得られ易い。

以上の一連の処理及び工程を経て、主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉、及びＲリッチ相用微粉それぞれを個別に調製する。以下では、主相用微粉の質量を、ｍ１と表記する。Ｒ‐Ｔ相用微粉の質量を、ｍ２と表記する。Ｒリッチ相用微粉の質量を、ｍ３と表記する。主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉、及びＲリッチ相用微粉を秤量して混合することにより、混合微粉を調整する。混合微粉全体の組成が、目的とする希土類磁石１０の組成に一致するように、ｍ１、ｍ２及びｍ３の比を調整すればよい。

成形工程における混合微粉の潤滑性及び配向性を向上するために、脂肪酸、脂肪酸の誘導体、その他の炭化水素を混合微粉に添加してよい。混合微粉に添加される炭化水素は、例えば、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、エチレンビスイソステアリン酸アミド、パラフィン、及びナフタレンからなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。混合微粉における上記炭化水素の含有量は、０．０１質量％以上０．３質量％以下であってよい。

混合微粉を金型内へ供給する。金型内の混合微粉に磁場を印加しながら、混合微粉を金型で加圧することにより、成形体を得る。混合微粉に及ぼす圧力は、３０ＭＰａ以上３００ＭＰａ）以下であってよい。混合微粉に印加される磁場の強さは、９６０ｋＡ／ｍ以上１６００ｋＡ／ｍ以下であってよい。磁場は静磁場又はパルス磁場であってよい。磁場とパルス磁場を併用してもよい。成形体の相対密度は、４０〜６０％であってよい。

成形体を焼結して、焼結体を得る。焼結温度は、例えば、７５０℃以下であってよい。焼結時間は、例えば、１００時間以上であってよい。成形体を７５０℃以下で１００時間以上加熱することにより、成形体に含まれる主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉、及びＲリッチ相用微粉が原子レベルで混合することが抑制され、主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉、及びＲリッチ相用微粉其々の組成が維持されながら、成形体が徐々に焼き固まる。つまり、成形体を低温で長時間にわたって加熱することにより、主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉、及びＲリッチ相用微粉の間での原子の相互拡散が抑制され、主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉、及びＲリッチ相用微粉其々の組成が変化し難い。成形体の焼結は、減圧雰囲気中又は不活性雰囲気中で行ってよい。

焼結工程に続いて、焼結体に時効処理を施してよい。希土類磁石の保磁力が時効処理によって増加する。時効処理を二段階に分けて実施してよい。時効処理では、例えば、焼結体を６５０℃以下で約１時間加熱してよい。

（回転機）
本実施形態に係る回転機は、永久磁石として、上記の希土類磁石１０ａを備える。回転機の内部構造の一例は、図３に示される。本実施形態に係る回転機２００は、永久磁石同期回転機（ＳＰＭ回転機）である。回転機２００は、円筒状のロータ５０と、ロータ５０の内側に配置されるステータ３０と、を備えている。ロータ５０は、円筒状のコア５２と、コア５２の内周面に沿って配置された複数の希土類磁石１０ａと、を有している。複数の希土類磁石１０ａは、コア５２の内周面に沿ってＮ極とＳ極が交互に並ぶように配置されている。ステータ３０は、その外周面に沿って設けられた複数のコイル３２を有している。コイル３２と希土類磁石１０ａとは互いに対面するように配置されている。

回転機２００は、電動機（モータ）であってよい。電動機は、コイル３２への通電によって生成する電磁石による界磁と、希土類磁石１０ａによる界磁と、の相互作用により、電気エネルギーを機械的エネルギーに変換する。回転機２００は、発電機（ジェネレータ）であってもよい。発電機は、希土類磁石１０ａによる界磁とコイル３２との相互作用（電磁誘導）により、機械的エネルギーを電気的エネルギーに変換する。

電動機（モータ）として機能する回転機２００は、例えば、永久磁石直流モータ、リニア同期モータ、永久磁石同期モータ（ＳＰＭモータ、ＩＰＭモータ）、又は往復動モータであってよい。往復動モータとして機能するモータは、例えば、ボイスコイルモータ、又は振動モータであってよい。発電機（ジェネレータ）として機能する回転機２００は、例えば、永久磁石同期発電機、永久磁石整流子発電機、又は永久磁石交流発電機であってよい。回転機２００は、自動車、産業機械、又は家庭用電化製品等に用いられてよい。

以下では実施例及び比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。

（実施例１）
［希土類磁石の作製］
以下に示される３合金法により、実施例１の希土類磁石を作製した。

＜出発原料＞
出発原料として、純ネオジム、純セリウム、純鉄、鉄及びホウ素の合金、純アルミニウム、純銅及び純コバルトを準備した。

＜主相用微粉の調製＞
主相用微粉の組成が下記表１に示される組成に一致するように、主相粒子用の各出発原料を秤量して、これ等を混合した。下記表１において各元素記号の後に記載されている数値は、各微粉における各元素の含有量（単位：原子％）である。ストリップキャスト法により、主相粒子用の上記出発原料の混合物から、主相用合金の薄板を作製した。ストリップキャスト法では、主相粒子用の出発原料の混合物を１４００℃で溶融させた。続く水素吸蔵処理では、主相用合金の薄板を、１気圧の水素雰囲気下において常温で３時間加熱することにより、主相用合金を粉砕した。続く水素放出処理では、主相用合金を真空下において３００℃で３時間加熱した。水素放出処理によって得られた合金粉末にオレイン酸アミド（潤滑剤）を添加した。続いて、高圧の窒素ガス中において合金粉末をジェットミルで粉砕することにより、主相用微粉を得た。

＜Ｒ‐Ｔ相用微粉の調製＞
Ｒ‐Ｔ相用微粉の組成が下記表１に示される組成に一致するように、Ｒ‐Ｔ相用の各出発原料を秤量して、これ等を混合した。ストリップキャスト法では、Ｒ‐Ｔ相用の出発原料の混合物からＲ‐Ｔ相用合金の薄板を作製した。ストリップキャスト法では、Ｒ‐Ｔ相用の出発原料の混合物を１１００℃で溶融させた。続く水素吸蔵処理では、Ｒ‐Ｔ相用合金の薄板を、１気圧の水素雰囲気下において常温で３時間加熱することにより、Ｒ‐Ｔ相用合金を粉砕した。続く水素放出処理では、Ｒ‐Ｔ相用合金を真空下において３００℃で３時間加熱した。水素放出処理によって得られた合金粉末にオレイン酸アミド（潤滑剤）を添加した。続いて、高圧の窒素ガス中において合金粉末をジェットミルで粉砕することにより、Ｒ‐Ｔ相用微粉を得た。

＜Ｒリッチ相用微粉の調製＞
Ｒリッチ相用微粉の組成が下記表１に示される組成に一致するように、Ｒリッチ相用の各出発原料を秤量して、これ等を混合した。ストリップキャスト法では、Ｒリッチ相用の出発原料の混合物からＲリッチ相用合金の薄板を作製した。ストリップキャスト法では、Ｒリッチ相用の出発原料の混合物を９００℃で溶融させた。水素吸蔵処理前に、Ｒリッチ相用合金の薄板を５９０℃でアニールした。続く水素吸蔵処理では、Ｒリッチ相用合金の薄板を、１気圧の水素雰囲気下において常温で３時間加熱することにより、Ｒリッチ用合金を粉砕した。続く水素放出処理では、Ｒリッチ相用合金を真空下において３００℃で３時間加熱した。水素放出処理によって得られた合金粉末にオレイン酸アミド（潤滑剤）を添加した。続いて、高圧の窒素ガス中において合金粉末をジェットミルで粉砕することにより、Ｒリッチ相用微粉を得た。

＜混合微粉の調製＞
上記の主相用微粉、Ｒ‐Ｔ相用微粉及びＲリッチ相用微粉それぞれを秤量して、これ等を混合することにより、混合微粉を調製した。混合微粉全体の組成が下記表２に示される希土類磁石全体の組成に一致するように、ｍ１、ｍ２及びｍ３の比を下記表１に示される比に調整した。下記表２において各元素記号の後に記載されている数値は、希土類磁石における各元素の含有量（単位：原子％）である。

＜成形工程＞
成形工程では、混合微粉を金型内へ供給した。そして、金型内の混合微粉に静磁場を印加しながら、混合微粉を金型で加圧することにより、成形体を得た。混合微粉に及ぼした圧力は、４０ＭＰａであった。混合微粉に印加された静磁場の強さは、１５ＫＯｅ（約１１９４ｋＡ／ｍ）であった。磁場方向は加圧方向と垂直であった。成形体の寸法は、２０ｍｍ×１８ｍｍ×１３ｍｍであった。

＜焼結工程及び時効処理＞
成形工程に続く焼結工程では、成形体を真空下において７００℃で１００時間加熱することにより、焼結体を得た。続く時効処理では、焼結体を５３０℃で１時間加熱した。

以上の製造方法により、実施例１の希土類磁石（焼結体）を得た。

［希土類磁石の分析］
ＸＲＦ分析法及びＩＣＰ発光分析法により、実施例１の希土類磁石全体の組成を分析した。実施例１の希土類磁石全体の組成は、下記表２に示される組成と一致することが確認された。

希土類磁石をエポキシ系樹脂に埋設して、エポキシ系樹脂を硬化することにより、分析用の試料を作製した。試料を切断して、試料（樹脂内に埋設された希土類磁石）の断面を、研磨紙、バフ及びダイヤモンド砥粒を用いて研磨した。試料の腐食を防止するために、水を研磨に用いなかった。

研磨された試料の断面の反射電子像を、ＦＥ‐ＳＥＭによって撮影した。実施例１の希土類磁石の断面の反射電子像は、図４に示される。また、試料の断面の組成を、ＦＥ‐ＳＥＭに付属するＥＤＳを用いて分析した。分析の結果は、以下の通りであった。

希土類磁石は、Ｒ_、Ｔ及びＢを含む複数の主相粒子と、複数の主相粒子の間に位置する粒界相と、を備えていた。希土類元素Ｒは、Ｎｄ及びＣｅであった。遷移金属元素Ｔは、Ｆｅ及びＣｏであった。粒界相は、金属間化合物ＲＴ_２を含むＲ‐Ｔ相と、Ｒ‐Ｔ相よりも希土類元素Ｒの含有量の合計が大きいＲリッチ相と、を含んでいた。

実施例１の１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、下記表２に示される。なお、１００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、下記の表２において「Ｃｅ／Ｒ」と表記されている。［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔは、上述の通り、Ｒ‐Ｔ相におけるＣｅの含有量である。［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、上述の通り、Ｒ‐Ｔ相における希土類元素Ｒの含有量の合計である。実施例１の［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、下記表２に示される。［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、上述の通り、Ｒリッチ相における希土類元素Ｒの含有量の合計である。

ＦＥ‐ＳＥＭ及びＥＤＳを用いた上述の画像解析法により、Ｓ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}、及びＳ_Ｈそれぞれを求めた。Ｓ_ＭＰＧは、上述の通り、希土類磁石の断面における全て主相粒子の断面積の合計である。希土類磁石の断面とは、上述の通り、反射電子像が撮影された試料の断面を意味する。Ｓ_Ｒ‐Ｔは、上述の通り、同断面におけるＲ‐Ｔ相の断面積の合計である。Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、上述の通り、同断面におけるＲリッチ相の断面積の合計である。Ｓ_Ｈは、同断面における異相の断面積の合計である。Ｓ_Ｈは、希土類磁石の断面の面積Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}からＳ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ及びＳ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}を引くことにより算出した。実施例１のＳ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}、及びＳ_Ｈそれぞれは、下記表２に示される。
ただし、下記表２に示されるＳ_ＭＰＧ、Ｓ_Ｒ‐Ｔ、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}、及びＳ_Ｈそれぞれは、希土類磁石の断面の面積Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}を１００とみなしたときの百分率である。実施例１の１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、下記表２に示される。なお、１００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、下記の表２において「Ｓ_ＳＵＭ」と表記されている。

実施例１の希土類磁石の保磁力ＨｃＪを、ＢＨトレーサーによって測定した。実施例１保磁力ＨｃＪは、下記表２に示される。

（実施例２〜７、比較例１〜４）
実施例２〜７及び比較例１〜４それぞれの主相用微粉の調製では、主相用微粉の組成が下記表１に示される組成に一致するように、主相粒子用の各出発原料を秤量した。

実施例６及び７それぞれの主相用微粉の調製では、ジェットミル前に合金粉末に添加するオレイン酸アミドの量を実施例１の場合よりも増やした。

実施例２〜７並びに比較例１及び２それぞれのＲ‐Ｔ相用微粉の調製では、Ｒ‐Ｔ相用微粉の組成が下記表１に示される組成に一致するように、Ｒ‐Ｔ相用の各出発原料を秤量した。

実施例２〜７並びに比較例１及び２それぞれのＲリッチ相用微粉の調製では、Ｒリッチ相用微粉の組成が下記表１に示される組成に一致するように、Ｒリッチ相用の各出発原料を秤量した。

実施例２〜７並びに比較例１及び２それぞれの混合微粉の調製では、混合微粉全体の組成が下記表２に示される希土類磁石全体の組成に一致するように、ｍ１、ｍ２及びｍ３の比を下記表１に示される比に調整した。

比較例３の混合微粉の調製では、Ｒ‐Ｔ相用微粉及びＲリッチ相用微粉を用いなかった。比較例３では、主相用微粉と別の微粉とから、混合微粉を調製した。つまり、比較例３の希土類磁石は２合金法により作製した。別の微粉の組成は、Ｎｄ２６．８原子％‐Ｃｅ２４．９原子％‐Ｆｅ．ｂａｌであった。主相用微粉の質量ｍ１と別の微粉の質量ｍｘとの比ｍ１：ｍｘは、８８．４：１１．６に調整した。

比較例４では、Ｒ‐Ｔ相用微粉及びＲリッチ相用微粉を用いず、混合微粉の代わりに主相用微粉のみを用いた。つまり比較例４の希土類磁石は１合金法により作製した。

以上の事項を除いて実施例１と同様の方法で、実施例２〜７並びに比較例１〜４それぞれの希土類磁石を作製した。

実施例１と同様の方法で、実施例２〜７及び比較例１〜４それぞれの希土類磁石を分析した。実施例２〜７及び比較例１〜４のいずれの場合においても、希土類磁石は、Ｒ_、Ｔ及びＢを含む複数の主相粒子と、複数の主相粒子の間に位置する粒界相と、を備えており、希土類元素Ｒは、Ｎｄ及びＣｅであり、遷移金属元素Ｔは、Ｆｅ及びＣｏであった。実施例２〜７及び比較例１〜４のいずれの場合においても、粒界相は、金属間化合物ＲＴ_２を含むＲ‐Ｔ相と、Ｒ‐Ｔ相よりも希土類元素Ｒの含有量の合計が大きいＲリッチ相と、を含んでいた。上記以外の分析の結果は、下記表２に示される。

本発明に係る希土類磁石は、例えば、自動車用の回転機に用いられる。

３…Ｒ‐Ｔ相、５…Ｒリッチ相、７…異相、９…粒界相、１１…主相粒子、１０，１０ａ…希土類磁石、１０ｃｓ…希土類磁石の断面、３０…ステータ、３２…コイル、５２…コア、２００…回転機。

Claims (4)

1. 希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ、及びホウ素を含む複数の主相粒子と、
   前記複数の主相粒子の間に位置する粒界相と、を備え、
   前記希土類元素Ｒは、少なくともＮｄ及びＣｅを含み、
   前記遷移金属元素Ｔは、少なくともＦｅを含み、
   前記粒界相は、Ｒ‐Ｔ相と、Ｒリッチ相と、を含み、
   前記Ｒ‐Ｔ相は、前記希土類元素Ｒ及び前記遷移金属元素Ｔの金属間化合物を含有する相であり、
   前記Ｒリッチ相における前記希土類元素Ｒの含有量の合計は、前記Ｒ‐Ｔ相における前記希土類元素Ｒの含有量の合計よりも大きく、
   前記Ｒ‐Ｔ相におけるＣｅの含有量は、［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ原子％であり、
   前記Ｒ‐Ｔ相における前記希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_Ｒ‐Ｔ原子％であり、
   前記Ｒリッチ相における前記希土類元素Ｒの含有量の合計は、［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}原子％であり、
   １００・［Ｃｅ］_Ｒ‐Ｔ／［Ｒ］_Ｒ‐Ｔは、６５以上１００以下であり、
   ［Ｒ］_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}は、７０原子％以上１００原子％以下である、
   希土類磁石。
2. 前記希土類磁石の断面の面積は、Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}であり、
   前記断面における全ての前記主相粒子の断面積の合計は、Ｓ_ＭＰＧであり、
   前記断面における前記Ｒ‐Ｔ相の断面積の合計は、Ｓ_Ｒ‐Ｔであり、
   前記断面における前記Ｒリッチ相の断面積の合計は、Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}であり、
   １００・（Ｓ_ＭＰＧ＋Ｓ_Ｒ‐Ｔ＋Ｓ_{Ｒ‐ＲＩＣＨ}）／Ｓ_{ＴＯＴＡＬ}は、９７以上１００以下である、
   請求項１に記載の希土類磁石。
3. 前記Ｒ‐Ｔ相はラーベス相である、
   請求項１又は２に記載の希土類磁石。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の希土類磁石を備える、
   回転機。