JP2020092060A - 表示装置形成用基板、表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ベゼルのない表示装置を実現することが可能な、表示装置形成用基板、表示装置及び表示装置の製造方法。【解決手段】表示装置形成用基板１０は、表示装置２０を形成するためのものである。この表示装置形成用基板１０は、第１ガラス基材１１と、第１ガラス基材１１上に積層された第１剥離層１２と、第１剥離層１２上に積層された第１金属層１３と、第１金属層１３上に積層され、第１貫通孔２２ａを有する樹脂基材２２と、樹脂基材２２上に積層された第２金属層１４と、を備えている。第１貫通孔２２ａに第１貫通電極１５が充填され、第１貫通電極１５によって第１金属層１３と第２金属層１４とが電気的に接続されている。【選択図】図１

Description

本開示の実施の形態は、表示装置形成用基板、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

従来から、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子やＬＥＤ（発光ダイオード）素子等の発光素子から放射される光を表示光として利用する表示装置（有機ＥＬ表示装置、ＬＥＤ表示装置）が開発されている。このような表示装置は、その用途を、テレビやデスクトップモニターのみならず、携帯用ノートパソコン、携帯電話、携帯用ゲーム機、電子リーダー、電子ブックなどの携帯型電子機器にまで広く拡大していることから、さらなる軽量化、小型化、及び薄型化が求められている。

このような状況において、表示装置を構成する表示装置部材としては、これまで主として用いられてきたガラス製の支持基板に代わり、可撓性を有するフィルムよりなるフレキシブル基板を用いた表示装置部材が提案されている。表示装置部材において、ガラス製の支持基板の代わりに、樹脂基材等のフレキシブル基板を用いることにより、表示装置をフレキシブルにすることも可能となる。

このようなフレキシブルな表示装置を作製する場合、ガラス基材上に剥離層（光熱交換膜）と樹脂基材（ＰＩ層）とをこの順に形成し、樹脂基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を形成した後に、剥離層にレーザー光を照射して樹脂基材からガラス基材を剥離させている（例えば特許文献１）。

特開２０１５−１３８８９５号公報

ところで、従来スマートフォンやタブレット等の表示装置においては、その周囲にベゼル（額縁部）が設けられている。このベゼルは、狭くなってきているが、ベゼルを完全になくすことについては難しい。これはベゼルに配置される配線の微細化に限界があるためである。またフレキシブルな有機ＥＬ表示装置は、大型化が困難であるため、比較的製造が容易な小型のサイズのディスプレイを複数枚タイリング（平面充填）することが考えられる。しかしながら、このようなタイリングを実現するためには、ベゼルをなくす技術が必要となっている。

本実施の形態は、ベゼルのない表示装置を実現することが可能な、表示装置形成用基板、表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。

本実施の形態による表示装置形成用基板は、表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、第１ガラス基材と、前記第１ガラス基材上に積層された第１剥離層と、前記第１剥離層上に積層された第１金属層と、前記第１金属層上に積層され、第１貫通孔を有する樹脂基材と、前記樹脂基材上に積層された第２金属層と、を備え、前記第１貫通孔に第１貫通電極が充填され、前記第１貫通電極によって前記第１金属層と前記第２金属層とが電気的に接続されている。

本実施の形態による表示装置形成用基板において、前記第１金属層は、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金を含んでいても良い。

本実施の形態による表示装置形成用基板において、前記第１金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であっても良い。

本実施の形態による表示装置は、第１貫通孔を有する樹脂基材と、前記樹脂基材の一方の面上に配置された第１金属層と、前記樹脂基材の他方の面上に配置された第２金属層と、前記第２金属層上に配置され、第２貫通孔を有するバリア層と、前記バリア層上に配置された薄膜トランジスタと、前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された発光素子と、前記発光素子上に配置され、前記発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記第１貫通孔に第１貫通電極が充填され、前記第１貫通電極によって前記第１金属層と前記第２金属層とが電気的に接続され、前記第２貫通孔に第２貫通電極が充填され、前記第２貫通電極によって前記薄膜トランジスタと前記第２金属層とが電気的に接続されている。

本実施の形態による表示装置において、前記第１金属層は、所定のパターン形状にパターニングされていても良い。

本実施の形態による表示装置は、第２金属層と、前記第２金属層の一方の面上に配置され、前記前記第２金属層に電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記第２金属層の他方の面上に配置され、第１貫通孔を有する樹脂基材と、前記樹脂基材上に配置された第１金属層と、前記第１金属層上に配置され、前記第１金属層に電気的に接続された発光素子と、前記発光素子上に配置され、前記発光素子を封止する封止樹脂とを備え、前記第１貫通孔に第１貫通電極が充填され、前記第１貫通電極によって前記第１金属層と前記第２金属層とが電気的に接続されている。

本実施の形態による表示装置において、前記第２金属層は、所定のパターン形状にパターニングされていても良い。

本実施の形態による表示装置の製造方法は、表示装置の製造方法であって、前記表示装置形成用基板を準備する工程と、前記表示装置形成用基板の前記第２金属層上にバリア層を配置する工程と、前記バリア層に第２貫通孔を形成する工程と、前記第２貫通孔に第２貫通電極を充填するとともに、前記バリア層上に薄膜トランジスタを配置し、前記第２貫通電極によって前記薄膜トランジスタと前記第２金属層とを電気的に接続する工程と、前記バリア層上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される発光素子を配置する工程と、前記発光素子を封止樹脂によって封止する工程と、前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、前記第１ガラス基材及び前記第１剥離層を前記第１金属層から剥離する工程と、前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程と、を備えている。

本実施の形態による表示装置の製造方法は、表示装置の製造方法であって、前記表示装置形成用基板を準備する工程と、前記表示装置形成用基板の前記第２金属層の一方の面上に、前記第２金属層に電気的に接続される薄膜トランジスタを配置する工程と、前記樹脂基材、前記薄膜トランジスタ及び第１金属層上に、第２剥離層及び第２ガラス基材を配置する工程と、前記第１ガラス基材及び前記第１剥離層を前記第１金属層から剥離する工程と、前記第１金属層上に、発光素子を配置する工程と、前記発光素子を封止樹脂によって封止する工程と、前記第２ガラス基材及び前記第２剥離層を前記第１金属層から剥離する工程と、を備えている。

本開示の実施の形態によれば、ベゼルのない表示装置を実現することができる。

図１は、第１の実施の形態による表示装置形成用基板を示す断面図である。 図２は、第１の実施の形態による表示装置を示す断面図である。 図３（ａ）−（ｅ）は、第１の実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。 図４（ａ）−（ｅ）は、第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図５（ａ）−（ｃ）は、第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図６（ａ）−（ｄ）は、第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図７（ａ）（ｂ）は、第１の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図８は、第２の実施の形態による表示装置を示す断面図である。 図９（ａ）−（ｄ）は、第２の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１０（ａ）−（ｄ）は、第２の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１１（ａ）−（ｄ）は、第２の実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。

（第１の実施の形態）
まず、図１乃至図７により、第１の実施の形態について説明する。図１乃至図７は第１の実施の形態を示す図である。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

（表示装置形成用基板の構成）
まず、図１により、本実施の形態による表示装置形成用基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態による表示装置形成用基板を示す断面図である。

図１に示す表示装置形成用基板１０は、後述する表示装置２０（図２参照）を作製するためのものである。この表示装置形成用基板１０は、第１ガラス基材１１と、第１ガラス基材１１上に積層された第１剥離層１２と、第１剥離層１２上に積層された第１金属層１３と、第１金属層１３上に積層された樹脂基材２２と、樹脂基材２２上に積層された第２金属層１４とを備えている。

このうち第１ガラス基材１１は、表示装置形成用基板１０の全体を支持するものであり、平坦な板状の部材からなる。第１ガラス基材１１としては、レーザー光が透過可能な材料を用い、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）等の透明なガラス類を用いることができる。第１ガラス基材１１の厚みｔ_１は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、１５０μｍ以上９００μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。なお、第１ガラス基材１１のガラスサイズは任意であり、例えば、Ｇ６サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）のガラス基材を用いることができる。

第１剥離層１２は、第１ガラス基材１１上に直接形成された平坦な層（接着層）からなる。第１剥離層１２は、後述する表示装置形成用基板１０の製造工程において、第１ガラス基材１１と第１金属層１３とを接着させるとともに、その後の表示装置２０の製造工程において、第１ガラス基材１１を第１金属層１３から剥離させるものである。

第１剥離層１２には、レーザー光を吸収することにより発熱し、分解され、密着力が低下又は消失するものが用いられる。また、第１剥離層１２には、第１ガラス基材１１の材料との密着性が良好なものが用いられる。第１剥離層１２としては、例えば、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）のレーザー光を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料（例えばBrewer Science, Inc.社製BREWER BONDシリーズ、宇部興産（株）製ＵＰＩＡシリーズ（製品名）、ユニチカ（株）製Ｕイミドシリーズ（製品名）、ＪＳＲ（株）製オプトマーＡＬシリーズ（製品名）、東京応化工業（株）製ＴＺＮＲ−Ａシリーズ（製品名））を用いることができる。とりわけ、第１剥離層１２は、ポリイミドを含んでいることが好ましい。これにより、第１剥離層１２がレーザー光を効率良く吸収することができる。また、第１剥離層１２の厚みｔ_２は、例えば、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。第１剥離層１２の厚みｔ_２を５０ｎｍ以上とすることにより、表示装置形成用基板１０を製造する際に、第１ガラス基材１１と第１金属層１３との密着性を高めることができる。また、第１剥離層１２の厚みｔ_２を１５０ｎｍ以下とすることにより、第１剥離層１２のコストを低減させることができる。

この第１剥離層１２は、後述するように、第１ガラス基材１１上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものを乾燥させたものである。このような塗布層からなる第１剥離層１２は、全体として平坦性を高めることが可能となり、寸法精度の高い第１剥離層１２を形成することが可能となる。なお、本実施の形態においては、第１剥離層１２は、スピン法により第１ガラス基材１１上にポリイミドの前駆体を塗布し、乾燥させることにより形成されている。

第１金属層１３は、樹脂基材２２を保護するためのものである。具体的には、第１金属層１３は、後述する表示装置２０の製造工程において、樹脂基材２２と第１剥離層１２とを分離すると共に、第１剥離層１２をレーザー光によって改質する際、第１剥離層１２で吸収されずに第１剥離層１２を透過したレーザー光を反射させることにより、レーザー光から樹脂基材２２を保護する役割を果たす。すなわち、第１金属層１３は、レーザー光を反射させることにより、樹脂基材２２にダメージを与えず第１剥離層１２を改質させる。第１剥離層１２の改質に用いられるレーザーとしては、エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍ）、ＣＯ_２レーザー（波長１０６４０ｎｍ）が挙げられる。このため、第１金属層１３は、第１剥離層１２の改質に用いられるレーザーに対する反射性を有することが好ましい。特に、エキシマレーザー又はＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザーに対する反射性を有することが好ましい。また、第１金属層１３は、表示装置２０の製造工程において、第１剥離層１２を改質する際、第１剥離層１２側からのガスを遮蔽し、樹脂基材２２内に熱拡散が生じること等を防止する役割を果たす。このため、第１金属層１３には、上述したレーザー光の反射性や、第１剥離層１２側からのガスの遮蔽性、第１剥離層１２との密着性が良好なもの、又は耐酸化性若しくは耐酸性が良好なものが用いられる。

このような第１金属層１３は、後述するように、第１剥離層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第１金属層１３は、例えば、レーザー光の反射率が６０％以上の層とすることができる。第１金属層１３の材質としては、例えば、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料を挙げることができる。この場合、第１金属層１３は、モリブデン合金を含んでいても良く、これにより、第１剥離層１２を透過したレーザー光を効率良く反射することができる。具体的には、第１金属層１３は、モリブデン、ニッケル及びチタンを含む合金、あるいはモリブデン及びニオブを含む合金からなっていても良い。また、この場合、第１金属層１３の厚みｔ_３は、レーザー光の反射率が６０％以上となるように適宜設定することができ、例えば、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下程度が好ましい。第１金属層１３の厚みｔ_３を３０ｎｍ以上とすることにより、レーザー光を確実に反射させることができる。また、第１金属層１３の厚みｔ_３を１５０ｎｍ以下とすることにより、第１金属層１３のコストを低減させることができる。なお、モリブデン合金はレーザー光の反射率が高いとともに、厚みによる反射率の差が小さい。これにより、第１金属層１３がモリブデン合金からなっている場合、第１金属層１３の厚みにかかわらずレーザー光の反射率を高めることができ、第１金属層１３の厚みを薄くすることができる。このため、第１金属層１３のコストを低減させることができる。また、モリブデン合金はポリイミドとの密着性が良好であるため、第１金属層１３がモリブデン合金からなっており、第１剥離層１２がポリイミドからなっている場合、表示装置形成用基板１０を製造する際に、第１剥離層１２と第１金属層１３との密着性を高めることができる。

第１金属層１３は、後述する表示装置２０の製造工程において所定のパターン形状にパターニングされ、表示装置２０の裏面（発光面の反対側の面）において、有機ＥＬ素子２４に電気を供給する配線としての役割を果たす。このため、第１金属層１３は、導電性が良好な材料が用いられる。第１金属層１３は、例えば、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下の層とすることができる。この場合、第１金属層１３は、銅合金を含んでいても良く、これにより、第１金属層１３の導電性を向上させることができる。また、この場合、第１金属層１３の厚みｔ_３は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下となるように適宜設定することができ、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度が好ましい。第１金属層１３の厚みｔ_３を１０ｎｍ以上とすることにより、表示装置２０が用いられる最終製品において、第１金属層１３の導電性を効果的に向上させることができる。また、第１金属層１３の厚みｔ_３を１０００ｎｍ以下とすることにより、第１金属層１３のコストを低減させることができるとともに、第１金属層１３の成膜時間を短縮することができる。また、第１金属層１３にクラックが発生することを抑制できる。なお、上記面抵抗率は、抵抗率計（例えば、三菱化学アナリテック製のLoresta（登録商標））を用いて測定することができる。なお、第１金属層１３が、銅合金を含んでいる場合であっても、第１剥離層１２を透過したレーザー光を反射することができる。

なお、本実施の形態において、図１に示すように、第１剥離層１２及び第１金属層１３は、第１ガラス基材１１の全域を覆っているが、これに限られるものではなく、第１金属層１３が樹脂基材２２の全域を覆うことができれば、第１剥離層１２の周縁部及び第１金属層１３の周縁部は、第１ガラス基材１１の周縁部よりも内側に引っ込んでいても良い。すなわち、第１剥離層１２の平面形状は、全周にわたって第１ガラス基材１１の平面形状よりも小さくなっていても良い。

樹脂基材２２は、後述する表示装置２０の製造工程において、薄膜トランジスタ２３、有機ＥＬ素子２４等を支持するものであり、第１金属層１３上に直接形成された可撓性を有する平坦な層からなる。樹脂基材２２は、後述するように、第１金属層１３上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。樹脂基材２２には、上述した第１ガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れた材質が用いられることが好ましい。樹脂基材２２としては、例えば、有色のポリイミド（例えば宇部興産（株）製ＵＰＩＡ−ＳＴ（製品名））を用いることができる。樹脂基材２２の厚みｔ_４は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

樹脂基材２２には、樹脂基材２２を厚み方向に貫通する第１貫通孔２２ａが形成されている。第１貫通孔２２ａには、樹脂基材２２の厚み方向全域にわたり第１貫通電極１５が充填されている。第１貫通電極１５は、第１金属層１３と第２金属層１４とを電気的に接続するものである。第１貫通電極１５は、導電性を有する金属から構成され、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の表面抵抗が１Ω／□以下の材質を用いることが好ましい。第１貫通電極１５の幅ｗは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

第２金属層１４は、樹脂基材２２上に直接形成された平坦な層（導電層）からなる。第２金属層１４は、後述する表示装置２０において、薄膜トランジスタ２３と第１金属層１３と電気的に接続するものである。具体的には、第２金属層１４は、上述した第１貫通電極１５と後述する第２貫通電極３２とを電気的に接続するものである。第２金属層１４は、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の表面抵抗が１Ω／□以下の材質を用いることが好ましい。また、後述するように第１貫通電極１５は、電解めっき法により形成される。第２金属層１４は、第１貫通電極１５と別体に形成されていても良く、第１貫通電極１５と一体に形成されていても良い。後者の場合、第１貫通電極１５は、第２金属層１４と同一の材料から構成される。第２金属層１４の厚みｔ_５は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

（表示装置の構成）
次に、図２により、本実施の形態による表示装置の概略について説明する。図２は、本実施の形態による表示装置を示す断面図である。この表示装置は、上述した表示装置形成用基板１０上に、後述する有機ＥＬ素子２４等を複数配置し、第１ガラス基材１１及び第１剥離層１２を除去した後、個々の有機ＥＬ素子２４毎に切断して個片化することにより形成されたものである。

図２に示す表示装置２０は、フレキシブルな表示装置であり、ベゼルを有さない表示装置である。この表示装置２０は、支持基材２１と、第１金属層１３と、樹脂基材２２と、第２金属層１４と、バリア層３１と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２３と、有機ＥＬ素子（発光素子）２４と、封止樹脂（ＴＦＥ）２５と、を備えている。

このうち支持基材２１は、表示装置２０の全体を支持するものであり、可撓性を有するフィルムからなる。この支持基材２１は、後述するように、接着剤により第１金属層１３に貼り付けられている。支持基材２１としては、例えばポリエチレンテレフタレートを用いることができる。支持基材２１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

樹脂基材２２は、樹脂基材２２を貫通して形成された第１貫通孔２２ａを有している。第１貫通孔２２ａには、第１貫通電極１５が充填されている。このほか、樹脂基材２２の構成は、上述した表示装置形成用基板１０の樹脂基材２２と同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

第１金属層１３は、所定のパターン状に形成されるとともに、樹脂基材２２の裏面（一方の面、発光面の反対側の面）上に直接配置されている。この第１金属層１３は、上述した表示装置形成用基板１０の第１金属層１３を所定のパターン状の平面形状に形成したものである。パターン状の第１金属層１３は、樹脂基材２２上に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介して第１金属層１３をエッチングすることにより形成することができる。また第１金属層１３は、樹脂基材２２に埋設された第１貫通電極１５と電気的に接続されている。この第１金属層１３は、薄膜トランジスタ２３に電気を供給するための配線としての役割を果たす。この配線の幅は、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。このように、第１金属層１３が樹脂基材２２の裏面に配置されていることにより、薄膜トランジスタ２３に電気を供給する配線を表示装置２０の周縁に配置する必要がなく、ベゼルを有さない表示装置２０を提供することが可能となる。このほか、第１金属層１３の構成は、上述した表示装置形成用基板１０の第１金属層１３と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。

第２金属層１４は、樹脂基材２２の表面（他方の面、発光面側の面）上に直接配置されている。第２金属層１４は、上述した第１貫通電極１５と後述する第２貫通電極３２とを電気的に接続するものである。このほか、第２金属層１４の構成は、上述した表示装置形成用基板１０の第２金属層１４と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。

バリア層３１は、第２金属層１４上に直接形成された可撓性を有する平坦な層（非導電層）からなる。バリア層３１は、表示装置２０及び最終製品において、外部から侵入する酸素又は水分から、薄膜トランジスタ２３及び有機ＥＬ素子２４を保護するためのものである。このバリア層３１は、後述するように、第２金属層１４上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。バリア層３１には、上述した第１ガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れた材質が用いられることが好ましい。バリア層３１としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ、ＳｉＯｎ）等を用いることができる。バリア層３１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

バリア層３１には、バリア層３１を厚み方向に貫通する第２貫通孔３１ａが形成されている。第２貫通孔３１ａには、バリア層３１の厚み方向全域にわたり第２貫通電極３２が充填されている。第２貫通電極３２は、第２金属層１４と薄膜トランジスタ２３とを電気的に接続するものである。第２貫通電極３２は、導電性を有する金属から構成され、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の表面抵抗が１Ω／□以下の材質を用いることが好ましい。

薄膜トランジスタ２３は、バリア層３１上に直接配置されている。この薄膜トランジスタ２３は、有機ＥＬ素子２４を駆動するためのものであり、有機ＥＬ素子２４の後述する第１電極２６及び第２電極２８に印加される電圧を制御するようになっている。

有機ＥＬ素子２４の一部は、バリア層３１上に直接配置され、有機ＥＬ素子２４の他の一部は、薄膜トランジスタ２３上に直接配置されている。また、有機ＥＬ素子２４は、薄膜トランジスタ２３に電気的に接続されている。図２に示すように、有機ＥＬ素子２４は、樹脂基材２２上に配置された第１電極（反射電極）２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極（透明電極）２８とを有している。ここでは、第１電極２６が陽極を構成し、第２電極２８が陰極を構成する例について説明する。しかしながら、第１電極２６及び第２電極２８の極性が特に限られることはない。

第１電極２６は、後述するように、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第１電極２６の材質としては、効率良く正孔を注入できる材質を用いることが好ましい。第１電極２６の材質としては、例えば、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀又は金及びそれらの合金等の金属材料を挙げることができる。

有機発光層２７は、後述するように、第１電極２６上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成されたものである。有機発光層２７としては、所定の電圧を印加することにより白色光を発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが好ましく、例えば、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等が挙げられる。

第２電極２８は、後述するように、有機発光層２７上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第２電極２８の材質としては、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材質を用いることが好ましい。第２電極２８の材質としては、例えば酸化リチウム、炭酸セシウム等が挙げられる。

有機ＥＬ素子２４において発光した光は、樹脂基材２２が位置する側とは反対の側へ取り出される。すなわち、有機ＥＬ素子２４からの光は、封止樹脂２５の上方から取り出される。このように本実施の形態における表示装置２０は、いわゆるトップエミッション型の表示装置となっている。

封止樹脂２５は、有機ＥＬ素子２４上及びバリア層３１上に配置されている。この封止樹脂２５は、有機ＥＬ素子２４を封止し、有機ＥＬ素子２４を保護するためのものである。封止樹脂２５は、後述するように、樹脂基材２２、薄膜トランジスタ２３、第１電極２６及び第２電極２８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。封止樹脂２５には、上述した第１ガラス基材１１よりも可撓性を有した材質を用いることが好ましい。封止樹脂２５としては、例えば、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。封止樹脂２５の厚み（図２における樹脂基材２２の上面から封止樹脂２５の上面までの距離）は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

なお、本実施の形態において、図２に示すように、表示装置２０がトップエミッション型である例を示したが、これに限られるものではなく、表示装置２０がいわゆるボトムエミッション型であってもよい。

（表示装置形成用基板の製造方法）
次に、図３（ａ）−（ｅ）により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図３（ａ）−（ｅ）は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、平坦な板状の部材からなる第１ガラス基材１１を準備する。このとき、例えば、Ｇ６サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）の第１ガラス基材１１を準備する。この第１ガラス基材１１としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）類を用いることができる。

次に、図３（ｂ）に示すように、第１ガラス基材１１上に第１剥離層１２を直接積層して形成する。第１剥離層１２としては、上述したように、レーザー光を吸収することにより発熱し、分解され、密着力が低下又は消失するものが用いられる。例えば、第１剥離層１２としては、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば波長３０８ｎｍ）又はＮｅ−ＹＡＧレーザーの特定波長（例えば波長３５５ｎｍ）などを吸収するような特性を有するポリイミド等の剥離材料などを用いることができる。とりわけ、第１剥離層１２は、ポリイミドを含んでいることが好ましい。

第１剥離層１２は、例えばダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このため、第１ガラス基材１１上に発泡型の接着フィルム、テープ等を貼着する場合と比べて、フィルム、テープ等にうねりや接着剤等の厚みムラが生じるおそれがなく、第１剥離層１２の平坦性を高めることができる。このようにして、第１ガラス基材１１上に第１剥離層１２が形成される。なお、本実施の形態においては、第１剥離層１２は、例えば、第１ガラス基材１１の回転速度を２５００ｒｐｍに設定し、スピン法により第１ガラス基材１１上にポリイミドの前駆体を塗布した後に、減圧乾燥装置（ＶＣＤ）を用いて２５Ｐａの減圧条件で乾燥させ、３００℃、５分間の条件で焼成させることにより形成される。

続いて、図３（ｃ）に示すように、第１剥離層１２上に第１金属層１３を積層する。第１金属層１３は、後工程で表示装置形成用基板１０上に形成される樹脂基材２２を保護するためのものである。第１金属層１３としては、レーザー光の反射性や第１剥離層１２側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。第１金属層１３は、例えばクロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料からなっていても良い。この場合、第１金属層１３は、モリブデン合金を含んでいても良い。具体的には、第１金属層１３は、モリブデン、ニッケル及びチタンを含む合金、あるいはモリブデン及びニオブを含む合金からなっていても良い。第１金属層１３は、第１剥離層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このため、薄膜状の第１金属層１３を均一かつ平坦に形成することができる。

次に、図３（ｄ）に示すように、第１金属層１３上に樹脂基材２２を積層する。樹脂基材２２には、第１ガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れたものが用いられても良い。例えば、樹脂基材２２としては、有色不透明又は透明なポリイミドを用いることができる。樹脂基材２２は、第１金属層１３上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。

続いて、フォトリソグラフィー法により樹脂基材２２をパターニングすることにより、樹脂基材２２に第１貫通孔２２ａを形成する。この際、樹脂基材２２の表面（第１金属層１３の反対側の面）に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像して図示しないレジスト層を形成する。その後、このレジスト層を耐腐蝕膜として樹脂基材２２に腐蝕液でエッチングを施すことにより樹脂基材２２に第１貫通孔２２ａが形成される。腐蝕液は、使用する樹脂基材２２の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂基材２２として有色のポリイミドを用いる場合、アルカリ−アミン系のポリイミドケミカルエッチング液を使用することができる。

次に、図３（ｅ）に示すように、樹脂基材２２の第１貫通孔２２ａ内に第１貫通電極１５を充填するとともに、樹脂基材２２の表面（他方の面、発光面側の面）上に第２金属層１４を形成する。この間、まず第１金属層１３を給電部として、第１金属層１３のうち、第１貫通孔２２ａから露出する部分に電解めっき処理を施すことにより、第１金属層１３上に第１貫通電極１５を析出させる。この場合、第１貫通電極１５は、第２金属層１４と同種の金属材料からなっていても良い。次に、樹脂基材２２上にシード電極層（図示せず）を形成する。このシード電極層は、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の表面抵抗が１Ω／□以下の材質が好ましく、スパッタリング法等の真空成膜法により厚み１０〜５００ｎｍの範囲で形成することができる。その後、このシード電極層を用いて電解めっき処理を行うことにより、樹脂基材２２上に第２金属層１４が形成される。

このようにして、図１に示す表示装置形成用基板１０が得られる。

（表示装置の製造方法）
次に、図４（ａ）−（ｄ）、図５（ａ）−（ｃ）、図６（ａ）−（ｄ）及び図７（ａ）（ｂ）により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図４（ａ）−（ｄ）、図５（ａ）−（ｃ）、図６（ａ）−（ｄ）及び図７（ａ）（ｂ）は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば図３（ａ）−（ｅ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０を作製する。

次に、図４（ａ）に示すように、第２金属層１４上にバリア層３１を積層して配置する。このバリア層３１としては、例えば酸化ケイ素を用いることができる。バリア層３１は、第２金属層１４上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。

続いて、図４（ｂ）に示すように、例えばフォトリソグラフィー法によりバリア層３１をパターニングすることにより、バリア層３１に第２貫通孔３１ａを形成する。この際、バリア層３１の表面（第２金属層１４の反対側の面）に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像して図示しないレジスト層を形成する。その後、このレジスト層を耐腐蝕膜としてバリア層３１に腐蝕液でエッチングを施すことによりバリア層３１に第２貫通孔３１ａが形成される。腐蝕液は、使用するバリア層３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、バリア層３１として酸化ケイ素を用いる場合、フッ化水素酸等のエッチング液を使用することができる。

次に、図４（ｃ）に示すように、バリア層３１の第２貫通孔３１ａに第２貫通電極３２を充填するとともに、バリア層３１上に薄膜トランジスタ２３を配置し、第２貫通電極３２によって薄膜トランジスタ２３と第２金属層１４とを電気的に接続する。

この間、まず第２金属層１４を給電部として、第２金属層１４のうち、第２貫通孔３１ａから露出する部分に電解めっき処理を施すことにより、第２金属層１４上に第２貫通電極３２を析出させる。

次いで、バリア層３１及び第２貫通電極３２上に薄膜トランジスタ２３を配置する。この場合、薄膜トランジスタ２３は、第２貫通電極３２を介して第２金属層１４に電気的に接続される。このとき、バリア層３１上には、図示はしないが、各々が各表示装置２０に対応する複数の薄膜トランジスタ２３が配置される。このようにして表示装置２０の第１中間体２０ａが形成される。なお、複数の薄膜トランジスタ２３が樹脂基材２２上に配置された後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第１中間体２０ａは、平面視で、例えば半分の大きさに切断されても良い。

次に、図４（ｄ）に示すように、バリア層３１上に、薄膜トランジスタ２３に電気的に接続される有機ＥＬ素子（発光素子）２４を配置する。このとき、バリア層３１上には、図示はしないが、各々が各表示装置２０に対応する複数の有機ＥＬ素子２４が配置される。各々の有機ＥＬ素子２４は、バリア層３１上に配置された第１電極２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極２８とを有している。この場合、まず、バリア層３１上に第１電極２６を形成する。第１電極２６には、効率良く正孔を注入できる材料が用いられる。例えば、第１電極２６としては、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀又は金及びそれらの合金等の金属材料を用いることができる。第１電極２６は、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。この際、有機ＥＬ素子２４の第１電極２６が薄膜トランジスタ２３に電気的に接続される。

次いで、第１電極２６上に有機発光層２７を形成する。有機発光層２７には、所定の電圧を印加することにより白色光を発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが用いられる。例えば、有機発光層２７としては、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等を用いることができる。有機発光層２７は、第１電極２６上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成される。

次に、有機発光層２７上に第２電極２８を形成する。第２電極２８には、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材料が用いられる。例えば、第２電極２８としては、酸化リチウム、炭酸セシウム等を用いることができる。第２電極２８は、有機発光層２７上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このようにして、バリア層３１上に有機ＥＬ素子２４が配置される。

次いで、バリア層３１上に配置された有機ＥＬ素子２４を封止樹脂２５によって封止する（図５（ａ））。封止樹脂２５には、上述した第１ガラス基材１１よりも可撓性を有する材料が用いられても良い。例えば、封止樹脂２５としては、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂が用いられる。封止樹脂２５は、バリア層３１、薄膜トランジスタ２３、第１電極２６及び第２電極２８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このようにして、有機ＥＬ素子２４が封止樹脂２５によって覆われる。

次に、封止樹脂２５上に仮支持基材２９を配置する（図５（ｂ））。仮支持基材２９は、表示装置２０の製造工程において作製された表示装置２０の第１中間体２０ａを仮支持するものである。仮支持基材２９には、可撓性を有するフィルムが用いられる。例えば、仮支持基材２９としては、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを用いることができる。仮支持基材２９は、接着剤により封止樹脂２５上に貼り付けられても良い。仮支持基材２９の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。このようにして、仮支持基材２９が配置された表示装置２０の第２中間体２０ｂが作製される。

続いて、作製された表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させ、第１ガラス基材１１及び第１剥離層１２を第１金属層１３から剥離する。このとき、第１ガラス基材１１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ又は３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射する（図５（ｃ））。レーザー光Ｌは、図示しないレーザー光照射装置から照射され、レーザー光Ｌが第２中間体２０ｂの面内に均一に走査される。このように照射されたレーザー光Ｌは、透明な第１ガラス基材１１を透過して第１剥離層１２に到達する。上述したように、第１剥離層１２は、改質されることにより密着力が低下又は消失する。このため、レーザー光Ｌによって改質されることにより、第１剥離層１２の密着力が低下又は消失し、第１ガラス基材１１及び第１剥離層１２は、第１金属層１３から剥離される（図６（ａ））。

一方、第１剥離層１２の面のうち第１ガラス基材１１の反対側の面には、第１金属層１３が設けられている。このため、第１剥離層１２を透過したレーザー光Ｌは、第１金属層１３によって反射されて、第１ガラス基材１１側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが樹脂基材２２まで達することがなく、第１剥離層１２を透過したレーザー光Ｌが樹脂基材２２に悪影響を及ぼすことはない。なお、第１金属層１３は、樹脂基材２２に密着した状態を維持する。

次に、例えばフォトリソグラフィー法により、第１金属層１３が所定のパターン形状にパターニングされる（図６（ｂ））。この際、まず第１金属層１３の裏面（樹脂基材２２の反対側の面）に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像して図示しないレジスト層を形成する。その後、このレジスト層を耐腐蝕膜として第１金属層１３に腐蝕液でエッチングを施すことにより第１金属層１３を所定のパターンに形成する。腐蝕液は、使用する第１金属層１３の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、第１金属層１３としてモリブデンを用いる場合、塩化第二鉄水溶液を含むエッチング液、過酸化水素水を含むエッチング液、又は、リン酸と酢酸と硝酸とを含むエッチング液を使用することができる。このパターニングされた第１金属層１３は、表示装置２０の裏面（発光面の反対側の面）において、有機ＥＬ素子２４に電気を供給する配線としての役割を果たす。

次いで、パターニングされた第１金属層１３上及び樹脂基材２２上に、表示装置２０を支持する支持基材２１を配置する（図６（ｃ））。支持基材２１には、上述した第１ガラス基材１１よりも可撓性を有するフィルムが用いられる。例えば、支持基材２１としては、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを用いることができる。支持基材２１は、接着剤により第１金属層１３及び樹脂基材２２の裏面（第２金属層１４の反対側の面）に貼り付けられても良い。このようにして、表示装置２０の第２中間体２０ｂが支持基材２１に支持される。

次に、表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させる（図６（ｄ））。

その後、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離する（図７（ａ））。仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第２中間体２０ｂは個々の表示装置２０毎に切断され個片化される（図７（ｂ））。

以上の一連の工程により、図２に示す表示装置２０を得ることができる（図７（ｂ））。

このように、本実施の形態によれば、樹脂基材２２の第１貫通孔２２ａに第１貫通電極１５が充填され、第１貫通電極１５によって、第１金属層１３と第２金属層１４とが電気的に接続されている。この場合、樹脂基材２２の裏面側（発光面の反対の面側）に配置された第１金属層１３を、有機ＥＬ素子（発光素子）２４へ電気を供給するための配線として用いることができる。このように、有機ＥＬ素子２４へ電気を供給するための配線を表示装置２０の裏面側に配置することにより、上記配線を表示装置２０の周囲のベゼル（額縁部）に配置する必要がない。このため、表示装置２０のベゼル自体をなくすことができる。この結果、表示装置２０の見栄えを向上させることができる。また、小型のサイズの表示装置２０を複数枚タイリング（平面充填）することを容易に実現することができる。

また、本実施の形態によれば、第１剥離層１２はレーザー光Ｌを吸収することにより分解され、第１金属層１３が第１剥離層１２を透過したレーザー光Ｌを反射可能になっている。これにより、表示装置２０の製造工程において、第１ガラス基材１１を第１金属層１３から確実に剥離することができるとともに、第１剥離層１２をレーザー光Ｌによって加熱する際、レーザー光Ｌから樹脂基材２２を保護することができる。この結果、第１ガラス基材１１の破れ又は樹脂基材２２に煤が発生することを抑制することができる。すなわち、第１ガラス基材１１の厚みにムラがあることを考慮して、レーザー光Ｌの焦点が確実に第１剥離層１２に達するように設定しておくことができる。この場合、第１ガラス基材１１の厚みのムラにより、レーザー光Ｌの焦点が樹脂基材２２側にずれたとしても、第１金属層１３によってレーザー光Ｌが反射される。この結果、樹脂基材２２が第１金属層１３により保護され、樹脂基材２２にレーザー光Ｌが到達する不具合が防止される。

また、本実施の形態によれば、第１金属層１３が、所定のパターン形状にパターニングされている。これにより、上述したように、第１金属層１３を有機ＥＬ素子（発光素子）２４へ電気を供給するための配線として用いることができる。

また、本実施の形態によれば、第１金属層１３が、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金を含んでいる。これにより、表示装置２０が用いられる最終製品において、有機ＥＬ素子２４に電気を供給する配線となる第１金属層１３の導電性を向上させるとともに、表示装置２０の製造工程において、第１金属層１３によるレーザー光の反射率を高めることができる。

（第２の実施の形態）
次に、図８乃至図１１を参照して、第２の実施の形態について説明する。図８乃至図１１は第２の実施の形態を示す図である。図８乃至図１１に示す第２の実施の形態は、主として薄膜トランジスタ２３が樹脂基材２２に対して有機ＥＬ素子２４の反対側に設けられているものである。図８乃至図１１において、図１乃至図７に示す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下においては、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。

（表示装置の構成）
図８に示す表示装置４０は、図１に示す表示装置形成用基板１０を用いて作製されたものである。この表示装置４０は、フレキシブルな表示装置であり、ベゼルを有さない表示装置である。表示装置４０は、第２金属層１４と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２３と、樹脂基材２２と、第１金属層１３と、有機ＥＬ素子（発光素子）２４と、封止樹脂（ＴＦＥ）２５と、を備えている。

このうち第２金属層１４は、所定のパターン状に形成されるとともに、樹脂基材２２の裏面（一方の面、発光面の反対側の面）上に直接配置されている。この第２金属層１４は、図１に示す表示装置形成用基板１０の第２金属層１４を所定のパターン状の平面形状に形成したものである。パターン状の第２金属層１４は、樹脂基材２２に埋設された第１貫通電極１５（後述）に電気的に接続されている。この第２金属層１４は、薄膜トランジスタ２３に電気を供給するための配線としての役割を果たす。このように、第２金属層１４が樹脂基材２２の裏面に配置されていることにより、薄膜トランジスタ２３に電気を供給する配線を表示装置４０の周縁に配置する必要がなく、ベゼルを有さない表示装置４０を作製することが可能となる。

薄膜トランジスタ２３は、第２金属層１４の裏面（一方の面、発光面の反対側の面）上に直接配置されている。この薄膜トランジスタ２３は、有機ＥＬ素子２４を駆動するためのものであり、有機ＥＬ素子２４の後述する第１電極２６及び第２電極２８に印加される電圧を制御するようになっている。このように、薄膜トランジスタ２３が樹脂基材２２の裏面に配置されていることにより、表示装置４０の電力効率や輝度を向上させることができる。

樹脂基材２２は、第２金属層１４の表面（他方の面、発光面側の面）上に直接配置されている。この樹脂基材２２は、樹脂基材２２を貫通して形成された第１貫通孔２２ａを有している。第１貫通孔２２ａには、第１貫通電極１５が充填されている。第１貫通電極１５は、第１金属層１３と第２金属層１４とを電気的に接続している。

第１金属層１３は、所定のパターン状に形成されるとともに、樹脂基材２２の表面（他方の面、発光面側の面）上に直接配置されている。この第１金属層１３は、第１貫通電極１５及び有機ＥＬ素子２４に電気的に接続されている。また第１金属層１３は、有機ＥＬ素子２４からの光を表面（他方の面、発光面側の面）側に反射するための反射層としての役割も果たす。

有機ＥＬ素子２４は、第１金属層１３の表面（他方の面、発光面側の面）上に直接配置されている。この有機ＥＬ素子２４は、第１金属層１３上に配置された第１電極（反射電極）２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極（透明電極）２８とを有している。

封止樹脂２５は、有機ＥＬ素子２４上及び樹脂基材２２上に配置されている。この封止樹脂２５は、有機ＥＬ素子２４を封止し、有機ＥＬ素子２４を保護するためのものである。

このほか、第２金属層１４、薄膜トランジスタ２３、樹脂基材２２、第１貫通電極１５、第１金属層１３及び有機ＥＬ素子２４の構成は、それぞれ第１の実施の形態における構成と略同様であり、詳細な説明は省略する。

（表示装置の製造方法）
次に、図９（ａ）−（ｄ）、図１０（ａ）−（ｄ）、及び図１１（ａ）−（ｄ）により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図９（ａ）−（ｄ）、図１０（ａ）−（ｄ）、及び図１１（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば第１の実施の形態の場合（図３（ａ）−（ｅ））と同様に、表示装置形成用基板１０を作製する。

次に、図９（ａ）に示すように、例えばフォトリソグラフィー法により、第２金属層１４を所定のパターン形状にパターニングする。この際、まず第２金属層１４の裏面（一方の面、発光面の反対側の面）に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像して図示しないレジスト層を形成する。その後、このレジスト層を耐腐蝕膜として第２金属層１４に腐蝕液でエッチングを施すことにより第２金属層１４を所定のパターンに形成する。腐蝕液は、使用する第２金属層１４の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、第２金属層１４として銅を用いる場合、塩化第二鉄水溶液を含むエッチング液を使用することができる。

続いて、図９（ｂ）に示すように、第２金属層１４の裏面（一方の面、発光面の反対側の面）上に薄膜トランジスタ２３を配置する。この場合、薄膜トランジスタ２３は、第２金属層１４及び第１貫通電極１５を介して第１金属層１３に電気的に接続される。

次に、図９（ｃ）に示すように、樹脂基材２２、第２金属層１４及び薄膜トランジスタ２３上に、第２剥離層４２及び第２ガラス基材４１を配置する。この場合、第２剥離層４２は、樹脂基材２２の裏面（一方の面、発光面の反対側の面）と、第２金属層１４の裏面と、薄膜トランジスタ２３の裏面とにそれぞれ接合される。

この間、まず第２ガラス基材４１と第２剥離層４２とを一体化した基板を準備しておき、この基板の第２剥離層４２を樹脂基材２２、第２金属層１４及び薄膜トランジスタ２３上に配置する。この場合、第２剥離層４２は、例えばダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により、第２ガラス基材４１上に予め形成される。第２剥離層４２の材料としては、上述した第１剥離層１２の材料として挙げた各種材料のいずれかを用いることができる。この場合、第２剥離層４２は、薄膜トランジスタ２３上に形成されるので、薄膜トランジスタ２３を形成する際の熱応力が第２剥離層４２に加わることがない。このため、第２剥離層４２の厚みは、第１剥離層１２の厚みより厚くしても良く、例えば０．０１５μｍ以上１０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。第２剥離層４２の厚みを厚くすることにより、後述するレーザー光Ｌ（図１１（ａ））の焦点が厚み方向に多少ずれたとしても、その焦点は第２剥離層４２内に確実に収まる。したがって、第２剥離層４２側にはレーザー光Ｌを反射する金属層が設けられていなくても良い。また、第２ガラス基材４１としては、上述した第１ガラス基材１１の材料として挙げた各種材料のいずれかを用いることができる。第２ガラス基材４１の厚みは、例えば５０μｍ以上９００μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。このようにして表示装置４０の中間体４０ａが作製される。

続いて、図９（ｄ）に示すように、表示装置４０の中間体４０ａを反転させ、第１ガラス基材１１及び第１剥離層１２を第１金属層１３から剥離する。このとき、第１ガラス基材１１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ又は３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射する。このレーザー光Ｌによって改質されることにより、第１剥離層１２の密着力が低下又は消失し、第１ガラス基材１１及び第１剥離層１２は、第１金属層１３から剥離される（図１０（ａ））。

一方、第１剥離層１２の面のうち第１ガラス基材１１の反対側の面には、第１金属層１３が設けられている。このため、第１剥離層１２を透過したレーザー光Ｌは、第１金属層１３によって反射されて、第１ガラス基材１１側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが樹脂基材２２まで達することがなく、第１剥離層１２を透過したレーザー光Ｌが樹脂基材２２に悪影響を及ぼすことはない。なお、第１金属層１３は、樹脂基材２２に密着した状態を維持する。

次に、例えばフォトリソグラフィー法により、第１金属層１３が所定のパターン形状にパターニングされる（図１０（ｂ））。この際、まず第１金属層１３の表面（他方の面、発光面側の面）に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像して図示しないレジスト層を形成する。その後、このレジスト層を耐腐蝕膜として第１金属層１３に腐蝕液でエッチングを施すことにより第１金属層１３を所定のパターンに形成する。腐蝕液は、使用する第１金属層１３の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、第１金属層１３としてモリブデンを用いる場合、塩化第二鉄水溶液を含むエッチング液、過酸化水素水を含むエッチング液、又は、リン酸と酢酸と硝酸とを含むエッチング液を使用することができる。このパターニングされた第１金属層１３は、有機ＥＬ素子２４へ電気を供給するとともに、有機ＥＬ素子２４からの光を反射する役割を果たす。

次に、図１０（ｃ）に示すように、パターニングされた第１金属層１３上に、有機ＥＬ素子（発光素子）２４を配置する。このとき、第１金属層１３上には、図示はしないが、各々が各表示装置４０に対応する複数の有機ＥＬ素子２４が配置される。各々の有機ＥＬ素子２４は、第１金属層１３上に配置された第１電極２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極２８とを有している。なお、有機ＥＬ素子２４を形成する方法は、第１の実施の形態の場合と略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

次いで、第１金属層１３上に配置された有機ＥＬ素子２４を封止樹脂２５によって封止する（図１０（ｄ））。なお、封止樹脂２５を形成する方法は、第１の実施の形態の場合と略同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。

次に、図１１（ａ）に示すように、表示装置４０の中間体４０ａを反転させ、第２ガラス基材４１及び第２剥離層４２を、樹脂基材２２、第２金属層１４及び薄膜トランジスタ２３から剥離する。このとき、第２ガラス基材４１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ又は３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射する。このレーザー光Ｌによって改質されることにより、第２剥離層４２の密着力が低下又は消失し、第２ガラス基材４１及び第２剥離層４２は、樹脂基材２２、第２金属層１４及び薄膜トランジスタ２３から剥離される（図１１（ｂ））。

続いて、表示装置４０の中間体４０ａを反転させる（図１１（ｃ））。その後、切断装置（図示せず）によって、表示装置４０の中間体４０ａは、個々の表示装置４０毎に切断され個片化される（図１１（ｄ））。

以上の一連の工程により、図８に示す表示装置４０を得ることができる（図１１（ｄ））。

このように、本実施の形態によれば、樹脂基材２２の第１貫通孔２２ａに第１貫通電極１５が充填され、第１貫通電極１５によって、第１金属層１３と第２金属層１４とが電気的に接続されている。この場合、樹脂基材２２の裏面側（発光面の反対の面側）に配置された第２金属層１４を、有機ＥＬ素子（発光素子）２４へ電気を供給するための配線として用いることができる。これにより、上記配線を表示装置４０の周囲のベゼル（額縁部）に配置する必要がなくなるので、表示装置４０のベゼル自体をなくすことができる。この結果、表示装置４０の見栄えを向上させることができる。また、小型のサイズの表示装置４０を複数枚タイリング（平面充填）することを容易に実現することができる。

また、本実施の形態によれば、第１金属層１３を有機ＥＬ素子（発光素子）２４へ電気を供給するための配線として用いるとともに、有機ＥＬ素子２４の光を反射する反射層として用いることができる。

また、本実施の形態によれば、薄膜トランジスタ２３が樹脂基材２２の裏面側（発光面の反対の面側）に配置されているので、樹脂基材２２の表面側（発光面側）において画素面積を有効に使うことができ、電力効率や画面輝度を向上させることができる。

なお、上記各実施の形態において、発光素子として有機ＥＬ素子２４を用いる場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない、発光素子としては、有機ＥＬ素子２４に代えて、ＬＥＤ素子（μ−ＬＥＤ素子）を用いても良い。この場合、フレキシブルなμ−ＬＥＤ表示装置を提供することが可能となる。

上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ 表示装置形成用基板
１１ 第１ガラス基材
１２ 第１剥離層
１３ 第１金属層
１４ 第２金属層
１５ 第１貫通電極
２０ 表示装置
２０ａ 第１中間体
２０ｂ 第２中間体
２１ 支持基材
２２ 樹脂基材
２２ａ 第１貫通孔
２３ 薄膜トランジスタ
２４ 有機ＥＬ素子
２５ 封止樹脂
２６ 第１電極
２７ 有機発光層
２８ 第２電極
２９ 仮支持基材
３１ バリア層
３１ａ 第２貫通孔
３２ 第２貫通電極
４０ 表示装置
４０ａ 中間体
４１ 第２ガラス基材
４２ 第２剥離層

Claims (9)

1. 表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、
   第１ガラス基材と、
   前記第１ガラス基材上に積層された第１剥離層と、
   前記第１剥離層上に積層された第１金属層と、
   前記第１金属層上に積層され、第１貫通孔を有する樹脂基材と、
   前記樹脂基材上に積層された第２金属層と、を備え、
   前記第１貫通孔に第１貫通電極が充填され、前記第１貫通電極によって前記第１金属層と前記第２金属層とが電気的に接続されている、表示装置形成用基板。
2. 前記第１金属層は、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金を含む、請求項１に記載の表示装置形成用基板。
3. 前記第１金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の表示装置形成用基板。
4. 第１貫通孔を有する樹脂基材と、
   前記樹脂基材の一方の面上に配置された第１金属層と、
   前記樹脂基材の他方の面上に配置された第２金属層と、
   前記第２金属層上に配置され、第２貫通孔を有するバリア層と、
   前記バリア層上に配置された薄膜トランジスタと、
   前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された発光素子と、
   前記発光素子上に配置され、前記発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、
   前記第１貫通孔に第１貫通電極が充填され、前記第１貫通電極によって前記第１金属層と前記第２金属層とが電気的に接続され、
   前記第２貫通孔に第２貫通電極が充填され、前記第２貫通電極によって前記薄膜トランジスタと前記第２金属層とが電気的に接続されている、表示装置。
5. 前記第１金属層は、所定のパターン形状にパターニングされている、請求項４に記載の表示装置。
6. 第２金属層と、
   前記第２金属層の一方の面上に配置され、前記前記第２金属層に電気的に接続された薄膜トランジスタと、
   前記第２金属層の他方の面上に配置され、第１貫通孔を有する樹脂基材と、
   前記樹脂基材上に配置された第１金属層と、
   前記第１金属層上に配置され、前記第１金属層に電気的に接続された発光素子と、
   前記発光素子上に配置され、前記発光素子を封止する封止樹脂とを備え、
   前記第１貫通孔に第１貫通電極が充填され、前記第１貫通電極によって前記第１金属層と前記第２金属層とが電気的に接続されている、表示装置。
7. 前記第２金属層は、所定のパターン形状にパターニングされている、請求項６に記載の表示装置。
8. 表示装置の製造方法であって、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板を準備する工程と、
   前記表示装置形成用基板の前記第２金属層上にバリア層を配置する工程と、
   前記バリア層に第２貫通孔を形成する工程と、
   前記第２貫通孔に第２貫通電極を充填するとともに、前記バリア層上に薄膜トランジスタを配置し、前記第２貫通電極によって前記薄膜トランジスタと前記第２金属層とを電気的に接続する工程と、
   前記バリア層上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される発光素子を配置する工程と、
   前記発光素子を封止樹脂によって封止する工程と、
   前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、
   前記第１ガラス基材及び前記第１剥離層を前記第１金属層から剥離する工程と、
   前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程と、を備えた、表示装置の製造方法。
9. 表示装置の製造方法であって、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板を準備する工程と、
   前記表示装置形成用基板の前記第２金属層の一方の面上に、前記第２金属層に電気的に接続される薄膜トランジスタを配置する工程と、
   前記樹脂基材、前記薄膜トランジスタ及び第１金属層上に、第２剥離層及び第２ガラス基材を配置する工程と、
   前記第１ガラス基材及び前記第１剥離層を前記第１金属層から剥離する工程と、
   前記第１金属層上に、発光素子を配置する工程と、
   前記発光素子を封止樹脂によって封止する工程と、
   前記第２ガラス基材及び前記第２剥離層を前記第１金属層から剥離する工程と、を備えた、表示装置の製造方法。

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