TWI814176B

TWI814176B - 磁場結構

Info

Publication number: TWI814176B
Application number: TW110146843A
Authority: TW
Inventors: 唐敏注; 湯士源; 黃玉婷
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2020-12-22
Filing date: 2021-12-15
Publication date: 2023-09-01
Also published as: TW202225704A; CN114660515A; US11747301B2; US20220196598A1

Abstract

本揭露提供一種磁場結構，包括：二磁極，係設於一導磁迴路上且於該二磁極之間形成容置一待測元件之空間；磁場源，用以於該空間中提供一磁場；以及光學定位元件，設於該二磁極之其中一者中，用以對該待測元件進行光學定位。本揭露之磁場結構可同時提供強磁場及精密定位之功能。

Description

磁場結構

本揭露係有關一種磁場結構，尤指一種具有光學定位功能之磁場結構。

半導體元件尺寸日益微型化，使得每一電極面積亦逐漸縮小且距離更短；此外，於進行電磁特性測試時，必須施加強磁場，以藉由外部探針連接量測儀器來擷取待測元件之電磁特性參數。如此一來，外部探針更需要精密定位，才能有效地進行磁性檢測。

在習用技術中，外部探針進行定位時所使用之光學定位元件，一般是設置於待測元件上方，而施加強磁場之磁極一般亦是設置在待測元件上方。若是同時需要探針精密定位與施加強磁場之功能時，磁極與光學定位元件在空間上將會互相牴觸而無法同時使用。

為解決該問題，現有以下解決方案：一是將光學定位元件斜向配置於磁極一側；另一是進行探針定位時先將磁極移開，接著移入光學定位元件，完成探針定位後再移開光學定位元件，之後移入磁極。然而，將光學定位元件斜向配置之方式，經常造成角度視差、光距對焦不易而無法精準對位，導致量測耗時，且光學定位元件僅能從探針旁的微小空間導入光源進行量測，增加空間配置困難度；另外，將磁極及光學定位元件移動之方式，則有可能因為磁極及光學定位元件之移動而產生振動，造成定位後之探針移位，進而可能毀損待測元件上精細的電極等問題。

本揭露之主要目的在於提供一種磁場結構，包括：二磁極，係設於一導磁迴路上，且彼此相對設置以於該二磁極之間形成容置一待測元件之空間；磁場源，用以於該空間中提供一磁場；以及光學定位元件，設於該二磁極之其中一者中，用以對該待測元件進行光學定位。

以下藉由特定之具體實施例加以說明本揭露之實施方式，而熟悉此技術之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本揭露之其他優點和功效，亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用。

請同時參閱圖1A及圖1B，本揭露之磁場結構1包括磁極11、12、導磁迴路13、磁場源及光學定位元件15。磁極11、12係分別設於導磁迴路13之兩端上，使磁極11、12彼此相對設置，以於磁極11、12之間形成空間16，該空間16可容置一待測元件2。

於一實施例中，磁極11、12可為圓錐狀，例如為直徑60 mm逐漸縮減至直徑10 mm之圓錐狀，或是如圖2A及圖2B所示之部分為圓柱狀（直徑D1為60 mm）而部分靠近待測元件2之一端為圓錐狀（從直徑D1具有60 mm漸縮至直徑D2具有10 mm）之組合，藉以集中磁力線並增強磁場，但本揭露並不以此為限。

磁場源係用以於空間16中提供一磁場。在本實施例中，磁場源可例如為圍繞於磁極12周圍之線圈14通電流後所產生之電磁場。於其他實施例中，磁場源可以是永久磁石所產生之永磁場。本揭露並不以上述為限。在空間16產生磁場後，即可藉由探針3、探針座3’及量測儀器4來擷取待測元件2之電磁特性參數。

光學定位元件15可設於磁極11、12之其中一者中，用以對待測元件2進行光學定位。以下以光學定位元件15設於磁極11中為例進行說明，但本揭露並不限制光學定位元件15僅能設於磁極11中，亦可設於磁極12中。

詳細而言，磁極11可具有容納孔111，用以容設光學定位元件15。於第一實施例中，如圖2A及圖2B所示，容納孔111係為圓柱狀且為挖空狀態，容納孔111在直徑D1一端具有直徑D11，並貫通到直徑D2一端而具有直徑D12，其中，直徑D11等於直徑D12，且直徑D1≧直徑D2≧直徑D11=直徑D12，並以垂直於待測元件2之方向而貫穿設於磁極11中，使得容納孔111之二端係外露於磁極11，亦即二端具有開口。於第二實施例中，如圖3A及圖3B所示，容納孔111可為圓錐狀且為挖空狀態，例如從直徑D11具有30 mm逐漸縮小至直徑D12具有5 mm之圓錐狀，直徑D11大於直徑D12，且直徑D1≧直徑D2≧直徑D12；且直徑D1≧直徑D11＞直徑D12。再於第三實施例中，如圖4A及圖4B所示，容納孔111可為具有至少一段差112、113之複數個圓柱狀結構1111、1112、1113且為挖空狀態，例如分別由直徑D11具有30 mm（靠近直徑D1一端）之圓柱狀結構1113、直徑D13具有10 mm之圓柱狀結構1112及直徑D12具有5 mm（靠近直徑D2一端）之圓柱狀結構1111所堆疊構成之結構，直徑D13之圓柱狀結構1112位於直徑D11之圓柱狀結構1113與直徑D12之圓柱狀結構1111之間，直徑D1＞直徑D11＞直徑D13＞直徑D12；且直徑D1≧直徑D2＞直徑D12。由於容納孔111可為圓柱狀、圓錐狀、具有至少一段差112、113之複數個圓柱狀結構1111、1112、1113或其組合等不同實施態樣，故可依據光學定位元件15之尺寸大小來選擇容納孔11之實施態樣，使其配置更具有彈性。

上述圖2A至圖4B為容納孔111貫穿設於磁極11中且容納孔111之二端外露於磁極11之實施態樣(兩端具有開口)，但於其它實施態樣中，如圖8A至圖10B所示的第四實施例至第六實施例，容納孔111’亦可以僅一端外露於磁極11(一端有開口)，另一端位於磁極11內部而未外露於磁極11(另一端密封)。於第四實施例中，如圖8A及圖8B所示，容納孔111’為圓柱狀且為挖空狀態，容納孔111’在直徑D2一端外露並具有直徑D12，但在直徑D1一端沒有外露，而是形成在磁極11內部，直徑D11等於直徑D12，具有關係為直徑D1≧直徑D2≧直徑D11=直徑D12。於第五實施例中，如圖9A及圖9B所示，容納孔111’可為圓錐狀且為挖空狀態，例如從直徑D12具有5mm逐漸放大至直徑D11’之圓錐狀。由於容納孔111’在直徑D2一端外露並具有直徑D12(一端有開口)，但在直徑D1一端沒有外露(另一端密封)，故直徑D11’可視形成在磁極11內部的位置來決定，具體可小於前述第二實施例中直徑D11（即小於30 mm），直徑D11’大於直徑D12，具有關係為直徑D1≧直徑D2≧直徑D12；且直徑D1＞直徑D11’＞直徑D12。再於第六實施例中，如圖10A及圖10B所示，容納孔111’可為具有至少一段差112、113之複數個圓柱狀結構1111’、1112’、1113’且為挖空狀態，例如分別由直徑D11具有30 mm（靠近直徑D1一端）之圓柱狀結構1113’、直徑D13具有10 mm之圓柱狀結構1112’及直徑D12具有5 mm（靠近直徑D2一端）之圓柱狀結構1111’所堆疊構成之結構，直徑D13之圓柱狀結構1112’位於直徑D11之圓柱狀結構1113’與直徑D12之圓柱狀結構1111’之間，而圓柱狀結構1111’在直徑D2一端外露並具有直徑D12(一端有開口)，但圓柱狀結構1113’在直徑D1一端沒有外露(另一端密封)，具有關係為直徑D1＞直徑D11＞直徑D13＞直徑D12；且直徑D1≧直徑D2＞直徑D12。

於一實施例中，如圖1B，光學定位元件15可為顯微鏡、相機、攝影機、感光耦合裝置（CCD）或互補式金屬氧化物半導體裝置（CMOS），但本揭露並不以此為限。另外，為使光學定位元件15能精準定位及不會造成角度視差，其用以拍攝待測元件2之光軸可垂直於待測元件2之表面。於另一實施例中，光學定位元件15之光軸151更可與磁極11之磁軸114平行或重疊，但本揭露並不以此為限。

本揭露之磁場結構藉由在磁極內設置容納孔以容設光學定位元件之設計，可同時提供施加強磁場及探針精密定位之功能，從而具備加速探針精準對位與快速磁性動態檢測之功效。本揭露茲提供以下比較例及實施例，加以證實本揭露之上述功能及功效。

比較例1：其為先前技術中沒有設置光學定位元件（亦沒有設計容納孔）之磁場結構。以磁極尺寸由直徑60 mm逐漸縮減為直徑10 mm、線圈2000圈、電流4A(Ampere，安培)為例，比較例1所產生之磁場大小為1.1T（Tesla）。

比較例2：其為先前技術中僅有單一磁極之磁場結構。以磁極尺寸由直徑60 mm逐漸縮減為直徑10 mm、線圈2000圈、電流4A為例，比較例2所產生之磁場大小為0.47T（Tesla）。在電流為5A、6A、7A、8A、9A時，磁場大小分別為0.57T、0.66T、0.74T、0.79T、0.83T，即便將電流增加為10A，磁場大小亦僅能達到0.87T，難以達到1T以上。

第一實施例：其結構及設置參數係與比較例1相同，但磁極11具有容納孔111可容設光學定位元件15，如圖1A及圖1B所示。容納孔111可為如圖2A及圖2B所示之圓柱狀。可一併參閱圖5A及圖5B，容納孔111之直徑D12為5 mm時，磁場為1.07T，而容納孔111之直徑D12為8 mm時，磁場為0.98T。在其他實施例中，容納孔111之直徑D12分別為6、7、9、10 mm時，磁場分別為1.05T、1.02T、0.94T、0.89T。由此可知，直徑D12之增加會導致磁極11前端材料磁飽和，故磁場會降低。於一實施例中，本揭露之容納孔111之直徑D12之較佳實施範圍可為小於或等於8 mm，但本揭露並不以此為限。

第二實施例：其結構及設置參數係與第一實施例相同，但容納孔111可為如圖3A及圖3B所示之圓錐狀。可一併參閱圖6A及圖6B，容納孔111之直徑D11為30 mm、直徑D12為5 mm時，磁場為1.06T，而容納孔111之直徑D11為33 mm、直徑D12為8 mm時，磁場為0.96T。在其他實施例中，容納孔111之直徑D11為31 mm、直徑D12為6 mm時，磁場為1.03T；容納孔111之直徑D11為32 mm、直徑D12為7 mm時，磁場為1.00T；容納孔111之直徑D11為34 mm、直徑D12為9 mm時，磁場為0.91T；容納孔111之直徑D11為35 mm、直徑D12為10 mm時，磁場為0.86T。由此可知，直徑D12之增加會導致磁極11前端材料磁飽和，故磁場會降低。

第三實施例：其結構及設置參數係與第一實施例相同，但容納孔111可為如圖4A及圖4B所示之具有至少一段差112、113之複數個圓柱狀結構1111、1112、1113，容納孔111之圓柱狀結構1113之直徑D11為30mm，圓柱狀結構1112之直徑D13為15mm。可一併參閱圖7A及圖7B，容納孔111之圓柱狀結構1111之直徑D12為5 mm時，磁場為1.07T，而容納孔111之圓柱狀結構1111之直徑D12為8 mm時，磁場為0.98T。在其他實施例中，容納孔111之圓柱狀結構1111之直徑D12分別為6、7、9、10 mm時，磁場分別為1.05T、1.02T、0.94T、0.89T。由此可知，直徑D12之增加會導致磁極11前端材料磁飽和，故磁場會降低。

第四實施例：其結構及設置參數係與第一實施例相同，但容納孔111’可為如圖8A及圖8B所示之其一端未外露於磁極11之實施態樣。容納孔111’之直徑D12為5 mm時，磁場為1.07T，而容納孔111’之直徑D12為8 mm時，磁場為0.98T。在其他實施例中，容納孔111’之直徑D12分別為6、7、9、10 mm時，磁場分別為1.05T、1.02T、0.94T、0.89T。由此可見，直徑D12之增加會導致磁極11前端材料磁飽和，故磁場會降低，但容納孔111’是否貫穿磁極11則對磁場的改變無明顯影響。於一實施例中，本揭露之容納孔111之直徑D12之較佳實施範圍可為小於或等於8 mm，但本揭露並不以此為限。

第五實施例：其結構及設置參數係與第二實施例相同，但容納孔111’可為如圖9A及圖9B所示之圓錐狀，但其一端未外露於磁極11之實施態樣。容納孔111’之直徑D12分別為5 mm、6 mm、7 mm、8 mm、9 mm、10 mm時，磁場分別為1.06T、1.04T、1.00T、0.96T、0.91T、0.86T。由此可見，直徑D12之增加會導致磁極11前端材料磁飽和，故磁場會降低，但容納孔111’是否貫穿磁極11則對磁場的改變無明顯影響。

第六實施例：其結構及設置參數係與第三實施例相同，但容納孔111’可為如圖10A及圖10B所示之圓柱狀結構1113未外露於磁極11之實施態樣。容納孔111’之圓柱狀結構1111’之直徑D12分別為5 mm、6 mm、7 mm、8 mm、9 mm、10 mm時，磁場分別為1.07T、1.05T、1.02T、0.98T、0.94T、0.89T。由此可知，直徑D12之增加會導致磁極11前端材料磁飽和，故磁場會降低，但容納孔111’是否貫穿磁極11則對磁場的改變無明顯影響。

由上述比較例1、2及第一、二、三、四、五、六實施例之結果可知，比較例1之磁場雖可達到1.1T，但沒有設置光學定位元件而無法精準定位，比較例2因具有單一磁極而可設置光學定位元件，但磁場大小過低。第一實施例相較於比較例1而言，第一實施例雖然磁極11設有容納孔111而可能會影響磁場大小，但實際上可藉由控制容納孔111之直徑D12之大小，使磁場維持在近似比較例1之磁場大小，從而具備可同時提供施加強磁場及探針精密定位之功能。在本實施例中，如圖2A及圖2B所示，容納孔111之直徑D12與磁極11靠近待測元件2之一端的直徑D2之間的比值可小於或等於0.8，例如容納孔111之直徑D12為8 mm，磁極11之直徑D2為10 mm，此時磁場為0.98T。於其他實施例中，該比值(D12/ D2)較佳可小於或等於0.5，例如容納孔111之直徑D12為5 mm，磁極11之直徑D2為10 mm，此時磁場為1.07T。由此可證明即便磁極11內設置有容納孔111，本揭露之磁場結構仍可提供高達1T的強磁場。

另外，由第二、三實施例相較於比較例1而言，容納孔111之不同實施態樣依然可提供高達1T的強磁場。雖然第一、二、三實施例容納孔111之直徑漸增，而使得磁極前端材料磁飽和，導致磁場大小/強度隨之下降，但亦可藉由增加電流之方式來維持磁場於1T以上，只要容納孔111之直徑（如圖3A至圖4B所示之直徑D12）與磁極11之直徑D2之間的比值(D12/ D2)小於或等於0.8即可，本揭露並不以此為限。另外，本揭露之第四、五、六實施例亦相同於上述第一、二、三實施例，可提供高達1T的強磁場。

上述實施形態僅為例示性說明本揭露之技術原理、特點及其功效，並非用以限制本揭露之可實施範疇，任何熟習此技術之人士均可在不違背本揭露之精神與範疇下，對上述實施形態進行修飾與改變。然任何運用本揭露所教示內容而完成之等效修飾及改變，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。而本揭露之權利保護範圍，應如下述之申請專利範圍所列。

1:磁場結構 11、12:磁極 111、111’:容納孔 1111、1112、1113、1111’、1112’、1113’:圓柱狀結構 112、113:段差 114:磁軸 13:導磁迴路 14:線圈 15:光學定位元件 151:光軸 16:空間 2:待測元件 3:探針 3’:探針座 4:量測儀器 D1、D11、D11’、D12、D13、D2:直徑

圖1A為本揭露之磁場結構之整體示意圖。

圖1B為圖1A之磁場結構之局部剖面示意圖。

圖2A為本揭露之磁場結構中磁極之第一實施例之立體示意圖。

圖2B為圖2A之磁極之剖面示意圖。

圖3A為本揭露之磁場結構中磁極之第二實施例之立體示意圖。

圖3B為圖3A之磁極之剖面示意圖。

圖4A為本揭露之磁場結構中磁極之第三實施例之立體示意圖。

圖4B為圖4A之磁極之剖面示意圖。

圖5A及圖5B為圖2A及圖2B之磁極之不同實施例之磁場模擬分析圖。

圖6A及圖6B為圖3A及圖3B之磁極之不同實施例之磁場模擬分析圖。

圖7A及圖7B為圖4A及圖4B之磁極之不同實施例之磁場模擬分析圖。

圖8A為本揭露之磁場結構中磁極之第四實施例之立體示意圖。

圖8B為圖8A之磁極之剖面示意圖。

圖9A為本揭露之磁場結構中磁極之第五實施例之立體示意圖。

圖9B為圖9A之磁極之剖面示意圖。

圖10A為本揭露之磁場結構中磁極之第六實施例之立體示意圖。

圖10B為圖10A之磁極之剖面示意圖。

1:磁場結構

11、12:磁極

111:容納孔

13:導磁迴路

14:線圈

Claims

一種磁場結構，包括：二磁極，係設於一導磁迴路上，且彼此相對設置以於該二磁極之間形成有用以容置一待測元件之空間；磁場源，係用以於該空間中提供一磁場；以及光學定位元件，係設於該二磁極之其中一者中，用以對該待測元件進行光學定位；其中，該二磁極之其中一者具有容納孔，用以容設該光學定位元件。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該容納孔係以垂直於該待測元件之方向而貫穿設於該二磁極之其中一者中，以使該容納孔之二端外露於該二磁極之該其中一者。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該容納孔係以垂直於該待測元件之方向而設於該二磁極之其中一者中，以使該容納孔之一端外露於該二磁極之該其中一者，該容納孔之另一端密封。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該容納孔之直徑與該容納孔所在之該磁極所靠近該待測元件之一端之直徑之間的比值小於等於0.8。
如請求項4所述之磁場結構，其中，該比值小於等於0.5。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該容納孔為圓柱狀、圓錐狀、具有至少一段差之複數個圓柱狀結構或其組合。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該二磁極為圓錐狀。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該光學定位元件之光軸垂直於該待測元件。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該光學定位元件之光軸平行或重疊於該光學定位元件所在之磁極之磁軸。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該磁場源為線圈通電流後所產生之電磁場或永久磁石所產生之永磁場。
如請求項1所述之磁場結構，其中，該光學定位元件為顯微鏡、相機、攝影機、感光耦合裝置或互補式金屬氧化物半導體裝置。