JP2019515710A5 - - Google Patents
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Description
請求項および上記の明細書において、「有する」「含む」「担持する」「もつ」「包含する」「関わる」「保持する」「構成される」などといったあらゆる移行句はオープンなものと理解される。すなわち、含むがそれに限定されないことを意味する。「…からなる」および「本質的には…からなる」という移行句のみが、それぞれクローズドまたは半クローズドの移行句である。
いくつかの態様を記載しておく。
〔態様1〕
B 0 磁石によって生成されるB 0 磁場のプロファイルを改善するよう構成された永久磁石シムを製造する方法であって:
前記B 0 磁場の、所望されるB 0 磁場からの逸脱を決定する段階と;
磁性材料に加えられたときに、決定された逸脱の少なくとも一部を補正する補正磁場を生成する磁気パターンを決定する段階と;
前記磁気パターンを前記磁性材料に加えて前記永久磁石シムを製造する段階とを含む、
方法。
〔態様2〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料を複数の領域に論理的に分割することを含む、態様1記載の方法。
〔態様3〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記複数の領域のうちのどれが前記補正磁場に寄与するかを示す磁気パターンを決定することを含む、態様2記載の方法。
〔態様4〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化極性を示す磁気パターンを決定することを含む、態様3記載の方法。
〔態様5〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化強度を示す磁気パターンを決定することを含む、態様3記載の方法。
〔態様6〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記複数の領域のうちのどれが前記補正磁場に寄与しないかを示す磁気パターンを決定することを含む、態様3記載の方法。
〔態様7〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域に対応する磁性材料を除去する少なくとも一つの減法的プロセスを実行することを含む、態様6記載の方法。
〔態様8〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域を除去するよう前記磁性材料をカットすることを含む、態様7記載の方法。
〔態様9〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを実行することを含む、態様3記載の方法。
〔態様10〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される各領域を磁化する磁化ヘッドを用いて前記磁性材料をたどることを含む、態様3記載の方法。
〔態様11〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に、それぞれの示される磁化強度に対応する量で磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを含む、態様5記載の方法。
〔態様12〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料のモデルを取得することを含み、前記磁性材料を論理的に分割することが、前記モデルを前記複数の領域に論理的に分割することを含む、態様3記載の方法。
〔態様13〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁気パターンを決定する前記モデルを使う最適化を実行することを含む、態様12記載の方法。
〔態様14〕
前記モデルを論理的に分割することが、前記モデルをモザイク化することを含む、態様13記載の方法。
〔態様15〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記最適化を複数の反復工程にわたって繰り返すことを含み、各反復工程について、前記モデルの少なくとも一部が、前の反復工程よりも高い分解能でモザイク化される、態様14記載の方法。
〔態様16〕
各反復工程で中間的な磁気パターンが決定され、それぞれの中間的パターンによって前記補正磁気パターンに寄与すると示される領域が、次の反復工程のために、より高い分解能でモザイク化される、態様15記載の方法。
〔態様17〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石を製造する際の変動性から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様1記載の方法。
〔態様18〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の設計に内在するおよび/または前記B 0 磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様1記載の方法。
〔態様19〕
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様18記載の方法。
〔態様20〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB 0 オフセットを補正する、態様1記載の方法。
〔態様21〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、態様2記載の方法。
〔態様22〕
前記第一の極性が前記第二の極性の逆である、態様21記載の方法。
〔態様23〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが、前記複数の領域のうちの他の少なくとも一つとは異なる場の強さで磁化される、態様2記載の方法。
〔態様24〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様25〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様26〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様27〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様28〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様29〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場に実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様30〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に平行な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様31〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様32〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様33〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与する前記磁性材料の体積を最小化する磁気パターンを決定することを含む、態様2記載の方法。
〔態様34〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与する前記磁性材料の体積を最大化する磁気パターンを決定することを含む、態様2記載の方法。
〔態様35〕
前記B 0 磁場の逸脱を決定する段階が、前記B 0 磁場によって生成される前記B 0 磁場を測定することを含む、態様1記載の方法。
〔態様36〕
前記B 0 磁場の逸脱を決定する段階が、前記B 0 磁石の属性に基づいて前記逸脱を計算することを含む、態様1記載の方法。
〔態様37〕
B 0 磁石によって生成されるB 0 磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムであって、前記永久磁石シムは、
前記B 0 磁場のプロファイルを改善するための補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する、
永久磁石シム。
〔態様38〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石を製造する際の変動性から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様39〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の設計に内在するおよび/または前記B 0 磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様40〕
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様39記載の永久磁石シム。
〔態様41〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB 0 オフセットを補正する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様42〕
前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されている、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様43〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様44〕
前記第一の極性が前記第二の極性の逆である、態様43記載の永久磁石シム。
〔態様45〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが、前記複数の領域のうちの他の少なくとも一つとは異なる場の強さで磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様46〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様47〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様48〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様49〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様50〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様51〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場に実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様52〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に平行な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様53〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様54〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様55〕
前記B 0 磁石は約0.2T以下かつ約0.1T以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様56〕
前記B 0 磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様57〕
前記B 0 磁石は約50mT以下かつ約20mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様58〕
前記B 0 磁石は約20mT以下かつ約10mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様59〕
当該永久磁石シムは、低磁場磁気共鳴撮像システムの二平面B 0 磁石によって生成される前記B 0 磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様60〕
前記複数の領域はサイズが一様でない、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様61〕
前記複数の領域はサイズが一様である、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様62〕
約0.2T以下の磁場強度でB 0 磁場を生成するよう構成されたB 0 磁石と;
前記B 0 磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する少なくとも一つの永久磁石シムとを有する、
低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様63〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁場の均一性を改善することによって前記B 0 磁場のプロファイルを改善する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様64〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の製造から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって前記B 0 磁場の均一性を改善する、態様63記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様65〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の設計に内在するまたは前記B 0 磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正することによって前記B 0 磁場の均一性を改善する、態様63記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様66〕
当該低磁場磁気共鳴撮像システムの撮像領域内の磁束密度を増すよう前記B 0 磁石に磁気的に結合された強磁性ヨークをさらに有しており、前記補正磁場が、前記強磁性ヨークから帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって均一性を改善する、態様63記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様67〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB 0 オフセットを補正することによって前記B 0 磁場のプロファイルを改善する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様68〕
前記B 0 磁石が永久B 0 磁石を有する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様69〕
前記永久B 0 磁石が、複数の同心リングに配置された複数の永久磁石セグメントを含む、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様70〕
前記B 0 磁石が少なくとも一つのB 0 電磁石を有する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様71〕
前記B 0 磁石は約0.2T以下かつ約0.1T以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様72〕
前記B 0 磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様73〕
前記B 0 磁石は約50mT以下かつ約20mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様74〕
前記B 0 磁石は約20mT以下かつ約10mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様75〕
B 0 磁石によって生成されるB 0 磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムを製造するためのシステムであって、当該システムは:
前記永久磁石シムを製造するために磁化されるべき磁性材料を受け入れるよう構成された支持フレームと;
前記磁性材料の論理的に分割された領域を磁化するのに十分な磁場を生成できる少なくとも一つの磁化ヘッドと;
前記B 0 磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所望される磁気パターンに従って前記磁性材料を磁化するために、一連の位置において前記磁性材料の近傍に前記磁化ヘッドを自動的に位置させるよう構成された少なくとも一つのコントローラとを有する、
システム。
〔態様76〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、動作させられたときに前記磁性材料の諸領域を磁化することを容易にする磁場を生成する少なくとも一つのコイルを有する、態様75記載のシステム。
〔態様77〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、永久磁石を有する、態様75記載のシステム。
〔態様78〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様79〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記B 0 磁場と実質的に整列したおよび実質的に反整列した方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様78記載のシステム。
〔態様80〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に諸領域を磁化するよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様81〕
前記磁化ヘッドが、前記B 0 磁場に実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様82〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記平面状の表面に実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様83〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが:
前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第一の磁化ヘッドと;
前記B 0 磁場と実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第二の磁化ヘッドとを含む、
態様75記載のシステム。
〔態様84〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが:
前記平面状の表面と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第一の磁化ヘッドと;
前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第二の磁化ヘッドとを含む、
態様75記載のシステム。
〔態様85〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが少なくとも一つの次元で制御されることを許容するよう前記少なくとも一つの磁化ヘッドに結合された一つまたは複数の線形ステージを有する、態様75記載のシステム。
〔態様86〕
前記一つまたは複数の線形ステージが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが少なくとも二つの次元で制御されることを許容するよう前記少なくとも一つの磁化ヘッドに結合されている、態様85記載のシステム。
〔態様87〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドの間で選択することができる、態様84記載のシステム。
〔態様88〕
前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドは回転可能なコンポーネントに結合され、前記少なくとも一つのコントローラは、前記回転可能なコンポーネントを回転させることにより、前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドの間で選択する、態様87記載のシステム。
〔態様89〕
前記コントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが上げられたり下げられたりすることを許容する少なくとも一つの機構を含む、態様75記載のシステム。
〔態様90〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオンにしたりオフにしたりするよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様91〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記磁性材料を磁化させるよう動作可能になるよう前記磁化ヘッドを従事させるよう構成され、前記磁性材料を磁化させることを妨げられるよう前記磁化ヘッドを解放するよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様92〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つのコイルに電流を提供することにより前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオンにするよう構成され、前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つのコイルに電流を提供することを中断することにより前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオフにするよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様93〕
前記少なくとも一つのコントローラは、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場の極性を制御するよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様94〕
前記少なくとも一つのコントローラは、所望される極性の磁場を生成するよう前記少なくとも一つのコイルを動作させることによって、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場の極性を制御するよう構成されている、態様93記載のシステム。
〔態様95〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドは:
第一の極性で諸領域を磁化させるよう構成された第一の永久磁化ヘッドと;
第二の極性で諸領域を磁化させるよう構成された第二の永久磁化ヘッドとを含み、
前記少なくとも一つのコントローラは、前記第一の永久磁化ヘッドおよび前記第二の永久磁化ヘッドの間で選択することによって前記極性を制御する、
態様93記載のシステム。
〔態様96〕
回転可能なコンポーネントをさらに有しており、前記回転可能なコンポーネントは、前記磁性材料が前記回転可能なコンポーネントに結合されているとき、前記磁性材料が回転されるよう回転されることができる、態様75記載のシステム。
〔態様97〕
前記磁化ヘッドの近傍に位置された前記磁性材料の部分を加熱して、前記永久磁石シムの前記部分を磁化するために必要とされる磁場を低減するよう構成された加熱コンポーネントをさらに有する、態様75記載のシステム。
いくつかの態様を記載しておく。
〔態様1〕
B 0 磁石によって生成されるB 0 磁場のプロファイルを改善するよう構成された永久磁石シムを製造する方法であって:
前記B 0 磁場の、所望されるB 0 磁場からの逸脱を決定する段階と;
磁性材料に加えられたときに、決定された逸脱の少なくとも一部を補正する補正磁場を生成する磁気パターンを決定する段階と;
前記磁気パターンを前記磁性材料に加えて前記永久磁石シムを製造する段階とを含む、
方法。
〔態様2〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料を複数の領域に論理的に分割することを含む、態様1記載の方法。
〔態様3〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記複数の領域のうちのどれが前記補正磁場に寄与するかを示す磁気パターンを決定することを含む、態様2記載の方法。
〔態様4〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化極性を示す磁気パターンを決定することを含む、態様3記載の方法。
〔態様5〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化強度を示す磁気パターンを決定することを含む、態様3記載の方法。
〔態様6〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記複数の領域のうちのどれが前記補正磁場に寄与しないかを示す磁気パターンを決定することを含む、態様3記載の方法。
〔態様7〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域に対応する磁性材料を除去する少なくとも一つの減法的プロセスを実行することを含む、態様6記載の方法。
〔態様8〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域を除去するよう前記磁性材料をカットすることを含む、態様7記載の方法。
〔態様9〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを実行することを含む、態様3記載の方法。
〔態様10〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される各領域を磁化する磁化ヘッドを用いて前記磁性材料をたどることを含む、態様3記載の方法。
〔態様11〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に、それぞれの示される磁化強度に対応する量で磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを含む、態様5記載の方法。
〔態様12〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料のモデルを取得することを含み、前記磁性材料を論理的に分割することが、前記モデルを前記複数の領域に論理的に分割することを含む、態様3記載の方法。
〔態様13〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁気パターンを決定する前記モデルを使う最適化を実行することを含む、態様12記載の方法。
〔態様14〕
前記モデルを論理的に分割することが、前記モデルをモザイク化することを含む、態様13記載の方法。
〔態様15〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記最適化を複数の反復工程にわたって繰り返すことを含み、各反復工程について、前記モデルの少なくとも一部が、前の反復工程よりも高い分解能でモザイク化される、態様14記載の方法。
〔態様16〕
各反復工程で中間的な磁気パターンが決定され、それぞれの中間的パターンによって前記補正磁気パターンに寄与すると示される領域が、次の反復工程のために、より高い分解能でモザイク化される、態様15記載の方法。
〔態様17〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石を製造する際の変動性から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様1記載の方法。
〔態様18〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の設計に内在するおよび/または前記B 0 磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様1記載の方法。
〔態様19〕
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様18記載の方法。
〔態様20〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB 0 オフセットを補正する、態様1記載の方法。
〔態様21〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、態様2記載の方法。
〔態様22〕
前記第一の極性が前記第二の極性の逆である、態様21記載の方法。
〔態様23〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが、前記複数の領域のうちの他の少なくとも一つとは異なる場の強さで磁化される、態様2記載の方法。
〔態様24〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様25〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様26〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様27〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様28〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様29〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場に実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様30〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に平行な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様31〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様32〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化される、態様2記載の方法。
〔態様33〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与する前記磁性材料の体積を最小化する磁気パターンを決定することを含む、態様2記載の方法。
〔態様34〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与する前記磁性材料の体積を最大化する磁気パターンを決定することを含む、態様2記載の方法。
〔態様35〕
前記B 0 磁場の逸脱を決定する段階が、前記B 0 磁場によって生成される前記B 0 磁場を測定することを含む、態様1記載の方法。
〔態様36〕
前記B 0 磁場の逸脱を決定する段階が、前記B 0 磁石の属性に基づいて前記逸脱を計算することを含む、態様1記載の方法。
〔態様37〕
B 0 磁石によって生成されるB 0 磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムであって、前記永久磁石シムは、
前記B 0 磁場のプロファイルを改善するための補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する、
永久磁石シム。
〔態様38〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石を製造する際の変動性から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様39〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の設計に内在するおよび/または前記B 0 磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様40〕
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様39記載の永久磁石シム。
〔態様41〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB 0 オフセットを補正する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様42〕
前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されている、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様43〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様44〕
前記第一の極性が前記第二の極性の逆である、態様43記載の永久磁石シム。
〔態様45〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが、前記複数の領域のうちの他の少なくとも一つとは異なる場の強さで磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様46〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様47〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様48〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様49〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に整列した方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様50〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様51〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場に実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様52〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に平行な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様53〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B 0 磁場と実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様54〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化されている、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様55〕
前記B 0 磁石は約0.2T以下かつ約0.1T以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様56〕
前記B 0 磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様57〕
前記B 0 磁石は約50mT以下かつ約20mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様58〕
前記B 0 磁石は約20mT以下かつ約10mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、前記B 0 磁石と組み合わせた態様37記載の永久磁石シム。
〔態様59〕
当該永久磁石シムは、低磁場磁気共鳴撮像システムの二平面B 0 磁石によって生成される前記B 0 磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する、態様37記載の永久磁石シム。
〔態様60〕
前記複数の領域はサイズが一様でない、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様61〕
前記複数の領域はサイズが一様である、態様42記載の永久磁石シム。
〔態様62〕
約0.2T以下の磁場強度でB 0 磁場を生成するよう構成されたB 0 磁石と;
前記B 0 磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する少なくとも一つの永久磁石シムとを有する、
低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様63〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁場の均一性を改善することによって前記B 0 磁場のプロファイルを改善する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様64〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の製造から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって前記B 0 磁場の均一性を改善する、態様63記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様65〕
前記補正磁場が、前記B 0 磁石の設計に内在するまたは前記B 0 磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正することによって前記B 0 磁場の均一性を改善する、態様63記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様66〕
当該低磁場磁気共鳴撮像システムの撮像領域内の磁束密度を増すよう前記B 0 磁石に磁気的に結合された強磁性ヨークをさらに有しており、前記補正磁場が、前記強磁性ヨークから帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって均一性を改善する、態様63記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様67〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB 0 オフセットを補正することによって前記B 0 磁場のプロファイルを改善する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様68〕
前記B 0 磁石が永久B 0 磁石を有する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様69〕
前記永久B 0 磁石が、複数の同心リングに配置された複数の永久磁石セグメントを含む、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様70〕
前記B 0 磁石が少なくとも一つのB 0 電磁石を有する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様71〕
前記B 0 磁石は約0.2T以下かつ約0.1T以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様72〕
前記B 0 磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様73〕
前記B 0 磁石は約50mT以下かつ約20mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様74〕
前記B 0 磁石は約20mT以下かつ約10mT以上のB 0 磁場強度のB 0 磁場を生成する、態様62記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様75〕
B 0 磁石によって生成されるB 0 磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムを製造するためのシステムであって、当該システムは:
前記永久磁石シムを製造するために磁化されるべき磁性材料を受け入れるよう構成された支持フレームと;
前記磁性材料の論理的に分割された領域を磁化するのに十分な磁場を生成できる少なくとも一つの磁化ヘッドと;
前記B 0 磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所望される磁気パターンに従って前記磁性材料を磁化するために、一連の位置において前記磁性材料の近傍に前記磁化ヘッドを自動的に位置させるよう構成された少なくとも一つのコントローラとを有する、
システム。
〔態様76〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、動作させられたときに前記磁性材料の諸領域を磁化することを容易にする磁場を生成する少なくとも一つのコイルを有する、態様75記載のシステム。
〔態様77〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、永久磁石を有する、態様75記載のシステム。
〔態様78〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様79〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記B 0 磁場と実質的に整列したおよび実質的に反整列した方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様78記載のシステム。
〔態様80〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に諸領域を磁化するよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様81〕
前記磁化ヘッドが、前記B 0 磁場に実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様82〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記平面状の表面に実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様83〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが:
前記B 0 磁場と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第一の磁化ヘッドと;
前記B 0 磁場と実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第二の磁化ヘッドとを含む、
態様75記載のシステム。
〔態様84〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが:
前記平面状の表面と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第一の磁化ヘッドと;
前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第二の磁化ヘッドとを含む、
態様75記載のシステム。
〔態様85〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが少なくとも一つの次元で制御されることを許容するよう前記少なくとも一つの磁化ヘッドに結合された一つまたは複数の線形ステージを有する、態様75記載のシステム。
〔態様86〕
前記一つまたは複数の線形ステージが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが少なくとも二つの次元で制御されることを許容するよう前記少なくとも一つの磁化ヘッドに結合されている、態様85記載のシステム。
〔態様87〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドの間で選択することができる、態様84記載のシステム。
〔態様88〕
前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドは回転可能なコンポーネントに結合され、前記少なくとも一つのコントローラは、前記回転可能なコンポーネントを回転させることにより、前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドの間で選択する、態様87記載のシステム。
〔態様89〕
前記コントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが上げられたり下げられたりすることを許容する少なくとも一つの機構を含む、態様75記載のシステム。
〔態様90〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオンにしたりオフにしたりするよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様91〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記磁性材料を磁化させるよう動作可能になるよう前記磁化ヘッドを従事させるよう構成され、前記磁性材料を磁化させることを妨げられるよう前記磁化ヘッドを解放するよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様92〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つのコイルに電流を提供することにより前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオンにするよう構成され、前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つのコイルに電流を提供することを中断することにより前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオフにするよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様93〕
前記少なくとも一つのコントローラは、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場の極性を制御するよう構成されている、態様75記載のシステム。
〔態様94〕
前記少なくとも一つのコントローラは、所望される極性の磁場を生成するよう前記少なくとも一つのコイルを動作させることによって、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場の極性を制御するよう構成されている、態様93記載のシステム。
〔態様95〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドは:
第一の極性で諸領域を磁化させるよう構成された第一の永久磁化ヘッドと;
第二の極性で諸領域を磁化させるよう構成された第二の永久磁化ヘッドとを含み、
前記少なくとも一つのコントローラは、前記第一の永久磁化ヘッドおよび前記第二の永久磁化ヘッドの間で選択することによって前記極性を制御する、
態様93記載のシステム。
〔態様96〕
回転可能なコンポーネントをさらに有しており、前記回転可能なコンポーネントは、前記磁性材料が前記回転可能なコンポーネントに結合されているとき、前記磁性材料が回転されるよう回転されることができる、態様75記載のシステム。
〔態様97〕
前記磁化ヘッドの近傍に位置された前記磁性材料の部分を加熱して、前記永久磁石シムの前記部分を磁化するために必要とされる磁場を低減するよう構成された加熱コンポーネントをさらに有する、態様75記載のシステム。
Claims (24)
- B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するよう構成された永久磁石シムを製造する方法であって:
前記B0磁場の、所望されるB0磁場からの逸脱を決定する段階と;
磁性材料に加えられたときに、決定された逸脱の少なくとも一部を補正する補正磁場を生成する磁気パターンを決定する段階と;
前記磁気パターンを前記磁性材料に加えて前記永久磁石シムを製造する段階とを含む、
方法。 - 前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化極性を示す磁気パターンを決定することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化強度を示す磁気パターンを決定することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域に対応する磁性材料を除去する少なくとも一つの減法的プロセスを実行することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域を除去するよう前記磁性材料をカットすることを含む、請求項4記載の方法。
- 前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを実行することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される各領域を磁化する磁化ヘッドを用いて前記磁性材料をたどることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料を複数の領域に論理的に分割することを含み、前記磁気パターンを決定する段階がさらに、前記磁性材料のモデルを取得することを含み、前記磁性材料を論理的に分割することが、前記モデルを前記複数の領域に論理的に分割することを含み、前記モデルを論理的に分割することが、前記モデルをモザイク化することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁気パターンを決定する前記モデルを使う最適化を実行することを含み、前記磁気パターンを決定する段階がさらに、前記最適化を複数の反復工程にわたって繰り返すことを含み、各反復工程について、前記モデルの少なくとも一部が、前の反復工程よりも高い分解能でモザイク化される、請求項8記載の方法。
- 各反復工程で中間的な磁気パターンが決定され、それぞれの中間的パターンによって前記補正磁場に寄与すると示される領域が、次の反復工程のために、より高い分解能でモザイク化される、請求項9記載の方法。
- 前記補正磁場が、前記B0磁石の設計に内在するおよび/または前記B0磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、請求項1記載の方法。
- 前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、請求項11記載の方法。
- B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムであって、前記永久磁石シムは、
前記B0磁場のプロファイルを改善するための補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する、
永久磁石シム。 - 前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、請求項13記載の永久磁石シム。
- 前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB0オフセットを補正する、請求項13記載の永久磁石シム。
- 前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、請求項13記載の永久磁石シム。
- 前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に整列した方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、請求項13記載の永久磁石シム。
- 前記磁性材料が、複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化されている、請求項13記載の永久磁石シム。
- 前記B0磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、前記B0磁石と組み合わせた請求項13記載の永久磁石シム。
- 約0.2T以下の磁場強度でB0磁場を生成するよう構成されたB0磁石と;
前記B0磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する少なくとも一つの永久磁石シムとを有する、
低磁場磁気共鳴撮像システム。 - 当該低磁場磁気共鳴撮像システムの撮像領域内の磁束密度を増すよう前記B0磁石に磁気的に結合された強磁性ヨークをさらに有しており、前記補正磁場が、前記強磁性ヨークから帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって均一性を改善する、請求項20記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
- 前記B0磁石が永久B0磁石を有する、請求項20記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
- 前記永久B0磁石が、複数の同心リングに配置された複数の永久磁石セグメントを含む、請求項22記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
- 前記B0磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、請求項20記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
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