JP2020057694A - Solar cell - Google Patents

Solar cell Download PDF

Info

Publication number
JP2020057694A
JP2020057694A JP2018187391A JP2018187391A JP2020057694A JP 2020057694 A JP2020057694 A JP 2020057694A JP 2018187391 A JP2018187391 A JP 2018187391A JP 2018187391 A JP2018187391 A JP 2018187391A JP 2020057694 A JP2020057694 A JP 2020057694A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bus bar
solar cell
electrode
bar electrode
concave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018187391A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
翔士 佐藤
Shoji Sato
翔士 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2018187391A priority Critical patent/JP2020057694A/en
Publication of JP2020057694A publication Critical patent/JP2020057694A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

To provide a solar cell capable of improving the connectibility between a bus bar electrode and a wiring member, and reducing the used amount of conductive paste while maintaining high output characteristics.SOLUTION: A solar cell 10 includes: a silicon substrate 20; a semiconductor layer 80n formed over the silicon substrate 20; and multiple collector electrodes formed on the semiconductor layer 80n. The multiple collector electrodes have multiple finger electrodes 41, and a bus bar electrode 42 that is formed being connected to the multiple finger electrodes 41. The bus bar electrode 42 has an irregular portion 44 in which multiple recesses 45 and convexes 46 thicker than the recess 45 are forme alternatively in a first direction. The width w2 of the convexes 46 is larger than the width w1 of the recess 45 in a cross-section perpendicular to the silicon substrate 20 including the first direction.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、太陽電池セルに関する。   The present invention relates to a solar cell.

従来、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置として、太陽電池セルの開発が進められている。太陽電池セルは、無尽蔵の太陽光を直接電気に変換できることから、また、化石燃料による発電と比べて環境負荷が小さくクリーンであることから、新しいエネルギー源として期待されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, solar cells have been developed as photoelectric conversion devices that convert light energy into electric energy. BACKGROUND ART Solar cells are expected as a new energy source because they can directly convert inexhaustible sunlight into electricity, and have a smaller environmental load and are cleaner than power generation using fossil fuels.

太陽電池セルは、半導体基板上に当該半導体基板で発生した受光電荷を集電する集電電極を備える。集電電極は、太陽電池セル同士を電気的に接続するための配線部材が接続されるバスバー電極を含む。特許文献1には、バスバー電極にスリットを入れることで、バスバー電極と半導体基板との接着強度を向上させる太陽電池セルが開示されている。   The solar battery cell includes a current collecting electrode on a semiconductor substrate for collecting light received by the semiconductor substrate. The current collecting electrode includes a bus bar electrode to which a wiring member for electrically connecting the solar cells is connected. Patent Literature 1 discloses a solar cell in which a slit is formed in a bus bar electrode to improve the adhesive strength between the bus bar electrode and the semiconductor substrate.

特開2007−150356号公報JP 2007-150356 A

特許文献1に記載の太陽電池セルのバスバー電極は、スリットを設けるため、抵抗増大を抑制することができない。   The bus bar electrode of the solar cell described in Patent Literature 1 is provided with a slit, so that an increase in resistance cannot be suppressed.

そこで、本発明は、高出力特性を維持しつつ、導電性ペーストの使用量を削減することができ、かつバスバー電極と配線部材との接続性を向上することができる太陽電池セルを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a solar cell that can reduce the amount of conductive paste used while maintaining high output characteristics, and that can improve the connectivity between a bus bar electrode and a wiring member. With the goal.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池セルは、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられる半導体層と、前記半導体層上に設けられる複数本の集電電極とを備え、前記複数本の集電電極は、複数本のフィンガー電極と、当該複数本のフィンガー電極に接続して設けられるバスバー電極とを有し、前記バスバー電極は、凹部と前記凹部より厚みが厚い凸部とが第1の方向に交互に複数設けられた凹凸部を有し、前記凸部の幅は、前記半導体基板に垂直かつ前記第1の方向を含む断面において、前記凹部の幅より広い。   In order to achieve the above object, a solar cell according to one embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate, a semiconductor layer provided over the semiconductor substrate, and a plurality of current collecting electrodes provided over the semiconductor layer. The plurality of current collecting electrodes includes a plurality of finger electrodes and a bus bar electrode provided to be connected to the plurality of finger electrodes, and the bus bar electrode is thicker than the recess and the recess. The projection has a plurality of projections and depressions alternately provided in a first direction, and a width of the projection is wider than a width of the depression in a cross section perpendicular to the semiconductor substrate and including the first direction. .

本発明によれば、高出力特性を維持しつつ、導電性ペーストの使用量を削減することができ、かつバスバー電極と配線部材との接続性を向上することができる太陽電池セルを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a solar battery cell that can reduce the amount of conductive paste used while maintaining high output characteristics and can improve the connectivity between a bus bar electrode and a wiring member. Can be.

実施の形態に係る太陽電池セルの受光面側の平面図である。It is a top view by the side of the light-receiving surface of the solar cell which concerns on embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルの裏面側の平面図である。It is a top view on the back side of a solar cell concerning an embodiment. 図1AのII−II線における、実施の形態に係る太陽電池セルの断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view of the solar cell according to the embodiment, taken along line II-II in FIG. 1A. 図1Aの破線領域を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the broken line area of FIG. 1A. 図3のIVA−IVA線における、実施の形態に係る太陽電池セルの断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the solar cell according to the embodiment, taken along line IVA-IVA in FIG. 3. 図3のIVA−IVA線に対応する、実施の形態に係る太陽電池セルに配線部材が配置された状態を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to the line IVA-IVA of FIG. 3 and illustrating a state where a wiring member is arranged in the solar cell according to the embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第一例を示す平面図である。It is a top view showing other 1st examples of a bus bar electrode of a solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第二例を示す平面図である。It is a top view which shows the other 2nd example of the bus bar electrode of the solar cell which concerns on embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第三例を示す平面図である。It is a top view showing other 3rd examples of a bus bar electrode of a solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第四例を示す平面図である。It is a top view showing other 4th examples of the bus bar electrode of the solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第五例を示す平面図である。It is a top view showing other 5th examples of the bus bar electrode of the solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第六例を示す平面図である。It is a top view showing other 6th examples of the bus bar electrode of the solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第七例を示す平面図である。It is a top view which shows the other 7th example of the bus-bar electrode of the solar cell which concerns on embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第八例を示す平面図である。It is a top view showing other 8th examples of a bus bar electrode of a solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第九例を示す平面図である。It is a top view showing other ninth examples of the bus bar electrode of the solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極の他の第十例を示す平面図である。It is a top view showing other 10th examples of the bus bar electrode of the solar cell concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the solar cell which concerns on embodiment. 実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法で用いるスクリーン版の一例を示す図である。It is a figure showing an example of a screen version used in a manufacturing method of a solar cell concerning an embodiment.

以下では、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置、接続形態、工程(ステップ)、および、工程(ステップ)の順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Each of the embodiments described below shows a specific example of the present invention. Therefore, numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement of constituent elements, connection forms, steps (steps), and order of steps (steps) shown in the following embodiments are merely examples, and the present invention is not limited thereto. It is not intended to be limiting. Therefore, among the components in the following embodiments, components that are not described in the independent claims that represent the highest concept of the present invention are described as arbitrary components.

なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化される場合がある。   Each drawing is a schematic diagram, and is not necessarily strictly illustrated. In each of the drawings, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, and duplicate description may be omitted or simplified in some cases.

また、本明細書において、平行などの要素間の関係性を示す用語、および、矩形などの要素の形状を示す用語、並びに、数値、および、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数%程度の差異をも含むことを意味する表現である。   Further, in the present specification, a term indicating a relationship between elements such as parallel, and a term indicating a shape of an element such as a rectangle, and a numerical value, and a numerical range are not expressions expressing only a strict meaning. Is a meaning that includes a substantially equivalent range, for example, a difference of about several percent.

また、各図において、Z軸方向は、例えば、太陽電池セルの受光面に垂直な方向である。X軸方向及びY軸方向は互いに直交し、かつ、いずれもZ軸方向に直交する方向である。例えば、以下の実施の形態において、「平面視」とは、Z軸方向から見ることを意味する。   In each figure, the Z-axis direction is, for example, a direction perpendicular to the light receiving surface of the solar cell. The X-axis direction and the Y-axis direction are orthogonal to each other, and both directions are orthogonal to the Z-axis direction. For example, in the following embodiments, “plan view” means viewing from the Z-axis direction.

(実施の形態)
以下、本実施の形態に係る太陽電池セルについて、図1A〜図16を参照しながら説明する。
(Embodiment)
Hereinafter, the solar cell according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1A to 16.

[1.太陽電池セルの構成]
まず、本実施の形態に係る太陽電池セルの構成について、図1A〜図14を参照しながら説明する。
[1. Configuration of solar cell]
First, the configuration of the solar cell according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1A to 14.

図1Aは、本実施の形態に係る太陽電池セル10の受光面11側の平面図である。図1Bは、本実施の形態に係る太陽電池セル10の裏面12側の平面図である。図2は、図1AのII−II線における、本実施の形態に係る太陽電池セル10の断面図である。   FIG. 1A is a plan view on the light receiving surface 11 side of solar cell 10 according to the present embodiment. FIG. 1B is a plan view of the back surface 12 side of solar cell 10 according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of solar cell 10 according to the present embodiment, taken along line II-II in FIG. 1A.

図1A及び図1Bに示すように、太陽電池セル10の平面視形状は、矩形状である。例えば、太陽電池セル10は、125mm角の正方形の角が欠けた形状である。なお、太陽電池セル10の形状は、矩形状に限定されない。   As shown in FIG. 1A and FIG. 1B, the planar shape of the solar cell 10 is a rectangular shape. For example, the photovoltaic cell 10 has a 125 mm square shape with the corners missing. The shape of the solar cell 10 is not limited to a rectangular shape.

図2に示すように、太陽電池セル10は、半導体pn接合を基本構造としており、一例として、シリコン基板20と、当該シリコン基板20の一方の主面側(Z軸プラス側)に順次形成された、n側電極30n及びn側集電電極40nと、当該シリコン基板20の他方の主面側(Z軸マイナス側)に順次形成された、p側電極30p及びp側集電電極50pとを備える。なお、本実施の形態では、シリコン基板20の一方の主面は太陽電池セル10の主受光面側の面であり、以降において受光面11とも記載する。主受光面とは、太陽電池セル10を用いて太陽電池モジュールを構築したときに、当該太陽電池セル10に入射する光のうち50%より多い光が入射する面である。また、本実施の形態では、シリコン基板20の他方の主面はシリコン基板20の一方の主面と背向する面であり、以降において裏面12とも記載する。裏面12は、受光面11と反対側の面である。また、シリコン基板20は半導体基板の一例である。   As shown in FIG. 2, the solar cell 10 has a semiconductor pn junction as its basic structure. As an example, the solar cell 10 is sequentially formed on a silicon substrate 20 and one main surface side (the Z-axis plus side) of the silicon substrate 20. Further, the n-side electrode 30n and the n-side current collecting electrode 40n, and the p-side electrode 30p and the p-side current collecting electrode 50p sequentially formed on the other main surface side (Z axis minus side) of the silicon substrate 20 are combined. Prepare. In the present embodiment, one main surface of the silicon substrate 20 is a surface on the main light receiving surface side of the solar cell 10 and is also referred to as a light receiving surface 11 hereinafter. The main light receiving surface is a surface on which more than 50% of the light incident on the solar cell 10 is incident when a solar cell module is constructed using the solar cell 10. Further, in the present embodiment, the other main surface of silicon substrate 20 is a surface facing away from one main surface of silicon substrate 20, and is also referred to as back surface 12 hereinafter. The back surface 12 is a surface opposite to the light receiving surface 11. The silicon substrate 20 is an example of a semiconductor substrate.

シリコン基板20は、結晶系シリコン基板であり、一例としてn型の単結晶シリコン基板である。なお、シリコン基板20は、単結晶シリコン基板(n型単結晶シリコン基板、又は、p型単結晶シリコン基板)に限定されず、多結晶シリコン基板等の結晶系シリコン基板を含んで構成されてもよい。以降の説明において、シリコン基板20は、n型単結晶シリコン基板である例について説明する。また、例えば、シリコン基板20の平面形状は矩形状であり、厚みは150μm以下である。   The silicon substrate 20 is a crystalline silicon substrate, and is, for example, an n-type single crystal silicon substrate. Note that the silicon substrate 20 is not limited to a single-crystal silicon substrate (n-type single-crystal silicon substrate or p-type single-crystal silicon substrate), and may include a crystalline silicon substrate such as a polycrystalline silicon substrate. Good. In the following description, an example in which the silicon substrate 20 is an n-type single crystal silicon substrate will be described. Further, for example, the planar shape of the silicon substrate 20 is rectangular, and the thickness is 150 μm or less.

シリコン基板20の受光面11側及び裏面12側の面の少なくとも一方には、複数の角錐が2次元状に配置されたテクスチャ構造と呼ばれる凹凸形状(図示しない)が形成されていてもよい。これにより、太陽電池セル10は、シリコン基板20内において実効的に光の光路長を長くすることができるので、シリコン基板20の厚みを厚くすることなく発電に寄与する光の吸収を増やすことができる。太陽電池セル10は、例えば、シリコン基板20において吸収係数の小さい波長の光を、有効に発電に寄与させることができる。   On at least one of the light receiving surface 11 side and the back surface 12 side of the silicon substrate 20, an uneven shape (not shown) called a texture structure in which a plurality of pyramids are arranged two-dimensionally may be formed. Accordingly, the solar cell 10 can effectively increase the optical path length of light in the silicon substrate 20. Therefore, it is possible to increase the absorption of light that contributes to power generation without increasing the thickness of the silicon substrate 20. it can. The solar cell 10 can, for example, effectively contribute light of a wavelength having a small absorption coefficient in the silicon substrate 20 to power generation.

また、シリコン基板20には、n型半導体層(図3及び図4Aのn型半導体層80n参照)及びp型半導体層(図示しない)が形成されている。例えば、n型半導体層80nは、シリコン基板20の受光面11側の面に配置されており、p型半導体層は、シリコン基板20の裏面12側の面に配置されている。   An n-type semiconductor layer (see n-type semiconductor layer 80n in FIGS. 3 and 4A) and a p-type semiconductor layer (not shown) are formed on silicon substrate 20. For example, the n-type semiconductor layer 80n is disposed on the light receiving surface 11 side of the silicon substrate 20, and the p-type semiconductor layer is disposed on the back surface 12 side of the silicon substrate 20.

n型半導体層80nは、例えば、i型非晶質シリコン層81i(真性非晶質シリコン層)とn型非晶質シリコン層81nとを有する。i型非晶質シリコン層81iとn型非晶質シリコン層81nとは、この順にシリコン基板20の受光面11側の面上に積層されている。なお、ここでの積層とは、Z軸プラス方向に積層されていることを意味する。   The n-type semiconductor layer 80n has, for example, an i-type amorphous silicon layer 81i (intrinsic amorphous silicon layer) and an n-type amorphous silicon layer 81n. The i-type amorphous silicon layer 81i and the n-type amorphous silicon layer 81n are stacked in this order on the surface on the light receiving surface 11 side of the silicon substrate 20. Here, the term “stacking” means that the layers are stacked in the positive Z-axis direction.

i型非晶質シリコン層81iは、シリコン基板20とn型非晶質シリコン層81nとの間に配置されるパッシベーション層である。i型非晶質シリコン層81iは、ドーパントの含有率が1×1019cm−3未満であるアモルファスシリコンにより構成することができる。n型非晶質シリコン層81nは、シリコン基板20と同じ導電型を有する半導体層である。n型非晶質シリコン層81nは、例えば、リン(P)、砒素(As)などのn型ドーパントの含有率が5×1019cm−3以上であるアモルファスシリコンなどにより構成することができる。なお、n型半導体層80nは、例えば、少なくともn型非晶質シリコン層81nを有していればよい。また、n型半導体層80nは、半導体層の一例である。 The i-type amorphous silicon layer 81i is a passivation layer disposed between the silicon substrate 20 and the n-type amorphous silicon layer 81n. The i-type amorphous silicon layer 81i can be composed of amorphous silicon having a dopant content of less than 1 × 10 19 cm −3 . The n-type amorphous silicon layer 81n is a semiconductor layer having the same conductivity type as the silicon substrate 20. The n-type amorphous silicon layer 81n can be made of, for example, amorphous silicon having a content of an n-type dopant such as phosphorus (P) or arsenic (As) of 5 × 10 19 cm −3 or more. Note that the n-type semiconductor layer 80n only needs to have, for example, at least the n-type amorphous silicon layer 81n. The n-type semiconductor layer 80n is an example of a semiconductor layer.

p型半導体層は、例えば、i型非晶質シリコン層(真性非晶質シリコン層)とp型非晶質シリコン層とを有する。i型非晶質シリコン層とp型非晶質シリコン層とは、この順にシリコン基板20の裏面12側の面上に積層されている。なお、ここでの積層とは、Z軸マイナス方向に積層されていることを意味する。   The p-type semiconductor layer has, for example, an i-type amorphous silicon layer (intrinsic amorphous silicon layer) and a p-type amorphous silicon layer. The i-type amorphous silicon layer and the p-type amorphous silicon layer are stacked in this order on the surface on the back surface 12 side of the silicon substrate 20. Here, the term “lamination” means that the layers are laminated in the negative Z-axis direction.

i型非晶質シリコン層は、シリコン基板20とp型非晶質シリコン層との間に配置されるパッシベーション層である。p型非晶質シリコン層は、シリコン基板20と異なる導電型を有する半導体層である。p型非晶質シリコン層は、例えば、ボロン(B)などのp型ドーパントの含有率が5×1019cm−3以上であるアモルファスシリコンなどにより構成することができる。なお、p型半導体層は、例えば、少なくともp型非晶質シリコン層を有していればよい。 The i-type amorphous silicon layer is a passivation layer disposed between the silicon substrate 20 and the p-type amorphous silicon layer. The p-type amorphous silicon layer is a semiconductor layer having a conductivity type different from that of the silicon substrate 20. The p-type amorphous silicon layer can be made of, for example, amorphous silicon having a content of a p-type dopant such as boron (B) of 5 × 10 19 cm −3 or more. Note that the p-type semiconductor layer may have, for example, at least a p-type amorphous silicon layer.

n側電極30n及びp側電極30pは、例えば、透明な導電性材材料から構成される透明導電膜(TCO膜)である。透明導電膜は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウム(In)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化錫(SnO)、及び酸化チタン(TiO)等の金属酸化物のうち少なくとも1種を含んで構成されることが好ましい。これらの金属酸化物に、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)、アンチモン(Sb)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、セリウム(Ce)、ガリウム(Ga)などのドーパン卜がドープされていてもよく、例えば、InにSnがドープされたITOが特に好ましい。ドーパン卜の濃度は、0〜20質量%とすることができる。 The n-side electrode 30n and the p-side electrode 30p are, for example, transparent conductive films (TCO films) made of a transparent conductive material. The transparent conductive film has at least one of metal oxides such as indium oxide (In 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), and titanium oxide (TiO 2 ) having a polycrystalline structure. It is preferable to include a seed. These metal oxides include dopants such as tin (Sn), zinc (Zn), tungsten (W), antimony (Sb), titanium (Ti), aluminum (Al), cerium (Ce), and gallium (Ga). May be doped, and for example, ITO in which In 2 O 3 is doped with Sn is particularly preferable. The concentration of the dopant can be 0 to 20% by mass.

n側集電電極40nは、n型半導体層80n上に設けられ、シリコン基板20の受光領域で発生した受光電荷(電子)を集電する電極である。n側集電電極40nは、例えば、配線部材(図1Aに示す配線部材70を参照)の延在方向と直交する方向に直線状に形成された複数本のフィンガー電極41と、これらのフィンガー電極41に接続して設けられる複数本のバスバー電極42とを有する。複数本のフィンガー電極41は、例えば、互いに平行に形成される。また、複数本のバスバー電極42は、例えば、フィンガー電極41に直交する方向(例えば、配線部材70の延在する方向)に沿って直線状に形成される。複数本のバスバー電極42のそれぞれは、例えば、配線部材70と一対一に接続される。なお、フィンガー電極41が延在する方向(Y軸と平行な方向)は、第2の方向の一例である。また、n型半導体層80n上に設けられるとは、n側集電電極40nがn側電極30n上に設けられていてもよいし、n型半導体層80nの上に直接設けられていてもよい。   The n-side current collecting electrode 40n is provided on the n-type semiconductor layer 80n, and is an electrode for collecting light-receiving charges (electrons) generated in the light-receiving region of the silicon substrate 20. The n-side current collecting electrode 40n includes, for example, a plurality of finger electrodes 41 linearly formed in a direction orthogonal to the extending direction of the wiring member (see the wiring member 70 shown in FIG. 1A), and these finger electrodes 41. And a plurality of bus bar electrodes 42 provided to be connected to the bus bar electrode 41. The plurality of finger electrodes 41 are formed, for example, in parallel with each other. The plurality of busbar electrodes 42 are formed linearly, for example, in a direction perpendicular to the finger electrodes 41 (for example, in a direction in which the wiring member 70 extends). Each of the plurality of bus bar electrodes 42 is, for example, connected to the wiring member 70 one-to-one. Note that the direction in which the finger electrodes 41 extend (the direction parallel to the Y axis) is an example of the second direction. Further, being provided on the n-type semiconductor layer 80n may mean that the n-side current collecting electrode 40n may be provided on the n-side electrode 30n or may be provided directly on the n-type semiconductor layer 80n. .

p側集電電極50pは、p型半導体層上に設けられ、シリコン基板20の受光領域で発生した受光電荷(正孔)を集電する電極である。p側集電電極50pは、例えば、配線部材(図1Bの配線部材71を参照)の延在方向と直交する方向に直線状に形成された複数本のフィンガー電極51と、これらのフィンガー電極51に接続して設けられる複数本のバスバー電極52とを有する。複数本のフィンガー電極51は、例えば、互いに平行に形成される。また、複数本のバスバー電極52は、例えば、フィンガー電極51に直交する方向(例えば、配線部材71の延在する方向)に沿って直線状に形成される。複数本のバスバー電極52のそれぞれは、例えば、配線部材71と一対一に接続される。なお、p型半導体層上に設けられるとは、p側集電電極50pがp側電極30p上に設けられていてもよいし、p型半導体層の上に直接設けられていてもよい。   The p-side current collecting electrode 50p is provided on the p-type semiconductor layer and is an electrode for collecting light-receiving charges (holes) generated in the light-receiving region of the silicon substrate 20. The p-side current collecting electrode 50p includes, for example, a plurality of finger electrodes 51 linearly formed in a direction orthogonal to the extending direction of the wiring member (see the wiring member 71 in FIG. 1B), and the finger electrodes 51. And a plurality of bus bar electrodes 52 provided so as to be connected to each other. The plurality of finger electrodes 51 are formed, for example, in parallel with each other. The plurality of busbar electrodes 52 are formed linearly, for example, along a direction perpendicular to the finger electrodes 51 (for example, a direction in which the wiring member 71 extends). Each of the plurality of busbar electrodes 52 is, for example, connected to the wiring member 71 one-to-one. Note that, “provided on the p-type semiconductor layer” means that the p-side current collecting electrode 50p may be provided on the p-side electrode 30p or may be provided directly on the p-type semiconductor layer.

フィンガー電極41とフィンガー電極51とは、平面視において、平行である。また、バスバー電極42とバスバー電極52とは、平面視において、平行である。   The finger electrode 41 and the finger electrode 51 are parallel in a plan view. Further, the bus bar electrode 42 and the bus bar electrode 52 are parallel in a plan view.

なお、フィンガー電極41及び51、並びに、バスバー電極42及び52の本数は、特に限定されない。フィンガー電極41及び51はそれぞれ、2本以上設けられていればよい。また、バスバー電極42及び52はそれぞれ、1本以上設けられていればよい。例えば、バスバー電極42及び52の本数はそれぞれ、配線部材70及び71と同数であればよい。本実施の形態では、3本である。なお、配線部材70及び71は、太陽電池モジュールを形成する際、隣り合う2つの太陽電池セル10同士を電気的に接続するタブ配線である。また、n側集電電極40n及びp側集電電極50pは、互いに同じ形状である場合を図示しているが、これに限定されない。   The number of finger electrodes 41 and 51 and the number of bus bar electrodes 42 and 52 are not particularly limited. It is sufficient that two or more finger electrodes 41 and 51 are provided. In addition, at least one busbar electrode 42 and 52 may be provided. For example, the number of the bus bar electrodes 42 and 52 may be the same as the number of the wiring members 70 and 71, respectively. In the present embodiment, the number is three. The wiring members 70 and 71 are tab wires for electrically connecting two adjacent solar cells 10 when forming a solar cell module. Further, the case where the n-side current collecting electrode 40n and the p-side current collecting electrode 50p have the same shape is illustrated, but is not limited thereto.

n側集電電極40n及びp側集電電極50pは、銀(Ag)等の低抵抗導電材料から構成される。例えば、n側集電電極40n及びp側集電電極50pは、バインダ樹脂中に銀粒子等の導電性フィラーが分散した樹脂型導電性ペースト(銀ペースト等)を所定のパターンでスクリーン印刷することで形成することができる。なお、樹脂型導電性ペーストは、導電性材料の一例である。   The n-side current collecting electrode 40n and the p-side current collecting electrode 50p are made of a low-resistance conductive material such as silver (Ag). For example, the n-side current collecting electrode 40n and the p-side current collecting electrode 50p are formed by screen-printing a resin-type conductive paste (silver paste or the like) in which a conductive filler such as silver particles is dispersed in a binder resin in a predetermined pattern. Can be formed. Note that the resin-type conductive paste is an example of a conductive material.

配線部材70及び71は、長尺状の導電性配線であって、例えば、リボン状の金属箔である。配線部材70及び71は、例えば、銅箔又は銀箔などの金属箔の表面全体をはんだ又は銀などで被覆したものを所定の長さに短冊状に切断することによって作製することができる。配線部材70及び71は、はんだなどの導電性を有する接着剤、又は、樹脂接着材によりバスバー電極42と接合される。はんだなどの導電性を有する接着剤、又は、樹脂接着材は、接合部材の一例である。本実施の形態では、接合部材は、はんだである例について説明する。   The wiring members 70 and 71 are long conductive wires, and are, for example, ribbon-shaped metal foils. The wiring members 70 and 71 can be produced, for example, by cutting a metal foil such as a copper foil or a silver foil whose entire surface is covered with solder, silver, or the like into strips having a predetermined length. The wiring members 70 and 71 are joined to the bus bar electrode 42 by a conductive adhesive such as solder or a resin adhesive. A conductive adhesive such as solder or a resin adhesive is an example of a joining member. In the present embodiment, an example in which the joining member is a solder will be described.

上記のように、本実施の形態に係る太陽電池セル10は、例えば、ヘテロ接合型の太陽電池セルである。これにより、シリコン基板20とn型半導体層80nとの界面、及び、シリコン基板20とp型半導体層との界面(ヘテロ接合界面)での欠陥が低減する。よって、太陽電池セル10の光電変換効率を向上させることができる。   As described above, solar cell 10 according to the present embodiment is, for example, a heterojunction solar cell. This reduces defects at the interface between the silicon substrate 20 and the n-type semiconductor layer 80n and at the interface (heterojunction interface) between the silicon substrate 20 and the p-type semiconductor layer. Therefore, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell 10 can be improved.

なお、パッシベーション層は、i型非晶質シリコン層に限定されず、酸化シリコン層又は窒化シリコン層等でもよいし、設けられなくてもよい。   Note that the passivation layer is not limited to the i-type amorphous silicon layer, and may be a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or the like, or may not be provided.

ここで、本実施の形態に係るバスバー電極の構成について、図3〜図14を参照しながら説明する。なお、以降において、受光面11側に形成されるバスバー電極42について説明するが、バスバー電極52においても同様のことがいえる。また、図3〜図14におけるバスバー電極42の形状は、導電性ペーストが印刷され、硬化した後の形状を示す。図3は、図1Aの破線領域Aを拡大して示す平面図である。   Here, the configuration of the bus bar electrode according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the following, the bus bar electrode 42 formed on the light receiving surface 11 side will be described, but the same applies to the bus bar electrode 52. The shape of the bus bar electrode 42 in FIGS. 3 to 14 shows the shape after the conductive paste is printed and cured. FIG. 3 is an enlarged plan view showing a broken line area A in FIG. 1A.

図3に示すように、バスバー電極42は、バスバー部43と凹凸部44とを有する。バスバー部43は、バスバー電極42が延在する方向に延びて形成される。バスバー部43は、交互に並ぶ凹部45及び凸部46の端部のそれぞれと電気的に接続される。図3では、凹凸部44を挟むように一対のバスバー部43が形成されている例を示している。つまり、バスバー電極42は、複数の凹部45及び複数の凸部46の一端のそれぞれ及び他端のそれぞれと電気的に接続されるバスバー部43を有する。図3の例では、バスバー部43が延在する方向は、後述する第1の方向(例えば、X軸方向)に平行な方向である。なお、バスバー部43の本数は特に限定されず、1本であってもよいし、3本以上であってもよい。   As shown in FIG. 3, the bus bar electrode 42 has a bus bar portion 43 and an uneven portion 44. The bus bar portion 43 is formed to extend in a direction in which the bus bar electrode 42 extends. The bus bar portion 43 is electrically connected to each of the ends of the concave portion 45 and the convex portion 46 which are alternately arranged. FIG. 3 shows an example in which a pair of bus bar portions 43 are formed so as to sandwich the uneven portion 44. That is, the bus bar electrode 42 has the bus bar portion 43 electrically connected to each of the one end and the other end of the plurality of concave portions 45 and the plurality of convex portions 46. In the example of FIG. 3, the direction in which the bus bar portion 43 extends is a direction parallel to a first direction described later (for example, the X-axis direction). The number of the bus bar portions 43 is not particularly limited, and may be one, or three or more.

凹凸部44は、凹部45と凹部45より厚みが厚い凸部46とがバスバー電極42が延在する方向に交互に複数設けられる。図3の例では、凹凸部44は、バスバー部43が延在する方向に沿って、交互に複数設けられている。凹部45及び凸部46が交互に並ぶ方向(図3の例では、X軸方向)は、第1の方向の一例である。また、凹部45及び凸部46は、例えば、平面視において、矩形状である。凹部45及び凸部46のそれぞれは、例えば、フィンガー電極41が延在する方向(第2の方向の一例でありY軸方向)と平行な方向(第3の方向の一例)に延在して形成されている。   The plurality of concave and convex portions 44 are provided with a plurality of concave portions 45 and convex portions 46 thicker than the concave portions 45 alternately in the direction in which the bus bar electrodes 42 extend. In the example of FIG. 3, a plurality of uneven portions 44 are provided alternately along the direction in which the bus bar portions 43 extend. The direction in which the concave portions 45 and the convex portions 46 are alternately arranged (the X-axis direction in the example of FIG. 3) is an example of the first direction. Further, the concave portion 45 and the convex portion 46 are, for example, rectangular in plan view. Each of the concave portion 45 and the convex portion 46 extends, for example, in a direction (an example of a third direction) parallel to a direction in which the finger electrode 41 extends (an example of a second direction and a Y-axis direction). Is formed.

なお、凹部45及び凸部46の平面視形状は、矩形状であることに限定されない。例えば、凹部45及び凸部46の平面視形状は、楕円状であってもよいし、多角形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。   The shape of the concave portion 45 and the convex portion 46 in plan view is not limited to a rectangular shape. For example, the plan-view shapes of the concave portion 45 and the convex portion 46 may be elliptical, polygonal, or other shapes.

また、図3に示すように、凹部45及び凸部46は、隣り合うフィンガー電極41の間に複数設けられる。図3では、凹部45及び凸部46は、隣り合うフィンガー電極41の間におよそ5個ずつ設けられる例を示しているが、これに限定されない。凹部45及び凸部46はそれぞれ、例えば、隣り合うフィンガー電極41の間に10個以上設けられていてもよい。つまり、凹部45は、隣り合うフィンガー電極41の間に10個以上設けられていてもよい。このように、凹部45の幅w1は、フィンガー電極41が設けられるピッチ(例えば、1〜3mm)に比べ、小さい。言い換えると、バスバー電極42には、フィンガー電極41のピッチより小さい幅w1の凹部45が複数設けられる。これにより、凹凸部44においてバスバー電極42の表面積をバスバー電極42の厚みが均一である場合に比べ、大きくすることができる。   Further, as shown in FIG. 3, a plurality of concave portions 45 and convex portions 46 are provided between adjacent finger electrodes 41. FIG. 3 shows an example in which approximately five concave portions 45 and convex portions 46 are provided between adjacent finger electrodes 41, but the present invention is not limited to this. For example, each of the concave portions 45 and the convex portions 46 may be provided with, for example, ten or more between the adjacent finger electrodes 41. That is, ten or more concave portions 45 may be provided between the adjacent finger electrodes 41. As described above, the width w1 of the concave portion 45 is smaller than the pitch (for example, 1 to 3 mm) at which the finger electrodes 41 are provided. In other words, the bus bar electrode 42 is provided with a plurality of recesses 45 having a width w1 smaller than the pitch of the finger electrodes 41. Thus, the surface area of the bus bar electrode 42 in the uneven portion 44 can be increased as compared with the case where the thickness of the bus bar electrode 42 is uniform.

なお、凹部45は、複数本のフィンガー電極41のうち隣り合うフィンガー電極41の間のそれぞれにおいて、複数設けられていてもよい。また、凹部45は、例えば、フィンガー電極41の本数より多く形成されていてもよい。   Note that a plurality of recesses 45 may be provided between each of the adjacent finger electrodes 41 among the plurality of finger electrodes 41. Further, the concave portions 45 may be formed, for example, in a number larger than the number of the finger electrodes 41.

なお、図3に示すにじみ部49は、フィンガー電極41及びバスバー電極42をスクリーン印刷により形成するときに、当該フィンガー電極41及びバスバー電極42の外側に向かう印刷にじみが生じた部分を示す。   The bleeding portion 49 shown in FIG. 3 indicates a portion where the bleeding toward the outside of the finger electrode 41 and the busbar electrode 42 occurs when the finger electrode 41 and the busbar electrode 42 are formed by screen printing.

ここで、凹部45及び凸部46について、さらに図4A及び図4Bを参照しながら説明する。図4Aは、図3のIVA−IVA線における、本実施の形態に係る太陽電池セル10の断面図である。図4Bは、図3のIVA−IVA線に対応する、本実施の形態に係る太陽電池セル10に配線部材70が配置された状態を示す断面図である。   Here, the concave portion 45 and the convex portion 46 will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. FIG. 4A is a cross-sectional view of solar cell 10 according to the present embodiment, taken along line IVA-IVA in FIG. 3. FIG. 4B is a cross-sectional view corresponding to line IVA-IVA of FIG. 3 and illustrating a state where wiring member 70 is arranged in solar cell 10 according to the present embodiment.

図4Aに示すように、凹部45は、凹凸部44の頂部と谷部との差分で示される厚みt1の10%に対応する厚みt2に対応する凹凸部44の領域であると定義される。つまり、凹部45は、凹凸部44のうち、n側電極30n表面から凹凸部44の谷部における最下点から厚みt2の高さまでの領域である。また、凸部46は、凹凸部44のうち、凹凸部44の谷部における最下点から厚みt2以上の高さを有する領域である。   As shown in FIG. 4A, the concave portion 45 is defined as a region of the uneven portion 44 corresponding to a thickness t2 corresponding to 10% of the thickness t1 indicated by the difference between the top and the valley of the uneven portion 44. That is, the concave portion 45 is a region of the uneven portion 44 from the surface of the n-side electrode 30n to the lowest point in the valley of the uneven portion 44 to the height of the thickness t2. The convex portion 46 is a region of the concave-convex portion 44 having a height equal to or greater than the thickness t2 from the lowest point in the valley of the concave-convex portion 44.

このように定義される凸部46の幅w2は、シリコン基板20に垂直かつ第1の方向を含む断面において、凹部45の幅w1より広い。例えば、凸部46の幅w2は、300μm以下であってもよいし、200μm以下であってもよいし、100μm以下であってもよい。また、凹部45の幅w1は、幅w2より小さく、例えば、100μm以下であってもよい。図3に示すように、このような凹部45及び凸部46においては、凹部45の方が平面視における面積が小さくなる。なお、凸部46の頂部の厚み(n側電極30nと頂部との厚み)は、例えば、10μmである。また、バスバー部43の厚みと、頂部の厚みとは、例えば、同じ厚みである。   The width w2 of the convex portion 46 thus defined is wider than the width w1 of the concave portion 45 in a cross section perpendicular to the silicon substrate 20 and including the first direction. For example, the width w2 of the projection 46 may be 300 μm or less, 200 μm or less, or 100 μm or less. The width w1 of the concave portion 45 may be smaller than the width w2, for example, 100 μm or less. As shown in FIG. 3, in such a concave portion 45 and a convex portion 46, the area of the concave portion 45 in a plan view is smaller. The thickness of the top of the projection 46 (the thickness of the n-side electrode 30n and the top) is, for example, 10 μm. Further, the thickness of the bus bar portion 43 and the thickness of the top portion are, for example, the same thickness.

図4Bに示すように、バスバー電極42は、凹凸部44を有することで、従来に比べバスバー電極42の表面積が大きくなる。つまり、配線部材70とバスバー電極42とを接合するためのはんだ60と、バスバー電極42との接合面の面積を増やすことができる。さらに、従来であれば印刷時のサドル現象でバスバー電極の中央部が凹む形状となることがあり、配線部材70とバスバー電極との接点が小さくなることがあった。一方、バスバー電極42の中央部に凹凸部44が形成されることで、配線部材70は、凹凸部44において複数の凸部46と接触することができる。つまり、配線部材70とバスバー電極42とが直接接触する面積を増やすことができる。   As shown in FIG. 4B, the bus bar electrode 42 has the uneven portion 44, so that the surface area of the bus bar electrode 42 is larger than that of the related art. That is, it is possible to increase the area of the joint surface between the solder 60 for joining the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 and the bus bar electrode 42. Further, in the related art, the central portion of the bus bar electrode may be dented due to the saddle phenomenon during printing, and the contact point between the wiring member 70 and the bus bar electrode may be reduced. On the other hand, since the uneven portion 44 is formed at the center of the bus bar electrode 42, the wiring member 70 can contact the plurality of convex portions 46 in the uneven portion 44. That is, the area where the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 are in direct contact can be increased.

これらにより、配線部材70とバスバー電極42との接続性を向上させることができる。具体的には、配線部材70とバスバー電極42との接着強度、及び、導通性を向上させることができる。   Thus, the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 can be improved. Specifically, the adhesive strength between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 and the conductivity can be improved.

また、n側電極30nとはんだ60とは、接合しない。つまり、n側電極30nとはんだ60とは、直接接触しない方がよい。そのため、例えば、凹部45においてn側電極30nが露出する場合、露出する面積、つまりn側電極30nとはんだ60とが直接接触する面積は小さい方がよい。図4Aに示すように、凹部45において、凸部46の幅w2が凹部45の幅w1より広いことで、凹部45においてn側電極30nが露出する場合であっても露出する面積を小さくすることができるので、バスバー電極42と配線部材70との接着強度の低下を抑制することができる。   Further, the n-side electrode 30n and the solder 60 are not joined. That is, it is preferable that the n-side electrode 30n and the solder 60 do not directly contact each other. Therefore, for example, when the n-side electrode 30n is exposed in the concave portion 45, the exposed area, that is, the area in which the n-side electrode 30n and the solder 60 are in direct contact with each other, is preferably small. As shown in FIG. 4A, in the concave portion 45, the width w2 of the convex portion 46 is wider than the width w1 of the concave portion 45, so that the exposed area is reduced even when the n-side electrode 30 n is exposed in the concave portion 45. Therefore, a decrease in the adhesive strength between the bus bar electrode 42 and the wiring member 70 can be suppressed.

図4Aに示すように、本実施の形態では、n側電極30nは、凹部45において、バスバー電極42を構成する導電性ペーストで覆われている、つまり平面視において露出していない。これにより、はんだ60がn側電極30nと直接接触することによる接着強度の低下を抑制することができる。なお、凹部45においてn側電極30nの少なくとも一部が露出していてもよい。つまり、はんだ60は、配線部材70が接続された状態で、凹部45において、少なくとも一部がn側電極30nと接触していてもよい。   As shown in FIG. 4A, in the present embodiment, n-side electrode 30n is covered with conductive paste forming bus bar electrode 42 in concave portion 45, that is, is not exposed in plan view. Thereby, it is possible to suppress a decrease in the adhesive strength due to the direct contact of the solder 60 with the n-side electrode 30n. Note that at least a part of the n-side electrode 30n may be exposed in the recess 45. That is, at least a part of the solder 60 may be in contact with the n-side electrode 30n in the recess 45 in a state where the wiring member 70 is connected.

なお、バスバー電極42がn型半導体層80n上に直接設けられている場合、n型半導体層80nは、凹部45において、バスバー電極42を構成する導電性ペーストで覆われている、つまり平面視において露出していない。これにより、はんだ60がn型半導体層80nと直接接触することによる接着強度の低下を抑制することができる。なお、凹部45においてn型半導体層80nの少なくとも一部が露出していてもよい。つまり、はんだ60は、配線部材70が接続された状態で、凹部45において、少なくとも一部がn型半導体層80nと接触していてもよい。   When the bus bar electrode 42 is provided directly on the n-type semiconductor layer 80n, the n-type semiconductor layer 80n is covered with the conductive paste forming the bus bar electrode 42 in the concave portion 45, that is, in plan view. Not exposed. Thereby, it is possible to suppress a decrease in adhesive strength due to the direct contact of the solder 60 with the n-type semiconductor layer 80n. Note that at least a part of the n-type semiconductor layer 80n may be exposed in the recess 45. That is, at least a part of the solder 60 may be in contact with the n-type semiconductor layer 80n in the concave portion 45 in a state where the wiring member 70 is connected.

また、凹部45において、n型半導体層80nがバスバー電極42を構成する導電性ペーストで覆われているとは、n型半導体層80n上に導電性ペーストが設けられていることを意味する。例えば、n型半導体層80nがバスバー電極42を構成する導電性ペーストで覆われているとは、n側電極30nを介してn型半導体層80nが当該導電性ペーストで覆われている(例えば、図4A)こと、及び、n型半導体層80nが当該導電性ペーストで直接覆われていることを含む。   Further, that the n-type semiconductor layer 80n is covered with the conductive paste forming the bus bar electrode 42 in the concave portion 45 means that the conductive paste is provided on the n-type semiconductor layer 80n. For example, that the n-type semiconductor layer 80n is covered with the conductive paste forming the bus bar electrode 42 means that the n-type semiconductor layer 80n is covered with the conductive paste via the n-side electrode 30n (for example, 4A) and that the n-type semiconductor layer 80n is directly covered with the conductive paste.

従来の太陽電池セルにおけるバスバー電極は、凹凸部44を有しておらず、例えば均一な厚みであった。この場合、スクリーン印刷により当該バスバー電極を形成する場合、印刷時にバスバー電極を構成する領域の全てに導電性ペーストが印刷されていた。   The bus bar electrode in the conventional solar cell does not have the uneven portion 44 and has, for example, a uniform thickness. In this case, when the bus bar electrode is formed by screen printing, the conductive paste is printed on all the regions constituting the bus bar electrode at the time of printing.

一方、本実施の形態に係るバスバー電極42は、凹部45に対応する位置に開口部(図16に示すバスバー用孔部112を参照)が形成されていないスクリーン版を用いてスクリーン印刷により形成可能である。具体的には、凹部45は、凸部46に対応する位置に塗布された導電性ペーストの印刷にじみにより形成される。つまり、本実施の形態では、バスバー電極を構成する領域の全てに導電性ペーストが印刷されない。これにより、従来に比べ、導電性ペーストの使用量を削減することができる。なお、印刷にじみとは、導電性ペーストがシリコン基板20上に塗布されてから、硬化するまでの間に周囲に漏れ広がる現象を意味する。   On the other hand, the bus bar electrode 42 according to the present embodiment can be formed by screen printing using a screen plate having no opening (see the bus bar hole 112 shown in FIG. 16) at a position corresponding to the recess 45. It is. Specifically, the concave portion 45 is formed by printing bleeding of the conductive paste applied to a position corresponding to the convex portion 46. That is, in the present embodiment, the conductive paste is not printed on all the regions constituting the bus bar electrodes. As a result, the amount of the conductive paste used can be reduced as compared with the related art. Note that printing bleeding refers to a phenomenon in which the conductive paste leaks and spreads to the surroundings after the conductive paste is applied onto the silicon substrate 20 and before it is cured.

また、図4Aに示すように、凹凸部44の断面形状は、例えば、台形状である。これにより、図4Bに示すように、凸部46の頂部と配線部材70とは、例えば、直接面接触する。   Further, as shown in FIG. 4A, the cross-sectional shape of the uneven portion 44 is, for example, a trapezoid. Thereby, as shown in FIG. 4B, the top of the convex portion 46 and the wiring member 70 are in direct surface contact, for example.

なお、バスバー電極42の形状は、上記に限定されない。バスバー電極42の他の形状等について、図5〜図14を参照しながら説明する。   The shape of the bus bar electrode 42 is not limited to the above. Other shapes and the like of the bus bar electrode 42 will be described with reference to FIGS.

図5は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第一例を示す平面図である。図5に示すように、バスバー電極42aは、バスバー部43と凹凸部44aとを有する。他の第一例に係るバスバー電極42aは、凹凸部44aを構成する凹部45a及び凸部46aが並ぶ方向が図3に示すバスバー電極42と異なる。   FIG. 5 is a plan view showing another first example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 5, the bus bar electrode 42a has a bus bar portion 43 and an uneven portion 44a. The bus bar electrode 42a according to another first example is different from the bus bar electrode 42 shown in FIG. 3 in the direction in which the concave portions 45a and the convex portions 46a forming the concave and convex portions 44a are arranged.

凹凸部44aは、凹部45aと凹部45aより厚みが厚い凸部46aとがバスバー電極42aが延在する方向(X軸方向)と交差する方向に交互に複数設けられる。具体的には、凹部45aと凸部46aとがバスバー電極42aが延在する方向と直交する方向に交互に複数設けられる。凹部45a及び凸部46aが交互に並ぶ方向(図5の例では、Y軸方向)は、第1の方向の一例である。また、凹部45a及び凸部46aは、例えば、平面視において、矩形状である。凹部45a及び凸部46aは、例えば、フィンガー電極41が延在する方向(第2の方向の一例)と直交する方向(第3の方向の一例であり、X軸方向)に延在して形成されている。また、凸部46aの幅w2は、シリコン基板20に垂直かつ凹部45a及び凸部46aが交互に並ぶ方向(Y軸方向)を含む断面において、凹部45aの幅w1より広い。   A plurality of the concave and convex portions 44a are provided alternately in a direction in which the concave portions 45a and the convex portions 46a having a thickness larger than the concave portions 45a intersect with the direction in which the bus bar electrodes 42a extend (X-axis direction). Specifically, a plurality of concave portions 45a and convex portions 46a are provided alternately in a direction orthogonal to the direction in which the bus bar electrodes 42a extend. The direction in which the concave portions 45a and the convex portions 46a are alternately arranged (the Y-axis direction in the example of FIG. 5) is an example of the first direction. Further, the concave portion 45a and the convex portion 46a are, for example, rectangular in plan view. The concave portion 45a and the convex portion 46a are formed, for example, to extend in a direction (an example of a third direction, an X-axis direction) orthogonal to a direction in which the finger electrode 41 extends (an example of the second direction). Have been. The width w2 of the convex portion 46a is wider than the width w1 of the concave portion 45a in a cross section perpendicular to the silicon substrate 20 and including a direction in which the concave portions 45a and the convex portions 46a are alternately arranged (Y-axis direction).

図6は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第二例を示す平面図である。図6に示すように、バスバー電極42bは、バスバー部43と凹凸部44bとを有する。他の第二例に係るバスバー電極42bは、凹凸部44bを構成する凹部45b及び凸部46bが延在する方向が図3に示すバスバー電極42と異なる。   FIG. 6 is a plan view showing another second example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 6, the bus bar electrode 42b has a bus bar portion 43 and an uneven portion 44b. The bus bar electrode 42b according to the other second example is different from the bus bar electrode 42 shown in FIG. 3 in the direction in which the concave portion 45b and the convex portion 46b forming the concave / convex portion 44b extend.

凹凸部44bは、凹部45bと凹部45bより厚みが厚い凸部46bとがバスバー電極42bが延在する方向(X軸方向)に交互に複数設けられる。凹部45b及び凸部46bが交互に並ぶ方向(図6の例では、X軸方向)は、第1の方向の一例である。また、凹部45b及び凸部46bは、例えば、平面視において、矩形状である。凹部45b及び凸部46bは、例えば、フィンガー電極41が延在する方向(第2の方向の一例)と交差する方向(第3の方向の一例)に延在して形成されている。なお、ここでの交差する方向とは、フィンガー電極41が延在する方向と平行な方向及び直交する方向を除く方向である。つまり、交差するとは、フィンガー電極41が延在する方向と凹部45b及び凸部46bが延在する方向とが直角以外の角度で交わることを意味する。また、凸部46bの幅w2は、シリコン基板20に垂直かつ凹部45b及び凸部46bが交互に並ぶ方向(X軸方向)を含む断面において、凹部45bの幅w1より広い。   The concave-convex portions 44b are provided with a plurality of concave portions 45b and convex portions 46b thicker than the concave portions 45b alternately in the direction (X-axis direction) in which the bus bar electrodes 42b extend. The direction in which the concave portions 45b and the convex portions 46b are alternately arranged (the X-axis direction in the example of FIG. 6) is an example of the first direction. Further, the concave portion 45b and the convex portion 46b are, for example, rectangular in plan view. The concave portion 45b and the convex portion 46b are formed to extend in a direction (an example of a third direction) intersecting with a direction in which the finger electrode 41 extends (an example of the second direction), for example. Here, the intersecting directions are directions excluding a direction parallel to and orthogonal to the direction in which the finger electrodes 41 extend. That is, to intersect means that the direction in which the finger electrode 41 extends and the direction in which the concave portion 45b and the convex portion 46b extend intersect at an angle other than a right angle. The width w2 of the convex portion 46b is wider than the width w1 of the concave portion 45b in a cross section perpendicular to the silicon substrate 20 and including a direction in which the concave portions 45b and the convex portions 46b are alternately arranged (X-axis direction).

図7は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第三例を示す平面図である。図7に示すように、バスバー電極42cは、バスバー部43cと凹凸部44cとを有する。他の第三例に係るバスバー電極42cは、バスバー部43cが設けられる位置が図3に示すバスバー電極42と異なる。   FIG. 7 is a plan view showing another third example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 7, the bus bar electrode 42c has a bus bar portion 43c and an uneven portion 44c. The bus bar electrode 42c according to the other third example is different from the bus bar electrode 42 shown in FIG. 3 in the position where the bus bar portion 43c is provided.

バスバー部43cは、バスバー電極42cが延在する方向に複数形成される。バスバー部43cは、隣り合う凸部46cそれぞれを電気的に接続する。バスバー部43cは、例えば、Y軸方向に延在する凹部45cをその中央部で分離するように形成される。これにより、バスバー部43cが形成されていない場合に比べ、配線部材と70とバスバー電極42との接触面積を増やすことができるので、配線部材70とバスバー電極42との接続性を向上させることができる。また、バスバー部43により凸部46c同士が電気的に接続されるので、集電効率を向上させることができる。なお、バスバー部43cの本数は1本に限定されない。例えば、図7に示すバスバー電極42cに、さらに図3に示すバスバー部43が設けられてもよい。   The plurality of bus bar portions 43c are formed in the direction in which the bus bar electrodes 42c extend. The bus bar portion 43c electrically connects each of the adjacent convex portions 46c. The bus bar portion 43c is formed, for example, so as to separate the concave portion 45c extending in the Y-axis direction at the center. This can increase the contact area between the wiring member and the bus bar electrode 42 as compared with the case where the bus bar portion 43c is not formed, thereby improving the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42. it can. Further, since the protrusions 46c are electrically connected to each other by the bus bar 43, the current collection efficiency can be improved. Note that the number of the bus bar portions 43c is not limited to one. For example, the bus bar portion 43 shown in FIG. 3 may be further provided on the bus bar electrode 42c shown in FIG.

凹凸部44cは、凹部45cと凹部45cより厚みが厚い凸部46cとがバスバー電極42cが延在する方向(X軸方向)に交互に複数設けられる。凹部45c及び凸部46cが交互に並ぶ方向(図7の例では、X軸方向)は、第1の方向の一例である。また、凹部45c及び凸部46cは、例えば、平面視において、矩形状である。凹部45c及び凸部46cは、例えば、フィンガー電極41が延在する方向(第2の方向の一例)と平行な方向(第3の方向の一例)に延在して形成されている。また、凸部46cの幅w2は、シリコン基板20に垂直かつ凹部45c及び凸部46cが交互に並ぶ方向(X軸方向)を含む断面において、凹部45cの幅w1より広い。   The plurality of concave and convex portions 44c are provided alternately in the direction (X-axis direction) in which the bus bar electrodes 42c extend (the X-axis direction). The direction in which the concave portions 45c and the convex portions 46c are alternately arranged (the X-axis direction in the example of FIG. 7) is an example of the first direction. Further, the concave portion 45c and the convex portion 46c are, for example, rectangular in plan view. The concave portion 45c and the convex portion 46c are formed to extend in a direction (an example of a third direction) parallel to a direction in which the finger electrode 41 extends (an example of the second direction). The width w2 of the convex portion 46c is wider than the width w1 of the concave portion 45c in a cross section perpendicular to the silicon substrate 20 and including a direction in which the concave portions 45c and the convex portions 46c are alternately arranged (X-axis direction).

なお、バスバー電極は、バスバー部を有していることに限定されない。例えば、図8に示すように、バスバー電極42dは、図7に示すバスバー部43c及び凹凸部44cのうち凹凸部44cのみを有していてもよい。図8は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第四例を示す平面図である。他の第四例に係るバスバー電極42dは、バスバー部43cを有していない点が図7に示すバスバー電極42cと異なる。   Note that the bus bar electrode is not limited to having the bus bar portion. For example, as shown in FIG. 8, the bus bar electrode 42d may have only the uneven portion 44c among the bus bar portion 43c and the uneven portion 44c shown in FIG. FIG. 8 is a plan view showing another fourth example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. The bus bar electrode 42d according to another fourth example is different from the bus bar electrode 42c shown in FIG. 7 in that the bus bar electrode 42d does not have the bus bar portion 43c.

凹凸部44cは、集電にはあまり寄与しないが、凹凸部44cが平らである場合に比べ表面積が大きいので配線部材70とバスバー電極42dとの接続性を向上させることができる。   The uneven portion 44c does not contribute much to current collection, but has a larger surface area than when the uneven portion 44c is flat, so that the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42d can be improved.

図9は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第五例を示す平面図である。図9は、図8に示す破線領域Bに対応する、バスバー電極42eを示す平面図である。図9に示すように、バスバー電極42eは、凹凸部44eを有する。他の第五例に係るバスバー電極42eは、凹部45eにおいてn側電極30nが露出している露出部47eを有する点が図8に示すバスバー電極42dと異なる。   FIG. 9 is a plan view showing another fifth example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. FIG. 9 is a plan view showing the bus bar electrode 42e corresponding to the broken line area B shown in FIG. As shown in FIG. 9, the bus bar electrode 42e has an uneven portion 44e. The bus bar electrode 42e according to the other fifth example is different from the bus bar electrode 42d shown in FIG. 8 in that the recess 45e has an exposed portion 47e in which the n-side electrode 30n is exposed.

平面視においてn側電極30nが露出する露出部47eは、凹部45e及び凸部46eのうち凹部45eのみに形成される。つまり、平面視において、露出部47eの面積は、導電性ペーストが形成されている面積より狭い。このように露出部47eが形成される場合であっても、凸部46eの幅w2は、シリコン基板20に垂直かつ第1の方向(図9では、X軸方向)を含む断面において、凹部45eの幅w1より広いので、凸部46e及び凹部45eの露出部47e以外の部分により配線部材70とバスバー電極42eとの接続性を向上させることができる。   The exposed portion 47e from which the n-side electrode 30n is exposed in plan view is formed only in the concave portion 45e of the concave portion 45e and the convex portion 46e. That is, in plan view, the area of the exposed portion 47e is smaller than the area where the conductive paste is formed. Even when the exposed portion 47e is formed as described above, the width w2 of the convex portion 46e is equal to the width of the concave portion 45e in a section perpendicular to the silicon substrate 20 and including the first direction (the X-axis direction in FIG. 9). Therefore, the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42e can be improved by a portion other than the exposed portion 47e of the convex portion 46e and the concave portion 45e.

図3及び図5〜図9では、凹凸部がバスバー電極の一端から他端にわたって形成されている例を示したが、これに限定されない。凹凸部は、バスバー電極の少なくとも一部に形成されていてもよく、この例について図10〜図12を参照しながら説明する。   FIGS. 3 and 5 to 9 show examples in which the concavo-convex portion is formed from one end to the other end of the bus bar electrode. However, the present invention is not limited to this. The uneven portion may be formed on at least a part of the bus bar electrode. This example will be described with reference to FIGS.

図10は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第六例を示す平面図である。図10に示すように、バスバー電極42fは、配線部材70と接合する接合部47f(接続部の一例)と、配線部材70と接合されない未接合部48fとを有する。そして、凹凸部44fは、接合部47f及び未接合部48fのうち、接合部47fのみに形成される。接合部47fにおいては、配線部材70との接着性を向上させる観点から、バスバー電極42fの表面積を大きくするために凹凸部44fが形成される。一方、未接合部48fにおいては、導電性ペーストの使用量をさらに低減する観点から、バスバー部43fが形成される。つまり、未接合部48fにおいて、凹凸部44fは形成されない。   FIG. 10 is a plan view showing another sixth example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. As illustrated in FIG. 10, the bus bar electrode 42f has a joint 47f (an example of a connection part) that joins with the wiring member 70 and an unjoined part 48f that is not joined with the wiring member 70. And the uneven part 44f is formed only in the joint part 47f of the joint part 47f and the unjoined part 48f. In the joining portion 47f, in order to increase the surface area of the bus bar electrode 42f, an uneven portion 44f is formed from the viewpoint of improving the adhesion to the wiring member 70. On the other hand, in the unbonded portion 48f, the bus bar portion 43f is formed from the viewpoint of further reducing the amount of the conductive paste used. That is, the uneven portion 44f is not formed in the unjoined portion 48f.

このような構成であれば、接合部47fにおいて配線部材70との接続性を向上させつつ、未接合部48fにおいてさらに導電性ペーストの使用量を削減することができる。また、さらに、温度サイクル試験時のセル割れを防止する効果もある。   With such a configuration, it is possible to further reduce the amount of the conductive paste used in the unjoined portion 48f while improving the connectivity with the wiring member 70 in the joined portion 47f. Further, there is also an effect of preventing cell cracking during a temperature cycle test.

未接合部48fには、バスバー部43fが形成される。バスバー部43fは、隣り合うバスバー部43fを電気的に接続するように設けられることで、バスバー部43fが形成されていない場合に比べ、集電効率が向上する。   The bus bar portion 43f is formed in the unjoined portion 48f. The bus bar portion 43f is provided so as to electrically connect the adjacent bus bar portions 43f, so that the power collection efficiency is improved as compared with a case where the bus bar portion 43f is not formed.

なお、図10では、接合部47fに形成される凹凸部44は、図3に示す凹凸部44と対応する形状を有する例を示しているが、凹凸部44fの形状はこれに限定されず、例えば、図5〜図9のいずれかに示す凹凸部であってもよい。   Note that FIG. 10 illustrates an example in which the uneven portion 44 formed on the bonding portion 47f has a shape corresponding to the uneven portion 44 illustrated in FIG. 3, but the shape of the uneven portion 44f is not limited thereto. For example, the uneven portion shown in any of FIGS.

図11は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第七例を示す平面図である。図11に示すように、バスバー電極42gは、フィンガー電極41とバスバー電極42gとが交差する交差部47gに凹凸部44gを有する。交差部47gにおいては、配線部材70との接着性を向上させる観点から、バスバー電極42gの表面積を大きくするために凹凸部44gが形成される。バスバー部44gは、例えば、フィンガー電極41と直接接続される。一方、隣り合うフィンガー電極41の間においては、導電性ペーストの使用量をさらに低減する観点から、バスバー部43gが形成される。つまり、隣り合うフィンガー電極41の間では、凹凸部44gは形成されない。   FIG. 11 is a plan view showing another seventh example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 11, the bus bar electrode 42g has an uneven portion 44g at an intersection 47g where the finger electrode 41 and the bus bar electrode 42g intersect. In the intersection 47g, an uneven portion 44g is formed in order to increase the surface area of the bus bar electrode 42g from the viewpoint of improving the adhesion to the wiring member 70. The bus bar portion 44g is directly connected to the finger electrode 41, for example. On the other hand, between adjacent finger electrodes 41, a bus bar portion 43g is formed from the viewpoint of further reducing the amount of conductive paste used. That is, the uneven portion 44g is not formed between the adjacent finger electrodes 41.

交差部47gにおいて配線部材70とバスバー電極42gとの接続性を向上させることで、例えば、フィンガー電極41により集電された受光電荷(例えば、電子)を効率的に配線部材70に流すことができる。また、交差部47gごとに凹凸部44gが形成されることで、複数本のフィンガー電極41のそれぞれとバスバー電極42gとの交差部47gにおける接着強度を均一にすることができる。バスバー部43gは、隣り合う凹凸部44gを電気的に接続するように設けられる。なお、バスバー部43gは、設けられなくてもよい。   By improving the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42g at the intersection 47g, for example, the received charges (for example, electrons) collected by the finger electrode 41 can efficiently flow through the wiring member 70. . In addition, since the uneven portion 44g is formed for each intersection 47g, the adhesive strength at the intersection 47g between each of the plurality of finger electrodes 41 and the bus bar electrode 42g can be made uniform. The bus bar portion 43g is provided so as to electrically connect the adjacent uneven portions 44g. Note that the bus bar portion 43g may not be provided.

なお、凹凸部44gは、交差部47gの全てに形成されることに限定されない。例えば、図12に示すように、凹凸部44gは、全ての交差部47gに形成されていなくてもよい。図12は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極の他の第八例を示す平面図である。他の第八例に係るバスバー電極42hが有する凹凸部44gは、複数の交差部47gの少なくとも1つに設けられていればよい。凹凸部44gは、例えば、複数の交差部47gのうち1つ置きに設けられてもよい。バスバー部43hは、隣り合う凹凸部44gを電気的に接続するように設けられるが、隣り合う凹凸部44gの間において少なくとも1つのフィンガー電極41と交差する。これにより、さらに導電性ペーストの使用量を削減することができる。   In addition, the uneven | corrugated part 44g is not limited to being formed in all the intersection parts 47g. For example, as shown in FIG. 12, the uneven portion 44g may not be formed in all the intersections 47g. FIG. 12 is a plan view showing another eighth example of the bus bar electrode of solar cell 10 according to the present embodiment. The uneven portion 44g of the bus bar electrode 42h according to the other eighth example may be provided on at least one of the plurality of intersections 47g. The uneven portion 44g may be provided, for example, every other one of the plurality of intersections 47g. The bus bar portion 43h is provided so as to electrically connect the adjacent uneven portions 44g, and intersects with at least one finger electrode 41 between the adjacent uneven portions 44g. Thus, the amount of the conductive paste used can be further reduced.

なお、図11及び図12では、交差部47gに形成される凹凸部44gは、図3に示す凹凸部44と対応する形状を有する例を示しているが、凹凸部44gの形状はこれに限定されず、例えば、図5〜図9のいずれかに示す凹凸部であってもよい。   FIGS. 11 and 12 show an example in which the uneven portion 44g formed in the intersection 47g has a shape corresponding to the uneven portion 44 shown in FIG. 3, but the shape of the uneven portion 44g is not limited to this. However, for example, the uneven portion shown in any of FIGS. 5 to 9 may be used.

さらに、図3に示すように、バスバー電極42がバスバー部43と凹凸部44とを有する場合において、バスバー部43と凹凸部44との厚みの関係について、図13及び図14を参照しながら説明する。   Further, as shown in FIG. 3, when the bus bar electrode 42 has the bus bar portion 43 and the uneven portion 44, the relationship between the thickness of the bus bar portion 43 and the uneven portion 44 will be described with reference to FIGS. 13 and 14. I do.

図13は、本実施の形態に係る太陽電池セル10のバスバー電極42の他の第九例を示す平面図である。具体的には、図13は、バスバー電極42の幅w3が配線部材70の幅w4より広い例を示している。   FIG. 13 is a plan view showing another ninth example of the bus bar electrode 42 of the solar cell 10 according to the present embodiment. Specifically, FIG. 13 illustrates an example in which the width w3 of the bus bar electrode 42 is wider than the width w4 of the wiring member 70.

図13に示すように、バスバー電極42の幅w3が配線部材70の幅w4より広い場合、凹凸部44の厚みt4は、バスバー部43の厚みt3より厚く形成されてもよいし、厚みt3より薄く形成されてもよいし、厚みt3と等しくてもよい。つまり、バスバー電極42の幅w3の方が配線部材70の幅w4より広い場合、厚みt3及び厚みt4の関係は特に限定されない。なお、凹凸部44の厚みt4とは、具体的には、凸部46の厚みを意味する。また、バスバー電極42の幅w3には、にじみ部49は含まれない。   As shown in FIG. 13, when the width w3 of the bus bar electrode 42 is wider than the width w4 of the wiring member 70, the thickness t4 of the uneven portion 44 may be formed larger than the thickness t3 of the bus bar portion 43, or may be larger than the thickness t3. It may be formed thin or may be equal to the thickness t3. That is, when the width w3 of the bus bar electrode 42 is wider than the width w4 of the wiring member 70, the relationship between the thickness t3 and the thickness t4 is not particularly limited. Note that the thickness t4 of the uneven portion 44 specifically means the thickness of the convex portion 46. In addition, the bleed portion 49 is not included in the width w3 of the bus bar electrode 42.

図14は、本実施の形態に係る太陽電池セルのバスバー電極42の他の第十例を示す平面図である。具体的には、図14は、バスバー電極42の幅w3が配線部材70の幅w4より狭い例を示している。   FIG. 14 is a plan view showing another tenth example of the bus bar electrode 42 of the solar cell according to the present embodiment. Specifically, FIG. 14 shows an example in which the width w3 of the bus bar electrode 42 is smaller than the width w4 of the wiring member 70.

図14に示すように、配線部材70の幅w4がバスバー電極42の幅w3より広い場合、凹凸部44の厚みt4は、バスバー部43の厚みt3以上の厚みに形成される。バスバー部43の厚みt3が凹凸部44の厚みt4より厚い場合、凹凸部44において配線部材70と凸部46とが直接接触しない可能性がある。そのため、凹凸部44と配線部材70との導通性を向上させる観点から、バスバー部43の厚みt3を凸部46の厚みt4より薄くするとよい。これにより、凹凸部44と配線部材70との接続性をさらに向上させることができる。   As shown in FIG. 14, when the width w4 of the wiring member 70 is wider than the width w3 of the bus bar electrode 42, the thickness t4 of the uneven portion 44 is formed to be equal to or greater than the thickness t3 of the bus bar portion 43. When the thickness t3 of the bus bar portion 43 is larger than the thickness t4 of the uneven portion 44, there is a possibility that the wiring member 70 does not directly contact the convex portion 46 in the uneven portion 44. Therefore, from the viewpoint of improving the electrical conductivity between the uneven portion 44 and the wiring member 70, the thickness t3 of the bus bar portion 43 is preferably smaller than the thickness t4 of the convex portion 46. Thereby, the connectivity between the uneven portion 44 and the wiring member 70 can be further improved.

なお、厚みt3は、バスバー部43における厚みの統計値であってもよい。厚みt3は、バスバー部43における厚みの最大値、最小値、平均値、又は、中央値であってもよい。また、厚みt4は、凸部46における厚みの統計値であってもよい。厚みt4は、複数の凸部46における厚みの最大値、最小値、平均値、又は、中央値であってもよい。   Note that the thickness t3 may be a statistical value of the thickness of the bus bar portion 43. The thickness t3 may be a maximum value, a minimum value, an average value, or a median value of the thickness in the bus bar portion 43. Further, the thickness t4 may be a statistical value of the thickness of the protrusion 46. The thickness t4 may be a maximum value, a minimum value, an average value, or a median value of the thickness of the plurality of protrusions 46.

[2.太陽電池セルの製造方法]
次に、本実施の形態に係る太陽電池セル10の製造方法について、図15及び図16を参照しながら説明する。図15は、本実施の形態に係る太陽電池セル10の製造方法を示すフローチャートである。
[2. Method for manufacturing solar cell]
Next, a method for manufacturing solar cell 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 15 is a flowchart illustrating a method for manufacturing solar cell 10 according to the present embodiment.

図15に示すように、まずシリコン基板20を準備する(S10)。そして、シリコン基板20に透明電極層を形成する(S20)。透明電極層は、n側電極30n及びp側電極30pを含む。そして、スクリーン版を用いて、透明電極層上に集電電極を形成する(S30)。集電電極は、フィンガー電極及びバスバー電極を含む。例えば、フィンガー電極41及びバスバー電極42は一体形成され、フィンガー電極51及びバスバー電極52は一体形成される。   As shown in FIG. 15, first, a silicon substrate 20 is prepared (S10). Then, a transparent electrode layer is formed on the silicon substrate 20 (S20). The transparent electrode layer includes an n-side electrode 30n and a p-side electrode 30p. Then, a current collecting electrode is formed on the transparent electrode layer using a screen plate (S30). The current collecting electrode includes a finger electrode and a bus bar electrode. For example, the finger electrode 41 and the bus bar electrode 42 are formed integrally, and the finger electrode 51 and the bus bar electrode 52 are formed integrally.

図16は、本実施の形態に係る太陽電池セル10の製造方法で用いるスクリーン版100の一例を示す図である。なお、スクリーン版100は、図3に示すバスバー電極42を形成するためのスクリーン版である場合を説明する。図5〜図12に示すバスバー電極を形成する場合は、当該バスバー電極の形状に応じたパターンがスクリーン版100に形成される。   FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a screen plate 100 used in the method for manufacturing solar cell 10 according to the present embodiment. The case where the screen plate 100 is a screen plate for forming the bus bar electrode 42 shown in FIG. 3 will be described. When the bus bar electrodes shown in FIGS. 5 to 12 are formed, a pattern corresponding to the shape of the bus bar electrodes is formed on the screen plate 100.

図16に示すように、スクリーン版100は、パターン孔部110と、乳剤120とを含んで構成される。なお、スクリーン版100は、フレームにメッシュが張られて形成される。また、メッシュには乳剤(感光乳剤)120が塗布されており、乳剤120は露光により硬化する。このとき、乳剤120のうちマスキングされて硬化しなかった部分は、洗い流されてパターン孔部110となる。パターン孔部110は、太陽電池セルに印刷する集電電極の形状に合わせて形成され、パターン孔部110ではメッシュが露出している。   As shown in FIG. 16, the screen plate 100 includes a pattern hole 110 and an emulsion 120. The screen plate 100 is formed by meshing a frame. An emulsion (photosensitive emulsion) 120 is applied to the mesh, and the emulsion 120 is hardened by exposure. At this time, a portion of the emulsion 120 that has not been cured by masking is washed away and becomes the pattern hole 110. The pattern hole 110 is formed in accordance with the shape of the current collecting electrode to be printed on the solar cell, and the mesh is exposed in the pattern hole 110.

パターン孔部110は、フィンガー電極41を形成するためのフィンガー用孔部111と、バスバー電極42を形成するためのバスバー用孔部112とを有する。バスバー用孔部112は、乳剤121を含んで構成される。言い換えると、バスバー用孔部112は、梯子状に形成されている。   The pattern hole 110 has a finger hole 111 for forming the finger electrode 41 and a busbar hole 112 for forming the busbar electrode 42. The busbar hole 112 includes the emulsion 121. In other words, the busbar hole 112 is formed in a ladder shape.

ステップS30では、スクリーン版100に導電性ペーストが供給され、例えば、スキージ等で塗り広げられることで、パターン孔部110に導電性ペーストが充填される。導電性ペーストは、太陽電池セルに塗布された後、例えば焼成等により太陽電池セルに固着する。   In step S30, the conductive paste is supplied to the screen plate 100, and the pattern hole 110 is filled with the conductive paste by, for example, spreading with a squeegee or the like. After being applied to the solar cell, the conductive paste adheres to the solar cell by, for example, firing.

このようなスクリーン版100を用いてシリコン基板20に導電性ペーストを印刷すると、乳剤121に対応する領域には、導電性ペーストは塗布されない。つまり、導電性ペーストを印刷した瞬間は、乳剤121に対応する領域は、透明電極膜(例えば、n側電極30n)が露出している。導電性ペーストを印刷してから焼成により硬化するまでの間に、導電性ペーストのにじみ(印刷にじみ)が発生する。具体的には、バスバー用孔部112により印刷された導電性ペーストが、乳剤121に対応する領域であって透明電極膜が露出している領域(未印刷領域とも記載する)に流れ込む。これにより、乳剤121により未塗布領域にも導電性ペーストの層が形成される。この状態で、導電性ペーストを硬化させることで、上記のバスバー電極42が形成される。   When a conductive paste is printed on the silicon substrate 20 using such a screen plate 100, the conductive paste is not applied to a region corresponding to the emulsion 121. That is, at the moment when the conductive paste is printed, the transparent electrode film (for example, the n-side electrode 30n) is exposed in the region corresponding to the emulsion 121. The bleeding (printing bleeding) of the conductive paste occurs after the conductive paste is printed and before it is cured by firing. Specifically, the conductive paste printed by the bus bar holes 112 flows into a region corresponding to the emulsion 121 and where the transparent electrode film is exposed (also referred to as an unprinted region). Thus, a layer of the conductive paste is also formed by the emulsion 121 in the uncoated region. By curing the conductive paste in this state, the above-described bus bar electrode 42 is formed.

乳剤121は、例えば、印刷にじみで未塗布領域の全てに導電性ペーストの層が形成される程度の大きさであるとよい。乳剤121の幅w5は、導電性ペーストの印刷にじみのにじみ幅に応じて適宜決定されるとよい。例えば、印刷にじみ幅が50μmである場合、乳剤121の幅w5は、100μm以下とするとよい。乳剤121の幅w5を100μm以下と細かく設定することで、形成される凹部45を導電性ペーストで埋めることができる。   The emulsion 121 may be, for example, large enough to form a conductive paste layer on all of the uncoated areas due to printing bleed. The width w5 of the emulsion 121 may be appropriately determined according to the bleed width of the conductive paste printing bleed. For example, when the print bleed width is 50 μm, the width w5 of the emulsion 121 may be set to 100 μm or less. By setting the width w5 of the emulsion 121 finely to 100 μm or less, the formed concave portion 45 can be filled with the conductive paste.

上記のように、印刷にじみにより、未塗布領域を完全に埋めることができる。つまり、バスバー電極42は、平面視において、n側電極30nが露出する露出部を有していない太陽電池セル10を作製することができる。また、乳剤121の幅w5をにじみ幅の2倍より大きくすることにより、図9に示すような露出部47eを形成することも可能である。   As described above, the uncoated area can be completely filled by printing bleeding. That is, the solar cell 10 having no exposed portion where the n-side electrode 30n is exposed can be manufactured as the bus bar electrode 42 in a plan view. Also, by making the width w5 of the emulsion 121 larger than twice the bleeding width, it is possible to form the exposed portion 47e as shown in FIG.

上記のように、本実施の形態に係る太陽電池セル10は、バスバー電極42を形成するときに意図的にバスバー電極42内において、導電性ペーストが塗布されない部分(乳剤121に対応する部分)を形成する。そして、当該部分の周囲に印刷された導電性ペーストの印刷にじみにより導電性ペーストが当該部分に流れ込むことで、当該部分の透明電極膜の少なくとも一部が導電性ペーストで覆われる。   As described above, solar cell 10 according to the present embodiment intentionally forms a portion (part corresponding to emulsion 121) where conductive paste is not applied in busbar electrode 42 when busbar electrode 42 is formed. Form. Then, when the conductive paste flows into the portion due to the bleeding of the conductive paste printed around the portion, at least a part of the transparent electrode film in the portion is covered with the conductive paste.

[3.効果など]
以上のように、本実施の形態に係る太陽電池セル10は、シリコン基板20と、シリコン基板20に設けられるn型半導体層80n(半導体層の一例)と、n型半導体層80n上に設けられる複数本の集電電極(例えば、n側集電電極40n)とを備える。複数本の集電電極は、複数本の互いに平行なフィンガー電極41と、当該複数本のフィンガー電極41に接続して設けられるバスバー電極42とを有する。そして、バスバー電極42は、凹部45と凹部45より厚みが厚い凸部46とが第1の方向(例えば、X軸方向)に交互に複数設けられた凹凸部44を有し、凸部46の幅w2は、シリコン基板20に垂直かつ第1の方向を含む断面において、凹部45の幅w1より広い。
[3. Effects etc.]
As described above, solar cell 10 according to the present embodiment is provided on silicon substrate 20, n-type semiconductor layer 80n (an example of a semiconductor layer) provided on silicon substrate 20, and n-type semiconductor layer 80n. A plurality of current collecting electrodes (for example, an n-side current collecting electrode 40n). The plurality of current collecting electrodes include a plurality of mutually parallel finger electrodes 41 and a bus bar electrode 42 provided to be connected to the plurality of finger electrodes 41. The bus bar electrode 42 has an uneven portion 44 in which a plurality of concave portions 45 and convex portions 46 thicker than the concave portions 45 are provided alternately in a first direction (for example, the X-axis direction). The width w2 is wider than the width w1 of the concave portion 45 in a cross section perpendicular to the silicon substrate 20 and including the first direction.

これにより、バスバー電極42に凹部45を形成することで、バスバー電極42の厚みを均一となるように形成した場合に比べ、導電性ペーストの使用量を削減することができる。例えば、バスバー電極42を印刷により形成するときに、凹部45に対応する領域の導電ペーストの塗布量を凸部46に対応する領域の導電性ペーストの塗布量より少なくすることで、凹部45が形成され導電性ペーストの使用量を削減することができる。また、凸部46の幅w2が凹部45の幅w1より広い凹凸部44が形成されることで、配線部材70及びバスバー電極42を接合する接合部材(例えば、はんだ60)とバスバー電極42との接触面積を、バスバー電極42の厚みが均一である場合に比べ、増やすことができる。つまり、バスバー電極42と配線部材70との接続強度を向上させることができる。さらに、凸部46の幅w2が凹部45の幅w1より広い凹凸部44が形成されることで、太陽電池セル10の出力特性の低下の原因となるバスバー電極42の抵抗値の増大を抑制するこができる。よって、本実施の形態に係る太陽電池セル10は、高出力特性を維持しつつ、導電性ペーストの使用量を削減することができ、かつバスバー電極42と配線部材70との接続性を向上することができる。   Thus, by forming the recess 45 in the bus bar electrode 42, the amount of the conductive paste used can be reduced as compared with the case where the bus bar electrode 42 is formed to have a uniform thickness. For example, when the bus bar electrode 42 is formed by printing, the amount of the conductive paste applied to the region corresponding to the concave portion 45 is made smaller than the amount of the conductive paste applied to the region corresponding to the convex portion 46 so that the concave portion 45 is formed. As a result, the amount of conductive paste used can be reduced. Further, by forming the uneven portion 44 in which the width w2 of the convex portion 46 is larger than the width w1 of the concave portion 45, the connecting member (for example, solder 60) for connecting the wiring member 70 and the busbar electrode 42 and the busbar electrode 42 are formed. The contact area can be increased as compared with the case where the thickness of the bus bar electrode 42 is uniform. That is, the connection strength between the bus bar electrode 42 and the wiring member 70 can be improved. Further, by forming the uneven portion 44 in which the width w2 of the convex portion 46 is larger than the width w1 of the concave portion 45, it is possible to suppress an increase in the resistance value of the bus bar electrode 42, which causes a decrease in output characteristics of the solar cell 10 I can do this. Therefore, solar cell 10 according to the present embodiment can reduce the amount of conductive paste used while maintaining high output characteristics, and improves the connectivity between bus bar electrode 42 and wiring member 70. be able to.

また、凹部45及び凸部46のそれぞれは、複数本のフィンガー電極41のうち隣り合うフィンガー電極41との間に複数設けられる。   Further, each of the concave portion 45 and the convex portion 46 is provided between the finger electrodes 41 adjacent to each other among the plurality of finger electrodes 41.

これにより、凹部45は、フィンガー電極41よりも細かいピッチで設けられる。凹部45がスクリーン印刷により塗布された導電ペーストの印刷にじみで形成される場合、凹部45を導電性ペーストで埋めることができる。言い換えると、凹部45のピッチが細かいことで、凹部45において、n側電極30nと配線部材70及びバスバー電極42を接合する接合部材(例えば、はんだ60)とが直接接触することを抑制することができる。よって、n側電極30nと接合部材とが直接接触することでバスバー電極42と配線部材70との接着強度が低下することを抑制することができるので、さらに接続性が向上する。   Thereby, the concave portions 45 are provided at a finer pitch than the finger electrodes 41. When the concave portion 45 is formed by bleeding of the conductive paste applied by screen printing, the concave portion 45 can be filled with the conductive paste. In other words, the fine pitch of the concave portions 45 prevents direct contact between the n-side electrode 30n and the bonding member (for example, the solder 60) that connects the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 in the concave portions 45. it can. Accordingly, a decrease in the adhesive strength between the bus bar electrode 42 and the wiring member 70 due to the direct contact between the n-side electrode 30n and the joining member can be suppressed, and the connectivity is further improved.

また、複数本のフィンガー電極41は、シリコン基板20の平面視において、第2の方向(例えば、X軸方向)に延在して形成されており、凹部45b及び凸部46bは、シリコン基板20の平面視において、第2の方向と交差する第3の方向に延在して形成されていてもよい。また、凹部45a及び凸部46aは、シリコン基板20の平面視において、第2の方向と直交する第3の方向(例えば、X軸方向)に延在して形成されていてもよい。また、凹部45及び凸部46は、シリコン基板20の平面視において、第2の方向と平行な第3の方向(例えば、Y軸方向)に延在して形成されていてもよい。   Further, the plurality of finger electrodes 41 are formed to extend in the second direction (for example, the X-axis direction) in plan view of the silicon substrate 20, and the concave portion 45 b and the convex portion 46 b are formed in the silicon substrate 20. May be formed to extend in a third direction intersecting with the second direction in a plan view. In addition, the concave portion 45a and the convex portion 46a may be formed to extend in a third direction (for example, the X-axis direction) orthogonal to the second direction in a plan view of the silicon substrate 20. In addition, the concave portions 45 and the convex portions 46 may be formed to extend in a third direction (for example, the Y-axis direction) parallel to the second direction in plan view of the silicon substrate 20.

これにより、第3の方向に延在する凹部及び凸部を有する凹凸部が形成されたバスバー電極により、導電性ペーストの使用量を削減することができ、かつバスバー電極と配線部材70との接続性を向上することができる。   Accordingly, the bus bar electrode having the concave and convex portions having the concave portion and the convex portion extending in the third direction can reduce the amount of the conductive paste used and connect the bus bar electrode to the wiring member 70. Performance can be improved.

また、バスバー電極42は、第1の方向に延在して設けられ、第3の方向に延在する複数の凹部45及び複数の凸部46の一端のそれぞれ及び他端のそれぞれと電気的に接続される一対のバスバー部43を有する。   The bus bar electrode 42 is provided to extend in the first direction, and is electrically connected to each of one end and the other end of the plurality of concave portions 45 and the plurality of convex portions 46 extending in the third direction. It has a pair of busbar portions 43 to be connected.

これにより、バスバー部43が形成されていない場合に比べ、配線部材と70とバスバー電極42との接触面積をさらに増やすことができるので、配線部材70とバスバー電極42との接続性をさらに向上させることができる。   Thereby, the contact area between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 can be further increased as compared with the case where the bus bar portion 43 is not formed, so that the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42 is further improved. be able to.

また、凹凸部44gは、バスバー電極42gと複数本のフィンガー電極41とが交差する交差部47gに設けられてもよい。   The uneven portion 44g may be provided at an intersection 47g where the bus bar electrode 42g and the plurality of finger electrodes 41 intersect.

これにより、凹凸部44gがバスバー電極42gに亘って形成されている場合に比べ、導電性ペーストの使用量を削減することができる。   Thus, the amount of the conductive paste used can be reduced as compared with the case where the uneven portion 44g is formed over the bus bar electrode 42g.

また、バスバー電極42fは、太陽電池セル10同士を電気的に接続するための配線部材70に接続され、凹凸部44fは、配線部材70とバスバー電極42fとが接続される接合部47fに設けられてもよい。   Further, the bus bar electrode 42f is connected to a wiring member 70 for electrically connecting the solar cells 10 to each other, and the concave and convex portions 44f are provided at a joint 47f where the wiring member 70 and the bus bar electrode 42f are connected. You may.

これにより、配線部材70とバスバー電極42fとの接続性を効果的に向上させることができる。また、凹凸部44fがバスバー電極42fに亘って形成されている場合に比べ、導電性ペーストの使用量を削減することができる。   Thereby, the connectivity between the wiring member 70 and the bus bar electrode 42f can be effectively improved. Further, the amount of the conductive paste used can be reduced as compared with the case where the uneven portions 44f are formed over the bus bar electrodes 42f.

また、凹部45において、n型半導体層80nは、バスバー電極42を構成する導電性材料で覆われている。   In the recess 45, the n-type semiconductor layer 80n is covered with a conductive material forming the bus bar electrode 42.

これにより、バスバー電極42と配線部材70とを接合するはんだ60がn側電極30nと直接接触することによる接合強度の低下を抑制することができる。   Accordingly, it is possible to suppress a decrease in bonding strength caused by the solder 60 that bonds the bus bar electrode 42 and the wiring member 70 coming into direct contact with the n-side electrode 30n.

(他の実施の形態)
以上、本発明に係る太陽電池セルについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されない。
(Other embodiments)
As described above, the solar battery cell according to the present invention has been described based on the embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments.

例えば、上記実施の形態では、太陽電池セルの主受光面側の面にn型半導体層が形成される例について説明したが、これに限定されない。太陽電池セルの主受光面側の面にp型半導体層が形成されていてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the example in which the n-type semiconductor layer is formed on the surface on the main light receiving surface side of the solar cell is described, but the present invention is not limited to this. A p-type semiconductor layer may be formed on the surface on the main light receiving surface side of the solar cell.

また、上記実施の形態では、隣り合う2つの太陽電池セル同士を配線部材により電気的に接続する例について説明したが、これに限定されない。例えば、一方の太陽電池セルの受光面側のバスバー電極が、他方の太陽電池セルの裏面側のバスバー電極に直接的に接続されてもよい。このような場合においても、上記実施の形態に係る太陽電池セルによれば、高出力特性を維持しつつ、導電性ペーストの使用量を削減することができ、かつ隣り合う2つの太陽電池セルの接続性を向上させることができる。   Further, in the above-described embodiment, an example in which two adjacent solar cells are electrically connected to each other by a wiring member has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the bus bar electrode on the light receiving surface side of one solar cell may be directly connected to the bus bar electrode on the back side of the other solar cell. Even in such a case, according to the solar cell according to the above-described embodiment, it is possible to reduce the amount of conductive paste used while maintaining high output characteristics, and to reduce the amount of two adjacent solar cells. Connectivity can be improved.

また、上記実施の形態では、集電電極は、フィンガー電極及びバスバー電極の両方を含む例を示したが、これに限定されない。集電電極は、少なくともバスバー電極を含んでいればよい。   Further, in the above embodiment, the example in which the current collecting electrode includes both the finger electrode and the bus bar electrode has been described, but the present invention is not limited to this. The collecting electrode only needs to include at least the bus bar electrode.

また、上記実施の形態では、凹凸部において厚みt2までの部分を凹部としたが、これに限定されない。凹部は、例えば、硬化後において導電性ペーストが配置されていない部分であってもよい。この場合、凸部は、硬化後において導電性ペーストが配置されている部分と定義されてもよい。この場合であっても、凸部の幅は、シリコン基板に垂直かつ第1の方向を含む断面において、凹部の幅より広い。これにより、上記実施の形態と同様の効果を奏する。   Further, in the above embodiment, the portion up to the thickness t2 in the uneven portion is formed as the concave portion, but the present invention is not limited to this. The concave portion may be, for example, a portion where the conductive paste is not disposed after curing. In this case, the protrusion may be defined as a portion where the conductive paste is arranged after curing. Even in this case, the width of the convex portion is wider than the width of the concave portion in a cross section perpendicular to the silicon substrate and including the first direction. Thereby, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.

また、本発明は、複数の太陽電池セルと隣り合う太陽電池セルを電気的に接続する配線部材とを備える太陽電池モジュールとして実現されてもよい。この場合、太陽電池モジュールが備える複数の太陽電池セルのうち少なくとも1つは、上記実施の形態に記載した太陽電池セルである。   Further, the present invention may be realized as a solar cell module including a plurality of solar cells and a wiring member that electrically connects adjacent solar cells. In this case, at least one of the plurality of solar cells included in the solar cell module is the solar cell described in the above embodiment.

また、上記実施の形態で説明した太陽電池セルの製造方法における各工程の順序は一例であり、これに限定されない。各工程の順序は入れ替えられてもよいし、各工程の一部は行われなくてもよい。   In addition, the order of each step in the method for manufacturing a solar cell described in the above embodiment is an example, and the present invention is not limited to this. The order of each step may be interchanged, or a part of each step may not be performed.

また、上記実施の形態で説明した太陽電池セルの製造方法における各工程は、1つの工程で実施されてもよいし、別々の工程で実施されてもよい。なお、1つの工程で実施されるとは、各工程が1つの装置を用いて実施される、各工程が連続して実施される、又は、各工程が同じ場所で実施されることを含む意図である。また、別々の工程とは、各工程が別々の装置を用いて実施される、各工程が異なる時間(例えば、異なる日)に実施される、又は、各工程が異なる場所で実施されることを含む意図である。   Further, each step in the method for manufacturing a solar cell described in the above embodiment may be performed in one step, or may be performed in separate steps. Note that the term “implemented in one step” includes an intention that each step is executed using one apparatus, each step is executed continuously, or each step is executed in the same place. It is. Separate steps mean that each step is performed using a different device, that each step is performed at a different time (eg, on a different day), or that each step is performed at a different location. It is intended to include.

その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態等における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。   In addition, the present invention is realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment and the like without departing from the spirit of the present invention and in the form obtained by applying various modifications that can be conceived by those skilled in the art to each embodiment. Embodiments are also included in the present invention.

10 太陽電池セル
20 シリコン基板(半導体基板)
40n n側集電電極(集電電極)
41 フィンガー電極
42、42a〜42h バスバー電極
43、43c、43f、43g バスバー部
44、44a〜44c、44e〜44f 凹凸部
45、45a〜45c、45e〜45f 凹部
46、46a〜46c、46e〜46f 凸部
47f 接合部(接続部)
47g 交差部
70、71 配線部材
80n n型半導体層(半導体層)
w1、w2、w3、w4 幅
t3、t4 厚み
10 solar cell 20 silicon substrate (semiconductor substrate)
40n n side current collecting electrode (current collecting electrode)
41 finger electrodes 42, 42a to 42h bus bar electrodes 43, 43c, 43f, 43g bus bar portions 44, 44a to 44c, 44e to 44f uneven portions 45, 45a to 45c, 45e to 45f concave portions 46, 46a to 46c, 46e to 46f convex Part 47f joining part (connection part)
47g Intersection 70, 71 Wiring member 80n N-type semiconductor layer (semiconductor layer)
w1, w2, w3, w4 width t3, t4 thickness

Claims (9)

半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられる半導体層と、
前記半導体層上に設けられる複数本の集電電極とを備え、
前記複数本の集電電極は、複数本のフィンガー電極と、当該複数本のフィンガー電極に接続して設けられるバスバー電極とを有し、
前記バスバー電極は、凹部と前記凹部より厚みが厚い凸部とが第1の方向に交互に複数設けられた凹凸部を有し、
前記凸部の幅は、前記半導体基板に垂直かつ前記第1の方向を含む断面において、前記凹部の幅より広い
太陽電池セル。
A semiconductor substrate;
A semiconductor layer provided on the semiconductor substrate,
Comprising a plurality of current collecting electrodes provided on the semiconductor layer,
The plurality of current collecting electrodes has a plurality of finger electrodes and a bus bar electrode provided to be connected to the plurality of finger electrodes,
The busbar electrode has a concave and convex portion in which a plurality of concave portions and convex portions having a thickness greater than the concave portion are alternately provided in the first direction,
A solar cell having a width of the convex portion larger than a width of the concave portion in a cross section perpendicular to the semiconductor substrate and including the first direction.
前記凹部及び前記凸部のそれぞれは、前記複数本のフィンガー電極のうち隣り合うフィンガー電極との間に複数設けられる
請求項1に記載の太陽電池セル。
The solar cell according to claim 1, wherein a plurality of the recesses and the plurality of the protrusions are provided between adjacent ones of the plurality of finger electrodes.
前記複数本のフィンガー電極は、前記半導体基板の平面視において、第2の方向に延在して形成されており、
前記凹部及び前記凸部は、前記半導体基板の平面視において、前記第2の方向と交差する第3の方向に延在して形成されている
請求項1又は2に記載の太陽電池セル。
The plurality of finger electrodes are formed to extend in a second direction in a plan view of the semiconductor substrate,
The solar cell according to claim 1, wherein the concave portion and the convex portion are formed to extend in a third direction that intersects the second direction in a plan view of the semiconductor substrate.
前記複数本のフィンガー電極は、前記半導体基板の平面視において、第2の方向に延在して形成されており、
前記凹部及び前記凸部は、前記半導体基板の平面視において、前記第2の方向と直交する第3の方向に延在して形成されている
請求項1又は2に記載の太陽電池セル。
The plurality of finger electrodes are formed to extend in a second direction in a plan view of the semiconductor substrate,
The solar cell according to claim 1, wherein the concave portion and the convex portion are formed to extend in a third direction orthogonal to the second direction in a plan view of the semiconductor substrate.
前記複数本のフィンガー電極は、前記半導体基板の平面視において、第2の方向に延在して形成されており、
前記凹部及び前記凸部は、前記半導体基板の平面視において、前記第2の方向と平行な第3の方向に延在して形成されている
請求項1又は2に記載の太陽電池セル。
The plurality of finger electrodes are formed to extend in a second direction in a plan view of the semiconductor substrate,
The solar cell according to claim 1, wherein the concave portion and the convex portion are formed to extend in a third direction parallel to the second direction in a plan view of the semiconductor substrate.
前記バスバー電極は、前記第1の方向に延在して設けられ、前記第3の方向に延在する複数の前記凹部及び複数の前記凸部の一端のそれぞれ及び他端のそれぞれと電気的に接続される一対のバスバー部を有する
請求項3〜5のいずれか1項に記載の太陽電池セル。
The bus bar electrode is provided to extend in the first direction, and is electrically connected to one end and the other end of each of the plurality of recesses and the plurality of protrusions extending in the third direction. The solar cell according to any one of claims 3 to 5, further comprising a pair of busbar portions to be connected.
前記凹凸部は、前記バスバー電極と前記複数本のフィンガー電極とが交差する交差部に設けられる
請求項1〜6のいずれか1項に記載の太陽電池セル。
The solar cell according to any one of claims 1 to 6, wherein the uneven portion is provided at an intersection where the bus bar electrode and the plurality of finger electrodes intersect.
前記バスバー電極は、前記太陽電池セル同士を電気的に接続するための配線部材に接続され、
前記凹凸部は、前記配線部材と前記バスバー電極とが接続される接続部に設けられる
請求項1〜6のいずれか1項に記載の太陽電池セル。
The bus bar electrode is connected to a wiring member for electrically connecting the solar cells,
The solar cell according to any one of claims 1 to 6, wherein the uneven portion is provided at a connection portion where the wiring member and the bus bar electrode are connected.
前記凹部において、前記半導体層は、前記バスバー電極を構成する導電性材料で覆われている
請求項1〜8のいずれか1項に記載の太陽電池セル。
The solar cell according to any one of claims 1 to 8, wherein, in the recess, the semiconductor layer is covered with a conductive material forming the bus bar electrode.
JP2018187391A 2018-10-02 2018-10-02 Solar cell Pending JP2020057694A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018187391A JP2020057694A (en) 2018-10-02 2018-10-02 Solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018187391A JP2020057694A (en) 2018-10-02 2018-10-02 Solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020057694A true JP2020057694A (en) 2020-04-09

Family

ID=70107671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018187391A Pending JP2020057694A (en) 2018-10-02 2018-10-02 Solar cell

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020057694A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284381A (en) * 2020-09-18 2022-04-05 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof
WO2022138619A1 (en) * 2020-12-21 2022-06-30 出光興産株式会社 Electrode structure of solar cell and method for manufacturing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284381A (en) * 2020-09-18 2022-04-05 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof
WO2022138619A1 (en) * 2020-12-21 2022-06-30 出光興産株式会社 Electrode structure of solar cell and method for manufacturing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6835800B2 (en) Solar cell module
TWI458104B (en) Solar cell module
JP2011077362A (en) Solar cell, and solar cell module
JP5879512B2 (en) Solar cell module
WO2019111491A1 (en) Solar cell and electronic device provided with said solar cell
JP2020057694A (en) Solar cell
JP4248356B2 (en) Solar cell device and solar cell module
EP3198655A1 (en) Solar cell array, solar cell module and manufacturing method thereof
JP2014103300A (en) Photovoltaic generator
JP2011511468A (en) Method for manufacturing silicon solar cell
TWI505484B (en) Solar cell and module comprising the same
JP2011187567A (en) Solar cell module
WO2017002287A1 (en) Solar battery module
CN213093208U (en) MWT solar cell back electrode structure and battery pack
US20170092789A1 (en) Solar cell module
KR20150006947A (en) Solar cell module
JP2021150578A (en) Solar cell and manufacturing method for solar cell
TWI556455B (en) Solar cell, module comprising the same and method of manufacturing the same
JP6628196B2 (en) Solar cell module
JP5916605B2 (en) Solar power plant
JP2017050514A (en) Solar battery module
KR20100123162A (en) Solar cell module and mehtod for manufacturing the same
KR102410785B1 (en) Shingled high power module and manufacturing method thereof
JP6325925B2 (en) Solar cell module and method for manufacturing solar cell module
KR20150083388A (en) Solar cell module