JP2020079229A - 有機化合物、それを含む有機発光ダイオードおよび有機発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】優秀な発光効率を示し、低電圧でも発光素子を駆動させることができる有機化合物と、有機発光ダイオードおよび有機発光装置の提供。【解決手段】電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分と、アリーレン基を共有する電子受容体であるトリーピリミジン部分とが連結された下式の有機化合物。【選択図】図２
Description
本発明は、有機化合物に関するものであって、さらに詳細には発光効率が優れ、発光ダイオードの駆動電圧を低下させることができる有機化合物と、それを含む有機発光ダイオードおよび有機発光装置に関するものである。
表示装置が大型化するに伴い、スペース占有の少ない平面表示素子に対する要求が増大している。このような平面表示素子のうちの１つであって、有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅ；ＯＬＥＤ）とも言われる有機発光ダイオードを用いた表示装置が注目を集めている。
有機発光ダイオードは、電子注入電極（陰極）と正孔注入電極（陽極）との間に形成された発光物質層に電荷を注入すると、電子と正孔が一対となった後、消滅しながら光を出す素子である。プラスチックのようなフレキシブルな透明基板上にも有機発光ダイオードを形成することができる上に、プラズマディスプレイパネルや無機電界発光（ＥＬ）ディスプレイに比べて低電圧駆動（１０Ｖ以下）が可能であり、また、電力消耗が割と少なくて色純度に優れるというメリットがある。さらに、有機発光ダイオード素子は、緑色・青色・赤色の３つの色を表すことができることから、豊富な色を表現できる次世代のディスプレイ素子として、多くの人の関心を集めている。
有機発光ダイオードは、電子注入電極（陰極）と正孔注入電極（陽極）との間に形成された発光物質層に電荷を注入すると、電子と正孔が一対となった後、消滅しながら光を出す素子である。プラスチックのようなフレキシブルな透明基板上にも有機発光ダイオードを形成することができる上に、プラズマディスプレイパネルや無機電界発光（ＥＬ）ディスプレイに比べて低電圧駆動（１０Ｖ以下）が可能であり、また、電力消耗が割と少なくて色純度に優れるというメリットがある。さらに、有機発光ダイオード素子は、緑色・青色・赤色の３つの色を表すことができることから、豊富な色を表現できる次世代のディスプレイ素子として、多くの人の関心を集めている。
従来、開発された緑色の蛍光物質は、緑色を具現化するには発光強度が足りておらず、発光効率が高くなく、駆動電圧が高いという問題があった。したがって、発光素子に適用したとき、優秀な発光効率を有し、かつ低電圧駆動が可能な緑色の発光物質を開発する必要があった。
そこで、本発明は、優秀な発光効率を示し、低電圧でも発光素子を駆動させることができる有機化合物と、有機発光ダイオードおよび有機発光装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、色純度の改善された有機発光ダイオードおよび有機発光装置を提供することを他の目的とする。
そこで、本発明は、優秀な発光効率を示し、低電圧でも発光素子を駆動させることができる有機化合物と、有機発光ダイオードおよび有機発光装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、色純度の改善された有機発光ダイオードおよび有機発光装置を提供することを他の目的とする。
本発明の一側面によると、本発明は、電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分（ｍｏｉｅｔｙ）と、電子受容体であるトリ‐ピリミジン部分が連結された有機化合物を提供する。一例に、有機化合物は、下記の化学式１の構造を有することができる。
化学式１中、Ｒ１ないしＲ３は、それぞれ独立して、下記の化学式２または化学式３の構造を有し、ＡｒはＣ５〜Ｃ３０のアリーレン基である。
化学式２および化学式３中、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、中央の芳香族環と縮合環を形成する、置換もしくは非置換のＣ５〜Ｃ３０の芳香族環またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロ芳香族環であり、化学式２中、Ｘは、ＣＲ４Ｒ５、ＮＲ６、ＯまたはＳであり、Ｒ４ないしＲ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基である。
他の側面によると、本発明は、前述した有機化合物が発光物質層に含まれた有機発光ダイオードを提供する。
前記発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含む。前記第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、前記第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、または前記第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、前記第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下である。また、前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高く、前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）との差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下である。そして、前記発光物質層は、第２ドーパントをさらに含み、前記第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、前記第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）より低く、前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い。また、前記発光物質層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記有機化合物を含む第１発光物質層と、前記第１電極と前記第１発光物質層との間、または前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置する第２発光物質層とを含む。そして、前記第１発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含み、前記第２発光物質層は、第２ホストと第２ドーパントとを含む。前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高く、前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高くて、前記第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い。前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である。また、前記第２発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、前記第２発光物質層と前記第２電極との間に位置する正孔遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記正孔遮断層の物質と同一である。前記発光物質層は、前記第１発光物質層を中心にして、前記第２発光物質層と反対側に位置する第３発光物質層をさらに含む。前記第１発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含み、前記第２発光物質層は、第２ホストと第２ドーパントとを含み、そして、前記第３発光物質層は、第３ホストと第３ドーパントとを含む。前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントおよび前記第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）より高く、前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高く、前記第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１）より高くて、前記第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ３）は、前記第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ２）より高い。前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記第３発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である。また、前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記第３発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、前記有機発光ダイオードは、前記第２電極と前記第３発光物質層との間に位置する正孔遮断層をさらに備え、前記第３ホストは、前記正孔遮断層の物質と同一である。そして、前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である。
さらに他の側面によると、本発明は、前述した有機化合物が発光物質層に含まれた有機発光ダイオードが基板上に配置される有機発光装置、例えば有機発光ダイオード表示装置を提供する。
前記有機発光装置は、有機発光ダイオード表示装置を含む。
他の側面によると、本発明は、前述した有機化合物が発光物質層に含まれた有機発光ダイオードを提供する。
前記発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含む。前記第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、前記第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、または前記第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、前記第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下である。また、前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高く、前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）との差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下である。そして、前記発光物質層は、第２ドーパントをさらに含み、前記第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、前記第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）より低く、前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い。また、前記発光物質層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記有機化合物を含む第１発光物質層と、前記第１電極と前記第１発光物質層との間、または前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置する第２発光物質層とを含む。そして、前記第１発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含み、前記第２発光物質層は、第２ホストと第２ドーパントとを含む。前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高く、前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高くて、前記第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い。前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である。また、前記第２発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、前記第２発光物質層と前記第２電極との間に位置する正孔遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記正孔遮断層の物質と同一である。前記発光物質層は、前記第１発光物質層を中心にして、前記第２発光物質層と反対側に位置する第３発光物質層をさらに含む。前記第１発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含み、前記第２発光物質層は、第２ホストと第２ドーパントとを含み、そして、前記第３発光物質層は、第３ホストと第３ドーパントとを含む。前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントおよび前記第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）より高く、前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高く、前記第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１）より高くて、前記第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ３）は、前記第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ２）より高い。前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記第３発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である。また、前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記第３発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、前記有機発光ダイオードは、前記第２電極と前記第３発光物質層との間に位置する正孔遮断層をさらに備え、前記第３ホストは、前記正孔遮断層の物質と同一である。そして、前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である。
さらに他の側面によると、本発明は、前述した有機化合物が発光物質層に含まれた有機発光ダイオードが基板上に配置される有機発光装置、例えば有機発光ダイオード表示装置を提供する。
前記有機発光装置は、有機発光ダイオード表示装置を含む。
本発明に係る有機化合物は、電子供与体（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎｏｒ）として窒素原子を有する縮合ヘテロ芳香族部分と、電子受容体（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｃｃｅｐｔｏｒ）としてトリ‐ピリミジン部分とが連結される。縮合ヘテロ芳香族部分とトリ‐ピリミジン部分との間における立体障害が大きくなり、電子供与体と電子受容体との間における二面角が増加する。縮合ヘテロ芳香族部分とトリ‐ピリミジン部分の共役構造（ｃｏｎｊｕｇａｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の形成が制限され、有機化合物のＨＯＭＯエネルギー状態とＬＵＭＯエネルギー状態とに容易に分けられる。
また、電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分から電子受容体であるトリ‐ピリミジン部分へ双極子（ｄｉｐｏｌｅ）が形成され、分子内部の双極子モーメントが増加して発光効率が向上し得る。さらに、電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分に基づき、分子の３次元立体構造（ｃｏｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が制限される。そのため、本発明の有機化合物が発光するとき、分子の３次元立体構造の変更によるエネルギー損失がなく、発光スペクトルを特定の範囲に制限して色純度を向上させることができる。
したがって、本発明の有機化合物を、有機発光ダイオードを構成する有機発光層、例えば、発光物質層のドーパントに用いて、発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。低電圧駆動が可能であるため、高電圧で発生する熱により、発光素子が劣化しない。また、発光効率が向上し、発光素子の電流密度が低くても発光素子が駆動できるため、発光素子を駆動するときに印加される負荷を減少させ、発光素子の寿命を向上させることができる。
また、電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分から電子受容体であるトリ‐ピリミジン部分へ双極子（ｄｉｐｏｌｅ）が形成され、分子内部の双極子モーメントが増加して発光効率が向上し得る。さらに、電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分に基づき、分子の３次元立体構造（ｃｏｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が制限される。そのため、本発明の有機化合物が発光するとき、分子の３次元立体構造の変更によるエネルギー損失がなく、発光スペクトルを特定の範囲に制限して色純度を向上させることができる。
したがって、本発明の有機化合物を、有機発光ダイオードを構成する有機発光層、例えば、発光物質層のドーパントに用いて、発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。低電圧駆動が可能であるため、高電圧で発生する熱により、発光素子が劣化しない。また、発光効率が向上し、発光素子の電流密度が低くても発光素子が駆動できるため、発光素子を駆動するときに印加される負荷を減少させ、発光素子の寿命を向上させることができる。
以下、必要な場合に図面を参照しながら、本発明について詳細に説明する。
＜有機化合物＞
本発明に係る有機化合物は、電子供与体として働くことができる縮合ヘテロ芳香族部分と、電子受容体として働くことができる３つのピリミジン部分、すなわち、トリ‐ピリミジン部分とが連結され、トリ‐ピリミジン部分はアリーレン基を介して連結される。本発明に係る有機化合物は、下記の化学式１の構造を有することができる。
化学式１中、Ｒ１ないしＲ３は、それぞれ独立して、下記の化学式２または下記の化学式３であり、ＡｒはＣ５〜Ｃ３０のアリーレン基である。
化学式２および化学式３中、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、中央の芳香族環と縮合される、置換もしくは非置換のＣ５〜Ｃ３０の芳香族環またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロ芳香族環であり、化学式２中、Ｘは、ＣＲ４Ｒ５、ＮＲ６、ＯまたはＳであり、Ｒ４とＲ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基であるか、或いはＲ４とＲ５は、互いに合体してＣ５〜Ｃ３０の芳香族スピロ構造を形成する。Ｒ６は、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基である。
本明細書における「非置換」または「置換されていない」は、水素原子が結合したものを意味し、その場合、水素原子には軽水素、重水素、三重水素が含まれる。
本明細書における「ヘテロ芳香族環」、「ヘテロシクロアルキル基」、「ヘテロアリール基」、「ヘテロアラルキル基」、「ヘテロアリールオキシ基」、「ヘテロアリールアミノ基」、「ヘテロアリーレン基」、「ヘテロアラルキレン基」、「ヘテロアリールオキシレン基」などに用いられる用語の「ヘテロ」とは、これら芳香族、または脂環式環を構成する炭素原子のうち、１つ以上、例えば１つないし５つの炭素原子がＮ、Ｏ、Ｓおよびこれらの組み合わせからなる群から選択された１つ以上のヘテロ原子で置換されたものを意味する。
例えば、化学式２で定義されたＲ４ないしＲ６を構成するアリール基などのホモ芳香族作用基は、それぞれ独立して、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、インデニル基、インダセニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ジベンゾフェナントレニル基、アズレニル基、ピレニル基、フルオランテニル基、クリセニル基、テトラフェニル基、テトラセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、フルオレニル基、インデノインデニル基、インデノフルオレニル基、またはスピロフルオレニル基（Ｒ４とＲ５が合体した場合）のような、縮合または非縮合のアリール基であり得る。
他の実施形態において、化学式２で定義されたＲ４ないしＲ６を構成するヘテロアリール基などのヘテロ芳香族作用基は、それぞれ独立して、フラニル基、チオフェニル基、ピロリル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、テトラジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、ベンゾフラノカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、キノリニル基、イソキノリニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、シノリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、ベンゾキナゾリニル基、ベンゾキノキサリニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、ピラニル基、オキサジニル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアゾリル基、ジオキシニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、チオピラニル基、チアジニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、キサンテンなどと連結されたスピロアクリジニル基、１つ以上のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基で置換されたジヒドロアクリジニル基、Ｎ‐置換されたスピロフルオレニル基（Ｒ４とＲ５が合体した場合）のような、縮合または非縮合のヘテロ芳香族作用基であり得る。
一方、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ独立して、中央の６原子芳香族環もしくは５原子芳香族環と縮合されるＣ５〜Ｃ３０の芳香族環、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロ芳香族環である。１つの例示的な実施形態において、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ独立して、１つないし２つの縮合芳香族環からなり得る。ＡおよびＢを構成する芳香族環の数が多くなりすぎると、全体の有機化合物における共役構造が非常に長くなり、有機化合物のバンドギャップエネルギーが過度に小さくなり得る。一例に、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ中央の５原子もしくは６原子芳香族環と縮合された構造のフェニル環、ナフチル環、ビフェニル環、アントラセニル環、インデニル環、インダセニル環、フェナレニル環、フェナントレニル環、アズレン環、フルオレニル環のような芳香族環を形成することができる。
一方、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ中央の５原子もしくは６原子芳香族環と縮合された構造のフラニル環、チオフェニル環、ピリジニル環、ピリミジニル環、ピラジニル環、ピリダジニル環、トリアジニル環、イミダゾール環、ピラゾール環、インドール環、カルバゾール環、キノリニル環、イソキノリニル環、フタラジニル環、キノキサリル環、シノリニル環、キナゾリニル環、ベンゾキノリニル環、ベンゾイソキノリニル環、ベンゾキナゾリニル環、ベンゾキノキサリニル環、アクリジニル環、フェナントロリニル環、フェナジニル環、フェノキサジニル環、フェノチアゾール環、ピラニル環、オキサジニル環、オキサゾール環、イソオキサゾ−ル環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、ジオキシニル環、ベンゾフラニル環、ジベンゾフラニル環、チオピラニル環、チアジニル環、チオフェニル環、ベンゾチオフェニル環、ジベンゾチオフェニル環などのようなヘテロ芳香族環を形成することができる。
一方、３つのピリミジン部分を連結するＡｒは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、テトラフェニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ‐フルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオラントレニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、およびヘキサセニレン基からなる群から選択することができる。
化学式１の構造を有する有機化合物は、電子供与体として窒素原子を有する縮合ヘテロ芳香族部分と、電子受容体としてトリ‐ピリミジン部分とが連結されている。電子供与体と電子受容体との間における立体障害が大きくなり、これら間における二面角が増加する。そのため、該部分間における共役構造の形成が制限され、最高被占輝度（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ；ＨＯＭＯ）エネルギー状態と、最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ；ＬＵＭＯ）エネルギー状態とに容易に分離される。さらに、電子供与体と電子受容体の間に双極子が形成され、分子内部の双極子モーメントが増加するため、これらを発光物質に用いた発光素子の発光効率を増加させることができる。また、立体障害の大きい縮合ヘテロ芳香族部分により、分子の３次元立体構造が制限される。そのため、化学式１の有機化合物が発光するとき、分子の３次元立体構造が変更されないので、エネルギーの損失が少なくなり、発光スペクトルを特定の範囲に限定して色純度を改善することができる。さらに、化学式１の構造を有する有機化合物を発光素子に用いると、低電圧で駆動するので、発光素子の消費電力を減少させることができる上に、発光素子に印加されるジュール熱といった負荷を減少させ、発光素子の寿命を向上させることができる。
１つの例示的な実施形態において、化学式１でトリ‐ピリミジン部分を連結するＡｒを構成する芳香族環の数が多くなると、全体の有機化合物における共役構造が非常に長くなり、有機化合物のエネルギー準位のバンドギャップが過度に小さくなることがある。したがって、Ａｒを構成する芳香族環の数は、１つないし２つが好ましく、１つがより好ましい。また、正孔または電子の注入および移動特性に関し、Ａｒは、５原子環ないし７原子環であり得るが、特に６原子環が好ましい。例えば、Ａｒは、フェニレン基、アントラセニレン基、またはビフェニレン基であり得る。具体的に、化学式１の構造を有する有機化合物は、下記の化学式４の構造を有する有機化合物を含むことができる。
化学式４中、Ｒ１ないしＲ３は、化学式１で定義したものと同一である。
１つの例示的な実施形態において、化学式４の構造を有する有機化合物中、中央のフェニレンリンカーは、それぞれのピリミジン環を構成する２つの窒素原子間に位置する炭素原子を介して連結することができる。電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分（Ｒ１ないしＲ３）と、電子受容体であるトリ‐ピリミジン部分とが平面連結され、該部分間における立体障害が大きくなる。そのため、有機化合物のＨＯＭＯエネルギー状態とＬＵＭＯエネルギー状態とに分離され、有機化合物における三重項エネルギー準位と一重項エネルギー準位のバンドギャップが減少し得る。一例に、前記化学式４の構造を有する有機化合物は、下記の化学式５の構造を有する有機化合物を含むことができる。
化学式５中、Ｒ１ないしＲ３は、化学式１で定義したものと同一である。
例示的な実施形態において、化学式２の構造を有する縮合ヘテロ芳香族部分は、アクリジン部分を含むことができる。一例に、アクリジン部分を有する化学式２の縮合ヘテロ芳香族部分は、下記の化学式６の構造を有することができる。
化学式６中、Ｒ１１ないしＲ１８は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、シリル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアルキルアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアルキルアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基であるか、或いはＲ１１ないしＲ１８の隣接した基は、置換されていないか、もしくはＣ４〜Ｃ３０の芳香族基もしくはヘテロ芳香族基で置換された、Ｃ４〜Ｃ３０の合体した芳香環もしくはヘテロ芳香環を形成する。Ｒ１９とＲ２０は、水素、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基であるか、或いはＲ１９とＲ２０は、互いに合体してＣ５〜Ｃ３０の芳香族スピロ構造を形成する。
化学式６中、Ｒ１１ないしＲ２０をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基は、前述した化学式２中、Ｒ４ないしＲ６をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基に関連して説明したものと同一であり得る。一例に、Ｒ１１ないしＲ２０は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ５〜Ｃ３０のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基（例えば、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基）であり得る。必要によって、Ｒ１９とＲ２０は、互いに合体してスピロフルオレン構造のスピロ芳香族環を形成することもできる。
一方、Ｒ１１ないしＲ１８が隣接した作用基と合体して縮合芳香族環を形成する場合、それぞれ置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ２０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、好ましくはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のホモアリール基、好ましくはＣ５〜Ｃ２０のホモアリール基（例えば、フェニル基、および／またはナフチル基）、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、好ましくはＣ４〜Ｃ２０のヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジル基、および／またはカルバゾリル基）およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの作用基で置換されているフェニル環、ナフチル環、インデニル環、ピリジル環、ピリミジル環、インドール環などを形成することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。より具体的に、化学式６の構造を有するアクリジン部分を有することのできる化学式１の有機化合物は、下記の化学式７の構造を有するいずれか１つの化合物を含むことができる。
他の例示的な実施形態において、化学式２の構造を有する縮合ヘテロ芳香族部分は、フェナジン、フェノキサジン、またはフェノチアジン部分を含むことができる。一例に、フェナジン、フェノキサジン、またはフェノチアジン部分を有する化学式２の縮合ヘテロ芳香族部分は、下記の化学式８の構造を有することができる。
化学式８中、Ｒ２１ないしＲ２８は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、シリル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアルキルアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアルキルアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基であるか、或いは隣接した基と合体して置換されていないか、またはＣ５〜Ｃ３０のホモアリール基、もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換された縮合環を形成する。Ｙは、ＮＲ２９、ＯまたはＳであり、Ｒ２９は、水素、重水素、三重水素、シリル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアルキルアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアルキルアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基である。
化学式８でＲ２１ないしＲ２９をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基は、前述した化学式２でＲ４ないしＲ６をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基に関し、説明したものと同一であり得る。一例に、Ｒ２１ないしＲ２９は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基）、置換されていないか、或いはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ５〜Ｃ３０のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基）、置換されていないか、或いはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基（例えば、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基）であり得る。
一方、Ｒ２１ないしＲ２８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環は、化学式６で、Ｒ１１ないしＲ１８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環と同一であり得る。より具体的に、化学式８の構造を有するフェナジン、フェノキサジン、またはフェノチアジン部分を有することのできる化学式１の有機化合物は、下記の化学式９の構造を有するいずれか１つの化合物を含むことができる。
また、他の例示的な実施形態において、化学式３の構造を有する縮合ヘテロ芳香族部分は、カルバゾール部分を含むことができる。一例に、カルバゾール部分を有する化学式３の縮合ヘテロ芳香族部分は、下記の化学式１０の構造を有することができる。
化学式１０中、Ｒ３１ないしＲ３８は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、シリル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアルキルアリール基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアルキルアリール基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリールアミノ基、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基であるか、或いは隣接した基と合体して置換されていないか、またはＣ５〜Ｃ３０のホモアリール基、もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換された縮合環を形成する。
化学式１０でＲ３１ないしＲ３８をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基は、前述した化学式２でＲ４ないしＲ６をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基に関し、説明したものと同一であり得る。一例に、Ｒ３１ないしＲ３８は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ５〜Ｃ３０のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基（例えば、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基）であり得る。
一方、Ｒ３１ないしＲ３８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環は、化学式６で、Ｒ１１ないしＲ１８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環と同一であり得る。より具体的に、化学式１０の構造を有するカルバゾール部分を有することのできる化学式１の有機化合物は、下記の化学式１１の構造を有するいずれか１つの化合物を含むことができる。
＜有機発光装置および有機発光ダイオード＞
化学式１ないし化学式１１の構造を有する有機化合物は、電子供与体と電子受容体が１つの分子内に共存し、遅延蛍光特性を有する。したがって、化学式１ないし化学式１１の構造を有する有機化合物を、有機発光ダイオードを構成する発光物質層に適用することで、発光効率が向上し、駆動電圧が低い発光素子を具現化することができる。
本発明に係る有機発光ダイオードは、有機発光ダイオード表示装置、または有機発光ダイオードを適用した照明装置などの有機発光装置に適用することができる。一例に、本発明の有機発光ダイオードを適用した表示装置について説明する。図１は、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な断面図である。
図１に示すように、有機発光表示装置１００は、薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒを覆う平坦化層１６０と、平坦化層１６０上に位置し、薄膜トランジスタＴｒに接続される有機発光ダイオード２００を備える。薄膜トランジスタＴｒは、半導体層１１０と、ゲート電極１３０と、ソース電極１５２と、ドレイン電極１５４とを含む。
基板１０２は、ガラス基板であってもよく、薄いフレキシブルな基板であってもよく、高分子プラスチック基板であってもよい。例えば、フレキシブルな基板は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリカーボネート（ＰＣ）のうち、いずれか１つから形成することができる。薄膜トランジスタＴｒと有機発光ダイオード２００の位置する基板１０２は、アレイ基板を成す。
基板１０２上にバッファー層１０４が形成され、バッファー層１０４上に薄膜トランジスタＴｒが形成される。バッファー層１０４は省略してもよい。
バッファー層１０４の上部に半導体層１１０が形成される。例えば、半導体層１１０は、酸化物半導体物質から形成することができる。半導体層１１０が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層１１０の下部に遮光パターン（不図示）を形成することができる。遮光パターンは、半導体層１１０へ光が入射することを防止し、半導体層１１０が光によって劣化することを防止する。これとは異なって、半導体層１１０は多結晶シリコンから形成することもできるが、この場合、半導体層１１０の両端部に不純物をドープすることもある。
半導体層１１０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜１２０が基板１０２の全面に形成される。ゲート絶縁膜１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。
ゲート絶縁膜１２０の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極１３０が半導体層１１０の中央に対応して形成される。図１において、ゲート絶縁膜１２０は、基板１０２の全面に形成されているが、ゲート絶縁膜１２０は、ゲート電極１３０と同じ形にパターニングしてもよい。
ゲート電極１３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が基板１０２の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）やシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質で形成してもよい。
層間絶縁膜１４０は、半導体層１１０の両側上面を露出する第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４を有する。第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、ゲート電極１３０の両側に、ゲート電極１３０と離隔して位置する。図１において、第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、ゲート絶縁膜１２０内にも形成されるものと示す。これと異なって、ゲート絶縁膜１２０がゲート電極１３０と同じ形にパターニングされる場合、第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、層間絶縁膜１４０内にのみ形成される。
層間絶縁膜１４０の上部には、金属のような導電性物質からなるソース電極１５２とドレイン電極１５４が形成される。ソース電極１５２とドレイン電極１５４は、ゲート電極１３０を中心に離隔して位置し、それぞれ第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４を介して、半導体層１１０の両側に接触する。
半導体層１１０、ゲート電極１３０、ソース電極１５２、およびドレイン電極１５４は、薄膜トランジスタＴｒを構成し、薄膜トランジスタＴｒは、駆動素子として働く。図１に示した薄膜トランジスタＴｒは、半導体層１１０の上部にゲート電極１３０、ソース電極１５２およびドレイン電極１５４が位置するコプラナ構造を有する。これとは異なって、薄膜トランジスタＴｒは、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタッガード（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することができる。この場合、半導体層は、非晶質シリコンからなることができる。
図１に示していないが、ゲート配線とデータ配線が互いに交差して画素領域を定義し、ゲート配線とデータ配線に接続されるスイッチング素子がさらに形成される。前記スイッチング素子は、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒに接続される。
また、パワー配線がゲート配線またはデータ配線と平行に離隔して形成され、１フレームの間に、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒのゲート電極の電圧を一定に維持するためのストレージキャパシタをさらに構成することができる。
一方、有機発光表示装置１００は、有機発光ダイオード２００で生成された光を吸収するカラーフィルター（不図示）を備えることができる。例えば、カラーフィルター（不図示）は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）および白色（Ｗ）の光を吸収することができる。この場合、光を吸収する赤色、緑色および青色のカラーフィルターパターンをそれぞれの画素領域毎に分離して形成することができ、それぞれのカラーフィルターパターンは、吸収しようとする波長帯域の光を放出する有機発光ダイオード２００の発光層２３０とそれぞれ重なるように配置することができる。カラーフィルター（不図示）を採択することで、有機発光ダイオード表示装置２００は、フルカラーを具現化することができる。
例えば、有機発光表示装置１００がボトムエミッションタイプである場合、有機発光ダイオード２００に対応する層間絶縁膜１４０の上部に、光を吸収するカラーフィルター（不図示）が位置することができる。選択的な実施形態において、有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、カラーフィルターは、有機発光ダイオード２００の上部、すなわち第２電極２２０の上部に位置することもできる。
ソース電極１５２とドレイン電極１５４の上部には、平坦化層１６０を基板１０２の全面に形成する。平坦化層１６０は、その上面が平坦であり、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１５４を露出するドレインコンタクトホール１６２を有する。ここで、ドレインコンタクトホール１６２は、第２半導体層コンタクトホール１４４の直上に形成されたものとして示しているが、第２半導体層コンタクトホール１４４と離隔して形成されてもよい。
有機発光ダイオード２００は、平坦化層１６０上に位置し、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１５４に接続される第１電極２１０と、第１電極２１０上に順次積層される発光層２３０および第２電極２２０を含む。
第１電極２１０は、画素領域毎に分離して形成される。第１電極２１０は、陽極（アノード）であり得る。また、第１電極２１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、第１電極２１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどのような透明導電性物質からなり得る。
一方、本発明の有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、第１電極２１０の下部には反射電極、または反射層をさらに形成することができる。例えば、反射電極、または反射層は、アルミニウム・パラジウム・銅（Ａｌｕｍｉｎｕｍ-Ｐａｌａｄｉｕｍ-Ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金からなることができる。
また、平坦化層１６０上には、第１電極２１０の端部を覆うバンク層１７０が形成される。バンク層１７０は、画素領域に対応し、第１電極２１０の中央を露出する。
第１電極２１０上には、発光層２３０が形成される。１つの例示的な実施形態において、前記発光層２３０は、発光物質層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）の単層構造を有することができる。これと異なって、発光層２３０は、図２、図５、図７および図９に示すように、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、電子遮断層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＥＢＬ）、発光物質層（ＥＭＬ）、正孔遮断層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＨＢＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、および／または電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）のような多数の有機物層からなってもよい。発光層２３０は、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物を含む。一例に、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物は、発光物質層のドーパントに用いることができ、発光物質層はホストを含むことができる。
発光層２３０の形成された基板１０２の上部に、第２電極２２０が形成される。第２電極２２０は、表示領域の全面に位置し、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質からなり、陰極（カソード）として用いることができる。例えば、第２電極２２０は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはアルミニウム・マグネシウム合金（ＡｌＭｇ）といったこれらの合金や組み合わせのうち、いずれか１つからなり得る。
第２電極２２０上には、外部の水分が有機発光ダイオード２００へ浸透することを防ぐため、封止フィルム１８０（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ）が形成される。封止フィルム１８０は、第１無機絶縁層１８２と、有機絶縁層１８４と、第２無機絶縁層１８６の積層構造を有することができるが、これに限定されるものではない。
前述したように、有機発光ダイオード２００は、発光層２３０に、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物をドーパントとして用いる。これらの化合物は、電子供与体と電子受容体を１つの分子内に共に含んでおり、遅延蛍光特性を示す。化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物を、発光層２３０に適用することで、有機発光ダイオード２００の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させて消費電力を減らし、かつ長寿命の有機発光ダイオード２００を具現化することができる。
続いて、本発明に係る有機化合物が適用された有機発光ダイオードについて、具体的に説明する。図２は、本発明の例示的な第１実施形態により、有機化合物が有機発光素子に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図３は、本発明によって合成された有機化合物の遅延蛍光特性に基づく発光メカニズムを説明するための模式図であり、図４は、本発明の例示的な第１実施形態によってホストと、遅延蛍光特性を有する本発明の有機化合物とを含む発光物質層における発光メカニズムに関し、ホストと遅延蛍光物質との間におけるエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図２に示すように、本発明の第１実施形態に係る有機発光ダイオード３００は、互いに対向する第１電極３１０および第２電極３２０と、第１電極３１０と第２電極３２０の間に位置する発光層３３０とを備える。例示的な実施形態において、発光層３３０は、第１電極３１０から順次積層される正孔注入層３４０（ＨＩＬ）、正孔輸送層３５０（ＨＴＬ）、発光物質層３６０（ＥＭＬ）、電子輸送層３７０（ＥＴＬ）および電子注入層３８０（ＥＩＬ）を含む。
第１電極３１０は、発光物質層３６０に正孔を供給する陽極（アノード）であり得る。第１電極３１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、ＴＣＯ）から形成することが好ましい。例示的な実施形態において、第１電極３１０は、インジウム・スズ・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｚｉｎｃ‐Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウム・スズ・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム・銅・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｃｏｐｐｅｒ‐Ｏｘｉｄｅ；ＩＣＯ）、およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ；ＡＺＯ）からなり得る。
第２電極３２０は、発光物質層３６０に電子を供給する陰極（カソード）であり得る。第２電極３２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金や組み合わせのように、反射特性のよい素材からなり得る。例えば、第１電極３１０と第２電極３２０は、それぞれ３０ｎｍないし３００ｎｍの厚さで積層することができる。
正孔注入層３４０は、第１電極３１０と正孔輸送層３５０との間に位置するが、無機物である第１電極３１０と有機物である正孔輸送層３５０との間の界面特性を向上させる。１つの例示的な実施形態において、正孔注入層３４０は、４，４’，４”‐トリス（３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン；ＭＴＤＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ，Ｎ‐ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン；ＮＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ‐（ナフタレン‐１‐イル）‐Ｎ‐フェニルアミノ）トリフェニルアミン；１Ｔ-ＮＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ‐（ナフタレン‐２‐イル）‐Ｎ‐フェニルアミノ）トリフェニルアミン；２Ｔ-ＮＡＴＡ、フタロシアニン銅；ＣｕＰＣ、トリス（４‐カルバゾイル‐９‐イル‐フェニル）アミン；ＴＣＴＡ、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（１‐ナフチル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４”‐ジアミン；ＮＰＢ；ＮＰＤ、１，４，５，８，９，１１‐ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、ジピラジノ［２，３‐ｆ：２’，３’‐ｈ］キノサリン‐２，３，６，７，１０，１１‐ヘキサカルボニトリル；ＨＡＴ-ＣＮ、１，３，５‐トリス［４‐（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン；ＴＤＡＰＢ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。有機発光ダイオード３００の特性により、正孔注入層３４０は省略してもよい。
正孔輸送層３５０は、第１電極３１０と発光物質層３６０との間において、発光物質層３６０に隣接して位置し、発光物質層３６０へ正孔を伝達する。１つの例示的な実施形態において、正孔輸送層３５０は、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；ＴＰＤ、ＮＰＢ、４，４’‐ビス（Ｎ‐カルバゾリル）‐１，１’‐ビフェニル；ＣＢＰ、ポリ［Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（フェニル）‐ベンジジン］；Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ−（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン））］；ＴＦＢ、ジ‐［４‐（Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｐ‐トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン；ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどからなる群から選択される化合物で構成することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
１つの例示的な実施形態において、正孔注入層３４０と正孔輸送層３５０は、それぞれ５ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
発光物質層３６０は、ホストとドーパントを含み、実質的な発光は、ドーパントで行われ得る。本実施形態において、発光物質層３６０は、ホスト（第１ホスト）にドーパント（第１ドーパント）がドープされてなり得る。例えば、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物は、発光物質層３６０のドーパント（第１ドーパント、Ｔドーパント）に用いることができる。一例に、発光物質層３６０は、緑色に発光することができる。発光物質層３６０を構成するホストの種類およびホストと第１ドーパントとの間におけるエネルギー準位などについては、後述する。
発光物質層３６０と第２電極３２０との間には、電子輸送層３７０と電子注入層３８０を順次積層することができる。電子輸送層３７０を構成する素材には、高い電子移動度が求められるが、スムーズな電子輸送により、発光物質層３６０に電子を安定して供給する。
１つの例示的な実施形態において、電子輸送層３７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。
より具体的に、電子輸送層３７０は、トリス（８‐ヒドロキシキノリン）アルミニウム；Ａｌｑ３、２‐ビフェニル‐４‐イル‐５‐（４‐ｔ−ブチルフェニル）‐１，３，４‐オキサジアゾール；ＰＢＤ、スピロ-ＰＢＤ、リチウムキノラート；Ｌｉｑ、１，３，５‐トリス（Ｎ‐フェニルベンゾイミダゾール‐２‐イル）ベンゼン；ＴＰＢｉ、ビス（２‐メチル‐８‐キノリノラト‐Ｎ１，０８）‐（１，１’‐ビフェニル‐４‐オラト）アルミニウム；ＢＡｌｑ、４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；Ｂｐｈｅｎ、２，９‐ビス（ナフタレン‐２‐イル）‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；ＮＢｐｈｅｎ、２，９‐ジメチル‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；ＢＣＰ、３‐（４‐ビフェニル）‐４‐フェニル‐５‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル‐１，２，４‐トリアゾール；ＴＡＺ、４‐（ナフタレン‐１‐イル）‐３，５‐ジフェニル‐４Ｈ‐１，２，４‐トリアゾール；ＮＴＡＺ、１，３，５‐トリス（ｐ‐ピリド‐３‐イル‐フェニル）ベンゼン；ＴｐＰｙＰＢ、２，４，６‐トリス（３’‐（ピリジン‐３‐イル）ビフェニル‐３‐イル）‐１，３，５‐トリアジン；ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ポリ［（９，９‐ビス（３’‐（（Ｎ，Ｎ‐ジメチル）‐Ｎ‐エチルアンモニウム）‐プロピル）‐２，７‐フルオレン）‐アルト‐２，７‐（９，９‐ジオクチルフルオレン）］；ＰＦＮＢｒ、および／またはトリス（フェニルキノキサリン）；ＴＰＱなどからなる群から選択することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層３８０は、第２電極３２０と電子輸送層３７０との間に位置するが、第２電極３２０の特性を改善し、素子の寿命を改善することができる。１つの例示的な実施形態において、電子注入層３８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例えば、電子輸送層３７０と電子注入層３８０は、それぞれ１０ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
図面に示していないが、本発明の第１実施形態に係る有機発光ダイオード３００は、１つ以上の励起子遮断層をさらに備えることができる。一例に、励起子遮断層は、正孔輸送層３５０と発光物質層３６０との間に位置する電子遮断層、および／または発光物質層３６０と電子輸送層３７０との間に位置する正孔遮断層を含むことができる。
概略的に説明したように、本発明の第１実施形態に係る有機発光ダイオード３００を構成する発光物質層３６０は、ホストと、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントとを含む。遅延蛍光特性を有する第１ドーパントを発光物質層３６０に含ませることで、有機発光ダイオード３００の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができるが、これについて図３を参照しながら説明する。
有機発光ダイオードは、陽極から注入された正孔（Ｈｏｌｅ）と陰極から注入された電子（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が発光物質層で結合して励起子を形成し、不安定な励起状態（Ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から安定な基底状態（Ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に戻る際に光を放出する。発光物質層に適用された発光物質の外部量子効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ、ＥＱＥ；ηｅｘｔ）は、励起子生成効率（Ｓｉｎｇｌｅｔ／Ｔｒｉｐｌｅｔ ｒａｔｉｏ）、電荷バランス因子（Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ Ｆａｃｔｏｒ）、放射量子効率（Ｒａｄｉａｔｉｖｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、光抽出効率（Ｏｕｔ−Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を掛けて演算する。
蛍光物質の場合、生成された励起子が光に変換される比率である励起子生成効率の最大値は、０．２５である。理論上、正孔と電子が出会って励起子を形成する際、スピンの配列により、対スピンの一重項励起子（Ｓｉｎｇｌｅｔ ｅｘｃｉｔｏｎ）と不対スピンの三重項励起子（Ｔｒｉｐｌｅｔ ｅｘｃｉｔｏｎ）が１：３の割合で生成される。蛍光物質では、一重項励起子のみが発光に寄与し、残り７５％の三重項励起子は発光に寄与しないためである。
電荷バランス因子（Γ）とは、励起子を形成する正孔と電子のバランスを意味するが、一般に、１００％の１：１マッチングを仮定して値「１」を有する。放射量子効率（Φ）とは、実際に発光物質の発光効率に関与する値であって、ホスト-ドーパントシステムでは、ドーパントの光ルミネセンス（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、ＰＬ）に依存する。光抽出効率（ηｏｕｔ−ｃｏｕｐｌｉｎｇ）とは、発光物質から発光された光のうち、外部へ抽出される光の割合である。一般に、等方性発光物質を熱蒸着して薄膜を形成する場合、個々の発光分子は、一定の方向性を持たず、無秩序な状態で存在する。かかるランダムな配列状態における光抽出効率は、一般的に０．２であると仮定する。蛍光物質を用いた有機発光ダイオードの最大発光効率は、約５％に過ぎない。
一方、燐光物質は、一重項励起子と三重項励起子を全て光に変換させる発光メカニズムを有している。燐光物質は、系間交差（Ｉｎｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｒｏｓｓｉｎｇ；ＩＳＣ）により、一重項励起子を三重項励起子に変換させる。したがって、一重項励起子と三重項励起子を全て利用する燐光物質を用いる場合、蛍光物質の低い発光効率を向上させることができる。代表的な燐光物質であるイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）などの重金属を含む金属錯体化合物を用いると、重金属元素による強いスピン軌道結合により、三重項状態から一重項状態への遷移が可能となる。しかしながら、これらの燐光物質は、その色純度が表示装置に適用する水準に達しておらず、また寿命も非常に短いので、常用化段階まで至っていない。
最近、従来の蛍光物質および燐光物質が持つ問題を解決できる遅延蛍光物質が開発された。代表的な遅延蛍光物質は、熱活性遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ；ＴＡＤＦ）を用いる。遅延蛍光物質は、分子内電荷移動が可能であり、発光過程において一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て利用することができる。このように、遅延蛍光物質は、燐光物質と同様、発光過程において一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て活用するので、発光効率が優れる。
遅延蛍光は、熱活性遅延蛍光（ＴＡＤＦ）と、電界活性遅延蛍光（Ｆｉｅｌｄ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ；ＦＡＤＦ）とに区分されるが、熱、または電界によって三重項励起子が活性化され、従来の蛍光物質の最大発光効率を超える優れた発光を具現化することができる。
一般に、遅延蛍光物質は、電子供与体部分と電子受容体部分を共に有しているため、分子内電荷移動（Ｉｎｔｒａｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ、ＩＣＴ）状態への変換が可能である。ＩＣＴ可能な遅延蛍光物質をドーパントに用いると、遅延蛍光物質において一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子と、三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子が中間状態のＩＣＴ状態へ移動し、基底状態（Ｓ０）へ遷移する（Ｓ１→ＩＣＴ←Ｔ１）。一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子と、三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子が共に発光に寄与するため、内部量子効率が向上し、その結果、発光効率が向上する。
従来の蛍光物質は、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）が分子全体に広がっているため、一重項状態と三重項状態における相互変換が不可能である（選択規則）。しかしながら、ＩＣＴ状態の化合物は、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの軌道重畳が少ないので、ＨＯＭＯ状態の軌道とＬＵＭＯ状態の軌道の間における相互作用が小さい。したがって、電子のスピン状態の変化が他の電子に影響を及ぼすことなく、選択規則に従わない新しい電荷移動バンド（Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｂａｎｄ、ＣＴ ｂａｎｄ）が形成される。
遅延蛍光物質において、電子受容体部分と電子供与体部分が分子内で離隔しているので、分子内の双極子モーメントが大きな分極状態で存在する。双極子モーメントが分極した状態でＨＯＭＯ状態の軌道とＬＵＭＯ状態の軌道の間における相互作用が小さくなり、三重項状態と一重項状態から中間状態（ＩＣＴ）への遷移が可能となる。その結果、一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子はもちろん、三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子が発光に寄与することになる。
したがって、遅延蛍光物質を含む発光素子が駆動すると、熱や電界によって２５％の一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子と、７５％の三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子とが中間状態（ＩＣＴ）へ遷移し、再び基底状態（Ｓ０）へ落ちる際に発光が起きるので、内部量子効率は、理論上１００％となる。
三重項状態と一重項状態で共にエネルギー遷移が起こるためには、遅延蛍光物質は、一重項エネルギー準位（Ｓ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１）の差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下、例えば０．０５ｅＶないし０．３ｅＶ以下でなければならない。一重項状態と三重項状態とのエネルギー差の小さい材料は、一重項状態から三重項状態へエネルギーが遷移する系間交差（ＩＳＣ）が起こることで蛍光を示すだけでなく、常温レベルの熱エネルギー、または電界により、三重項状態から、エネルギーのさらに高い一重項状態へ逆系間交差（ＲＩＳＣ）が起こり、一重項状態が基底状態へ遷移しながら遅延蛍光を示す。
遅延蛍光の場合、理論上、最大１００％の効率を得ることができるので、従来の重金属を含む燐光材料と同等の内部量子効率を具現化することができる。但し、遅延蛍光を具現化するためのホストは、ドーパントにおける三重項状態の励起子が消光（非発光消滅）されず、発光に寄与できるよう、誘導しなければならない。そのため、ホストと遅延蛍光物質のエネルギー準位が調節されなければならない。
図４に概略的に示すように、発光物質層３６０（ＥＭＬ）に含まれる第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）と、励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）は、それぞれ遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）における励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）より高くなければならない。例えば、ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より０．２ｅＶ以上高くてもよい。
第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）が、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）より十分に高くない場合、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）の励起子が、第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）へと逆電荷移動を行う。それにより、三重項励起子が発光できない第１ホストで、三重項励起子が非発光消滅するため、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子は、発光に寄与できなくなる。一例に、第１ホストに用いられる化合物における励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）は、２．８ｅＶ以上であり、励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、２．６ｅＶ以上であり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物であり得る第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）との差（ΔＥＳＴ ＴＤ）は、０．３ｅＶ以下、例えば０．０５ｅＶないし０．３ｅＶであり得る。
また、第１ホストと第１ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位を適切に調整する必要がある。一例に、第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、または第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下、例えば０．１ｅＶないし０．５ｅＶであることが好ましい。それにより、ホストから第１ドーパントへの電荷移動効率が向上し、最終的に発光効率を向上させることができる。
さらに、ホストのＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位との間におけるエネルギーバンドギャップ（ＥｇＨ）は、第１ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位との間におけるエネルギーバンドギャップ（ＥｇＴＤ）より大きくてもよい。一例に、第１ホストのＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）は、第１ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）より低く、第１ホストのＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）は、第１ドーパントのＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）より高い。
１つの例示的な実施形態において、遅延蛍光特性を持つ第１ドーパントに用いることのできる化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物のＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）は、−４．５ｅＶないし−５．９ｅＶ、好ましくは−５．０ｅＶないし−５．７ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）は、−２．０ｅＶないし−３．５ｅＶ、好ましくは−２．２ｅＶないし−２．９ｅＶであって、これらエネルギー準位間のエネルギーバンドギャップ（ＥｇＴＤ）は、２．３ｅＶないし３．０ｅＶ、好ましくは２．４ｅＶないし２．８ｅＶであり得る。一方、第１ホストのＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）は、−５．０ｅＶないし−６．５ｅＶ、好ましくは−５．５ｅＶないし−６．２ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）は、−１．５ｅＶないし−３．０ｅＶ、好ましくは−１．５ｅＶないし−２．５ｅＶであって、これらエネルギー準位間のエネルギーバンドギャップ（ＥｇＨ）は、３．０ｅＶないし４．０ｅＶ、好ましくは３．０ｅＶないし３．５ｅＶであり得る。
１つの例示的な実施形態において、発光物質層３６０の第１ホストは、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐カルボニトリル；ｍＣＰ−ＣＮ、ＣＢＰ、３，３’‐ビス（Ｎ‐カルバゾリル）‐１，１’‐ビフェニル；ｍＣＢＰ、１，３‐ビス（カルバゾール‐９‐イル）ベンゼン；ｍＣＰ、オキシビス（２，１‐フェニレン）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）；ＤＰＥＰＯ、２，８‐ビス（ジフェニルホスホリル）ジベンゾチオフェン；ＰＰＴ、１，３，５‐トリ［（３‐ピリジル）‐フェン‐３‐イル］ベンゼン；ＴｍＰｙＰＢ、２，６‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン；ＰＹＤ−２Ｃｚ、２，８‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ジベンゾチオフェン；ＤＣｚＤＢＴ、３’，５’‐ジ（カルバゾール‐９‐イル）‐［１，１’‐ビフェニル］‐３，５‐ジカルボニトリル；ＤＣｚＴＰＡ、４’‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ビフェニル‐３，５‐ジカルボニトリル；ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、３’‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９−イル）ビフェニル‐３，５‐ジカルボニトリル；ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ジフェニル‐４‐トリフェニルシリルフェニル‐ホスフィンオキシド；ＴＰＳ０１、９‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐６‐イル）‐９Ｈ‐カルバゾール；ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
発光物質層３６０が第１ホストと第１ドーパントを含む場合、第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きくてもよく同じであってもよい。第１ドーパントは、発光物質層３６０内に、１重量％ないし５０重量％、好ましくは１０重量％ないし４０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％の割合でドープすることができる。
前述した第１実施形態では、遅延蛍光特性を有する１つのドーパントのみを含む発光物質層３６０を備える有機発光ダイオードを提案した。これとは異なって、発光物質層は、２つ以上の互いに異なる特性を有するドーパントを含むことができるが、これについて説明する。
図５は、本発明の例示的な第２実施形態に係る有機化合物が発光層に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図６は、本発明の例示的な第２実施形態によってホストと、遅延蛍光特性を有する本発明の化合物と、蛍光物質とを含む発光物質層における発光メカニズムに関し、ホストと遅延蛍光物質と蛍光物質との間におけるエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図５に示すように、本発明の第２実施形態に係る有機発光ダイオード４００は、互いに対向する第１電極４１０および第２電極４２０と、第１電極４１０と第２電極４２０の間に位置する発光層４３０とを備える。
例示的な実施形態において、発光層４３０は、第１電極４１０から順次積層される正孔注入層４４０、正孔輸送層４５０、発光物質層４６０、電子輸送層４７０および電子注入層４８０を含む。また、発光層４３０は、正孔輸送層４５０と発光物質層４６０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層（ＥＢＬ）４５５、および／または発光物質層４６０と電子輸送層４７０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層（ＨＢＬ）４７５をさらに含む。
前述したように、第１電極４１０は、陽極であり得る。また、第１電極４１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどからなり得る。第２電極４２０は、陰極であり得る。また、第２電極４２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせからなり得る。例えば、第１電極３１０と第２電極３２０は、それぞれ３０ｎｍないし３００ｎｍの厚さで積層することができる。
正孔注入層４４０は、第１電極４１０と正孔輸送層４５０の間に位置する。そして、正孔注入層４４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ-ＮＡＴＡ、２Ｔ-ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ-ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。有機発光ダイオード４００の構造により、正孔注入層４４０は省略してもよい。
正孔輸送層４５０は、第１電極４１０と発光物質層４６０との間において、発光物質層４６０に隣接して位置する。そして、正孔輸送層４５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどの芳香族アミン化合物を含む群から選択される化合物で構成することができる。
１つの例示的な実施形態において、正孔注入層４４０および正孔輸送層４５０は、それぞれ５ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
本実施形態において、発光物質層４６０は、ホスト（第１ホスト）と、第１ドーパントと、第２ドーパントとからなり得る。一例に、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物を、第１ドーパント（Ｔドーパント）に用いることができ、蛍光または燐光物質を、第２ドーパント（Ｆドーパント）に用いることができる。発光物質層４６０を構成するホスト、第１ドーパント、第２ドーパントの種類およびエネルギー準位については後述する。
電子輸送層４７０は、発光物質層４６０と電子注入層４８０の間に位置する。一例に、電子輸送層４７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。例えば、電子輸送層４７０は、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、および／またはＴＰＱなどからなり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層４８０は、第２電極４２０と電子輸送層４７０との間に位置する。電子注入層４８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例えば、電子輸送層４７０および電子注入層４８０は、それぞれ１０ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、正孔が発光物質層４６０を通じて第２電極４２０へ移動したり、電子が発光物質層４６０を通じて第１電極４１０へ移動したりする場合、素子の寿命や効率の減少をもたらすことがある。これを防ぐため、本発明の例示的な第２実施形態に係る有機発光ダイオード４００は、発光物質層４６０に隣接した、少なくとも１つの励起子遮断層を有する。
例えば、本発明の第２実施形態に係る有機発光ダイオード４００では、正孔輸送層４５０と発光物質層４６０との間に、電子の移動を制御・防止できる電子遮断層４５５が位置する。一例に、電子遮断層４５５は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、および／またはＴＤＡＰＢなどから構成することができる。
また、発光物質層４６０と電子輸送層４７０との間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層４７５が位置し、発光物質層４６０と電子輸送層４７０との間における正孔の移動を防止する。１つの例示的な実施形態において、正孔遮断層４７５の素材に、電子輸送層４７０に用いられ得るオキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体を用いることができる。
例えば、正孔遮断層４７５は、発光物質層４６０に用いられた素材に比較して、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、および／またはビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物で構成することができる。
一例に、電子遮断層４５５および正孔遮断層４７５は、それぞれ５ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
前述した第１実施形態では、ホストと、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントのみからなる発光物質層を構成した。遅延蛍光の場合、理論上、最大１００％の効率を得ることができるので、従来の重金属を含む燐光材料と同等の内部量子効率を具現化することができる。
しかしながら、遅延蛍光特性を有する化合物における電子供与体・電子受容体の結合構造および構造的な歪みにより、発光過程においてさらなる電荷移動遷移（Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ、ＣＴ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）が引き起こされるため、様々な幾何的構造を有することになる。そのため、遅延蛍光物質が発光する際、半値幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ；ＦＷＨＭ）が広いスペクトルを有することになり、色純度を低下させるという短所がある。また、遅延蛍光物質は、三重項励起子エネルギーも発光過程で使用し、分子を構成するそれぞれの部分が回転して、分子内電荷移動（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ；ＴＩＣＴ）を引き起こす。よって、分子の結合力が低下し、素子の寿命が低下し得る。
本発明の第２実施形態においては、遅延蛍光物質を用いた場合に引き起こされる色純度の低下および素子の寿命低下を防止できるよう、発光物質層４６０に蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパントをさらに含む。それにより、図６に概略的に示すように、遅延蛍光特性を有する第１ドーパント（Ｔドーパント）の三重項エネルギーが一重項エネルギーに変換し、第１ドーパントの一重項エネルギーは、分子間の電子交換による励起子の拡散により、隣接された分子間における波動関数の重なりに依存するデクスターエネルギー移動を介して、同じ発光物質層内の第２ドーパントへ伝達され、超蛍光を具現化することができる。
発光物質層（ＥＭＬ）４６０が、第１ホストと、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）と、蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパント（Ｆドーパント）を含む場合、それらの間のエネルギー準位を適切に調節する必要がある。
図６に概略的に示すように、遅延蛍光特性を具現化するため、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）における励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）の差は、０．３ｅＶ以下であり得る。また、第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、それぞれ第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高い。例えば、ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より０．２ｅＶ以上高くてもよい。また、第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、それぞれ第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＦＤ）より高い。
また、ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、またはホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下であり得る。
例えば、第１ホストは、ｍＣＰ‐ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ‐２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ＴＰＳ０１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、超蛍光を具現化するため、遅延蛍光物質である第１ドーパントから、蛍光または燐光物質である第２ドーパントへエネルギーを効率よく伝達しなければならない。遅延蛍光物質から蛍光または燐光物質へのエネルギー移動効率に関し、遅延蛍光物質の発光スペクトルと、エネルギーの伝達を受ける蛍光または燐光物質の吸収スペクトルとの重なりが最も重要な要素として考えられる。そのため、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントの発光スペクトルとの重畳領域の広い吸収スペクトルを有する、蛍光または燐光物質を第２ドーパントに用いることができる。
１つの例示的な実施形態において、第２ドーパントに用いられ得る蛍光物質は、キノリノ‐アクリジンコアを有することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
一例に、キノリノ‐アクリジンコアを有する第２ドーパントには、５，１２−ジメチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．３ｅＶ；Ｔ１：２．０ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．０ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．４ｅＶ）、５，１２−ジエチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．３ｅＶ；Ｔ１：２．２ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．０ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．４ｅＶ）、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ジフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．２ｅＶ；Ｔ１：２．０ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．１ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．５ｅＶ）、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ビス（トリフルオロメチル）キノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．２ｅＶ；Ｔ１：２．０ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．１ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．５ｅＶ）、５，１２−ジブチル‐２，３，９，１０‐テトラフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．０ｅＶ；Ｔ１：１．８ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．３ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．５ｅＶ）などが挙げられる。
その他、第２ドーパントに用いることのできる蛍光物質は、［１，１，７，７‐［テトラメチル‐（２，３，６，７‐テトラヒドロ‐１Ｈ，５Ｈ‐ベンゾ［ｉｊ］キノリジン‐９‐イル）エテニル］‐４Ｈ‐ピラン‐４‐イリデン］プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ；Ｓ１：２．３ｅＶ；Ｔ１：１．９ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．１ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．３ｅＶ）である。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。また、その他に、燐光物質であって、緑色に発光することのできる金属錯体化合物を、第２ドーパントに用いることもできる。
例示的な実施形態において、発光物質層４６０における第１ホストの重量比は、第１ドーパントおよび第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。このとき、第１ドーパントの重量比は、第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。選択的な実施形態において、第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きく、第１ドーパントの重量比は、第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。例えば、第１ドーパントの重量比が第２ドーパントの重量比より大きい場合、第１ドーパントから第２ドーパントへ、デクスターメカニズムによるエネルギーの伝達が十分に行われ得る。例えば、発光物質層４６０における第１ホストは、６０重量％ないし７５重量％、第１ドーパントは、２０重量％ないし４０重量％、第２ドーパントは、０．１重量％ないし５重量％の割合で含むことができる。
一方、発光物質層４６０は、１０ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは２０ｎｍないし１００ｎｍ、さらに好ましくは３０ｎｍないし５０ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
前述した第１実施形態ないし第２実施形態では、発光物質層が単層からなる有機発光ダイオードを説明したが、本発明に係る有機発光ダイオードは、多層の発光物質層からなってもよい。図７は、本発明の例示的な第３実施形態により、有機化合物が発光層に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図８は、本発明の例示的な第３実施形態により、発光物質層が２つの発光物質層からなる場合、それぞれの発光物質層に含まれ得る物質の種類およびこれらの間のエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図７に示すように、本発明の例示的な第３実施形態に係る有機発光ダイオード５００は、互いに対向する第１電極５１０および第２電極５２０と、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する発光層５３０とを備える。
例示的な実施形態において、発光層５３０は、第１電極５１０から順次積層される正孔注入層５４０、正孔輸送層５５０、発光物質層５６０、電子輸送層５７０および電子注入層５８０を含むことができる。また、発光層５３０は、正孔輸送層５５０と発光物質層５６０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層５５５、および／または発光物質層５６０と電子輸送層５７０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層５７５をさらに含むことができる。
前述したように、第１電極５１０は、陽極であり得る。また、第１電極５１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどからなり得る。第２電極５２０は、陰極であり得る。また、第２電極５２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせからなり得る。
正孔注入層５４０は、第１電極５１０と正孔輸送層５５０の間に位置する。そして、正孔注入層５４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ-ＮＡＴＡ、２Ｔ-ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ-ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。
正孔輸送層５５０は、第１電極５１０と発光物質層５６０との間において、発光物質層５６０に隣接して位置する。そして、正孔輸送層５５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどの芳香族アミン化合物を含む群から選択される化合物で構成することができる。
発光物質層５６０は、正孔輸送層５５０と電子輸送層５７０との間に位置する第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２と、第１発光物質層５６２と電子輸送層５７０との間に位置する第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４とを含む。第１発光物質層５６２と第２発光物質層５６４のうち、いずれか一方は、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）を含み、他方は、蛍光または燐光物質である第２ドーパント（Ｆドーパント）を含む。これらのホストとドーパントの種類およびエネルギー準位については後述する。
電子輸送層５７０は、発光物質層５６０と電子注入層５８０との間に位置する。一例に、電子輸送層５７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。例えば、電子輸送層５７０は、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、および／またはＴＰＱなどからなり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層５８０は、第２電極５２０と電子輸送層５７０との間に位置する。電子注入層５８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、本発明の第３実施形態に係る有機発光ダイオード５００には、正孔輸送層５５０と発光物質層５６０との間に、電子の移動を防止・制御できる電子遮断層５５５が位置する。一例に、電子遮断層５５５は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、および／またはＴＤＡＰＢなどから構成することができる。
また、発光物質層５６０と電子輸送層５７０との間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層５７５が位置し、発光物質層５６０と電子輸送層５７０との間における正孔の移動を防止する。１つの例示的な実施形態において、正孔遮断層５７５に、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体を用いることができる。
例えば、正孔遮断層５７５は、発光物質層５６０に用いられた素材に比較して、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、および／またはビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物で構成することができる。
本発明の例示的な第３実施形態において、第１発光物質層５６２は、第１ホストと第１ドーパントとを含む。第２発光物質層５６４は、第２ホストと、蛍光または燐光物質である第２ドーパントとを含む。
第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２は、第１ホストと、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントとからなり得る。ところが、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれる第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１）の差が非常に小さく（ΔＥＳＴ ＴＤは０．３ｅｖ以下）、逆系間交差（ＲＩＳＣ）によって第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギーが励起状態の一重項エネルギー準位へと変換される。しかしながら、第１ドーパントは高い量子効率を有するものの、半値幅が広いので、色純度は良くない。
一方、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４は、第２ホストと、蛍光物質である第２ドーパントとからなり得る。蛍光物質である第２ドーパントは、第１ドーパントに比べて半値幅が狭いことから色純度の面でメリットがあるが、三重項励起子が発光に寄与できないため、量子効率に限界がある。
しかしながら、本実施形態によると、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれた遅延蛍光特性を有する第１ドーパントの一重項エネルギーおよび三重項エネルギーは、双極子・双極子の相互作用による電場を通じて非放射の形で伝達されるフェルスター共鳴エネルギー移動（Ｆｏｒｓｔｅｒ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ、ＦＲＥＴ）により、隣接した第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４に含まれた第２ドーパントへ伝達され、第２ドーパントで最終的な発光が起こる。
すなわち、逆系間交差により、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれた第１ドーパントの三重項エネルギーが一重項エネルギーに変換される。第１ドーパントの一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４における第２ドーパントの一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高いので、第１ドーパントの一重項エネルギーが第２ドーパントの一重項エネルギーへ伝達される。第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４における第２ドーパントは、一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て利用し、発光することになる。
第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２の遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントから生成されたエネルギーが、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４の第２ドーパントへ効率よく伝達され、超蛍光を具現化することができる。このとき、実質的な発光は、蛍光または燐光物質である第２ドーパントを含む第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４で起こる。したがって、有機発光ダイオード５００の量子効率が向上し、半値幅が狭くなって色純度が向上する。
一方、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２と第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４は、それぞれ第１ホストと第２ホストを含むことができる。第１ホストおよび第２ホストで生成された励起子エネルギーは、まず、遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントへ移動し、発光しなければならない。
第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）、および／または第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）と第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）は、それぞれ遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）、および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高くなければならない。
例えば、第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）と第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）が、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より十分に高くない場合、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子が、第１および第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１、Ｔ１ Ｈ２）へと逆電荷移動を行う。それにより、遅延蛍光物質である第１ドーパントの三重項励起子が非発光消滅するため、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子は、発光に寄与できなくなる。一例に、第１および第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１、Ｔ１ Ｈ２）は、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より、少なくとも０．２ｅＶ以上高くてもよい。
一方、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い。それにより、第２ホストで生成された一重項励起子のエネルギーが第２ドーパントの一重項エネルギーへ伝達され得る。
さらに、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２でＲＩＳＣにより、ＩＣＴ錯体状態へ変わった第１ドーパントから、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４の蛍光または燐光物質へエネルギーを遷移させる一方、高効率、かつ高色純度を有する有機発光ダイオードを具現化する必要がある。かかる有機発光ダイオードを具現化するため、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれる第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、それぞれ第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４に含まれる蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＦＤ）より高くなければならない。
また、第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ１−ＨＯＭＯＴＤ│）、または第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ１−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下であり得る。
かかる条件を満たさない場合、第１ドーパントおよび第２ドーパントで非発光消滅が起こったり、ホストからドーパントへのエネルギー伝達が行われなかったりして、有機発光ダイオード５００の量子効率が低下し得る。
第１ホストと第２ホストは、同じであってもよく、異なってもよい。例えば、第１ホストおよび第２ホストは、それぞれ独立して、ｍＣＰ−ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ−２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ＴＰＳ０１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
また、第２ドーパントは、半値幅が狭く、第１ドーパントの吸収スペクトルとの重畳領域の広い発光スペクトルを有することができる。一例に、第２ドーパントは、５，１２−ジメチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジエチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ジフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ビス（トリフルオロメチル）キノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐２，３，９，１０‐テトラフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオンのようなキノリノ‐アクリジンコアを有する有機化合物、ＤＣＪＴＢ、また緑色に発光することのできる金属錯体化合物を含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
１つの例示的な実施形態において、第１発光物質層５６２と第２発光物質層５６４のそれぞれにおける第１ホストおよび第２ホストは、同じ発光物質層を構成する第１ドーパントおよび第２ドーパントより、大きい或いは同じ重量比を有することができる。また、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２における第１ドーパントの重量比は、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４における第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。それにより、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２の第１ドーパントから、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４の第２ドーパントへの、ＦＲＥＴによるエネルギー伝達が十分に行われ得る。
一方、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２内における第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きくてもよく、同じであってもよい。例えば、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２で第１ホストの含量は、５０重量％ないし９９重量％、好ましくは６０重量％ないし９０重量％、さらに好ましくは６０重量％ないし８０重量％であり、第１ドーパントの含量は、１重量％ないし５０重量％、好ましくは１０重量％ないし４０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％である。
一方、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４内における第２ホストの重量比は、第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。例えば、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４で第２ホストの含量は、９０重量％ないし９９重量％、好ましくは９５重量％ないし９９重量％であり、第２ドーパントの含量は、１重量％ないし１０重量％、好ましくは１重量％ないし５重量％である。
また、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２と第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４は、それぞれ５ｎｍないし１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし３０ｎｍ、さらに好ましくは１０ｎｍないし２０ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例示的な実施形態によって、第２発光物質層５６４が正孔遮断層５７５に隣接して位置する場合、第２発光物質層５６４を構成する第２ホストは、正孔遮断層５７５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層５６４は、発光機能と共に、正孔遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層５６４は、正孔を遮断するためのバッファー層として働く。一方、正孔遮断層５７５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層５６４が、発光物質層および正孔遮断層として利用される。
他の例示的な実施形態において、第２発光物質層５６４が電子遮断層５５５に隣接して位置する場合、第２発光物質層５６４を構成する第２ホストは、電子遮断層５５５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層５６４は、発光機能と共に、電子遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層５６４は、電子を遮断するためのバッファー層として働く。一方、電子遮断層５５５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層５６４が、発光物質層および電子遮断層として利用される。
続いて、発光物質層が３層からなる有機発光ダイオードについて説明する。図９は、本発明の例示的な第４実施形態により、有機化合物が発光層に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図１０は、本発明の例示的な第４実施形態により、発光物質層が３層からなる場合、それぞれの発光物質層に含まれ得る物質の種類およびこれら物質間のエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図９に示すように、本発明の例示的な第４実施形態に係る有機発光ダイオード６００は、互いに対向する第１電極６１０および第２電極６２０と、第１電極６１０と第２電極６２０の間に位置する発光層６３０とを備える。
例示的な実施形態において、発光層６３０は、第１電極６１０から順次積層される正孔注入層６４０、正孔輸送層６５０、発光物質層６６０、電子輸送層６７０および電子注入層６８０を含むことができる。また、発光層６３０は、正孔輸送層６５０と発光物質層６６０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層６５５、および／または発光物質層６６０と電子輸送層６７０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層６７５をさらに含むことができる。
前述したように、第１電極６１０は、陽極であり得る。また、第１電極６１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどからなり得る。第２電極６２０は、陰極であり得る。また、第２電極６２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせからなり得る。
正孔注入層６４０は、第１電極６１０と正孔輸送層６５０の間に位置する。そして、正孔注入層６４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ-ＮＡＴＡ、２Ｔ-ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ-ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。
正孔輸送層６５０は、第１電極６１０と発光物質層６６０との間において、発光物質層６６０に隣接して位置する。そして、正孔輸送層６５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどの芳香族アミン化合物を含む群から選択される化合物で構成することができる。
発光物質層６６０は、正孔輸送層６５０と電子輸送層６７０との間に位置する第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２と、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２と正孔輸送層６５０との間に位置する第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４と、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２と電子輸送層６７０との間に位置する第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６とを含む。それぞれの発光物質層を構成する物質およびエネルギー準位については後述する。
電子輸送層６７０は、発光物質層６６０と電子注入層６８０との間に位置する。一例に、電子輸送層６７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。例えば、電子輸送層６７０は、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、および／またはＴＰＱなどからなり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層６８０は、第２電極６２０と電子輸送層６７０との間に位置する。電子注入層６８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
有機発光ダイオード６００には、正孔輸送層６５０と発光物質層６６０との間に、電子の移動を防止・制御できる電子遮断層６５５が位置する。一例に、電子遮断層６５５は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、および／またはＴＤＡＰＢなどから構成することができる。
また、発光物質層６６０と電子輸送層６７０との間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層６７５が位置し、発光物質層６６０と電子輸送層６７０との間における正孔の移動を防止する。１つの例示的な実施形態において、正孔遮断層６７５に、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体を用いることができる。
例えば、正孔遮断層６７５は、発光物質層６６０に用いられた素材に比較して、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、および／またはビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物で構成することができる。
第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２は、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）を含む。第２発光物質層６６４および第３発光物質層６６６は、それぞれ蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパント（第１Ｆドーパント）および第３ドーパント（第２Ｆドーパント）を含む。また、第１ないし第３発光物質層６６２、６６４、６６６は、それぞれ第１ホストないし第３ホストをさらに含む。
本実施形態によると、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２に含まれた遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）の一重項エネルギーおよび三重項エネルギーは、フェルスター共鳴エネルギー移動（ＦＲＥＴ）により、隣接した第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４および第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６にそれぞれ含まれた、蛍光または燐光物質である第２ドーパント（第１Ｆドーパント）および第３ドーパント（第２Ｆドーパント）へ伝達され、第２ドーパントおよび第３ドーパントで最終的な発光が起こる。
すなわち、逆系間交差により、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２における第１ドーパントの三重項エネルギーが一重項エネルギーに変換される。遅延蛍光物質である第１ドーパントの一重項エネルギーは、蛍光または燐光物質である第２および第３発光物質層６６４、６６６における第２および第３ドーパントの一重項エネルギーより大きい。第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２における第１ドーパントの一重項エネルギーは、ＦＲＥＴにより、隣接した第２および第３発光物質層（ＥＭＬ２、ＥＭＬ３）６６４、６６６における第２および第３ドーパントの一重項エネルギーへ伝達される。
したがって、第２および第３発光物質層６６４、６６６における第２および第３ドーパントは、一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て利用し、発光することになる。第２および第３ドーパントは、第１ドーパントに比べて半値幅が狭い。そのため、有機発光ダイオード６００の量子効率が向上し、半値幅が狭くなり、色純度が向上する。特に、第１ドーパントの吸収波長との重畳領域の広い発光波長を有する第２および第３ドーパントを用いると、第１ドーパントから第２および第３ドーパントへエネルギーが効率よく伝達され得る。このとき、実質的な発光は、第２および第３ドーパントをそれぞれ含む第２および第３発光物質層６６４、６６６で起こる。
効率的な発光を具現化するため、第１ないし第３発光物質層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２、ＥＭＬ３）６６２、６６４、６６６に適用されたホストとドーパントのエネルギー準位を適切に調節する必要がある。
第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）と、第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ３）、および／または第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）と、第３ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ３）は、それぞれ遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）、および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高くなければならない。
例えば、第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）と第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）および第３ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ３）が、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より十分に高くない場合、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子が、第１、第２および第３ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１、Ｔ１ Ｈ２、Ｔ１ Ｈ３）へと逆電荷移動を行う。これらのホストの三重項励起子は発光することなく消滅するため、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子は、発光に寄与できなくなり、発光効率が低下し得る。
さらに、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２でＲＩＳＣにより、ＩＣＴ錯体状態へ変わった第１ドーパントから、第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４、および第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６にそれぞれ添加された蛍光または燐光物質である第２および第３ドーパントへエネルギーを遷移させる一方、高効率、かつ高色純度を有する有機発光ダイオードを具現化する必要がある。かかる有機発光ダイオードを具現化するため、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２に含まれる遅延蛍光物質である第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、それぞれ第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４と第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６に含まれる蛍光または燐光物質であり得る第２および第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＦＤ１、Ｔ１ ＦＤ２）より高くなければならない。
また、遅延蛍光物質から蛍光または燐光物質へ遷移したエネルギーが、第２および第３ホストへ遷移することを防止し、効率的な発光を具現化する必要がある。かかる目的に関し、第２および第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２、Ｓ１ Ｈ３）は、それぞれ蛍光または燐光物質であり得る第２および第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）より高くなければならない。遅延蛍光を具現化できるよう、第１ドーパントは、一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）の差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下でなければならない。
また、第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ１−ＨＯＭＯＴＤ│）、または第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ１−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下であり得る。
一方、第１ないし第３発光物質層６６２、６６４、６６６は、それぞれ第１ないし第３ホストを含むことができる。第１ないし第３ホストは、同じであってもよく、異なってもよい。例えば、第１ないし第３ホストは、それぞれ独立して、ｍＣＰ−ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ−２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ＴＰＳ０１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
また、第２および第３ドーパントは、半値幅が狭く、第１ドーパントの吸収スペクトルとの重畳領域の広い発光スペクトルを有することができる。一例に、第２および第３ドーパントは、５，１２−ジメチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジエチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ジフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ビス（トリフルオロメチル）キノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐２，３，９，１０‐テトラフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオンのようなキノリノ‐アクリジンコアを有する有機化合物、ＤＣＪＴＢ、また緑色に発光することのできる金属錯体化合物を含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
１つの例示的な実施形態において、第１ないし第３発光物質層６６２、６６４、６６６のそれぞれにおける第１ないし第３ホストは、同じ発光物質層を構成する第１ないし第３ドーパントより、大きい或いは同じ重量比を有することができる。また、第１発光物質層６６２における第１ドーパントの重量比は、第２および第３発光物質層６６４、６６６における第２および第３ドーパントの重量比より大きくてもよい。それにより、第１発光物質層６６２の第１ドーパントから、第２および第３発光物質層６６４、６６６の第２および第３ドーパントへの、ＦＲＥＴによるエネルギー伝達が十分に行われ得る。
一方、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２内における第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きくてもよく、同じであってもよい。例えば、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２で第１ホストの含量は、５０重量％ないし９９重量％、好ましくは６０重量％ないし９０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％であり、第１ドーパントの含量は、１重量％ないし５０重量％、好ましくは１０重量％ないし４０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％である。
一方、第２および第３発光物質層６６４、６６６内における第２および第３ホストの重量比は、それぞれ同一の発光物質層内の第２および第３ドーパントの重量比より大きくてもよい。例えば、第２および第３発光物質層６６４、６６６で第２および第３ホストの含量は、それぞれ９０重量％ないし９９重量％、好ましくは９５重量％ないし９９重量％であり、第２および第３ドーパントの含量は、１重量％ないし１０重量％、好ましくは１重量％ないし５重量％である。
また、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２は、２ｎｍないし１００ｎｍ、好ましくは２ｎｍないし３０ｎｍ、さらに好ましくは２ｎｍないし２０ｎｍの厚さで積層することができる。一方、第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４および第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６は、それぞれ５ｎｍないし１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし３０ｎｍ、さらに好ましくは１０ｎｍないし２０ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、第２発光物質層６６４が電子遮断層６５５に隣接して位置する場合、第２発光物質層６６４を構成する第２ホストは、電子遮断層６５５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層６６４は、発光機能と共に、電子遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層６６４は、電子を遮断するためのバッファー層として働く。一方、電子遮断層６５５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層６６４が、発光物質層および電子遮断層として利用される。
一方、例示的な実施形態において、第３発光物質層６６６が正孔遮断層６７５に隣接して位置する場合、第３発光物質層６６６を構成する第３ホストは、正孔遮断層６７５の物質と同一物質であり得る。このとき、第３発光物質層６６６は、発光機能と共に、正孔遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第３発光物質層６６６は、正孔を遮断するためのバッファー層として働く。一方、正孔遮断層６７５は省略してもよく、この場合、第３発光物質層６６４が、発光物質層および正孔遮断層として利用される。
他の例示的な実施形態において、第２発光物質層６６４を構成する第２ホストは、電子遮断層６５５の物質と同一の物質であり、第３発光物質層６６６を構成する第３ホストは、正孔遮断層６７５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層６６４は、発光機能と共に、電子遮断機能を同時に有し、第３発光物質層６６６は、発光機能と共に、正孔遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層６６４および第３発光物質層６６６は、それぞれ電子を遮断するためのバッファー層として、正孔を遮断するためのバッファー層として働くことができる。一方、電子遮断層６５５および正孔遮断層６７５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層６６４が、発光物質層および電子遮断層として利用され、第３発光物質層６６６が発光物質層および正孔遮断層として利用される。
以下、例示的な実施形態を用いて本発明を説明するが、本発明が下記の実施例に記載された技術思想に限定されるものではない。
合成例１：化合物１‐１の合成
（１）中間体ａの合成
＜有機化合物＞
本発明に係る有機化合物は、電子供与体として働くことができる縮合ヘテロ芳香族部分と、電子受容体として働くことができる３つのピリミジン部分、すなわち、トリ‐ピリミジン部分とが連結され、トリ‐ピリミジン部分はアリーレン基を介して連結される。本発明に係る有機化合物は、下記の化学式１の構造を有することができる。
本明細書における「非置換」または「置換されていない」は、水素原子が結合したものを意味し、その場合、水素原子には軽水素、重水素、三重水素が含まれる。
本明細書における「ヘテロ芳香族環」、「ヘテロシクロアルキル基」、「ヘテロアリール基」、「ヘテロアラルキル基」、「ヘテロアリールオキシ基」、「ヘテロアリールアミノ基」、「ヘテロアリーレン基」、「ヘテロアラルキレン基」、「ヘテロアリールオキシレン基」などに用いられる用語の「ヘテロ」とは、これら芳香族、または脂環式環を構成する炭素原子のうち、１つ以上、例えば１つないし５つの炭素原子がＮ、Ｏ、Ｓおよびこれらの組み合わせからなる群から選択された１つ以上のヘテロ原子で置換されたものを意味する。
例えば、化学式２で定義されたＲ４ないしＲ６を構成するアリール基などのホモ芳香族作用基は、それぞれ独立して、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、インデニル基、インダセニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ジベンゾフェナントレニル基、アズレニル基、ピレニル基、フルオランテニル基、クリセニル基、テトラフェニル基、テトラセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、フルオレニル基、インデノインデニル基、インデノフルオレニル基、またはスピロフルオレニル基（Ｒ４とＲ５が合体した場合）のような、縮合または非縮合のアリール基であり得る。
他の実施形態において、化学式２で定義されたＲ４ないしＲ６を構成するヘテロアリール基などのヘテロ芳香族作用基は、それぞれ独立して、フラニル基、チオフェニル基、ピロリル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、テトラジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、ベンゾフラノカルバゾリル基、ベンゾチエノカルバゾリル基、キノリニル基、イソキノリニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、シノリニル基、キナゾリニル基、ベンゾキノリニル基、ベンゾイソキノリニル基、ベンゾキナゾリニル基、ベンゾキノキサリニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、ピラニル基、オキサジニル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアゾリル基、ジオキシニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、チオピラニル基、チアジニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、キサンテンなどと連結されたスピロアクリジニル基、１つ以上のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基で置換されたジヒドロアクリジニル基、Ｎ‐置換されたスピロフルオレニル基（Ｒ４とＲ５が合体した場合）のような、縮合または非縮合のヘテロ芳香族作用基であり得る。
一方、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ独立して、中央の６原子芳香族環もしくは５原子芳香族環と縮合されるＣ５〜Ｃ３０の芳香族環、またはＣ４〜Ｃ３０のヘテロ芳香族環である。１つの例示的な実施形態において、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ独立して、１つないし２つの縮合芳香族環からなり得る。ＡおよびＢを構成する芳香族環の数が多くなりすぎると、全体の有機化合物における共役構造が非常に長くなり、有機化合物のバンドギャップエネルギーが過度に小さくなり得る。一例に、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ中央の５原子もしくは６原子芳香族環と縮合された構造のフェニル環、ナフチル環、ビフェニル環、アントラセニル環、インデニル環、インダセニル環、フェナレニル環、フェナントレニル環、アズレン環、フルオレニル環のような芳香族環を形成することができる。
一方、化学式２および化学式３におけるＡとＢは、それぞれ中央の５原子もしくは６原子芳香族環と縮合された構造のフラニル環、チオフェニル環、ピリジニル環、ピリミジニル環、ピラジニル環、ピリダジニル環、トリアジニル環、イミダゾール環、ピラゾール環、インドール環、カルバゾール環、キノリニル環、イソキノリニル環、フタラジニル環、キノキサリル環、シノリニル環、キナゾリニル環、ベンゾキノリニル環、ベンゾイソキノリニル環、ベンゾキナゾリニル環、ベンゾキノキサリニル環、アクリジニル環、フェナントロリニル環、フェナジニル環、フェノキサジニル環、フェノチアゾール環、ピラニル環、オキサジニル環、オキサゾール環、イソオキサゾ−ル環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、ジオキシニル環、ベンゾフラニル環、ジベンゾフラニル環、チオピラニル環、チアジニル環、チオフェニル環、ベンゾチオフェニル環、ジベンゾチオフェニル環などのようなヘテロ芳香族環を形成することができる。
一方、３つのピリミジン部分を連結するＡｒは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、テトラフェニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ‐フルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオラントレニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、およびヘキサセニレン基からなる群から選択することができる。
化学式１の構造を有する有機化合物は、電子供与体として窒素原子を有する縮合ヘテロ芳香族部分と、電子受容体としてトリ‐ピリミジン部分とが連結されている。電子供与体と電子受容体との間における立体障害が大きくなり、これら間における二面角が増加する。そのため、該部分間における共役構造の形成が制限され、最高被占輝度（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ；ＨＯＭＯ）エネルギー状態と、最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ；ＬＵＭＯ）エネルギー状態とに容易に分離される。さらに、電子供与体と電子受容体の間に双極子が形成され、分子内部の双極子モーメントが増加するため、これらを発光物質に用いた発光素子の発光効率を増加させることができる。また、立体障害の大きい縮合ヘテロ芳香族部分により、分子の３次元立体構造が制限される。そのため、化学式１の有機化合物が発光するとき、分子の３次元立体構造が変更されないので、エネルギーの損失が少なくなり、発光スペクトルを特定の範囲に限定して色純度を改善することができる。さらに、化学式１の構造を有する有機化合物を発光素子に用いると、低電圧で駆動するので、発光素子の消費電力を減少させることができる上に、発光素子に印加されるジュール熱といった負荷を減少させ、発光素子の寿命を向上させることができる。
１つの例示的な実施形態において、化学式１でトリ‐ピリミジン部分を連結するＡｒを構成する芳香族環の数が多くなると、全体の有機化合物における共役構造が非常に長くなり、有機化合物のエネルギー準位のバンドギャップが過度に小さくなることがある。したがって、Ａｒを構成する芳香族環の数は、１つないし２つが好ましく、１つがより好ましい。また、正孔または電子の注入および移動特性に関し、Ａｒは、５原子環ないし７原子環であり得るが、特に６原子環が好ましい。例えば、Ａｒは、フェニレン基、アントラセニレン基、またはビフェニレン基であり得る。具体的に、化学式１の構造を有する有機化合物は、下記の化学式４の構造を有する有機化合物を含むことができる。
１つの例示的な実施形態において、化学式４の構造を有する有機化合物中、中央のフェニレンリンカーは、それぞれのピリミジン環を構成する２つの窒素原子間に位置する炭素原子を介して連結することができる。電子供与体である縮合ヘテロ芳香族部分（Ｒ１ないしＲ３）と、電子受容体であるトリ‐ピリミジン部分とが平面連結され、該部分間における立体障害が大きくなる。そのため、有機化合物のＨＯＭＯエネルギー状態とＬＵＭＯエネルギー状態とに分離され、有機化合物における三重項エネルギー準位と一重項エネルギー準位のバンドギャップが減少し得る。一例に、前記化学式４の構造を有する有機化合物は、下記の化学式５の構造を有する有機化合物を含むことができる。
例示的な実施形態において、化学式２の構造を有する縮合ヘテロ芳香族部分は、アクリジン部分を含むことができる。一例に、アクリジン部分を有する化学式２の縮合ヘテロ芳香族部分は、下記の化学式６の構造を有することができる。
化学式６中、Ｒ１１ないしＲ２０をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基は、前述した化学式２中、Ｒ４ないしＲ６をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基に関連して説明したものと同一であり得る。一例に、Ｒ１１ないしＲ２０は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ５〜Ｃ３０のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基（例えば、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基）であり得る。必要によって、Ｒ１９とＲ２０は、互いに合体してスピロフルオレン構造のスピロ芳香族環を形成することもできる。
一方、Ｒ１１ないしＲ１８が隣接した作用基と合体して縮合芳香族環を形成する場合、それぞれ置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ２０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、好ましくはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のホモアリール基、好ましくはＣ５〜Ｃ２０のホモアリール基（例えば、フェニル基、および／またはナフチル基）、Ｃ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基、好ましくはＣ４〜Ｃ２０のヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジル基、および／またはカルバゾリル基）およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの作用基で置換されているフェニル環、ナフチル環、インデニル環、ピリジル環、ピリミジル環、インドール環などを形成することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。より具体的に、化学式６の構造を有するアクリジン部分を有することのできる化学式１の有機化合物は、下記の化学式７の構造を有するいずれか１つの化合物を含むことができる。
化学式８でＲ２１ないしＲ２９をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基は、前述した化学式２でＲ４ないしＲ６をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基に関し、説明したものと同一であり得る。一例に、Ｒ２１ないしＲ２９は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基）、置換されていないか、或いはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ５〜Ｃ３０のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基）、置換されていないか、或いはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基（例えば、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基）であり得る。
一方、Ｒ２１ないしＲ２８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環は、化学式６で、Ｒ１１ないしＲ１８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環と同一であり得る。より具体的に、化学式８の構造を有するフェナジン、フェノキサジン、またはフェノチアジン部分を有することのできる化学式１の有機化合物は、下記の化学式９の構造を有するいずれか１つの化合物を含むことができる。
化学式１０でＲ３１ないしＲ３８をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基は、前述した化学式２でＲ４ないしＲ６をそれぞれ構成するアリール基またはヘテロアリール基に関し、説明したものと同一であり得る。一例に、Ｒ３１ないしＲ３８は、それぞれ独立して、水素、重水素、三重水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ５〜Ｃ３０のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基）、置換されていないか、またはＣ１〜Ｃ１０の直鎖もしくは側鎖アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０のアリール基および／もしくはＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基で置換されたＣ４〜Ｃ３０のヘテロアリール基（例えば、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基）であり得る。
一方、Ｒ３１ないしＲ３８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環は、化学式６で、Ｒ１１ないしＲ１８が隣接した作用基と合体して形成される縮合芳香族環と同一であり得る。より具体的に、化学式１０の構造を有するカルバゾール部分を有することのできる化学式１の有機化合物は、下記の化学式１１の構造を有するいずれか１つの化合物を含むことができる。
化学式１ないし化学式１１の構造を有する有機化合物は、電子供与体と電子受容体が１つの分子内に共存し、遅延蛍光特性を有する。したがって、化学式１ないし化学式１１の構造を有する有機化合物を、有機発光ダイオードを構成する発光物質層に適用することで、発光効率が向上し、駆動電圧が低い発光素子を具現化することができる。
本発明に係る有機発光ダイオードは、有機発光ダイオード表示装置、または有機発光ダイオードを適用した照明装置などの有機発光装置に適用することができる。一例に、本発明の有機発光ダイオードを適用した表示装置について説明する。図１は、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な断面図である。
図１に示すように、有機発光表示装置１００は、薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒを覆う平坦化層１６０と、平坦化層１６０上に位置し、薄膜トランジスタＴｒに接続される有機発光ダイオード２００を備える。薄膜トランジスタＴｒは、半導体層１１０と、ゲート電極１３０と、ソース電極１５２と、ドレイン電極１５４とを含む。
基板１０２は、ガラス基板であってもよく、薄いフレキシブルな基板であってもよく、高分子プラスチック基板であってもよい。例えば、フレキシブルな基板は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリカーボネート（ＰＣ）のうち、いずれか１つから形成することができる。薄膜トランジスタＴｒと有機発光ダイオード２００の位置する基板１０２は、アレイ基板を成す。
基板１０２上にバッファー層１０４が形成され、バッファー層１０４上に薄膜トランジスタＴｒが形成される。バッファー層１０４は省略してもよい。
バッファー層１０４の上部に半導体層１１０が形成される。例えば、半導体層１１０は、酸化物半導体物質から形成することができる。半導体層１１０が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層１１０の下部に遮光パターン（不図示）を形成することができる。遮光パターンは、半導体層１１０へ光が入射することを防止し、半導体層１１０が光によって劣化することを防止する。これとは異なって、半導体層１１０は多結晶シリコンから形成することもできるが、この場合、半導体層１１０の両端部に不純物をドープすることもある。
半導体層１１０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜１２０が基板１０２の全面に形成される。ゲート絶縁膜１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。
ゲート絶縁膜１２０の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極１３０が半導体層１１０の中央に対応して形成される。図１において、ゲート絶縁膜１２０は、基板１０２の全面に形成されているが、ゲート絶縁膜１２０は、ゲート電極１３０と同じ形にパターニングしてもよい。
ゲート電極１３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が基板１０２の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）やシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質で形成してもよい。
層間絶縁膜１４０は、半導体層１１０の両側上面を露出する第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４を有する。第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、ゲート電極１３０の両側に、ゲート電極１３０と離隔して位置する。図１において、第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、ゲート絶縁膜１２０内にも形成されるものと示す。これと異なって、ゲート絶縁膜１２０がゲート電極１３０と同じ形にパターニングされる場合、第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、層間絶縁膜１４０内にのみ形成される。
層間絶縁膜１４０の上部には、金属のような導電性物質からなるソース電極１５２とドレイン電極１５４が形成される。ソース電極１５２とドレイン電極１５４は、ゲート電極１３０を中心に離隔して位置し、それぞれ第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４を介して、半導体層１１０の両側に接触する。
半導体層１１０、ゲート電極１３０、ソース電極１５２、およびドレイン電極１５４は、薄膜トランジスタＴｒを構成し、薄膜トランジスタＴｒは、駆動素子として働く。図１に示した薄膜トランジスタＴｒは、半導体層１１０の上部にゲート電極１３０、ソース電極１５２およびドレイン電極１５４が位置するコプラナ構造を有する。これとは異なって、薄膜トランジスタＴｒは、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタッガード（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することができる。この場合、半導体層は、非晶質シリコンからなることができる。
図１に示していないが、ゲート配線とデータ配線が互いに交差して画素領域を定義し、ゲート配線とデータ配線に接続されるスイッチング素子がさらに形成される。前記スイッチング素子は、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒに接続される。
また、パワー配線がゲート配線またはデータ配線と平行に離隔して形成され、１フレームの間に、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒのゲート電極の電圧を一定に維持するためのストレージキャパシタをさらに構成することができる。
一方、有機発光表示装置１００は、有機発光ダイオード２００で生成された光を吸収するカラーフィルター（不図示）を備えることができる。例えば、カラーフィルター（不図示）は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）および白色（Ｗ）の光を吸収することができる。この場合、光を吸収する赤色、緑色および青色のカラーフィルターパターンをそれぞれの画素領域毎に分離して形成することができ、それぞれのカラーフィルターパターンは、吸収しようとする波長帯域の光を放出する有機発光ダイオード２００の発光層２３０とそれぞれ重なるように配置することができる。カラーフィルター（不図示）を採択することで、有機発光ダイオード表示装置２００は、フルカラーを具現化することができる。
例えば、有機発光表示装置１００がボトムエミッションタイプである場合、有機発光ダイオード２００に対応する層間絶縁膜１４０の上部に、光を吸収するカラーフィルター（不図示）が位置することができる。選択的な実施形態において、有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、カラーフィルターは、有機発光ダイオード２００の上部、すなわち第２電極２２０の上部に位置することもできる。
ソース電極１５２とドレイン電極１５４の上部には、平坦化層１６０を基板１０２の全面に形成する。平坦化層１６０は、その上面が平坦であり、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１５４を露出するドレインコンタクトホール１６２を有する。ここで、ドレインコンタクトホール１６２は、第２半導体層コンタクトホール１４４の直上に形成されたものとして示しているが、第２半導体層コンタクトホール１４４と離隔して形成されてもよい。
有機発光ダイオード２００は、平坦化層１６０上に位置し、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１５４に接続される第１電極２１０と、第１電極２１０上に順次積層される発光層２３０および第２電極２２０を含む。
第１電極２１０は、画素領域毎に分離して形成される。第１電極２１０は、陽極（アノード）であり得る。また、第１電極２１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、第１電極２１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどのような透明導電性物質からなり得る。
一方、本発明の有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、第１電極２１０の下部には反射電極、または反射層をさらに形成することができる。例えば、反射電極、または反射層は、アルミニウム・パラジウム・銅（Ａｌｕｍｉｎｕｍ-Ｐａｌａｄｉｕｍ-Ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金からなることができる。
また、平坦化層１６０上には、第１電極２１０の端部を覆うバンク層１７０が形成される。バンク層１７０は、画素領域に対応し、第１電極２１０の中央を露出する。
第１電極２１０上には、発光層２３０が形成される。１つの例示的な実施形態において、前記発光層２３０は、発光物質層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）の単層構造を有することができる。これと異なって、発光層２３０は、図２、図５、図７および図９に示すように、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、電子遮断層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＥＢＬ）、発光物質層（ＥＭＬ）、正孔遮断層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＨＢＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、および／または電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）のような多数の有機物層からなってもよい。発光層２３０は、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物を含む。一例に、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物は、発光物質層のドーパントに用いることができ、発光物質層はホストを含むことができる。
発光層２３０の形成された基板１０２の上部に、第２電極２２０が形成される。第２電極２２０は、表示領域の全面に位置し、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質からなり、陰極（カソード）として用いることができる。例えば、第２電極２２０は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはアルミニウム・マグネシウム合金（ＡｌＭｇ）といったこれらの合金や組み合わせのうち、いずれか１つからなり得る。
第２電極２２０上には、外部の水分が有機発光ダイオード２００へ浸透することを防ぐため、封止フィルム１８０（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ）が形成される。封止フィルム１８０は、第１無機絶縁層１８２と、有機絶縁層１８４と、第２無機絶縁層１８６の積層構造を有することができるが、これに限定されるものではない。
前述したように、有機発光ダイオード２００は、発光層２３０に、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物をドーパントとして用いる。これらの化合物は、電子供与体と電子受容体を１つの分子内に共に含んでおり、遅延蛍光特性を示す。化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物を、発光層２３０に適用することで、有機発光ダイオード２００の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させて消費電力を減らし、かつ長寿命の有機発光ダイオード２００を具現化することができる。
続いて、本発明に係る有機化合物が適用された有機発光ダイオードについて、具体的に説明する。図２は、本発明の例示的な第１実施形態により、有機化合物が有機発光素子に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図３は、本発明によって合成された有機化合物の遅延蛍光特性に基づく発光メカニズムを説明するための模式図であり、図４は、本発明の例示的な第１実施形態によってホストと、遅延蛍光特性を有する本発明の有機化合物とを含む発光物質層における発光メカニズムに関し、ホストと遅延蛍光物質との間におけるエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図２に示すように、本発明の第１実施形態に係る有機発光ダイオード３００は、互いに対向する第１電極３１０および第２電極３２０と、第１電極３１０と第２電極３２０の間に位置する発光層３３０とを備える。例示的な実施形態において、発光層３３０は、第１電極３１０から順次積層される正孔注入層３４０（ＨＩＬ）、正孔輸送層３５０（ＨＴＬ）、発光物質層３６０（ＥＭＬ）、電子輸送層３７０（ＥＴＬ）および電子注入層３８０（ＥＩＬ）を含む。
第１電極３１０は、発光物質層３６０に正孔を供給する陽極（アノード）であり得る。第１電極３１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、ＴＣＯ）から形成することが好ましい。例示的な実施形態において、第１電極３１０は、インジウム・スズ・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｚｉｎｃ‐Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウム・スズ・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム・銅・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｃｏｐｐｅｒ‐Ｏｘｉｄｅ；ＩＣＯ）、およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ；ＡＺＯ）からなり得る。
第２電極３２０は、発光物質層３６０に電子を供給する陰極（カソード）であり得る。第２電極３２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金や組み合わせのように、反射特性のよい素材からなり得る。例えば、第１電極３１０と第２電極３２０は、それぞれ３０ｎｍないし３００ｎｍの厚さで積層することができる。
正孔注入層３４０は、第１電極３１０と正孔輸送層３５０との間に位置するが、無機物である第１電極３１０と有機物である正孔輸送層３５０との間の界面特性を向上させる。１つの例示的な実施形態において、正孔注入層３４０は、４，４’，４”‐トリス（３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン；ＭＴＤＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ，Ｎ‐ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン；ＮＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ‐（ナフタレン‐１‐イル）‐Ｎ‐フェニルアミノ）トリフェニルアミン；１Ｔ-ＮＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ‐（ナフタレン‐２‐イル）‐Ｎ‐フェニルアミノ）トリフェニルアミン；２Ｔ-ＮＡＴＡ、フタロシアニン銅；ＣｕＰＣ、トリス（４‐カルバゾイル‐９‐イル‐フェニル）アミン；ＴＣＴＡ、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（１‐ナフチル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４”‐ジアミン；ＮＰＢ；ＮＰＤ、１，４，５，８，９，１１‐ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、ジピラジノ［２，３‐ｆ：２’，３’‐ｈ］キノサリン‐２，３，６，７，１０，１１‐ヘキサカルボニトリル；ＨＡＴ-ＣＮ、１，３，５‐トリス［４‐（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン；ＴＤＡＰＢ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。有機発光ダイオード３００の特性により、正孔注入層３４０は省略してもよい。
正孔輸送層３５０は、第１電極３１０と発光物質層３６０との間において、発光物質層３６０に隣接して位置し、発光物質層３６０へ正孔を伝達する。１つの例示的な実施形態において、正孔輸送層３５０は、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；ＴＰＤ、ＮＰＢ、４，４’‐ビス（Ｎ‐カルバゾリル）‐１，１’‐ビフェニル；ＣＢＰ、ポリ［Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（フェニル）‐ベンジジン］；Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ−（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン））］；ＴＦＢ、ジ‐［４‐（Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｐ‐トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン；ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどからなる群から選択される化合物で構成することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
１つの例示的な実施形態において、正孔注入層３４０と正孔輸送層３５０は、それぞれ５ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
発光物質層３６０は、ホストとドーパントを含み、実質的な発光は、ドーパントで行われ得る。本実施形態において、発光物質層３６０は、ホスト（第１ホスト）にドーパント（第１ドーパント）がドープされてなり得る。例えば、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物は、発光物質層３６０のドーパント（第１ドーパント、Ｔドーパント）に用いることができる。一例に、発光物質層３６０は、緑色に発光することができる。発光物質層３６０を構成するホストの種類およびホストと第１ドーパントとの間におけるエネルギー準位などについては、後述する。
発光物質層３６０と第２電極３２０との間には、電子輸送層３７０と電子注入層３８０を順次積層することができる。電子輸送層３７０を構成する素材には、高い電子移動度が求められるが、スムーズな電子輸送により、発光物質層３６０に電子を安定して供給する。
１つの例示的な実施形態において、電子輸送層３７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。
より具体的に、電子輸送層３７０は、トリス（８‐ヒドロキシキノリン）アルミニウム；Ａｌｑ３、２‐ビフェニル‐４‐イル‐５‐（４‐ｔ−ブチルフェニル）‐１，３，４‐オキサジアゾール；ＰＢＤ、スピロ-ＰＢＤ、リチウムキノラート；Ｌｉｑ、１，３，５‐トリス（Ｎ‐フェニルベンゾイミダゾール‐２‐イル）ベンゼン；ＴＰＢｉ、ビス（２‐メチル‐８‐キノリノラト‐Ｎ１，０８）‐（１，１’‐ビフェニル‐４‐オラト）アルミニウム；ＢＡｌｑ、４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；Ｂｐｈｅｎ、２，９‐ビス（ナフタレン‐２‐イル）‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；ＮＢｐｈｅｎ、２，９‐ジメチル‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；ＢＣＰ、３‐（４‐ビフェニル）‐４‐フェニル‐５‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル‐１，２，４‐トリアゾール；ＴＡＺ、４‐（ナフタレン‐１‐イル）‐３，５‐ジフェニル‐４Ｈ‐１，２，４‐トリアゾール；ＮＴＡＺ、１，３，５‐トリス（ｐ‐ピリド‐３‐イル‐フェニル）ベンゼン；ＴｐＰｙＰＢ、２，４，６‐トリス（３’‐（ピリジン‐３‐イル）ビフェニル‐３‐イル）‐１，３，５‐トリアジン；ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ポリ［（９，９‐ビス（３’‐（（Ｎ，Ｎ‐ジメチル）‐Ｎ‐エチルアンモニウム）‐プロピル）‐２，７‐フルオレン）‐アルト‐２，７‐（９，９‐ジオクチルフルオレン）］；ＰＦＮＢｒ、および／またはトリス（フェニルキノキサリン）；ＴＰＱなどからなる群から選択することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層３８０は、第２電極３２０と電子輸送層３７０との間に位置するが、第２電極３２０の特性を改善し、素子の寿命を改善することができる。１つの例示的な実施形態において、電子注入層３８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例えば、電子輸送層３７０と電子注入層３８０は、それぞれ１０ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
図面に示していないが、本発明の第１実施形態に係る有機発光ダイオード３００は、１つ以上の励起子遮断層をさらに備えることができる。一例に、励起子遮断層は、正孔輸送層３５０と発光物質層３６０との間に位置する電子遮断層、および／または発光物質層３６０と電子輸送層３７０との間に位置する正孔遮断層を含むことができる。
概略的に説明したように、本発明の第１実施形態に係る有機発光ダイオード３００を構成する発光物質層３６０は、ホストと、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントとを含む。遅延蛍光特性を有する第１ドーパントを発光物質層３６０に含ませることで、有機発光ダイオード３００の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができるが、これについて図３を参照しながら説明する。
有機発光ダイオードは、陽極から注入された正孔（Ｈｏｌｅ）と陰極から注入された電子（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が発光物質層で結合して励起子を形成し、不安定な励起状態（Ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から安定な基底状態（Ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に戻る際に光を放出する。発光物質層に適用された発光物質の外部量子効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ、ＥＱＥ；ηｅｘｔ）は、励起子生成効率（Ｓｉｎｇｌｅｔ／Ｔｒｉｐｌｅｔ ｒａｔｉｏ）、電荷バランス因子（Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ Ｆａｃｔｏｒ）、放射量子効率（Ｒａｄｉａｔｉｖｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、光抽出効率（Ｏｕｔ−Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を掛けて演算する。
蛍光物質の場合、生成された励起子が光に変換される比率である励起子生成効率の最大値は、０．２５である。理論上、正孔と電子が出会って励起子を形成する際、スピンの配列により、対スピンの一重項励起子（Ｓｉｎｇｌｅｔ ｅｘｃｉｔｏｎ）と不対スピンの三重項励起子（Ｔｒｉｐｌｅｔ ｅｘｃｉｔｏｎ）が１：３の割合で生成される。蛍光物質では、一重項励起子のみが発光に寄与し、残り７５％の三重項励起子は発光に寄与しないためである。
電荷バランス因子（Γ）とは、励起子を形成する正孔と電子のバランスを意味するが、一般に、１００％の１：１マッチングを仮定して値「１」を有する。放射量子効率（Φ）とは、実際に発光物質の発光効率に関与する値であって、ホスト-ドーパントシステムでは、ドーパントの光ルミネセンス（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、ＰＬ）に依存する。光抽出効率（ηｏｕｔ−ｃｏｕｐｌｉｎｇ）とは、発光物質から発光された光のうち、外部へ抽出される光の割合である。一般に、等方性発光物質を熱蒸着して薄膜を形成する場合、個々の発光分子は、一定の方向性を持たず、無秩序な状態で存在する。かかるランダムな配列状態における光抽出効率は、一般的に０．２であると仮定する。蛍光物質を用いた有機発光ダイオードの最大発光効率は、約５％に過ぎない。
一方、燐光物質は、一重項励起子と三重項励起子を全て光に変換させる発光メカニズムを有している。燐光物質は、系間交差（Ｉｎｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｒｏｓｓｉｎｇ；ＩＳＣ）により、一重項励起子を三重項励起子に変換させる。したがって、一重項励起子と三重項励起子を全て利用する燐光物質を用いる場合、蛍光物質の低い発光効率を向上させることができる。代表的な燐光物質であるイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）などの重金属を含む金属錯体化合物を用いると、重金属元素による強いスピン軌道結合により、三重項状態から一重項状態への遷移が可能となる。しかしながら、これらの燐光物質は、その色純度が表示装置に適用する水準に達しておらず、また寿命も非常に短いので、常用化段階まで至っていない。
最近、従来の蛍光物質および燐光物質が持つ問題を解決できる遅延蛍光物質が開発された。代表的な遅延蛍光物質は、熱活性遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ；ＴＡＤＦ）を用いる。遅延蛍光物質は、分子内電荷移動が可能であり、発光過程において一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て利用することができる。このように、遅延蛍光物質は、燐光物質と同様、発光過程において一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て活用するので、発光効率が優れる。
遅延蛍光は、熱活性遅延蛍光（ＴＡＤＦ）と、電界活性遅延蛍光（Ｆｉｅｌｄ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ；ＦＡＤＦ）とに区分されるが、熱、または電界によって三重項励起子が活性化され、従来の蛍光物質の最大発光効率を超える優れた発光を具現化することができる。
一般に、遅延蛍光物質は、電子供与体部分と電子受容体部分を共に有しているため、分子内電荷移動（Ｉｎｔｒａｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ、ＩＣＴ）状態への変換が可能である。ＩＣＴ可能な遅延蛍光物質をドーパントに用いると、遅延蛍光物質において一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子と、三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子が中間状態のＩＣＴ状態へ移動し、基底状態（Ｓ０）へ遷移する（Ｓ１→ＩＣＴ←Ｔ１）。一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子と、三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子が共に発光に寄与するため、内部量子効率が向上し、その結果、発光効率が向上する。
従来の蛍光物質は、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）が分子全体に広がっているため、一重項状態と三重項状態における相互変換が不可能である（選択規則）。しかしながら、ＩＣＴ状態の化合物は、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの軌道重畳が少ないので、ＨＯＭＯ状態の軌道とＬＵＭＯ状態の軌道の間における相互作用が小さい。したがって、電子のスピン状態の変化が他の電子に影響を及ぼすことなく、選択規則に従わない新しい電荷移動バンド（Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｂａｎｄ、ＣＴ ｂａｎｄ）が形成される。
遅延蛍光物質において、電子受容体部分と電子供与体部分が分子内で離隔しているので、分子内の双極子モーメントが大きな分極状態で存在する。双極子モーメントが分極した状態でＨＯＭＯ状態の軌道とＬＵＭＯ状態の軌道の間における相互作用が小さくなり、三重項状態と一重項状態から中間状態（ＩＣＴ）への遷移が可能となる。その結果、一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子はもちろん、三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子が発光に寄与することになる。
したがって、遅延蛍光物質を含む発光素子が駆動すると、熱や電界によって２５％の一重項エネルギー準位（Ｓ１）を持つ励起子と、７５％の三重項エネルギー準位（Ｔ１）を持つ励起子とが中間状態（ＩＣＴ）へ遷移し、再び基底状態（Ｓ０）へ落ちる際に発光が起きるので、内部量子効率は、理論上１００％となる。
三重項状態と一重項状態で共にエネルギー遷移が起こるためには、遅延蛍光物質は、一重項エネルギー準位（Ｓ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１）の差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下、例えば０．０５ｅＶないし０．３ｅＶ以下でなければならない。一重項状態と三重項状態とのエネルギー差の小さい材料は、一重項状態から三重項状態へエネルギーが遷移する系間交差（ＩＳＣ）が起こることで蛍光を示すだけでなく、常温レベルの熱エネルギー、または電界により、三重項状態から、エネルギーのさらに高い一重項状態へ逆系間交差（ＲＩＳＣ）が起こり、一重項状態が基底状態へ遷移しながら遅延蛍光を示す。
遅延蛍光の場合、理論上、最大１００％の効率を得ることができるので、従来の重金属を含む燐光材料と同等の内部量子効率を具現化することができる。但し、遅延蛍光を具現化するためのホストは、ドーパントにおける三重項状態の励起子が消光（非発光消滅）されず、発光に寄与できるよう、誘導しなければならない。そのため、ホストと遅延蛍光物質のエネルギー準位が調節されなければならない。
図４に概略的に示すように、発光物質層３６０（ＥＭＬ）に含まれる第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）と、励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）は、それぞれ遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）における励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）より高くなければならない。例えば、ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より０．２ｅＶ以上高くてもよい。
第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）が、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）より十分に高くない場合、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）の励起子が、第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）へと逆電荷移動を行う。それにより、三重項励起子が発光できない第１ホストで、三重項励起子が非発光消滅するため、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子は、発光に寄与できなくなる。一例に、第１ホストに用いられる化合物における励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）は、２．８ｅＶ以上であり、励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、２．６ｅＶ以上であり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物であり得る第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）との差（ΔＥＳＴ ＴＤ）は、０．３ｅＶ以下、例えば０．０５ｅＶないし０．３ｅＶであり得る。
また、第１ホストと第１ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位を適切に調整する必要がある。一例に、第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、または第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下、例えば０．１ｅＶないし０．５ｅＶであることが好ましい。それにより、ホストから第１ドーパントへの電荷移動効率が向上し、最終的に発光効率を向上させることができる。
さらに、ホストのＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位との間におけるエネルギーバンドギャップ（ＥｇＨ）は、第１ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位との間におけるエネルギーバンドギャップ（ＥｇＴＤ）より大きくてもよい。一例に、第１ホストのＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）は、第１ドーパントのＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）より低く、第１ホストのＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）は、第１ドーパントのＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）より高い。
１つの例示的な実施形態において、遅延蛍光特性を持つ第１ドーパントに用いることのできる化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物のＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）は、−４．５ｅＶないし−５．９ｅＶ、好ましくは−５．０ｅＶないし−５．７ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）は、−２．０ｅＶないし−３．５ｅＶ、好ましくは−２．２ｅＶないし−２．９ｅＶであって、これらエネルギー準位間のエネルギーバンドギャップ（ＥｇＴＤ）は、２．３ｅＶないし３．０ｅＶ、好ましくは２．４ｅＶないし２．８ｅＶであり得る。一方、第１ホストのＨＯＭＯエネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）は、−５．０ｅＶないし−６．５ｅＶ、好ましくは−５．５ｅＶないし−６．２ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）は、−１．５ｅＶないし−３．０ｅＶ、好ましくは−１．５ｅＶないし−２．５ｅＶであって、これらエネルギー準位間のエネルギーバンドギャップ（ＥｇＨ）は、３．０ｅＶないし４．０ｅＶ、好ましくは３．０ｅＶないし３．５ｅＶであり得る。
１つの例示的な実施形態において、発光物質層３６０の第１ホストは、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐カルボニトリル；ｍＣＰ−ＣＮ、ＣＢＰ、３，３’‐ビス（Ｎ‐カルバゾリル）‐１，１’‐ビフェニル；ｍＣＢＰ、１，３‐ビス（カルバゾール‐９‐イル）ベンゼン；ｍＣＰ、オキシビス（２，１‐フェニレン）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）；ＤＰＥＰＯ、２，８‐ビス（ジフェニルホスホリル）ジベンゾチオフェン；ＰＰＴ、１，３，５‐トリ［（３‐ピリジル）‐フェン‐３‐イル］ベンゼン；ＴｍＰｙＰＢ、２，６‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン；ＰＹＤ−２Ｃｚ、２，８‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ジベンゾチオフェン；ＤＣｚＤＢＴ、３’，５’‐ジ（カルバゾール‐９‐イル）‐［１，１’‐ビフェニル］‐３，５‐ジカルボニトリル；ＤＣｚＴＰＡ、４’‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ビフェニル‐３，５‐ジカルボニトリル；ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、３’‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９−イル）ビフェニル‐３，５‐ジカルボニトリル；ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ジフェニル‐４‐トリフェニルシリルフェニル‐ホスフィンオキシド；ＴＰＳ０１、９‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐６‐イル）‐９Ｈ‐カルバゾール；ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
発光物質層３６０が第１ホストと第１ドーパントを含む場合、第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きくてもよく同じであってもよい。第１ドーパントは、発光物質層３６０内に、１重量％ないし５０重量％、好ましくは１０重量％ないし４０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％の割合でドープすることができる。
前述した第１実施形態では、遅延蛍光特性を有する１つのドーパントのみを含む発光物質層３６０を備える有機発光ダイオードを提案した。これとは異なって、発光物質層は、２つ以上の互いに異なる特性を有するドーパントを含むことができるが、これについて説明する。
図５は、本発明の例示的な第２実施形態に係る有機化合物が発光層に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図６は、本発明の例示的な第２実施形態によってホストと、遅延蛍光特性を有する本発明の化合物と、蛍光物質とを含む発光物質層における発光メカニズムに関し、ホストと遅延蛍光物質と蛍光物質との間におけるエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図５に示すように、本発明の第２実施形態に係る有機発光ダイオード４００は、互いに対向する第１電極４１０および第２電極４２０と、第１電極４１０と第２電極４２０の間に位置する発光層４３０とを備える。
例示的な実施形態において、発光層４３０は、第１電極４１０から順次積層される正孔注入層４４０、正孔輸送層４５０、発光物質層４６０、電子輸送層４７０および電子注入層４８０を含む。また、発光層４３０は、正孔輸送層４５０と発光物質層４６０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層（ＥＢＬ）４５５、および／または発光物質層４６０と電子輸送層４７０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層（ＨＢＬ）４７５をさらに含む。
前述したように、第１電極４１０は、陽極であり得る。また、第１電極４１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどからなり得る。第２電極４２０は、陰極であり得る。また、第２電極４２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせからなり得る。例えば、第１電極３１０と第２電極３２０は、それぞれ３０ｎｍないし３００ｎｍの厚さで積層することができる。
正孔注入層４４０は、第１電極４１０と正孔輸送層４５０の間に位置する。そして、正孔注入層４４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ-ＮＡＴＡ、２Ｔ-ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ-ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。有機発光ダイオード４００の構造により、正孔注入層４４０は省略してもよい。
正孔輸送層４５０は、第１電極４１０と発光物質層４６０との間において、発光物質層４６０に隣接して位置する。そして、正孔輸送層４５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどの芳香族アミン化合物を含む群から選択される化合物で構成することができる。
１つの例示的な実施形態において、正孔注入層４４０および正孔輸送層４５０は、それぞれ５ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
本実施形態において、発光物質層４６０は、ホスト（第１ホスト）と、第１ドーパントと、第２ドーパントとからなり得る。一例に、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物を、第１ドーパント（Ｔドーパント）に用いることができ、蛍光または燐光物質を、第２ドーパント（Ｆドーパント）に用いることができる。発光物質層４６０を構成するホスト、第１ドーパント、第２ドーパントの種類およびエネルギー準位については後述する。
電子輸送層４７０は、発光物質層４６０と電子注入層４８０の間に位置する。一例に、電子輸送層４７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。例えば、電子輸送層４７０は、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、および／またはＴＰＱなどからなり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層４８０は、第２電極４２０と電子輸送層４７０との間に位置する。電子注入層４８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例えば、電子輸送層４７０および電子注入層４８０は、それぞれ１０ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、正孔が発光物質層４６０を通じて第２電極４２０へ移動したり、電子が発光物質層４６０を通じて第１電極４１０へ移動したりする場合、素子の寿命や効率の減少をもたらすことがある。これを防ぐため、本発明の例示的な第２実施形態に係る有機発光ダイオード４００は、発光物質層４６０に隣接した、少なくとも１つの励起子遮断層を有する。
例えば、本発明の第２実施形態に係る有機発光ダイオード４００では、正孔輸送層４５０と発光物質層４６０との間に、電子の移動を制御・防止できる電子遮断層４５５が位置する。一例に、電子遮断層４５５は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、および／またはＴＤＡＰＢなどから構成することができる。
また、発光物質層４６０と電子輸送層４７０との間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層４７５が位置し、発光物質層４６０と電子輸送層４７０との間における正孔の移動を防止する。１つの例示的な実施形態において、正孔遮断層４７５の素材に、電子輸送層４７０に用いられ得るオキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体を用いることができる。
例えば、正孔遮断層４７５は、発光物質層４６０に用いられた素材に比較して、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、および／またはビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物で構成することができる。
一例に、電子遮断層４５５および正孔遮断層４７５は、それぞれ５ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし１００ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
前述した第１実施形態では、ホストと、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントのみからなる発光物質層を構成した。遅延蛍光の場合、理論上、最大１００％の効率を得ることができるので、従来の重金属を含む燐光材料と同等の内部量子効率を具現化することができる。
しかしながら、遅延蛍光特性を有する化合物における電子供与体・電子受容体の結合構造および構造的な歪みにより、発光過程においてさらなる電荷移動遷移（Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ、ＣＴ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）が引き起こされるため、様々な幾何的構造を有することになる。そのため、遅延蛍光物質が発光する際、半値幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ；ＦＷＨＭ）が広いスペクトルを有することになり、色純度を低下させるという短所がある。また、遅延蛍光物質は、三重項励起子エネルギーも発光過程で使用し、分子を構成するそれぞれの部分が回転して、分子内電荷移動（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ；ＴＩＣＴ）を引き起こす。よって、分子の結合力が低下し、素子の寿命が低下し得る。
本発明の第２実施形態においては、遅延蛍光物質を用いた場合に引き起こされる色純度の低下および素子の寿命低下を防止できるよう、発光物質層４６０に蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパントをさらに含む。それにより、図６に概略的に示すように、遅延蛍光特性を有する第１ドーパント（Ｔドーパント）の三重項エネルギーが一重項エネルギーに変換し、第１ドーパントの一重項エネルギーは、分子間の電子交換による励起子の拡散により、隣接された分子間における波動関数の重なりに依存するデクスターエネルギー移動を介して、同じ発光物質層内の第２ドーパントへ伝達され、超蛍光を具現化することができる。
発光物質層（ＥＭＬ）４６０が、第１ホストと、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）と、蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパント（Ｆドーパント）を含む場合、それらの間のエネルギー準位を適切に調節する必要がある。
図６に概略的に示すように、遅延蛍光特性を具現化するため、化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）における励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）の差は、０．３ｅＶ以下であり得る。また、第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、それぞれ第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高い。例えば、ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より０．２ｅＶ以上高くてもよい。また、第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、それぞれ第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＦＤ）より高い。
また、ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、またはホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下であり得る。
例えば、第１ホストは、ｍＣＰ‐ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ‐２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ＴＰＳ０１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、超蛍光を具現化するため、遅延蛍光物質である第１ドーパントから、蛍光または燐光物質である第２ドーパントへエネルギーを効率よく伝達しなければならない。遅延蛍光物質から蛍光または燐光物質へのエネルギー移動効率に関し、遅延蛍光物質の発光スペクトルと、エネルギーの伝達を受ける蛍光または燐光物質の吸収スペクトルとの重なりが最も重要な要素として考えられる。そのため、遅延蛍光特性を持つ化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントの発光スペクトルとの重畳領域の広い吸収スペクトルを有する、蛍光または燐光物質を第２ドーパントに用いることができる。
１つの例示的な実施形態において、第２ドーパントに用いられ得る蛍光物質は、キノリノ‐アクリジンコアを有することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
一例に、キノリノ‐アクリジンコアを有する第２ドーパントには、５，１２−ジメチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．３ｅＶ；Ｔ１：２．０ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．０ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．４ｅＶ）、５，１２−ジエチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．３ｅＶ；Ｔ１：２．２ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．０ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．４ｅＶ）、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ジフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．２ｅＶ；Ｔ１：２．０ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．１ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．５ｅＶ）、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ビス（トリフルオロメチル）キノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．２ｅＶ；Ｔ１：２．０ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．１ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．５ｅＶ）、５，１２−ジブチル‐２，３，９，１０‐テトラフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン（Ｓ１：２．０ｅＶ；Ｔ１：１．８ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．３ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．５ｅＶ）などが挙げられる。
その他、第２ドーパントに用いることのできる蛍光物質は、［１，１，７，７‐［テトラメチル‐（２，３，６，７‐テトラヒドロ‐１Ｈ，５Ｈ‐ベンゾ［ｉｊ］キノリジン‐９‐イル）エテニル］‐４Ｈ‐ピラン‐４‐イリデン］プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ；Ｓ１：２．３ｅＶ；Ｔ１：１．９ｅＶ；ＬＵＭＯ：−３．１ｅＶ；ＨＯＭＯ：−５．３ｅＶ）である。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。また、その他に、燐光物質であって、緑色に発光することのできる金属錯体化合物を、第２ドーパントに用いることもできる。
例示的な実施形態において、発光物質層４６０における第１ホストの重量比は、第１ドーパントおよび第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。このとき、第１ドーパントの重量比は、第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。選択的な実施形態において、第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きく、第１ドーパントの重量比は、第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。例えば、第１ドーパントの重量比が第２ドーパントの重量比より大きい場合、第１ドーパントから第２ドーパントへ、デクスターメカニズムによるエネルギーの伝達が十分に行われ得る。例えば、発光物質層４６０における第１ホストは、６０重量％ないし７５重量％、第１ドーパントは、２０重量％ないし４０重量％、第２ドーパントは、０．１重量％ないし５重量％の割合で含むことができる。
一方、発光物質層４６０は、１０ｎｍないし２００ｎｍ、好ましくは２０ｎｍないし１００ｎｍ、さらに好ましくは３０ｎｍないし５０ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
前述した第１実施形態ないし第２実施形態では、発光物質層が単層からなる有機発光ダイオードを説明したが、本発明に係る有機発光ダイオードは、多層の発光物質層からなってもよい。図７は、本発明の例示的な第３実施形態により、有機化合物が発光層に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図８は、本発明の例示的な第３実施形態により、発光物質層が２つの発光物質層からなる場合、それぞれの発光物質層に含まれ得る物質の種類およびこれらの間のエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図７に示すように、本発明の例示的な第３実施形態に係る有機発光ダイオード５００は、互いに対向する第１電極５１０および第２電極５２０と、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する発光層５３０とを備える。
例示的な実施形態において、発光層５３０は、第１電極５１０から順次積層される正孔注入層５４０、正孔輸送層５５０、発光物質層５６０、電子輸送層５７０および電子注入層５８０を含むことができる。また、発光層５３０は、正孔輸送層５５０と発光物質層５６０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層５５５、および／または発光物質層５６０と電子輸送層５７０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層５７５をさらに含むことができる。
前述したように、第１電極５１０は、陽極であり得る。また、第１電極５１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどからなり得る。第２電極５２０は、陰極であり得る。また、第２電極５２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせからなり得る。
正孔注入層５４０は、第１電極５１０と正孔輸送層５５０の間に位置する。そして、正孔注入層５４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ-ＮＡＴＡ、２Ｔ-ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ-ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。
正孔輸送層５５０は、第１電極５１０と発光物質層５６０との間において、発光物質層５６０に隣接して位置する。そして、正孔輸送層５５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどの芳香族アミン化合物を含む群から選択される化合物で構成することができる。
発光物質層５６０は、正孔輸送層５５０と電子輸送層５７０との間に位置する第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２と、第１発光物質層５６２と電子輸送層５７０との間に位置する第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４とを含む。第１発光物質層５６２と第２発光物質層５６４のうち、いずれか一方は、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）を含み、他方は、蛍光または燐光物質である第２ドーパント（Ｆドーパント）を含む。これらのホストとドーパントの種類およびエネルギー準位については後述する。
電子輸送層５７０は、発光物質層５６０と電子注入層５８０との間に位置する。一例に、電子輸送層５７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。例えば、電子輸送層５７０は、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、および／またはＴＰＱなどからなり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層５８０は、第２電極５２０と電子輸送層５７０との間に位置する。電子注入層５８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、本発明の第３実施形態に係る有機発光ダイオード５００には、正孔輸送層５５０と発光物質層５６０との間に、電子の移動を防止・制御できる電子遮断層５５５が位置する。一例に、電子遮断層５５５は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、および／またはＴＤＡＰＢなどから構成することができる。
また、発光物質層５６０と電子輸送層５７０との間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層５７５が位置し、発光物質層５６０と電子輸送層５７０との間における正孔の移動を防止する。１つの例示的な実施形態において、正孔遮断層５７５に、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体を用いることができる。
例えば、正孔遮断層５７５は、発光物質層５６０に用いられた素材に比較して、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、および／またはビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物で構成することができる。
本発明の例示的な第３実施形態において、第１発光物質層５６２は、第１ホストと第１ドーパントとを含む。第２発光物質層５６４は、第２ホストと、蛍光または燐光物質である第２ドーパントとを含む。
第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２は、第１ホストと、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパントとからなり得る。ところが、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれる第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１）と励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１）の差が非常に小さく（ΔＥＳＴ ＴＤは０．３ｅｖ以下）、逆系間交差（ＲＩＳＣ）によって第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギーが励起状態の一重項エネルギー準位へと変換される。しかしながら、第１ドーパントは高い量子効率を有するものの、半値幅が広いので、色純度は良くない。
一方、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４は、第２ホストと、蛍光物質である第２ドーパントとからなり得る。蛍光物質である第２ドーパントは、第１ドーパントに比べて半値幅が狭いことから色純度の面でメリットがあるが、三重項励起子が発光に寄与できないため、量子効率に限界がある。
しかしながら、本実施形態によると、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれた遅延蛍光特性を有する第１ドーパントの一重項エネルギーおよび三重項エネルギーは、双極子・双極子の相互作用による電場を通じて非放射の形で伝達されるフェルスター共鳴エネルギー移動（Ｆｏｒｓｔｅｒ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ、ＦＲＥＴ）により、隣接した第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４に含まれた第２ドーパントへ伝達され、第２ドーパントで最終的な発光が起こる。
すなわち、逆系間交差により、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれた第１ドーパントの三重項エネルギーが一重項エネルギーに変換される。第１ドーパントの一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４における第２ドーパントの一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高いので、第１ドーパントの一重項エネルギーが第２ドーパントの一重項エネルギーへ伝達される。第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４における第２ドーパントは、一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て利用し、発光することになる。
第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２の遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントから生成されたエネルギーが、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４の第２ドーパントへ効率よく伝達され、超蛍光を具現化することができる。このとき、実質的な発光は、蛍光または燐光物質である第２ドーパントを含む第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４で起こる。したがって、有機発光ダイオード５００の量子効率が向上し、半値幅が狭くなって色純度が向上する。
一方、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２と第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４は、それぞれ第１ホストと第２ホストを含むことができる。第１ホストおよび第２ホストで生成された励起子エネルギーは、まず、遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントへ移動し、発光しなければならない。
第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）、および／または第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）と第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）は、それぞれ遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）、および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高くなければならない。
例えば、第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）と第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）が、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より十分に高くない場合、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子が、第１および第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１、Ｔ１ Ｈ２）へと逆電荷移動を行う。それにより、遅延蛍光物質である第１ドーパントの三重項励起子が非発光消滅するため、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子は、発光に寄与できなくなる。一例に、第１および第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１、Ｔ１ Ｈ２）は、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より、少なくとも０．２ｅＶ以上高くてもよい。
一方、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い。それにより、第２ホストで生成された一重項励起子のエネルギーが第２ドーパントの一重項エネルギーへ伝達され得る。
さらに、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２でＲＩＳＣにより、ＩＣＴ錯体状態へ変わった第１ドーパントから、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４の蛍光または燐光物質へエネルギーを遷移させる一方、高効率、かつ高色純度を有する有機発光ダイオードを具現化する必要がある。かかる有機発光ダイオードを具現化するため、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２に含まれる第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、それぞれ第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４に含まれる蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＦＤ）より高くなければならない。
また、第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ１−ＨＯＭＯＴＤ│）、または第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ１−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下であり得る。
かかる条件を満たさない場合、第１ドーパントおよび第２ドーパントで非発光消滅が起こったり、ホストからドーパントへのエネルギー伝達が行われなかったりして、有機発光ダイオード５００の量子効率が低下し得る。
第１ホストと第２ホストは、同じであってもよく、異なってもよい。例えば、第１ホストおよび第２ホストは、それぞれ独立して、ｍＣＰ−ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ−２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ＴＰＳ０１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
また、第２ドーパントは、半値幅が狭く、第１ドーパントの吸収スペクトルとの重畳領域の広い発光スペクトルを有することができる。一例に、第２ドーパントは、５，１２−ジメチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジエチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ジフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ビス（トリフルオロメチル）キノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐２，３，９，１０‐テトラフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオンのようなキノリノ‐アクリジンコアを有する有機化合物、ＤＣＪＴＢ、また緑色に発光することのできる金属錯体化合物を含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
１つの例示的な実施形態において、第１発光物質層５６２と第２発光物質層５６４のそれぞれにおける第１ホストおよび第２ホストは、同じ発光物質層を構成する第１ドーパントおよび第２ドーパントより、大きい或いは同じ重量比を有することができる。また、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２における第１ドーパントの重量比は、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４における第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。それにより、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２の第１ドーパントから、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４の第２ドーパントへの、ＦＲＥＴによるエネルギー伝達が十分に行われ得る。
一方、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２内における第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きくてもよく、同じであってもよい。例えば、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２で第１ホストの含量は、５０重量％ないし９９重量％、好ましくは６０重量％ないし９０重量％、さらに好ましくは６０重量％ないし８０重量％であり、第１ドーパントの含量は、１重量％ないし５０重量％、好ましくは１０重量％ないし４０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％である。
一方、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４内における第２ホストの重量比は、第２ドーパントの重量比より大きくてもよい。例えば、第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４で第２ホストの含量は、９０重量％ないし９９重量％、好ましくは９５重量％ないし９９重量％であり、第２ドーパントの含量は、１重量％ないし１０重量％、好ましくは１重量％ないし５重量％である。
また、第１発光物質層（ＥＭＬ１）５６２と第２発光物質層（ＥＭＬ２）５６４は、それぞれ５ｎｍないし１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし３０ｎｍ、さらに好ましくは１０ｎｍないし２０ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例示的な実施形態によって、第２発光物質層５６４が正孔遮断層５７５に隣接して位置する場合、第２発光物質層５６４を構成する第２ホストは、正孔遮断層５７５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層５６４は、発光機能と共に、正孔遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層５６４は、正孔を遮断するためのバッファー層として働く。一方、正孔遮断層５７５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層５６４が、発光物質層および正孔遮断層として利用される。
他の例示的な実施形態において、第２発光物質層５６４が電子遮断層５５５に隣接して位置する場合、第２発光物質層５６４を構成する第２ホストは、電子遮断層５５５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層５６４は、発光機能と共に、電子遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層５６４は、電子を遮断するためのバッファー層として働く。一方、電子遮断層５５５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層５６４が、発光物質層および電子遮断層として利用される。
続いて、発光物質層が３層からなる有機発光ダイオードについて説明する。図９は、本発明の例示的な第４実施形態により、有機化合物が発光層に適用された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図であり、図１０は、本発明の例示的な第４実施形態により、発光物質層が３層からなる場合、それぞれの発光物質層に含まれ得る物質の種類およびこれら物質間のエネルギー準位関係を説明するための模式図である。
図９に示すように、本発明の例示的な第４実施形態に係る有機発光ダイオード６００は、互いに対向する第１電極６１０および第２電極６２０と、第１電極６１０と第２電極６２０の間に位置する発光層６３０とを備える。
例示的な実施形態において、発光層６３０は、第１電極６１０から順次積層される正孔注入層６４０、正孔輸送層６５０、発光物質層６６０、電子輸送層６７０および電子注入層６８０を含むことができる。また、発光層６３０は、正孔輸送層６５０と発光物質層６６０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層６５５、および／または発光物質層６６０と電子輸送層６７０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層６７５をさらに含むことができる。
前述したように、第１電極６１０は、陽極であり得る。また、第１電極６１０は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯおよびＡＺＯなどからなり得る。第２電極６２０は、陰極であり得る。また、第２電極６２０は、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせからなり得る。
正孔注入層６４０は、第１電極６１０と正孔輸送層６５０の間に位置する。そして、正孔注入層６４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ-ＮＡＴＡ、２Ｔ-ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ-ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミンなどからなる群から、いずれか１つの化合物で構成することができる。
正孔輸送層６５０は、第１電極６１０と発光物質層６６０との間において、発光物質層６６０に隣接して位置する。そして、正孔輸送層６５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ-ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、および／またはＮ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミンなどの芳香族アミン化合物を含む群から選択される化合物で構成することができる。
発光物質層６６０は、正孔輸送層６５０と電子輸送層６７０との間に位置する第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２と、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２と正孔輸送層６５０との間に位置する第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４と、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２と電子輸送層６７０との間に位置する第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６とを含む。それぞれの発光物質層を構成する物質およびエネルギー準位については後述する。
電子輸送層６７０は、発光物質層６６０と電子注入層６８０との間に位置する。一例に、電子輸送層６７０は、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体であり得る。例えば、電子輸送層６７０は、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、および／またはＴＰＱなどからなり得るが、本発明がこれに限定されるものではない。
電子注入層６８０は、第２電極６２０と電子輸送層６７０との間に位置する。電子注入層６８０の素材には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリハライド系物質、および／またはＬｉｑ、リチウムベンゾエイト、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系の物質を用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
有機発光ダイオード６００には、正孔輸送層６５０と発光物質層６６０との間に、電子の移動を防止・制御できる電子遮断層６５５が位置する。一例に、電子遮断層６５５は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、および／またはＴＤＡＰＢなどから構成することができる。
また、発光物質層６６０と電子輸送層６７０との間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層６７５が位置し、発光物質層６６０と電子輸送層６７０との間における正孔の移動を防止する。１つの例示的な実施形態において、正孔遮断層６７５に、オキサジアゾール系、トリアゾール系、フェナントロリン系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、トリアジン系などの誘導体を用いることができる。
例えば、正孔遮断層６７５は、発光物質層６６０に用いられた素材に比較して、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、および／またはビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物で構成することができる。
第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２は、遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）を含む。第２発光物質層６６４および第３発光物質層６６６は、それぞれ蛍光または燐光物質であり得る第２ドーパント（第１Ｆドーパント）および第３ドーパント（第２Ｆドーパント）を含む。また、第１ないし第３発光物質層６６２、６６４、６６６は、それぞれ第１ホストないし第３ホストをさらに含む。
本実施形態によると、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２に含まれた遅延蛍光物質である化学式１ないし化学式１１の構造を有するいずれか１つの有機化合物である第１ドーパント（Ｔドーパント）の一重項エネルギーおよび三重項エネルギーは、フェルスター共鳴エネルギー移動（ＦＲＥＴ）により、隣接した第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４および第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６にそれぞれ含まれた、蛍光または燐光物質である第２ドーパント（第１Ｆドーパント）および第３ドーパント（第２Ｆドーパント）へ伝達され、第２ドーパントおよび第３ドーパントで最終的な発光が起こる。
すなわち、逆系間交差により、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２における第１ドーパントの三重項エネルギーが一重項エネルギーに変換される。遅延蛍光物質である第１ドーパントの一重項エネルギーは、蛍光または燐光物質である第２および第３発光物質層６６４、６６６における第２および第３ドーパントの一重項エネルギーより大きい。第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２における第１ドーパントの一重項エネルギーは、ＦＲＥＴにより、隣接した第２および第３発光物質層（ＥＭＬ２、ＥＭＬ３）６６４、６６６における第２および第３ドーパントの一重項エネルギーへ伝達される。
したがって、第２および第３発光物質層６６４、６６６における第２および第３ドーパントは、一重項エネルギーと三重項エネルギーを全て利用し、発光することになる。第２および第３ドーパントは、第１ドーパントに比べて半値幅が狭い。そのため、有機発光ダイオード６００の量子効率が向上し、半値幅が狭くなり、色純度が向上する。特に、第１ドーパントの吸収波長との重畳領域の広い発光波長を有する第２および第３ドーパントを用いると、第１ドーパントから第２および第３ドーパントへエネルギーが効率よく伝達され得る。このとき、実質的な発光は、第２および第３ドーパントをそれぞれ含む第２および第３発光物質層６６４、６６６で起こる。
効率的な発光を具現化するため、第１ないし第３発光物質層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２、ＥＭＬ３）６６２、６６４、６６６に適用されたホストとドーパントのエネルギー準位を適切に調節する必要がある。
第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）と、第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ３）、および／または第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）、第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）と、第３ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ３）は、それぞれ遅延蛍光物質であり得る第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）、および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高くなければならない。
例えば、第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）と第２ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ２）および第３ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ３）が、第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より十分に高くない場合、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子が、第１、第２および第３ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１、Ｔ１ Ｈ２、Ｔ１ Ｈ３）へと逆電荷移動を行う。これらのホストの三重項励起子は発光することなく消滅するため、第１ドーパントにおける三重項状態の励起子は、発光に寄与できなくなり、発光効率が低下し得る。
さらに、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２でＲＩＳＣにより、ＩＣＴ錯体状態へ変わった第１ドーパントから、第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４、および第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６にそれぞれ添加された蛍光または燐光物質である第２および第３ドーパントへエネルギーを遷移させる一方、高効率、かつ高色純度を有する有機発光ダイオードを具現化する必要がある。かかる有機発光ダイオードを具現化するため、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２に含まれる遅延蛍光物質である第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、それぞれ第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４と第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６に含まれる蛍光または燐光物質であり得る第２および第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）および／または励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＦＤ１、Ｔ１ ＦＤ２）より高くなければならない。
また、遅延蛍光物質から蛍光または燐光物質へ遷移したエネルギーが、第２および第３ホストへ遷移することを防止し、効率的な発光を具現化する必要がある。かかる目的に関し、第２および第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２、Ｓ１ Ｈ３）は、それぞれ蛍光または燐光物質であり得る第２および第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）より高くなければならない。遅延蛍光を具現化できるよう、第１ドーパントは、一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）の差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下でなければならない。
また、第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ１−ＨＯＭＯＴＤ│）、または第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ１）と、第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ１−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下であり得る。
一方、第１ないし第３発光物質層６６２、６６４、６６６は、それぞれ第１ないし第３ホストを含むことができる。第１ないし第３ホストは、同じであってもよく、異なってもよい。例えば、第１ないし第３ホストは、それぞれ独立して、ｍＣＰ−ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ−２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ−２ＣＮ、ＴＰＳ０１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェンなどを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
また、第２および第３ドーパントは、半値幅が狭く、第１ドーパントの吸収スペクトルとの重畳領域の広い発光スペクトルを有することができる。一例に、第２および第３ドーパントは、５，１２−ジメチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジエチルキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ジフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐３，１０‐ビス（トリフルオロメチル）キノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオン、５，１２−ジブチル‐２，３，９，１０‐テトラフルオロキノリノ［２，３‐ｂ］アクリジン‐７，１４（５Ｈ，１２Ｈ）‐ジオンのようなキノリノ‐アクリジンコアを有する有機化合物、ＤＣＪＴＢ、また緑色に発光することのできる金属錯体化合物を含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
１つの例示的な実施形態において、第１ないし第３発光物質層６６２、６６４、６６６のそれぞれにおける第１ないし第３ホストは、同じ発光物質層を構成する第１ないし第３ドーパントより、大きい或いは同じ重量比を有することができる。また、第１発光物質層６６２における第１ドーパントの重量比は、第２および第３発光物質層６６４、６６６における第２および第３ドーパントの重量比より大きくてもよい。それにより、第１発光物質層６６２の第１ドーパントから、第２および第３発光物質層６６４、６６６の第２および第３ドーパントへの、ＦＲＥＴによるエネルギー伝達が十分に行われ得る。
一方、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２内における第１ホストの重量比は、第１ドーパントの重量比より大きくてもよく、同じであってもよい。例えば、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２で第１ホストの含量は、５０重量％ないし９９重量％、好ましくは６０重量％ないし９０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％であり、第１ドーパントの含量は、１重量％ないし５０重量％、好ましくは１０重量％ないし４０重量％、さらに好ましくは２０重量％ないし４０重量％である。
一方、第２および第３発光物質層６６４、６６６内における第２および第３ホストの重量比は、それぞれ同一の発光物質層内の第２および第３ドーパントの重量比より大きくてもよい。例えば、第２および第３発光物質層６６４、６６６で第２および第３ホストの含量は、それぞれ９０重量％ないし９９重量％、好ましくは９５重量％ないし９９重量％であり、第２および第３ドーパントの含量は、１重量％ないし１０重量％、好ましくは１重量％ないし５重量％である。
また、第１発光物質層（ＥＭＬ１）６６２は、２ｎｍないし１００ｎｍ、好ましくは２ｎｍないし３０ｎｍ、さらに好ましくは２ｎｍないし２０ｎｍの厚さで積層することができる。一方、第２発光物質層（ＥＭＬ２）６６４および第３発光物質層（ＥＭＬ３）６６６は、それぞれ５ｎｍないし１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍないし３０ｎｍ、さらに好ましくは１０ｎｍないし２０ｎｍの厚さで積層することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
例示的な実施形態において、第２発光物質層６６４が電子遮断層６５５に隣接して位置する場合、第２発光物質層６６４を構成する第２ホストは、電子遮断層６５５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層６６４は、発光機能と共に、電子遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層６６４は、電子を遮断するためのバッファー層として働く。一方、電子遮断層６５５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層６６４が、発光物質層および電子遮断層として利用される。
一方、例示的な実施形態において、第３発光物質層６６６が正孔遮断層６７５に隣接して位置する場合、第３発光物質層６６６を構成する第３ホストは、正孔遮断層６７５の物質と同一物質であり得る。このとき、第３発光物質層６６６は、発光機能と共に、正孔遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第３発光物質層６６６は、正孔を遮断するためのバッファー層として働く。一方、正孔遮断層６７５は省略してもよく、この場合、第３発光物質層６６４が、発光物質層および正孔遮断層として利用される。
他の例示的な実施形態において、第２発光物質層６６４を構成する第２ホストは、電子遮断層６５５の物質と同一の物質であり、第３発光物質層６６６を構成する第３ホストは、正孔遮断層６７５の物質と同一物質であり得る。このとき、第２発光物質層６６４は、発光機能と共に、電子遮断機能を同時に有し、第３発光物質層６６６は、発光機能と共に、正孔遮断機能を同時に有することができる。すなわち、第２発光物質層６６４および第３発光物質層６６６は、それぞれ電子を遮断するためのバッファー層として、正孔を遮断するためのバッファー層として働くことができる。一方、電子遮断層６５５および正孔遮断層６７５は省略してもよく、この場合、第２発光物質層６６４が、発光物質層および電子遮断層として利用され、第３発光物質層６６６が発光物質層および正孔遮断層として利用される。
以下、例示的な実施形態を用いて本発明を説明するが、本発明が下記の実施例に記載された技術思想に限定されるものではない。
合成例１：化合物１‐１の合成
（１）中間体ａの合成
（２）化合物１‐１の合成
合成例２：化合物１‐８の合成
（１）中間体ｂの合成
（２）化合物１‐８の合成
合成例３：化合物１‐１０の合成
（１）中間体ｃの合成
（２）化合物１‐１０の合成
合成例４：化合物２‐１の合成
合成例５：化合物２‐７の合成
（１）中間体ｄの合成
（２）化合物２‐７の合成
合成例６：化合物２‐８の合成
（１）中間体ｅの合成
（２）化合物２‐８の合成
合成例７：化合物２‐１０の合成
（１）中間体ｆの合成
（２）化合物２‐１０の合成
合成例８：化合物２‐１１の合成
（１）中間体ｇの合成
（２）化合物２‐１１の合成
実験例１：エネルギー準位の測定
前記合成例１ないし合成例８で合成した化合物のＨＯＭＯエネルギー準位と、ＬＵＭＯエネルギー準位をそれぞれ測定した。下記の表１に記載したように、合成例１ないし合成例８でそれぞれ合成された有機化合物は、有機発光ダイオードにおける発光物質層のドーパントに使用するのに適したＨＯＭＯエネルギー準位、およびＬＵＭＯエネルギー準位を有することが確認できた。
合成例１で合成した化合物１‐１を発光物質層のドーパントに適用した有機発光ダイオードを製作した。ＩＴＯ基板は、使用する前にＵＶオゾンで洗浄した後、蒸発システムに積載した。基板の上部に有機物層を蒸着するため、真空蒸着チャンバー内へ基板を移送した。約１０‐６Ｔｏｒｒの真空状態下、加熱ボートから蒸発させ、次のように順次蒸着した。陰極（ＩＴＯ）、正孔注入層（ＨＡＴ‐ＣＮ、７ｎｍ）、正孔輸送層（ＮＰＢ、５５ｎｍ）、電子遮断層（ｍＣＢＰ、１０ｎｍ）、発光物質層（ホストの４‐（３‐トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ、ｄ］チオフェンに、化合物１‐１をドープ、７０％：３０％、３５ｎｍ）、正孔遮断層（Ｂ３ＰＹＭＰＭ、１０ｎｍ）、電子輸送層（ＴＰＢｉ、２０ｎｍ）、電子注入層（ＬｉＦ）、陽極（Ａｌ）。
陽極、有機物層および陰極を蒸着した後、皮膜を形成するため、蒸着チャンバーから乾燥箱内に移し、続けてＵＶ軽化エポキシおよび水分ゲッターを用いて封止した。
実施例２ないし実施例８：発光ダイオードの製作
発光物質層のドーパントとして、化合物１‐１に代わり、合成例２で合成した化合物１‐８（実施例２）、合成例３で合成した化合物１‐１０（実施例３）、合成例４で合成した化合物２‐１（実施例４）、合成例５で合成した化合物２‐７（実施例５）、合成例６で合成した化合物２‐８（実施例６）、合成例７で合成した化合物２‐１０（実施例７）、合成例８で合成した化合物２‐１１（実施例８）を、それぞれ用いた点を除き、実施例１の手順を繰り返して発光ダイオードを製作した。
比較例：発光ダイオードの製作
発光物質層のドーパントとして、化合物１‐１に代わり、下記の化学式で表したトリアジンコアを有する化合物を用いた点を除き、実施例１の手順を繰り返して発光ダイオードを製造した。
実施例１ないし実施例８、および比較例でそれぞれ製造された有機発光ダイオードを対象に物性を測定した。９ｍｍ２の放出領域を有するそれぞれの有機発光ダイオードを外部の電力供給源に連結し、電流供給源（ＫＥＩＴＨＬＥＹ）および光度計（ＰＲ ６５０）を用いて、室温下で素子の特性を評価した。１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度下で測定したそれぞれの発光ダイオードの駆動電圧（Ｖ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）、外部量子効率（ＥＱＥ、％）、ＣＩＥ色座標、電界発光（ＥＬ）、最大発光波長（λｍａｘ、ｎｍ）を、下記の表２に示す。
その結果、本発明の有機化合物を発光層に適用して、発光効率を向上させることができ、色純度の優れた超蛍光を具現化する有機発光ダイオードを製造することができる。したがって、本発明の有機化合物が適用された有機発光ダイオードを利用し、有機発光ダイオード表示装置、および／または照明装置などに活用することができる。
実施例９ないし実施例１１：発光ダイオードの製作
発光物質層のドーパントとして化合物１‐１を用いて、ドープ濃度を１０重量％（実施例９）、２０重量％（実施例１０）、５０重量％（実施例１１）に変更した点を除き、実施例１の手順を繰り返して発光ダイオードを製作した。
実験例３：有機発光ダイオードの発光特性の測定
実施例１、実施例９ないし実施例１１、および比較例でそれぞれ製造された有機発光ダイオードを対象に、実験例２の手順を繰り返して発光物性を測定した。その結果を、下記の表３に示す。
以上、本発明の例示的な実施形態および実施例に基づき、本発明を説明したが、本発明は、前述した実施形態および実施例に記載された技術思想に限定されるものではない。むしろ、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、前述した実施形態および実施例に基づき、様々な変形や変更を容易に推考することができる。しかしながら、かかる変形や変更が全て本発明の権利範囲に属するということは、請求の範囲から明らかである。
１００…有機発光表示装置、２００、３００、４００、５００、６００…有機発光ダイオード、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０…第１電極、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０…第２電極、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０…発光層、３４０、４４０、５４０、６４０…正孔注入層、３５０、４５０、５５０、６５０…正孔輸送層、３６０、４６０、５６０、６６０…発光物質層、３７０、４７０、５７０、６７０…電子輸送層、３８０、４８０、５８０、６８０…電子注入層、４５５、５５５、６５５…電子遮断層、４７５、５７５、６７５…正孔遮断層、５６２、６６２…第１発光物質層、５６４、６６４…第２発光物質層、６６６…第３発光物質層
Claims (32)
- 下記の化学式１の構造を有する有機化合物。
- 前記有機化合物は、下記の化学式４の構造を有する有機化合物を含む、請求項１に記載の有機化合物。
- 前記有機化合物は、下記の化学式５の構造を有する有機化合物を含む、請求項１に記載の有機化合物。
- 前記化学式２は、下記の化学式６で表される、請求項１に記載の有機化合物。
- 前記化学式１の構造を有する有機化合物は、下記の化学式７の構造を有するいずれか１つの化合物を含む、請求項４に記載の有機化合物。
- 前記化学式２は、下記の化学式８の構造を有する、請求項１に記載の有機化合物。
- 前記化学式１の構造を有する有機化合物は、下記の化学式９の構造を有するいずれか１つの化合物を含む、請求項６に記載の有機化合物。
- 前記化学式３の構造を有する化合物は、下記の化学式１０の構造を有する化合物を含む、請求項１に記載の有機化合物。
- 前記化学式１の構造を有する有機化合物は、下記の化学式１１の構造を有するいずれか１つの化合物を含む、請求項８に記載の有機化合物。
- 互いに対向する第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光物質層とを備え、
前記発光物質層は、請求項１ないし請求項９のうち、いずれか１項に記載の有機化合物を含む有機発光ダイオード。 - 前記発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含む、請求項１０に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１ホストの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＨ）と、前記第１ドーパントの最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＴＤ）との差（│ＨＯＭＯＨ−ＨＯＭＯＴＤ│）、または前記第１ホストの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＨ）と、前記第１ドーパントの最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＴＤ）との差（│ＬＵＭＯＨ−ＬＵＭＯＴＤ│）は、０．５ｅＶ以下である、請求項１１に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高い、請求項１１に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）との差（ΔＥＳＴ ＴＤ）が０．３ｅＶ以下である、請求項１１に記載の有機発光ダイオード。
- 前記発光物質層は、第２ドーパントをさらに含み、
前記第１ドーパントにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）は、前記第１ホストにおける励起状態の三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ）より低く、
前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い、請求項１１に記載の有機発光ダイオード。 - 前記発光物質層は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記有機化合物を含む第１発光物質層と、前記第１電極と前記第１発光物質層との間、または前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置する第２発光物質層とを含む、請求項１０に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含む、請求項１６に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第２発光物質層は、第２ホストと第２ドーパントとを含む、請求項１７に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い、請求項１８に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高く、
前記第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ）より高い、請求項１８に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、
前記有機発光ダイオードは、前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、
前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である、請求項１８に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第２発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、
前記第２発光物質層と前記第２電極との間に位置する正孔遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記正孔遮断層の物質と同一である、請求項１８に記載の有機発光ダイオード。 - 前記発光物質層は、前記第１発光物質層を中心にして、前記第２発光物質層と反対側に位置する第３発光物質層をさらに含む、請求項１６に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１発光物質層は、第１ホストと第１ドーパントとを含み、
前記第１ドーパントは、前記有機化合物を含む、請求項２３に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第２発光物質層は、第２ホストと第２ドーパントとを含み、
前記第３発光物質層は、第３ホストと第３ドーパントとを含む、請求項２４に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）は、前記第２ドーパントおよび前記第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１、Ｓ１ ＦＤ２）より高い、請求項２５に記載の有機発光ダイオード。
- 前記第１ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ１）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ Ｈ１）は、それぞれ前記第１ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＴＤ）と三重項エネルギー準位（Ｔ１ ＴＤ）より高く、
前記第２ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ２）は、前記第２ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ１）より高く、
前記第３ホストにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ Ｈ３）は、前記第３ドーパントにおける励起状態の一重項エネルギー準位（Ｓ１ ＦＤ２）より高い、請求項２５に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記第３発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、
前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である、請求項２５に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第２発光物質層は、前記第１電極と前記第１発光物質層との間に位置し、前記第３発光物質層は、前記第１発光物質層と前記第２電極との間に位置し、
前記第２電極と前記第３発光物質層との間に位置する正孔遮断層をさらに備え、前記第３ホストは、前記正孔遮断層の物質と同一である、請求項２５に記載の有機発光ダイオード。 - 前記第１電極と前記第２発光物質層との間に位置する電子遮断層をさらに備え、前記第２ホストは、前記電子遮断層の物質と同一である、請求項２９に記載の有機発光ダイオード。
- 基板と、
前記基板上に位置する請求項１０に記載の有機発光ダイオードとを備える有機発光装置。 - 前記有機発光装置は、有機発光ダイオード表示装置を含む、請求項３１に記載の有機発光装置。
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