CN102414621B - 扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统 - Google Patents

扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102414621B
CN102414621B CN201080017834.3A CN201080017834A CN102414621B CN 102414621 B CN102414621 B CN 102414621B CN 201080017834 A CN201080017834 A CN 201080017834A CN 102414621 B CN102414621 B CN 102414621B
Authority
CN
China
Prior art keywords
image
workpiece
correction factor
axle
modulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080017834.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102414621A (zh
Inventor
T.桑德斯特罗姆
P.阿斯克布杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mckerrow Nick Mai Data Co Ltd
Micronic MyData AB
Original Assignee
Mckerrow Nick Mai Data Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mckerrow Nick Mai Data Co Ltd filed Critical Mckerrow Nick Mai Data Co Ltd
Publication of CN102414621A publication Critical patent/CN102414621A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102414621B publication Critical patent/CN102414621B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/303Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G03F7/70366Rotary scanning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Ink Jet (AREA)

Abstract

本文公开的技术涉及笛卡尔网格与随着扫描头追踪弯曲扫描路径产生变化曝光剂量的弯曲扫描路径之间的变换。该技术可以应用于对工件的读写。尤其,我们展示了补偿弯曲扫描路径以便过渡到直轴的变化曝光剂量的使用。这样就简化了将来自它的数据投影到工件上的调制器的调制,或将工件的局部图像投影在上面的检测器收集的数据的分析。

Description

扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统
相关申请
本申请要求2009年3月6日提交的美国临时申请第61/158,310号的权益,特此通过引用并入本文中。
技术领域
本文公开的技术涉及笛卡尔(Cartesian)网格与随着扫描头追踪弯曲扫描路径产生变化曝光剂量的弯曲扫描路径之间的变换。该技术可以应用于对工件的读写。尤其,我们展示了补偿弯曲扫描路径以便过渡到直轴的变化曝光剂量的使用。这样就简化了将来自它的数据投影到工件上的调制器的调制,或将工件的局部图像投影在上面的检测器收集的数据的分析。
背景技术
本设计团队最近在专利申请中已经描述了吞吐量很高的转子臂扫描系统。该转子臂扫描器可以用于,例如,直接写到大面积掩模中。
取代作往复运动的梭件(shuttlecock)或固定头和活动床,将转子臂用于扫描是偏离标准平版印刷和成像装备的关键。转子的使用提出了极具挑战性的数据路径问题,因为数据是在需要变换或映射以便用在极向扫描系统中的笛卡尔网格中给出的,在该极向扫描系统中实际扫描路径也牵涉到工件随着扫描臂旋转的线性运动。
于是,需要开发数据路径的许多新部件。现有平版印刷技术未呈现的许多新问题需要识别和解决。对许多组成工程挑战的解决有可能对像素吞吐量和地区覆盖吞吐量是现有往复系统许多倍的整个系统产生影响。
发明内容
本文公开的技术涉及笛卡尔网格与随着扫描头追踪弯曲扫描路径产生变化曝光剂量的弯曲扫描路径之间的变换。该技术可以应用于对工件的读写。尤其,我们展示了补偿弯曲扫描路径以便过渡到直轴的变化曝光剂量的使用。这样就简化了将来自它的数据投影到工件上的调制器的调制,或将工件的局部图像投影在上面的检测器收集的数据的分析。本发明的具体方面描述在权利要求书、说明书和附图中。
附图说明
图1描绘了带有三条臂以及正在枢轴148的相对侧写一对工件111、112的扫描系统;
图2进一步描述了带有变形光学部件的所谓一维SLM(空间光调制器)的使用;
图3描绘了带有具有虚线轴和实线轴的箭头的投影图像的可替代取向;以及
图4例示了将补偿函数应用于投影到图像平面上的辐射光的可替代情况。
具体实施方式
如下详细描述是参考附图给出的。对优选实施例加以描述是为了例示本发明,而不是限制其由权利要求书限定的范围。本领域的普通技术人员可以根据如下的描述认识到多种多样的等效变种。
我们将描述可用在基于转子的系统中的方法和设备,在该基于转子的系统中,通过将位置相关函数应用于投影到图像平面上的辐射光以便使投影辐射光的功率沿着旋转打印头的弧线与位置相关停留时间成反比关系,来进行打印。可以将功率函数应用于照射源产生的功率,应用于多级SLM调制器,和应用于SLM之后或数据路径中的光路。
可变剂量
如图3所示,旋转臂扫描器随着它相对于水平x轴扫掠,沿着垂直列具有变化停留时间。如图1所示,考虑正沿着y轴移动的平台以及沿着圆形路径从一侧扫掠到另一侧的旋转打印头。可以将变化像素时钟用于将弧线划分成沿着x轴等间隔的单元。变化像素时钟的“滴答声”或周期在时钟指针处在10或2点钟位置上时比它处在12点钟位置上时持续更加时间,因为转子正在扫掠垂直多于水平的区域。可替代的是,在固定时钟速率上,随着转子臂扫掠x轴的第一或第四象限,时钟走过比中间象限更多的滴答声。无论哪种方式,随着转子扫掠圆形弧线,写头在边缘(10∶30或1∶30)附近比在中心(中午12点)上转发更大辐射剂量。随着旋转臂从10点钟位置移动到12和2点钟位置,将栅格化数据映射到像素上以便打印出来可以通过随着其扫掠补偿旋转臂的相对停留时间来简化。
在一些实际实现中,到工件的图像平面上的投影基本上是一条线段。长度远大于宽度。随着光学部件沿着弧线变换线段使图像显露出来。如下面段落进一步所述,图像的宽度可能是3、5或10nm。
在图3中,我们描绘了带有具有虚线轴和实线轴的箭头的投影图像的可替代取向。具有虚线轴的箭头偏离垂直方向45°。具有实线轴的箭头是垂直的。考虑最左边虚线箭头,当处在10∶30位置上时,该箭头具有其如沿着旋转臂的半径测量的最大程度。在12点钟位置上,该箭头扫掠了等于在10∶30位置上的程度的倍的程度。在2点钟位置上,该箭头扫掠了一点。这是书法家以45°握着的笔的熟悉一笔。
除了在12点钟位置上,而不是在10∶30位置上具有其最大程度之外,具有实线轴和垂直取向的第二箭头也扫掠书法的一笔。
从这两个箭头的例子中我们可以看到,恒定取向的线段扫掠的程度是线段取向与扫掠方向的三角函数。可以将它表达成线段取向与扫掠方向之间的角度(在图中标为α)的正弦,或表达成线段取向的法线与扫掠方向之间的角度的余弦。在最简单的情况下,对于垂直投影线段和静态工件,角度α是臂位置的函数。当工件像在图中在垂直方向那样,作恒速运动时,角度α计算起来稍复杂一些。在最一般情况下,角度α是线段取向、转子的位置和速度、和工件的速度的函数。
图4例示了将补偿函数应用于投影到图像平面上的辐射光的可替代情况。投影辐射光的功率与位置相关停留时间成反比关系。功率函数401可以以LUT(查找表)或变换式形式实现。从这个意义上说,变换式包括可以计算的三角、多项式和其他函数。可以将功率函数401应用于照射源402的功率输出,应用于多级SLM调制器403的调制,或应用于SLM 404之后的光路中。存在许多降低来自照射器402的功率的方式,包括脉冲的数量、脉冲持续时间、每个脉冲功率(或连续束中的功率)。像克尔盒(Kell cell)可变极化、电光或声光盒、或使用其它机制的衰减器可以放置在402之前SLM 404上或之后。
另一种方式是将补偿函数应用于SLM的调制。这种做法使用了SLM的模拟控制范围。驱动镜面角度的DAC具有比直接用作灰度级曝光值多的许多可能驱动电压。因此,我们有时参照SLM“模拟”的细颗控制。使用补偿函数调整SLM的调制将缩小SLM的对比度或动态范围,但缩小是适度的,当转子处在其扫掠的开头或末尾时,也许从200∶1到150∶1,当转子处在12点钟位置上时,没有缩小。
SLM的控制可以使用7-8位的DAC分辨率来调节。越多越好。误差预算将最终给出稳固的形象。具有14位或更高分辨率的SLM是合适的。
随位置变化剂量可用于转子扫描。如在先前的申请中所述,转子系统可以包括带有光学部件的多条臂,这些光学部件沿着这些臂将来自调制器的调制照射光转发到工件的图像平面上。参见图1,下面对它作进一步说明。工件在旋转臂下面的床体上移动。将来自SLM的调制辐射光转发到图像平面上要维持随着臂扫掠弧线保持稳定的图像取向。图3例示了稳定图像取向。在弧线的左侧边缘上,比如说,在10点钟位置上,指向上方的箭头将指向与臂在12点钟或1∶30位置上时相同的方向。
在现有技术,例如,佳能(Canon)的REBL中,图像总是在相对于行进方向恒定的取向上。关于转子几何,这个角度α是变化的。曝光剂量随着旋转变化的问题通过应用基于角度α的三角函数、与所述角度的正弦成近似正比的自动校正来解决。
常见转子光学部件
本文公开的技术尤其可用在其中的环境包括带有中继光学部件的旋转臂打印或观察设备,枢轴在臂的一端上,而光学部件在臂的另一端上,该光学部件将图像信息与工件的表面耦合。枢轴上的光耦合可以在转轴上或偏离转轴。如下段落提供可用于理解可变剂量或剂量补偿函数的作用的有关本发明转子系统的背景。
转子臂系统可以写(或读)工件。它使用静态光学图像设备调制(或收集)转发的图像信息。它在静态光学图像设备与工件的表面之间沿着至少一条旋转臂的光学部件转发图像信息。通过跨过工件的表面重复地扫掠弯曲条纹,可以通过拼接工件上的局部图像从重叠局部图像出发写入相邻图像。
在光学图像设备与工件的表面之间具有基本恒定的方位取向地转发图像信息,例如,局部图像。所谓的“基本恒定”,我们包括在容限内或在栅格中得到校正的小旋转,当转发形式分开超过旋转光臂的5°扫掠时,在角度关系上产生不超过0.5°旋转变化。
转子可以具有几个臂,例如,2、3、4、6或8条臂,从而使单位时间的扫描表面区域倍增。笨重、复杂、易碎的机构零件,或昂贵的或需要许多连接和服务的零件可以静态地放置在转子的中心或枢轴附近,并被多条臂共享。通过旋臂在放置在转子的枢轴或其附近的静态图像设备与工件之间转发图像。
结合中继光学部件来描述转子系统是因为它可以用于读写工件。例如,它可用于直接写大面积掩模或PCB(印刷电路板)。或者,它可以用于检查大面积掩模。它与像平台那样的工件定位机构一起使用,这方面的细节在本发明的范围之外。
图1描绘了带有三条臂以及正在枢轴148的相对侧写一对工件111、112的转子扫描系统。这个系统可以具有100%的忙闲度。每个转子通过60°的弧线写入。每次只有一条臂140在写,交替地在两个工件111和112上。激光能量通过两个SLM 147和149之间的极化控制器132被开关,并且数据流也在SLM之间被开关。由于激光器120和数据路径135在写机器中属于最昂贵模块,所以这个实施例被设计成100%时间地使用激光器和数据信道,而臂中的SLM和光学部件分别具有50%和33%的较低忙闲度。这可以是,例如,带有三条旋转臂140A-C的写系统的例子。对于这些臂和中继光学部件,可以有多种多样的可替代设计。该图概念性地描绘了激光器120和控制器135将数据发送给两个SLM 130,两个SLM 130将数据转发132、147、149给旋转臂。它示出了每条臂如何在每个SLM的前面移动,以及将一系列同心印记写在工件111、112上。虽然在该图中示出了两个工件,也取决于其尺寸,也可以将更多的工件放置在转子下面。虽然该例子被描述成写系统,但转发的方向可以同样容易地从工件回到其上面放置了激光器120的一对检测器和其它地方。在可替代配置中,可以使用一个工件;可以使用四条臂。
这种技术的一些特别有用应用牵涉到在电子基板上画图案,譬如:晶片的正面和背面;PCB;堆积、插入和柔性互连基板;以及掩模、模具、模板和其他母板。同样,转子写入器可以用于在显示器中的面板、电子纸、塑料逻辑卡片和光伏电池板上画图案。图案制作可以通过曝光光致抗蚀剂来完成,但也可以通过像热或光化学过程那样的其它光行为来完成:熔融、蒸发、消融、热定影、激光诱发的图案转印、退火、热解和光诱发的蚀刻和沉积。
转子系统用极向扫描运动取代笛卡尔平板床式xy平台的惯常运动。潜在好处包括高吞吐量、低成本和机械简单性。扫描动作通过旋转运动来完成,旋转运动在机械上比直线运动更容易达到高精度。转子外围的点的位置精度由轴承的质量和角度编码器的精度决定。这两种组件都可以高质量地采购到。在扫描期间以及在扫描行程之间旋转降低了振动和瞬时力。平衡良好的转子基本上不发出振动或将反作用力施加在支承结构上,而往复直线运动每个行程需要将它们的冲力反向两次,当这样做时,会产生很强干扰。转子可以具有较高的扫描速度以及较小的机械开销。有几条臂的转子几乎将整圈都用于写入。例如,有四条臂的转子可以扫过80°弧线。在一圈的360°当中,转子在4×80°=320°期间都在扫描。往复运动需要更大的机械开销。往复运动的开销随着扫描速度增大而变得更大。
转子系统可以具有很高数据速率和吞吐量,并可以用于这些特性用得着的任何类型图案制作:照相排版、印刷、雕刻、书写安全标志等。即使在高转速,例如,60、120、300、600r.p.m.或更高转速上,转子也作平稳运动,并且具有小的机械开销。作为转子的外围速度的扫描速度可以比可比往复运动系统高,例如,2、4、8、20m/s或更高。
实际上,一种实现含有直径为一米,每秒自转3.3圈,以及向心加速度为20g的转子。加速力将恒力施加在旋转组件上,使得重达50克的透镜感到10N的向外恒力。借助于四条臂和转速,系统以10m/s的外围速度-在往复运动平台上不可能达到的机械速度每秒写入13笔。而且,借助于轴承的适当平衡和设计,使运动是平稳的,具有高机械精度,以及需要一点电力就能维持。如果图像发生器是用于在工件上创建1D局部图像的具有2MHz恒定帧速率的微机械1D SLM,那么沿着扫描方向每隔5微米就要发生SLM的重新装载,以及像素大小可以是5×5微米,使小于15微米的线宽可以被写入。借助于有效地具有8000×1个像素的微机械1D SLM,每个行程将用图案填充40mm宽的条纹,并且对于非直线扫描,有一些减小地每秒覆盖0.3平方米或每分钟覆盖20平方米。与其它写入技术相比,这是很高的覆盖速率。
图2进一步描述了带有变形光学部件的所谓一维SLM的使用。光源205(弧光灯、气体放电、激光器、激光器阵列、激光等离子体、LED(发光二极管)、LED阵列等)照射一维SLM 204。将反射(或在通常情况下发射)的辐射光作为线段203投影在工件201上。驱动SLM的数据随着工件被扫描207发生变化以建立起曝光图像。高度变形光学系统206将来自一列(或行)中的多个镜面的能量集中在图像中的一点上,并且整个二维照射阵列形成跨过工件扫掠的窄线段203。在一个维中,变形光学部件将照射区域缩小到,例如,原来的1/2到1/5,以便60毫米宽的SLM将成像到长30到12mm的线段上。沿着短维度,变形光学部件高度缩小镜面的列,以便聚焦成像3微米宽,即,基本上是单条可分辨线那样的窄区域上。可替代的是,该区域可以1或5微米宽或不到10微米宽。聚焦成3微米宽区域可能牵涉到缩小到原来的1/80,近似从240微米到3微米。变形光路将镜面的行缩小到在图像平面上各个镜面组合在一起分辨不出来的程度。如在相关申请中所述,可以将SLM放置在沿着SLM的一个维度锐聚焦而沿着另一个维度散焦的平面上。这可以降低透镜系统的临界状态。
转子使许多图像处理仪器都能够用在大平面基板上,和用于例如在太阳能电池板、显示基板、金属薄板、建筑玻璃、卷到卷塑料、纸张等上高速扫描。通过旋转臂,可以在外围上捕获图像,将它们传送到摄像机或光学分析仪器,例如,反射仪、分光光度仪、散射仪、多光谱摄像机、偏振仪、荧光或光致发光仪器可能所在的枢轴。可以将复杂、笨重或易碎的仪器固定地安装在枢轴上,并且仍然可以访问,比如说,在转子下面的传送机构上通过的两米宽薄膜光伏面板的表面上的任何点,从而无需移走薄板来分析或停止卷到卷流动地能够在大型工件上以密集网格进行整区检查或分析。转子可以只含有平面光学部件,或可以在臂中含有反射中继器,以便从远IR(红外)到深UV(紫外)都允许消色差使用。照射光,例如,用于荧光研究的UV可以从枢轴引入,或可以在转子内生成。
如上所述,本文公开的技术使许多仪器都能够用在大平面基板上,和用于例如在太阳能电池板、显示基板、金属薄板、建筑玻璃、卷到卷塑料、纸张等上高速扫描。通过旋转臂,可以在外围上捕获图像,将它们传送到摄像机或检测器(例如,光导摄像管、CCD(电荷耦合器件)、CID(电荷注入器件)、CMOS(互补金属氧化物半导体)器件、和/或TDI(甲苯二异氰酸酯)、强化、门控、雪崩、单光子、光子计数、干涉、色度、外差、光电导或辐射热探测器或阵列)所处,或光学分析仪器(例如,反射仪、分光光度仪、比色计、散射仪、多光谱摄像机、偏振仪、或荧光、光致发光或光声仪器)可能所在的枢轴。
其它可能用途是用于热(红外发射)、颜色、平整度、光洁度、膜厚、化学成分、清洁度的光学测量,或用于图案完整性或保真性的核实。在需要表面图像或所发现缺陷或特征的确切地点的情况下,本方法特别有用。可以将复杂、笨重或易碎的仪器固定地安装在枢轴上,并且仍然可以访问,比如说,在转子下面的传送机构上通过的两米宽薄膜光伏面板的表面上的任何点,从而无需移走薄板来分析或停止卷到卷流动地能够在大型工件上以密集网格进行整区检查或分析。转子可以只含有平面光学部件,或可以在臂中含有反射中继器,以便从远IR到深UV都允许消色差使用。照射光(例如,用于反射光显微术的可见入射光)可以从枢轴引入,或可以在转子内生成。通过组合在一条光臂中或通过应用不同光臂,可以将几种仪器和/写入模式组合在一个转子中。至少一种仪器或光学图像设备可以通过臂发射激发束,并且接收从工件返回的图像,例如,用于荧光研究的UV。旋转可以以恒定或变化角速度继续下去,或可替代地,通过停停走走的方式驱动,尤其对于工件的随机访问分析。成像光学部件的聚焦可以是固定的,不时地变化或在扫描期间动态的,并且基于来自基于干涉测量、背反射、与光纤末端的接近度、光学三角测量、光学散焦或视差;流体流动、压力或粘性阻力;以及超声波飞行时间或相位、电容、电感或指示距离或位置的其它合适现象的焦点传感器的反馈。
一些特定实施例
本发明可以作为方法或适用于实施方法的设备来实施。本发明可以是像内含执行计算机辅助方法的逻辑的媒体或可以与硬件结合形成计算机辅助设备的程序指令那样的制品。
一个实施例是调整随着写入器扫掠不与工件的第一轴平行的弯曲路径沿着第一轴变化和累积的曝光剂量的方法。扫描头的扫掠方向在将栅格化图像的特定数据写在工件上或从工件201上读取特定像素的时候确定。校正因子可以在计算机可读存储媒体中查找,或至少部分根据扫掠方向相对于工件的第一轴的角度来计算。应用特定像素的校正因子来调整特定像素在工件上的累积强度。
在可替代实施例中,随着扫描头跨过工件扫掠近似圆弧,校正因子是近似正弦的。在另一个实施例中,相对于第一轴的角度可以决定扫描头在第一方向的扫掠和工件在第二方向的移动两者。
可应用于上面任何实施例的本发明的一个方面是扫描头通过写入头跨过工件的扫掠相对于该轴维持基本相同投影图像取向,进一步包括在确定角度时写入头相对于该轴的投影图像取向。
本发明的另一个方面包括作为确定扫掠方向的一部分,感测写入头的角位置。可以将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据,并利用校正图像剂量数据驱动调制器。可替代的是,也可以将校正因子应用于照射系统402,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量。
上述的任何一种方法或这些方法的各个方面可以具体化在累积强度调整设备中,该累积强度调整设备可用作为了写入工件中或从工件中读取,处理通过安装在转子上的扫描头来自栅格化图像数据的信号的管道的一部分。在一个实施例中,当将栅格化图像的特定像素写入工件中时,使用扫掠方向计算器来确定扫描头的扫掠方向。该累积强度调整设备可以包括确定至少部分基于扫掠方向相对应于该轴的角度的校正因子的查找存储器或程序函数。将校正计算器与扫掠方向计算器和查找存储器或程序函数耦合,其中该校正计算器至少使用扫掠方向确定校正因子,该校正计算器将校正因子应用于原始像素值,并输出校正像素值。
在另一个实施例中,随着扫描头跨过工件扫掠近似圆弧,校正因子是近似正弦的。当然,可以将这个实施例与这些方法的其它方面结合。
本发明的一个方面包括校正计算器进一步至少使用扫描头在第一方向的扫掠和工件在第二方向的移动两者相对于第一轴的角度来确定校正因子。
本发明的另一个方面是维持扫描头通过写入头跨过工件的扫掠相对于该轴具有基本相同投影图像取向,其中校正计算器进一步至少使用在确定角度时写入头相对于该轴的投影图像取向。
上面直接描述的方法和设备以及这些方法和设备的各个方面或实施例可以具体化在感测设备中,该感测设备与扫掠方向计算器耦合,用于感测写入头的角位置。所述设备还可以包括将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据的剂量计算器、和与剂量计算器耦合并响应校正图像剂量数据的调制器。可替代的是,也可以将校正因子应用于照射调整器,该照射调整器将校正因子应用于照射系统,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量。
本发明也可以从与写入头相对的读取头的角度表征。从这个角度出发,本发明包括感测设备,该感测设备与扫掠方向计算器耦合,用于感测写入头的角位置。所述设备还可以包括将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据的剂量计算器、和与剂量计算器耦合并响应校正图像剂量数据的调制器。可替代的是,也可以将校正因子应用于照射调整器,该照射调整器将校正因子应用于照射系统,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量。可以将前面方法的各个方面与这种方法结合。
虽然通过引用上面详述的优选实施例和例子公开了本文公开的技术,但不言而喻,这些例子的目的在于例示,而不是限制。在所述实施例、实现和特征中暗示了计算机辅助处理。于是,本文公开的技术体现在使用跨越工件扫掠弧线的至少一条光臂读写工件的方法、包括使用跨越工件扫掠弧线的至少一条光臂进行工件读写的逻辑和资源的系统、将计算机辅助控制用于使用跨越工件扫掠弧线的至少一条光臂读写工件的系统、内含使用跨越工件扫掠弧线的至少一条光臂进行工件读写的逻辑的媒体、内含使用跨越工件扫掠弧线的至少一条光臂进行工件读写的逻辑的数据流、或使用跨越工件扫掠弧线的至少一条光臂进行计算机辅助工件读写的计算机可访问服务中。可以设想,本领域的普通技术人员可以容易地作出各种修改和组合,这些修改和组合都在本文所公开技术的精神和所附权利要求书的范围之内。

Claims (18)

1.一种调整随着扫描头扫掠不与工件的第一轴平行的跨过工件的弯曲路径沿着第一轴变化和累积的曝光剂量的方法,所述方法包括:
照射调制器;
使用调制器的调制元件创建图像以便创建栅格化图像;
将栅格化图像投影到工件上;
所述方法的进一步特征在于:
通过相对于第一轴维持投影图像在工件上的基本恒定取向的光学部件,沿着旋转臂转发调制器创建的栅格化图像,其中投影图像的基本恒定取向通过当图像的转发形式分开超过旋转臂的5°扫掠时,在角度关系上产生不超过0.5°旋转变化来定义;
当将栅格化图像的特定像素写在工件上时确定扫描头相对于第一轴的扫掠方向,进一步包括在确定扫掠方向时相对于第一轴的投影图像取向;以及
应用栅格化图像的特定像素的校正因子来调整特定像素在工件上的累积强度,该校正因子至少部分基于扫掠方向相对于工件的第一轴的角度。
2.如权利要求1所述的方法,其中,随着扫描头跨过工件扫掠近似圆弧,校正因子是近似正弦的。
3.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括确定扫描头在第一方向的扫掠和工件在第二方向的移动两者相对于第一轴的角度。
4.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括作为确定扫掠方向的一部分,感测写入头的角位置。
5.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据,并利用校正图像剂量数据驱动调制器。
6.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括将校正因子应用于照射系统,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量。
7.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括作为确定扫掠方向的一部分,感测扫描头的角位置。
8.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据,并利用校正图像剂量数据驱动调制器。
9.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括将校正因子应用于照射系统,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量。
10.一种配置成调整随着扫描头扫掠不与工件的第一轴平行的跨过工件的弯曲路径沿着第一轴变化和累积的曝光剂量的图案生成设备,包含:
调制器,适用于被照射以便创建图像;
适用于照射调制器的照射器;
所述图案生成设备的进一步特征在于:
光路,配置成通过光学部件和沿着包含扫描头的旋转臂转发调制器创建的图像,该光路被进一步配置成通过相对于第一轴维持投影图像的基本恒定取向地将图像投影到工件上,其中投影图像的基本恒定取向通过当图像的转发形式分开超过旋转臂的5°扫掠时,在角度关系上产生不超过0.5°旋转变化来定义;
扫掠方向计算器,配置成当将栅格化图像的特定像素写在工件上时确定扫描头的扫掠相对于第一轴的方向,进一步包括在确定角度时相对于第一轴的投影图像取向;
查找存储器或程序函数,配置成确定至少部分基于扫掠方向相对于第一轴的角度的校正因子;以及
与扫掠方向计算器和查找存储器或程序函数耦合的校正计算器,该校正计算器被配置成至少使用扫掠方向来确定校正因子,其中该校正计算器被进一步配置成将校正因子应用于原始像素值,并将校正像素值输出到查找存储器或程序函数。
11.如权利要求10所述的设备,其中,随着扫描头跨过工件扫掠近似圆弧,校正因子是近似正弦的。
12.如权利要求10或11所述的设备,其中,该校正计算器被进一步配置成至少使用扫描头在第一方向的扫掠和工件在第二方向的移动的角度来确定校正因子。
13.如权利要求10或11所述的设备,进一步包括与扫掠方向计算器耦合的感测设备,其中该感测设备被配置成感测写入头的角位置。
14.如权利要求10或11所述的设备,进一步包括配置成将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据的剂量计算器,其中调制器被配置成依照校正图像剂量数据调制照射光以便创建图像。
15.如权利要求10或11所述的设备,进一步包括配置成将校正因子应用于照射系统,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量的照射调整器。
16.如权利要求10或11所述的设备,进一步包含配置成作为确定扫掠方向的一部分,感测读取头的角位置的感测设备。
17.如权利要求10或11所述的设备,进一步包括适用于将校正因子应用于原始图像剂量数据,以生成校正图像剂量数据的剂量计算器,其中调制器适用于依照校正图像剂量数据调制照射光以便创建图像。
18.如权利要求10或11所述的设备,进一步包括配置成将校正因子应用于照射系统,从而通过照射光的强度将原始图像剂量校正成校正图像剂量的照射调整器。
CN201080017834.3A 2009-03-06 2010-03-05 扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统 Active CN102414621B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15831009P 2009-03-06 2009-03-06
US61/158,310 2009-03-06
PCT/EP2010/052861 WO2010100269A1 (en) 2009-03-06 2010-03-05 Rotor optics imaging method and system with variable dose during sweep

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102414621A CN102414621A (zh) 2012-04-11
CN102414621B true CN102414621B (zh) 2014-12-10

Family

ID=42309698

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080017834.3A Active CN102414621B (zh) 2009-03-06 2010-03-05 扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统
CN201080017831.XA Active CN102483577B (zh) 2009-03-06 2010-03-05 利用可变速率像素时钟的转子成像系统及方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080017831.XA Active CN102483577B (zh) 2009-03-06 2010-03-05 利用可变速率像素时钟的转子成像系统及方法

Country Status (4)

Country Link
US (7) US8312393B2 (zh)
EP (2) EP2404222B1 (zh)
CN (2) CN102414621B (zh)
WO (5) WO2010100270A1 (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344904B1 (en) 1998-10-03 2002-02-05 John E. Mercer Arrangement for reading from and/or writing to flexible sheet media in a curved configuration and method
CN102414621B (zh) * 2009-03-06 2014-12-10 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统
JP5221611B2 (ja) * 2010-09-13 2013-06-26 株式会社東芝 ドーズデータ生成装置、露光システム、ドーズデータ生成方法および半導体装置の製造方法
JP5703137B2 (ja) * 2011-06-15 2015-04-15 株式会社Pfu オーバーヘッド型スキャナ
TW201321789A (zh) * 2011-11-16 2013-06-01 Ind Tech Res Inst 成像系統與掃描方法
KR101607176B1 (ko) * 2011-12-06 2016-03-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 세트포인트 데이터를 제공하는 장치, 디바이스 제조 방법, 세트포인트 데이터를 계산하는 방법, 및 컴퓨터 프로그램
US9354502B2 (en) 2012-01-12 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method for providing setpoint data and a computer program
WO2013152877A1 (en) * 2012-04-11 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Rotatable frame for a lithographic apparatus
JP6079027B2 (ja) * 2012-07-27 2017-02-15 株式会社リコー 画素クロック生成装置、光走査装置および画像形成装置
US10149390B2 (en) 2012-08-27 2018-12-04 Mycronic AB Maskless writing of a workpiece using a plurality of exposures having different focal planes using multiple DMDs
US10464172B2 (en) 2013-02-21 2019-11-05 Nlight, Inc. Patterning conductive films using variable focal plane to control feature size
US10100393B2 (en) 2013-02-21 2018-10-16 Nlight, Inc. Laser patterning of multi-layer structures
US9842665B2 (en) 2013-02-21 2017-12-12 Nlight, Inc. Optimization of high resolution digitally encoded laser scanners for fine feature marking
CN104416289B (zh) * 2013-09-09 2017-09-12 恩耐公司 对高分辨率数字编码激光扫描器的优化以进行精细特征标记
US10618131B2 (en) 2014-06-05 2020-04-14 Nlight, Inc. Laser patterning skew correction
EP3174612B1 (en) 2014-08-01 2019-09-04 Smart Billiard Lighting LLC Billiard table lighting and game play monitor
CN105720463B (zh) 2014-08-01 2021-05-14 恩耐公司 光纤和光纤传输的激光器中的背向反射保护与监控
US9827483B2 (en) 2014-08-01 2017-11-28 Smart Billiard Lighting LLC Billiard table lighting and game play monitor
US9837783B2 (en) 2015-01-26 2017-12-05 Nlight, Inc. High-power, single-mode fiber sources
US10050404B2 (en) 2015-03-26 2018-08-14 Nlight, Inc. Fiber source with cascaded gain stages and/or multimode delivery fiber with low splice loss
CN107924023B (zh) 2015-07-08 2020-12-01 恩耐公司 具有用于增加的光束参数乘积的中心折射率受抑制的纤维
US10434600B2 (en) 2015-11-23 2019-10-08 Nlight, Inc. Fine-scale temporal control for laser material processing
US11179807B2 (en) 2015-11-23 2021-11-23 Nlight, Inc. Fine-scale temporal control for laser material processing
US10074960B2 (en) 2015-11-23 2018-09-11 Nlight, Inc. Predictive modification of laser diode drive current waveform in order to optimize optical output waveform in high power laser systems
USD835652S1 (en) 2015-12-10 2018-12-11 Smart Billiard Lighting LLC Display screen with transitional graphical user interface of a billiard game
EP3389915B1 (en) 2016-01-19 2021-05-05 NLIGHT, Inc. Method of processing calibration data in 3d laser scanner systems
US10732439B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Fiber-coupled device for varying beam characteristics
EP3519871A1 (en) 2016-09-29 2019-08-07 NLIGHT, Inc. Adjustable beam characteristics
US10730785B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Optical fiber bending mechanisms
EP3607389B1 (en) 2017-04-04 2023-06-07 Nlight, Inc. Optical fiducial generation for galvanometric scanner calibration
US10574954B2 (en) * 2018-10-30 2020-02-25 Silicon Light Machines Corporation Compensation method for a scanning system with spatial light modulator
US11876023B2 (en) 2021-12-17 2024-01-16 International Business Machines Corporation Conformal film thickness determination using angled geometric features and vertices tracking

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4853710A (en) * 1985-11-29 1989-08-01 Ricoh Co., Ltd. Imaging by laser beam scanning
US5289231A (en) * 1991-12-25 1994-02-22 Nikon Corporation Apparatus for manufacturing disc medium
CN1575503A (zh) * 2001-05-25 2005-02-02 瓦里安半导体设备联合公司 用于离子注入的方法和装置
CN1945443A (zh) * 2005-08-30 2007-04-11 Asml荷兰有限公司 用平板显示器多辞典压缩方法的光刻设备和装置制造方法
CN101346669A (zh) * 2005-10-26 2009-01-14 麦克罗尼克激光系统公司 写入装置及写入方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2894066A (en) * 1955-12-29 1959-07-07 Western Union Telegraph Co Facsimile transmitter for telegraph message blanks and the like
US2978535A (en) * 1960-01-28 1961-04-04 Bell Telephone Labor Inc Optimal run length coding of image signals
US3335413A (en) * 1963-12-19 1967-08-08 Gen Electric Wide band optical recording and narrow band reproduction on a thermo-plastic medium
GB1518093A (en) * 1974-10-04 1978-07-19 Mullard Ltd Mark detection apparatus
US4023126A (en) * 1975-06-26 1977-05-10 Gte Laboratories Incorporated Scanning photographic printer for integrated circuits
US4065212A (en) * 1975-06-30 1977-12-27 International Business Machines Corporation Inspection tool
US4250873A (en) * 1977-04-26 1981-02-17 Richard Wolf Gmbh Endoscopes
JPS5497050A (en) * 1978-01-17 1979-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Video clock signal generator
US4373816A (en) * 1981-01-09 1983-02-15 Morvue, Inc. Scanning beam optical position determining apparatus and method
US4761561A (en) * 1985-11-27 1988-08-02 Nippon Kogaku K.K. Laser beam scanning pattern generation system with positional and dimensional error correction
US5189806A (en) * 1988-12-19 1993-03-02 Renishaw Plc Method of and apparatus for scanning the surface of a workpiece
US5043827A (en) * 1989-08-03 1991-08-27 Xerox Corporation Combined asynchronous-synchronous document scanner
US5291392A (en) * 1992-02-19 1994-03-01 Gerber Systems Corporation Method and apparatus for enhancing the accuracy of scanner systems
JPH06315068A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Xerox Corp 短期および長期の積分周期を有するラスタ入力スキャナ
DE4493589T1 (de) * 1993-05-24 1996-05-09 Komatsu Mfg Co Ltd Biegewinkelerfassungsvorrichtung und Vorrichtung zur Erkennung einer geraden Linie und Vorrichtung zur Einstellung einer Biegewinkelerfassungsposition
US6158659A (en) * 1994-08-17 2000-12-12 Metrologic Instruments, Inc. Holographic laser scanning system having multiple laser scanning stations for producing a 3-D scanning volume substantially free of spatially and temporally coincident scanning planes
US5517359A (en) * 1995-01-23 1996-05-14 Gelbart; Daniel Apparatus for imaging light from a laser diode onto a multi-channel linear light valve
US6549271B2 (en) * 1997-01-28 2003-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
US6324203B1 (en) * 1997-06-13 2001-11-27 Nikon Corporation Laser light source, illuminating optical device, and exposure device
US5815303A (en) * 1997-06-26 1998-09-29 Xerox Corporation Fault tolerant projective display having redundant light modulators
JP3175716B2 (ja) * 1998-12-17 2001-06-11 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置
US6731320B1 (en) 1999-03-19 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Laser pattern generator
US7162060B1 (en) * 1999-08-09 2007-01-09 Cross Match Technologies Method, system, and computer program product for control of platen movement during a live scan
TW478032B (en) * 1999-11-04 2002-03-01 Seiko Epson Corp Method and device for laser plotting, hologram master and the manufacturing method thereof
US6700131B2 (en) * 2000-05-02 2004-03-02 Alara, Inc. Systems for detecting and compensating for image artifacts while scanning an imagine plate
WO2002081031A2 (en) * 2001-04-06 2002-10-17 Benjamin Tan Apparatus and method for sensing of fire and directed fire suppression
US7106490B2 (en) 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
US6572549B1 (en) * 2001-12-18 2003-06-03 Koninklijke Philips Electronics Nv High frame rate extended field of view ultrasound imaging system and method
US20050074047A1 (en) * 2002-08-07 2005-04-07 Richard Boggy Laser with life saver mode
KR101119890B1 (ko) * 2002-10-30 2012-03-13 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 전자 빔 노출 시스템
EP1482375B1 (en) * 2003-05-30 2014-09-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7410736B2 (en) 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US6999227B2 (en) 2003-10-31 2006-02-14 Intel Corporation Projection system
US7842926B2 (en) * 2003-11-12 2010-11-30 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
JP2005295113A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Canon Inc 画像読取ユニット及び画像読取装置
US7515772B2 (en) * 2004-08-21 2009-04-07 Xerox Corp Document registration and skew detection system
US20060039627A1 (en) * 2004-08-21 2006-02-23 Xerox Corporation Real-time processing of grayscale image data
WO2006061891A1 (ja) * 2004-12-08 2006-06-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha レーザダイオード励起固体レーザ発振器および該発振器におけるレーザダイオード制御方法
US20060181758A1 (en) 2005-02-14 2006-08-17 Willis Thomas E Spatial light modulator
US8194242B2 (en) * 2005-07-29 2012-06-05 Asml Netherlands B.V. Substrate distortion measurement
US7934172B2 (en) * 2005-08-08 2011-04-26 Micronic Laser Systems Ab SLM lithography: printing to below K1=.30 without previous OPC processing
US7498591B2 (en) * 2005-09-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Critical dimension effects correction in raster pattern generator
WO2007050023A1 (en) * 2005-10-26 2007-05-03 Micronic Laser Systems Ab Writing apparatuses and methods
US7564535B2 (en) * 2005-12-05 2009-07-21 Fusao Ishii Seamless exposure with projection system comprises array of micromirrors with predefined reflectivity variations
TWI432908B (zh) * 2006-03-10 2014-04-01 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統及投射方法
US7211980B1 (en) * 2006-07-05 2007-05-01 Battelle Energy Alliance, Llc Robotic follow system and method
JP2008034024A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Toshiba Corp 電子線描画方法、その電子線描画方法を用いて作製された磁気記録媒体、およびその製造方法
TWI443472B (zh) 2007-07-13 2014-07-01 尼康股份有限公司 Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method and element
US7755754B2 (en) * 2007-10-23 2010-07-13 Gii Acquisition, Llc Calibration device for use in an optical part measuring system
JP5115281B2 (ja) * 2008-04-01 2013-01-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el装置の製造方法
JP5469674B2 (ja) * 2008-12-05 2014-04-16 マイクロニック マイデータ アーベー 被加工物に書き込む方法およびシステム
CN102414621B (zh) * 2009-03-06 2014-12-10 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统
US8004694B2 (en) * 2009-03-27 2011-08-23 Gll Acquistion LLC System for indirectly measuring a geometric dimension related to an opening in an apertured exterior surface of a part based on direct measurements of the part when fixtured at a measurement station

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4853710A (en) * 1985-11-29 1989-08-01 Ricoh Co., Ltd. Imaging by laser beam scanning
US5289231A (en) * 1991-12-25 1994-02-22 Nikon Corporation Apparatus for manufacturing disc medium
CN1575503A (zh) * 2001-05-25 2005-02-02 瓦里安半导体设备联合公司 用于离子注入的方法和装置
CN1945443A (zh) * 2005-08-30 2007-04-11 Asml荷兰有限公司 用平板显示器多辞典压缩方法的光刻设备和装置制造方法
CN101346669A (zh) * 2005-10-26 2009-01-14 麦克罗尼克激光系统公司 写入装置及写入方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8312393B2 (en) 2012-11-13
WO2010100273A3 (en) 2010-11-04
WO2010100273A2 (en) 2010-09-10
WO2010100268A2 (en) 2010-09-10
US20150323319A1 (en) 2015-11-12
WO2010100268A3 (en) 2010-11-04
WO2010100269A1 (en) 2010-09-10
CN102483577A (zh) 2012-05-30
EP2404222A1 (en) 2012-01-11
WO2010100272A1 (en) 2010-09-10
EP2404219A1 (en) 2012-01-11
US20100225979A1 (en) 2010-09-09
US8537416B2 (en) 2013-09-17
US20140049760A1 (en) 2014-02-20
US20100225974A1 (en) 2010-09-09
EP2404219B1 (en) 2013-02-13
US20100229146A1 (en) 2010-09-09
WO2010100270A1 (en) 2010-09-10
US8472089B2 (en) 2013-06-25
US20100225236A1 (en) 2010-09-09
CN102483577B (zh) 2014-09-17
US20100225943A1 (en) 2010-09-09
CN102414621A (zh) 2012-04-11
EP2404222B1 (en) 2013-05-08
US8570613B2 (en) 2013-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102414621B (zh) 扫掠期间剂量可变的转子光学部件成像方法及系统
CN101978323B (zh) 具有测量装置的用于微光刻的投射曝光系统
JP5469674B2 (ja) 被加工物に書き込む方法およびシステム
CN1684002A (zh) 平版印刷装置和器件制造方法
CN103048885A (zh) 无掩膜曝光系统及方法
US9329504B2 (en) Method of aligning an exposure apparatus, method of exposing a photoresist film using the same and exposure apparatus for performing the method of exposing a photoresist film
US8614798B2 (en) Pattern generators, calibration systems and methods for patterning workpieces
CN107807495B (zh) 图案曝光装置、曝光头以及图案曝光方法
CN103383531B (zh) 掩模对准装置及使用该装置的光刻设备
CN110865516B (zh) 曝光装置
CN101105641A (zh) 光学变焦组件中光学元件的离轴平移校正

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant