JP2016539386A - リソグラフィーシステムの少なくとも1つのミラーの傾斜角を測定する装置及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
2 ミラー
3 ミラー
4 ミラー場
5 リソグラフィー装置
6 パターン発生装置
7 パターン源
7’ パターン源
12 パターン
12’ パターン
16 カメラ
16’ カメラ
21 回路
21’ 回路
22 画像捕捉装置
22’ 画像捕捉装置
23 比較装置
23’ 比較装置
24 感光素子
24’ 感光素子
25 パターンの一部分
25’ パターンの一部分
25−1 パターンの一部分
26 作動部
26’ 作動部
27 評価装置
35 光スポット
36 光形成部
37 照明系
41 投影レンズ
42 ミラー場
43 レチクル
44 基板
I 強度
H スクリーンの高さ
P 方向
Q 方向
R 基準信号
R’ 基準信号
S 測定信号
S’ 測定信号
t 時刻
Vx 比較結果
Vy 比較結果
x 軸
y 軸
ΔPh 位相オフセット
φx 傾斜角
φy 傾斜角
Claims (17)
- リソグラフィー装置(5)の少なくとも1つのミラー(2, 3)の傾斜角(φx, φy)を特定するための装置であって、
パターン(12, 12’, 35)を発生するためのパターン発生装置(6)と、
前記ミラーによって反射した前記発生したパターン(12, 12’)を捕捉するための画像捕捉装置(22, 22’)と、
前記捕捉したパターン(S, S’)と基準パターン(R, R’)との比較に基づく方法で比較結果(Vx, Vy)を提供するための比較装置(23, 23’)と、
前記比較結果(Vx, Vy)に基づく方法で前記傾斜角(φx, φy)を特定するための評価装置(27)とを備え、
前記画像捕捉装置(22, 22’)及び前記比較装置が同じ集積回路(21, 21’)内に設けられている、装置。 - 前記パターン発生装置(6)が、時間的に変化するパターン(12, 12’, 35)を発生するように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記比較装置(23, 23’)が、前記捕捉したパターン(S, S’)の位相と前記基準パターン(R, R’)の位相との比較に基づく方法で前記比較結果(Vx, Vy)を提供するように構成されている、請求項2に記載の装置。
- 前記比較装置(23, 23’)が、相関器、位相ループ、及び/または位相測定回路を有する、請求項1〜3のいずれかに記載の装置。
- 前記パターン発生装置(6)が、互いに直交する方向(P, Q)に時間的に変化する2つのパターン(12, 12’)、または互いに直交する方向(P, Q)に時間的に変化する1つのパターン(35)を発生するように構成されている、請求項2〜4のいずれかに記載の装置。
- 前記パターン発生装置(6)が第1パターン源及び第2パターン源(7, 7’)を有し、前記第1パターン源(7)は、一方向(P)に時間的に変化する前記パターン(12)を発生するように構成され、前記第2パターン源(7’)は、前記一方向に直交する方向(Q)に時間的に変化する前記パターン(12’)を発生するように構成されている、請求項5に記載の装置。
- 前記パターン発生装置が、互いに直交する2つの方向(P, Q)に時間的に変化する前記パターン(35)を発生する単一のパターン源(7)を有する、請求項5に記載の装置。
- 第1画像捕捉装置(22)及び第1比較装置(23)が第1集積回路(21)内に設けられ、第2画像捕捉装置(22’)及び第2比較装置(23’)が第2集積回路(21’)内に設けられ、前記第1画像捕捉装置(22)は1つの前記パターン(12)を捕捉し、前記第2画像捕捉装置(22’)は他の前記パターン(12’)を捕捉し、前記第1比較装置(23)は前記捕捉した1つのパターン(S)を第1基準パターン(R)と比較し、前記第2比較装置(23’)は前記捕捉した他のパターン(S’)を第2基準パターン(R’)と比較する、請求項5〜7のいずれかに記載の装置。
- 前記第1集積回路(21)が第1カメラ(16)内に設けられ、前記第2集積回路(21’)が第2カメラ(16’)内に設けられている、請求項8に記載の装置。
- 前記画像捕捉装置(22)が複数の前記パターン(12, 12’)を交互に捕捉し、前記比較装置(23)が前記捕捉したパターン(S, S’)を交互に、それぞれの基準パターン(R, R’)と比較する、請求項5〜8のいずれかに記載の装置。
- 前記パターン発生装置(6)が、1つのパターン(12, 12’)をちょうど1周期で表現する、請求項1〜10のいずれかに記載の装置。
- 前記パターン発生装置(6)がチャープ信号を発生するように構成されている、請求項1〜11のいずれかに記載の装置。
- 前記パターン発生装置(6)が、時間的に一定のパターン(12, 12’)を発生するように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記比較装置(23)が、前記捕捉したパターン(S, S’)の強度及び/または波長と前記基準パターン(R, R’)の強度及び/または波長との比較に基づく方法で、前記比較結果(Vx, Vy)を提供するように構成されている、請求項13に記載の装置。
- 前記比較装置(23, 23’)がカラーチャネル分析用の装置を有する、請求項13または14に記載の装置。
- 前記画像捕捉装置(22, 22’)が感光素子(24, 24’)を有し、該感光素子は前記パターン(12, 12’)を連続して捕捉するように構成されている、請求項1〜15のいずれかに記載の装置。
- リソグラフィー装置(5)の少なくとも1つのミラー(2, 3)の傾斜角(φx, φy)を特定する方法であって、
パターン(12, 12’)を発生するステップと、
前記ミラー(2, 3)上で反射した前記パターン(12, 12’, 35)を捕捉するステップと、
前記捕捉したパターン(S, S’)を基準パターン(R, R’)と比較して、比較結果(Vx, Vy)を提供するステップと、
前記比較結果(Vx, Vy)に基づく方法で、前記傾斜角(φx, φy)を特定するステップとを含み、
前記パターン(12, 12’, 35)を捕捉するステップ、及び前記捕捉したパターン(S, S’)を前記基準パターン(R, R’)と比較するステップを、同じ集積回路(21, 21’)内で実行する、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013222935.6 | 2013-11-11 | ||
DE201310222935 DE102013222935A1 (de) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | Vorrichtung zum Ermitteln eines Kippwinkels wenigstens eines Spiegels einer Lithographieanlage sowie Verfahren |
PCT/EP2014/072022 WO2015067442A1 (de) | 2013-11-11 | 2014-10-14 | Vorrichtung zum ermitteln eines kippwinkels wenigstens eines spiegels einer lithographieanlage sowie verfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016539386A true JP2016539386A (ja) | 2016-12-15 |
JP6503368B2 JP6503368B2 (ja) | 2019-04-17 |
Family
ID=51691072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016552672A Active JP6503368B2 (ja) | 2013-11-11 | 2014-10-14 | リソグラフィーシステムの少なくとも1つのミラーの傾斜角を測定する装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10007195B2 (ja) |
JP (1) | JP6503368B2 (ja) |
DE (1) | DE102013222935A1 (ja) |
WO (1) | WO2015067442A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-11-11 DE DE201310222935 patent/DE102013222935A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-10-14 WO PCT/EP2014/072022 patent/WO2015067442A1/de active Application Filing
- 2014-10-14 JP JP2016552672A patent/JP6503368B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-03 US US15/145,114 patent/US10007195B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015067442A1 (de) | 2015-05-14 |
JP6503368B2 (ja) | 2019-04-17 |
US20160246186A1 (en) | 2016-08-25 |
US10007195B2 (en) | 2018-06-26 |
DE102013222935A1 (de) | 2015-05-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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