JP2020015928A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属配線の基板に対する密着性を向上する。【解決手段】金属配線が形成される配線基板１であって、樹脂を主成分とし水酸基を有する有機物３を含む基板２と、金属配線を構成する金属めっき層６と、を備え、基板２の一面２ａにおける金属配線の形成部分４は、基板２の一面２ａにおける金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きく、樹脂に入り組んだ状態の有機物３と、触媒と、を有していることを特徴とする配線基板１。このような構成の配線基板１とすることで、金属配線の基板２に対する密着性を向上することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

従来から、様々な配線基板が使用されている。このような配線基板には、金属で構成される配線である金属配線が形成されている。
例えば、特許文献１には、基板である合成樹脂の基体にレーザービームを照射して表面改質し、該表面改質をした部分にイオン触媒を接触させて無電解めっきをすることで金属配線を形成する、配線基板である成形回路部品の製造方法が開示されている。

特開２０１２−１３６７６９号公報

特許文献１に開示される成形回路部品の製造方法では、合成樹脂の基体にレーザービームを照射して表面改質し、該表面改質をした部分にイオン触媒を接触させる。しかしながら、表面改質をした部分にイオン触媒を接触させるだけでは、表面改質をしたとは言っても合成樹脂の基体の表面にイオン触媒を付与しただけにすぎず、無電解めっきされることで形成される金属配線は、基体に対して十分な密着性を有さない場合があった。

上記課題を解決するための本発明の配線基板は、金属配線が形成される配線基板であって、樹脂を主成分とし水酸基を有する有機物を含む基板と、前記金属配線を構成する金属めっき層と、を備え、前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、前記基板の一面における前記金属配線の非形成部分よりも粗さが大きく、前記樹脂に入り組んだ状態の前記有機物と、触媒と、を有していることを特徴とする。

本発明の実施例１に係る配線基板及び該配線基板の製造方法を説明するための概略図。 本発明の実施例１に係る配線基板の製造方法のフローチャート。 本発明の実施例２に係る配線基板及び該配線基板の製造方法を説明するための概略図。 本発明の実施例２に係る配線基板の製造方法のフローチャート。

最初に、本発明について概略的に説明する。
上記課題を解決するための本発明の第１の態様の配線基板は、金属配線が形成される配線基板であって、樹脂を主成分とし水酸基を有する有機物を含む基板と、前記金属配線を構成する金属めっき層と、を備え、前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、前記基板の一面における前記金属配線の非形成部分よりも粗さが大きく、前記樹脂に入り組んだ状態の前記有機物と、触媒と、を有していることを特徴とする。

本態様によれば、金属配線としての金属めっき層は、金属配線の非形成部分よりも粗さが大きい位置に配置されている。すなわち、金属配線の非形成部分よりも粗さが大きい位置に金属めっき層が配置されることで金属配線の基板に対する密着性が高くなっている。さらに、金属めっき層は、樹脂に入り組んだ状態の有機物と触媒とを有している位置に配置されている。すなわち、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物の水酸基と触媒とが化学結合することで、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物に結合した触媒を使用して金属めっきがされる。したがって、単に基板の一面に付与された触媒だけでなく、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物及び触媒を使用して金属めっきがされることで、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。
ここで、「触媒」とは、金属めっき層を形成する際の金属の析出反応を行わせる際の触媒を意味する。また、「粗さが大きい」とは、基板の一面の粗された位置が基板の一面の粗されていない位置よりも金属めっき層の密着性が向上していれば足りる意味である。よって、基板の一面を予め粗し、金属めっき層を形成する部分ではない部分を平坦化する場合も「粗さが大きい」に含む。さらに、金属配線の形成部分と非形成部分とにおける基板の一面の粗さを比較する場合、顕微鏡により得られた基板の断面像や接触、非接触による基板の一面の粗さ測定（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）、レーザー顕微鏡、超音波非破壊法、等）により得られた情報から、算術平均粗さ（Ｒａ）、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）等の粗さを示すパラメーターを用いて粗さを数値化し比較する。

本発明の第２の態様の配線基板は、前記第１の態様において、前記有機物の体積密度は、前記基板の厚さ方向における中央側よりも前記基板の一面側のほうが高いことを特徴とする。

本態様によれば、有機物の体積密度は基板の厚さ方向における中央側よりも基板の一面側のほうが高いので、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物を効果的に多くすることができ、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。

本発明の第３の態様の配線基板の配線基板は、金属配線が形成される配線基板であって、樹脂を主成分とする基板と、前記金属配線を構成する金属めっき層と、を備え、前記基板は、水酸基を有する有機物を金属で覆った金属粒子を有し、前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、前記金属粒子が前記樹脂に入り組んだ状態となっていることを特徴とする。

本態様によれば、基板は水酸基を有する有機物を金属で覆った金属粒子を有しており、該基板に入り組んだ状態の該金属粒子に金属を析出させて金属めっき層が形成される構成になっている。このため、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。

本発明の第４の態様の配線基板は、前記第３の態様において、前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、前記基板の一面における前記金属配線の非形成部分よりも粗さが大きい状態となっていることを特徴とする。

本態様によれば、金属配線としての金属めっき層は、金属配線の非形成部分よりも粗さが大きい状態となっている位置に配置されている。すなわち、金属配線の非形成部分よりも粗さが大きい位置に金属めっき層が配置されることで金属配線の基板に対する密着性が高くなっている。

本発明の第５の態様の配線基板は、前記第３または第４の態様において、前記金属粒子の体積密度は、前記基板の厚さ方向における中央側よりも前記基板の一面側のほうが高いことを特徴とする。

本態様によれば、金属粒子の体積密度は基板の厚さ方向における中央側よりも基板の一面側のほうが高いので、基板の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子を効果的に多くすることができ、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。

本発明の第６の態様の配線基板の製造方法は、樹脂を主成分とし水酸基を有する有機物を含む材料を用いて基板を成形する基板成形工程と、前記基板にレーザーを照射するレーザー照射工程と、前記基板におけるレーザーの照射領域に触媒を付与する触媒付与工程と、前記基板における前記触媒が付与されたレーザーの照射領域に金属めっきをする金属めっき工程と、を含むことを特徴とする。

本態様によれば、金属配線としての金属めっきを、レーザーの照射領域に形成する。すなわち、レーザーで粗化された位置に金属めっきを形成することで金属配線の基板に対する密着性が高くなっている。さらに、金属めっきは、レーザーの照射により露出するとともに樹脂に入り組んだ状態の有機物を有している位置に形成される。そして、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物の水酸基と触媒とが化学結合することで、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物に結合した触媒を使用して金属めっきがされる。したがって、単に基板の一面に付与された触媒だけでなく、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物及び触媒を使用して金属めっきがされることで、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。

本発明の第７の態様の配線基板の製造方法は、前記第６の態様において、前記基板成形工程は、前記材料を金型に注入し、前記金型への型締め力を調整することで表面層と内部層とを形成し、前記レーザー照射工程は、前記表面層の前記樹脂を溶発することで前記内部層に含まれる前記有機物を露出させることを特徴とする。

本態様によれば、表面層の樹脂を溶発することで内部層に含まれる有機物を露出させるので、基板の樹脂に入り組んだ状態の有機物を効果的に形成することができ、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。

本発明の第８の態様の配線基板の製造方法は、金属イオンと有機物と触媒とを含む水溶液において前記金属イオンを析出させて金属粒子を得る析出工程と、前記金属粒子と樹脂とを混練する混練工程と、前記混練工程で混練した材料を用いて基板を成形する基板成形工程と、前記基板にレーザーを照射するレーザー照射工程と、前記基板におけるレーザーの照射領域に金属めっきをする金属めっき工程と、を含むことを特徴とする。

本態様によれば、金属配線としての金属めっきを、レーザーの照射領域に形成する。すなわち、レーザーで粗化された位置に金属めっきを形成することで金属配線の基板に対する密着性が高くなっている。さらに、金属めっきは、レーザーの照射により露出するとともに樹脂に入り組んだ状態の金属粒子を有している位置に形成される。そして、基板の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子に対して金属を析出させて金属めっきをすることで、基板の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子を使用して金属めっきがされる。したがって、金属配線の基板に対する密着性を向上することができる。
なお、金属粒子を構成する金属と金属めっきをする際に使用する金属は同じ金属でなくてもよいが、同じ金属であることが好ましい。

以下に、本発明の一実施例に係る配線基板及びの配線基板の製造方法について、添付図面を参照して詳細に説明する。

［実施例１］（図１及び図２）
本発明の実施例１に係る配線基板１及びの配線基板１の製造方法について図１及び図２を参照して説明する。図１では、配線基板１の製造開始状態を表す１番上の図から完成した状態を表す１番下の図まで、配線基板１の製造過程を表している。本実施例の配線基板１は、金属配線が形成される配線基板である。金属配線に使用される金属としては、例えば、銅を好ましく用いることができるが銅に限定されない。

最初に、図１の１番上の図などで表される基板２を形成するため、図２のステップＳ１１０の材料準備工程で、該基板２を構成する材料を準備する。該材料には、主成分となる樹脂と、水酸基を有する有機物と、が含まれる。水酸基を有する有機物としては、例えば、セルロースナノファイバー３が挙げられるが、セルロースナノファイバー３に限定されない。なお、本明細書において「主成分」とは、基板等の材料を構成する成分の５０％以上を示す成分、または、最も大きい割合を占める成分、を意味する。

基板２を構成する材料を準備したら、図２のステップＳ１２０の基板成形工程で、図１の１番上の図で表されるように、基板２を成形する。具体的には、例えば、材料準備工程で準備した材料を金型に注入する。なお、該材料を金型に注入する際、金型への型締め力を調整することで、図１の１番上の図で表されるように、基板２の一面としての表面２ａの近傍において、表面層２ｂと、該表面層２ｂの下側（表面側とは反対側）に形成される内部層２ｃと、を形成することができる。また、図１の１番上の図で表されるように、セルロースナノファイバー３の体積密度を、基板２の厚さ方向における中央２ｄ側よりも表面２ａ側のほうが高くなるようにすることができる。

次に、図１の１番上の図で表される状態の配線基板１に対して、図１の上から２番目の図で表されるように、基板２の表面２ａの一部である金属配線の形成部分４としてのレーザー５の照射領域Ｒ１にレーザー５を照射する。ここで、レーザー５の照射に伴い、金属配線の形成部分４は、表面２ａが粗化されて表面改質されるとともに、表面層２ｂの樹脂が溶発されて内部層２ｃに含まれるセルロースナノファイバー３が露出することで、基板２からセルロースナノファイバー３が露出する。すなわち、金属配線の形成部分４は、表面２ａに凹凸が形成されるとともにセルロースナノファイバー３が基板２の樹脂に入り組んだ状態となる。本実施例の配線基板１の製造方法の観点から説明すると、図２のステップＳ１５０で表されるレーザー照射工程に該当する。

次に、図１の上から２番目の図で表される状態の配線基板１に対して、図１の上から３番目の図で表されるように、基板２の表面２ａに触媒７を付与する。本実施例の配線基板１の製造方法の観点から説明すると、図２のステップＳ１６０で表される触媒付与工程に該当する。ここで、触媒７としては、例えば、パラジウムイオンを使用できる。金属配線に使用される金属として銅を用いた場合、パラジウムイオンは優れた触媒７の効果を有するので、触媒７として好ましくパラジウムイオンを使用することができるが、触媒７はパラジウムイオンに限定されない。セルロースナノファイバーのような水酸基を有する有機物と化学結合可能なカチオン性の触媒であればよい。触媒７がカチオン性であれば、金属配線の形成部分４における基板２の表面２ａから露出したセルロースナノファイバー３に対して化学的に結合される。ここで、基板２の表面２ａに対する触媒７の付与方法は、触媒７を含有する水溶液などを基板２の表面２ａに塗ることや触媒７を含有する水溶液などに基板２を浸漬させることなどによって実行可能であるが、特に限定はない。

そして、図１の上から３番目の図で表される状態の配線基板１に対して、図１の１番下の図で表されるように、金属配線の形成部分４としてのレーザー５の照射領域Ｒ１に金属配線を構成する金属めっきをすることで金属めっき層６を形成する。本実施例の配線基板１の製造方法の観点から説明すると、図２のステップＳ１７０で表される金属めっき工程に該当する。ここで、金属配線としての金属めっき層６の具体的な形成方法に特に限定はないが、無電解めっきをすることが好ましく、例えば、金属配線を構成する金属イオンを含有する水溶液などに浸漬する方法を好ましく実行できる。具体的には、例えば、金属配線を構成する金属が銅ニッケル合金である場合、無電解銅ニッケルめっき液に、図１の上から３番目の図で表される状態の配線基板１を浸漬させ、触媒７としてのパラジウムを核として銅ニッケル合金を析出させる方法を実行できる。

ここで、一旦まとめると、図１の１番下の図で表される本実施例の配線基板１は、金属配線が形成される配線基板であって、樹脂を主成分としセルロースナノファイバー３を含む基板２と、金属配線を構成する金属めっき層６と、を備えている。ここで、基板２の表面２ａにおける金属配線の形成部分４は、基板２の表面２ａにおける金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きく、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３と、触媒７と、を有している。

図１の１番下の図で表される本実施例の配線基板１においては、金属配線としての金属めっき層６は、金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きい位置に配置されている。すなわち、金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きい位置に金属めっき層６が配置されることで金属配線の基板２に対する密着性が高くなっている。さらに、金属めっき層６は、樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３と触媒７とを有している位置に配置されている。すなわち、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３と触媒とが化学結合することで、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３に結合した触媒７を使用して金属めっきがされている。したがって、本実施例の配線基板１は、単に基板２の表面２ａに付与された触媒７だけでなく、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３及び触媒７を使用して金属めっきがされることで、金属配線の基板２に対する密着性を向上している。なお、「金属配線の形成部分４」が「金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きい」とは、「金属配線の形成部分４を粗すことにより形成された状態」のほか、例え金属配線の形成部分４を粗さなかったとしても金属配線の非形成部分１４を金属配線の形成部分４よりも平坦化することにより、結果的に「金属配線の形成部分４が金属配線の非形成部分１４よりも相対的に粗くなっている状態」も含む意味である。

また、上記のように、本実施例の配線基板１においては、セルロースナノファイバー３の体積密度は、基板２の厚さ方向における中央２ｄ側よりも表面２ａ側のほうが高い。このため、本実施例の配線基板１は、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３を効果的に多くすることができており、金属配線の基板２に対する密着性を向上することができている。

また、本実施例の配線基板１の製造方法の観点からまとめると、本実施例の配線基板１の製造方法は、樹脂を主成分としセルロースナノファイバー３を含む材料を用いて基板２を成形するステップＳ１４０の基板成形工程と、基板２の表面２ａの一部にレーザー５を照射するステップＳ１５０のレーザー照射工程と、基板２におけるレーザー５の照射領域Ｒ１に触媒７を付与するステップＳ１６０の触媒付与工程と、基板２における触媒７が付与されたレーザー５の照射領域Ｒ１に金属めっきをするステップＳ１７０の金属めっき工程と、を含んでいる。

本実施例の配線基板１の製造方法では、金属配線としての金属めっきを、レーザー５の照射領域Ｒ１に形成する。すなわち、レーザー５で粗化された位置に金属めっきを形成することで金属配線の基板２に対する密着性が高くなっている。さらに、金属めっきは、レーザー５の照射により露出するとともに樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３を有している位置に形成される。そして、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３の水酸基と触媒７とが化学結合することで、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３に結合した触媒７を使用して金属めっきがされる。したがって、本実施例の配線基板１の製造方法を実行することで、単に基板２の表面２ａに付与された触媒７だけでなく、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３及び触媒７を使用して金属めっきがされることで、金属配線の基板２対する密着性を向上することができる。

また、上記のように、ステップＳ１４０の基板成形工程では、基板２を構成する材料を金型に注入し、金型への型締め力を調整することで、図１の１番上の図で表されるように表面層２ｂと内部層２ｃとを形成することができる。そして、ステップＳ１５０のレーザー照射工程では、表面層２ｂの樹脂を溶発することで内部層２ｃに含まれるセルロースナノファイバー３を露出させることができる。このため、本実施例の配線基板１の製造方法を実行することで、基板２の樹脂に入り組んだ状態のセルロースナノファイバー３を効果的に形成することができ、金属配線の基板２に対する密着性を向上することができる。

［実施例２］（図３及び図４）
次に、本発明の実施例２に係る配線基板１及びの配線基板１の製造方法について図３及び図４を参照して説明する。本実施例の配線基板１も実施例１の配線基板１と同様、金属配線が形成される配線基板である。金属配線に使用される金属としては、例えば、銅を好ましく用いることができるが銅に限定されない。
なお、図３は実施例１の配線基板１における図１に対応する図であり、図４は実施例１の配線基板１の製造方法における図２に対応する図である。なお、上記実施例１と共通する構成部材は同じ符号で示しており、詳細な説明は省略する。

最初に、図４のステップＳ１２０で表される析出工程を実行する。具体的には、図３の上から３番目の図などで表される基板２を形成するため、図３の１番上の図で表されるように、水酸基を有する有機物としてのセルロースナノファイバー３、触媒７、析出させる金属粒子９の主成分となる金属イオンの含有液８、を混ぜ合わせることで金属粒子９を析出させる。さらに具体的には、純水が入った容器にセルロースナノファイバー３、触媒７、金属イオンの含有液８を入れて撹拌する。すると、セルロースナノファイバー３に触媒７が化学結合され、該触媒７を使用して金属イオンがセルロースナノファイバー３をコートしつつ析出する。なお、金属イオンの含有液８に含まれる金属は、後述する金属めっきに使用される金属と同じ金属であることが好ましいが、金属めっきに使用される金属と同じ金属に限定されない。

次に、図３の上から２番目の図で表されるように、ステップＳ１２０の析出工程で析出させて得た金属粒子９と、基板２の主成分である樹脂で構成されたペレット１０と、を容器の中で混練させる。本実施例の配線基板１の製造方法の観点から説明すると、図４のステップＳ１３０で表される混練工程に該当する。

次に、ステップＳ１３０の混練工程で混練された材料を用いて、図４のステップＳ１４０の基板成形工程で、図３の上から３番目の図で表されるように、基板２を成形する。具体的には、実施例１の基板成形工程と同様、混練工程で混練された材料を金型に注入する。なお、実施例１の基板成形工程と同様、該材料を金型に注入する際、金型への型締め力を調整することで、図３の上から３番目の図で表されるように、基板２の表面２ａの近傍において、表面層２ｂと、該表面層２ｂの下側に形成される内部層２ｃと、を形成することができる。また、図３の上から３番目の図で表されるように、金属粒子９の体積密度を、基板２の厚さ方向における中央２ｄ側よりも表面２ａ側のほうが高くなるようにすることができる。

次に、図３の上から３番目の図で表される状態の配線基板１に対して、図３の上から４番目の図で表されるように、基板２の表面２ａの一部である金属配線の形成部分４としてのレーザー５の照射領域Ｒ１にレーザー５を照射する。ここで、レーザー５の照射に伴い、金属配線の形成部分４は、表面２ａが粗化されて表面改質されるとともに、表面層２ｂの樹脂が溶発されて内部層２ｃに含まれる金属粒子９が露出することで、基板２から金属粒子９が露出する。すなわち、金属配線の形成部分４は、表面２ａに凹凸が形成されるとともに金属粒子９が基板２の樹脂に入り組んだ状態となる。本実施例の配線基板１の製造方法の観点から説明すると、図４のステップＳ１５０で表されるレーザー照射工程に該当する。

そして、図３の上から４番目の図で表される状態の配線基板１に対して、図３の１番下の図で表されるように、金属配線の形成部分４としてのレーザー５の照射領域Ｒ１に金属配線を構成する金属めっきをすることで金属めっき層６を形成する。本実施例の配線基板１の製造方法の観点から説明すると、図４のステップＳ１７０で表される金属めっき工程に該当し、実施例１の配線基板１の製造方法における金属めっき工程と同様である。

図３の１番下の図で表される本実施例の配線基板１は、金属配線が形成される配線基板であって、樹脂を主成分とする基板２と、金属配線を構成する金属めっき層６と、を備えている。そして、上記のように、基板２は、セルロースナノファイバー３を金属で覆った金属粒子９を有し、基板２の表面２ａにおける金属配線の形成部分４は、金属粒子９が樹脂に入り組んだ状態となっている。すなわち、本実施例の配線基板１は、基板２に入り組んだ状態の金属粒子９に金属を析出させて金属めっき層６を形成している。このため、金属配線の基板２に対する密着性を向上している。

別の表現をすると、本実施例の配線基板１においては、基板２の表面２ａにおける金属配線の形成部分４は、セルロースナノファイバー３と触媒７とを含み樹脂に入り組んだ状態の金属粒子９を有している。このような構成により、基板２の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子９を使用して金属めっきがされている。このため、本実施例の配線基板１は、金属配線の基板２に対する密着性を向上している。

また、本実施例の配線基板１においては、図３の上から４番目の図で表されるように、基板２の表面２ａにおける金属配線の形成部分４は、図４のステップＳ１５０で表されるレーザー照射工程により、基板２の表面２ａにおける金属配線の非形成部分１４よりも粗化された状態となっている。別の表現をすると、図３の１番下の図で表されるように、金属配線としての金属めっき層６は、金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きい状態となっている位置に配置されている。すなわち、本実施例の配線基板１は、金属配線の非形成部分１４よりも粗さが大きい位置に金属めっき層６が配置されることで金属配線の基板２に対する密着性が高くなっている。

また、上記のように、本実施例の配線基板１においては、金属粒子９の体積密度は、基板２の厚さ方向における中央２ｄ側よりも表面２ａ側のほうが高い。このため、本実施例の配線基板１は、基板２の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子９を効果的に多くすることができており、金属配線の基板２に対する密着性を向上することができている。

また、本実施例の配線基板１の製造方法は、金属イオンとセルロースナノファイバー３と触媒７とを含む水溶液において金属イオンを析出させて金属粒子９を得るステップＳ１２０の析出工程と、金属粒子９とペレット１０である樹脂とを混練するステップＳ１３０の混練工程と、混練工程で混練した材料を用いて基板２を成形するステップＳ１４０の基板成形工程と、基板２の表面２ａの一部にレーザー５を照射するステップＳ１５０のレーザー照射工程と、基板２におけるレーザー５の照射領域Ｒ１に金属めっきをするステップＳ１７０の金属めっき工程と、を含んでいる。

本実施例の配線基板１の製造方法では、金属配線としての金属めっきを、レーザー５の照射領域Ｒ１に形成する。すなわち、レーザー５で粗化された位置に金属めっきを形成することで金属配線の基板２に対する密着性が高くなっている。さらに、金属めっきは、レーザー５の照射により露出するとともに樹脂に入り組んだ状態の金属粒子９を有している位置に形成される。そして、基板２の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子９に対して金属を析出させて金属めっきをすることで、基板２の樹脂に入り組んだ状態の金属粒子９を使用して金属めっきがされる。したがって、本実施例の配線基板１の製造方法を実行することで、金属配線の基板２に対する密着性を向上することができる。
なお、析出工程で析出される金属粒子９を構成する金属と、金属めっき工程で金属めっきをする際に使用する金属と、は同じ金属でなくてもよいが、同じ金属であることが好ましい。

なお、本発明は上記実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることは言うまでもない。

１…配線基板、２…基板、２ａ…基板２の表面（一面）、２ｂ…基板２の表面層、
２ｃ…基板２の内部層、２ｄ…基板２の厚さ方向における中央、
３…セルロースナノファイバー（水酸基を有する有機物）、４…金属配線の形成部分、
５…レーザー、６…金属めっき層（金属配線）、７…触媒、８…金属イオンの含有液、
９…金属粒子、１０…ペレット、１４…金属配線の非形成部分、
Ｒ１…レーザー５の照射領域、Ｒ２…レーザー５の非照射領域

Claims (8)

1. 金属配線が形成される配線基板であって、
   樹脂を主成分とし水酸基を有する有機物を含む基板と、
   前記金属配線を構成する金属めっき層と、
   を備え、
   前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、
   前記基板の一面における前記金属配線の非形成部分よりも粗さが大きく、
   前記樹脂に入り組んだ状態の前記有機物と、触媒と、を有していることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記有機物の体積密度は、前記基板の厚さ方向における中央側よりも前記基板の一面側のほうが高いことを特徴とする配線基板。
3. 金属配線が形成される配線基板であって、
   樹脂を主成分とする基板と、
   前記金属配線を構成する金属めっき層と、
   を備え、
   前記基板は、水酸基を有する有機物を金属で覆った金属粒子を有し、
   前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、前記金属粒子が前記樹脂に入り組んだ状態となっていることを特徴とする配線基板。
4. 請求項３に記載の配線基板において、
   前記基板の一面における前記金属配線の形成部分は、前記基板の一面における前記金属配線の非形成部分よりも粗さが大きい状態となっていることを特徴とする配線基板。
5. 請求項３または４に記載の配線基板において、
   前記金属粒子の体積密度は、前記基板の厚さ方向における中央側よりも前記基板の一面側のほうが高いことを特徴とする配線基板。
6. 樹脂を主成分とし水酸基を有する有機物を含む材料を用いて基板を成形する基板成形工程と、
   前記基板にレーザーを照射するレーザー照射工程と、
   前記基板におけるレーザーの照射領域に触媒を付与する触媒付与工程と、
   前記基板における前記触媒が付与されたレーザーの照射領域に金属めっきをする金属めっき工程と、
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 請求項６に記載の配線基板の製造方法において、
   前記基板成形工程は、前記材料を金型に注入し、前記金型への型締め力を調整することで表面層と内部層とを形成し、
   前記レーザー照射工程は、前記表面層の前記樹脂を溶発することで前記内部層に含まれる前記有機物を露出させることを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 金属イオンと有機物と触媒とを含む水溶液において前記金属イオンを析出させて金属粒子を得る析出工程と、
   前記金属粒子と樹脂とを混練する混練工程と、
   前記混練工程で混練した材料を用いて基板を成形する基板成形工程と、
   前記基板にレーザーを照射するレーザー照射工程と、
   前記基板におけるレーザーの照射領域に金属めっきをする金属めっき工程と、
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

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