JP2020084279A - 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第2発明の銅張積層板は、第1発明において、前記高硫黄濃度層の二次イオン質量分析法により測定した硫黄濃度は5×1018atoms/cm3以上であり、前記低硫黄濃度層の二次イオン質量分析法により測定した硫黄濃度は5×1018atoms/cm3未満であることを特徴とする。
第3発明の銅張積層板は、基材と、前記基材の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、ブライトナー成分を含む銅めっき液を用いて、前記基材をカソードとした正電解と、前記基材をアノードとした逆電解とを交互に行なうことにより成膜されたものであることを特徴とする。
第4発明の銅張積層板は、第3発明において、前記逆電解における電流密度は0.05〜1.00A/dm2であることを特徴とする。
第5発明の銅張積層板の製造方法は、ブライトナー成分を含む銅めっき液を用いた電解めっきにより、基材の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、前記基材をカソードとした正電解と、前記基材をアノードとした逆電解とを交互に行なって前記銅めっき被膜を成膜することを特徴とする。
第6発明の銅張積層板の製造方法は、ブライトナー成分を含む銅めっき液が貯留されためっき槽内を、ロールツーロールにより基材を搬送しつつ、電解めっきにより該基材の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、前記めっき槽内に、前記基材の搬送方向に沿って、前記基材をカソードとした正電解を行なう正電解区域と、前記基材をアノードとした逆電解を行なう逆電解区域とを交互に設けることを特徴とする。
第7発明の銅張積層板の製造方法は、第5または第6発明において、前記逆電解における電流密度は0.05〜1.00A/dm2であることを特徴とする。
第8発明の銅張積層板の製造方法は、第5〜第7発明のいずれかにおいて、前記逆電解の一回あたりの時間は1〜5秒であることを特徴とする。
第9発明の銅張積層板の製造方法は、第5〜第8発明のいずれかにおいて、前記銅めっき液のブライトナー成分の濃度は1〜30mg/Lであることを特徴とする。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板1は、基材10と、基材10の表面に成膜された銅めっき被膜20とからなる。図1に示すように基材10の片面のみに銅めっき被膜20が形成されてもよいし、基材10の両面に銅めっき被膜20が形成されてもよい。
めっき装置3は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材10を搬送しつつ、基材10に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置3はロール状に巻回された基材10を繰り出す供給装置31と、めっき後の基材10(銅張積層板1)をロール状に巻き取る巻取装置32とを有する。
正電解を行なっている間は、銅めっき被膜20の表面に添加剤(ブライトナー成分、レベラー成分およびポリマー成分)が吸着する。ここで、レベラー成分およびポリマー成分は正電解に起因する電気的な作用により銅めっき被膜20の表面に吸着する。一方、ブライトナー成分は電解に関わらず銅めっき被膜20の表面に吸着する。
銅めっき被膜20は銅めっき液のブライトナー成分に由来する硫黄の濃度が高い層(高硫黄濃度層21)と低い層(低硫黄濃度層22)とが交互に積層された構造を有する。銅めっき被膜20内の硫黄により再結晶が阻害されるため、銅めっき被膜20の再結晶の進行が遅くなる。
(硫黄濃度測定試験)
まず、硫黄濃度測定試験を行なった。
つぎの手順で、基材を準備した。ベースフィルムとして、厚さ35μmのポリイミドフィルム(宇部興産社製 Upilex−35SGAV1)を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はCrが20質量%、Niが80質量%である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの片面に、厚さ25nmのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ150nmの銅薄膜層を形成した。
つぎに、再結晶時間測定試験を行なった。
硫黄濃度測定試験と同様の手順で基材および銅めっき液を準備した。また、硫黄濃度測定試験と同様の手順で基材の片面に銅めっき被膜を成膜した。
つぎに、試料1〜7について光沢度測定試験を行なった。
試料1〜7のそれぞれに対して、めっき直後の銅めっき被膜の表面の光沢度を測定した。また、めっき処理から1週間経過した試料1〜7のそれぞれに対して化学研磨を行ない、化学研磨後の銅めっき被膜の表面の光沢度を測定した。さらに、めっき処理から2週間経過した試料1〜7のそれぞれに対して化学研磨を行ない、化学研磨後の銅めっき被膜の表面の光沢度を測定した。光沢度の測定器として、日本電色工業株式会社製のVSR400を用いた。
10 基材
11 ベースフィルム
12 金属層
13 下地金属層
14 銅薄膜層
20 銅めっき被膜
21 高硫黄濃度層
22 低硫黄濃度層
Claims (9)
- 基材と、
前記基材の表面に成膜され、不純物として硫黄を含む銅めっき被膜と、を備え、
前記銅めっき被膜は、硫黄濃度が高い高硫黄濃度層と、硫黄濃度が低い低硫黄濃度層とが交互に積層されてなる
ことを特徴とする銅張積層板。 - 前記高硫黄濃度層の二次イオン質量分析法により測定した硫黄濃度は5×1018atoms/cm3以上であり、
前記低硫黄濃度層の二次イオン質量分析法により測定した硫黄濃度は5×1018atoms/cm3未満である
ことを特徴とする請求項1記載の銅張積層板。 - 基材と、
前記基材の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、
前記銅めっき被膜は、ブライトナー成分を含む銅めっき液を用いて、前記基材をカソードとした正電解と、前記基材をアノードとした逆電解とを交互に行なうことにより成膜されたものである
ことを特徴とする銅張積層板。 - 前記逆電解における電流密度は0.05〜1.00A/dm2である
ことを特徴とする請求項3記載の銅張積層板。 - ブライトナー成分を含む銅めっき液を用いた電解めっきにより、基材の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、
前記基材をカソードとした正電解と、前記基材をアノードとした逆電解とを交互に行なって前記銅めっき被膜を成膜する
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。 - ブライトナー成分を含む銅めっき液が貯留されためっき槽内を、ロールツーロールにより基材を搬送しつつ、電解めっきにより該基材の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、
前記めっき槽内に、前記基材の搬送方向に沿って、前記基材をカソードとした正電解を行なう正電解区域と、前記基材をアノードとした逆電解を行なう逆電解区域とを交互に設ける
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。 - 前記逆電解における電流密度は0.05〜1.00A/dm2である
ことを特徴とする請求項5または6記載の銅張積層板の製造方法。 - 前記逆電解の一回あたりの時間は1〜5秒である
ことを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の銅張積層板の製造方法。 - 前記銅めっき液のブライトナー成分の濃度は1〜30mg/Lである
ことを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載の銅張積層板の製造方法。
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