JP2020004744A - 高周波モジュール - Google Patents

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孝紀 上嶋
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Abstract

【課題】基板の表面を封止樹脂で覆う構成であっても、反りによる実装への影響を抑制する。【解決手段】高周波モジュール１０は、実装基板２０、電子部品３１、３２、３３、封止樹脂４０、および、ランド導体２２０、２４０を備える。実装基板２０は、表面２０１と裏面２０２と側面２０３とを有する。ランド導体２２０、２４０は、裏面２０２に形成されている。電子部品３１、３２、３３は、実装基板２０の表面２０１に実装されている。側面２０３に近いランド導体２２０における実装面２２１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１は、ランド導体２２０よりも中央側のランド導体２４０における実装面２４１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ２よりも大きい。【選択図】 図１

Description

本発明は、表面に高周波用の電子部品が実装され、裏面にランド導体が形成された実装基板と、実装基板の表面を覆う絶縁性樹脂とを備える高周波モジュールに関する。
現在、所定機能を実現するための複数の電子部品を用いて、１個のパッケージ化されたモジュールとする技術が各種考案されている。
例えば、特許文献１には、基板の表面に電子部品を実装した高周波モジュールが記載されている。特許文献１に記載の高周波モジュールでは、基板の裏面に、複数のランド導体が形成されている。また、特許文献１に記載の高周波モジュールでは、基板の表面は、封止樹脂で覆われている。
特開２００３−１２４７０１号公報
しかしながら、基板を封止樹脂で覆う場合、基板の線膨張係数と封止樹脂の線膨張係数との差から、高周波モジュールの熱履歴によって、基板が反ってしまうことがある。
この場合、基板の裏面が反ってしまうため、高周波モジュールを回路基板に実装できなくなってしまう。
したがって、本発明の目的は、基板の表面を封止樹脂で覆う構成であっても、回路基板に実装できる高周波モジュールを提供することにある。
この発明の高周波モジュールは、実装基板、電子部品、封止樹脂、および、を備える。実装基板は、互いに対向する一方主面および他方主面を有する。電子部品は、実装基板における一方主面に実装されている。封止樹脂は、実装基板における一方主面、および、複数の電子部品の少なくとも一部を覆っている。複数のランド導体は、実装基板における他方主面に形成されている。複数のランド導体は、第１ランド導体と、第１ランド導体よりも中央側に形成された第２ランド導体とを有する。第１ランド導体は、実装基板側の一方主面と、該一方主面に対向する他方主面とを有し、第２ランド導体は、実装基板側の一方主面と、該一方主面に対向する他方主面とを有する。第１ランド導体における他方主面と、実装基板における他方主面との距離は、第２ランド導体における他方主面と、実装基板における他方主面との距離よりも大きい。
この構成では、熱履歴によって、第１端面が中央よりも基板の表面側になるように、基板が反っても、第１ランド導体における他方主面（第１実装面）と、第２ランド導体における他方主面（第２実装面）との高さ方向の位置の差が小さくなる。
この発明によれば、基板の表面を封止樹脂で覆う構成であっても、反りによる実装への影響を抑制し、回路基板に実装できる。
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す第１の側面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す第２の側面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す平面図である。 （Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る構成を用いた場合の他の回路基板への実装状態を示す模式図であり、（Ｂ）は、従来の構成（比較構成）を用いた場合の他の回路基板への実装状態を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールの構成の一部を示す側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る構成を用いた場合の他の回路基板への実装状態を示す模式図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールの構成の一部を示す側面断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る高周波モジュールの構成の一部を示す側面断面図である。
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す第１の側面断面図である。図１は、図３に示すＡ−Ａ断面を示している。図２は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す第２の側面断面図である。図２は、図３に示すＢ−Ｂ断面を示している。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す平面図である。なお、図３は、実装基板は裏面側から視た図であるが、ＺｎＰＡ、ＺｎＬＮＡ、ＺｎＳＷ、ＺｎＦＬは、実装基板の表面側における領域を示すものである。
図１、図２、図３に示すように、高周波モジュール１０は、実装基板２０、電子部品３１、電子部品３２、電子部品３３、および、封止樹脂４０を備える。
実装基板２０は、直方体形状の平板である。実装基板２０は、表面２０１、裏面２０２、側面２０３、側面２０４、側面２０５、および側面２０６を備える。側面２０３と側面２０４とは対向しており、側面２０５と側面２０６とは対向している。表面２０１が本発明の「実装基板における一方主面」に対応し、裏面２０２が本発明の「実装基板における他方主面」に対応する。
ここで、側面２０３から側面２０４に向かう方向をＸ方向とし、側面２０５から側面２０６に向かう方向をＹ方向とし、裏面２０２から表面２０１に向かう方向をＺ方向とする。
実装基板２０は、主として、セラミック、または、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料を主体として、高周波モジュール１０を実現するための導体パターンが形成されている。実装基板２０は、一枚の基板であってもよく、複数の絶縁体層を積層してなる積層体であってもよい。実装基板２０の表面２０１には、複数の部品実装用の導体パターンが形成されている。
実装基板２０の表面２０１には、上述の複数の部品実装用の導体パターンに対して、電子部品３１、電子部品３２、電子部品３３が実装されている。電子部品３１は、側面２０３に近接する位置に実装されており、電子部品３３は、側面２０４に近接する位置に実装されている。電子部品３２は、電子部品３１と電子部品３３との間の領域に実装されている。
実装基板２０の表面２０１には、電子部品３１、電子部品３２、および電子部品３３を覆うように、封止樹脂４０が形成されている。封止樹脂４０は、例えば、エポキシ樹脂等からなる。封止樹脂４０は、実装基板２０と線膨張係数が異なる。
実装基板２０の裏面２０２には、ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０が形成されている。ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０は、高周波モジュール１０の仕様に応じて、それぞれに所定数形成されている。平面視した状態でのランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０の形状は、例えば略矩形である。ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０は、同じ厚みである。
ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０は、高周波モジュール１０の仕様に応じて、図１、図２、図３に示すように、所定の配列パターンで形成されている。
例えば、図１に示すように、実装基板２０の側面２０３から側面２０４に向かって（第１方向（Ｘ方向）に沿って）、ランド導体２２０、ランド導体２４０、ランド導体２３０の順に形成されている。言い換えれば、側面２０３を基準として、側面２０３に近接する領域に、ランド導体２２０が形成されており、ランド導体２２０よりも側面２０３から離間する領域（第１方向においてランド導体２２０よりも中央側）に、ランド導体２４０が形成されている。すなわち、側面２０３を本発明の「第１側面」とすると、ランド導体２２０は本発明の「第１ランド導体」となり、ランド導体２４０は本発明の「第２ランド導体」となる。ランド導体２２０は、実装基板２０側の主面（本発明の「第１ランド導体における一方主面」に対応する。）と、この主面に対向する実装面２２１とを有する。実装面２２１が本発明の「第１ランド導体における他方主面」に対応する。ランド導体２４０は、実装基板２０側の主面（本発明の「第２ランド導体における一方主面」に対応する。）と、この主面に対向する実装面２４１とを有する。実装面２４１が本発明の「第２ランド導体における他方主面」に対応する。
逆に、側面２０４を基準として、側面２０４に近接する領域に、ランド導体２３０が形成され、ランド導体２３０よりも側面２０４から離間する領域（第１方向においてランド導体２３０よりも中央側）に、ランド導体２４０が形成されている。すなわち、側面２０４を本発明の「第１側面」とすると、ランド導体２３０は本発明の「第１ランド導体」となり、ランド導体２４０は本発明の「第２ランド導体」となる。ランド導体２３０は、実装基板２０側の主面（本発明の「第１ランド導体における一方主面」に対応する。）と、この主面に対向する実装面２３１とを有する。実装面２３１が本発明の「第１ランド導体における他方主面」に対応する。
ランド導体２２０と実装基板２０の裏面２０２との間には、絶縁性の補助層２１１が配置されている。絶縁性の補助層２１１は、例えば、実装基板２０と同様の材料からなる。一方、ランド導体２４０は実装基板２０の裏面２０２に当接している。言い換えれば、ランド導体２４０と実装基板２０の裏面２０２との間には、他の部材が介在していない。
このような構成とすることで、ランド導体２２０の実装面２２１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１は、ランド導体２４０の実装面２４１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ２よりも大きくなる（Ｄ１１＞Ｄ２）。この距離の差は、実装基板２０の線膨張係数と封止樹脂４０の線膨張係数との差、実装基板２０の面積によって決定されている。
ここで、高周波モジュール１０の形成時、例えば、封止樹脂４０を塗布して硬化させる時等に熱が加わると、実装基板２０と封止樹脂４０との線膨張係数の差から、実装基板２０は、中央から側面２０３に向かって、実装基板２０の表面２０１側に反ってしまう。
しかしながら、上述の構成を備えることで、距離Ｄ１１と距離Ｄ２との差によって、ランド導体２２０の実装面２２１とランド導体２４０の実装面２４１との高さ方向（Ｚ方向）の位置の差は小さくなる。
図４（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る構成を用いた場合の他の回路基板への実装状態を示す模式図であり、図４（Ｂ）は、従来の構成（比較構成）を用いた場合の他の回路基板への実装状態を示す模式図である。
図４（Ａ）に示すように、本実施形態の構成を用いることによって、実装基板２０が反っても、側面２０３の近傍のランド導体２２０が、回路基板９０の実装用の導体パターン９１から離れてしまうことを抑制できる。そして、ランド導体２２０を導体パターン９１に対して、はんだ９２によって接合できる。
一方、図４（Ｂ）に示すように、本実施形態の構成を用いなければ、実装基板２０が反ることによって、側面２０３の近傍のランド導体２２０は、回路基板９０の実装用の導体パターン９１から離れてしまう。このため、図４（Ｂ）に示すように、ランド導体２２０と導体パターン９１の接合面積が小さくなり、最悪の場合、ランド導体２２０と導体パターン９１とを接合できない。
このように、本実施形態の構成を用いることによって、回路基板９０に対して、高周波モジュール１０のランド導体２２０を容易に実装できる。なお、図４（Ａ）に示すように、反りの影響を受けないランド導体２４０は、当然に、回路基板９０に対して実装できる。
上述の説明では、Ｘ方向の場合、且つ、側面２０３の近傍の場合を例として示したが、図１に示すように、Ｘ方向における側面２０４の近傍においても同様である。
ランド導体２３０と実装基板２０の裏面２０２との間には、絶縁性の補助層２１２が配置されている。絶縁性の補助層２１２は、例えば、実装基板２０と同様の材料からなる。一方、ランド導体２４０は実装基板２０の裏面２０２に当接している。
このような構成とすることで、ランド導体２３０の実装面２３１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１２は、ランド導体２４０の実装面２４１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ２よりも大きくなる（Ｄ１２＞Ｄ２：図１参照）。
したがって、実装基板２０が反っても、側面２０４の近傍のランド導体２３０を、他の回路基板に対して実装できる。
さらに、上述の説明では、Ｘ方向について示したが、Ｙ方向においても同様である。図２に示すように、Ｙ方向においては、側面２０５から側面２０６に向かって、ランド導体２２０、ランド導体２４０、ランド導体２２０の順で形成されている。ランド導体２２０と実装基板２０の裏面２０２との間には、補助層２１１が配置されている。
このような構成とすることで、側面２０５の近傍および側面２０６の近傍のランド導体２３０の実装面２３１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１は、ランド導体２４０の実装面２４１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ２よりも大きくなる（Ｄ１１＞Ｄ２）。
したがって、実装基板２０が反っても、側面２０５の近傍のランド導体２２０、および、側面２０６の近傍のランド導体２２０を、他の回路基板に対して確実に実装できる。
以上のように、本実施形態の構成を用いることで、実装基板２０に反りが発生しても、ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０の全てを、他の回路基板に実装できる。
また、この構成では、補助層２１１および補助層２１２を、実装基板２０と同様の材料から形成している。これにより、補助層２１１および補助層２１２と実装基板２０とを、積層して、容易に形成できる。すなわち、実装基板２０の反りの悪影響を抑制する構造を、容易に形成できる。また、補助層２１１および補助層２１２を備えることによって、各側面の近傍の反り自体を緩和することも可能である。
また、この構成では、ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０の厚みが同じであるので、１つの工程で、１種類の条件によって、ランド導体２２０、ランド導体２３０、および、ランド導体２４０を同時に形成できる。したがって、高周波モジュール１０を、容易に形成できる。
さらに、本実施形態の構成では、次の作用効果を得られる。高周波モジュール１０は、例えば、無線通信用の高周波フロントエンド回路を実現する。この場合、電子部品３１として、パワーアンプＰＡを実現する電子部品を用いる。すなわち、電子部品３１は、発熱性の高い電子部品である。電子部品３３として、ローノイズアンプＬＮＡを実現する電子部品を用いる。すなわち、電子部品３３は、発熱性の低い電子部品である。電子部品３４として、スイッチ、フィルタ、デュプレクサを実現する電子部品である。すなわち、電子部品３４は、殆ど発熱しない電子部品である。
電子部品３１は、図３に示す領域ＺｎＰＡに重なるように、実装基板２０に実装されている。電子部品３３は、図３に示す領域ＺｎＬＮＡに重なるように、実装基板２０に実装されている。フィルタ、デュプレクサを実現する電子部品３４は、図３に示す領域ＺｎＦＬに重なるように、実装基板２０に実装されている。スイッチを実現する電子部品３４は、図３に示す領域ＺｎＳＷに重なるように、実装基板２０に実装されている。
ここで、放熱性を鑑みると、発熱性の高い電子部品３１は、実装基板２０の側面付近に配置されることが好ましい。すなわち、発熱性の高い電子部品３１を実装基板２０の側面付近に配置することで、電子部品３１の熱を高周波モジュール１０の外部へ放熱し易い。このため、図３に示すように、領域ＺｎＰＡは、側面２０３に近接する位置に配置されている。これにより、電子部品３１の放熱効率を向上できる。
さらに、この構成では、領域ＺｎＰＡは、補助層２１１の配置領域に重なっている。このため、例えば、電子部品３１の熱によって実装基板２０が反っても、補助層２１１を有することによって、回路基板とランド導体２２０の実装面２２１との距離を短くできる。これにより、ランド導体２２０の実装状態を維持できる。
また、この構成では、領域ＺｎＬＮＡは、側面２０４に近接する位置に配置されている。したがって、電子部品３３が発熱して実装基板２０が反ったとしても、補助層２１２を有することによって、回路基板とランド導体２３０との距離を短くできる。これにより、ランド導体２３０の実装状態を維持できる。
このように、高周波モジュール１０は、実装される電子部品の放熱性を確保しながら、且つ、高周波モジュール１０の形成時、高周波モジュール１０の動作時の熱履歴による実装基板２０の反りから生じる回路基板への実装不良を抑制できる。
次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図５は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールの構成の一部を示す側面断面図である。
図５に示すように、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａは、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０に対して、実装基板２０の側面近傍の構成において異なる。高周波モジュール１０Ａの他の構成は、高周波モジュール１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図５に示すように、高周波モジュール１０Ａは、ランド導体２２０１、ランド導体２２０２、および、ランド導体２４０を有する。ランド導体２２０１、ランド導体２２０２、および、ランド導体２４０は、実装基板２０の裏面２０２側に形成されている。ランド導体２２０１の厚み、ランド導体２２０２の厚み、および、ランド導体２４０の厚みは、略同じである。
実装基板２０のＸ方向に沿って、側面２０３側から、ランド導体２２０１、ランド導体２２０２、ランド導体２４０の順で形成されている。この場合、側面２０３が本発明の「第１側面」として、ランド導体２２０１が本発明の「第１ランド導体」となり、ランド導体２４０が本発明の「第２ランド導体」となり、ランド導体２２０２が本発明の「第３ランド導体」となる。
ランド導体２２０１は、実装基板２０側の主面（本発明の「第１ランド導体における一方主面」に対応する。）と、この主面に対向する実装面２２１１とを有する。実装面２２１１が本発明の「第１ランド導体における他方主面」に対応する。ランド導体２４０は、実装基板２０側の主面（本発明の「第２ランド導体における一方主面」に対応する。）と、この主面に対向する実装面２４１とを有する。実装面２４１が本発明の「第２ランド導体における他方主面」に対応する。ランド導体２２０２は、実装基板２０側の主面（本発明の「第３ランド導体における一方主面」に対応する。）と、この主面に対向する実装面２２１２とを有する。実装面２２１２が本発明の「第３ランド導体における他方主面」に対応する。
ランド導体２２０１と実装基板２０の裏面２０２との間には、絶縁性の補助層２１１１が配置されている。ランド導体２２０２と実装基板２０の裏面２０２との間には、絶縁性の補助層２１１２が配置されている。補助層２１１１および補助層２１１２は、実装基板２０と同様の材料からなる。
補助層２１１１の厚みは、補助層２１１２の厚みよりも大きい。
したがって、ランド導体２２０１の実装面２２１１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１１は、ランド導体２２０２の実装面２２１２と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１２よりも大きい。さらに、ランド導体２２０２の実装面２２１２と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１２は、ランド導体２４０の実装面２４１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ２よりも大きい。すなわち、Ｄ１１１＞Ｄ１１２＞Ｄ２の関係にある。
これにより、厚み方向（Ｚ方向）において、ランド導体２４０の実装面２４１の位置と、ランド導体２２０２の実装面２２１２の位置と、ランド導体２２０１の実装面２２１１の位置との差が小さくなる。
図６は、本発明の第２の実施形態に係る構成を用いた場合の他の回路基板への実装状態を示す模式図である。図６に示すように、本実施形態の構成を用いることによって、実装基板２０が反っても、側面２０３の近傍のランド導体２２０１およびランド導体２２０２が、回路基板９０の実装用の導体パターン９１から離れてしまうことを抑制できる。そして、ランド導体２２０１およびランド導体２２０２を、それぞれ導体パターン９１に対して、はんだ９２によって、より確実に接合できる。
このように、高周波モジュール１０Ａは、熱履歴による実装基板２０の反りから生じる回路基板への実装不良を、さらに確実に抑制できる。
次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図７は、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールの構成の一部を示す側面断面図である。
図７に示すように、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂは、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａに対して、実装基板２０の側面近傍の構成において異なる。高周波モジュール１０Ｂの他の構成は、高周波モジュール１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図７に示すように、高周波モジュール１０Ｂは、ランド導体２２０１Ｂを備えている。一方、高周波モジュール１０Ｂは、高周波モジュール１０Ａに対して、補助層２１１１を省略している。
ランド導体２２０１Ｂの厚みは、ランド導体２４０およびランド導体２２０２の厚みよりも大きい。ランド導体２２０１Ｂの厚みは、高周波モジュール１０Ａにおけるランド導体２２０１と補助層２１１１とを合わせた厚みと同じである。このため、ランド導体２２０１Ｂの実装面２２１１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１１は、ランド導体２２０２の実装面２２１２と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１２よりも大きい。すなわち、Ｄ１１１＞Ｄ１１２（＞Ｄ２）の関係にある。
したがって、厚み方向（Ｚ方向）において、ランド導体２４０の実装面２４１の位置と、ランド導体２２０２の実装面２２１２の位置と、ランド導体２２０１Ｂの実装面２２１１の位置との差が小さくなる。これにより、高周波モジュール１０Ｂは、高周波モジュール１０Ａと同様に、熱履歴による実装基板２０の反りから生じる回路基板への実装不良を、さらに抑制できる。
また、ランド導体の厚みのみで、高さの差を実現するため、補助層の形成を必要としない。したがって、高周波モジュール１０Ｂを、より簡素な工程で製造できる。
次に、本発明の第４の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図８は、本発明の第４の実施形態に係る高周波モジュールの構成の一部を示す側面断面図である。
図８に示すように、第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃは、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂに対して、実装基板２０の側面近傍の構成において異なる。高周波モジュール１０Ｃの他の構成は、高周波モジュール１０Ｂと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図８に示すように、高周波モジュール１０Ｃは、ランド導体２２０１Ｃ、および、ランド導体２２０２Ｃを備えている。ランド導体２２０１Ｃは、高周波モジュール１０Ｂのランド導体２２０１Ｂと同じである。一方、高周波モジュール１０Ｃは、高周波モジュール１０Ｂに対して、補助層２１１２を省略している。
ランド導体２２０２Ｃの厚みは、ランド導体２４０の厚みよりも大きく、ランド導体２２０１Ｃの厚みよりも小さい。ランド導体２２０１Ｃの厚みは、高周波モジュール１０Ａ、１０Ｂにおけるランド導体２２０２と補助層２１１２とを合わせた厚みと略同じである。このため、ランド導体２２０２Ｃの実装面２２１２と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１２は、ランド導体２２０１Ｃの実装面２２１１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１１よりも小さい。また、ランド導体２２０２Ｃの実装面２２１２と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ１１２は、ランド導体２４０の実装面２４１と実装基板２０の裏面２０２との距離Ｄ２よりも大きい。すなわち、Ｄ１１１＞Ｄ１１２＞Ｄ２の関係にある。
したがって、厚み方向（Ｚ方向）において、ランド導体２４０の実装面２４１の位置と、ランド導体２２０２Ｃの実装面２２１２の位置と、ランド導体２２０１Ｃの実装面２２１１の位置との差が小さくなる。これにより、高周波モジュール１０Ｃは、高周波モジュール１０Ａ、１０Ｂと同様に、熱履歴による実装基板２０の反りから生じる回路基板への実装不良を、さらに抑制できる。
なお、上述の説明では、実装基板２０の表面２０１に、電子部品を実装して、封止樹脂４０で覆う態様を示した。しかしながら、実装基板２０の裏面２０２に、電子部品を実装して、封止樹脂で覆ってもよい。この場合でも、表面２０１側の構成と裏面２０２側の構成との差によって、実装基板２０の表面２０１側と実装基板２０の裏面２０２側の線膨張係数の差が生じることがある。このような場合に、上述の構成を適用することで、上述の場合と同様の作用効果を奏することができる。
また、上述の説明では、ランド導体の厚みや、ランド導体と実装基板との間に補助層を配置することによって、ランド導体の実装面と実装基板の裏面との距離を、ランド導体の位置に応じて変化させる態様を示した。
しかしながら、ランド導体の表面に、はんだ等の導電部材による追加層を形成することで、実装面と実装基板の裏面との距離を調整してもよい。一例として、上述の図１の構成に対応させれば、ランド導体２２０の実装面２２１に形成する導電部材の高さを、ランド導体２４０の実装面２４１に形成する導電部材の高さよりも高くすればよい。言い換えれば、ランド導体２２０に形成するはんだの先と、実装基板２０の裏面２０２との距離を、ランド導体２４０に形成するはんだの先と実装基板２０の裏面２０２との距離よりも大きくすればよい。この場合、補助層２１１は用いなくてもよく、用いてもよい。
なお、はんだを用いて高さを調整するよりも、上述の構成を補助層を設けて高さを調整したり、ランド導体の高さを調整するほうがよい。これは、高周波モジュールの製造工程として、はんだを設ける必要が無く、且つ、はんだの高さを調整する必要がないからである。したがって、高周波モジュールの製造工程が簡素化できる。
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ：高周波モジュール
２０：実装基板
３１、３２、３３、３４：電子部品
４０：封止樹脂
９０：回路基板
９１：導体パターン
２０１：表面
２０２：裏面
２０３、２０４、２０５、２０６：側面
２１１、２１２、２１１１、２１１２：補助層
２２１、２３１、２４１、２２１１、２２１２：実装面
２２０、２３０、２４０、２２０１、２２０１Ｂ、２２０１Ｃ、２２０２、２２０２Ｃ：ランド導体

Claims (6)

  1. 互いに対向する一方主面および他方主面を有する実装基板と、
    前記実装基板における前記一方主面に実装された複数の電子部品と、
    前記実装基板における前記一方主面、および、前記複数の電子部品の少なくとも一部を覆う封止樹脂と、
    前記実装基板における前記他方主面に形成された複数のランド導体と、
    を備え、
    前記複数のランド導体は、
    第１ランド導体と、
    前記第１ランド導体よりも中央側に形成された第２ランド導体と、
    を有し、
    前記第１ランド導体は、前記実装基板側の一方主面と、該一方主面に対向する他方主面とを有し、
    前記第２ランド導体は、前記実装基板側の一方主面と、該一方主面に対向する他方主面とを有し、
    前記第１ランド導体における他方主面と、前記実装基板における他方主面との距離は、前記第２ランド導体における他方主面と、前記実装基板における他方主面との距離よりも大きい、
    高周波モジュール。
  2. 前記第１ランド導体の厚みは、前記第２ランド導体の厚みよりも大きい、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記第１ランド導体と前記実装基板との間に絶縁性の補助層を備える、
    請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記第１ランド導体と第２ランド導体との間に第３ランド導体を備え、
    前記第３ランド導体は、前記実装基板側の一方主面と、該一方主面に対向する他方主面とを有し、
    前記第３ランド導体における他方主面と、前記実装基板における他方主面との距離は、前記第２ランド導体における他方主面と、前記実装基板における他方主面との距離よりも大きい、
    請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
  5. 前記第３ランド導体と前記実装基板との間に絶縁性の補助層を備える、
    請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 前記複数の電子部品は、発熱性の高い電子部品を含み、
    前記発熱性の高い部品が実装される領域と、前記第１ランド導体が形成される領域とは、重なっている、
    請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
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