JP2020021830A - コイル - Google Patents
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Abstract
Description
共振コイルの設計の流れとして、共振条件により所望のインダクタンスを決定した後、共振コイルの温度仕様を満足するように、共振コイルのコアサイズおよび巻き数を大きくし、鉄損を低減する。しかし、この場合、インダクタンスが大きくなりすぎて、所望のインダクタンスを達成できなかった。さらに、インダクタンスが大きいと、共振コイルは熱を発生するため、共振コイルの温度仕様を満足できず、設計が破綻してしまっていた。
そこで、本発明は、上述したインダクタンスと温度仕様との間のトレードオフを改善し、小型なコイルを提供することを目的とする。
前記巻線の内部の少なくとも一部には、空間が形成されており、
前記磁性体は、前記コイルによって形成される磁路の一部に配置されている。
前記磁性体は、前記ボビンの上側または下側を覆う平板状の磁性体部分と、前記磁性体部分から前記巻線の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなることが好ましい。
前記磁性体は、第1の磁性体および第2の磁性体を備え、
前記第1の磁性体は、前記ボビンの上側を覆う平板状の磁性体部分と、前記磁性体部分から前記巻線の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなり、
前記第2の磁性体は、前記ボビンの下側を覆う平板状の磁性体部分と、前記磁性体部分から前記巻線の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなることが好ましい。
コイル10aは、ボビン1にソレノイド状に巻回された巻線2と、巻線2の内部の上側に配置されたロッド状の第1の磁性体3aと、巻線2の内部の下側に配置されたロッド状の第2の磁性体3bと、を備える。巻線2の内部の、第1の磁性体3aと第2の磁性体3bとの間には空間Sが形成されている。
コイル10aにより破線矢印で示すような磁路が形成され、この磁路の一部に第1の磁性体3aおよび第2の磁性体3bは配置されている。すなわち、コイル10aは開磁路構造を有する。
後述する図5の実施形態のように、磁性体を巻線2の外部のみに配置することも可能であるが、本実施形態のように、第1の磁性体3aおよび第2の磁性体3bを巻線2の内部に配置することにより、巻線2と直交する経路の磁束の漏れを防ぐことができる。また、巻線2の内部の、第1の磁性体3aと第2の磁性体3bとの間の空間Sにより、インダクタンスを調整することができるとともに、共振条件と温度仕様とのトレードオフを解消することができる。なお、空間Sの磁路に沿った長さを長くするほど、巻線2が漏れ磁束に晒されやすくなるため、空間Sの長さは、極力短いことが好ましい。
一実施形態では、ボビン1がPQ26/20サイズ、巻線2がエナメル線Φ0.8mmを12T、第1の磁性体3aと第2の磁性体3bがPQ26/20をロッド状に加工したもの、空間Sの長さが2mmの場合、インダクタンスは所望の範囲内の4.8μHであった。
このように、空間Sの長さを調整するとともに、第1の磁性体3aおよび第2の磁性体3bの構成を変更することにより、コイルを小型化しながら所望のインダクタンスを達成することができる。
以下、磁性体の構成を変更した各種実施形態を説明する。
コイル10bは、ボビン1にソレノイド状に巻回された巻線2と、巻線2の内部の中央に配置されたロッド状の磁性体3mと、を備える。巻線2の内部の、磁性体3mの上下にはそれぞれ空間Sが形成されている。
コイル10cは、ボビン1にソレノイド状に巻回された巻線2と、巻線2の内部に一部が配置された磁性体3cと、を備える。磁性体3cは、ボビン1の上側を覆う平板状の磁性体部分と、当該磁性体部分から巻線2の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなる。巻線2の内部の、磁性体3cの下には空間Sが形成されている。
本実施形態のように、磁性体3cが、ボビン1の上側を覆う平板状の磁性体部分を有すると、当該磁性体部分がボビン1に引っ掛かるため、コイル10cの組み立て性を改善することができるので好ましい。
コイル10dは、ボビン1にソレノイド状に巻回された巻線2と、巻線2の内部の上側に一部が配置された第1の磁性体3iと、巻線2の内部の下側に一部が配置された第2の磁性体3jと、を備える。第1の磁性体3iは、ボビン1の上側を覆う平板状の磁性体部分と、当該磁性体部分から巻線2の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなり、第2の磁性体3jは、ボビン1の下側を覆う平板状の磁性体部分と、当該磁性体部分から巻線2の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなる。巻線2の内部の、第1の磁性体3iと第2の磁性体3jとの間には空間Sが形成されている。
また、巻線2の外部における第1の磁性体3iと第2の磁性体3jとの間の距離l1は、巻線2の内部における第1の磁性体3iと第2の磁性体3jとの間の距離l2より大きいことが好ましい。
本実施形態のように、第1の磁性体3iおよび第2の磁性体3jを対称に配置することにより、ボビン1内部の磁場が均質化され、空間Sを短くすることにより、巻線が漏れ磁束に晒されるのを抑制できるので好ましい。
コイル10eは、ボビン1にソレノイド状に巻回された巻線2と、ボビン1の上側を覆う平板状の第1の磁性体3pと、ボビン1の下側を覆う平板状の第2の磁性体3qと、を備える。巻線2の内部の全体に、空間Sが形成されている。
図3〜図5では、ボビン1の幅とボビン1の上側および/または下側を覆う平板状の磁性体部分の幅とが同一であるが、両者は異なっていてもよい。
コイル10fは、図1のコイル10aの構成に加えて、巻線2の内部、詳細には、ボビン1と第1および第2の磁性体3a、3bとの間にEMI対策用の磁性シート4を備える。
本実施形態のように、磁性シート4を設けることにより、漏れ磁束が遮蔽され、漏れ磁束による損失の増加を抑制できるので好ましい。
なお、磁性シート4は、図2〜図5のコイルの構成に追加することもできる。
図7は、縦軸にコイルのインピーダンス、横軸にコイルの体積を示したグラフである。発明例として図4のコイルを使用し、比較例1、2としてギャップ付きPQコアを有するコイルを使用し、従来例として巻線の内部全体にコアを有するコイルを使用した。なお、比較例1、2は等価なグラフになるため、1つの破線で表す。本実施例では、所望のインダクタンスの範囲は、2.0μH以上であった。
図7より、発明例では、約6000mm3の体積で2.0μHのインダクタンスを達成できたのに対して、比較例1、2では、2.0μHのインダクタンスを達成できるのは約9000mm3の体積であり、従来例では、2.0μHのインダクタンスを達成できるのは12000mm3より大きい体積になると推測される。
このように、本発明では、コイルを小型化しながら所望のインダクタンスを達成できることが確認された。
従来例として空芯のコイルを使用し、発明例1として図5のコイル(PQI26平板×2)を使用し、発明例2として上側にPQI26/12コア、下側にPQI26平板を用いたコイルを使用し、発明例3としてPQI26/12コア×2を用いたコイルを使用した。本実施例では、所望のインダクタンスの範囲は、2.0μH以上であった。
このように、本発明では、磁性体を、コイルによって形成される磁路の一部に配置することにより、所望のインダクタンスを達成できることが確認された。
Claims (6)
- 巻線と少なくとも1つの磁性体とを備えるコイルであって、
前記巻線の内部の少なくとも一部には、空間が形成されており、
前記磁性体は、前記コイルによって形成される磁路の一部に配置されている、
コイル。 - 前記磁性体は、前記巻線の内部に配置されている、
請求項1に記載のコイル。 - 前記巻線は、ボビンにソレノイド状に巻回されており、
前記磁性体は、前記ボビンの上側または下側を覆う平板状の磁性体部分と、前記磁性体部分から前記巻線の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなる、
請求項1に記載のコイル。 - 前記巻線は、ボビンにソレノイド状に巻回されており、
前記磁性体は、第1の磁性体および第2の磁性体を備え、
前記第1の磁性体は、前記ボビンの上側を覆う平板状の磁性体部分と、前記磁性体部分から前記巻線の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなり、
前記第2の磁性体は、前記ボビンの下側を覆う平板状の磁性体部分と、前記磁性体部分から前記巻線の内部に延在するロッド状の磁性体部分と、からなる、
請求項1に記載のコイル。 - 前記巻線の外部における前記第1の磁性体と前記第2の磁性体との間の距離は、前記巻線の内部における前記第1の磁性体と前記第2の磁性体との間の距離より大きい、
請求項4に記載のコイル。 - 前記巻線の内部に磁性シートをさらに備える、
請求項1から5のいずれかに記載のコイル。
Priority Applications (1)
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JP2018144700A JP2020021830A (ja) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | コイル |
Applications Claiming Priority (1)
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Family
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Family Applications (1)
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JP2018144700A Pending JP2020021830A (ja) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | コイル |
Country Status (1)
Country | Link |
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