JP2020013825A - コイル基板 - Google Patents

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普崇 谷口
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普崇 谷口
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Abstract

【課題】更なる強度の向上が図られたコイル基板の提供。【解決手段】本発明に係るコイル基板10は、磁石90に近づけられる第1面10Fと、第1面10Fと反対側の第2面10Sとを有し、渦巻形のコイルパターン30,31を有する複数の導体層21,23が層間絶縁層22,24を介して積層されてなる。そして、第1面10F側の最外の導体層21に含まれるコイルパターン30の間が層間絶縁層22を構成する樹脂で埋められている。【選択図】図1

Description

本開示は、コイル基板に関する。
特許文献1には、コイルパターンを有する導体層が備えられているコイル基板が示されている。
特開2004−172512号公報(図1)
上記したコイル基板においては、更なる強度の向上が求められている。
上記課題を解決するためになされた請求項1の発明は、第1面と、第1面と反対側の第2面とを有し、渦巻形のコイルパターンを有する複数の導体層が層間絶縁層を介して積層されてなるコイル基板である。そして、第1面側の最外の導体層に含まれるコイルパターンの間が層間絶縁層を構成する樹脂で埋められている。
コイル基板の側断面図 図1のA−Aの切断面における第1導体層の平断面図 (A)図1のB−Bの切断面における第2導体層の平断面図,(B)図1のC−Cの切断面における第3導体層の平断面図 コイル基板の拡大側断面図 コイル基板の製造工程を示す側断面図 コイル基板の製造工程を示す側断面図 コイル基板の製造工程を示す側断面図 コイル基板の製造工程を示す側断面図 コイル基板の製造工程を示す側断面図 コイル基板の製造工程を示す側断面図 コイル基板の使用例を示す側断面図
以下、本実施形態を図1〜図11に基づいて説明する。本実施形態のコイル基板10は、図1に示されるように、複数の導体層21,23及び複数の層間絶縁層22,24が交互に積層されてなる。そして、その表裏の両面にソルダ―レジスト層26,26が積層されている。なお以下では、コイル基板10のうち表側の面を第1面10Fといい、裏側の面を第2面10Sという。
また、複数の導体層21,23を区別するときには、第1面10F側の最外の導体層21から第2面10S側の最外の導体層23に向かって、順番に、第1導体層21、第2導体層23A、第3導体層23B,第4導体層23C,第5導体層23Dということとする。また、複数の層間絶縁層22,24を区別するときには、第1導体層21と隣り合う層間絶縁層22を第1層間絶縁層22、その他の層間絶縁層24を第2層間絶縁層24という。
第1層間絶縁層22と第2層間絶縁層24とは、異なる材質で構成されている。第1層間絶縁層22は、補強材を含まない絶縁樹脂で構成されている。例えば、第1層間絶縁層22はエポキシ系樹脂にシリカフィラーを含有させてなるビルドアップ用樹脂フィルムである。第2層間絶縁層24は、補強材を有する絶縁樹脂層で構成されている。例えば、第2層間絶縁層24は、ガラスクロスに樹脂が含浸されてなるプリプレグで構成される。
各導体層21,23には、それぞれコイルパターン30,31が備えられている。それらコイルパターン30,31はコイル基板10の板厚方向に並んでいる。図2には、コイル基板10の平面形状と共に、第1面10F側から見た第1導体層21の平面形状が示されている。コイル基板10の平面形状は、横長の四角形をなしている。第1導体層21は、コイルパターン30を有している。そのコイルパターン30は、外側端部から内側端部に向かって直線部と、直角に曲がる屈曲部とを交互に連ねてなる。コイルパターン30は、全体が略四角形で、外側端部から内側端部に向かうに従って、反時計回りの渦巻形をなしている。コイルの巻き数は5である。
図3(A)には、第1面10F側から見た第2導体層23Aの平面形状が示されている。また、第4導体層23Cは、第1面10F側から見た平面形状が第2導体層23Aと同じになっている。第2導体層23A及び第4導体層23Cは、コイルパターン31Aと、第1導体層21のコイルパターン30の外側端部と接続されるランド部33を有している。コイルパターン31Aは、外側端部から内側端部に向かうに従って、時計回りの渦巻きになっている。コイルの巻き数は3である。
図3(B)には、第1面10F側から見た第3導体層23Bの平面形状が示されている。また、第5導体層23Dは、第1面10F側から見た平面形状が第3導体層23Bと同じになっている。第3導体層23B及び第5導体層23Dは、コイルパターン31Bとランド部33とを有している。コイルパターン31Bは、外側端部から内側端部に向かうに従って、反時計回りの渦巻きになっている。コイルの巻き数は3である。
図1に示されるように、コイルパターン30,31同士は、層間絶縁層22,24を貫通するビア導体17によって直列接続されている。ビア導体17は、第2面10S側から第1面10F側に向かうに従って縮径している。隣り合う導体層21,23のコイルパターン30,31は、第1面10F側から、内側端部同士、外側端部同士、内側端部同士、外側端部同士の順番で接続されて、複数のコイルパターン30,31の直列回路が構成されている。これにより、複数のコイルパターン30,31の直列回路に電流が流れたときには、各コイルパターン30,31に発生する磁束が同じ方向を向く。また、その直列回路の両端末となるパッド29がコイル基板10の第2面10S側に備えられている。
S面10S側のソルダーレジスト層26には、第5導体層23Dの一部を露出させる複数の開口26Hが形成されている。第5導体層23Dのランド部33(図1には図示せず)及びコイルパターン31Bの外側端部の一部が開口26Hから露出してパッド29を構成する。また、F面10F側のソルダーレジスト層26には開口26Aが形成されている。そして、開口26Aからは第1導体層21のコイルパターン30が露出している。
図4に示されるように、本実施形態のコイル基板10は、第1導体層21のコイルパターン30の配線間の隙間に、第1層間絶縁層22の樹脂の一部が充填されている。また、コイルパターン30の断面形状は略矩形になっている。
また、第1導体層21のコイルパターン30の巻き数は、他の導体層23のコイルパターン31の巻き数よりも多くなっている。第1導体層21のコイルパターン30の配線幅L1は、他の導体層23のコイルパターン31の配線幅L2よりも小さい。さらに第1導体層21のコイルパターン30の配線の間隔S1は、他の導体層23のコイルパターン31の配線の間隔S2よりも小さい。なお、第1導体層21におけるコイルパターン30の配線幅L1は13〜20[μm]であり、配線同士の間隔S1は13〜20[μm]である。その他の導体層23におけるコイルパターン31の配線幅L2は20〜40[μm]であり、配線同士の間隔S2は20〜40[μm]である。
次に、本実施形態のコイル基板10の製造方法について説明する。
(1)図5(A)に示されるように、支持基板50の表側の面であるF面50Fと裏側の面であるS面50Sとに、銅製のキャリア34,34が積層されている支持部材51が用意される。支持基板50は、樹脂層50Aの表裏の両面に銅箔50Dが積層されてなり、支持基板50の銅箔50Dとキャリア34とは外周部同士が接着されている。なお、支持基板50のF面50F側のキャリア34上とS面50S側のキャリア34上とには同じ処理が施される。
(2)図5(B)に示されるように、支持部材51のキャリア34上に所定パターンのめっきレジスト35が形成される。
(3)図5(C)に示されるように、電解銅めっき処理が行われてキャリア34上のうちめっきレジスト35から露出している部分に銅めっき層36が形成される。
(4)めっきレジスト35が剥離され、図5(D)に示されるように、残された銅めっき層36より、コイルパターン30を有する第1導体層21が形成される。
(5)図5(E)に示されるように、第1導体層21上に第1層間絶縁層22が積層されて、加熱プレスされる。そして、隣り合う第1導体層21に形成されているコイルパターン30同士の間の隙間に第1層間絶縁層22を構成する樹脂が入り込む。
(6)図6(A)に示されるように、第1層間絶縁層22にCO2レーザーが照射されて、ビアホール22Hが形成される。ビアホール22Hは、第1導体層21上に配置される。
(7)次いで、無電解めっき処理が行われ、第1層間絶縁層22上と、ビアホール22H内とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。次いで、図6(B)に示されるように、無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト35が形成される。
(8)図6(C)に示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきがビアホール22H内に充填されてビア導体17が形成され、さらには、第1層間絶縁層22上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト35から露出している部分に電解めっき膜38が形成される。
(9)めっきレジスト35が剥離されると共に、めっきレジスト35の下方の無電解めっき膜(図示せず)が除去され、図6(D)に示されるように、電解めっき膜38及び無電解めっき膜により、第1層間絶縁層22上にコイルパターン31Aを有する第2導体層23Aが形成される。そして、第1導体層21と第2導体層23Aとがビア導体17によって接続される。
(10)図7(A)に示されるように、第2導体層23A上に、第2層間絶縁層24と、第2層間絶縁層24に重ねられた銅箔24Cとが積層されて、加熱プレスされる。
(11)図7(B)に示されるように、銅箔24C及び第2層間絶縁層24にCO2レーザーが照射されて、ビアホール24Hが形成される。ビアホール24Hは、第2導体層23A上に配置される。
(12)次いで、無電解めっき処理が行われ、銅箔24C上と、ビアホール24H内とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。次いで、図7(C)に示されるように、無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト35が形成される。
(13)図8(A)に示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきがビアホール24H内に充填されてビア導体17が形成され、さらには、銅箔24C上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト35から露出している部分に電解めっき膜38が形成される。
(14)めっきレジスト35が剥離されると共に、めっきレジスト35の下方の無電解めっき膜(図示せず)及び銅箔24Cが除去され、図8(B)に示されるように、残された銅箔24C、電解めっき膜38及び無電解めっき膜により、第2層間絶縁層24上にコイルパターン31Bを有する第3導体層23Bが形成される。そして、第2導体層23Aと第3導体層23Bとがビア導体17によって接続される。
(15)上述した(10)〜(14)と同様の処理により、図8(C)及び図9(A)に示されるように、第2層間絶縁層24を介して第4導体層23C及び第5導体層23Dが形成される。
(16)図9(B)に示されるように、キャリア34が支持基板50から剥離される。
(17)図10(A)に示されるように、キャリア34がエッチングにより除去される。
(18)図10(B)に示されるように、第1導体層21上及び第5導体層23D上にソルダーレジスト層26が形成される。
(19)図10(C)に示されるように、F面10F側のソルダーレジスト層26に開口26Aが形成され第1導体層21のコイルパターン30が露出される。また、S面10S側のソルダーレジスト層26の所定箇所にテーパー状の開口26Hが形成され、ソルダーレジスト層26の所定箇所にテーパー状の開口26Hが形成され、第5導体層23Dのうち開口26Hから露出した部分がパッド29になる。以上で図1に示されるコイル基板10が完成する。
本実施形態のコイル基板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次にコイル基板10の使用例と作用効果とを説明する。本実施形態のコイル基板10は、例えば、図11に示されるように、磁石90に第1面10Fが近づけられるように配置される。
本実施形態のコイル基板10では、磁石90側に配置される第1導体層21のコイルパターン30間の隙間が第1層間絶縁層22の樹脂によって埋められている。これにより、第1導体層21のコイルパターン30間の隙間が第1層間絶縁層22の樹脂によって埋められていないものと比べて、強度の向上を図ることができる。
また、磁石90に最も近づけられる第1面10F側に形成されている第1導体層21のコイルパターン30の巻き数を、他の導体層23のコイルパターン31の巻き数よりも多くすることができる。
さらに、第1導体層21のコイルパターン30は断面形状が略矩形であるので、断面形状が台形のものと比べて、コイルパターン30の占積率をあげる事が出来る。なお、製造工程(5)において、第1導体層21のコイルパターン30の隙間が第1層間絶縁層22の樹脂の一部によって埋められている。これにより、製造工程(17)において、キャリア34を除去するときに、第1導体層21のコイルパターン30が横方向からエッチングされることが抑制されている。
[他の実施形態]
(1)上記実施形態では、第1層間絶縁層22と、第2層間絶縁層24とが、異なる材質で構成されていたが、同じ材質で構成されてもよい。例えば、層間絶縁層22,24の全てが補強材を有する樹脂で構成されてもよいし、層間絶縁層22,24の全てが補強材を有さない樹脂で構成されてもよい。
(2)上記実施形態では、コイルパターン30の巻き数が、コイルパターン31の巻き数よりも多い構成であったが同じであってもよいし、コイルパターン30のコイルパターン30の巻き数が、コイルパターン31の巻き数よりも少ない構成であってもよい。
(3)上記実施形態では、コイルパターン30の配線幅L1とコイルパターン31の配線幅L2が異なる構成であったが、同じであってもよい。この場合、コイルパターン30の配線同士の間隔S1とコイルパターン31の配線同士の間隔S2とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。
(4)上記実施形態では、コイルパターン30の配線同士の間隔S1とコイルパターン31の配線同士の間隔S2が異なる構成であったが、同じであってもよい。この場合、コイルパターン30の配線幅L1とコイルパターン31の配線幅L2とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。
10 コイル基板
10F 第1面
10S 第2面
17 ビア導体
21,23 導体層
22,24 層間絶縁層
29 パッド
30,31 コイルパターン
50 支持基板
90 磁石

Claims (6)

  1. 第1面と、前記第1面と反対側の第2面とを有し、渦巻形のコイルパターンを有する複数の導体層が層間絶縁層を介して積層されてなるコイル基板であって、
    前記第1面側の最外の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの間が前記層間絶縁層を構成する樹脂で埋められている。
  2. 請求項1に記載のコイル基板であって、
    前記第1面側の前記最外の導体層に含まれる前記コイルパターンの配線幅は、他の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの配線幅よりも狭い。
  3. 請求項1又は2に記載のコイル基板であって、
    前記第1面側の前記最外の導体層に含まれる前記コイルパターンの配線同士の間隔は、他の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの配線同士の間隔よりも狭い。
  4. 請求項1乃至3の何れか1の請求項に記載のコイル基板であって、
    さらに、前記層間絶縁層を貫通して、前記導体層に含まれる前記コイルパターン同士を接続する複数のビア導体を有し、
    全ての前記ビア導体は、前記第2面側から前記第1面側に向かって縮径している。
  5. 請求項1乃至4の何れか1の請求項に記載のコイル基板であって、
    前記第1面側の最外の導体層に含まれる前記コイルパターンの配線は断面が矩形である。
  6. 請求項1乃至5の何れか1の請求項に記載のコイル基板であって、
    さらに、前記第1面側の前記最外の導体層上にはソルダーレジスト層が形成され、
    前記ソルダーレジスト層から、前記第1面側の前記最外の導体層に含まれる前記コイルパターンが露出されている。
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