JP2020034619A - 露光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】露光装置における2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させる。【解決手段】露光装置は、発光部と、マイクロレンズアレイ部と、センサ部と、を備える。発光部は、光を発する複数の発光領域を有する。マイクロレンズアレイ部は、有効領域と、非有効領域と、を有する。有効領域は、複数の発光領域のそれぞれが発する光の経路上にそれぞれ位置している複数のマイクロレンズを含む。非有効領域は、有効領域の外側に位置し、調整用マークを含む。センサ部は、第1方向に沿って並んだ複数の受光素子と、第2方向に沿って並んだ複数の受光素子と、を有する。センサ部は、発光部から発せられて非有効領域のうちの調整用マークを含む領域を通過した光の経路上において、複数の発光領域のうちの調整用発光領域から発せられて非有効領域に照射される光が形成する調整用光スポットと、調整用マークと、の相対的な位置関係に係る信号を出力可能である。【選択図】図3

Description

本発明は、露光装置に関する。
特許文献1,2には、空間変調によって形成されたパターン光を感光材料に照射することによって、感光材料を所望の2次元のパターンで露光させる露光装置が記載されている。この露光装置は、光源から出力された光をマイクロミラーデバイス(DMD)によって空間変調してパターン光を形成する。このパターン光は、光学系によって感光材料上に結像される。
ここで、光学系は、例えば、DMDによって形成されたパターン光を結像する第1結像光学系と、第1結像光学系の結像面に配されたマイクロレンズアレイ(MLA)と、MLAを通過した光を感光材料上に結像する第2結像光学系と、を含む。MLAは、DMDのマイクロミラーのそれぞれに対応するように、二次元状に配列された複数のマイクロレンズを備える。換言すれば、DMDからMLAに入射するパターン光の複数の画素と、MLAの複数のマイクロミラーと、がそれぞれ1対1で対応していることが必要である。このため、例えば、DMDおよびMLAは、DMDとMLAとの間における相対的な位置が調整された後に、各種の保持部材などで固定される。
ところが、DMDおよびMLAの固定後に、例えば、周囲の温度(環境温度ともいう)の変化に応じた保持部材の熱膨張、DMDおよびMLAの固定時に生じた残留応力の経時的な開放および振動などにより、DMDとMLAとの相対的な位置がずれる場合がある。このような場合には、例えば、本来はビームが入射しないマイクロレンズに、隣のマイクロレンズに入射すべきビームの一部が入射し、消光比が低下する場合がある。すなわち、感光材料を所望の2次元のパターンで露光させる精度(露光精度ともいう)が低下する場合がある。
これに対して、例えば、特許文献2の技術では、パターン光の隅の縦2個および横2個の合計4つの画素に対応するように、ステージ上の感光材料の近くに格子状に配した4つのフォトダイオードを有する4分割ディテクタを用いて、DMDとMLAとの相対的な位置のずれ量が検出される。具体的には、例えば、DMDのマイクロミラーで反射されたビームと、このビームに対応するマイクロレンズとのずれ量が検出される。換言すれば、ビームのずれ量が検出される。そして、例えば、4分割ディテクタを用いて検出されたビームのずれ量に基づいて、MLAの位置調整を行うことで、DMDとMLAとの相対的な位置のずれを解消している。
特開2004−335692号公報 特開2004−296531号公報
ところで、上記特許文献2の技術では、例えば、ビームのずれ量(X方向のずれ量ΔX、Y方向のずれ量ΔYおよび回転方向のずれ量θz)を検出するために、ステージ上の露光エリアの4隅のうちの2ヶ所に4分割ディテクタを配置している。そして、この2ヶ所において、4分割ディテクタの4つのフォトダイオードを、DMDからMLAに入射するパターン光の4画素に対応するように配置している。
しかしながら、DMDから発せられてMLAの2隅を通る4画素分のビームは、第2結像光学系を通って、ステージ上に投影される。このため、この第2結像光学系が有する倍率誤差および収差などの製造上の誤差の大きさに応じて、ステージ上の2ヶ所において4つのフォトダイオードの位置決めを行う必要がある。そして、露光による描画パターンの解像度の上昇に伴って、MLAにおけるマイクロレンズのピッチが小さくなり、ステージ上の2ヶ所における4つのフォトダイオードの位置決めにおいて、さらに非常に細かい精度が要求される。また、例えば、露光装置に複数の露光ヘッドが搭載されている場合には、露光ヘッドの数に応じて、4分割ディテクタの位置合わせが必要となる。したがって、露光装置を製造する際に、位置合わせに要する煩雑な工程が増大するおそれがある。
また、ステージ上に4分割ディテクタを設置する構成では、ステージの構造が複雑になるおそれがある。ここで、例えば、仮に、感光材料が配置されるステージとは異なる、露光エリアに対して挿入および退出可能な別の可動ステージに4分割ディテクタを設けることを考えると、4分割ディテクタに要求される非常に細かい位置決め精度に対応する移動精度および位置決め精度が、別の可動ステージにも要求される。したがって、露光装置の製造がより困難となるおそれがある。
そこで、本発明は、2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させることが可能な露光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第1の態様に係る露光装置は、発光部と、マイクロレンズアレイ部と、センサ部と、を備える。前記発光部は、光をそれぞれ発する複数の発光領域を有する。前記マイクロレンズアレイ部は、有効領域と、非有効領域と、を有する。前記有効領域は、前記複数の発光領域のそれぞれが発する光の経路上にそれぞれ位置している複数のマイクロレンズを含む。前記非有効領域は、前記複数のマイクロレンズの光軸に垂直な方向において前記有効領域の外側に位置しており且つ調整用マークを含む。前記センサ部は、第1方向に沿って並んだ状態にある複数の受光素子と、前記第1方向と交差している第2方向に沿って並んだ状態にある複数の受光素子と、を有する。前記センサ部は、前記発光部から発せられて前記非有効領域のうちの前記調整用マークを含む領域を通過した光の経路上において、前記複数の発光領域のうちの調整用発光領域から発せられて前記非有効領域に照射される光が形成する調整用光スポットと、前記調整用マークと、の相対的な位置関係に係る信号を出力可能である。
第2の態様に係る露光装置は、第1の態様に係る露光装置であって、前記マイクロレンズアレイ部は、前記複数のマイクロレンズが一体的に構成された状態にあるマイクロレンズアレイ、を含み、該マイクロレンズアレイは、前記非有効領域を含む。
第3の態様に係る露光装置は、第1または第2の態様に係る露光装置であって、前記マイクロレンズアレイ部は、前記非有効領域にそれぞれ含まれている第1の調整用マークと第2の調整用マークとを有し、前記センサ部は、前記複数の発光領域のうちの第1の調整用発光領域から発せられて前記非有効領域に照射される光が形成する第1の調整用光スポットと、前記第1の調整用マークと、の第1の相対的な位置関係に係る信号を出力可能であるとともに、前記複数の発光領域のうちの第2の調整用発光領域から発せられて前記非有効領域に照射される光が形成する第2の調整用光スポットと、前記第2の調整用マークと、の第2の相対的な位置関係に係る信号を出力可能である。
第4の態様に係る露光装置は、第1から第3の何れか1つの態様に係る露光装置であって、前記センサ部は、二次元的に配列された状態にある複数の受光素子を有するエリアセンサを含む。
第5の態様に係る露光装置は、第1から第4の何れか1つの態様に係る露光装置であって、前記調整用マークは、前記調整用光スポットの一部の前記センサ部に向けた光の通過を遮蔽するためのパターンを有する。
第6の態様に係る露光装置は、第1から第5の何れか1つの態様に係る露光装置であって、前記発光部および前記マイクロレンズアレイ部のうちの少なくとも一方の可動部を移動させることが可能な駆動部と、前記相対的な位置関係に係る信号に応じて、前記駆動部によって前記少なくとも一方の可動部を移動させることで、前記複数の発光部と前記複数のマイクロレンズとの相対的な位置関係を調整する制御部と、をさらに備える。
第1の態様に係る露光装置によれば、例えば、マイクロレンズアレイ部における調整用光スポットと調整用マークとの相対的な位置関係に係る情報を得て、この相対的な位置関係に応じて、発光部およびマイクロレンズアレイ部の少なくとも一方を移動させることで、発光部とマイクロレンズアレイ部との相対的な位置のずれを低減することができる。このため、例えば、マイクロレンズアレイ部と露光対象物との間に、倍率誤差および収差などの製造上の誤差が生じ得る結像光学系が存在する場合であっても、結像光学系における倍率誤差および収差などの製造上の誤差に影響されることなく、発光部とマイクロレンズアレイ部との間における相対的な位置関係に係る情報が得られる。これにより、例えば、センサ部に要求される位置合わせの精度を低減することができる。その結果、例えば、露光装置における2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させることができる。
第2の態様に係る露光装置によれば、例えば、マイクロレンズアレイに複数のマイクロレンズと調整用マークとが位置しているため、複数のマイクロレンズと調整用マークとの位置合わせが容易である。その結果、例えば、露光装置における2次元のパターンに係る露光精度を向上させることができる。
第3の態様に係る露光装置によれば、例えば、2ヶ所における調整用光スポットと調整用マークとの相対的な位置関係に係る情報に応じて、発光部およびマイクロレンズアレイ部の少なくとも一方を移動させることで、複数の発光領域と複数のマイクロレンズとの回転方向も含めた相対的な位置のずれを低減することができる。その結果、例えば、露光装置における2次元のパターンに係る露光精度を向上させることができる。
第4の態様に係る露光装置によれば、例えば、エリアセンサを有するセンサ部を用いることで、調整用光スポットと調整用マークとのずれの方向に拘わらず、調整用光スポットと調整用マークとの相対的な位置関係に係る信号を取得することができる。その結果、例えば、露光装置において2次元のパターンに係る露光精度が容易に向上し得る。また、例えば、複数の露光ヘッドによって照射される複数のパターン光の相対的な位置関係を把握するための計測用のセンサが存在している場合には、この計測用のセンサを、センサ部として兼用することで、露光装置の大型化および複雑化を低減することができる。
第5の態様に係る露光装置によれば、例えば、センサ部は、調整用光スポットの基準位置に対応する位置が認識可能な調整用光スポットを捉えた画像の取得と、調整用マークの基準位置に対応する位置が認識可能な調整用マークを捉えた画像の取得と、を1回の撮像で実現することができる。これにより、例えば、センサ部は、調整用光スポットと調整用マークとの相対的な位置関係に係る信号を迅速に取得することができる。その結果、例えば、露光装置における2次元のパターンに係る露光精度を迅速に向上させることができる。また、例えば、露光装置は、センサ部によって調整用マークの基準位置に対応する位置が認識可能な調整用マークを捉えた画像に係る信号を得るために、発光部以外に、調整用マークを照射するための照明を有していなくてもよい。これにより、例えば、露光装置の大型化および複雑化が低減され得る。
第6の態様に係る露光装置によれば、例えば、調整用光スポットと調整用マークとの相対的な位置関係に係る情報に応じて、複数の発光領域と複数のマイクロレンズとの相対的な位置のずれが自動的に低減され得る。これにより、例えば、露光装置の調整作業に不慣れなオペレータが露光装置を使用している場合であっても、複数の発光領域と複数のマイクロレンズとの相対的な位置のずれが低減され得る。その結果、例えば、露光装置における2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させることができる。
各実施形態に係る露光装置の一例を示す側面図である。 各実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図である。 各実施形態に係る露光ユニットおよびセンサ部の構成の一例を示す概略斜視図である。 各実施形態に係る露光ヘッドおよびセンサ部の構成の一例を示す概略側面図である。 図5は、第1実施形態に係る第1ユニットの構成の一例を示す概略側面図である。 図6(a)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ部の構成の一例を示す概略正面図である。図6(b)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ部における調整用マークの構成の一例を示す概略正面図である。 図7は、第1実施形態に係る調整用マークおよび調整用光スポットの一例を示す概略正面図である。 第1実施形態に係る露光装置のバス配線の一例を示すブロック図である。 パターン露光を行っている複数の露光ヘッドの一例を示す概略斜視図である。 図10(a)および図10(b)は、空間光変調器とMLA部との相対的な位置関係の認識方法を説明するための図である。 図11(a)および図11(b)は、空間光変調器とMLA部との相対的な位置関係の認識方法を説明するための図である。 図12(a)は、第2実施形態に係る第1ユニットの構成の一例を示す概略側面図である。図12(b)は、第2実施形態に係るマイクロレンズアレイ部の構成の一例を示す概略正面図である。 第3実施形態に係る露光装置のバス配線の一例を示すブロック図である。 第3実施形態に係る露光装置における位置調整動作についての動作フローの一例を示す流れ図である。 第3実施形態に係る露光装置における位置調整動作についての動作フローの一例を示す流れ図である。 図16(a)は、調整用マークのバリエーションの一例を示す概略正面図である。図16(b)は、調整用マークのバリエーションの一例と調整用光スポットの一例とを示す概略正面図である。 図17(a)は、調整用マークのバリエーションの他の一例を示す概略正面図である。図17(b)は、調整用マークのバリエーションの他の一例と調整用光スポットの他の一例とを示す概略正面図である。
以下、本発明の各実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係などは正確に図示されたものではない。図1から図3、図5から図7、図9、図12(a)、図12(b)および図16(a)から図17(b)には、右手系のXYZ座標系が付されている。このXYZ座標系では、露光装置10の主走査方向がY軸方向とされ、露光装置10の副走査方向がX軸方向とされ、X軸方向とY軸方向との両方に直交する垂直方向がZ軸方向とされている。具体的には、重力方向(鉛直方向)が−Z方向とされている。
<1.第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る露光装置10の概略的な構成の一例を示す側面図である。図2は、第1実施形態に係る露光装置10の概略的な構成の一例を示す平面図である。
露光装置10は、処理対象物に、CADデータなどに応じて空間変調したパターン光(描画光)を照射して、パターン(例えば、回路パターン)を露光(描画)する装置(パターン露光装置ともいう)である、直描型の描画装置である。処理対象物としては、例えば、レジストなどの感光材料の層が形成された基板Wの上面(感光材料の層の上面)などが採用される。より具体的には、露光装置10で処理対象物とされる基板Wには、例えば、半導体基板、プリント基板、液晶表示装置などに具備されるカラーフィルタ用基板、液晶表示装置またはプラズマ表示装置などに具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板ならびに太陽電池パネル用基板などが含まれる。以下の説明では、基板Wが、長方形状の基板であるものとする。
露光装置10は、例えば、基台15および支持フレーム16を備えている。支持フレーム16は、例えば、基台15上に位置しており、基台15をX軸方向に沿って横断している状態にある門型状の形状を有する。また、露光装置10は、例えば、ステージ4、ステージ駆動機構5、ステージ位置計測部6、露光部8および制御部9を備えている。
<ステージ4>
ステージ4は、基板Wを保持するための部分である。ステージ4は、例えば、基台15の上に位置している。具体的には、ステージ4は、例えば、平板状の外形を有している。この場合、ステージ4は、例えば、平坦な上面の上に水平に沿った姿勢で載置された基板Wを保持することができる。ここで、例えば、ステージ4の上面に複数の吸引孔(図示省略)が存在していれば、ステージ4は、これらの複数の吸引孔に負圧(吸引圧)を形成することで、ステージ4の上面に基板Wを固定した状態で保持することができる。
<ステージ駆動機構5>
ステージ駆動機構5は、例えば、ステージ4を基台15に対して移動させることができる。ステージ駆動機構5は、例えば、基台15上に位置している。ステージ駆動機構5は、例えば、回転機構51、支持プレート52および副走査機構53を有する。回転機構51は、例えば、ステージ4を回転方向(Z軸周りの回転方向(θ方向))に回転させることができる。支持プレート52は、例えば、回転機構51を介してステージ4を支持している。副走査機構53は、例えば、支持プレート52を副走査方向(X軸方向)に移動させることができる。また、ステージ駆動機構5は、例えば、ベースプレート54および主走査機構55を有する。ベースプレート54は、例えば、副走査機構53を介して支持プレート52を支持している。主走査機構55は、例えば、ベースプレート54を主走査方向(Y軸方向)に移動させることができる。
具体的には、回転機構51は、例えば、ステージ4の上面(基板Wが載置される被載置面)の中心を通り、この被載置面に垂直な仮想の回転軸Aを中心としてステージ4を回転させることができる。回転機構51の構成としては、例えば、回転軸部511および回転駆動部(例えば、回転モータ)512とを含む構成が採用され得る。この場合には、回転軸部511は、鉛直方向(Z軸方向)に沿って延在している状態にある。回転軸部511の上端は、例えば、ステージ4の裏面側に固定されている状態にある。回転駆動部512は、例えば、回転軸部511の下端を回転自在に保持している状態にあり、回転軸部511を回転させることができる。このような構成によれば、例えば、回転駆動部512による回転軸部511の回転に応じて、ステージ4が水平面内で回転軸Aを中心として回転し得る。ここでは、例えば、回転機構51を設ける代わりに、後述するパターンデータ960にアフィン変換などの公知の回転補正を施すことで回転方向の位置合わせなどを行っても良い。
副走査機構53は、例えば、リニアモータ531および一対のガイド部材532を有する。リニアモータ531は、例えば、支持プレート52の下面に取り付けられた状態で位置している移動子と、ベースプレート54の上面に敷設された状態で位置している固定子と、を有する。一対のガイド部材532は、例えば、ベースプレート54の上面に、副走査方向に沿って互いに平行な状態で敷設された状態で位置している。ここで、各ガイド部材532と支持プレート52との間には、例えば、ボールベアリングが位置している。このボールベアリングは、例えば、ガイド部材532に対して摺動しながらこのガイド部材532の長手方向(副走査方向)に沿って移動することができる。このため、支持プレート52は、ボールベアリングを介して一対のガイド部材532によって支持されている状態にある。これにより、例えば、リニアモータ531を動作させると、支持プレート52は、一対のガイド部材532に案内されつつ副走査方向に沿って滑らかに移動し得る。
主走査機構55は、例えば、リニアモータ551および一対のガイド部材552を有する。リニアモータ551は、例えば、ベースプレート54の下面に取り付けられた状態にある移動子と、基台15上に敷設された状態にある固定子と、を有する。一対のガイド部材552は、例えば、基台15の上面に、主走査方向に沿って互いに平行に敷設された状態にある。ここで、各ガイド部材552には、例えば、機械の直線運動部を"転がり"を用いてガイドする機械要素部品としてのLMガイド(登録商標)を適用することができる。また、各ガイド部材552とベースプレート54との間に、例えば、エアベアリングが位置していれば、ベースプレート54は一対のガイド部材552に対して非接触の状態で支持される。このような構成が採用されれば、例えば、リニアモータ551を動作させると、ベースプレート54は、一対のガイド部材552に案内されつつ主走査方向に沿って摩擦を生じずに滑らかに移動し得る。
<ステージ位置計測部6>
ステージ位置計測部6は、例えば、ステージ4の位置を計測することができる。ステージ位置計測部6としては、例えば、干渉式のレーザ測長器が採用される。干渉式のレーザ測長器は、例えば、ステージ4の外からステージ4に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光し、この反射光と出射光との干渉に基づいてステージ4の位置(具体的には、主走査方向に沿うY方向の位置)を計測することができる。ここでは、例えば、レーザ測長器に代えて、リニアスケールを用いても良い。
<露光部8>
露光部8は、例えば、パターン光を形成して基板Wにそのパターン光を照射することができる。露光部8は、例えば、複数の露光ユニット800およびセンサ部850を有する。図3は、第1実施形態に係る露光ユニット800およびセンサ部850の構成を示す概略斜視図である。図4は、第1実施形態に係る露光ヘッド82およびセンサ部850の構成を示す概略側面図である。図4では、ミラー825が省略されており、空間光変調器820、第1結像光学系822、マイクロレンズアレイ部(MLA部ともいう)824、第2結像光学系826およびセンサ部850が同一の光軸上に並べられている。露光部8は、例えば、図3でそれぞれ示される複数台(ここでは、9台)の露光ユニット800を有する。ここでは、例えば、露光部8における露光ユニット800の台数は、9台でなくてもよく、1台以上であってもよい。各露光ユニット800は、例えば、露光ヘッド82を有しており、支持フレーム16によって支持されている。ここでは、支持フレーム16は、例えば、X軸方向に並んでいる複数の露光ヘッド82をそれぞれ含み且つY軸方向に並んでいる複数(例えば、2つ)の露光ヘッド82の列を支持している状態で位置している(図2および図9参照)。
<光源部80>
光源部80は、例えば、露光部8が基板Wに照射するパターン光のもととなる光を発生させることができる。例えば、各露光ユニット800が、1つの光源部80を有していてもよいし、複数の露光ユニット800が、1つの光源部80を有していてもよい。光源部80は、例えば、レーザ発振器および照明光学系を有する。レーザ発振器は、レーザ駆動部からの駆動信号を受けてレーザ光を出力することができる。照明光学系は、レーザ発振器から出力された光(スポットビーム)を、強度分布が均一な光とすることができる。光源部80から出力された光は、露光ヘッド82に入力される。ここで、例えば、1つの光源部80から出力されるレーザ光が、複数のレーザ光に分割されて、複数の露光ヘッド82に入力される構成が採用されてもよい。
<露光ヘッド82>
露光ヘッド82は、例えば、空間光変調器820、第1結像光学系822、MLA部824、ミラー825および第2結像光学系826を有する。また、露光ヘッド82は、例えば、測定器84を有していてもよい。第1実施形態では、例えば、図3で示されるように、空間光変調器820、第1結像光学系822およびMLA部824は、支持フレーム16の+Z方向の側に位置している。そして、例えば、第2結像光学系826および測定器84は、支持フレーム16の+Y方向の側に位置している。このような露光ヘッド82は、例えば、第1の収容ボックス(不図示)に収容されている状態で位置している。この場合には、第1の収容ボックスは、支持フレーム16の+Z方向の側において+Y方向に延び、さらに支持フレーム16の+Y方向の側において−Z方向に延びている状態で位置している。光源部80は、例えば、第1の収容ボックスの+Z方向の側に固定された状態で位置している第2の収容ボックス802内に位置している。ここでは、例えば、光源部80から−Z方向に出力された光は、ミラー804で反射して、空間光変調器820に入射する。
また、第1実施形態では、図3で示されるように、空間光変調器820、第1結像光学系822およびMLA部824は、第1結像光学系822の光軸822p(図5参照)に沿った一直線上に位置している。ここで、図3で示されるように、第1結像光学系822およびMLA部824を通過したパターン光は、+Y方向に進んでミラー825に照射され、−Z方向に反射する。この反射したパターン光は、第2結像光学系826に入射する。このため、例えば、露光ヘッド82に含まれている構成のうち、一部の構成がY軸方向に沿った一直線上に位置し、他の一部の構成がZ軸方向に沿った一直線上に位置している。換言すれば、例えば、露光ヘッド82に含まれている複数の構成が、L字状の経路上に並んでいる。これにより、例えば、露光ヘッド82に含まれている複数の構成が、Z軸方向に沿った一直線上に位置している場合と比較して、Z軸方向における露光ヘッド82の高さが低減され得る。その結果、例えば、露光装置10の高さが低減されて、露光装置10の設置の自由度が高まり得る。
<空間光変調器820>
空間光変調器820は、例えば、デジタルミラーデバイス(DMD)を有する。このDMDは、例えば、入射光のうちの、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させることで、入射光を空間変調することができる。DMDとしては、例えば、多数(1920個×1080個)のマイクロミラーM1がメモリセル上にマトリックス状に配列している状態で位置している空間変調素子が適用される。各マイクロミラーM1は、例えば、1辺が約10μmの正方形状の1画素を構成している。DMDは、マイクロミラーM1側から平面視した場合に、例えば、約20mm×10mmの矩形状の外形を有する。DMDでは、例えば、制御部9からの制御信号に基づいて、メモリセルにデジタル信号が書き込まれ、マイクロミラーM1のそれぞれが、対角線を中心として所要の角度に傾く。これにより、デジタル信号に応じたパターン光が形成される。換言すれば、空間光変調器820は、例えば、光源部80から入射した光の反射によって光をそれぞれ発する複数の領域(発光領域ともいう)としての複数のマイクロミラーM1を有する部分(発光部ともいう)である。
図5は、第1実施形態に係る露光ヘッド82における第1ユニット850の構成の一例を示す概略側面図である。図5で示されるように、第1ユニット850は、例えば、基準部850bと、空間光変調器820と、第1ベース部820bと、MLA部824と、第2ベース部824bと、を有する。
基準部850bは、例えば、第1ユニット850を構成する各部の位置の基準となる部分である。第1実施形態では、基準部850bには、例えば、支持フレーム16もしくは支持フレーム16に固定されている他の部材が含まれる。他の部材には、例えば、上述した第1の収容ボックスなどが含まれてもよい。ここで、例えば、第2レンズ12L(図4参照)およびMLA部824を光軸方向(Y軸方向)に移動可能に保持するレンズ移動部が存在している場合には、基準部850bには、レンズ移動部が含まれてもよい。
第1ベース部820bは、例えば、基準部850bに連結している状態であるとともに、空間光変調器820を保持している状態にある。図5の例では、−X方向に側面視すると、第1ベース部820bは、基準部850bから鉛直方向とは逆の+Z方向(上方向ともいう)に延びている状態にある。そして、空間光変調器820は、基準部850bの上方において第1ベース部820bによって片側で保持されている状態(片持ち状態ともいう)にある。これにより、例えば、第1ベース部820bの小型化および素材の低減が図られるとともに、露光ヘッド82の高さが低減され得る。第1ベース部820bは、例えば、基準部850bに対して固定された状態にある各種部材であってもよいし、基準部850bと一体的に構成された状態にあってもよい。
また、第1ベース部820bは、例えば、基準部850bに対する空間光変調器820の相対的な位置が変更可能となるように空間光変調器820を保持していてもよい。この場合には、第1ベース部820bは、例えば、空間光変調器820を移動可能な部分(可動部ともいう)として移動させることが可能な第1駆動部820dを有する。第1駆動部820dは、例えば、X軸方向に沿って空間光変調器820を並進移動させる機構(並進機構ともいう)、Z軸方向に沿って空間光変調器820を並進移動させる並進機構、およびY軸方向に沿った光軸822pを中心として空間光変調器820を回転移動させる機構(回転機構ともいう)、を含む。並進機構は、例えば、リニアガイドと、六角レンチなどで付与される回転力を直動成分の力に変換可能なボールねじなどの直動機構あるいは電気信号の付与に応じて自動的に直動成分の力を生じるステッピングモータもしくは圧電素子と、を有する構成などで実現される。回転機構は、例えば、回転軸と、軸受けと、ボールねじなどの直動機構で付与される直動成分の力を回転力に変換可能な機構もしくは電気信号の付与に応じて自動的に回転力を生じる回転モータと、を有する構成などで実現される。直動成分を回転成分に変換する方式としては、例えば、ラック・平歯車方式またはリンク機構方式などが挙げられる。このような構成を有する第1駆動部820dによって、例えば、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係が調整され得る。
<第1結像光学系822>
第1結像光学系822は、第1鏡筒8220および第2鏡筒8222を有する。図4で示されるように、第1鏡筒8220は、第1レンズ10Lを保持している状態にある。第2鏡筒8222は、第2レンズ12Lを保持している状態にある。第1レンズ10Lおよび第2レンズ12Lは、空間光変調器820によって形成されたパターン光の経路上に位置している。図5(a)で示されるように、例えば、第1結像光学系822の光軸822pは、Y軸方向に沿って位置している。ここで、第1レンズ10Lは、例えば、空間光変調器820の各マイクロミラーM1から出力されたパターン光をY軸方向に沿った平行光に整えて第2レンズ12Lに導くことができる。第1レンズ10Lは、例えば、1つのレンズで構成されてもよいし、複数のレンズで構成されてもよい。第2レンズ12Lは、例えば、像側テレセントリックのものであり、第1レンズ10Lからのパターン光を、第2レンズ12Lの光軸822pに対して平行な状態でMLA部824に導くことができる。ここでは、第1結像光学系822には、例えば、空間光変調器820で形成されたパターン光を、1倍を超える横倍率(例えば、約2倍)で結像する拡大光学系が適用される。この場合、例えば、第2レンズ12Lの半径は、第1レンズ10Lの半径よりも大きくなっている。第1鏡筒8220および第2鏡筒8222は、例えば、支持フレーム16に対して直接的もしくは他の部材を介して間接的に固定されている状態で位置している。他の部材には、例えば、上述した第1の収容ボックスなどが含まれ得る。
<マイクロレンズアレイ部(MLA部)824>
MLA部824は、マイクロレンズアレイ(MLAともいう)824aを有する。このMLA824aは、複数のマイクロレンズML1を有する。第1実施形態のMLA824aでは、複数のマイクロレンズML1が一体的に構成されている状態で位置している。複数のマイクロレンズML1は、例えば、空間光変調器820における複数の発光領域としての複数のマイクロミラーM1に対応するようにマトリックス状に配列している状態で位置している。第1実施形態では、X軸方向およびZ軸方向のそれぞれにおいて、予め設定された所定のピッチで、複数のマイクロレンズML1が位置している。そして、空間光変調器820における複数の発光領域としての複数のマイクロミラーM1のそれぞれが発する光の経路上に、マイクロレンズML1がそれぞれ位置している。これにより、複数のマイクロレンズML1のそれぞれには、マイクロミラーM1が発するビームの1画素分のスポットが形成される。
図5で示されるように、第2ベース部824bは、MLA部824を保持している状態にある。この第2ベース部824bは、例えば、基準部850bに連結している状態で位置している。図5の例では、−X方向に側面視すると、第2ベース部824bは、基準部850bから鉛直方向とは逆の+Z方向(上方向ともいう)に延びている状態にある。そして、MLA部824は、基準部850bの上方において第2ベース部824bによって片側で保持されている状態(片持ち状態ともいう)にある。これにより、例えば、第2ベース部824bの小型化および素材の低減が図られるとともに、露光ヘッド82の高さが低減され得る。第2ベース部824bは、例えば、基準部850bに対して固定された状態にある各種部材であってもよいし、基準部850bと一体的に構成された状態にあってもよい。
また、第2ベース部824bは、例えば、基準部850bに対するMLA部824の相対的な位置が変更可能となるようにMLA部824を保持していてもよい。この場合には、第2ベース部824bは、例えば、MLA部824を可動部として移動させることが可能な第2駆動部824dを有する。第2駆動部824dは、例えば、X軸方向に沿ってMLA部824を並進移動させる並進機構、Z軸方向に沿ってMLA部824を並進移動させる並進機構、およびY軸方向に沿った光軸822pを中心としてMLA部824を回転移動させる回転機構、を含む。並進機構は、例えば、リニアガイドと、六角レンチなどで付与される回転力を直動成分の力に変換可能なボールねじなどの直動機構あるいは電気信号の付与に応じて自動的に直動成分の力を生じるステッピングモータもしくは圧電素子と、を有する構成などで実現される。回転機構は、例えば、回転軸と、軸受けと、ボールねじなどの直動機構などで付与される直動成分の力を回転力に変換可能な機構もしくは電気信号の付与に応じて自動的に回転力を生じる回転モータと、を有する構成などで実現される。このような構成を有する第2駆動部824dによって、例えば、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係が調整され得る。
図6(a)は、第1実施形態に係るMLA部824の構成の一例を示す概略正面図である。図6(a)で示されるように、MLA部824は、例えば、複数のマイクロレンズML1を含む領域(有効領域ともいう)Ar1と、複数のマイクロレンズML1の光軸に垂直な方向において、有効領域Ar1の外側に位置している領域(非有効領域ともいう)Ar2と、を有する。有効領域Ar1は、例えば、MLA部824のうちの基板Wに照射するパターン光の形成に利用される領域である。各マイクロレンズML1は、例えば、第1結像光学系822の光軸822pと平行な光軸を有する。ここで、空間光変調器820は、MLA部824のうちの有効領域Ar1に含まれる複数のマイクロレンズML1と同数以上のマイクロミラーM1を有する。ここで、有効領域Ar1における複数のマイクロレンズML1は、DMDの複数のマイクロミラーM1からの光を集光することで、複数の光のスポット(集光スポットともいう)で構成されるスポットアレイ824SAを形成する。ここで、スポットアレイ824SAにおける集光スポットの配列およびピッチは、MLA824aにおける複数のマイクロレンズML1の配列およびピッチに対応する。第1実施形態では、例えば、第1結像光学系822は、空間光変調器820で形成された約20mm×10mmのパターン光を約2倍に拡大するため、MLA824aは、像サイズが約40mm×20mmであるスポットアレイ824SAを形成する。ここで、DMDの各マイクロミラーM1からの光は、有効領域Ar1のマイクロレンズML1によって集光されるため、各マイクロミラーM1からの光が結ぶ1画素分のスポットのサイズは絞られて小さく保たれる。このため、基板Wに投影される像(DMD像)の鮮鋭度は高く保たれ得る。
ところで、第1実施形態では、空間光変調器820は、有効領域Ar1の複数のマイクロレンズML1に対応する複数のマイクロミラーM1以外に、調整用の発光領域(調整用発光領域ともいう)としての1つ以上のマイクロミラー(調整用マイクロミラーともいう)M1r(図5参照)を有する。調整用マイクロミラーM1rは、この調整用マイクロミラーM1rにおける反射で発した光を、MLA部824の非有効領域Ar2に照射することができる。これにより、調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が、1画素分の調整用の光のスポット(調整用光スポットともいう)S1r(図7参照)を形成し得る。
また、図6(a)で示されるように、MLA部824は、非有効領域Ar2において調整用のマーク(調整用マークともいう)Mk1を有する。換言すれば、非有効領域Ar2は、調整用マークMk1を含む。ここで、例えば、MLA部824aに複数のマイクロレンズML1と調整用マークMk1とが位置していれば、複数のマイクロレンズML1と調整用マークMk1との位置合わせが容易である。第1実施形態では、非有効領域Ar2のうち、有効領域Ar1の4隅の近傍にそれぞれ調整用マークMk1が存在している。換言すれば、4つの調整用マークMk1が存在している。図6(a)の例では、4つの調整用マークMk1は、第1の調整用マークMk1aと、第2の調整用マークMk1bと、第3の調整用マークMk1cと、第4の調整用マークMk1dと、を含む。第1の調整用マークMk1aは、有効領域Ar1のうちの+Z方向の側であり且つ+X方向の側の隅の近傍に位置している。第2の調整用マークMk1bは、有効領域Ar1のうちの+Z方向の側であり且つ−X方向の側の隅の近傍に位置している。第3の調整用マークMk1cは、有効領域Ar1のうちの−Z方向の側であり且つ−X方向の側の隅の近傍に位置している。第4の調整用マークMk1dは、有効領域Ar1のうちの−Z方向の側であり且つ+X方向の側の隅の近傍に位置している。MLA部824が4つの調整用マークMk1を有する場合には、空間光変調器820は4つの調整用マイクロミラーM1rを有する。
そして、例えば、4つの調整用マークMk1のそれぞれに対して、4つの調整用マイクロミラーM1rのうちの対応する調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が、調整用光スポットS1rを形成する。具体的には、例えば、第1の調整用マークMk1aに対して、第1の調整用発光領域としての第1の調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が、第1の調整用光スポットS1rを形成する。第2の調整用マークMk1bに対して、第2の調整用発光領域としての第2の調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が、第2の調整用光スポットS1rを形成する。第3の調整用マークMk1cに対して、第3の調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が第3の調整用光スポットS1rを形成する。第4の調整用マークMk1dに対して、第4の調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が第4の調整用光スポットS1rを形成する。各調整用マークMk1は、非有効領域Ar2のうちの調整用マイクロミラーM1rによって調整用光スポットが形成される領域あるいはその領域の近傍に位置している。
調整用マークMk1は、例えば、非有効領域Ar2のうちの周囲の部分とは光の透過状態が異なる性質を有する。具体的には、調整用マークMk1には、例えば、MLA部824の表面部などに位置している光の透過を遮る膜(遮光膜ともいう)などが適用される。遮光膜には、例えば、遮光性を有する金属製または樹脂製の薄膜が適用される。ここで、例えば、遮光膜に金属製の薄膜が適用される場合には、遮光膜の薄膜化がスパッタリングなどの各種の成膜法によって容易に実現され、遮光膜の形状のパターンニングが各種の成膜法およびエッチングなどによって容易に実現される。金属製の薄膜の素材には、クロム、ニッケルまたはアルミニウムなどが適用される。さらに、遮光膜は、有効領域Ar1のうちの複数のマイクロレンズML1以外の部分に位置していてもよいし、各マイクロレンズML1のうちの外周部分に沿った領域に位置していてもよい。この場合には、例えば、光軸822pに沿った+Y方向にMLA部824aを平面視したときに、各マイクロレンズML1を囲むように遮光膜が位置している。
図6(b)は、第1実施形態に係るMLA部824における調整用マークMk1の構成の一例を示す概略正面図である。図6(b)で示されるように、第1実施形態では、調整用マークMk1は、例えば、遮光膜のパターンPt1を有する。図6(b)の例では、パターンPt1は、遮光膜が存在していない4つの部分(窓部ともいう)W1を形成している状態にある。各窓部W1は、例えば、1画素分の調整用光スポットS1rに対応する形状およびサイズを有する。各窓部W1は、例えば、正方形状の形状を有する。4つの窓部W1は、X軸方向に沿って2つの窓部W1が並び、Z軸方向に沿って2つの窓部W1が並ぶように、マトリックス状に並んでいる状態で位置している。これにより、パターンPt1は、4つの窓部W1の間に位置している十字状の部分(十字部ともいう)を含む。ここでは、4つの窓部W1は、有効領域Ar1においてマトリックス状に並んでいる複数のマイクロレンズML1の位置を基準として、X軸方向およびZ軸方向のそれぞれにおいて、所定のピッチの半分ずれたマトリックス状の位置に存在している。
図7は、第1実施形態に係る調整用マークMk1および調整用光スポットS1rの一例を示す概略正面図である。図6(b)で示した調整用マークMk1が採用された場合には、図7で示されるように、調整用マークMk1が有するパターンPt1は、調整用光スポットS1rの一部のセンサ部850に向けた光の通過を遮蔽することができる。そして、ここでは、例えば、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置のずれ(位置ずれともいう)が生じていない状態では、調整用光スポットS1rの第1基準位置Cn1と、パターンPt1の第2基準位置Cn2と、が一致する。ここでは、例えば、第1基準位置Cn1として、調整用光スポットS1rの中心位置が採用され、第2基準位置Cn2として、パターンPt1の十字部の中心位置が採用される。そして、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれが生じた状態では、その相対的な位置ずれに応じて、第1基準位置Cn1と第2基準位置Cn2とがずれる。
<第2結像光学系826>
第2結像光学系826は、例えば、MLA部824における複数のマイクロレンズML1から出射される光の経路上に位置している。この第2結像光学系826は、例えば、第1鏡筒8260および第2鏡筒8262を有する。第1鏡筒8260は、例えば、第1レンズ20Lを保持している状態にある。第2鏡筒8262は、例えば、第2レンズ22Lを保持している状態にある。第1レンズ20Lおよび第2レンズ22Lは、例えば、Z軸方向に所要の間隔をあけて、支持フレーム16に対して固定されている状態にある。より具体的には、第1鏡筒8260および第2鏡筒8262は、例えば、連結部材によって一体に連結されており、これらの鏡筒間の間隔が一定に維持されている。この連結部材としては、例えば、第1鏡筒8260および第2鏡筒8262を収容する筐体が採用される。第1レンズ20Lは、1つのレンズで構成されてもよいし、複数のレンズで構成されてもよい。
第2結像光学系826は、例えば、両側テレセントリックとされている。例えば、第2結像光学系826の像側がテレセントリックとされていれば、基板Wの感光材料の位置がパターン光の光軸方向にずれても、パターン光の像の大きさが一定となり、高精度での露光が可能である。ここで、例えば、第2結像光学系826の物体側もテレセントリックとされていれば、仮に、第1結像光学系822の第2レンズ12LおよびMLA部824が光軸方向に移動可能であっても、第2結像光学系826の像側におけるパターン光の像の大きさが維持されたまま基板Wの感光材料の露光を行うことが可能である。
第2結像光学系826の第2レンズ22Lには、例えば、1倍を超える横倍率(例えば、約3倍)でパターン光を拡大して結像する拡大光学系が適用される。このとき、第2レンズ22Lの半径は、第1レンズ20Lの半径よりも大きい。このため、例えば、スポットアレイ824SAは、第2結像光学系826によって約3倍に拡大されて、約120mm×60mmの大きさとなり、基板Wの感光材料の上面(感光材料面ともいう)に投影される。この感光材料面が、露光ヘッド82によってパターン光が投影される面(投影面ともいう)FL1である。
<露光ヘッド82によるパターン光の投影>
上記構成を有する第1実施形態に係る露光ヘッド82によれば、空間光変調器820としてのDMDによって形成されたパターン光は、第1結像光学系822、MLA部824および第2結像光学系826を介して、基板Wに投影される。そして、DMDによって形成されるパターン光は、主走査機構55によるステージ4の移動に伴って、主走査機構55のエンコーダー信号を元に作られるリセットパルスによって連続的に変更される。これにより、パターン光が基板Wの感光材料面(投影面FL1)に照射され、ストライプ状の像が形成される(図9参照)。
ここで、例えば、第1結像光学系822の第2レンズ12LおよびMLA部824を光軸方向(ここでは、Y軸方向)に移動可能に保持するレンズ移動部が存在していてもよい。このレンズ移動部は、例えば、移動プレート、一対のガイドレールおよび移動駆動部を備えて構成され得る。例えば、一対のガイドレールは、例えば、支持フレーム16上に位置する。移動プレートは、例えば、矩形の板状に形成された部材であって、ガイドレール上に位置する。第2鏡筒8222およびMLA部824は、例えば、移動プレートの上面に、Y軸方向に所要の間隔をあけて固定された状態で位置する。このとき、例えば、移動プレートは、移動駆動部からの駆動力を受けて、一対のガイドレールに案内されつつ、Y軸方向に沿って移動することが可能である。これにより、第2レンズ12LおよびMLA部824は、第1レンズ10Lに対して近づく方向(−Y方向)および離れる方向(+Y方向)に移動することができる。移動駆動部は、例えば、リニアモータ式またはボールネジ式の駆動部などで構成される。この移動駆動部は、例えば、制御部9からの制御信号に基づいて移動プレートを移動させることができる。
このように、例えば、第2レンズ12LおよびMLA部824が、光軸方向(Y軸方向)に移動可能であれば、図3に示すように、測定器84が存在していてもよい。測定器84は、露光ヘッド82と基板Wの表面としての感光材料面(投影面FL1)との間の離間距離を測定することができる。測定器84は、例えば、第2鏡筒8262の下端部、第2結像光学系826から離れた位置または支持フレーム16上に配置され得る。測定器84は、例えば、レーザ光を基板Wに照射する照射器840と、基板Wで反射したレーザ光を受光する受光器842とを有する。照射器840は、例えば、基板Wの表面に対する法線方向(ここでは、Z軸方向)に対して所定の角度傾斜した軸に沿って、基板Wの上面にレーザ光を照射する。受光器842は、例えば、Z軸方向に延びるラインセンサを有し、そのラインセンサ上において基板Wの上面で反射したレーザ光の入射位置を検出することができる。これにより、例えば、露光ヘッド82と基板Wの感光材料面(投影面FL1)との間の離間距離が測定され得る。制御部9は、測定器84で検出された離間距離に係る信号に応じて、露光ヘッド82が出力するパターン光の光軸方向における結像位置(ピント位置)を調整することができる。この場合には、例えば、制御部9は、レンズ移動部に制御信号を出力して移動プレートを移動させることで、第2鏡筒8222の第2レンズ12LおよびMLA部824をY軸方向に沿って移動させることができる。
ここで、例えば、基板Wの感光材料面(投影面FL1)のうちの第2結像光学系826から出力されるパターン光が照射される位置に測定器84が近接していれば、露光の直前または露光とほぼ同時に、基板Wの感光材料面(投影面FL1)の高さの変動が測定され得る。このとき、例えば、その測定結果に基づいて、制御部9によってパターン光のピント位置が調整され得る。また、例えば、基板Wの感光材料面(投影面FL1)の各部分の高さを露光前に測定しておき、各部分ごとに露光ヘッド82が露光するタイミングで制御部9がピント位置を調整してもよい。
<センサ部850>
センサ部850は、例えば、光学系851と、センサ852と、を有する。光学系851およびセンサ852は、例えば、空間光変調器820から発せられてMLA部824の非有効領域Ar2のうちの調整用マークMk1を含む領域を通過した光の経路上に位置することができるように配置されている。具体的には、例えば、図3および図4で示されるように、露光ヘッド82が基板Wにパターン光を照射する際に露光ヘッド82によってパターン光が投影される投影面FL1が位置する面を仮想基準面とした場合に、センサ部850は、仮想基準面を挟んで、露光ヘッド82とは逆側に位置することができる。センサ部850は、例えば、基台15上において、露光部8の直下からステージ4が退避している状態で、露光ヘッド82の直下に位置するように配置され得る。センサ部850は、例えば、基台15の上面に沿って移動可能な状態で基台15によって保持される。センサ部850は、例えば、リニアモータ、リニアガイドおよびプレートの組合せなどによって、基台15の上面に沿ってX軸方向およびY軸方向のそれぞれに移動可能な構成を有する。
光学系851は、例えば、対物レンズおよび結像レンズなどを有する。対物レンズには、例えば、適切な倍率を有するレンズが適用される。結像レンズは、例えば、被写体から対物レンズを介して入射する光をセンサ852に結像させることができる。第1実施形態では、光学系851は、例えば、MLA部824の非有効領域Ar2から発せられる光を、センサ852の受光面上に結像させることができる。センサ852には、例えば、エリアセンサなどが適用される。エリアセンサは、例えば、第1方向としてのX軸方向に沿って並んだ状態にある複数の受光素子と、第1方向に交差している第2方向としてのY軸方向に沿って並んだ状態にある複数の受光素子と、を有する。エリアセンサには、例えば、CCDなどの撮像素子が適用される。エリアセンサにおける第1方向と第2方向は、直交することなく、異なる角度(例えば、60°など)で交差している関係を有していてもよい。換言すれば、エリアセンサは、例えば、二次元的に配列された状態にある複数の受光素子を有するものであってもよい。また、センサ部850は、例えば、光学系851の光軸上に擬似的に配された照明部(同軸照明部ともいう)853を有していてもよい。これにより、例えば、センサ部850は、同軸照明部853によって被写体を照明しつつ、暗所に位置している被写体(調整用マークMk1など)を高精度で撮像することができる。同軸照明部853には、例えば、光源としてのレーザ発光ダイオード(LED)、コリメートレンズおよびハーフミラーなどが適用される。
センサ部850は、例えば、空間光変調器820から発せられてMLA部824の非有効領域Ar2のうちの調整用マークMk1を含む領域を通過した光の経路上において、空間光変調器820における複数のマイクロミラーM1のうちの調整用マイクロミラーM1rから発せられて非有効領域Ar2に照射される光が形成する調整用光スポットS1rと、MLA部824の調整用マークMk1と、の相対的な位置関係に係る信号を出力可能である。
ここでは、例えば、センサ部850が、調整用マイクロミラーM1rから非有効領域Ar2にビームが照射されている際に、調整用光スポットS1rを撮像し、調整用マイクロミラーM1rから非有効領域Ar2にビームが照射されていない際に、調整用マークMk1を撮像する場合を想定する。この場合には、センサ部850は、第1基準位置Cn1を含む調整用光スポットS1rを捉えた第1の画像に係る信号と、第2基準位置Cn2を含む調整用マークMk1を捉えた第2の画像に係る信号と、を出力することができる。第1の画像における調整用光スポットS1rの位置と、第2の画像における調整用マークMk1の位置と、の相対的な関係は、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に対応する。このため、センサ部850は、第1の画像に係る信号の出力と、第2の画像に係る信号の出力と、によって、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る信号を出力することができる。
第1実施形態では、センサ部850は、基台15上に沿って、各調整用マークMk1を撮像することができる位置に移動することが可能であり、MLA部824には、4つの調整用マークMk1が存在している。このため、例えば、センサ部850は、第1の調整用光スポットS1rと第1の調整用マークMk1aとの相対的な位置関係(第1の相対的な位置関係ともいう)に係る信号を出力することができる。センサ部850は、第2の調整用光スポットS1rと第2の調整用マークMk1bとの相対的な位置関係(第2の相対的な位置関係ともいう)に係る信号を出力することができる。センサ部850は、第3の調整用光スポットS1rと第3の調整用マークMk1cとの相対的な位置関係(第3の相対的な位置関係ともいう)に係る信号を出力することができる。センサ部850は、第4の調整用光スポットS1rと第4の調整用マークMk1dとの相対的な位置関係(第4の相対的な位置関係ともいう)に係る信号を出力することができる。
このようにして、露光装置10は、例えば、センサ部850によって、MLA部824における調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る情報を得ることができる。このため、露光装置10は、例えば、MLA部824と基板Wの感光材料との間に位置している第2結像光学系826における倍率誤差および収差などの製造上の誤差に影響されることなく、空間光変調器820とMLA部824との間における相対的な位置関係の情報を得ることができる。これにより、例えば、センサ部850に要求される位置合わせの精度を低減することができる。そして、例えば、MLA部824における調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る情報に応じて、空間光変調器820およびMLA部824の少なくとも一方を移動させることで、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。また、例えば、第2結像光学系826における倍率誤差および収差があっても、センサ部850が、複数の露光ヘッド82に対して相対的に移動可能であれば、センサ部850は、MLA部824における調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係を捉えることが可能である。その結果、例えば、露光装置10における2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させることができる。
ここで、例えば、調整用光スポットS1rのサイズが約60μm×60μmであり、調整用マークMk1の十字部の線幅が約6μmである場合を想定する。この場合には、例えば、第1基準位置Cn1と第2基準位置Cn2とが一致していれば、センサ部850側から見た調整用光スポットS1rは、十字部の存在によって、各窓部W1において約27μm×27μmのサイズを有する。ここで、例えば、対物レンズの倍率が20倍であり、エリアセンサの受光面のサイズが8.4mm×7.0mmであり且つ受光素子の配列ピッチが3.45μmであるセンサ部850を想定する。このとき、センサ部850では、MLA部824における観察視野は、420μm×350μmとなり、撮像で得られる画像の1画素で捉えられるMLA部824における微小部分のサイズは約0.173μm×0.173μmとなる。すなわち、センサ部850の分解能は、0.173μmとなる。このため、センサ部850による撮像で得られる画像では、調整用光スポットS1rと、調整用マークMk1と、の相対的な位置関係に係る情報が、十分な精度で捉えられる。また、ここで、例えば、第2結像光学系826の倍率誤差および収差などによって、センサ部850側から見て、仮に調整用光スポットS1rが数十μm伸縮していたとしても、センサ部850は、広い観察視野によって、調整用光スポットS1rを捉えた画像を容易に得ることができる。このため、センサ部850の高精度の煩雑な位置合わせは必要でない。
そして、例えば、エリアセンサを有するセンサ部850は、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1とのずれの方向に拘わらず、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る信号を取得することができる。その結果、例えば、露光装置10において2次元のパターンに係る露光精度が容易に向上し得る。
ところで、例えば、露光装置10が複数の露光ヘッド82を有する場合には、露光装置10が、各露光ヘッド82によって投影面FL1に照射されるパターン光の位置と、ステージ4と、の相対的な位置関係を計測するためのセンサ(計測用センサともいう)を有する場合が想定される。この計測用センサによれば、複数の露光ヘッド82によって照射される複数のパターン光の相対的な位置関係が把握され得る。ここでは、例えば、計測用センサが、チャートが付された透明なガラス板越しに複数の露光ヘッド82を撮影するようにしてもよい。この場合には、例えば、計測用センサを、センサ部850として兼用すれば、露光装置10の大型化および複雑化が低減され得る。その結果、露光装置10の製造コストの増大が低減され得る。
<制御部9>
図8は、第1実施形態に係る露光装置10のバス配線の一例を示すブロック図である。制御部9は、中央演算ユニット(CPU)90、読み取り専用メモリ(ROM)92、RAM(Random Access Memory)94および記憶部96を有する。CPU90は、演算回路としての機能を有する。RAM94は、CPU90の一時的なワーキングエリアとしての機能を有する。記憶部96には、例えば、不揮発性の記録媒体が適用される。
制御部9は、例えば、回転機構51、副走査機構53、主走査機構55、光源部80(例えば、光源ドライバ)、空間光変調器820、測定器84およびセンサ部850などの露光装置10の構成要素とそれぞれバス配線、ネットワーク回線またはシリアル通信回線などで接続されており、各種構成要素の動作を制御する。これらの構成要素には、例えば、第2レンズ12LおよびMLA部824を光軸方向(Y軸方向)に移動可能に保持するレンズ移動部が含まれていてもよい。
CPU90は、ROM92内に格納されているプログラム920を読み取りつつ実行することで、RAM94または記憶部96に保存されている各種データについての演算を行う。制御部9は、例えば、一般的なコンピュータの構成を有する。描画制御部900および位置関係認識部910は、CPU90がプログラム920に従って動作することで実現される機能的な要素である。これらの要素の一部または全部は、例えば、論理回路などで実現されてもよい。ここで、例えば、描画制御部900は、制御部9に接続されている各種構成要素の動作を制御することで、基板Wの上面に、パターン光(描画光)を照射することができる。位置関係認識部910は、例えば、センサ部850による撮像で得られた画像に係る信号に基づいて、MLA部824の各調整用マークMk1について、調整用光スポットS1rとの相対的な位置関係を認識することができる。
記憶部96は、例えば、基板W上に描画すべきパターンを示すパターンデータ960を記憶する。パターンデータ960には、例えば、CADソフトなどで作成されたベクトル形式のデータを、ラスター形式のデータに展開した画像データが適用される。制御部9は、例えば、パターンデータ960に基づいて空間光変調器820のDMDを制御することで、露光ヘッド82から出力する光ビームを変調することができる。露光装置10では、例えば、主走査機構55のリニアモータ551から送られてくるリニアスケール信号に基づいて、変調のリセットパルスが生成され得る。このリセットパルスに基づいて動作する空間光変調器820のDMDによって、基板Wの位置に応じて変調されたパターン光が、各露光ヘッド82から出力され得る。第1実施形態では、パターンデータ960は、例えば、単一の画像(基板Wの全面に形成すべきパターンを示す画像)を示すものであってもよいし、その単一の画像のうちの各露光ヘッド82が描画を担当する部分の画像を個別に示すものであってもよい。
制御部9には、例えば、表示部980および操作部982が接続されている。表示部980には、例えば、一般的なCRTモニタまたは液晶ディスプレイなどが適用され、この表示部980は、各種データに係る画像を表示可能である。ここで、表示部980は、例えば、位置関係認識部910における認識結果として、MLA部824の各調整用マークMk1についての調整用光スポットS1rとの相対的な位置関係に係るデータを可視的に表示することができる。操作部982は、例えば、各種ボタン、各種キー、マウスおよびタッチパネルの少なくとも何れかで構成され、オペレータが露光装置10に各種指令を入力する際に操作される。例えば、操作部982がタッチパネルを含む場合、操作部982が表示部980の機能の一部または全部を有していてもよい。
図9は、パターン露光を行っている複数の露光ヘッド82の一例を示す概略斜視図である。図9で示されるように、複数の露光ヘッド82は、例えば、複数の列(ここでは、2列)に沿って直線状に並べられた状態で位置している。このとき、2列目の露光ヘッド82は、例えば、副走査方向(X軸方向)において、隣接する1列目の2つの露光ヘッド82の間に位置している。換言すれば、複数の露光ヘッド82は、千鳥状に並んだ状態で位置している。各露光ヘッド82の露光エリア82Rは、主走査方向(Y軸方向)に沿った短辺を有する矩形状である。ステージ4のY軸方向への移動に伴って、基板Wの感光材料には、各露光ヘッド82について帯状の被露光領域8Rが形成される。ここでは、上述したように、例えば、複数の露光ヘッド82が千鳥状の配列などの相互にずれた配列を有していれば、帯状の被露光領域8RがX軸方向に隙間なく並び得る。帯状の被露光領域8RがX軸方向に隙間なく並ぶように構成すれば、副走査方向(X軸方向)へステージ4を移動させる必要がなくなるため副走査機構53は不要となる。複数の露光ヘッド82の配列は、図9に示されるものに限定されない。例えば、隣接する被露光領域8R間に、露光エリア82Rの長辺の長さの自然数倍の隙間が生じるように、複数の露光ヘッド82が配列されていてもよい。この場合、露光装置10は、例えば、Y軸方向の主走査を、X軸方向に露光エリア82Rの長辺の長さ分ずらしながら複数回行うことで、基板Wの感光材料に複数の帯状の被露光領域8Rを隙間なく形成することができる。
<空間光変調器とMLA部との相対的な位置関係の認識>
図10(a)から図11(b)は、位置関係認識部910による空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係の認識方法を説明するための図である。図10(a)には、第1実施形態に係る第1の調整用マークMk1aを介して第1の調整用光スポットS1rをセンサ部850による撮像で捉えた画像Im1aを示している。図10(b)には、第1実施形態に係る第1の調整用マークMk1aを捉えた画像Im2aを示している。図11(a)は、第1実施形態に係る第2の調整用マークMk1bを介して第2の調整用光スポットS1rをセンサ部850による撮像で捉えた画像Im1bを示している。図11(b)は、第1実施形態に係る第2の調整用マークMk1bを捉えた画像Im2bを示している。
例えば、センサ部850は、第1の調整用マイクロミラーM1rによってMLA部824の第1の調整用マークMk1aに対してビームを照射することで形成される第1の調整用光スポットS1rを撮像することで、画像Im1aを取得することができる。このとき、同軸照明部853は、MLA部824を照明しないでよい。一方、例えば、センサ部850は、空間光変調器820によるMLA部824へのビームの照射を行わず、同軸照明部853によって第1の調整用マークMk1aを照明した状態で、第1の調整用マークMk1aを撮像することで、画像Im2aを取得することができる。また、例えば、センサ部850は、第2の調整用マイクロミラーM1rによってMLA部824の第2の調整用マークMk1bに対してビームを照射することで形成される第2の調整用光スポットS1rを撮像することで、画像Im1bを取得することができる。このとき、同軸照明部853は、MLA部824を照明しないでよい。一方、例えば、センサ部850は、空間光変調器820によるMLA部824へのビームの照射を行わず、同軸照明部853によって第2の調整用マークMk1bを照明した状態で、第2の調整用マークMk1bを撮像することで、画像Im2bを取得することができる。
ここでは、位置関係認識部910は、例えば、画像Im1aと画像Im2aとから、第1の調整用光スポットS1rと第1の調整用マークMk1aとの間の第1の相対的な位置関係を認識することができる。また、位置関係認識部910は、例えば、画像Im1bと画像Im2bとから、第2の調整用光スポットS1rと第2の調整用マークMk1bとの間の第2の相対的な位置関係を認識することができる。
具体的には、例えば、画像Im1aについて、第1の調整用光スポットS1rの第1基準位置Cn1に対応する位置(第1A対応基準位置ともいう)Cn1aの座標(Xa,Ya)を得ることができる。ここでは、例えば、画像Im1aにおいて、パターンマッチングなどの画像処理を用いて第1の調整用光スポットS1rを捉えた領域の4つの角部C1a,C2a,C3a,C4aを検出し、4つの角部C1a,C2a,C3a,C4aの座標の平均を算出することで、座標(Xa,Ya)を得ることができる。また、例えば、画像Im2aについて、第1の調整用マークMk1aの第2基準位置Cn2に対応する位置(第2A対応基準位置ともいう)Cn2aの座標(XAa,YAa)を得ることができる。ここでは、例えば、画像Im2aにおいて、パターンマッチングなどの画像処理を用いて第2基準位置Cn2に対応する第2A対応基準位置Cn2aを検出することで、座標(XAa,YAa)を得ることができる。そして、第1基準位置Cn1に対応する第1A対応基準位置Cn1aの座標(Xa,Ya)と、第2基準位置Cn2に対応する第2A対応基準位置Cn2aの座標(XAa,YYAa)と、のずれを認識することができる。この座標(Xa,Ya)と座標(XAa,YAa)とのずれが、第1の調整用光スポットS1rと第1の調整用マークMk1aとに係る第1の相対的な位置関係に対応する。ここでは、例えば、画像上の座標のずれが、実空間における第1の調整用光スポットS1rと第1の調整用マークMk1aとに係る第1の相対的な位置関係に変換されてもよい。
また、例えば、画像Im1bについて、第2の調整用光スポットS1rの第1基準位置Cn1に対応する位置(第1B対応基準位置ともいう)Cn1bの座標(Xb,Yb)を得ることができる。ここでは、例えば、画像Im1bにおいて、パターンマッチングなどの画像処理を用いて第2の調整用光スポットS1rを捉えた領域の4つの角部C1b,C2b,C3b,C4bを検出し、4つの角部C1b,C2b,C3b,C4bの座標の平均を算出することで、座標(Xb,Yb)を得ることができる。また、例えば、画像Im2bについて、第2の調整用マークMk1bの第2基準位置Cn2に対応する位置(第2B対応基準位置ともいう)Cn2bの座標(XAb,YAb)を得ることができる。ここでは、例えば、画像Im2bにおいて、パターンマッチングなどの画像処理を用いて第2基準位置Cn2に対応する第2B対応基準位置Cn2bを検出することで、座標(XAb,YAb)を得ることができる。そして、第1基準位置Cn1に対応する第1B対応基準位置Cn1bの座標(Xb,Yb)と、第2基準位置Cn2に対応する第2B対応基準位置Cn2bの座標(XAb,YAb)と、のずれを認識することができる。この座標(Xb,Yb)と座標(XAb,YAb)とのずれが、第2の調整用光スポットS1rと第2の調整用マークMk1bとに係る第2の相対的な位置関係に対応する。ここでは、例えば、画像上の座標のずれが、実空間における第2の調整用光スポットS1rと第2の調整用マークMk1bとに係る第2の相対的な位置関係に変換されてもよい。
第1実施形態では、位置関係認識部910は、例えば、上述したように第1の相対的な位置関係および第2の相対的な位置関係を認識することで、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係を認識することができる。
<空間光変調器とMLA部との相対的な位置ずれの低減>
例えば、センサ部850による撮像、ならびに位置関係認識部910による空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係の認識と、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係の調整と、を交互に行うことで、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。
図10(a)および図10(b)の例では、第1の調整用光スポットS1rが、第1の調整用マークMk1aに対して、−Z方向(下方向)にずれている。一方、図11(a)および図11(b)の例では、第2の調整用光スポットS1rが、第2の調整用マークMk1bに対して、+Z方向(上方向)にずれている。このため、図10(a)から図11(b)の例では、空間光変調器820からMLA部824に向けて照射されるパターン光が、MLA部824を基準として、Y軸方向に沿った第1結像光学系822の光軸822pを中心とした回転方向にずれている。換言すれば、空間光変調器820とMLA部824とが、光軸822pを中心とした回転方向において相対的にずれている位置関係を有する。
このような場合には、例えば、第1駆動部820dによる空間光変調器820の回転移動および第2駆動部824dによるMLA部824の回転移動の少なくとも一方によって、光軸822pを中心とした回転方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。ここで、例えば、(Ya−YAa)と(Yb−YAb)との差が小さくなる程、光軸822pを中心とした回転方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれが小さくなる。そして、(Ya−YAa)=(Yb−YAb)の関係が成立すれば、光軸822pを中心とした回転方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれがない状態となる。
第1実施形態では、上述したように、例えば、センサ部850が、2ヶ所以上における調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る信号を出力する。このため、位置関係認識部910は、空間光変調器820とMLA部824との間における回転方向も含めた相対的な位置ずれを認識することができる。これにより、位置関係認識部910で認識された、空間光変調器820とMLA部824との間における回転方向も含めた相対的な位置ずれに応じて、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減させることが可能となる。その結果、例えば、露光装置10における2次元のパターンに係る露光精度を向上させることができる。
また、例えば、第1駆動部820dによる空間光変調器820のX軸方向に沿った並進移動および第2駆動部824dによるMLA部824のX軸方向に沿った並進移動の少なくとも一方によって、X軸方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。ここで、例えば、XaとXAaとの差およびXbとXAbとの差が小さくなる程、X軸方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれが小さくなる。そして、Xa=XAaおよびXb=XAbの関係が成立すれば、X軸方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれがない状態となる。
また、例えば、第1駆動部820dによる空間光変調器820のZ軸方向に沿った並進移動および第2駆動部824dによるMLA部824のZ軸方向に沿った並進移動の少なくとも一方によって、Z軸方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。ここで、例えば、YaとYAaとの差およびYbとYAbとの差が小さくなる程、Z軸方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれが小さくなる。そして、Ya=YAaおよびYb=YAbの関係が成立すれば、Z軸方向における空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれがない状態となる。
<第1実施形態のまとめ>
以上のように、第1実施形態に係る露光装置10によれば、例えば、MLA部824における調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る情報を得て、この相対的な位置関係に係る情報に応じて、空間光変調器820およびMLA部824の少なくとも一方を移動させることで、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。このため、例えば、MLA部824と露光対象物との間に、倍率誤差および収差などの製造上の誤差が生じ得る第2結像光学系826が存在する場合であっても、この第2結像光学系826における倍率誤差および収差などの製造上の誤差に影響されることなく、空間光変調器820とMLA部824との間における相対的な位置関係に係る情報が得られる。これにより、例えば、センサ部850に要求される位置合わせの精度を低減することができる。その結果、例えば、露光装置10における2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させることができる。
<2.他の実施形態>
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
<2−1.第2実施形態>
上記第1実施形態において、例えば、MLA部824は、MLA824aと、このMLA824aを保持しているレンズ保持部824hと、を有していてもよい。図12(a)は、第2実施形態に係る第1ユニット850の構成の一例を示す概略側面図である。図12(b)は、第2実施形態に係るMLA部824の構成の一例を示す概略正面図である。図12(a)および図12(b)の例では、レンズ保持部824hは、MLA824aのうちの有効領域Ar1を囲むように位置している外周部に沿った枠状の部分である。レンズ保持部824hの素材には、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、真鍮および銅などの熱伝導性に優れた金属が適用されてもよいし、ガラスなどの透明な素材が適用されてもよい。
ここで、レンズ保持部824hの素材が透明である場合には、レンズ保持部824hのうちのMLA824aに近接している部分に、遮光膜のパターンPt1で構成される調整用マークMk1が位置していてもよい。この場合には、レンズ保持部824hのうちのMLA824aと近接している部分は、非有効領域Ar2とみなされてもよい。これに対して、例えば、MLA824aに複数のマイクロレンズML1と調整用マークMk1とが位置していれば、複数のマイクロレンズML1と調整用マークMk1との位置合わせが容易である。その結果、例えば、露光装置10における2次元のパターンに係る露光精度を向上させることができる。
<2−2.第3実施形態>
上記各実施形態において、例えば、制御部9の制御によって、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係の調整が自動的に行われてもよい。
図13は、第3実施形態に係る露光装置のバス配線を示すブロック図である。図13のブロック図は、上記各実施形態に係るブロック図(図8)をベースとして、制御部9に接続されている露光装置10の構成要素に、駆動部860が加えられ、CPU90がプログラム920に従って動作することで実現される機能的な要素に、位置調整部911が加えられたものである。
駆動部860は、例えば、第1駆動部820dおよび第2駆動部824dのうちの少なくとも一方を含む。これにより、駆動部860は、例えば、空間光変調器820およびMLA部824のうちの少なくとも一方の可動部を移動させることができる。位置関係認識部910と位置調整部911とを含む制御部9は、例えば、センサ部850から出力される空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る信号に応じて、駆動部860によって空間光変調器820およびMLA部824のうちの少なくとも一方の可動部を移動させることができる。これにより、制御部9は、例えば、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係を調整することができる。
ここで、位置調整部911は、例えば、位置関係認識部910で認識された空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る情報に基づいて、駆動部860の動作を制御することで、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係を調整することができる。ここでは、例えば、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る情報に応じて、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれが自動的に低減され得る。このような構成が採用されれば、例えば、露光装置10の使用に不慣れなオペレータであっても、空間光変調器820と複数のMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。その結果、例えば、露光装置10における2次元のパターンに係る露光精度を容易に向上させることができる。
図14および図15は、第3実施形態に係る露光装置10における、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減する動作(位置調整動作ともいう)についての動作フローの一例を示す流れ図である。図14の流れ図には、位置調整動作の主な動作フローが示されている。図15の流れ図には、図14のステップSp1、ステップSp8およびステップSp12おける、センサ部850による空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る信号を取得する動作の動作フローが示されている。位置調整動作は、例えば、露光装置10のオペレータによる操作部982の操作に応答して入力される所定の指令に応じて開始されて、制御部9の制御によって実行される。
図14のステップSp1では、センサ部850が、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る信号を取得する。このステップSp1では、図15のステップSp11からステップSp16の動作フローを実行する。ここでは、便宜的に、1つの露光ヘッド82について、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る信号を取得する処理を挙げて説明する。
ステップSp11では、制御部9が、センサ部850による撮像対象がk番目(kは自然数)の調整用マークMk1であることを示す数値kを1に設定する。ステップSp12では、制御部9の制御によって、センサ部850が、k番目の調整用マークMk1を撮像するための位置まで移動する。ステップSp13では、センサ部850が、k番目の調整用光スポット(例えば、第kの調整用光スポット)S1rを撮像する。このとき、センサ部850は、k番目の調整用光スポットS1rを捉えた画像に係る信号を制御部9に向けて出力する。ステップSp14では、センサ部850が、k番目の調整用マーク(例えば、第kの調整用マーク)Mk1を撮像する。このとき、センサ部850は、k番目の調整用マークMk1を捉えた画像に係る信号を制御部9に向けて出力する。ステップSp15では、制御部9が、数値kが撮像対象の調整用マークMk1の個数を示す数値n(nは自然数)に到達したか否か判定する。図6(a)および図12(b)の例では、制御部9は、例えば、オペレータによる操作部982の操作に応答した入力に応じて数値nを2から4の任意の数に設定することができる。ステップSp15では、数値kが数値nに到達していなければ、ステップSp16において、制御部9が数値kに1を加算して、ステップSp12に戻る。そして、ステップSp12からステップSp16の処理をn回繰り返すと、数値kが数値nに到達し、図15の動作フローが終了する。
図14のステップSp2では、位置関係認識部910が、直近のステップSp13およびステップSp14における撮像で得られた画像に係る信号に基づいて、光軸822pを中心とした回転方向における空間光変調器820とMLA部824との位置ずれを算出する。ここで算出される回転方向における位置ずれは、例えば、角度で表される。
ステップSp3では、位置関係認識部910が、ステップSp2で算出された回転方向における位置ずれが、予め設定された許容範囲内であるのか判定する。ここで、回転方向における位置ずれが許容範囲内でなければ、ステップSp4に進む。許容範囲は、例えば、角度などで規定され得る。
ステップSp4では、位置調整部911が、ステップSp2で算出された回転方向における位置ずれに応じて、光軸822pを中心とした回転方向において空間光変調器820およびMLA部824の少なくとも一方の移動部を駆動部860によって移動させる。このステップSp4の動作が終了すると、ステップSp1に戻る。つまり、回転方向における位置ずれの調整が終了するまで、ステップSp1からステップSp4の動作を繰り返す。そして、ステップSp3において、回転方向における位置ずれが許容範囲内であるものと判定されれば、ステップSp5に進む。これにより、回転方向における位置ずれの調整が終了する。
ステップSp5では、位置関係認識部910が、直近のステップSp13およびステップSp14における撮像で得られた画像に係る信号に基づいて、X軸方向における空間光変調器820とMLA部824との位置ずれを算出する。ここで算出されるX軸方向における位置ずれは、例えば、実空間における位置ずれであっても、画像上における位置ずれであってもよい。
ステップSp6では、位置関係認識部910が、ステップSp5で算出されたX軸方向における位置ずれが、予め設定された許容範囲内であるのか判定する。ここで、X軸方向における位置ずれが許容範囲内でなければ、ステップSp7に進む。許容範囲は、例えば、画像上における画素数あるいは実空間における距離などで規定される。
ステップSp7では、位置調整部911が、ステップSp5で算出されたX軸方向における位置ずれに応じて、X軸方向において空間光変調器820およびMLA部824の少なくとも一方の移動部を駆動部860によって移動させる。このステップSp7の動作が終了すると、ステップSp8に進む。
ステップSp8では、ステップSp1と同様に、センサ部850が、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る信号を取得する。ステップSp8において、図15の動作フローが実行された後は、ステップSp5に戻る。つまり、X軸方向における位置ずれの調整が終了するまで、ステップSp5からステップSp8の動作を繰り返す。そして、ステップSp6において、X軸方向における位置ずれが許容範囲内であるものと判定されれば、ステップSp9に進む。これにより、X軸方向における位置ずれの調整が終了する。
ステップSp9では、位置関係認識部910が、直近のステップSp13およびステップSp14における撮像で得られた画像に係る信号に基づいて、Z軸方向における空間光変調器820とMLA部824との位置ずれを算出する。ここで算出されるZ軸方向における位置ずれは、例えば、実空間における位置ずれであっても、画像上における位置ずれであってもよい。
ステップSp10では、位置関係認識部910が、ステップSp9で算出されたZ軸方向における位置ずれが、予め設定された許容範囲内であるのか判定する。ここで、Z軸方向における位置ずれが許容範囲内でなければ、ステップSp11に進む。許容範囲は、例えば、画像上における画素数あるいは実空間における距離などで規定される。
ステップSp11では、位置調整部911が、ステップSp9で算出されたZ軸方向における位置ずれに応じて、Z軸方向において空間光変調器820およびMLA部824の少なくとも一方の移動部を駆動部860によって移動させる。このステップSp11の動作が終了すると、ステップSp12に進む。
ステップSp12では、ステップSp1と同様に、センサ部850が、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置関係に係る信号を取得する。ステップSp12において、図15の動作フローが実行された後は、ステップSp9に戻る。つまり、Z軸方向における位置ずれの調整が終了するまで、ステップSp9からステップSp12の動作を繰り返す。そして、ステップSp10において、Z軸方向における位置ずれが許容範囲内であるものと判定されれば、Z軸方向における位置ずれの調整が終了して、位置調整動作の動作フローが終了する。
<2−3.その他>
上記各実施形態において、例えば、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれがない場合に、調整用マークMk1の第2基準位置Cn2と、調整用光スポットS1rの第1基準位置Cn1とは、一致している必要はなく、相対的な位置関係が明確であれば、一致していなくてもよい。
上記各実施形態において、例えば、センサ部850による撮像で得られる調整用マークMk1を捉えた画像において調整用マークMk1の第2基準位置Cn2に対応する位置が認識可能であり、センサ部850による撮像で得られる調整用光スポットS1rを捉えた画像において調整用光スポットS1rの第1基準位置Cn1に対応する位置が認識可能であれば、調整用マークMk1の形状は如何なる形状であってもよい。
図16(a)は、調整用マークMk1のバリエーションの一例を示す概略正面図である。図16(b)は、調整用マークMk1のバリエーションの一例と調整用光スポットS1rとを示す概略正面図である。図16(a)および図16(b)で示されるように、調整用マークMk1は、4つの窓部W1を有することなく、遮光膜のパターンPt1が形成している十字部が存在している構成を有していてもよい。
図17(a)は、調整用マークMk1のバリエーションの他の一例を示す概略正面図である。図17(b)は、調整用マークMk1のバリエーションの他の一例と調整用光スポットS1rとを示す概略正面図である。図17(a)および図17(b)で示されるように、調整用マークMk1は、調整用光スポットS1rが形成される領域を包含する大きな1つの窓部W1が存在しているパターンPt1を有していてもよい。
上記各実施形態において、MLA部824が有している調整用マークMk1の個数は1つであってもよい。このような構成が採用されても、例えば、X軸方向およびZ軸方向のそれぞれにおける空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減することができる。
上記各実施形態において、例えば、MLA部824が有している調整用マークMk1の個数が3つ以上のより多い個数であれば、第2結像光学系826の収差などが存在していても、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれをより精度良く低減することができる。
上記各実施形態において、例えば、図6(b)および図16(a)で示されるように、調整用マークMk1が、調整用光スポットS1rの一部のセンサ部850に向けた光の通過を遮蔽するためのパターンPt1を有していれば、センサ部850は、第1基準位置Cn1に対応する位置が認識可能であり且つ第2基準位置Cn2に対応する位置が認識可能である、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1とを捉えた画像の取得および出力を1回の撮像で実現することができる。例えば、調整用光スポットS1rの光量が過度なものでなければ、図10(a)および図11(a)で示されるように、調整用光スポットS1rを捉えた画像において、調整用光スポットS1rを遮蔽している遮光膜のパターンPt1の十字部の影が鮮明に捉えられる。このとき、調整用光スポットS1rを捉えた画像から、調整用光スポットS1rの第1基準位置Cn1を捉えた位置と、調整用マークMk1の第2基準位置Cn2を捉えた位置と、が認識可能な状態となる。これにより、例えば、センサ部850は、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係に係る信号を迅速に取得することができる。その結果、例えば、露光装置10における2次元のパターンに係る露光精度を迅速に向上させることができる。また、例えば、露光装置10は、センサ部850によって調整用マークMk1の第2基準位置Cn2に対応する位置が認識可能な調整用マークMk1を捉えた画像に係る信号を得るために、空間光変調器820以外に、同軸照明部853のような調整用マークMk1を照射するための照明部を有していなくてもよい。これにより、例えば、露光装置10の大型化および複雑化が低減され得る。
また、このような場合には、例えば、位置関係認識部910によって、MLA部824における調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係を認識させなくてもよい。例えば、センサ部850によって、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1とを捉えた画像に係る信号を随時取得しながら、この画像に係る信号を表示部980で可視的に出力させてもよい。このとき、オペレータは、表示部980を見ながら、第1駆動部820dおよび第2駆動部824dのうちの少なくとも一方を駆動させることで、空間光変調器820とMLA部824との相対的な位置ずれを低減させることができる。
上記各実施形態において、例えば、センサ部850は、エリアセンサの代わりに、第1方向(例えば、X軸方向)に沿って並んだ状態にある複数の受光素子を有するラインセンサと、第1方向に交差している第2方向(例えば、Y軸方向)に沿って並んだ状態にある複数の受光素子を有するラインセンサと、を有していてもよい。この場合でも、例えば、第1方向について、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係が取得されるとともに、第2方向について、調整用光スポットS1rと調整用マークMk1との相対的な位置関係が取得され得る。
例えば、上記各実施形態において、例えば、基台15上に、2つ以上のセンサ部850が存在していてもよい。
例えば、上記各実施形態において、複数の発光領域は、DMDのマイクロミラーM1のように光の反射によって光を発するものに限られず、自発光などの他の形態によって光を発するものであってもよい。ここでは、例えば、発光部としての空間光変調器820は、光源部からの入射光のうちの、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光と、について透過および遮蔽を切り換えることで、入射光を空間変調してもよい。この場合には、例えば、光源部には、自発光を行うバックライトなどが適用される。空間光変調器820には、例えば、複数の領域における光の透過と遮蔽とを切り換え可能な透過型の液晶などが適用される。このような構成では、透過型の液晶が、光源部としてのバックライトから入射した光の透過によって光をそれぞれ発する複数の発光領域を有する発光部として機能する。
上記各実施形態において、例えば、露光装置10は、金属粉体にパターン光を照射して、この金属粉体を所望の形状を有するように固めることで三次元造形物を形成する装置に適用してもよい。
上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
9 制御部
10 露光装置
820 空間光変調器
820d 第1駆動部
824 マイクロレンズアレイ部(MLA部)
824a マイクロレンズアレイ(MLA)
824d 第2駆動部
850 センサ部
852 センサ
860 駆動部
910 位置関係認識部
911 位置調整部
Ar1 有効領域
Ar2 非有効領域
Cn1 第1基準位置
Cn1a 第1A対応基準位置
Cn1b 第1B対応基準位置
Cn2 第2基準位置
Cn2a 第2A対応基準位置
Cn2b 第2B対応基準位置
Im1a,Im1b,Im2a,Im2b 画像
M1 マイクロミラー
M1r 調整用マイクロミラー
ML1 マイクロレンズ
Mk1 調整用マーク
Mk1a 第1の調整用マーク
Mk1b 第2の調整用マーク
Mk1c 第3の調整用マーク
Mk1d 第4の調整用マーク
Pt1 パターン
S1r 調整用光スポット

Claims (6)

  1. 光をそれぞれ発する複数の発光領域を有する発光部と、
    前記複数の発光領域のそれぞれが発する光の経路上にそれぞれ位置している複数のマイクロレンズを含む有効領域と、前記複数のマイクロレンズの光軸に垂直な方向において前記有効領域の外側に位置しており且つ調整用マークを含む非有効領域と、を有するマイクロレンズアレイ部と、
    第1方向に沿って並んだ状態にある複数の受光素子と、前記第1方向と交差している第2方向に沿って並んだ状態にある複数の受光素子と、を有するセンサ部と、を備え、
    該センサ部は、前記発光部から発せられて前記非有効領域のうちの前記調整用マークを含む領域を通過した光の経路上において、前記複数の発光領域のうちの調整用発光領域から発せられて前記非有効領域に照射される光が形成する調整用光スポットと、前記調整用マークと、の相対的な位置関係に係る信号を出力可能である、露光装置。
  2. 請求項1に記載の露光装置であって、
    前記マイクロレンズアレイ部は、前記複数のマイクロレンズが一体的に構成された状態にあるマイクロレンズアレイ、を含み、
    該マイクロレンズアレイは、前記非有効領域を含む、露光装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の露光装置であって、
    前記マイクロレンズアレイ部は、前記非有効領域にそれぞれ含まれている第1の調整用マークと第2の調整用マークとを有し、
    前記センサ部は、前記複数の発光領域のうちの第1の調整用発光領域から発せられて前記非有効領域に照射される光が形成する第1の調整用光スポットと、前記第1の調整用マークと、の第1の相対的な位置関係に係る信号を出力可能であるとともに、前記複数の発光領域のうちの第2の調整用発光領域から発せられて前記非有効領域に照射される光が形成する第2の調整用光スポットと、前記第2の調整用マークと、の第2の相対的な位置関係に係る信号を出力可能である、露光装置。
  4. 請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の露光装置であって、
    前記センサ部は、二次元的に配列された状態にある複数の受光素子を有するエリアセンサを含む、露光装置。
  5. 請求項1から請求項4の何れか1つの請求項に記載の露光装置であって、
    前記調整用マークは、前記調整用光スポットの一部の前記センサ部に向けた光の通過を遮蔽するためのパターンを有する、露光装置。
  6. 請求項1から請求項5の何れか1つの請求項に記載の露光装置であって、
    前記発光部および前記マイクロレンズアレイ部のうちの少なくとも一方の可動部を移動させることが可能な駆動部と、
    前記相対的な位置関係に係る信号に応じて、前記駆動部によって前記少なくとも一方の可動部を移動させることで、前記複数の発光部と前記複数のマイクロレンズとの相対的な位置関係を調整する制御部と、をさらに備える、露光装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022064625A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社Fuji 演算装置、および演算方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI795211B (zh) * 2022-02-15 2023-03-01 友達光電股份有限公司 控制電路裝置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002311433A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法および電気光学装置
JP2004296531A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2005234113A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2006013387A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光装置の調整方法
JP2008152010A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Fujifilm Corp 鮮鋭化素子の製造方法
JP2011134768A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 V Technology Co Ltd フォトマスク
KR20110088741A (ko) * 2010-01-29 2011-08-04 삼성전자주식회사 기준마크를 포함하는 마이크로 렌즈 어레이와 이를 포함하는 마스크리스 노광장치 및 그 교정방법
WO2012017808A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズ露光装置
CN103081060A (zh) * 2010-08-30 2013-05-01 株式会社V技术 使用了微透镜阵列的曝光装置及光学构件
US20160091796A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Maskless exposure device, maskless exposure method and display substrate manufactured by the maskless exposure device and the maskless exposure method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4244156B2 (ja) 2003-05-07 2009-03-25 富士フイルム株式会社 投影露光装置
JP2006337873A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 露光装置及び露光方法
JP2008249958A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 基準位置計測装置及び方法、並びに描画装置
WO2013147122A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社オーク製作所 マスクレス露光装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002311433A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法および電気光学装置
JP2004296531A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2005234113A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2006013387A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光装置の調整方法
JP2008152010A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Fujifilm Corp 鮮鋭化素子の製造方法
JP2011134768A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 V Technology Co Ltd フォトマスク
KR20110088741A (ko) * 2010-01-29 2011-08-04 삼성전자주식회사 기준마크를 포함하는 마이크로 렌즈 어레이와 이를 포함하는 마스크리스 노광장치 및 그 교정방법
WO2012017808A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズ露光装置
CN103081060A (zh) * 2010-08-30 2013-05-01 株式会社V技术 使用了微透镜阵列的曝光装置及光学构件
US20160091796A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Maskless exposure device, maskless exposure method and display substrate manufactured by the maskless exposure device and the maskless exposure method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022064625A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社Fuji 演算装置、および演算方法

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