JP2002134266A

JP2002134266A - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JP2002134266A
Application number: JP2000323555A
Authority: JP
Inventors: Koji Ueda; 浩司植田; Shinichi Masuda; 慎一増田; Yutaka Takashige; 豊高茂
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-10-24
Filing date: 2000-10-24
Publication date: 2002-05-10

Abstract

(57)【要約】【課題】コア挿入を行なうときの挿入ミスを防ぐこと
ができ、作業性を向上させ、生産性が上がるように改良
された高周波加熱装置を提供することを主要な目的とす
る。【解決手段】電源部と、インバータ部と、制御部と、
インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧し、高
周波電力を電磁波として放射する高圧回路部で構成され
る高周波加熱装置において、上記インバータトランス４
のコアは、その断面がＴ字型とＩ字型の１対のものから
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、一般に、高周波
加熱装置に関するものであり、より特定的には、作業性
を向上させ、生産性が上がるように改良された高周波加
熱装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１６を参照して、高周波加熱装置は、
商用電源等より電力供給を受ける電源部１と、少なくと
も１つ以上の半導体素子を有し、電源部１からの電力を
高周波電力に変換するインバータ部２と、半導体素子を
制御する制御部３と、インバータ部２の出力をインバー
タトランス４で昇圧し、高周波電力を電磁波として放射
する高圧回路部５と、マグネトロン６とを備える。

【０００３】図１７は、従来のインバータトランスの概
念図であり、（ａ）はインバータトランスの斜視図であ
り、（ｂ）はインバータ基板の配置図（上面）であり、
（ｃ）はインバータ基板の配置図（側面）である。

【０００４】これらの図を参照して、従来、高周波加熱
装置のインバータ電源のトランスに用いられていたコア
１２は、コの字もしくはＵの字形状であった。また、ト
ランスおよび半導体素子冷却のためエアガイドなどを設
け、風向きをコントロールしていた。コア１２はボビン
１５に固定するため、コアバンド２３を用いて固定して
いた。図中、７は基板であり、１１はヒートシンクを表
わしている。冷却風は図のように流れる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波加熱装置
のインバータ電源のトランスは、以上のように構成され
ていたので、トランスの特性および容量で決まるコア形
状と巻線によってインバータトランスの形状（大きさ）
が制約されるという問題点があった。

【０００６】また、トランス自身の冷却はもちろんのこ
と、インバータ基板上の半導体部品の冷却にとっても、
大型の構造物であるインバータトランス形状およびその
設置位置は大変な問題であった。

【０００７】コアとして、その断面形状がＴ字型のもの
を１対使用する場合、２種類の類似形状のコアが存在
し、組立時の挿入ミスによる作業の効率低下を招くとい
う問題点があった。

【０００８】また、コアの固定のために、コアバンドが
使われている。インバータトランスのコアの放熱をさせ
る。また、高電圧の配線があり、絶縁構造が必要であ
り、配線の引回しが長いと信頼性にも影響を及ぼすとい
う問題点があった。

【０００９】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためにされたものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従う高周波加熱装置は、商用電源等より電力供給を受け
る電源部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、
上記電源部からの電力を高周波電力に変換するインバー
タ部と、上記半導体素子を制御する制御部と、上記イン
バータ部の出力をインバータトランスで昇圧し、高周波
電力を電磁波として放射する高圧回路部で構成される。
上記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対のものからなる。

【００１１】この発明によれば、コア断面形状をＴ字型
とＩ字型の１対にすることで、トランス形状の偏平化が
可能となる。また、形状が全く違うので、挿入ミスも防
ぐことができる。

【００１２】この発明の第２の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコアは、その断面がＴ字型のものの１対からな
り、トランスのコアが同一形状である。

【００１３】この発明によれば、コア形状を同一にする
ことで、作業ミスをなくし、効率を上げることができ
る。

【００１４】この発明の第３の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコアは、その断面がＴ字型の１対のものからな
る。インバータトランスは、インバータ部の基板に対し
てインバータトランスのボビン軸が水平になるように設
置されている。

【００１５】この発明の第４の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコアは、その断面がＴ字型とＩ字型の１対から
なり、インバータトランスは、インバータ部の基板に対
して、トランスのボビン軸が水平になるように設置され
ている。

【００１６】この発明の第５の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコア断面がＴ字型のものを１対として用い、イ
ンバータトランスが、インバータ部の基板に対して、ト
ランスのボビン軸が垂直になる構造となっており、基板
とインバータトランスの間に間隙を設けている。

【００１７】この発明によれば、基板とインバータトラ
ンス間に間隙を設けているので、ここで放熱を行なうこ
とができる。

【００１８】この発明の第６の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコア断面がＴ字型とＩ字型のものを１対として
用いる。インバータトランスは、インバータ部の基板に
対して、トランスのボビン軸が垂直になる構造になって
おり、基板とインバータトランスの間に間隙を設ける。

【００１９】この発明の第７の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコア断面がＴ字型のものを１対として用い、コ
ア取付部のボビン側に突起を設けている。

【００２０】この発明の第８の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。インバータトラン
スのコア断面がＴ字型とＩ字型のものを１対として用
い、コア取付部のボビン側に突起を設けている。

【００２１】この発明によれば、コア固定のための構造
をボビンとコアの両者に設けているので、コアバンドを
不要とする。

【００２２】この発明の第９の局面に従う高周波加熱装
置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少な
くとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部からの
電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半導
体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力を
インバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波とし
て放射する高圧回路部で構成される。上記インバータト
ランスのコア断面がＴ字型のものを１対として用い、コ
ア取付部のボビン側にＬ字型の溝を設け、コアに突起を
設けている。

【００２３】この発明の第１０の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部とで構成される。上記インバー
タトランスのコア断面がＴ字型とＩ字型のものを１対と
して用い、コア取付部のボビン側にＬ字型の溝を設け、
コアに突起を設けている。

【００２４】この発明の第１１の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部とで構成される。上記インバー
タトランスのコア断面がＴ字型のものを１対として用
い、コアにＬ字型の溝を設け、コア取付部のボビン側に
突起を設けている。

【００２５】この発明の第１２の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部とで構成される。上記インバー
タトランスのコア断面がＴ字型とＩ字型のものを１対と
して用い、コアにＬ字型の溝を設け、コア取付部のボビ
ン側に突起を設けている。

【００２６】この発明の第１３の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部で構成される。インバータトラ
ンスのコア断面がＴ字型のものを１対として用い、コア
に突起を設け、コア取付部のボビン側に突起と同寸法ま
たはそれ以下の寸法の溝を設けている。

【００２７】この発明の第１４の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部で構成される。上記インバータ
トランスのコア断面がＴ字型とＩ字型のものを１対とし
て用い、コアに突起を設け、コア取付部のボビン側に突
起と同寸法またはそれ以下の寸法の溝を設けている。

【００２８】この発明の第１５の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部で構成される。上記インバータ
トランスのコア断面がＴ字型のものを１対として用い、
コア取付部のボビン側にねじ溝を設け、コアにねじ山を
設けている。

【００２９】この発明の第１６の局面に従う高周波加熱
装置は、商用電源等より電力供給を受ける電源部と、少
なくとも１つ以上の半導体素子を有し、上記電源部から
の電力を高周波電力に変換するインバータ部と、上記半
導体素子を制御する制御部と、上記インバータ部の出力
をインバータトランスで昇圧し、高周波電力を電磁波と
して放射する高圧回路部で構成される。上記インバータ
トランスのコア断面がＴ字型とＩ字型を１対として用
い、コア取付部のボビン側にねじ溝を設け、コアにねじ
山を設けている。

【００３０】この発明の第１７の局面に従う高周波加熱
装置は、上記第１５の局面および第１６の局面に従う高
周波加熱装置において、上記コアの上部に回転量がわか
る印をつけている。

【００３１】この発明の第１８の局面に従う高周波加熱
装置は、上記第２の局面および第３の局面に従う高周波
加熱装置において、基板との接続部の肉厚が他の部分よ
り厚くなっているインバータトランスボビンを設けてい
る。

【００３２】この発明の第１９の局面に従う高周波加熱
装置は、上記第３、第４、第５および第６の局面に従う
高周波加熱装置において、ボビンおよびコアに巻線引出
し用の導出口のあるインバータトランスを設けている。

【００３３】この発明の第２０の局面に従う高周波加熱
装置は、上記第５および第６の局面に従う高周波加熱装
置において、上記インバータトランスの上部に高圧回路
基板を設けている。

【００３４】この発明の第２１の局面に従う高周波加熱
装置においては、上記第５および第６の局面に従う高周
波加熱装置において、インバータトランス１次側、２次
側巻線のボビンで回路基板を挟むようにしている。

【００３５】以上説明したように、この発明によれば、
コア断面形状をＴ字型１対またはＴ字型とＩ字型の１対
にすることで、トランス形状の偏平化が可能となる。ま
た、形状が全く違うので挿入ミスも防ぐことができる。

【００３６】また、トランスの偏平化に伴い、冷却風を
阻止することがなくなる。また、偏平形状よりエアガイ
ドの代替にもなり得る。コア形状を同一にすることで作
業ミスをなくし、効率を上げることもできる。さらにコ
ア固定のための構造をボビンまたはコアもしくは両者に
設けることにより、コアバンドを不要とすることができ
る。さらに、基板とインバータトランス間に間隙を設け
る場合には、放熱をこの部分で行なうことができる。さ
らに、高電圧部への配線を短くする構成をとることがで
きる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。

【００３８】実施の形態１高周波加熱装置のインバータトランスの基本的な構成
は、１次巻線、２次巻線、１次回路、２次回路を磁気的
に結合するためのコアおよびそれらの支持と電気的な絶
縁を行なうためのボビンよりなっている。ボビンには高
周波加熱装置の制御のための検知巻線を設けることもあ
る。

【００３９】図１は、実施の形態１に係る高周波加熱装
置に用いるコア形状の概念図である。図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は、インバータトランスのコア形状（断
面Ｔ字型１対）を示し、図１（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）
は、インバータトランスのコア形状（断面Ｔ字型Ｉ字型
１対）を示す。

【００４０】本発明に用いるコアのコア断面はＴ字型も
しくはＩ字型である。これらをＴ−ＴもしくはＴ−Ｉで
１対にし、Ｔ字の足の部分に巻線を巻回する。

【００４１】できる限りコアの接合部が、１次側巻線に
よって巻回されるように構成する。これによって、漏れ
磁束を減少でき、１次側電力を効率的に２次側へ伝える
ことができる。接続部は、密着または数ｍｍのギャップ
を持たせて用い、結合率を調整し、各装置に適当な結合
率に調整する。足の部分の形状は円筒形にすることで、
巻線の巻回が容易に行なえる、また、直方体にすること
で、成形が容易に行なえる。

【００４２】これらは、図１に示した組合せだけでな
く、Ｔ字型コア上部が直方体のものに円筒の足を用いる
構成または円形の上部に直方体の足の構成も使用の条件
により考えられる。

【００４３】偏ったコアの加熱を防ぐために、Ｔ字コア
の上部と足の位置関係は、常に中央部にあり、偏りのな
いようにする。

【００４４】これまで、図２に示すように、インバータ
トランスのコアは、その形状をループ状に構成し、磁気
的な閉回路を作り込み、その一部にギャップを設けるこ
とで結合率の調整を行なっていた。

【００４５】本発明においては、そのギャップの代わり
をＴ−Ｔの場合なら、対面となるＴ字型のコアの上部の
平面部と対になるコアのＴ字型の上部の平面部が行な
う。平面部の面積を広くすることで、結合率を変化でき
る。組立工程時の利便性を考え、コア形状はＴ−Ｔ１対
の場合は、同一形状のコアを用いる。

【００４６】実施の形態２図３は、本実施の形態に係る、偏平化したインバータト
ランスの概念図である。図３（ａ）はインバータトラン
スボビンを表わし、図３（ｂ）はインバータ基板配置図
（上面）を表わし、図３（ｃ）はインバータ基板配置図
（側面）を表わしている。

【００４７】図３に示すようなボビン１５を用いてコア
１２と１次巻線１６、２次巻線１７のそれぞれの間の絶
縁を確保し、位置の固定を行なう。この構成をとること
で、偏平化を可能にする。冷却風は図のように流れる。

【００４８】偏平化したインバータトランスは、図３、
図４および図５に示すような構造で、それぞれ基板上に
設置および配置するように変更できる。

【００４９】図３では、基板７の面を基準にインバータ
トランス４のボビン軸１３を垂直に設置し、１次巻線１
６の巻回側を上部にしている。ボビン１５への巻線の巻
回において、巻き始めの片端を、巻回していく巻線と接
触することなしに、ボビン１５の外へ引出し、基板７に
接続を行なう。

【００５０】なぜなら、トランス巻線の巻き始めと巻き
終わりでは１次側では数百ボルト、２次側では数キロボ
ルトの電圧が発生し、この電圧を巻線の絶縁能力にのみ
頼ることはできない。そこで、図３においては、トラン
ス中央部（ボビン軸傍ら）より巻き始めの１次側巻線１
６の片端を引出すための導出口１４を設け、１次側巻線
１６を導出する。１次巻線１６の導出口１４は巻線が太
いため、肉厚のあるボビン１５に開けた穴が面に垂直な
円筒状になっていてはスムーズな導出ができないため、
徐々に巻線の巻き方向の傾斜を持たせた穴にする。

【００５１】また、図３を参照して、インバータトラン
ス下面にも２次巻線１７の導出口１４を設け、下面より
２次巻線１７を基板７上に接続できるようになってい
る。なお、２次側巻線１７においては、一般的に巻き始
めに限らず、巻線間の電圧が高いので、巻回部を数箇所
にボビン上に仕切りを作り分けることで、巻線間にかか
る可能性のある電圧を低くしている。ところで、インバ
ータトランスにも損失があり、コアが発熱する。これが
他の電子部品に悪影響を与えないように冷却する必要が
あり、そのため、基板７とトランス４の間には、間隙９
を設ける。

【００５２】間隙９を作り、安定してインバータトラン
スを基板７に設置するためにトランスボビンにリブを設
ける。

【００５３】図４に示す装置では、２次巻線１７の巻回
側が上部になっており、さらにその上部に高圧回路であ
る２次側回路１０が設置されている。図４（ａ）はイン
バータトランスボビンの斜視図を表わしており、図４
（ｂ）はインバータ基板配置図（上面）を表わしてお
り、図４（ｃ）はインバータ基板配置図（側面）を表わ
している。

【００５４】図５は、縦に設置した場合で、基板７への
固定のため、ボビン１５の基板７との接続部の肉厚を大
きくとっている。また、配置や設置角度を調整すること
で、冷却風の制御のためのエアガイドに用いている。な
お、図５（ａ）はインバータトランスボビンを表わして
おり、図５（ｂ）はインバータ基板配置図（上面）を表
わしており、図５（ｃ）はインバータ基板配置図（側
面）を表わしている。

【００５５】図６は、１次側、２次側のボビン１５，１
５で基板７を挟む構成の概念図である。

【００５６】図６に示す構成も、図３に示すトランス同
様に導出口および基板との間隙を有している。このよう
に、基板７に対してコアの軸が垂直になっている場合、
ボビンを１次側と２次側の２つの部品に分け、基板７を
１次側ボビン１５と２次側ボビン１５で挟むように設置
し、基板７にはコアが磁気的な接続が行なえるように穴
を開け、コアは直接接続可能にする。もしくは、基板を
ボビンの１次側、２次側の間へ挿入し、接続できるよう
に構成する。

【００５７】実施の形態３本実施の形態では、図７に示すように、インバータトラ
ンス４のボビン１５にコア１０を固定するための突起８
を持たせた。固定用の突起８は樹脂でできているので、
その弾性でコア１２が挿入可能であり、その突起が返し
になっているので固定できる。これは、コア１２がＴ
字、Ｉ字どちらでも使用できる。

【００５８】実施の形態４本実施の形態では、図８に示すように、コア１２に突起
８を設け（（ｂ）参照）、その位置に対応するようにボ
ビン１５にＬ字型の溝を形成する（（ａ）を参照）。こ
れにより、ボビン１５にコア１２が固定できる。

【００５９】これとは逆に、図９に示すように、コア１
２にＬ字型の溝１８を設け（（ｂ）参照）、ボビン１５
に突起８を設ける（（ａ）参照）ことでも同様に固定で
きる。

【００６０】実施の形態５本実施の形態では、図１０と図１１に示すように、突起
８より狭い溝１８を設け、樹脂であるボビンの弾性を利
用して固定する。

【００６１】さらに、固定を確実にするために、図１０
および図１１に示すボビンのように、返しをつける。ま
た、突起の形状を、図のように、その幅を変化させるこ
とで固定を確実にする。また、両方使用することもでき
る。

【００６２】実施の形態６本実施の形態では、図１２に示すように、ボビン１５に
ねじ溝２０を切り、コア１２にねじ山２１を作る。これ
により、両者の固定を行なう。

【００６３】さらに、図１３に示すように、ボビン１５
にねじを切っていれば、Ｉ字型のコア１２でも固定でき
る。

【００６４】これらは、図１４に示すように、コアを回
転させることによってボビン１５に固定する。ねじ山と
ねじ溝を適当に選ぶことにより、ギャップ２４を形成す
ることができる。

【００６５】このとき、図１５に示すように、コア１
２、ボビン１５に印２２を設ける。この印２２は成形時
に直接作っても、成形後、シールや塗料により作ること
ができる。マークはどんなものでもよく、回転量がわか
ればよい。

【００６６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の第１の
局面に従う発明により、類似のＴ−Ｔ１対のコア挿入を
行なうときの挿入ミスを防ぐことができ、作業性を向上
させ、生産性を上げることができる。また、コア断面形
状がＴ字型の１対のトランスと同様に偏平化が可能であ
る。

【００６８】この発明の第２の局面に従う発明によって
も、同様に挿入ミスを防ぐことができる。

【００６９】この発明の第３、第４、第５および第６の
局面に従う発明により現行インバータトランスにおける
冷却風の阻止を軽減できる。さらに、エアガイドの代替
部品として使用でき、エアガイドが不要になり、組立作
業も簡便化され、コストダウンも図ることができる。

【００７０】この発明の第５および第６の発明により、
基板とインバータトランスの間隙にも風が送られ、イン
バータトランスそのものと、トランスにより冷却風を阻
止されていた部品にも冷却効果が得られる。

【００７１】この発明の第７、第８、第９、第１０、第
１１、第１２、第１３、第１４、第１５および第１６の
局面に従う発明により、インバータトランスのコア固定
用のコアバンドを使うことなく、固定ができ、部品点
数、作業工程数ともに減少する。

【００７２】この発明の第１７の局面に従う発明によ
り、インバータトランスの１対のコア間に設けられたギ
ャップを容易にまた正確に調整することができる。

【００７３】この発明の第１８の局面に従う発明によ
り、インバータトランスを安定して基板上に設置可能と
なる。

【００７４】この発明の第１９の局面に従う発明によ
り、高電圧トランスであるインバータトランスにおい
て、巻き始めと巻き終わりでは大きな電位差のある巻線
を接触させることなく、ボビンの外へ引出し、基板に接
続を行なうことができる。

【００７５】この発明の第２０の局面に従う発明によれ
ば、インバータトランスの２次側巻線を引回すことなく
短距離で回路基板上に接続することができる。

【００７６】この発明の第２１の局面に従う発明によれ
ば、インバータトランスの間隙が増えるため、冷却が促
進される。また、巻線の引回しが少なく、基板に接続が
できる。巻線引出しの導出口はコアに穴を開けることな
く設けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に従う高周波加熱装置に用いる、イ
ンバータトランスのコア形状を示す図である。

【図２】従来のインバータトランスのコア形状を示す
図である。

【図３】この発明に従う高周波加熱装置に用いる偏平
化したインバータトランスの形状を示す図である。

【図４】この発明に用いる高周波加熱装置の、偏平化
したインバータトランスの使用例を示す図である。

【図５】この発明に従う高周波加熱装置の偏平化した
インバータトランスの他の使用例を示す図である。

【図６】この発明に従う１次側２次側のボビンで基板
を挟む構成を示す図である。

【図７】この発明に従う高周波加熱装置の、インバー
タトランスボビンのコア挿入部（ａ）とコア挿入部の突
起のある部分の断面図およびコア断面図（ｂ）である。

【図８】この発明に従う高周波加熱装置における、コ
アの固定法（ボビンにＬ字型の溝）を示す図である。

【図９】この発明に従う高周波加熱装置におけるコア
の固定法（コアにＬ字型の溝）を示す図である。

【図１０】この発明の高周波加熱装置におけるコアの
固定法（ボビンの溝奥行きを狭くする）を示す図であ
る。

【図１１】この発明に係る高周波加熱装置におけるコ
アの固定法（ボビンの溝幅を狭くする）を示す図であ
る。

【図１２】この発明の高周波加熱装置におけるコアの
固定法（ねじを切る。Ｔ字型）を示す図である。

【図１３】この発明の高周波加熱装置におけるコアの
固定法（ねじを切る。Ｔ字型Ｉ字型コア兼用）を示す図
である。

【図１４】この発明に従う高周波加熱装置におけるコ
アギャップの調整方法を示す図である。

【図１５】この発明に従う高周波加熱装置に使用する
ボビンに設けた回転量指示の印を示す図である。

【図１６】高周波加熱装置の回路図を示す図である。

【図１７】従来のインバータトランスを示す図であ
る。

【符号の説明】

１電源部、２インバータ部、３制御部、４イン
バータトランス、５高圧回路部、６マグネトロン、１
２コア、１５ボビン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高茂豊大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 3K086 AA02 AA08 AA10 BA08 CB13 CD03 DB11 FA02 FA06 FA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対のものからなる高周波加熱装置。
【請求項２】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
ものを１対として用い、かつ、該トランスのコアが同一
形状である、高周波加熱装置。
【請求項３】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
１対のものからなり、前記インバータトランスは、前記インバータ部の基板に
対して、インバータトランスのボビン軸が水平になるよ
うに設置されている、高周波加熱装置。
【請求項４】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対のものからなり、前記インバータトランスは、インバータ部の基板に対し
て、該インバータトランスのボビン軸が水平になるよう
に設置されている、高周波加熱装置。
【請求項５】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
１対のものからなり、前記インバータトランスは、前記インバータ部の基板に
対して、該インバータトランスのボビン軸が垂直になる
構造となっており、前記基板と前記インバータトランスの間に間隙を設け
る、高周波加熱装置。
【請求項６】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対のものからなり、前記インバータトランスは、インバータ部の基板に対し
て、該インバータトランスのボビン軸が垂直になる構造
になっており、前記基板と前記インバータトランスの間に間隙を設け
る、高周波加熱装置。
【請求項７】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
ものの１対からなり、コア取付部のボビン側に突起を設けている、高周波加熱
装置。
【請求項８】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対からなり、コア取付部のボビン側に突起を設けた高周波加熱装置。
【請求項９】商用電源等より電力供給を受ける電源部
と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
ものの１対からなり、コア取付部のボビン側にＬ字型の溝を設け、かつコアに
突起を設けている、高周波加熱装置。
【請求項１０】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対からなり、コア取付部のボビン側にＬ字型の溝を設け、コアに突起
を設けた高周波加熱装置。
【請求項１１】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
ものの１対からなり、コアにＬ字型の溝を設け、コア取付部のボビン側に突起
を設けた高周波加熱装置。
【請求項１２】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対からなり、コアにＬ字型の溝を設け、コア取付部のボビン側に突起
を設けた高周波加熱装置。
【請求項１３】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
ものの１対からなり、コアに突起を設け、コア取付部のボビン側に突起と同寸
法またはそれ以下の寸法の溝を設けた高周波加熱装置。
【請求項１４】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型の１対からなり、コアに突起を設け、コア取付部のボビン側に突起と同寸
法またはそれ以下の寸法の溝を設けた高周波加熱装置。
【請求項１５】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型の
ものの１対からなり、コア取付部のボビン側にねじ溝を設け、コアにねじ山を
設けた高周波加熱装置。
【請求項１６】商用電源等より電力供給を受ける電源
部と、少なくとも１つ以上の半導体素子を有し、前記電源部か
らの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記半導体素子を制御する制御部と、前記インバータ部の出力をインバータトランスで昇圧
し、高周波電力を電磁波として放射する高圧回路部と、
を備え、前記インバータトランスのコアは、その断面がＴ字型と
Ｉ字型のものの１対からなり、コア取付部のボビン側にねじ溝を設け、コアにねじ山を
設けた高周波加熱装置。
【請求項１７】前記コアの上部に回転量がわかる印を
つけた、請求項１５または１６に記載の高周波加熱装
置。
【請求項１８】基板との接続部の肉厚が他の部分より
厚くなっているインバータトランスボビンを設けた、請
求項２または３に記載の高周波加熱装置。
【請求項１９】ボビンおよびコアに巻線引出し用の導
出口のあるインバータトランスを設けた、請求項３、
４、５または６に記載の高周波加熱装置。
【請求項２０】インバータトランスの上部に高圧回路
基板を設けた、請求項５または６に記載の高周波加熱装
置。
【請求項２１】インバータトランス１次側、２次側巻
線のボビンで回路基板を挟むようにした、請求項５また
は６に記載の高周波加熱装置。