JP2020021756A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子が焼結金属層を介して支持基板の上に接合されてなる半導体装置であって、前記焼結金属層には、接合されたときの前記半導体素子の外縁部よりも内側に当たる領域に、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域が形成されており、前記焼結金属層の中には、前記低空孔率領域として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫く柱状の低空孔率領域が形成されており、前記柱状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部よりも内側領域の直下に当たる前記焼結金属層の領域内の全域にわたって所定の間隔で複数個設けられていることを特徴とする。
≪第1の実施形態≫
図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置100の断面構造の例を示した図、図1Bは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置100の上面図の例を示した図である。図1A、図1Bに示すように、半導体装置100は、半導体素子1が焼結金属層2を介して支持基板10に接合されて構成される。ここで、図1Bの半導体装置100の上面図は、半導体素子1が取り外されている状態の上面図を表し、また、図1Aの断面図は、図1Bの平面図のY−Y部分の半導体素子1を含む断面図を表している。
図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置100の断面構造の例を示した図、図1Bは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置100の上面図の例を示した図である。図1A、図1Bに示すように、半導体装置100は、半導体素子1が焼結金属層2を介して支持基板10に接合されて構成される。ここで、図1Bの半導体装置100の上面図は、半導体素子1が取り外されている状態の上面図を表し、また、図1Aの断面図は、図1Bの平面図のY−Y部分の半導体素子1を含む断面図を表している。
本実施形態では、焼結金属層2の中に他の領域よりも空孔率の低い領域である低空孔率領域3が設けられている。低空孔率領域3は、焼結金属層2と同じ組成のペースト材を焼結した焼結金属接合材からなり、空孔率が他の領域よりも低いことを特徴とする。この低空孔率領域3は、図1Bに示すように、接合されたときの半導体素子1の外縁部よりも内側に当たる焼結金属層2の中に、半導体素子1の外縁部に沿ってその外縁部を1周するように形成される。また、低空孔率領域3は、図1Aに示すように、焼結金属層2の上面部から下面部まで焼結金属層2を貫くように形成される。
したがって、本実施形態では、低空孔率領域3は、焼結金属層2を平面的に外側の高空孔率領域と内側の高空孔率領域に2分する、平面形状が細長紐状を呈する壁状の構造体ということができる。このような低空孔率領域3は、平面的には、必ずしも直線状に形成される必要はなく、うねりのある曲線状に形成されたものであってもよい。ただし、その平面形状は、応力による変形の偏りを避けるために、対称的なパターンであることが好ましい。
なお、低空孔率領域3の空孔率は、低空孔率領域3以外の焼結金属層2における領域の空孔率と比べて少なくとも10%以上低いことが好ましく、さらには、低空孔率領域3の空孔率が10%未満であることが好ましい。また、低空孔率領域3の上下方向(z軸方向)の構造は、空孔率が一定の1層に限定されるものではなく、例えば、空孔率が連続的に変化するような多数の層から構成されるものであってもよい。
図2Aに示すように、第1の実施形態および従来技術のいずれの場合も、半導体素子1のチップサイズを5mm×5mmとした。また、第1の実施形態では、焼結金属層2内の低空孔率領域3は、半導体素子1の外縁部よりも1mm内側の直下位置に、0.2mmの幅で設けられているものとした。これに対し、従来技術では、低空孔率領域3は、半導体素子1の外縁部直下の位置、つまり焼結金属層2の外縁部に0.2mmの幅で設けられているものとした。また、焼結金属層2は、いずれの場合も厚さ50μmの焼結銅(Cu)層であるとした。
以上のように、本実施形態では、従来技術に比べ、熱変動に由来する応力により半導体素子1と焼結金属層2とが剥離したり、半導体素子1が破壊などのダメージを受けたりするリスクが減少する。また、焼結金属層2の端部から発生する亀裂も、低空孔率領域3が設けられた位置で停止させることができる。よって、本実施形態では、熱変動に強い信頼性の高い半導体装置100が得られる。
また、本実施形態でも、低空孔率領域3は、焼結金属層2と同じ組成のペースト材を焼結した焼結金属接合材からなり、空孔率が他の領域よりも高いことを特徴とする。この場合、低空孔率領域3の空孔率は、低空孔率領域3以外の焼結金属層2の領域における空孔率と比べて少なくとも10%以上低いことが好ましく、さらには、低空孔率領域3の空孔率が10%未満であることが好ましい。
1 半導体素子
2 焼結金属層
3 低空孔率領域
3a 壁状の低空孔率領域
3b 柱状の低空孔率領域
4 導電部材
5 絶縁部材
6 冷却部材
8 亀裂
9 電極
10 支持基板
11 プレート
20 焼結金属シート
21 ペースト材
100,100a,100b,100c,100d 半導体装置
2 焼結金属層
3 低空孔率領域
3a 壁状の低空孔率領域
3b 柱状の低空孔率領域
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11 プレート
20 焼結金属シート
21 ペースト材
100,100a,100b,100c,100d 半導体装置
Claims (7)
- 半導体素子が焼結金属層を介して支持基板の上に接合されてなる半導体装置であって、
前記焼結金属層には、接合されたときの前記半導体素子の外縁部よりも内側に当たる領域に、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域が形成されており、
前記焼結金属層の中には、前記低空孔率領域として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫く柱状の低空孔率領域が形成されており、
前記柱状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部よりも内側領域の直下に当たる前記焼結金属層の領域内の全域にわたって所定の間隔で複数個設けられていること
を特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記焼結金属層の前記低空孔率領域は、前記焼結金属層の前記他の領域と同じ材料で構成されていること
を特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記焼結金属層の中には、前記低空孔率として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫き、平面形状が細長紐状を呈する壁状の低空孔率領域が形成されており、
前記壁状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部に沿って、前記半導体素子の中央部直下の領域を取り囲むように形成され、
前記柱状の低空孔率領域は、複数個、前記壁状の低空孔率領域に囲まれた内側の領域に形成されていること
を特徴とする半導体装置。 - 半導体素子と支持基板との間に配置されて、前記半導体素子と前記支持基板とを接合する焼結金属シートであって、
前記半導体素子と前記支持基板とを接合したとき、前記半導体素子の外縁部よりも内側に当たる領域に、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域が形成されており、
前記焼結金属層の中には、前記低空孔率領域として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫く柱状の低空孔率領域が形成されており、
前記柱状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部よりも内側領域の直下に当たる前記焼結金属層の領域内の全域にわたって所定の間隔で複数個設けられていること
を特徴とする焼結金属シート。 - 請求項4に記載の焼結金属シートであって、
前記低空孔率領域を構成する材料は、前記他の領域を構成する材料と同じであること
を特徴とする焼結金属シート。 - 金属微粒子を含むペースト材を焼成して焼結金属シートを作製する工程と、
前記焼結金属シート上の所定の位置に、前記焼結金属シートを上面および下面から挟むように電極を配置し、前記電極に挟まれた前記焼結金属シートの領域に通電することにより、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域を形成する工程と、
を有すること
を特徴とする焼結金属シートの製造方法。 - 請求項6に記載の焼結金属シートの製造方法であって、
前記低空孔率領域を形成する工程において、前記焼結金属シート上に前記電極を配置するときには、前記焼結金属シートの外縁部よりも内側の位置に配置すること
を特徴とする焼結金属シートの製造方法。
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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- 2018-07-30 JP JP2018142168A patent/JP7072462B2/ja active Active
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- 2019-03-20 WO PCT/JP2019/011935 patent/WO2020026516A1/ja active Application Filing
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