JP2018116859A - 表示装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents

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翔一朗 酒井
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Abstract

【課題】画素がダメージを受けるのを抑制しつつ、画素を有する第1領域及び電子部品が実装された第2領域の下の可撓性基材から支持基板を効率良く取り外すことができる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板の第1面に可撓性基材が付着され、前記可撓性基材の前記第1面とは反対側の面に、画素が配列された第1領域と、前記第1領域に並置される領域であって電子部品が実装された第2領域とを有するパネル部材に対し、前記支持基板の前記第1面とは反対側の第2面の側から、前記可撓性基材の前記第1領域及び前記第2領域を含む領域に、第1のエネルギー密度で第1のレーザ光を照射し、前記支持基板の前記第2面の側から、前記可撓性基材の前記第2領域に、第2のエネルギー密度で第2のレーザ光を照射し、前記パネル部材から前記支持基板を剥離する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。【選択図】図4

Description

本発明は、可撓性を有する表示装置の製造方法、及び、表示装置に関する。
支持基板に薄膜層を作製し、この薄膜層を剥離して薄膜デバイスを作製する技術の開発が進められている。支持基板から薄膜層を剥離する方法として、支持基板と薄膜層との間に分離層を設けておき、この分離層にレーザ光を照射して、分離層の内部又は界面において剥離を生じさせ、薄膜層を支持基板から剥離させる方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−244188号公報
支持基板に予め薄膜層を作製し、その後、薄膜層を支持基板から剥離する方法では、薄膜層が支持基板から均一に剥離される必要がある。しかしながら、薄膜デバイスにおける薄膜層は、必ずしも均一な構造を有していないので、薄膜層を支持基板から均一に剥離できるか否かが問題となる。
例えば、シートディスプレイとも呼ばれる、フィルム状の基材に形成される表示装置では、薄膜トランジスタや有機エレクトロルミネセンス素子により形成される表示領域と、表示領域以外の領域でフレキシブルプリント配線基板や電子部品が実装される領域とでは、明らかに構造が異なっている。このような場合、フィルム状の基材を支持基板から均一に剥離できるか否かが問題となる。
本発明の一態様は、支持基板の第1面に可撓性基材が付着され、前記可撓性基材の前記第1面とは反対側の面に、画素が配列された第1領域と、前記第1領域に並置される領域であって電子部品が実装された第2領域とを有するパネル部材に対し、前記支持基板の前記第1面とは反対側の第2面の側から、前記可撓性基材の前記第1領域及び前記第2領域を含む領域に、第1のエネルギー密度で第1のレーザ光を照射し、前記支持基板の前記第2面の側から、前記可撓性基材の前記第2領域に、第2のエネルギー密度で第2のレーザ光を照射し、前記パネル部材から前記支持基板を剥離する、ことを特徴とする表示装置の製造方法である。
本発明の他の一態様は、可撓性基材の第1面に、画素が配列された第1領域と、前記第1領域に並置される領域であって電子部品が実装された第2領域と、を有し、前記可撓性基材の前記第1面とは反対側の第2面において、前記第1領域に重なる領域の表面粗さは、前記第2領域に重なる領域の表面粗さより大きいこと、を特徴とする表示装置である。
(A)は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の製造方法において、支持基板の上に可撓性基材を配置する工程を示す断面図である。(B)は、可撓性基材の第1表面に表示素子層を配置する工程を示す断面図である。 (A)は、可撓性基材の第2表面に電子部品と回路基板を配置しつつ、表示素子層の上に封止フィルムを配置する工程を示す断面図である。(B)は、電子部品の周囲に樹脂層を配置する工程を示す断面図である。 支持基板を通して可撓性基材の裏面の全面に第1のレーザ光を照射する工程を示す断面図である。 支持基板を通して可撓性基材の第2裏面に第2のレーザ光を照射する工程を示す断面図である。 表示装置において、第1のレーザ光が可撓性基材の裏面の全面に全面照射される範囲と第2のレーザ光が可撓性基材の裏の第2面に部分面照射される範囲を示す概略図である。 表示装置において、第1のレーザ光が可撓性基材の裏面の全面に全面照射される範囲と第2のレーザ光が可撓性基材の裏の第2面に部分面照射される範囲を示す概略図である。 (A)は、表示装置を折り曲げる前の断面図であり、(B)は、表示装置を折り曲げた後の断面図である。 画素部と電子部品の断面図である。 (A)は、本発明の一実施形態に係る表示装置の平面図であり、(B)は、(A)のL1−L2線に沿う断面図である。 (A)は、表示装置の折り畳む前の展開平面図であり、(B)は、(A)のL1−L2線に沿う断面図である。 図10の表示装置から回路基板を取り除いた構成を示す図である。 図9(B)の回路基板の拡大断面図である。 第2実施形態に係る表示装置の製造方法の工程を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
(第1実施形態)
図1、図2、図3、図4、図7の各々は、本発明の一実施形態に係る表示装置10の製造工程の一部を示す断面図である。これらの図を参照しつつ、表示装置10の製造方法に関して以下に説明する。
図1(A)は、支持基板12の第1面12Xに可撓性基材11を配置する表示装置10の製造工程を示す断面図である。可撓性基材11は、可撓性基板、樹脂基材、樹脂基板、フィルム基材、フィルム基板、ともいう。図1(A)に示されるように、支持基板12の第1面12Xに可撓性基材11が付着される。支持基板12は例えばガラスで構成される。支持基板12は、後述するが表示装置10の製造工程にて第1のレーザ光80Xや第2のレーザ光80Yを通過させる必要がある。従って、支持基板12は、少なくともガラス、セラミック、石英のいずれかで構成されれば良く、第1のレーザ光80X(図3参照)や第2のレーザ光80Y(図4参照)を通過させるその他の材質で構成されても良い。このときに、支持基板12上にポリイミド樹脂を塗布する等して、そのポリイミド樹脂によって可撓性基材11がシート状に形成される。
例えば、可撓性基材11を形成する部材として有機樹脂材料が用いられる。有機樹脂材料としては、高分子材料を用いるのが好ましい。例えば、耐熱性が高く機械的性質や化学的性質が優れたポリイミドを用いることが好ましい。
なお、可撓性基材11に適用可能な他の基板部材として、金属の薄板基板、またはガラスの薄板基板に、樹脂材料を塗布・焼成したワニス方式、樹脂フィルムを貼り付けたフィルム方式の複合基板を適用することができる。
図1(B)は、可撓性基材11の表面11Xに表示素子層55を作製する工程を示す断面図である。図1(B)に示されるように、支持基板12の表面が第1面12Xで裏面が第2面12Yとする。可撓性基材11の表面11Xは、可撓性基材11から見ると、支持基板12の第1面12Xとは反対側の面に相当する。可撓性基材11の第1表面H1(第1領域K1の一部)に、表示素子層55が形成される。表示素子層55は、半導体層、導電層、絶縁層が適宜積層され、トランジスタ及び有機EL素子を含むように形成される。
ここで、可撓性基材11の表面で後に表示素子層55を配置する面を第1表面H1とし、可撓性基材11の第1表面H1に対応する裏面を第1裏面J1という。この第1表面H1と第1裏面J1とで囲まれる領域を第1領域K1とする。第1領域K1は、画素を含んだ表示素子層55が配列された領域である。画素は、有機EL素子105(図8参照)を含む。
また、可撓性基材11の表面で第1表面H1以外の面を第2表面H2とし、可撓性基材11の第2表面H2に対応する裏面を第2裏面J2とする。この第2表面H2と第2裏面J2で囲まれる領域を第2領域K2とする。このため、第2領域K2は、第1領域K1に並置される領域と言える。第2領域K2は、電子部品14が実装される領域である。電子部品14(図2参照)としては、ドライバICであっても良い。
また、本実施形態では、第2裏面J2と第1裏面J1とを合わせた面を可撓性基材11の全面Aという。
図2(A)は、可撓性基材11の第2表面H2(第2領域K2)に電子部品14と回路基板15を配置すると共に、可撓性基材11の第1表面H1の表示素子層55の表面に封止フィルム60を配置する工程を示す断面図である。図2(A)に示されるように、可撓性基材11の表面の第2表面H2に電子部品14を配置する。なお、この後に、可撓性基材11の表面の第2表面H2に回路基板15を配置する。このときに、電子部品14や回路基板15が可撓性基材11に熱圧着で実装されても良い。
電子部品14は異方性導電膜16により可撓性基材11の表面に固定される。回路基板15も異方性導電膜16により可撓性基材11の表面に固定される。回路基板15は、可撓性基材11の基材面に沿う方向Xで電子部品14よりも可撓性基材11の一方の端部11Z1側に配置される。
また、可撓性基材11の第1表面H1に表示素子層55を覆うように封止フィルム60が貼り合わされる。封止フィルム60は、耐候性を有して表示素子層55を覆うフィルムである。
図2(B)は、樹脂層65を配置する工程を示す断面図である。図2(B)に示されるように、電子部品14の周囲には、樹脂層65が配置される。すなわち、前述の表示素子層55と封止フィルム60の積層と電子部品14との間には、樹脂層65が配置される。電子部品14と回路基板15との間にも、樹脂層65が配置される。このように、支持基板12、可撓性基材11、表示素子層55、電子部品14を有してパネル部材20が構成される。
図3は、支持基板12を通して可撓性基材11の裏面11Yの全面Aに第1のレーザ光80Xを照射する工程を示す断面図である。そして、可撓性基材11の裏面11Yの全面Aに対して、支持基板12側から第1のレーザ光80Xが全面照射される。すなわち、第1のレーザ光80Xは、支持基板12の第1面12Xとは反対側の第2面12Yの側から、可撓性基材11の第1領域K1及び第2領域K2を含む領域に、第1のエネルギー密度で照射される。
本実施形態では、所定幅の第1のレーザ光80Xが照射位置を変えながら照射される場合を想定している(これに関しては図5を参照しつつ後述する)。なお、第1のレーザ光80Xが全面Aに1回で照射されても良い。従って、ここでいう全面Aは、所定幅の第1のレーザ光80Xが照射される過程では、特に、基材面に沿う方向Xで全面という意味をいう。
この全面照射するときの第1のレーザ光80Xの強度は、例えば、150mJ/cm2とした。この程度の第1のレーザ光80Xの強度であれば、有機EL素子105にはダメージとならず、有機EL素子105の領域の支持基板12が剥離できる。ただし、この第1のレーザ光80Xの強度では、電子部品14が配置される可撓性基材11の第2裏面J2に接着される支持基板12が剥離され難い。
次に、図4に示されるように、可撓性基材11の第2裏面J2(部分面)に対して、支持基板12側から第2のレーザ光80Yが部分面照射される。すなわち、第2のレーザ光80Yは、支持基板12の第2面12Yの側から、可撓性基材11の第2領域K2に、第2のエネルギー密度で照射される。このような第1のレーザ光80Xの全面照射と第2のレーザ光80Yの部分面照射が完了すると、可撓性基材11の全面Aから、換言すればパネル部材20から、支持基板12が剥離(除去)される。
第2裏面J2に照射される第2のレーザ光80Yの強度は、全面Aに照射される第1のレーザ光80Xの強度よりも強い。すなわち、第2のエネルギー密度は、第1のエネルギー密度より高い。
第1のレーザ光80Xが照射された後に、第2のレーザ光80Yが照射される。すなわち、第2裏面J2に第2のレーザ光80Yが部分面照射される方が、全面Aに第1のレーザ光80Xを全面照射されるよりも後である。なお、全面Aに第1のレーザ光80Xが全面照射される方が、第2裏面J2に第2のレーザ光80が部分面照射されるよりも後であっても良い。
この部分照射するときの第2のレーザ光80Yの強度は、例えば、180mJ/cm2とした。この程度の第2のレーザ光80Yの強度であると、電子部材50の領域の支持基板12が剥離できるが、この第2のレーザ光80Yがもし第1裏面J1に照射されると有機EL素子105にはダメージとなる。
第1のレーザ光80Xと第2のレーザ光80Yは、紫外線レーザ光であっても良い。第1のレーザ光80Xと第2のレーザ光80Yは、パルスレーザ光であっても良い。
前述した第1のレーザ光80Xの全面照射と第2のレーザ光80Yの部分面照射により、第2裏面J2の表面粗さは、第1裏面J1の表面粗さよりも粗くなる。これは、前述したように、第2裏面J2に第2のレーザ光80Yを照射した度合いが第1裏面J1に第1のレーザ光80Xを照射した度合いよりも強いためである。また、第2裏面J2に第2のレーザ光80Yを照射する照射回数が第1裏面J1に第1のレーザ光80Xを照射する照射回数よりも多いためである。
例えば、第1のレーザ光80Xの全面照射で行うスポット照射の回数がM回で、第2のレーザ光80Yの部分面照射で行うスポット照射の回数がN回とする。この場合に、可撓性基材11の裏面11Yでは、第1裏面J1ではスポット照射の回数がM回で、第2裏面J2ではスポット照射の回数が(M+N)回となる。従って、第2裏面J2のスポット照射の回数は、第1裏面J1のスポット照射の回数よりも多くなる。
図5は、表示装置10において、第1のレーザ光80Xが可撓性基材11の裏面の全面Aに全面照射される範囲と第2のレーザ光80Yが可撓性基材11の裏の第2裏面J2に部分面照射される範囲を示す概略図である。図6は、表示装置10において、第1のレーザ光80Xが可撓性基材11の裏面の全面Aに全面照射される範囲と第2のレーザ光80Yが可撓性基材11の裏の第2裏面J2に部分面照射される範囲を示す概略図である。電子部品14の周囲が全面照射と部分面照射の両方の照射を受けていることが分かる。
図5に示されるように、第1のレーザ光80Xは、線状に集光された第1の線状レーザ光であり、第1の線状レーザ光の長手方向の長さは、第1領域K1と第1領域K1に並置される第2領域K2の双方の領域を同時に照射可能な長さを有する。そして、この第1の線状のレーザ光は、第1領域K1及び第2領域K2に同時に第1の線状レーザ光を照射し、第1の線状レーザ光の長手方向と略直交する方向Mに走査される。
図5に示されるように、第2のレーザ光80Yは、線状に集光された第2の線状レーザ光であり、第2の線状レーザ光の長手方向の長さは、第2領域K2を照射可能な長さを有する。そして、この第2の線状レーザ光は、第2の線状レーザ光の長手方向と略直交する方向Mに走査される。
本実施形態では、第1の領域K1と第2の領域K2にエネルギー密度が低い第1のレーザ光80Xが照射され、第2の領域K2にエネルギー密度が高い第2のレーザ光80Yが重複して照射される。第2のレーザ光80Yにて2回のレーザが別々に照射され、支持基板12が表示装置10から剥離される。こうした2回目の照射により、支持基板12における剥離し難い部分も剥離され易くすることができる。
全面照射と部分面照射により支持基板12が除外された後に、図7(A)の状態から第1裏面J1が断面視でU字状になるように可撓性基材11が折り曲げられて図7(B)の屈曲部11Bが構成される。こうして本実施形態の表示装置10が完成するが、その他の構成は、これ以後に取り付けられていく。
図8は、表示素子層55の構成として、トランジスタ117、容量素子116、有機EL素子105を有する画素部122の断面図を示す。トランジスタ117と有機EL素子105は電気的に接続されている。有機EL素子105はトランジスタ117によって発光が制御される。容量素子116は、例えば、トランジスタ117のゲート電圧を保持するために適宜設けられる。有機EL素子105の上面には無機絶縁層161が設けられている。
トランジスタ117は、半導体層106、ゲート絶縁層107、ゲート電極108が積層された構造を有している。半導体層106は、非晶質又は多結晶のシリコン、もしくは酸化物半導体などで形成される。ソース・ドレイン電極109は、第1絶縁層115aを介して、ゲート電極108の上層に設けられている。ソース・ドレイン電極109の上層には平坦化層としての第2絶縁層115bが設けられている。なお、ゲート電極108と繋がる端子108Xは、電子部品14の端子14Xと異方性導電膜16で接続される。また、ソース・ドレイン電極109と繋がる端子109Xは、電子部品14の端子14Yと異方性導電膜16で接続される。
第2絶縁層115bは、ソース・ドレイン電極109、及び、第1絶縁層115aに設けられたコンタクトホール、ゲート電極108及び半導体層106の形状に伴う第1絶縁層115aの凹凸を埋設し、略平坦な表面を有している。第2絶縁層115bは、無機絶縁層の表面をエッチング加工、化学的機械摩耗加工することで形成された平坦表面、またはアクリル、ポリイミドなどの前躯体を含む組成物を塗布又は堆積し、焼成前にレベリングされた平坦表面を有していてもよい。
容量素子116は、ゲート絶縁層107を誘電体層として、半導体層106と第1容量電極110が重畳する領域、第1絶縁層115aを誘電体層としてソース・ドレイン電極109と第1容量電極110とが挟まれた領域に形成される。
第1電極120は、可撓性基材11の上の絶縁層115の上に配置される。ここでは、第1電極120がアノード電極である。第1電極120は、有機層130がホール注入層、発光層、電子注入層の順に積層される場合に、正孔注入性に優れるITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)やIZO(Indium ZincOxide:酸化インジウム亜鉛)を用いることが好ましい。ITOは透光性導電材料の一種であり、可視光帯域の透過率が高い反面、反射率は極めて低い特性を有している。そのため、第1電極120に光を反射する機能を付加するため、アルミニウム(Al)や銀(Ag)等の金属層を積層させることが好ましい。
有機層130は、第1電極120の上に配置される。有機層130は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を含む層である。有機層130は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。
低分子系の有機材料を用いる場合、有機層130は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで形成されていても良い。例えば、有機層130は、発光層をホール注入層と電子注入層とで挟んだ構造とすることができる。また、有機層130は、ホール注入層と電子注入層に加え、ホール輸送層、電子輸送層、ホールブロック層、電子ブロック層などを適宜負荷されていても良い。
第2電極140は、有機層130の上に配置される。ここでは、第2電極140は、有機EL素子105のカソード電極であると共に、タッチセンサを構成する電極でもある。第2電極140は、有機層130で発光した光を透過させるため、透過性を有し、かつ、導電性を有するITO(酸化スズ添加酸化インジウム)やIZO(酸化インジウム酸化亜鉛)等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。
前述の第1電極120、有機層130、第2電極140の積層は、有機層130が発光した光を第2電極140側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造である。有機層130は、第1電極120と第2電極140との間の電位を制御することで発光が制御される。また、表示領域70には、第1電極120の周縁部を覆い内側領域を露出するようにバンク125が設けられている。第2電極140は、有機層130の上面及びバンク125の上面部に設けられている。
なお、バンク125は、第1電極120の周縁部を覆い、有機樹脂材料で形成される。有機樹脂材料としては、アクリルやポリイミドなどが用いられる。
画素部122の右方には、電子部品14が可撓性基材11の上方の第2絶縁層115bに対して異方性導電膜16によって接着されている。この電子部品14は、左方の画素部122のトランジスタ117を制御するのに用いられる。
電子部品14は、以下のように固定される。可撓性基材11の上方の第2絶縁層115bの表面にはゲート電極108と繋がる端子108Xが設けられる。電子部品14の裏面には端子14Xが設けられる。そして、端子108Xと端子14Xとの間は異方性導電膜16によって接着されている。こうして、第2絶縁層115bの表面の端子108Xに電子部品14が固定される。
可撓性基材11の上方の第2絶縁層115bの表面にはソース・ドレイン電極109と繋がる端子109Xが設けられる。電子部品14の裏面には端子14Yが設けられる。そして、端子109Xと端子14Yとの間は異方性導電膜16によって接着されている。こうして、第2絶縁層115bの表面の端子109Xに電子部品14が固定される。
図9(A)は、本発明の一実施形態に係る表示装置10の平面図であり、図9(B)は、(A)のL1−L2線に沿う断面図である。図10(A)は、表示装置10の折り畳む前の展開平面図であり、図10(B)は、(A)のL1−L2線に沿う断面図である。表示装置10は、可撓性基材11と、可撓性基材11の表面に配置されて有機EL素子105(図8参照)を有する表示素子層55と、表示素子層55の表面に配置される封止フィルム60と、を有する。
また、表示装置10は、可撓性基材11の表面に配置される回路基板15を有している。回路基板15としては例えばフレキシブルプリント回路(FPC)などが挙げられる。回路基板15と表示領域70との間には、電子部品14が設けられる。電子部品14としては、ドライバIC(Integrated Circuit)チップなどが挙げられる。
表示素子層55によって表示領域70が形成される。表示領域70は複数の画素を含む。各画素は、表示素子層55に形成される有機EL素子105とそれに電気的に接続されるトランジスタ117を含み、各有機EL素子105はトランジスタ117によって制御される。各画素は電子部品14と電気的に接続されており、回路基板15を通して外部から入力される映像信号に応じて駆動される。
電子部品14としてのドライバICは、可撓性基材11上、あるいは回路基板15上に実装されて各画素のトランジスタ117を制御する駆動回路として機能する。なお、電子部品14として、抵抗、コンデンサ等の受動素子がさらに設けられていてもよい。電子部品14を設けず、駆動回路を表示領域70の周辺に設けてもよい。
また、表示装置10は、図9のように折り畳まれた状態で流通されても良いし、また、図10のように折り畳まれないで広げられた状態で流通されても良い。例えば、完成品メーカーが図9のように折り畳まれた状態で表示装置10を販売することも考えられる。また、部品メーカーが表示装置の完成品メーカーに図10のように広げられた状態で表示装置10を販売することが考えられる。
図11は、図10の表示装置10から回路基板15を取り除いた構成を示す。表示領域70から端子160の側面に向かって配線162が配置されている。配線162は表示領域70並びに電子部品14と電気的に接続されている。配線162の一部が露出しており、露出した部分が端子160として機能する。端子160は異方性導電膜16によって回路基板15と接続されている。
図12は、図9(B)の表示装置10の拡大断面図である。図12に示されるように、表示装置10は、可撓性基材11と、電子部品14と、回路基板15と、表示素子層55と、封止フィルム60と、を有する。可撓性基材11の表面11Xに、電子部品14、回路基板15、表示素子層55と、封止フィルム60とが配置される。以下、これらの構成要素を順に説明する。
可撓性基材11は、一方の端部11Z1から他方の端部11Z2までに亘って平面、曲面、平面が連続する形状で構成されている。すなわち、可撓性基材11は、第1平板状部11Aと、屈曲部11Bと、第2平板状部11Cと、を有し、この順にこれらの部位は連続している。
第1平板状部11Aの表面11X(外側面)には、電子部品14と回路基板15が配置されている。
第2裏面J2は、支持基板12を通して第1のレーザ光80Xで全面照射(図3参照)され、その後に支持基板12を介して第2のレーザ光80Yで部分面照射(図4参照)もされる面でもある。従って、第2裏面J2は、第1のレーザ光80Xの全面照射(図3参照)と第2のレーザ光80Yの部分面照射(図4参照)の2段階の照射を受ける面と言える。
屈曲部11Bは、前述の第1平板状部11Aと連続しており、断面視でU字状に屈曲して構成されている。屈曲部11Bは、表面11X(外側面)に、表示素子層55と封止フィルム60とを有している。ここでは、屈曲部11Bの裏面11Y(内側面)は第1裏面J1(第1領域K1)である。
この屈曲部11Bの第1裏面J1は、支持基板12を通して第1のレーザ光80Xで全面照射されるが(図3参照)、その後に支持基板12を通して第2のレーザ光80Yで部分面照射されない面である。従って、屈曲部11Bの第1裏面J1は、第1のレーザ光80Xによる全面照射の1段階の照射を受ける面と言える。
第2平板状部11Cは、前述の屈曲部11Bと連続している。また、第2平板状部11Cの裏面11Yは、第1平板状部11Aの裏面Yと対向する部位を有する。さらに、第2平板状部11Cは、断面視で、可撓性基材11の基材面に沿う方向Xで第1平板状部11Aよりも広く構成されている部分であると言える。
第2平板状部11Cは、表面11X(外側面)に、表示素子層55と封止フィルム60とを有している。第2平板状部11Cの一部は、表示パネルとして用いられる。ここでは、第2平板状部11Cの裏面11Y(内側面)は第1裏面J1である。
この第2平板状部11Cの第1裏面J1は、支持基板12を通して第1のレーザ光80Xで全面照射されるが(図3参照)、その後に支持基板12を通して第2のレーザ光80Yで部分面照射されない面である。従って、第2平板状部11Cの第1裏面J1は、第1のレーザ光80Xによる全面照射の1段階の照射を受ける面と言える。
本実施形態によれば、有機EL素子105により形成される表示領域と、表示領域以外の領域でFPC15や電子部品14が実装される領域とで、可撓性基材11を支持基板12から均一に剥離できる。
(第2実施形態)
図13は、第2実施形態に係る表示装置の製造方法の工程を示す断面図である。第2実施形態の表示装置の製造方法が第1実施形態の表示装置の製造方法と異なるのは、第2実施形態の表示装置では、「第1のレーザ光80X及び第2のレーザ光80Yは、長手方向の長さが同じ線状レーザ光である」という点である。ここでは、線状レーザ光の長手方向の長さは、第1領域K1と第1領域K1に並置される第2領域K2の双方の領域を同時に照射可能な長さを有する。
図13に示されるように、本実施形態では、シャドーマスク66を用いて第2のレーザ光80Yを照射する。シャドーマスク66としては、第1領域K1を遮蔽し、第2領域K2を開口する構成のものが用いられる。第2のレーザ光80Yを支持基板12側から照射するときに、第2のレーザ光80Yはシャドーマスク66で遮断されて可撓性基材11の第1領域K1に到達しない。ただし、第2のレーザ光80Yは、可撓性基材11の第2領域K2に到達する。
本実施形態によれば、同じレーザ装置を用いて、第1のレーザ光80Xと第2のレーザ光80Yとが両方とも同じ幅と長さのレーザを用いて打つことができる。ただし、第2のレーザ光80Yのエネルギー密度が第1のレーザ光80Xのエネルギー密度よりも大きい点に関しては、第1実施形態と同様である。
前述してきた第1実施形態又は第2実施形態の構成によれば、有機EL素子105がダメージを受けるのを抑制しつつ、有機EL素子105を有する表示素子層55及び電子部品14の下の可撓性基材11から支持基板12を効率良く取り外すことができる。
10 表示装置
11 可撓性基材
12 支持基板
14 電子部品
55 表示素子層
60 封止フィルム
80X 第1のレーザ光
80Y 第2のレーザ光
105 有機EL素子
K1 第1領域
K2 第2領域

Claims (19)

  1. 支持基板の第1面に可撓性基材が付着され、前記可撓性基材の前記第1面とは反対側の面に、画素が配列された第1領域と、前記第1領域に並置される領域であって電子部品が実装された第2領域とを有するパネル部材に対し、
    前記支持基板の前記第1面とは反対側の第2面の側から、前記可撓性基材の前記第1領域及び前記第2領域を含む領域に、第1のエネルギー密度で第1のレーザ光を照射し、
    前記支持基板の前記第2面の側から、前記可撓性基材の前記第2領域に、第2のエネルギー密度で第2のレーザ光を照射し、
    前記パネル部材から前記支持基板を剥離する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 前記第2のエネルギー密度は、前記第1のエネルギー密度より高い、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記第1のレーザ光を照射した後に、前記第2のレーザ光を照射する、請求項1又は請求項2に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記第1のレーザ光は線状に集光された第1の線状レーザ光であり、前記第1の線状レーザ光の長手方向の長さは、前記第1領域と前記第1領域に並置される前記第2領域の双方の領域を同時に照射可能な長さを有する、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記第1領域及び前記第2領域に同時に前記第1の線状レーザ光を照射し、前記第1の線状レーザ光を前記長手方向と略直交する方向に走査する、請求項4に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記第2のレーザ光は線状に集光された第2の線状レーザ光であり、前記第2の線状レーザ光の長手方向の長さは、前記第2領域を照射可能な長さを有する、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記第2の線状レーザ光を、前記長手方向と略直交する方向に走査する、請求項6に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光は、長手方向の長さが同じ線状レーザ光であり、
    前記線状レーザ光の長手方向の長さは、前記第1領域と前記第1領域に並置される前記第2領域の双方の領域を同時に照射可能な長さを有し、
    前記第2のレーザ光を照射するときに、前記第1領域を遮蔽し、前記第2領域を開口するシャドーマスクを用いて照射する、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光は、紫外線レーザ光である、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光は、パルスレーザ光である、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  11. 前記画素は有機EL素子を含み、前記電子部品はドライバICである、請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  12. 前記第1領域に、前記画素を覆う封止フィルムを貼り合わせる、請求項11に記載の表示装置の製造方法。
  13. 前記ドライバICを、熱圧着で実装する、請求項11又は請求項12に記載の表示装置の製造方法。
  14. 前記支持基板の上にポリイミド樹脂を塗布して前記可撓性基材を形成する、請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  15. 可撓性基材の第1面に、画素が配列された第1領域と、前記第1領域に並置される領域であって電子部品が実装された第2領域と、を有し、
    前記可撓性基材の前記第1面とは反対側の第2面において、前記第1領域に重なる領域の表面粗さは、前記第2領域に重なる領域の表面粗さより大きいこと、を特徴とする表示装置。
  16. 前記画素は有機EL素子を含み、前記電子部品はドライバICである、請求項15に記載の表示装置。
  17. 前記第1領域には、前記画素が配列された領域を覆う封止フィルムが設けられている、請求項15又は請求項16に記載の表示装置。
  18. 前記可撓性基材は、ポリイミド樹脂である、請求項15乃至請求項17のいずれか1項に記載の表示装置。
  19. 前記可撓性基材は、前記第1領域に屈曲部を有する、請求項15乃至請求項18のいずれか1項に記載の表示装置。
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