JP2020073710A5

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Publication number: JP2020073710A5
Application number: JP2019147150A
Authority: JP
Filing date: 2019-08-09
Publication date: 2022-02-04
Anticipated expiration: 2039-08-09

Claims

方法であって、
スパッタリングシステムによって、スパッタリングガスを前記スパッタリングシステムのチャンバー内に注入することと（前記スパッタリングガスは、アルゴンガスとヘリウムガスとの混合物である）、
前記スパッタリングシステムの前記チャンバー内に前記スパッタリングガスを注入することに基づいて、前記スパッタリングシステムによって、基板の第１の面上に第１のコーティングを堆積するために、ターゲットの少なくとも１つのコーティング材料を前記基板上の前記第１の面上にスパッタすることを含み、
前記第１のコーティングが、閾値厚さ未満の厚さを有し、
前記チャンバーをヘリウムガスなしでアルゴンガスで充填するとき、第２のコーティングを、前記基板の第２の面上に堆積し、
前記基板の前記第２の面が、前記基板の前記第１の面とは異なり、
前記第２のコーティングが、前記閾値厚さ以上の厚さを有する、方法。
前記少なくとも１つのコーティング材料を前記基板上にスパッタすることが、
前記スパッタリングシステムの前記チャンバーに配置されたアノードとカソードとを用いて、前記少なくとも１つのコーティング材料を前記基板上にスパッタすることを含む、請求項１に記載の方法。
前記スパッタリングガスを注入することが、
前記スパッタリングガスを
前記アルゴンガスについて約２００ＳＣＣＭ～５００ＳＣＣＭの流速、かつ、約９％～約６０％のヘリウムガス寄与率で注入すること
を含む、請求項１に記載の方法。
前記方法が、
前記基板の前記第２の面上に前記第２コーティングを堆積するために、別のコーティング材料を、別のスパッタリングガスを用いて、前記基板の前記第２の面上にスパッタすることを含み、
前記別のスパッタリングガスは、アルゴンおよび非ヘリウムを含む、請求項１に記載の方法。
アルゴンガスとヘリウムガスとの前記混合物が、約１：１～約１：３のアルゴンガスとヘリウムガスとの比に関連している、請求項１に記載の方法。
アルゴンガスとヘリウムガスとの前記混合物が、１５％～５５％のヘリウムガスに関連している、請求項１に記載の方法。
前記少なくとも１つのコーティング材料が、当該少なくとも１つのコーティング材料を水素化するための水素ガスの存在下でスパッタされる、請求項１に記載の方法。
前記水素ガスが、約８％～約２０％の濃度に関連している、請求項７に記載の方法。
前記第１のコーティングが、層の第１の組と、層の第２の組とを含み、
層の前記第２の組が、層の前記第１の組とは異なる、請求項１に記載の方法。
層の前記第１の組が、１つ以上のシリコン－ゲルマニウムまたは水素化シリコン－ゲルマニウムを含む、請求項９に記載の方法。
層の前記第２の組が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウムのうちの１つ以上を含む、請求項９に記載の方法。
前記スパッタリングシステムが、パルス直流マグネトロンスパッタリングシステムである、請求項１に記載の方法。
前記第２のコーティングを、ヘリウムガスを使わずに堆積する、請求項１に記載の方法。
前記第１のコーティングのアニーリング後固有応力レベルが、ヘリウムガスなしでアルゴンガスのみを使用して前記第２のコーティングを堆積する場合より低い、請求項１に記載の方法。
前記第１のコーティングが、当該第１のコーティングを水素化するための水素ガスの存在下でスパッタされる、請求項１に記載の方法。
方法であって、
システムによって、スパッタリングガスを前記システムのチャンバー内に注入することと（前記スパッタリングガスは、アルゴンガスとヘリウムガスとの混合物である）、
前記システムの前記チャンバー内に前記スパッタリングガスを注入することに基づいて、前記システムによって、基板の第１の面上に第１のコーティングを堆積するために、ターゲットの少なくとも１つのコーティング材料を前記基板上の前記第１の面上にスパッタすることと（前記第１のコーティングは、閾値厚さ未満の厚さを有する）、
前記チャンバーをヘリウムガスなしでアルゴンガスで充填しながら、システムによって、前記基板の第２の面上に第２のコーティングを堆積することとを含み、
前記基板の前記第２の面が、前記基板の前記第１の面とは異なり、
前記第２のコーティングが、前記閾値厚さ以上の厚さを有する、方法。
前記チャンバーが、真空チャンバーである、請求項１６に記載の方法。
前記スパッタリングガスを前記チャンバー内に注入することが、
プラズマ活性源、アノード、または少なくとも１つの電源のうちの少なくとも１つを用いてアルゴンガスとヘリウムガスとの前記混合物を前記チャンバー内に配置することを含む、請求項１６に記載の方法。
前記少なくとも１つのコーティング材料が、
シリコン材料、
二酸化ケイ素材料、
シリコン－ゲルマニウム材料、または
ゲルマニウム材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の方法。
方法であって、
スパッタリングシステムの真空チャンバー内に、アルゴンガスとヘリウムガスとの混合物を注入することと、
前記真空チャンバーをアルゴンガスとヘリウムガスとの前記混合物で充填するとき、前記スパッタリングシステムによって、ターゲットの少なくとも１つのコーティング材料を用いて、基板の第１の面上に第１のコーティングをスパッタすることと、
前記スパッタリングシステムの前記真空チャンバー内に、ヘリウムガスなしでアルゴンガスを注入することと、
前記真空チャンバーをヘリウムガスなしでアルゴンガスで充填するとき、前記スパッタリングシステムによって、前記基板の第２の面上に第２のコーティングをスパッタすることとを含み、
前記第１のコーティングが、前記第２のコーティングの第２の厚さ未満である第１の厚さを有し、
前記基板の前記第２の面が、前記基板の第１の面とは異なる、方法。