JP2020085990A - 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び反射防止膜 - Google Patents
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Abstract
Description
1.(A)酸架橋性基含有シリコーン樹脂、
(B)光酸発生剤、及び
(C)中空シリカ
を含む感光性樹脂組成物。
2.前記酸架橋性基が、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基から選ばれる基である1の感光性樹脂組成物。
3.(A)成分が、下記式(A1)〜(A6)で表される繰り返し単位を含むシリコーン樹脂を含む2の感光性樹脂組成物。
4.(C)中空シリカの平均粒子径が、1μm以下である1〜3のいずれかの感光性樹脂組成物。
5.(C)中空シリカを20〜90質量%含む1〜4のいずれかの感光性樹脂組成物。
6.更に、(D)架橋剤を含む1〜5のいずれかの感光性樹脂組成物。
7.更に、(E)酸化防止剤を含む1〜6のいずれかの感光性樹脂組成物。
8.更に、(F)溶剤を含む1〜7のいずれかの感光性樹脂組成物。
9.(i)1〜8のいずれかの感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。
10.9のパターン形成方法を含む、パターンが形成された感光性樹脂皮膜からなる反射防止膜の製造方法。
11.1〜8のいずれかの感光性樹脂組成物から得られる反射防止膜。
12.11の反射防止膜を備える物品。
(A)成分の酸架橋性基含有シリコーン樹脂は、シロキサン構造及び酸架橋性基を有する樹脂である。ここで、酸架橋性基とは、酸の作用によって化学的結合を結ぶことができる基を意味する。本発明において前記酸架橋性基としては、エポキシ基、オキセタン基、ビニルエーテル基等が好ましく、特にエポキシ基が好ましい。
(B)成分の光酸発生剤は、光照射によって分解し、酸を発生するものであれば特に限定されないが、波長190〜500nmの光を照射することによって酸を発生するものが好ましい。(B)光酸発生剤は、硬化触媒として用いられる。前記光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
(C)成分の中空シリカは、ケイ素化合物又は有機ケイ素化合物から導出されるシリカ粒子であって、前記シリカ粒子の表面及び/又は内部に空間が存在する形態の粒子である。中空シリカは、低屈折剤として作用し、硬化膜に反射防止効果を持たせるものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(D)成分として架橋剤を含んでもよい。架橋剤は、(A)成分のエポキシ基と反応を起こし、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、光硬化後の樹脂皮膜の強度を更に上げるものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、添加剤として酸化防止剤を含んでもよい。酸化防止剤を含むことで、耐熱性を向上させることができる。前記酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、その塗布性を向上させるために、(F)成分として溶剤を含んでもよい。(F)溶剤としては、前述した(A)〜(E)成分やその他の各種添加剤を溶解、分散することができるものであれば、特に限定されない。
本発明の感光性樹脂組成物は、前述した各成分以外に、その他の添加剤を含んでもよい。添加剤としては、例えば、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法は、
(i)前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像する工程
を含むものである。
[合成例1]樹脂A−1の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−5)265.0g(1.00モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−1)164.9g(0.85モル)及び化合物(S−2)(y1=40、信越化学工業(株)製)453.0g(0.15モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂A−1を得た。樹脂A−1は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)並びにGPC測定により、構造を確認した。樹脂A−1のMwは65,000、シリコーン含有率は51.3質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−3)111.6g(0.60モル)、化合物(S−4)156.8g(0.40モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−1)135.8g(0.70モル)及び化合物(S−2)(y1=40、信越化学工業(株)製)906.0g(0.30モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂A−2を得た。樹脂A−2は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)並びにGPC測定により、構造を確認した。樹脂A−2のMwは55,000、シリコーン含有率は77.7質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−3)111.6g(0.60モル)、化合物(S−5)106.0g(0.40モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−1)174.6g(0.90モル)及び化合物(S−2)(y1=40、信越化学工業(株)製)302.0g(0.10モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂A−3を得た。樹脂A−3は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)並びにGPC測定により、構造を確認した。樹脂A−3のMwは50,000、シリコーン含有率は59.6質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−4)392.0g(1.00モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−1)155.2g(0.80モル)及び化合物(S−2)(y1=20、信越化学工業(株)製)317.0g(0.20モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂A−4を得た。樹脂A−4は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)並びにGPC測定により、構造を確認した。樹脂A−4のMwは23,000、シリコーン含有率は36.7質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−4)274.4g(0.70モル)、化合物(S−5)79.5g(0.30モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−1)58.2g(0.30モル)及び化合物(S−2)(y1=20、信越化学工業(株)製)1,109.5g(0.70モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂A−5を得た。樹脂A−5は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)並びにGPC測定により、構造を確認した。樹脂A−5のMwは42,000、シリコーン含有率は72.9質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−3)55.8g(0.30モル)、化合物(S−4)117.6g(0.30モル)、化合物(S−5)106.0g(0.40モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−1)135.8g(0.70モル)及び化合物(S−2)(y1=20、信越化学工業(株)製)475.5g(0.30モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂A−6を得た。樹脂A−6は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)並びにGPC測定により、構造を確認した。樹脂A−6のMwは31,000、シリコーン含有率は59.6質量%であった。
攪拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテル70g、トルエン70gを仕込み、窒素ガス雰囲気下で80℃に昇温し、反応温度を80℃±2℃に保ちながら、メタクリル酸メチル90g、メタクリル酸10g及び2,2'−アゾビス(イソブチロニトリル)を4時間かけて均一に滴下した。滴下後、80℃±2℃で6時間攪拌を続け、アクリル樹脂1の溶液を得た。アクリル樹脂1のMwは、50,000であった。
[実施例1〜14及び比較例1〜18]
表1〜4に記載の配合量に従って各成分を配合し、その後常温にて攪拌、混合、溶解し、実施例1〜14及び比較例1〜18の感光性樹脂組成物を得た。
(1)パターン形成、及びその評価
ガラス基板上に、スピンコーターを使用して、3μmの膜厚で各感光性樹脂組成物をコートした。組成物から溶剤を除去するため、基板をホットプレートにのせ、110℃で3分間、加熱乾燥させた。得られた感光性樹脂皮膜に対してラインアンドスペースパターン及びコンタクトホールパターンを形成するためにマスクを介し、365nmの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。光照射後、ホットプレートにより120℃で3分間PEBを行った後冷却し、前記基板をPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)にて60秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。
(1)でパターン形成した硬化後の実施例1〜14及び比較例1〜18の各感光性樹脂皮膜付き基板をダイシングブレードを備えるダイシングソー(DAD685、DISCO社製、スピンドル回転数は40,000rpm、切断速度は20mm/sec)を使用して10mm×10mm角の試験片を得た。得られた試験片(各10片づつ)をヒートサイクル試験(−25℃で10分間保持、125℃で10分間保持を1,000サイクル繰り返した。)に供し、ヒートサイクル試験後の感光性樹脂皮膜の基板からの剥離状態、及びクラックの有無を確認した。全く剥離・クラックを生じなかったものを良好、1つでも剥離を生じたものを剥離、1つでもクラックが生じたものをクラックとした。結果を表5〜7に示す。
作製したフィルムを直径5mmの心棒に巻きつけ、10秒間静置後、フィルムを元に戻した。これを10回繰り返し、フィルム上に異常がないか確認を行った。割れ等が発生していた場合は「×」、変化がない場合は「○」とした。結果を表5〜7に示す。
測定サンプルの裏面をサンドペーパーで数回擦り、艶消しの黒色塗料を塗布した後、波長400〜700nmで光の入射角5゜の片面の反射率を分光光度計(U-3310、(株)日立ハイテクサイエンス製)を用いて測定し、測定範囲内での最小反射率(%)を光反射率として用いた。結果を表5〜7に示す。
8インチガラスウエハー上に、スピンコーターを使用して、膜厚3μmとなるように各感光性樹脂組成物をコートした。組成物から溶剤を除去するため、ガラスウエハーをホットプレートにのせ、100℃で5分間、加熱乾燥させた。
ガラスウエハーに塗布した組成物全面に対して、マスクを介さず、ズース・マイクロテック社のマスクアライナーMA8を用い、高圧水銀灯(波長360nm)を光源とする光を照射したのち、PEBを行い、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに浸漬した。この操作後に残った皮膜を更に190℃のオーブンで2時間加熱して、皮膜を得た。この皮膜について、分光光度計(U-3900H、(株)日立ハイテクサイエンス製)を用いて、波長450nmの光の透過率を測定した。結果を表5〜7に示す。
前記方法で得られたガラスウエハー上の皮膜からなるサンプルに、140℃のオーブン中で、波長450nm、1Wのレーザーを当て続けた。1,000時間経過後の波長450nmの光の透過率を測定した。結果を表5〜7に示す。
Claims (12)
- (A)酸架橋性基含有シリコーン樹脂、
(B)光酸発生剤、及び
(C)中空シリカ
を含む感光性樹脂組成物。 - 前記酸架橋性基が、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基から選ばれる基である請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- (A)成分が、下記式(A1)〜(A6)で表される繰り返し単位を含むシリコーン樹脂を含む請求項2記載の感光性樹脂組成物。
- (C)中空シリカの平均粒子径が、1μm以下である請求項1〜3のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- (C)中空シリカを20〜90質量%含む請求項1〜4のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(D)架橋剤を含む請求項1〜5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(E)酸化防止剤を含む請求項1〜6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(F)溶剤を含む請求項1〜7のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- (i)請求項1〜8のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、及び
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を、現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。 - 請求項9記載のパターン形成方法を含む、パターンが形成された感光性樹脂皮膜からなる反射防止膜の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物から得られる反射防止膜。
- 請求項11記載の反射防止膜を備える物品。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010026360A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Toray Ind Inc | ネガ型感光性シロキサン樹脂組成物 |
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DE69514201T2 (de) * | 1994-11-24 | 2000-08-03 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
US6509423B1 (en) * | 2001-08-21 | 2003-01-21 | Dow Corning Corporation | Silicone composition and cured silicone product |
JP2003292831A (ja) | 2002-04-02 | 2003-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | 低屈折率コーティング剤及び反射防止フィルム |
WO2004017105A1 (en) * | 2002-08-15 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Antireflection film, polarizing plate and image display device |
US7419707B2 (en) * | 2005-02-21 | 2008-09-02 | Fujifilm Corporation | Coating composition for the formation of low refractive index layer, antireflection film, polarizing plate and liquid crystal display device |
JP2009037064A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 反射防止基材の製造方法及び反射防止基材 |
US8637627B2 (en) * | 2007-12-06 | 2014-01-28 | Rohm And Haas Company | Phenoxyphenyl polysiloxane composition and method for making and using same |
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JP5449080B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子 |
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US8796410B2 (en) * | 2011-05-23 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device |
JPWO2012165448A1 (ja) * | 2011-06-01 | 2015-02-23 | 日本ゼオン株式会社 | 樹脂組成物および半導体素子基板 |
JP5942859B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2016-06-29 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010026360A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Toray Ind Inc | ネガ型感光性シロキサン樹脂組成物 |
JP2010217504A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Konica Minolta Opto Inc | 反射防止フィルム |
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