TWI713934B - 磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統 - Google Patents

磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI713934B
TWI713934B TW107140607A TW107140607A TWI713934B TW I713934 B TWI713934 B TW I713934B TW 107140607 A TW107140607 A TW 107140607A TW 107140607 A TW107140607 A TW 107140607A TW I713934 B TWI713934 B TW I713934B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
magnetic
magnetic field
regions
permanent magnet
pattern
Prior art date
Application number
TW107140607A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201928367A (zh
Inventor
史蒂芬 波爾麥可
胡根山德里克
S 雷斯頓泰勒
Original Assignee
美商超精細研究股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商超精細研究股份有限公司 filed Critical 美商超精細研究股份有限公司
Publication of TW201928367A publication Critical patent/TW201928367A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713934B publication Critical patent/TWI713934B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/383—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using permanent magnets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/24—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/243—Spatial mapping of the polarizing magnetic field
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/3802—Manufacture or installation of magnet assemblies; Additional hardware for transportation or installation of the magnet assembly or for providing mechanical support to components of the magnet assembly
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/3806—Open magnet assemblies for improved access to the sample, e.g. C-type or U-type magnets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/381—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/387—Compensation of inhomogeneities
    • G01R33/3873—Compensation of inhomogeneities using ferromagnetic bodies ; Passive shimming
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
    • G01R33/445—MR involving a non-standard magnetic field B0, e.g. of low magnitude as in the earth's magnetic field or in nanoTesla spectroscopy, comprising a polarizing magnetic field for pre-polarisation, B0 with a temporal variation of its magnitude or direction such as field cycling of B0 or rotation of the direction of B0, or spatially inhomogeneous B0 like in fringe-field MR or in stray-field imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F13/00—Apparatus or processes for magnetising or demagnetising
    • H01F13/003—Methods and devices for magnetising permanent magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/02—Permanent magnets [PM]
    • H01F7/0273—Magnetic circuits with PM for magnetic field generation
    • H01F7/0278—Magnetic circuits with PM for magnetic field generation for generating uniform fields, focusing, deflecting electrically charged particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
    • H01F7/064—Circuit arrangements for actuating electromagnets

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

根據某些態樣，提供一種產生經組態以改良由一B0 磁體產生之一B0 磁場之一輪廓之一永久磁體墊片的方法。該方法包括：判定該B0 磁場與一所要B0 磁場之偏差；判定在被應用於磁性材料時產生對該所判定偏差中之至少某些偏差進行校正之一校正磁場之一磁圖案；及將該磁圖案應用於該磁性材料以產生該永久磁體墊片。根據某些態樣，提供一種用於改良由一B0 磁體產生之一B0 磁場之一輪廓之永久磁體墊片。該永久磁體墊片包括被應用有一預定磁圖案之磁性材料，該預定磁圖案產生一校正磁場以改良該B0 磁場之該輪廓。

Description

磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統
本案發明係關於磁體墊片，且更具體而言係關於用於改良由一MRI系統產生之一B0磁場之一輪廓之永久磁體墊片。
磁共振成像(MRI)為眾多應用提供一重要成像模態且廣泛地用於臨床及研究環境中以產生人體之內部之影像。一般而言，MRI係基於偵測磁共振(MR)信號，該等磁共振信號係由原子回應於由所施加電磁場產生之狀態改變而發射之電磁波。舉例而言，核磁共振(NMR)技術涉及偵測在經成像之一物件中之原子(例如，人體之組織中之原子)之核自旋之重新對準或弛緩之後自激發原子之核發射之MR信號。所偵測MR信號可經處理以產生影像，此在醫學應用之內容脈絡中允許出於診斷、治療及/或研究目的而探查人體內之內部結構及/或生物程序。
MRI由於在不具有其他模態之安全問題之情況下(例如，在不需要將經成像之受試體曝露於諸如x射線之離子化輻射或將放射性材料引入至人體之情況下)產生具有相對高解析度及對比度之非侵入影像之能力而提供對於生物成像具吸引力之一成像模態。另外，MRI能夠擷取其他模態並不 很好地適於獲取或能夠獲取的關於結構及/或生物程序之資訊。舉例而言，MRI尤其很好地適於提供軟組織當中之對比度。然而，習用MRI技術存在若干個缺點，該等缺點針對一給定成像應用可包含以下各項：設備之相對高成本、有限可用性(例如，獲得對臨床MRI掃描機之使用權之困難及費用)、影像獲取程序之時長等。
臨床MRI之趨勢係增加MRI掃描機之場強度以改良掃描時間、影像解析度及影像對比度中之一或多者，此又提高MRI成像之成本。絕大多數所裝設MRI掃描機至少在1.5或3特士拉(T)(其係指掃描機之主磁場B0之場強度)下操作。對一臨床MRI掃描機之一粗略成本估計係大約一百萬美元/特士拉，此甚至未將操作此等MRI掃描機中所涉及之實質操作、服務及維修成本計算在內。
另外，習用高場MRI系統通常需要大超導磁體及相關聯電子器件來產生一強均勻靜態磁場(B0)，其中使一受試體(例如，一患者)成像。超導磁體進一步需要酷冷設備來將導體保持於一超導狀態中。此等系統之大小係相當大的，其中一典型MRI設施包含用於磁組件、電子器件、熱管理系統及控制台區之多個空間，包含用以隔離MRI系統之磁組件之一經專門屏蔽空間。MRI系統之大小及費用一般將其使用限於諸如醫院及學術研究中心(其具有用以購買及維護MRI系統之充足空間及資源)之設施。高場MRI系統之高成本及實質空間要求導致MRI掃描機之有限可用性。如此，頻繁地存在其中一MRI掃描將係有益的但由於上文所闡述之限制且如下文進一步詳細地論述而係不實際或不可能的之臨床情景。
某些實施例包含一種產生經組態以改良由一B0磁體產生之一B0磁場 之一輪廓之一永久磁體墊片的方法，該方法包括：判定該B0磁場與一所要B0磁場之偏差；判定在應用於磁性材料時產生對該所判定偏差中之至少某些偏差進行校正之一校正磁場之一磁圖案；及將該磁圖案應用於該磁性材料以產生該永久磁體墊片。
某些實施例包含一種用於改良由一B0磁體產生之一B0磁場之一輪廓之永久磁體墊片，該永久磁體墊片包括被應用有一預定磁圖案之磁性材料，該預定磁圖案產生一校正磁場以改良該B0磁場之該輪廓。
某些實施例包含一種低場磁性共振成像系統，該低場磁性共振成像系統包括：一B0磁體，其經組態以在小於或等於大致0.2T之一場強度下產生一B0磁場；及至少一個永久磁體墊片，其包括被應用有一預定磁圖案之磁性材料，該預定磁圖案產生一校正磁場以改良該B0磁場之一輪廓。
某些實施例包含一種用於產生一永久磁體墊片以改良由一B0磁體產生之一B0磁場之一輪廓之系統，該系統包括：一支撐框架，其經組態以容納將經磁化以產生該永久磁體墊片之磁性材料；至少一個磁化頭，其能夠產生足以將該磁性材料之邏輯上經分割區域磁化之一磁場；及至少一個控制器，其經組態以接近該磁性材料在連續位置處自動定位該磁化頭以根據一所要磁圖案將該磁性材料磁化，該所要磁圖案產生一校正磁場以改良該B0磁場之該輪廓。
某些實施例包含一種用於調整由一B0磁體產生之一B0磁場之永久磁體墊片，該永久磁體墊片包括邏輯上分割成複數個區域之至少一個磁性材料薄片，其中根據一預定圖案將該複數個區域選擇性地磁化以產生一磁場以調整由該B0磁體產生之該B0磁場。
某些實施例包含一種由磁性材料產生一墊片以調整由一B0磁體產生 之一B0磁場之方法，該方法包括：量測由該B0磁體產生之一B0磁場；判定一校正磁場以改良該B0磁場之一輪廓；判定在應用於該磁性材料時至少部分地產生該校正磁場之一磁圖案；及根據該磁圖案將該磁性材料之區域磁化。
某些實施例包含一種用於產生一永久磁體墊片以調整由一B0磁體產生之一B0磁場之系統，該系統包括：一支撐框架，其經組態以容納將經磁化以產生該永久磁體墊片之磁性材料；至少一個磁化頭，其能夠產生足以將該磁性材料之區域磁化之一磁場；及至少一個控制器，其經組態以接近該磁性材料在連續位置處自動定位該磁化頭以根據一所要圖案將該磁性材料磁化。
100:系統
105:材料
110:磁性線圈/線圈
140:框架
150:磁化頭
205:材料
210:線圈/磁性線圈
240:延伸部分
250:磁化頭
260:板
305:材料/磁性材料
307:區域
315:中央軸線
325:箭頭/X方向
350:磁化頭
360:可旋轉組件/組件
400:磁化裝置/框架
405:磁性材料/材料
410a:線圈
410b:線圈
415:軸線
450:磁化頭
453:間隙
455:磁通量
500:裝置
505:磁性材料
550a:第一磁化頭/磁化頭/上部磁化頭
550b:第二磁化頭/磁化頭/下部磁化頭
580:可旋轉組件
755:感測器
765:感測器陣列
775:雙平面B0磁體/B0磁體
865:感測器
867:線圈
875:B0磁體
905:材料/圓形磁性材料/磁性材料
907:區域
907’:區域
907”:區域
1005:矩形磁性材料
1007:區域
1007’:區域
1007”:區域
1215:磁圖案
1217:較亮陰影區域
1227:經磁化區域
1425:部分
1427a:經分割區域/區域
1427b:經分割區域/區域
1615:磁圖案
1617:非磁化區域
1627:經磁化區域
1700:B0磁體
1710:電磁體/B0磁體
1712a:電磁線圈/線圈/電磁體
1712b:電磁線圈/線圈/電磁體
1713:導體
1714a:電磁線圈/線圈
1714b:電磁線圈/線圈
1717:玻璃纖維環
1719:連接器
1720:軛
1722:框架
1724a:板
1724b:板
1730a:熱管理組件/冷卻板
1730b:熱管理組件/冷卻板
1740:墊片環
1742:墊片圓盤
1800:B0磁體
1810a:永久磁體
1810b:永久磁體
1814a:永久磁體外環
1814b:永久磁體中環
1814c:永久磁體內環
1814d:永久磁體圓盤
1820:軛
1822:框架
1823a:臂
1823b:臂
1824a:板
1824b:板
1825a:支撐件/支腿
1825b:支撐件/支腿
1900:B0磁體
1910a:永久磁體
1910b:永久磁體
1914a:永久磁體外環
1914b:永久磁體中環
1914c:永久磁體內環
1914d:永久磁體圓盤
1920:軛
1922:框架
1924a:板
1924b:板
2015:磁圖案
2017:區域
2027:區域
2100:B0磁體
2110a:永久磁體
2110b:永久磁體
2120:不對稱軛
2125:永久磁體墊片/永久磁性墊片
2200:B0磁體
2210a:永久磁體
2210b:永久磁體
2225a:永久磁體墊片
2225b:永久磁體墊片
將參考以下各圖闡述所揭示技術之各種態樣及實施例。應瞭解，各圖未必按比例繪製。
圖1A及圖1B分別圖解說明根據某些實施例之用於根據一所要圖案將材料磁化之一自動化裝置之側視圖及俯視圖；圖2圖解說明根據某些實施例之用於根據一所要圖案將材料磁化之一自動化裝置之另一組態；圖3圖解說明根據某些實施例之用於根據一所要圖案將材料磁化之一自動化裝置之另一組態；圖4圖解說明根據某些實施例之用於根據一所要圖案將材料磁化之一自動化裝置之又一組態；圖5(包括圖5A至圖5B)圖解說明根據某些實施例之用於根據一所要圖案將材料磁化之具有雙重磁化頭之一自動化裝置； 圖6圖解說明根據某些實施例之產生經組態以改良一B0磁場之一輪廓之一永久磁體墊片之一方法；圖7A至圖7D圖解說明根據某些實施例之用於量測一B0磁體之一B0磁場之技術；圖8圖解說明根據某些實施例之用於量測一B0磁體之一B0磁場之又一技術；圖9A至圖9C圖解說明根據某些實施例之用於將磁性材料邏輯上分割成複數個區域之例示性技術；圖10A至圖10C圖解說明根據某些實施例之用於將磁性材料邏輯上分割成複數個區域之例示性技術；圖11係圖解說明根據某些實施例之用於判定將應用於磁性材料之一磁圖案以提供一永久磁體墊片之一方法之一流程圖；圖12A圖解說明根據某些實施例之一磁性材料模型之曲面細分邏輯分割之一實例；圖12B圖解說明至少部分地藉由執行圖11中所圖解說明之方法而判定之一例示性磁圖案；圖13係圖解說明根據某些實施例之使用一適應性邏輯分割判定一磁圖案之一方法之一流程圖；圖14A圖解說明根據某些實施例之磁性材料之一例示性邏輯分割；圖14B圖解說明根據某些實施例之在一第一反覆期間使用一第一邏輯分割判定之一磁圖案；圖14C圖解說明已基於所判定磁圖案經重新分割之圖14B中所圖解說明之磁圖案之一部分； 圖14D圖解說明藉由在由圖14B中所圖解說明之磁圖案指示為貢獻於校正磁場之區中增加邏輯分割之解析度而產生之一經調適邏輯分割；圖15A至圖15E圖解說明根據某些實施例之在基於先前反覆中所判定之磁圖案而精細化邏輯分割之複數個反覆中之每一反覆時所判定之磁圖案；圖16圖解說明根據某些實施例之使用最大化貢獻於磁場校正之區域之數目之一最佳化所判定之一磁圖案；圖17A及圖17B圖解說明根據某些實施例之針對其可產生一永久磁體墊片之一B0電磁體；圖18圖解說明根據某些實施例之針對其可產生一永久磁體墊片之一例示性永久B0磁體；圖19圖解說明根據某些實施例之針對其可產生一永久磁體墊片之另一例示性永久B0磁體；圖20圖解說明根據某些實施例之在應用於磁性材料時產生經組態以補償軛效應之一校正磁場之一磁圖案；圖21圖解說明根據某些實施例之藉由應用圖20中所圖解說明之磁圖案而產生之一永久磁體墊片，該永久磁體墊片定位於一永久B0磁體之永久磁體環上方以補償軛效應；及圖22圖解說明根據某些實施例之藉由應用圖20中所圖解說明之磁圖案而產生之一永久磁體墊片(定位於一永久B0磁體之永久磁體環上方以補償軛效應)及藉由應用圖15E中之磁圖案以校正至少某些非均勻性而產生之一永久磁體墊片。
一般而言，一B0磁體需要某一位準之均勻化以產生具有對於用於MRI中令人滿意之一輪廓之一B0磁場(例如，在所要場強度及/或均質性下之一B0磁場)。均勻化係指用於調整、校正及/或改良一磁場(通常為一磁共振成像裝置之B0磁場)之各種技術中之任一者。類似地，一墊片係指執行均勻化(例如，藉由產生、變更或以其他方式修改一磁場)之某物(例如，一物件、組件、裝置、系統或其組合)。用於均勻化之習用技術係相對時間及/或成本密集的，通常需要專家之顯著人力以便調整B0磁場，使得其適合用於其預期目的。發明人已開發了根據某些實施例促進用於MRI之一B0磁體之更高效及/或具成本效益均勻化之若干種技術。某些實施例適合用於低場MRI中，但本文中所闡述之技術不限於在低場內容脈絡中使用。
MRI掃描機市場由高場系統壓倒性地支配，且尤其用於醫學或臨床MRI應用。如上文所論述，醫學成像之大體趨勢係產生具有愈來愈大場強度之MRI掃描機，其中絕大多數臨床MRI掃描機在1.5T或3T下操作，其中7T及9T之較高場強度用於研究環境中。如本文中所使用，「高場」一般係指在一臨床環境中目前處於使用中之MRI系統，且更特定而言係指以處於或高於1.5T之一主磁場(亦即，一B0磁場)操作之MRI系統，儘管在0.5T與1.5T之間操作之臨床系統通常亦表徵為「高場」。在大致0.2T與0.5T之間的場強度已表徵為「中場」，且隨著高場態中之場強度繼續增加，介於0.5T與1T之間的範圍中之場強度亦已表徵為中場。藉由對比，「低場」一般係指以小於或等於大致0.2T之一B0磁場操作之MRI系統，儘管由於高場態之高端處之經增加場強度，具有介於0.2T與大致0.3T之間的一B0磁場之系統有時已表徵為低場。在低場態內，以小於0.1T之一B0磁場操作之低 場MRI系統在本文中稱為「極低場」且以小於10mT之一B0磁場操作之低場MRI系統在本文中稱為「超低場」。
高場MRI系統之吸引力包含相對於較低場系統之經改良解析度及/或經減少掃描時間，從而激勵爭取愈來愈高場強度用於臨床及醫學MRI應用中。然而，如上文所論述，增加MRI系統之場強度會增加MRI掃描機之成本及複雜度，因此限制其可用性且阻止其用作一般用途及/或普遍可用成像解決方案。如上文所論述，對高場MRI之高成本之顯著貢獻者係昂貴超導導線及將導線保持於一超導狀態中所需要之酷冷冷卻系統。舉例而言，用於高場MRI系統之B0磁體頻繁地採用超導導線，該超導導線不僅自身係昂貴的，而且需要昂貴且複雜酷冷設備來維持超導狀態。
低場MRI呈現一具吸引力成像解決方案，從而提供高場MRI之一相對低成本、高可用性替代方案，此可消除促成高場MRI之費用、複雜度及可用性缺乏之諸多因素。促成高場MRI之高成本之一相對顯著因素包含B0磁場之產生後場校正之費用。特定而言，在一B0磁體之製造及組裝之後用於調整由B0磁體產生之磁場之習用均勻化技術係耗時的且昂貴的。更特定而言，當製造一B0磁體時，其通常將不產生就所需精度位準而言具有所要輪廓(例如，所要場均質性)之一B0磁場。特定而言，包含設計、製造容差、環境等因素引起一般使得在組裝之後B0磁場將具有一不令人滿意輪廓之場變化。
因此，在可部署及操作MRI系統之前一般需要對由一B0磁體產生之B0磁場之校正。為校正B0磁場，習用均勻化技術通常採用需要一專家花費實質時間(此又引發顯著成本)之一手動均勻化程序。舉例而言，習用均勻化技術通常涉及藉以量測B0磁場、判定且部署必要校正之一反覆程序，且 重複程序直至產生一令人滿意B0磁場為止。以實質手動參與習用地執行此反覆程序，此需要專門知識及顯著時間(例如，最少一天，且更通常地，更長時間)。
另一均勻化技術涉及提供配置於相對於MRI系統之視域之空間中之一校正線圈或墊片線圈(例如，射頻磁性線圈)陣列。基於一經組裝B0磁體之所量測B0磁場及依據其計算之場校正，適當電流經計算且施加至對應校正線圈以調整B0磁場，使得產生一令人滿意B0磁場。雖然此解決方案係相對簡單的且減少執行B0磁場校正所需要之時間，但校正線圈陣列佔據空間，消耗電力且增加成本。特定而言，校正線圈通常需要具有嚴格穩定性要求之電流供應器。此等電流供應器一般係昂貴的且消耗相對顯著量之電力。另外，校正線圈及相關聯電流供應器通常亦必須經設計以耐受由梯度線圈在操作期間感應之可能高電壓。因此，經由校正線圈進行均勻化通常涉及此等缺點，從而使該等校正線圈對於某些系統而言係一不太具吸引力解決方案，儘管亦適合用於某些系統。
如上文所論述，用於(舉例而言)高場MRI中之習用均勻化技術通常涉及顯著專家貢獻。稱為被動均勻化之一項此類技術涉及通常藉由圍繞MRI裝置之膛孔將鋼件細緻地配置在由一專家計算之位置處而添加鋼件以視需要調整B0磁場以校正主磁場。舉例而言，可產生具有經配置以固持鋼「幣」(亦即，在經磁化時產生一已知磁場之鋼件)之一系列托盤之一MRI裝置，可將該等鋼「幣」手動地放置於特定位置處以調整B0磁場以產生一令人滿意場輪廓。藉由系統之主磁場將鋼幣磁化而不需要進一步電力輸入。
然而，接近B0磁體(例如，圍繞膛孔)手動放置幣之程序係耗時的且一 般需要一專家能夠執行此均勻化程序。尤其在高場內容脈絡中，此等被動均勻化技術之又一缺點係：B0磁場調整限於B0磁場之方向。具體而言，如上文所論述，此等被動墊片藉由B0磁場經磁化且因此在同一方向上產生一磁場。磁場貢獻在其他方向上一般係不可能的，此乃因(舉例而言)若提供典型材料之預磁化墊片以在其他方向上產生磁場，則習用MRI系統之相對高場強度一般提供充足矯頑力以在B0磁場之方向上重新對準此等被動墊片之磁場。因此，習用MRI系統中接近B0磁體定位鐵磁材料之技術一般限於在與主B0磁場相同之方向上定向之校正場。
此外，除習用被動均勻化技術係耗時的且昂貴的之外，亦存在針對其用途之進一步挑戰，尤其在低場內容脈絡中。特定而言，在低場MRI之低場特性下，不可藉由目標B0磁場之低場強度(例如，在10至50mT範圍中之場強度，作為一非限制性實例)將被動墊片之頻繁使用之材料(例如，鋼)驅動至飽和，從而引起使均勻化程序複雜化及/或使令人滿意地採用困難(或可能係不可能的)之非線性磁行為。因此，習用被動均勻化技術出於此額外原因而可不適合用於低場MRI。
發明人已瞭解，可在諸多低場內容脈絡中在任一定向上利用永久磁體墊片，從而提供校正一低場MRI裝置之B0磁場之靈活性及精度之一度量。此等被動均勻化技術由於由B0磁體產生之高磁場強度而一般不可用於高場內容脈絡中，舉例而言，B0磁體將磁性材料之磁化對準在B0磁場之方向上。一永久磁體係指一旦經磁化便維持其自身之持久磁場之任一物件或材料。可經磁化以產生一永久磁體之材料在本文中稱為鐵磁的或僅僅磁性的，且包含鐵、鎳、鈷、釹(NdFeB)合金、釤鈷(SmCo)合金、鋁鎳鈷(AlNiCo)合金、鍶鐵氧體、鋇鐵氧體等作為非限制性實例。永久磁體材料 (例如，已藉由一磁化場經驅動至飽和之可磁化材料)在移除驅動場時保持其磁場。由一特定材料保持之磁化量稱為材料之剩磁。一旦材料已經驅動至飽和便將材料消磁所需要的一磁場在相對方向上之強度稱為材料之矯頑磁力。
由於某些例示性低場MRI系統之低場強度特性通常不足以超出最常用磁性材料之矯頑磁力，因此永久磁體墊片可配置在除沿著B0磁場以外之定向上而不經消磁或經重新磁化以與B0磁場對準。舉例而言，永久磁體墊片可用於在B0磁場之方向上、與B0磁場相反、平行或橫向於B0磁場或者在中間的方向或定向上調整一低場MRI系統之B0磁場，從而顯著擴展解決方案空間以用於校正B0磁場。根據某些實施例，至少一個永久磁體墊片經配置以產生不與B0磁場對準之一磁場以促進校正由一低場MRI系統產生之B0磁場。就B0磁場之強度保持不足以在B0磁場之方向上將墊片重新磁化而言，此技術不限於低場內容脈絡。
如上文所論述，諸多習用均勻化技術在評估及校正由一MRI系統之B0磁體(例如，在產生後之一未經校正B0磁體)產生之令人不滿意磁場變化中需要廣泛手動參與。發明人已開發了用以最小化校正由一B0磁體產生之B0磁場(舉例而言，校正由不完美製造程序產生之至少某些場不均質性)中涉及之人力之技術。特定而言，發明人已開發了用於圖案化磁性材料以將場校正提供至由一B0磁體產生之B0磁場之自動化技術。
根據某些實施例，以經組態以改良由一MRI系統(例如，一低場MRI系統)產生之一B0磁場之輪廓之一圖案將一未磁化材料薄片磁化。舉例而言，可藉由一自動化磁化頭將該未磁化材料薄片磁化，該自動化磁化頭可經程式化而以一所要圖案將材料磁化以產生改良由MRI系統之一B0磁體產 生之一B0磁場之輪廓(例如，改良B0磁場均質性)之一磁場。在某些實施例中，未磁化區域(亦即，在磁化圖案外側之區域)保持原樣且在判定將經由自動化磁化頭應用於材料之磁圖案時考量未磁化區域在B0磁場中之磁化(就發生該磁化而言)。在其他實施例中，在將所得墊片併入至系統(舉例而言，一低場MRI系統)中之前將未磁化區域移除(例如，經由切割)。
根據其他實施例，藉由一自動化磁化頭達成磁化之一所要圖案，該自動化磁化頭對一經磁化材料件進行操作以將磁場定向於離散位置處，使得所得磁圖案產生改良由一MRI系統之一B0磁體產生之一B0磁場之輪廓之一磁場。舉例而言，可最初以交替極化以一高空間頻率將一材料件磁化，使得所產生之磁場在距材料之短距離處抵消。因此，雖然最大限度地經磁化(例如，飽和)，但經磁化材料在B0磁場之所關注區域中(例如，在一MRI系統之視域內)將顯得未經磁化。為將一所要磁圖案應用於材料，一自動化磁化系統可控制一磁化頭以根據一所要圖案將材料磁化，同時使剩餘材料未觸摸過，使得高空間頻率極化保持於此等區域中。以此方式，當將經圖案化墊片添加至系統時，此等區域將不影響所關注區域中之磁場，但經磁化之後將不易受MRI系統之B0磁場影響。
根據某些實施例，使用自動化切割技術(例如，使用一電腦數值控制(CNC)路由器、雷射切割器等)圖案化一經磁化材料薄片以產生改良由一MRI系統之一B0磁體產生之一B0磁場之輪廓之一經磁化材料圖案。舉例而言，替代根據一所要圖案將永久磁性材料磁化，可根據磁圖案切割預磁化材料，使得剩餘材料產生一所要磁場以促進校正由一B0磁體(例如，一低場MRI裝置之一B0磁體)產生之B0磁場。另一選擇係，可在已藉由根據經組態以改良由B0磁體產生之B0磁場之輪廓之所判定圖案切割磁性材料而圖 案化磁性材料之後將磁性材料磁化。
在某些情況下，經判定以改良一B0磁場之輪廓之一磁圖案可係斷開的，使得所得材料在切割之後具有複數個單獨不連接區域。為解決此等情況，可首先將磁性材料接合至一基板層，該基板層在圖案化磁性材料之程序期間未經切割或未經完全切割，使得不連接區域維持其等彼此之關係使得產生所要校正磁場。另一選擇係，可將按其切割磁性材料之相同圖案描跡至一基板(例如，一黏合基板)上且經機械加工件可在對應跡線之位置處黏附至該基板。亦可使用用於允許根據所判定圖案配置不連接磁性材料件之其他技術，此乃因態樣在此方面不受限制。
根據某些實施例，可應用經判定以改良一B0磁場之輪廓之一磁圖案以藉由3D列印技術產生一永久磁體墊片。舉例而言，可根據磁圖案使用增材3D列印技術列印磁性材料。另一選擇係，可使用減材技術(藉由根據產生一校正磁場以改良一B0磁場之輪廓之一磁圖案將磁性材料移除)圖案化磁性材料。還可使用增材及減材技術之一組合，此乃因態樣在此方面不受限制。
根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有小於10mT(例如，大於或等於大致6.5mT且小於或等於大致10mT)之一B0磁場之一超低場MRI系統一起使用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於或等於大致10mT且小於或等於大致20mT之一B0磁場之一極低場MRI系統一起使用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於或等於大致20mT且小於或等於大致50mT之一B0磁場之一極低場MRI系統一起使用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於或等於大致50mT且小於或等於大致0.1T之一B0磁場之一極低場MRI系統一起使 用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於或等於大致0.1T且小於或等於大致0.2T之一B0磁場之一低場MRI系統一起使用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於或等於大致0.2T且小於或等於大致0.3T之一B0磁場之一MRI系統一起使用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於0.3T(舉例而言，高達0.5T)之一B0磁場之一MRI系統一起使用。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片以供與具有大於0.5T之一B0磁場之一MRI系統(舉例而言，針對一中場或高場MRI系統)一起使用。
下文係對與用於(舉例而言)改良一MRI系統之一B0磁場之輪廓之均勻化技術有關之各種概念及該等均勻化技術之實施例之更詳細說明。雖然本文中所闡述之技術中之某些技術很好地適用於低場MRI，但本文中所闡述之技術不限於在低場內容脈絡中使用。應瞭解，可以眾多方式中之任一者實施本文中所闡述之各種態樣。本文中僅出於說明性目的而提供特定實施方案之實例。另外，下文實施例中所闡述之各種態樣可單獨或以任一組合來使用，且不限於本文中明確闡述之組合。
圖1A及圖1B分別圖解說明根據某些實施例之用於以一所要圖案將材料磁化之一自動化系統之側視圖及俯視圖。舉例而言，系統100可用於產生一永久磁體墊片以校正由一MRI系統(舉例而言，一低場MRI系統)產生之B0磁場。在圖1A及圖1B中，系統100包含磁性耦合至磁性線圈110之一磁化頭150，每一磁性線圈110經組態以產生經由磁化頭150輸送以將在磁化頭150之尖端(在本文中亦稱為「極點」)之間的位置處之材料105(例如，一永久磁體材料薄片，諸如硬鐵氧體、稀土磁體或最初未磁化或預磁化有高空間頻率之其他適合材料，如下文進一步詳細地論述)磁化之一磁 場。材料105之磁化應經局域化至磁化頭150之尖端之間的間隙以避免將材料105之非預期部分磁化。為達成此，由任何適合磁性材料構造之框架140形成一磁路以為磁通量提供一返迴路徑且操作以拘限由線圈110產生之磁場。該磁路包含集中磁場以在磁化頭150之極點之間提供足以將提供於其之間的局域化區域中之材料磁化之經增強磁通量密度之磁化頭150(形成有一極間隙)。
為將一材料磁化，一般推薦應用為所使用之特定材料之矯頑場之至少三倍之一磁化場。發明人已認識到，某一例示性低場MRI系統中涉及之低場強度促進需要一較弱磁場來磁化之材料之使用，因此消除對可使用之材料類型之約束。舉例而言，可使用諸如釹(NdFeB)之材料，儘管此材料通常需要超過3T之場。另外，可在大約1T之場強度(其更容易地產生)下經磁化之硬鐵氧體(諸如鍶或鋇鐵氧體)可用於低場內容脈絡中。此等材料係廣泛可用的、相對便宜的且可以各種形式(包含相對容易切割且形成為所要幾何形狀之撓性薄片)產生，從而在此方面使其等為具吸引力永久磁體材料。然而，可使用任何適合材料，此乃因本文中所闡述之技術不限於與任一或任何特定類型之磁性材料一起使用。
根據某些實施例，為促進更強磁性材料(例如，具有較高矯頑磁力及剩磁值之材料)之使用，材料可經加熱以減小將材料磁化所需要之磁場之強度。舉例而言，材料可經局部加熱(例如，經由雷射或感應加熱)，使得磁化頭可使用一減小強度磁場將經加熱區域中之材料磁化。另一選擇係，可加熱整個材料薄片，此乃因態樣在此方面不受限制。因此，可經由熱輔助磁化技術利用可由於所需要之高磁場強度而在正常溫度下並非適合之材料。
磁化頭150可以可移動方式耦合至框架140，使得可視需要(例如，參見圖1B中所圖解說明之方向箭頭)使該頭部在材料105之表面上方平移。舉例而言，可使用一或多個線性級使磁化頭150平移，使得對磁化頭之控制可係自動化的。根據某些實施例，磁化頭之一所要圖案可輸入至系統且一控制程式可控制一或多個線性級以使磁化頭平移，使得磁化頭在材料105之表面上方將所要圖案描跡。在使磁化頭平移時亦可在垂直方向上控制磁化頭150以增加極點之間的距離(例如，以使極點移動遠離材料105)以在特定位置處阻止材料105之磁化。此允許略過所要位置，從而准許並非連續之圖案之磁化。另一選擇係，亦可藉由控制線圈110而在所要位置處停止磁化程序，使得當磁化頭定位於不期望磁化之位置處時其等不產生磁場。根據某些實施例，此等技術中之無一者、一者或兩者可用於產生對材料105之磁化之一所要圖案。
圖2圖解說明根據某些實施例之一自動化磁化系統之另一組態。系統200包含具有一單個尖端之一磁化頭250。磁化頭250經耦合至一延伸部分240及/或與延伸部分240成一整體。鐵磁材料(諸如鋼)之一板260經提供以支撐材料205。線圈210提供其磁通量經提供穿過在尖端下面之位置處之材料205之一磁場，其中板260及延伸部分240為磁通量提供一返迴路徑。使用此幾何形狀，磁化頭之尖端處的磁通量密度係足夠強以將材料205磁化，但經由板260沿著返迴路徑充分地散開，使得磁通量密度在別處不足以將材料205磁化。因此，僅在磁化頭250之尖端下面的位置處將材料205磁化。磁化頭250及延伸部分240可被安裝至線性級以允許磁化頭在材料205之表面上方移動，從而以一所要圖案將材料磁化。如結合圖1A及圖1B所論述，為略過材料205上之位置，磁化頭250可在垂直方向(Z方向)上移 動，以將頭部抬起離開材料205，及/或可使磁性線圈210循環接通及關斷，使得材料205之所要位置保持未磁化。
另一選擇係(或另外)，可使板260及/或材料205在XY平面(亦即，材料205之平面)中平移，使得磁化頭250之尖端保持固定，且當材料205經過磁化頭250之極點下面時，將材料205之所要部分磁化。舉例而言，板260可被放置於能夠在XY平面中移動之一平移桌上，或自身可係該平移桌。
圖3圖解說明根據某些實施例之一自動化磁化系統之再一例示性組態。在圖3之組態中，材料305係由示意性地圖解說明為可旋轉組件360之一可旋轉組件支撐，可致使可旋轉組件360圍繞一中央軸線315旋轉(例如，經由一或多個馬達)，因此致使材料305圍繞此相同軸線旋轉或自旋。根據某些實施例，亦可控制可旋轉組件自旋之速率。應瞭解，可旋轉組件可係材料305通常座落且可被固定於其上之一平臺，或材料305可以其他方式經附接或經固定至其使得組件360之旋轉引起材料305之一對應旋轉之一件。可使用適合用於此目的之任何組件，此乃因態樣在此方面不受限制。
磁化頭350及線圈310(若存在)經組態以在如由箭頭325所指示之x方向上平移(例如，經由一或多個線性級)。一控制組件可經耦合以便協調材料305之旋轉(例如，經由可旋轉組件360)及磁化頭之平移，以便將材料305之所要區域磁化。特定而言，基於針對在製造及組裝之後由一B0磁體產生之一給定B0磁場所判定之磁場校正，一控制程式可經提供以使材料305旋轉，同時使磁化頭350在X方向上(亦即，相對於材料305在一徑向方向上)平移，從而以產生一校正磁場之一圖案將材料305磁化。以此方式， 磁化頭350可經簡化，此乃因其僅需要沿著一單個通路係可移動的。
應瞭解，可採用磁化頭、磁性材料及/或經提供以支撐磁性材料之組件中之任一者或組合之平移及/或旋轉之任一組合，以允許磁性材料在所要位置處經磁化以產生經組態以改良一B0磁體(例如，供由一低場MRI裝置使用之一B0磁體，儘管不限於此等裝置)之B0磁場之輪廓之一磁圖案，此乃因技術不限於在此方面使用。
根據某些實施例，藉由一永久磁體形成磁化頭(例如，磁化頭150、250、350)。因此，在使用一永久磁體頭部之某些實施方案中，磁性線圈(例如，磁性線圈110、210、310)可係不必要的。特定而言，磁化頭可係由能夠產生足以將一磁圖案應用於其之磁性材料之區域磁化之一磁場的磁性材料構造。在針對磁化頭利用永久磁體之實施例中，提供兩個永久磁化頭可係有益的，每一永久磁化頭在與另一永久磁化頭相反之方向上經磁化，使得磁性材料之區域可在任一方向上經磁化。然而，永久磁化頭之使用在此方面不受限制。
根據某些實施例，磁性線圈可與一永久磁體磁化頭組合使用，以促進在與單獨使用磁性線圈相同之功率位準下提供經增加磁化場強度，或可使用更少功率來提供相同磁化場強度。應瞭解，可單獨或以任一組合使用磁性線圈及/或一永久磁體磁化頭，以達成能夠以適合方式將所關注磁性材料磁化以產生永久磁體墊片之具有所要操作特性之一自動化磁化系統。應進一步瞭解，磁化頭在被固定於一給定位置處時可經組態以將任一所要體積之一區域磁化。舉例而言，磁化頭可經選擇，使得當磁化頭被定位於一給定位置處時，1cm3之一體積被磁化。然而，應瞭解可使用任一大小磁化頭，此乃因態樣在此方面不受限制。一較小磁化頭之使用允許具有更 精細特徵之一磁化圖案被應用於磁性材料。一較大磁化頭之使用允許一給定磁化圖案在更少時間內被磁化。
圖4圖解說明根據某些實施例之用於在平行或橫向於針對其期望校正之B0磁場之方向上將一永久磁體墊片磁化之一裝置之又一組態。磁化裝置400包括用於產生一磁場以將磁性材料405之所要區域磁化之線圈410a及410b。磁通量在由箭頭所指示之方向上經由磁化頭450輸送，該磁通量可藉由用在相反方向上流動之電流驅動線圈410a及410b而在相對方向上產生。跨越間隙453之磁通量455在實質上在材料405之平面中之一方向上將間隙下方之區域中之材料405磁化。以此方式，材料405可在實質上平行於材料405之平面之方向上經磁化。針對具有一雙平面或單面幾何形狀之一B0磁體，材料405可在橫向(例如，實質上垂直)於針對其期望校正之B0磁場之方向上經磁化。針對具有一圓柱形幾何形狀之一B0磁體(例如，一螺線管或Halbach類型磁體)，材料405可在與B0磁場實質上平行(例如，對準及/或反向對準)之方向上經磁化。
磁化頭450可經由一或多個線性級耦合至框架400，該一或多個線性級允許磁化頭450在X方向及/或Z方向上移動，使得磁化頭450可定位於磁性材料405之所要區域上面以將一磁圖案應用於材料405以產生改良一B0磁體(舉例而言，經組態以用於一低場MRI裝置中之一B0磁體)之一B0磁場之輪廓之一磁場。作為一項實例，磁化頭450可經由線性級耦合，該等線性級允許磁化頭在X方向及Z方向上經控制，使得磁化頭可移動至在材料405之XZ平面中之所要位置。另一選擇係，磁化頭450可經耦合以允許在使材料405旋轉(例如，經由如結合圖3所闡述之一可旋轉組件)時沿著X軸線(亦即，在X及-X方向上)進行控制，使得磁化頭可定位於材料405之所 要區域上方。亦可使用定位磁化頭450之其他方式，此乃因態樣在此方面不受限制。
根據某些實施例，磁化頭450可以可旋轉方式耦合至框架400以允許磁化頭圍繞軸線415轉動。以此方式，材料405之區域可在磁性材料405之平面中之任一所要方向上經磁化。然而，應瞭解，使磁化頭450旋轉之能力並非一要求且磁化頭450之定向在某些實施例中可係固定的。
在某些情況下，可期望具有應用一磁圖案之能力，其中區域可與正校正之B0磁場實質上對準、實質上反向對準及/或實質上在橫向於正校正之B0磁場之方向上經磁化。因此，根據某些實施例，用於應用一磁圖案以產生一永久磁體墊片之一自動化裝置可具備雙重磁化頭，從而允許永久磁體墊片之區域在實質上平行及實質上垂直於B0磁場之方向上經磁化。根據某些實施例，一第一磁化頭經提供以在實質上平行於B0磁場(例如，與B0磁場對準或反向對準)之方向上將永久磁體墊片之區域磁化，且一第二磁化頭經提供以在實質上垂直於B0磁場之方向上(例如，在橫向於B0磁場之方向上)將永久磁體墊片之區域磁化。根據某些實施例，雙重磁化頭緊密接近(例如，並排)地經提供。
為在一所要方向上將一區域磁化，可操作各別磁化頭(例如，藉由提供電流以操作耦合至選定磁化頭之線圈)同時另一磁化頭保持非操作(例如，藉由不將電流提供至各別線圈及/或藉由使磁化頭移動遠離經磁化之磁性材料)。根據某些實施例，使用第一磁化頭執行永久磁體墊片上方之一第一經過且使用第二磁化頭執行永久磁體墊片上方之一第二經過，或反之亦然，以減少操作各別磁化頭之間的切換量。
圖5A及圖5B圖解說明根據某些實施例之用於將一磁圖案應用於一永 久磁體墊片之一裝置(具有雙重磁化頭)。裝置500包括經組態以在Y及-Y方向上(例如，在實質上平行於一雙平面或單面B0磁體之B0磁場之方向上)將磁性材料505之區域磁化之一第一磁化頭550a，及經組態以在XZ平面中之方向上(例如，在實質上垂直於一雙平面或單面B0磁體之B0磁場之方向上)將磁性材料505之區域磁化之一第二磁化頭550b。舉例而言，磁化頭550a可類似於圖1及圖3中所圖解說明之磁化頭，或可係任一其他適合磁化頭，且磁化頭550b可類似於圖4中所圖解說明之磁化頭，或可係任一其他適合磁化頭。可使用如結合圖1至圖4所闡述之電磁體線圈(圖5中未展示)、使用永久磁體材料或兩者之一組合構造該等雙重磁化頭，此乃因態樣在此方面不受限制。
磁化頭550a(上部)及磁化頭550b耦合至允許各別磁化頭取決於所要磁化方向而選擇性地旋轉至適當位置中(如由圖5a及圖5b中分別展示之兩個位置所圖解說明)之一可旋轉組件580。可使用本文中所闡述之技術中之任一者(例如，線性級、馬達、旋轉桌等)將雙重磁化頭定位於相對於磁性材料之所要位置處以將一所要磁圖案應用於磁性材料505。如上文所論述，可在兩次經過中執行或可在一單個經過中執行根據一所要圖案將一永久磁體墊片磁化。磁化頭550a與550b之間的切換可以一自動化方式(例如，在使用馬達或其他自動化構件之裝置之控制下)來控制、可手動切換或兩者。下部磁化頭550a亦可耦合至當不操作磁化頭時允許頭部旋轉(例如，如圖5B中所圖解說明)或以其他方式經定位遠離磁性材料505(例如，自磁性材料505抬高及降低)之一組件。
圖6圖解說明根據某些實施例之產生一永久磁體墊片之一方法。可執行方法600以改良由任一類型之B0磁體(包含一永久B0磁體、一B0電磁體 或其任一組合)產生之B0磁場之輪廓。舉例而言，可執行方法600以校正由以下各項產生之B0磁場之場強度之非均勻性及/或偏移：下文進一步詳細地(例如，結合圖17至圖19)論述之例示性電磁體及例示性永久磁體；及/或標題為「低場磁共振成像方法及設備(Low Field Magnetic Resonance Imaging Methods and Apparatus)」且2015年提出申請9月4日之第14/845,652號美國專利申請案及/或標題為「用於磁共振成像鐵磁增強(Ferromagnetic Augmentation for Magnetic Resonance Imaging)」且2015年9月4日提出申請之第14/846,255號美國專利申請案中所闡述之例性B0磁體中之任示一者。
根據某些實施例，可執行方法600以產生可接近呈敞開磁體配置之雙平面B0磁體中之一者或兩者配置之大體平面永久磁體墊片。在此方面，一永久磁體墊片可經產生且配置於一雙平面B0磁體之視域之兩側上，或配置於一雙平面B0磁體之一單個側上。在其中使用多個永久磁體墊片(例如，與一雙平面B0磁體之各別側相關聯之一對永久磁體墊片)之實施例中，可產生其上提供有不同或相同磁圖案之永久磁體墊片。根據某些實施例，可使用方法600以(舉例而言)藉由將一磁圖案應用於可經塑形或以其他方式形成為一特定幾何形狀之撓性材料而產生其他幾何形狀(例如，圓柱形幾何形狀)之一永久磁體墊片，如下文進一步詳細地論述。
多個永久磁體墊片亦可用於提供不同校正磁場以改良B0磁體之輪廓。舉例而言，一或多個永久磁體墊片可對由製造容差產生之非均勻性(例如，產生程序中之可變性)及/或由用於增加一B0磁體之視域中之磁通量密度之一鐵磁軛(例如，如下文進一步詳細地論述之一不對稱軛)產生之非均勻性進行校正。一或多個永久磁體墊片可用於抬高或降低由B0磁體產 生之B0磁場之場強度以對一B0偏移進行校正。應瞭解，多個類型之校正(例如，經改良均質性、B0偏移等)可由一單個永久磁體墊片提供或使用獨立地或同時產生之永久磁體墊片之一組合提供，此乃因態樣在此方面不受限制。
執行方法600之動作610，判定一B0磁場與一B0磁體之一所要B0磁場之偏差。特定而言，B0磁體經設計以在一特定場強度下產生一均勻B0磁場。一B0磁場與均勻B0磁場之偏差(在本文中稱為非均勻性或不均質性)使併入B0磁體之一MRI系統之效能降級(例如，藉由導致系統之信雜比(SNR)之一成比例減小、藉由使MR信號激勵及/或偵測效能降級、導致影像失真等)。一B0磁場與所要場強度之偏差(在本文中稱為一B0偏移)使B0磁體之拉莫頻率移位，從而導致拉莫頻率與MRI系統之預期操作頻率之間的一不匹配，該不匹配若未經校正則亦使效能降級。因此，在動作610中，判定B0磁場之偏差，非均勻性及/或B0偏移。
實際B0磁體設計不能夠恰好在一所要場強度下達成完美均勻性。因此，一B0磁場與一所要輪廓之某一偏差係系統之設計中固有的。另外，製造程序中之可變性導致由一B0磁體產生之一B0磁場(其延伸範圍通常針對一B0磁體之每次產生而變化)與其所要均勻性及/或場強度之進一步偏差。進一步地，B0磁體自身之設計可引入B0磁場與一所要輪廓之偏差。舉例而言，在某些情況下，經設計以增加所關注區域中之磁通量之一鐵磁軛可將非均勻性引入於B0磁場中，如下文進一步詳細地論述。可藉由執動動作610而判定B0磁體之設計中所固有或由B0磁體之設計引入及/或由製造程序引入的一B0磁場之偏差。
可以若干種方式判定與一所要B0磁場之偏差。舉例而言，在動作610 中，可在一所關注區域中量測由經組態以用於MRI系統中之一B0磁體產生之B0磁場。為量測B0磁場，磁場感測器可在空間上經配置以量測或映射由B0磁體在一MRI裝置之相關視域內產生之磁場。另一選擇係，可使一感測器或一感測器陣列圍繞一所關注區域移動以量測由B0磁體產生之磁場。可利用允許以適合方式表徵B0磁場之輪廓之任一數目或類型之感測器。舉例而言，可利用霍爾探針、NMR探針、磁通閘感測器、固態磁強計或能夠偵測磁場以擷取相對小變化之任何其他感測器。亦可在動作610中藉由基於設計之性質計算偏差而判定與一所要B0磁場之偏差。特定而言，可基於已知設計規格而評估B0磁體之設計中所固有之偏差。舉例而言，可依據軛之已知性質及軛與B0磁體之間的已知關係來判定由一軛引入之非均勻性。動作610之執行應能夠充分地表徵B0磁場之偏差，使得可經由一或多個永久磁體墊片偵測及校正非均質性及/或B0偏移之不滿意程度。
在動作620中，判定經組態以基於所判定偏差而產生一校正磁場以改良B0磁場之輪廓之一磁圖案。可以若干種方式判定該磁圖案。根據某些實施例，產生一永久磁體墊片之一模型，舉例而言，經組態以模擬永久磁體墊片之性質之一電腦產生之模型。舉例而言，可經由一最佳化方案判定在應用於磁性材料時提供校正磁場之一磁圖案，下文進一步詳細地闡述該最佳化方案之實例。舉例而言，一最佳化可用於判定一磁圖案，該磁圖案指示磁圖案應用於其之磁性材料之哪些區域在什麼方向上及/或在什麼場強度下經磁化。下文亦進一步詳細地論述用於判定一磁圖案之額外技術。
在動作630中，將所判定磁圖案應用於磁性材料以產生貢獻於且改良由一B0磁體產生之B0磁場之一或多個永久磁體墊片。將一磁圖案應用於磁性材料係指根據所判定磁圖案轉變、提供或以其他方式產生經磁化材料之 任一技術，包含但不限於使用一磁化頭以根據該磁圖案橫越磁性材料且將磁性材料磁化、根據該磁圖案切割或移除磁性材料以產生經磁化材料、根據該磁圖案產生或提供磁性材料之增材技術(諸如3D列印、噴塗等)等。
根據某些實施例，最初未磁化或在高空間頻率下預磁化之一鐵磁材料薄片可具有使用一自動化磁化系統應用之一所判定磁圖案，諸如結合圖1A、圖1B或圖2所闡述之彼等。特定而言，所判定磁圖案可經提供至自動化磁化系統之一控制系統以控制磁化頭在磁性材料(例如，最初未磁化材料之一鐵磁薄片)之表面上方橫越成該圖案以將磁圖案應用於材料從而產生一永久磁體墊片。永久磁體墊片然後可接近視域經配置以經由磁圖案產生貢獻於由MRI裝置(例如，一低場MRI裝置)產生之B0磁場之一磁場以改良場輪廓(例如，藉由增加B0磁場之均質性)。
根據某些實施例，可藉由根據一所判定磁圖案切割磁性材料而將該所判定磁圖案應用於磁性材料。舉例而言，可將一磁性材料薄片磁化且然後隨後經由根據磁圖案切割或移除磁性材料(例如，經由一CNC雕刻機、雷射切割機或任一適合機械加工程序、減材3D列印技術等)而圖案化該磁性材料薄片。亦即，可使用任何適合技術移除經判定為不貢獻於校正磁場的磁性材料之區域，從而僅留下貢獻於校正磁場之對應於磁圖案之區域。另一選擇係，磁性材料可最初在根據磁圖案圖案化磁性材料(在此之後隨後將經圖案化磁性材料磁化以產生永久磁體墊片)時未磁化。在某些情況下，切割或移除磁性材料以應用所判定磁圖案之技術可藉由以下方式提供一更簡單方法：消除自動化磁化頭設備(例如，消除圖1至圖4中所圖解說明之例示性設備)，從而降低產生一永久磁體墊片之成本及複雜度。舉例而言，在已圖案化磁性材料之前或之後將磁性材料全部一次性磁化消除對 控制一磁化頭橫越對應於所判定磁圖案的磁性材料之每一區域且將每一區域磁化之相對耗時且複雜程序之需要。
如上文所論述，當使用減材程序(例如，切割、減材3D列印)應用一磁圖案時，經圖案化磁性材料可在切割之前或之後固定或黏附至一基板，使得未連接磁性材料件相對於彼此經定位且維持在正確位置中使得所判定磁圖案經留存。應瞭解，經磁化區域或磁性材料件可以任一適合方式附接至基板。在某些實施例中，基板為經圖案化經磁化材料提供一穩定性量測，從而形成永久磁體墊片。根據某些實施例，使用適合增材程序(additive process)(諸如增材3D列印技術、冷噴塗技術等)應用一所判定磁圖案。可使用用於應用一所判定磁圖案之任何其他適合技術，此乃因態樣在此方面不受限制。
如上文所論述，為判定經受校正之由一B0磁體產生之B0磁場之一偏差(例如，以執行圖6中所圖解說明之方法600中之動作610)，B0磁場可經量測以表徵其輪廓，使得可應用本文中所闡述之均勻化技術。圖7A至圖7D圖解說明量測由一B0磁體產生之B0磁場以便表徵B0磁場之輪廓(例如，強度及/或變化)以促進其校正及/或改良之例示性方法。圖7A圖解說明一雙平面B0磁體775(其中一感測器755經放置於由B0磁體775產生之場內)及在三個維度上變化以便在空間中之所要位置處量測B0磁場之其位置。該感測器可係為適合用於量測由B0磁體產生之局部磁場之任一類型，上文結合圖6中所圖解說明之方法600論述B0磁體之某些例示性感測器。可使該感測器移動至儘可能多之位置從而以適合方式表徵磁場，使得可計算一校正。圖7B在一圓柱形幾何形狀B0磁體之內容脈絡中圖解說明與圖7A中所展示相同之技術。應瞭解，使用一感測器755量測磁場可與任一幾何形狀 一起使用，此乃因技術在此方面不受限制。
為促進用以量測一受試B0磁體之B0磁場之一更快更具成本效益手段，可使用一感測器陣列765，如圖7C及圖7D中所圖解說明。感測器陣列765可包含適合用於量測磁場之任一類型之任一數目個感測器。類似於結合感測器755所闡述之技術，可使感測器陣列765在三個維度上移動以在空間中之所要位置處量測由B0磁體775產生之B0磁場。在圖7C及圖7D中之示意性圖式中，感測器陣列經圖解說明為一矩形感測器陣列。然而，一陣列中之感測器可以任一方式(舉例而言，球形地(例如，經配置好似在一球體之表面上及/或在一球體內))組態於一平面內或實質上組態於該平面內，或以任一其他所要組態或幾何形狀來組態，此乃因態樣在此方面不受限制。
發明人已認識到，在諸多低場內容脈絡中產生之相對小磁場促進相對便宜固態感測器之使用。舉例而言，固態感測器可用於形成圖7C及圖7D中所圖解說明之感測器陣列765。根據某些實施例，感測器陣列765可包括足以在一單個量測中量測一B0磁場之所關注區域之全部之若干個固態感測器。舉例而言，數百個或數千個(或更多)感測器可整合於一感測器陣列中，該感測器陣列能夠經由由陣列中之感測器進行之一單個量測(或在相對小數目個量測中)擷取關於一所關注區域(例如，在一低場MRI裝置之內容脈絡中B0磁體之可用視域之全部或實質上全部)中之B0磁場之充足資訊。以此方式，可迅速地且有效地表徵一B0磁場。應瞭解，可產生一「單擊」感測器陣列以藉由適當地選擇感測器之數目及空間配置(例如，感測器之間的間隔)而在任一所要解析度下量測一B0磁場之一所要所關注區域。應進一步瞭解，任一類型之感測器可用於形成一感測器陣列，包含一 單擊感測器陣列，儘管自一成本角度來看與諸多感測器相關聯之成本可使此等實施方案不那麼合意。
圖8圖解說明根據某些實施例之可適合用於表徵由一B0磁體產生之B0磁場之又一感測器配置。在圖8中，包括複數個線圈867之一感測器865提供於B0磁體875之所關注區域內。如由箭頭所指示(圍繞沿著感測器之邊緣之一軸線或穿過感測器之中心之一軸線)而使感測器865旋轉且在感測器865旋轉時來自線圈中之每一者之通量感應電壓可用於推斷由B0磁體875產生之磁場。以此方式，可經由一旋轉線圈陣列在三個維度上量測由一B0磁體產生之磁場。
為既輔助判定將一校正提供至一給定B0磁體之B0磁場之磁圖案又輔助將一所要磁圖案應用於磁性材料(例如，輔助執行圖6中所圖解說明之方法600之動作620及630)，將形成可經磁化之一永久磁體墊片之磁性材料可邏輯上分割成複數個區域。舉例而言，磁性材料之一模型可邏輯上經分割以在空間上將模型劃分成該複數個區域。根據某些實施例，判定一磁圖案(例如，藉由執行圖6中所圖解說明之方法600中之動作620)之程序包含判定在應用磁圖案(例如，藉由執行圖6中所圖解說明之方法600中之動作630)時該複數個區域中之哪些區域將經磁化以貢獻於將由永久磁體墊片產生之校正磁場。
根據某些實施例，判定一磁圖案之程序包含判定在應用磁圖案時應用於複數個區域中之每一者以提供將由永久磁體墊片產生之一所要校正磁場之磁化之方向(例如，極性)。一磁圖案可指示一邏輯分割之哪些區域將在哪一方向上及/或在什麼場強度下經磁化。根據某些實施例，一磁圖案指示至少一個區域將具有在一第一方向上(例如，與B0磁場對準、與磁圖 案將應用於其之磁性材料之一平坦表面之法線對準等)定向之一磁化，且指示至少一個區域將具有在一第二方向上(例如，與B0磁場反向對準或相反、與磁圖案將應用於其之磁性材料之平坦表面之法線反向對準或相反等)定向之一磁化。雖然第一方向及第二方向可彼此相反或補充(例如，相對極性)，但第一方向及第二方向彼此可具有其他關係，諸如互補或正交關係等，此乃因態樣在此方面不受限制。
當應用一所判定磁圖案包含使用橫越磁性材料以根據磁圖案將材料磁化之一磁化頭時，所判定磁圖案可指示該複數個區域中之哪些區域將經磁化及/或在什麼方向上(例如，與B0磁場對準或者與B0磁場相反或反向對準)及/或該複數個區域中之哪些區域應被單獨留下(取決於實施方案而處於一經磁化或經消磁狀態中)。舉例而言，每一區域可根據一給定極化經磁化、根據相反極化經磁化或由磁化頭在上方經過。當應用一所判定磁圖案包含使用減材程序(例如，切割或減材3D列印)時，所判定磁圖案可指示該複數個區域中之哪些區域貢獻於校正磁場且該複數個區域中之哪些區域將經切除或移除。當應用一所判定磁圖案包含使用增材程序時，所判定磁圖案可指示將添加磁性材料之哪些區域。
如圖3及圖9A中所展示，經由交叉同心橢圓及自材料之中心延伸至周界上之點之徑向線形成一邏輯分割以分別形成複數個區域307及907。此邏輯分割可尤其適合用於包含一自動化磁化頭之實施方案。舉例而言，在圖3中之例示性系統之內容脈絡中，當將一磁圖案應用於磁性材料以產生一校正磁場以改良一給定B0磁體之一B0磁場之輪廓時，自動化磁化系統可控制磁化頭同時經由可旋轉組件360使材料旋轉以將選定區域307磁化以達成經組態以改良由給定B0磁體產生之B0磁場之輪廓之一磁化圖案。圖3 及圖9A中所圖解說明之分割圖案產生朝向材料305/905之中心較小且朝向周邊較大之區域。在某些B0磁體幾何形狀中(例如，在雙平面組態中)，經磁化區域對B0磁場之所關注區域(例如，一所得低場MRI系統之視域)之影響隨著該區域距中心更遠(歸因於距所關注區域之距離對應地增加)而減小，此歸因於磁場強度與距離成立方地減小。如此，不同區域大小在此等實施方案中可有意義，從而朝向其中經磁化區域將具有最大影響之中心提供較高粒度位準(例如，較高「解析度」)，且朝向周邊提供較小粒度。在其中應用磁圖案包含減材程序(例如，雷射切割或減材3D列印)之實施例中，邏輯分區可形成沿著其切割或移除磁性材料之邊框。在其中應用磁圖案包含增材程序之實施例中，邏輯分區可形成添加磁性材料之邊界。
應瞭解，其他邏輯分區以及磁性材料之其他形狀係適合的且對於特定實施方案可係合意的。舉例而言，圖9B圖解說明具有根據某些實施例係均勻大小之一正方形邏輯分割之圓形磁性材料905，儘管此並非一限制，此乃因分區之大小可視需要變化以提供複數個區域907’。圖9C圖解說明藉由曲面細分邏輯上分割之圓形磁性材料905。舉例而言，可使用一三角形網格邏輯上分割磁性材料905以形成複數個區域907”。應瞭解，可使用具有任一數目個邊之多邊形將磁性材料曲面細分，此乃因此技術不限於任一特定曲面細分幾何形狀。
根據某些實施例，可在經公式化以判定將應用以產生一永久磁體墊片之一磁圖案之一最佳化程序期間反覆地精細化用於邏輯上分割磁性材料之一曲面細分網格，下文進一步詳細地闡述該永久磁體墊片之實例。圖10A至圖10C圖解說明分別以圖9A至圖9C中所圖解說明之方式邏輯上分割從而在一矩形磁性材料薄片上提供複數個區域1007、1007’及1007”之矩 形磁性材料1005。圖20圖解說明約束其中可提供磁性材料之區域從而使永久磁體墊片與(舉例而言)一B0磁體之永久磁體環對準之同心環，如下文進一步詳細地論述。應瞭解，任一大小及形狀可用於磁性材料，而且用於材料之邏輯分割，此乃因本文中所闡述之技術不限於在此方面使用。
分割亦可輔助判定提供一所要校正所需要之磁圖案之程序。根據某些實施例，使用藉由將材料區域磁化且量測所產生之磁場而編譯之一磁性貢獻或效應「庫」來判定一磁圖案。可針對用於磁性墊片之各種形狀、大小及材料而且針對任何所要分割方案以此方式編譯一庫。針對所使用之每一類型之材料使用圖3中所圖解說明之例示性磁性材料305，可將一單個區域307磁化且記錄所得磁場。可針對已將材料分割至其之每一區域重複此程序，使得由將每一各別區域磁化產生之個別磁性貢獻或效應係已知的且記錄於一對應庫中。當判定一受試B0磁場與一所要輪廓之偏差(例如，藉由執行圖6中所圖解說明之方法600中之動作610)時，可對對應於所產生之墊片之類型、形狀及分割方案之庫進行搜索以定位在經磁化時將產生所要磁圖案之一區域圖案。
另一選擇係，替代實際上將材料區域磁化且量測所產生之磁場，可將給定類型之形狀之材料的一給定大小及形狀(亦即，根據一給定分割方案)之區域之磁性貢獻模型化。可針對將使用之材料之各種所要形狀、大小及類型中之任一者而且針對不同分割方案產生一模型。因此，當針對一給定B0磁場判定與一所要輪廓之偏差時，對應於材料之類型及形狀以及所產生之墊片之分割方案的模型可用於識別將產生所要磁圖案之一區域圖案。下文進一步詳細地論述採用一模型來判定一磁圖案之實例。應瞭解，可使用其他技術來判定一磁圖案，此乃因態樣在此方面不受限制。
可結合上文所闡述之技術中之任一者(例如，使用一庫、模型等)而使用任一技術及/或最佳化方案執行對產生一所要校正磁場之一磁圖案之搜索。根據某些實施例，用以定位或識別適合用於產生一所要校正磁場之一磁圖案之一最佳化方案包含最小化需要經磁化以產生校正磁場之總材料體積。以此方式，可判定減少或最小化將應用於材料之磁化量從而減少產生一墊片(產生所要校正磁場)所需要之時間的一磁圖案。
圖11係繪示根據某些實施例之判定將應用於磁性材料之一磁圖案之一方法之一流程圖。舉例而言，可將方法1100執行為圖6中所圖解說明之方法600之動作620。特定而言，一旦判定受試B0磁場與一所要輪廓之偏差(例如，藉由執行方法600之動作610)，便可執行方法1100以判定將應用於磁性材料之一磁圖案，該磁圖案經調適以提供一校正磁場以補償所判定偏差從而改良由一B0磁體產生之B0磁場之輪廓。可以任一方式應用使用方法1100所產生之一磁圖案，包含使用一磁化頭、減材程序、增材程序等中之任一者或組合。
在動作1132中，產生磁性材料之一模型(例如，一磁圖案將應用於其之磁性材料之相關性質之一數學或幾何表示)。一模型可包含磁性材料之幾何形狀(大小、形狀、邊界等)、磁性材料之一或多個磁性質及/或促進判定改良一B0磁場之輪廓之一磁圖案之任何其他參數或性質。促進一模型之產生、操縱及/或模擬之眾多軟體工具係可用的。根據某些實施例，在動作1132中產生之模型允許針對不同磁圖案模擬由磁性材料產生之磁場。
在動作1134中，將磁性材料之模型曲面細分以邏輯上分割磁性材料。舉例而言，可使用一三角形網格將磁性材料曲面細分，如圖9C中所展示。應瞭解，可藉由應用模型之任一適合分割而邏輯上分割且可在任一 所要解析度下分割磁性材料。舉例而言，可藉由選擇用於將磁性材料之模型曲面細分中之控制點(頂點)之數目而在一所要解析度下將磁性材料之模型曲面細分。作為一實例，可將模型曲面細分以提供40mm、20mm、10mm、5mm、1mm或更小解析度。解析度越高(例如，經曲面細分分區越小)，判定一磁圖案之程序變得越計算密集，如下文進一步詳細地論述。
在動作1136中，判定在應用於磁性材料時產生改良一B0磁場之輪廓之一校正磁場之一磁圖案。特定而言，使用在動作1134中應用之邏輯分割來將磁性材料分割成複數個區域(例如，多邊形)，可執行一最佳化以判定區域中之哪些區域應以什麼極性/在什麼方向上及/或在什麼場強度下經磁化以產生至少部分地校正B0磁場之偏差(例如，如方法600之動作610中所判定)之一校正磁場。根據某些實施例，利用一雙重狀態解決方案來產生一磁圖案。作為一雙重狀態解決方案之一項實例，最佳化判定指示該複數個經分割區域中之每一者將以一給定極性經磁化還是不經磁化之一磁圖案。作為一雙重狀態解決方案之另一實例，最佳化判定該複數個經分割區域中之每一者將以一給定極性還是相反極性經磁化。
根據某些實施例，利用一三重狀態解決方案來產生一磁圖案。作為一三重狀態解決方案之一項實例，最佳化判定指示該複數個經分割區域中之每一者將以一給定極性經磁化、以相反極性經磁化還是不經磁化之一磁圖案。根據某些實施例，可在判定一磁圖案中利用額外狀態。舉例而言，最佳化可判定指示該複數個經分割區域中之每一者是否將經磁化及在什麼方向上不經磁化及/或各別經磁化區域之磁化之強度(亦即，可給不同區域指派不同磁場強度)或其任一組合之一磁圖案。應瞭解，判定一磁圖案不 限於與任一特定類型之解決方案一起使用，且可使用產生補償一B0磁場之一所判定偏差之一磁圖案之任一適合方法。
圖12B圖解說明使用力圖最小化經磁化區域之體積之一最佳化判定之一例示性磁圖案1215。在圖12B中所圖解說明之例示性磁圖案1215中，較暗陰影區域指示將經磁化之磁性材料之部分(亦即，貢獻於由磁圖案應用於其之永久磁體墊片產生之校正磁場的磁性材料之部分)，磁性材料之例示性經磁化區域1227標記於磁圖案1215上。較亮陰影區域1217指示不貢獻於校正磁場之部分。如上文所論述，可以任一數目個方式將磁圖案1215應用於磁性材料(例如，藉由執行圖6中所圖解說明之方法600中之動作640)，包含但不限於使用一自動化磁化頭(在經預磁化或未經磁化磁性材料上)、諸如切除或移除經判定為不貢獻於校正磁場之部分之減材程序(在將磁性材料磁化之前或之後)、諸如增材3D列印、冷噴塗技術之增材程序等。所得永久磁體墊片然後可接近B0磁體配置或定位以輔助校正B0磁場。
眾多最佳化方法可用於判定一磁圖案，且態樣不限於與任一特定最佳化方案一起使用。根據某些實施例，一最佳化方案可經組態以最小化經磁化區域之體積。根據某些實施例，一最佳化方案可經組態以最大化經磁化區域之體積。可如下公式化最佳化方案之一個例示性技術。基於模型(例如，基於經模型化之磁性材料之大小、形狀、磁性質等)來評估由邏輯分割(例如，圖12A中所圖解說明之三角形網格)產生之所有區域的效應。可如下表達待解決之最佳化問題。
最小化
Figure 107140607-A0305-02-0036-6
經受c l
Figure 107140607-A0305-02-0037-2
AX
Figure 107140607-A0305-02-0037-3
c u b l
Figure 107140607-A0305-02-0037-4
X
Figure 107140607-A0305-02-0037-5
b u
在此公式化中，最佳化試圖最小化磁圖案中之經磁化區域的數目。變數x i 表示指派給磁性材料之模型之邏輯分割之i個區域的值，允許該等值呈現一下限bl與一上限bu之間的值。舉例而言，可允許值x i 呈現自0之一下限(指示對應區域不貢獻一磁場校正)至1之一上限(指示對應區域產生一最大磁場貢獻)的值。因此，X表示尤其指示該複數個區域中之哪些區域貢獻於磁場校正之一磁圖案。矩陣A係磁性材料之一磁模型，該磁模型在被應用於X時產生將在磁圖案X應用於磁性材料之情況下產生之一校正磁場之一表示。因此，例示性最佳化判定使用最小數目個貢獻區域充分地補償受試B0磁場與一所要輪廓之所判定偏差之一磁場校正AX。
換言之，例示性最佳化判定在應用於磁性材料時產生令人滿意地抵消所判定偏差因此使B0磁場更接近所要輪廓之一校正磁場之一磁場校正AX。提供充分自由度，且更特定而言，邏輯分割在一足夠高解析度下以提供充足數目個區域，最小化將把值x i 驅動至界限bl、bu。舉例而言，在其中bl=0且bu=1之例示性公式化中，倘若在一足夠高解析度下執行最佳化，最小化約束將把值x i 驅動至0或1之界限。因此，所得磁圖案將指示邏輯分割之區域中之哪些區域貢獻於磁場校正，且哪些區域不貢獻於磁場校正，藉此提供一雙重狀態解決方案。
作為另一實例，bl=-1且bu=1，使得最佳化判定指示區域中之哪些區域將具有一第一極性之一磁化，且區域中之哪些區域將具有相反極性之一磁化，從而提供一雙重狀態解決方案之另一實例之一磁圖案。此公式化可具有如下優點：邏輯分割之每一區域係經由一給定極性之一磁化或經由 相反極性之一磁化而貢獻於磁場校正，因此促進消除切除或以其他方式移除不貢獻於校正磁場之磁性材料之區域的步驟。根據某些實施例，一最佳化可經組態使得所得磁圖案指示哪些區域貢獻於磁場校正及以哪一極性，而且亦指示哪些區域不貢獻於磁場校正(例如，可給區域指派一-1，、0或-1)，因此提供一三態解決方案。應瞭解，眾多其他公式化可被用於判定在被應用於磁性材料時產生改良一B0磁場之輪廓之一校正磁場之一磁圖案，此乃因態樣在此方面不受限制。任何適合最佳化方案可被用於解決上文所論述之最小化問題，包含但不限於梯度下降、模擬退火、蒙地卡羅、線性規劃等，此乃因態樣在此方面不受限制。
如上文所論述，可在一解析度下判定一磁圖案以產生一適合或所要磁場校正(例如，改良均質性、產生一B0偏移等之一校正)。然而，增加磁圖案之解析度亦增加計算磁圖案所需要之時間及複雜度。發明人已開發以一相對低解析度最佳化程序開始，後續接著處於愈來愈高解析度之一或多個後續反覆之一反覆方法。來自每一反覆的磁圖案可被用於主要在其中需要或期望進一步解析度的位置處，或限於該等位置，而針對後續反覆來精細化邏輯分割，藉此減少計算負擔同時達成所要解析度。圖13係圖解說明根據某些實施例之反覆地判定將被應用於磁性材料以產生一永久磁體墊片之一磁圖案之一方法1300之一流程圖。
在動作1332中，獲得所判定磁圖案將被應用於其之磁性材料之一模型(例如，以類似於圖11中所圖解說明之方法1100之動作1132之一方式)。在動作1334中，藉由(舉例而言)將如上文結合動作1134所闡述之模型曲面細分來邏輯上分割磁性材料。根據某些實施例，在低於將被應用以產生一永久磁體墊片之最終磁圖案之目標解析度之一解析度下執行分割。舉例而 言，可以大致40mm之一解析度，將模型分成三角形，圖14A中示意性地圖解說明此。藉由最初以一相對低解析度來分割磁性材料，可顯著減少用以產生一最初磁圖案之計算時間。
在動作1336中，舉例而言，藉由執行如下之一最佳化而判定一磁圖案：判定在應用於磁性材料時產生改良B0磁場之輪廓之一校正磁場之一磁圖案(例如，對在圖6中所圖解說明之方法600之動作610中計算之偏差進行校正之一磁圖案)。舉例而言，上文所論述之最佳化可用於使用在動作1334中提供之邏輯分割判定一磁圖案。圖14B圖解說明藉由執動動作1336而判定之一磁圖案之一實例。在此例示性實施例中，最佳化准許每一區域呈現介於0與1之間的任一值，儘管可使用其他界限及範圍。如上文結合例示性最佳化所論述，當存在充足變數(例如，充足控制點)時，將把指派給該複數個區域之值驅動至邊界(0或1)，此乃因最佳化可經公式化以偏好邊界值。然而，由於執行第一反覆之相對低解析度，因此給區域中之諸多區域指派介於0與1之間的值。
應瞭解，在第一反覆中產生之磁圖案可取決於如何將磁圖案應用於磁性材料而操作為最終磁圖案。舉例而言，3D列印技術允許在不同位置處應用不同磁性材料量，從而允許磁場貢獻根據指派給邏輯分割之對應區域之介於0與1之間的值在區域之間變化。然而，針對具有一均勻厚度之一永久磁體墊片，可需要磁圖案之進一步精細化。
在動作1338中，精細化磁性材料之邏輯分割。舉例而言，可藉由以下方式精細化邏輯分割：增加其中最佳化經指派非零值之區域中之解析度(例如，藉由增加控制點之數目)；或另一選擇係，增加在先前反覆中經指派相對顯著值之區域中之解析度(例如，高於一預定臨限值之值)。以此方 式，可僅在其中磁圖案貢獻於校正磁場之區中增加解析度，從而減少計算時間同時達成較大解析度。根據某些實施例，藉由沿著貢獻於磁場校正之區域之邊界添加控制點而精細化邏輯分割。舉例而言，可沿著經指派一非零值之每一區域之邊界提供額外控制點，如圖14C中所圖解說明。
圖14C圖解說明圖14B中所圖解說明之磁圖案之部分1425之一放大視圖，從而展示藉由最佳化經指派非零值之兩個經分割區域1427a及1427b。為精細化邏輯分割，可在形成零區域與非零區域之間的邊界之每一邊緣之中點處添加一控制點。如圖14C中所展示，用額外控制點將磁性材料之模型曲面細分之結果在接近於區域1427a及1427b之區中產生小於使用初始曲面細分產生之區域之經分割區域，如圖14B中所圖解說明。根據某些實施例，替代圍繞藉由最佳化經指派一非零值之每一區域精細化邏輯分割，可首先基於與一臨限值之一比較而給經分割區域重新指派一0或1值以進一步減小經歷精細化之區。舉例而言，可給藉由最佳化經指派小於0.5之一值之所有區域指派一0且可給經指派大於或等於0.5之一值之所有區域指派1之一值。在使用任一所要臨限值進行臨限值化之後，可藉由以上文所論述之方式將控制點添加至0值區域與1值區域之間的邊界而實施邏輯分割之精細化。藉由減小經精細化(例如，藉由將控制點添加至邊界邊緣)之區域之數目，可在彼等區中增加解析度而不會令人不滿意地增加計算時間。應瞭解，以上技術僅僅係例示性的，且可以任一適合方式精細化一邏輯分割，此乃因態樣在此方面不受限制。
圖14D圖解說明藉由執動動作1338判定之磁性材料之一精細化邏輯分割。如所展示，在第一反覆中判定之磁圖案中貢獻於磁場校正之區域與不貢獻於磁場校正之區域之間的一邊界處之經分割區域係為一較高解析度 (例如，大致20mm)，而並不在貢獻區域與非貢獻區域之間的邊界處之經分割區域實質上保持在較低解析度(例如，大致40mm)。然後可使用在動作1338中判定之精細化邏輯分割(舉例而言)藉由對精細化邏輯分割再次執動動作1336而判定一磁圖案。可重複以愈來愈高解析度判定一磁圖案之此反覆程序(重複動作1336及1338)任何數目次以達成將使用任一適合技術應用以產生一永久磁體墊片之一適合磁圖案。
圖15A至圖15E圖解說明在五個反覆之過程中產生之各別磁圖案，其中在每一反覆時精細化邏輯分割以改良解析度(例如，圖15A中之大致40mm解析度、圖15B中之大致20mm解析度、圖15C中之大致10mm解析度、圖15D中之大致5mm解析度及圖15E中所圖解說明之最終磁圖案中之大致1mm解析度)。如所展示，當精細化邏輯分割時，最佳化已在每一反覆時增加自由度(例如，藉助於貢獻區中之經添加控制點)且因此能夠找出將一邊界值(例如，0或1值)指派給大多數(若並非全部)經分割區域之一解決方案。因此，所得磁圖案適合用於能夠應用於具有大體均勻厚度之磁性材料之單極性解決方案。
用以產生圖15A至圖15E中所圖解說明之磁圖案之上文所論述之例示性最佳化經公式化以最小化貢獻於校正磁場之磁性材料體積。此可尤其適合用於將磁圖案應用於磁性材料之特定技術(諸如一自動化磁化頭或3D列印)，此乃因其在前者中最小化頭部需要橫越及磁化之區域之數目且在後者中減少附加地應用之材料量。雖然圖15E中所圖解說明之磁圖案適合用於使用其他技術之應用，諸如藉由根據磁圖案切割或移除磁性材料(例如，經由雷射切割、減材3D列印技術)，但使用力圖最大化經磁化材料之體積之一最佳化可係有利的。舉例而言，一最大化最佳化可減少或消除所 得磁圖案中之經隔離區域(將使用某些技術的磁圖案之應用複雜化)，可減少所需要之切割量等。另外，一最大化方法亦可促進提供特定類型及/或組合之校正，如下文進一步詳細地論述。
圖16圖解說明由力圖最大化經磁化材料之體積之一最佳化產生之一磁圖案。如圖16中所展示，磁圖案1615中之大多數經分割區域貢獻於磁場校正，如由經磁化區域1627所例示。顯著較少經分割區域不貢獻於磁場校正，如由非磁化區域1617所例示。舉例而言，當用於應用磁圖案之技術涉及切除或移除不貢獻於磁場校正之區域時，磁圖案1615可提供將應用於磁性材料以產生一永久磁體墊片之一較簡單圖案。自一均勻性角度來看，磁圖案1615可產生與圖15E中所圖解說明之磁圖案實質上相同之磁場校正，但添加了可用於抬高B0磁場之場強度之一B0偏移，如下文進一步詳細地論述。因此，磁圖案1615在應用於磁性材料時可產生對由一B0磁場產生的B0磁場之至少某些非均勻性進行校正而且對一B0偏移誤差進行校正之一磁場。應瞭解，可使用用以產生一磁圖案之最佳化與用於將磁圖案應用於磁性材料以產生一永久磁體墊片之任何技術的任一組合，此乃因態樣在此方面不受限制。
如上文所論述，使用本文中所闡述之技術提供之永久磁體墊片可用於校正由包含但不限於電磁體、永久磁體及/或兩者之組合之任一類型之B0磁體(下文進一步詳細地闡述其之某些實例)產生之B0磁場。舉例而言，圖17A及圖17B圖解說明使用一電磁體及一鐵磁軛形成之一B0磁體。特定而言，B0磁體1700部分地由配置成一雙平面幾何形狀之一電磁體1710形成，電磁體1710包括在B0磁體1700之一上部側上之電磁線圈1712a及1712b以及在一下部側上之電磁線圈1714a及1714b。根據某些實施例，形 成電磁體1710之線圈可由適合用於在經操作時(例如，在透過導體繞組驅動電流時)產生一磁場之一導體1713(例如，一銅線或銅帶或任一其他導電材料)之若干匝形成。雖然圖17A及圖17B中所圖解說明之例示性電磁體包括兩對線圈，但可使用呈任一組態之任一數目個線圈形成一電磁體，此乃因態樣在此方面不受限制。導體1713(例如，具有適合於電隔離線圈之多個繞組之絕緣之一銅帶、線、漆等)可纏繞在一玻璃纖維環1717上且一連接器1719可經提供以允許一電源連接提供電流以操作串聯之線圈1714a及1714b。在電磁體之上部側上之一類似連接器(在圖17A及圖17B中不可見)可經提供以操作線圈1712a及1712b。應瞭解，電磁線圈可由任一適合材料形成且以任一適合方式經定尺寸以便產生或貢獻於一所要B0磁場，此乃因態樣不限於與任一特定類型之電磁體一起使用。
在圖17A及圖17B中所圖解說明之例示性B0磁體中，每一線圈對1712及1714分別藉由熱管理組件1730a及1730b分開，以將由電磁線圈及梯度線圈(圖17A及圖17B中未圖解說明)產生之熱轉移遠離磁體以提供對MRI裝置之熱管理。特定而言，熱管理組件1730a及1730b可包括具有導管之一冷卻板，導管允許冷卻劑流通穿過冷卻板以將熱轉移遠離磁體。冷卻板1730a、1730b可經構造以減少或消除藉由操作梯度線圈而引發之渦流，梯度線圈可產生破壞由B0磁體1700產生之B0磁場之電磁場。
B0磁體1700進一步包括磁性耦合至電磁體以捕獲磁通量之一軛1720，磁通量在不存在軛1720之情況下將丟失且不貢獻於上部電磁線圈與下部電磁線圈之間的所關注區域中之磁通量密度。特定而言，軛1720形成一「磁路」，該「磁路」連接電磁體之上部側及下部側上之線圈以便增加線圈之間的區域中之磁通量密度，因此增加B0磁體之視域(亦即，其 中B0磁場適合用於成像之線圈之間的區域)內之場強度。軛1720包括可使用任何適合鐵磁材料(例如，鐵、鋼等)形成之框架1722及板1724a、1724b。板1724a、1724b收集由電磁體1710之線圈對產生之磁通量且將其引導至框架1722，框架1722又使磁通量返回至相對線圈對，藉此針對提供至線圈之相同操作電流量使線圈對(例如，線圈對1712a、1712b及線圈對1714a、1714b)之間的成像區域中之磁通量密度增加高達兩倍。成像區域或視域係指其中B0磁場之輪廓具有可產生可偵測MR信號之充足場均質性及滿意場強度之空間體積。因此，軛1720可用於產生一較高B0磁場(從而產生較高SNR)而不具有電力要求之一對應增加，或軛1720可用於針對一給定B0磁場降低B0磁體1700之電力要求。應瞭解，軛1720可由任何適合材料(例如，低碳鋼、矽鋼、鈷鋼等)製成且可經定尺寸以提供所要磁通量捕獲，同時滿足諸如重量、成本、磁性質等之其他設計約束。
B0磁體1710進一步包括經組態以增強所產生B0磁場以改良視域(例如，電磁體之上部線圈與下部線圈之間的區域，其中B0磁場適合用於充足MR信號產生)之均質性之墊片環1740a、1740b及墊片圓盤1742a、1742b，如其中已移除下部線圈之圖17B中最佳所見。特定而言，墊片環1740及墊片圓盤1742經定尺寸且經配置以增加由電磁體至少在B0磁體之視域內產生之磁場之均勻性。特定而言，可視情況選擇墊片環1740a、1740b之高度、厚度及材料以及墊片圓盤1742a、1742b之直徑、厚度及材料。
儘管使用墊片環，但在產生一B0電磁體(例如，B0磁體1710)中之製造容差及/或其他誤差導致B0磁場之非均勻性。為對B0磁場之至少某些非均勻性(例如，產生後非均勻性)進行校正，可使用使用本文中所闡述之技 術中之任一者產生之一永久磁體墊片。舉例而言，可執行圖6中所圖解說明之方法600以產生可接近電磁體1712a及/或1712b配置之一永久磁體墊片以改良B0磁場之輪廓。應瞭解，本文中所闡述之技術可用於改良由任一B0電磁體產生之一B0磁場之輪廓，且不限於與圖17A及圖17B中所闡述之例示性B0磁體一起使用。
永久磁體墊片亦可用於改良由一永久B0磁體產生之一B0磁場之輪廓。舉例而言，圖18圖解說明可針對其應用本文中所闡述之均勻化技術之一永久B0磁體。B0磁體1800由以下各項形成：永久磁體1810a及1810b，其配置成一雙平面幾何形狀；及一軛1820，其捕獲由永久磁體產生之磁通量且將磁通量轉移至相對永久磁體以增加永久磁體1810a與1810b之間的磁通量密度。永久磁體1810a及1810b中之每一者由複數個同心永久磁體形成。特定而言，如圖18中可見，永久磁體1810b包括一永久磁體外環1814a、一永久磁體中環1814b、一永久磁體內環1814c及在中心處之一永久磁體圓盤1814d。永久磁體1810a可包括與永久磁體1810b相同之永久磁體元件集合。永久磁體環經定大小且經配置以在永久磁體1810a與1810b之間的中央區域(視域)中產生一所要強度之一相對均質場。在圖18中所圖解說明之例示性實施例中，每一永久磁體環包括複數個節段，每一節段使用在徑向方向上堆疊且圍繞周邊彼此毗鄰地定位以形成各別環之複數個塊形成。
B0磁體1800進一步包括軛1820，軛1820經組態且經配置以捕獲由永久磁體1810a及1810b產生之磁通量且將其引導至B0磁體之相對側以增加永久磁體1810a與1810b之間的磁通量密度，從而增加B0磁體之視域內之場強度。藉由捕獲磁通量且將其引導至永久磁體1810a與1810b之間的區 域，較少永久磁體材料可用於達成一所要場強度，因此減小B0磁體之大小、重量及成本。軛1820包括一框架1822及板1824a及1824b，其等捕獲由永久磁體1810a及1810b產生之磁通量且將其引導至框架1822以經由軛之磁性返迴路徑流通以增加B0磁體之視域中之磁通量密度。例示性框架1822包括分別附接至板1824a及1824b之臂1823a及1823b以及為由永久磁體產生之磁通量提供磁性返迴路徑之支撐件1825a及1825b。
作為一永久磁體之另一實例，圖19圖解說明本文中所闡述之均勻化技術可應用於其之一B0磁體1900。B0磁體1900可與圖18中所圖解說明之B0磁體1800共用設計組件。特定而言，B0磁體1900由配置成一雙平面幾何形狀之永久磁體1910a及1910b形成，其中一軛1920耦合至永久磁體1910a及1910b以捕獲由永久磁體產生之磁通量且將磁通量轉移至相對永久磁體以增加永久磁體1910a與1910b之間的磁通量密度。永久磁體1910a及1910b中之每一者由複數個同心永久磁體形成，如由包括一永久磁體外環1914a、一永久磁體中環1914b、一永久磁體內環1914c及在中心處之一永久磁體圓盤1914d之永久磁體1910b所展示。永久磁體1910a可包括與永久磁體1910b相同之永久磁體元件集合。可取決於系統之設計要求而選擇所使用之永久磁體材料(例如，取決於所要性質之NdFeB、SmCo等)。
永久磁體環經定大小且經配置以在永久磁體1910a與1910b之間的中央區域(視域)中產生一所要強度之一相對均質場。特定而言，在圖19中所圖解說明之例示性實施例中，每一永久磁體環包括經定大小且經定位以產生一所要B0磁場之複數個圓弧形節段，如下文進一步詳細地論述。以類似於圖18中所圖解說明之軛1820之一方式，軛1920經組態且經配置以捕獲由永久磁體1910a及1910b產生之磁通量且將其引導至B0磁體之相對側以 增加永久磁體1910a與1910b之間的磁通量密度。軛1920藉此增加具有較少永久磁體材料之B0磁體之視域內之場強度，從而減小B0磁體之大小、重量及成本。軛1920亦包括一框架1922以及板1924a及1924b，其等以類似於上文結合軛1920所闡述之一方式捕獲由永久磁體1910a產生之磁通量且經由軛之磁性返迴路徑使磁通量流通以增加B0磁體之視域中之磁通量密度。軛1920之結構可類似於上文所闡述之結構以提供足以容納由永久磁體產生之磁通量之材料且提供充足穩定性，同時最小化用於(舉例而言)減小B0磁體之成本及重量之材料量。
與圖17中所圖解說明之B0磁體之對稱軛1720相反，圖18及圖19中所圖解說明之B0磁體包含不對稱之軛(例如，軛1820及1920)。一不對稱軛將導致由該不對稱軛針對其捕獲且聚焦磁通量之對應B0磁體產生之磁場同樣地不對稱，從而消極地影響B0磁場之均勻性。舉例而言，在圖18及圖19中，框架1822/1922(特定而言，支腿1825a/1925a及1825b/1925b)相對於永久磁體1810a/1910a及1810b/1910b之位置導致磁通量經汲取遠離接近框架之區域，從而減小此等區域中之磁通量密度。雖然可藉由使選定永久磁體圓弧形節段之尺寸(例如，高度)變化而補償軛對磁場之效應，但要求以不同高度機械加工或產生永久磁體圓弧形節段係昂貴的，從而顯著增加B0磁體之成本。
發明人認識到，本文中所論述之用於產生一永久磁體墊片之技術可用於產生一永久磁體墊片以補償由一不對稱軛產生之B0磁場之效應。舉例而言，可執行圖6中所圖解說明且前文中所闡述之方法600以判定緩解及/或實質上消除由軛產生的B0磁體之非均勻性之一磁圖案。應瞭解，對由一不對稱軛產生之磁場非均勻性及其他非均勻性(諸如由製造容差產生之彼 等非均勻性)進行校正可由相同永久磁體墊片補償。具體而言，表徵由具有一不對稱軛之一B0磁體產生之B0磁場以判定與一所要輪廓之偏差(例如，執行圖6中所圖解說明之方法600之動作610)允許判定一磁圖案，該磁圖案在經應用以產生一或多個永久磁體墊片時可補償B0磁場之非均勻性，無論根源係什麼。因此，可消除藉由以不同高度製造永久磁體節段而對軛效應進行補償，藉此降低製造一B0磁體之成本及複雜度。
根據某些實施例，用以補償一不對稱軛之效應之一或多個永久磁體墊片獨立於經調適以補償其他非均勻性(諸如由製造容差產生之彼等非均勻性)之一或多個永久磁性墊片而產生。可使用上文所闡述之技術(例如，藉由執行方法600)而判定在應用於一永久磁體墊片時補償軛之效應之一磁圖案。如上文所論述，可藉由量測由B0磁體產生之B0磁場或藉由計算與B0磁體及軛之設計規格之偏差而計算B0磁場與一所要輪廓之偏差。發明人已瞭解，在將一永久磁體墊片定位於B0線圈之永久磁體正上方且定位於一線圈之永久磁體之頂部上時可存在某些優點。舉例而言，針對B0磁體1800及1900，可將一永久磁體墊片放置於永久磁體環正上方，從而形成永久磁體1810a/1910a及1810b/1910b中之一者或兩者。
圖20圖解說明經判定用於一永久磁體墊片以補償軛對B0磁場之效應之一磁圖案2015。如所展示，藉由將具有對應於永久磁體環之一幾何形狀之一模型曲面細分，可判定約束於下伏永久磁體之區之一磁圖案。應瞭解，此技術可用於判定約束於任一所要幾何形狀之一磁圖案。磁圖案2015包含貢獻於磁場校正之區域2027及不貢獻於磁場校正之區域2017。獨立地產生用以補償軛效應之一永久磁體墊片之一可能優點係：針對一給定B0磁體設計，軛效應對於每一所製造B0磁體將係實質上相同的。因此， 用以補償軛效應之永久磁體墊片可經預製成且在製造階段放置至永久磁性墊片上，從而產生節省成本效率。
圖21圖解說明藉由應用磁圖案2015而產生且定位於B0磁體2100之永久磁體環上方以補償由不對稱軛2120產生之非均勻性之一永久磁體墊片2125。如所展示，永久磁性墊片2125與永久磁體2110a之永久磁體環對準。取決於如何判定磁圖案，一永久磁體墊片可以所圖解說明之方式定位於永久磁體2110b上方。如上文所論述，永久磁體墊片2125可經預製成(但未必係)且安裝作為製造程序之部分。然後可藉由使用本文中所闡述之技術產生一或多個進一步永久磁體墊片而校正通常在磁體間變化之製造後非均勻性。舉例而言，圖22圖解說明經調適以補償軛效應之永久磁體墊片2225a及經調適以對製造後非均勻性進行校正之永久磁體墊片2225b。永久磁體墊片2225a及2225b接近B0磁體2200之永久磁體2210a及2210b定位以改良所產生之B0磁場之輪廓。
除由一B0磁體產生之B0磁場之非均勻性之外，製造可變性亦可導致B0磁場之場強度之一偏移。舉例而言，B0磁場可因太低或太高而偏離所要場強度，從而導致拉莫頻率之一對應移位。因此，由製造中之可變性產生之顯著B0偏移需要補償，使得拉莫頻率更好地匹配併入B0磁體之MRI裝置之預期操作頻率。習用地，使用墊片線圈(通常為在經操作時貢獻於B0磁場以抬高或降低場強度之一或多個線圈)頻繁地校正B0偏移。然而，操作墊片線圈需要電力，尤其對於可按一非常有限電力預算操作之可攜式MRI系統而言之一缺點。發明人瞭解到，可使用本文中所闡述之技術產生之一或多個永久磁體墊片校正B0偏移。可單獨、共同及/或結合或替換一或多個墊片線圈而使用此等永久磁體墊片。
根據某些實施例，可在產生後對一B0磁體執行方法600以補償由所製造B0磁體產生之B0磁場中之一B0偏移。舉例而言，由B0磁體在製造之後產生之B0磁場經表徵以判定與一所要輪廓之一偏差(例如，藉由執行圖6中所圖解說明之方法600之動作610)。可基於所判定偏差判定一磁圖案及且應用所判定磁圖案以產生一或多個永久磁體墊片(例如，藉由執行圖6之方法600中之動作620及630)。
應瞭解，當在製造之後且在執行其他均勻化技術(補償軛效應、B0偏移墊片線圈等)之前表徵B0磁場時，藉由執行方法600而判定之磁圖案可補償一B0磁場之輪廓中之多個缺陷。亦即，當表徵B0磁場時，將根據某些實施例指定所判定磁圖案對什麼偏差提供補償。舉例而言，若在其他補償措施之前表徵B0磁場，則所判定磁場可至少部分地補償B0偏移、B0磁體之設計中所固有或由B0磁體之設計引入之非均勻性(例如，軛效應)及由製造程序引起之非均勻性。若在已校正B0磁體之設計中所固有及/或由B0磁體之設計引入之特定非均勻性(例如，軛效應)之後在但其他補償措施之前表徵B0磁場，則所判定磁圖案可至少部分地補償B0偏移、B0磁體之設計中所固有或由B0磁體之設計引入之特定其他非均勻性及由製造容差產生之非均勻性。若在對B0偏移進行補償(例如，藉由量測B0磁場同時操作一或多個墊片線圈)之後表徵B0磁場，則所判定磁圖案可至少部分地補償B0磁體之設計中所固有或由B0磁體之設計引入之非均勻性(例如，軛效應)及/或由製造可變性導致之非均勻性。因此，可使用本文中所闡述之技術單獨(藉由判定針對所進行之每一校正之單獨磁圖案)或共同(例如，藉由判定對一偏差組合進行補償之一磁圖案)對B0磁場偏差中之任一者或組合至少部分地進行補償。
根據某些實施例，將多個材料薄片磁化以產生一所要校正磁場。發明人已瞭解，將多個薄片磁化促進以經增加粒度(granularity)產生一磁圖案。舉例而言，一給定材料將具有管理在將材料磁化之後持續之磁場之強度之一對應剩磁。因此，當將具有一單位體積之一區域磁化時，所得磁場強度將對應於材料之剩磁。每一額外單位體積將添加與材料之剩磁有關之一離散量之額外場強度。如上文所論述，可將一材料區域正磁化或負磁化或根本不磁化，使得每一經磁化區域將提供一特定正或負磁場。藉由將多個薄片磁化且然後將其等彼此上下地堆疊，可提供對所產生磁場之更精細控制。亦即，可在多個薄片上將區域磁化，使得一給定位置處之效應可係由將一單個薄片磁化產生之貢獻之一所要分率。多個薄片亦可用於改良藉由以下方式產生之磁場校正：將多個薄片中之各別薄片反覆地磁化以對由在先前反覆時經圖案化之一或多個薄片產生之場進行校正。
另外，當利用多個層時，可產生一或多個層(例如，一或多個磁性材料薄片)，其中與B0磁場實質上對準或實質上反向對準地將經磁化區域磁化，且可產生一或多個層，其中實質上在橫向於B0磁場之方向上將經磁化區域磁化。以此方式，可達成對校正場之更大且更精細之控制。應瞭解，可將一或多個層(或在利用一單個層之實施例中之一單個層)磁化，使得經磁化區域包含與B0磁場實質上對準、實質上反向對準且實質上橫向於B0磁場而經磁化之區域，此乃因磁化方向型樣在此方面不受限制。
如上文所論述，可應用本文中所闡述之均勻化技術以藉由(舉例而言)以一所要圖案將一實質上平面材料薄片磁化而產生單面平面或雙平面B0磁體幾何形狀之墊片。然而，本文中所闡述之技術不限於與任一特定幾何形狀一起使用。舉例而言，可使用本文中所闡述之技術產生墊片以與圓柱形 幾何形狀一起使用，其中在一圓柱形膛孔之內側上形成成像區域。根據某些實施例，使用可經大體塑形為一所要表面(例如，一圓柱形表面)之輪廓的一撓性磁性材料。在此方面，可使用本文中所闡述之技術中之任一者將撓性磁性材料磁化以將一磁化圖案應用於撓性材料。撓性材料一旦經磁化便可應用於所要表面以改良撓性材料應用於其之B0磁體之B0磁場之輪廓。應瞭解，可藉由將撓性薄片適當地切割成所要形狀及大小而在此方面適應更複雜幾何形狀。
在如此闡述本發明中所陳述之技術之數個態樣及實施例之後，應瞭解，熟習此項技術者將容易地想到各種變更、修改及改良。此等變更、修改及改良意欲在本文中所闡述之技術之精神及範疇內。舉例而言，熟習此項技術者將容易想像用於執行本文中所闡述之功能及/或獲得本文中所闡述之結果及/或優點中之一或多者之各種其他構件及/或結構，且此等變化及/或修改中之每一者皆被認為係在本文中所闡述之實施例之範疇內。熟習此項技術者將認識到或能夠僅僅使用常規實驗斷定本文中所闡述之特定實施例之諸多等效內容。因此，應理解，前述實施例僅藉由實例之方式呈現且在隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內，可以除所特定闡述以外之方式實踐發明性實施例。另外，若本文中所闡述之兩個或兩個以上特徵、系統、物件、材料、套組及/或方法不相互矛盾，則此等特徵、系統、物件、材料、套組及/或方法之任一組合包含於本發明之範疇內。
可以眾多方式中之任一者實施上文所闡述之實施例。涉及程序或方法之執行之本發明之一或多個方面及實施例可利用程式指令，其可由一裝置(例如，一電腦、一處理器或其他裝置)執行以執行程序或方法或控制程序或方法之執行。在此方面，各種發明性概念可體現為編碼有一或多個程 式之一電腦可讀儲存媒體(或多個電腦可讀儲存媒體)(例如，一電腦記憶體、一或多個軟碟、緊致光碟、光碟、磁帶、快閃記憶體、場可程式化閘陣列中之電路組態或其他半導體裝置或者其他有形電腦儲存媒體)，該等程式在於一或多個電腦或其他處理器上執行時執行實施上文所闡述之各種實施例中之一或多者之方法。該或該等電腦可讀媒體可以為可運輸的(canbe transportable)，使得儲存於其上之該或該等程式可載入至一或多個不同電腦或其他處理器上以實施上文所闡述之態樣中之各種態樣。在某些實施例中，電腦可讀媒體可係非暫時性媒體。
術語「程式」或「軟體」在本文中在一通常意義上使用以係指可用於將一電腦或其他處理器程式化以實施如上文所闡述之各種態樣之任一類型之電腦碼或電腦可執行指令集。另外，應瞭解，根據一項態樣，在經執行時執行本發明之方法之一或多個電腦程式不需要駐存於一單個電腦或處理器上，但可以一模組化方式分佈在若干個不同電腦或處理器當中以實施本發明之各種態樣。
電腦可執行指令可呈諸多形式，諸如由一或多個電腦或其他裝置執行之程式模組。一般而言，程式模組包含執行特定任務或實施特定抽象資料類型之常式、程式、物件、組件、資料結構等。通常，程式模組之功能性可在各種實施例中視需要經組合或分佈。
而且，資料結構可以任一適合形式儲存於電腦可讀媒體中。為了簡化圖解說明，資料結構可經展示為具有透過資料結構中之位置相關之欄位。可藉由為具有在一電腦可讀媒體中傳達欄位之間的關係之位置之欄位指派儲存區而同樣達成此等關係。然而，任一適合機制可用於建立一資料結構之欄位中之資訊之間的一關係，包含透過使用建立資料元素之間的關 係之指針、標籤或其他機制。
當在軟體中實施時，軟體碼可在任一適合處理器或處理器集合上執行，無論提供於一單個電腦中還是分佈在多個電腦當中。
進一步地，應瞭解，一電腦可以若干個形式中之任一者體現，諸如作為非限制性實例之一機架安裝電腦、一桌上型電腦、一膝上型電腦或一平板電腦。另外，一電腦可嵌入於一般不被視為一電腦但具有適合處理能力之一裝置(包含一個人數位輔助(PDA)、一智慧型電話或任一其他適合可攜式或固定電子裝置)中。
而且，一電腦可具有一或多個輸入及輸出裝置。除其他裝置以外亦可使用此等裝置來呈現一使用者介面。可用於提供一使用者介面之輸出裝置之實例包含用於視覺輸出呈現之印表機或顯示螢幕以及用於聽覺輸出呈現之揚聲器或其他聲音產生裝置。可用於一使用者介面之輸入裝置之實例包含鍵盤及指向裝置，諸如滑鼠、觸控墊及數位化平板。作為另一實例，一電腦可透過語音辨識或以其他可聽格式接收輸入資訊。
此等電腦可由一或多個網路(包含一區域網路或一廣域網路(諸如一企業網路)及智慧網路(IN)或網際網路)以任一適合形式互連。此等網路可基於任一適合技術且可根據任一適合協定操作且可包含無線網路、有線網路或光纖網路。
而且，如所闡述，某些態樣可體現為一或多個方法。作為方法之一部分執行之動作可以任一適合方式排序。因此，實施例可經構造，其中以不同於所圖解說明之一次序執行動作，其可包含同時執行某些動作，即使在說明性實施例中展示為依序動作。
如本文中所定義及使用之所有定義應理解為控制在辭典定義、以引 用方式併入之文檔中之定義及/或所定義術語之普遍意義以內。
除非明確指示相反情形，否則如本文中在說明書中且在申請專利範圍中所使用之不定冠詞「一(a及an)」應理解為意指「至少一個」。
如本文中在說明書中且在申請專利範圍中所使用之片語「及/或」應理解為意指如此結合之元件中之「任一者或兩者」，亦即，在某些情形中以結合方式存在且在其他情形中以分離方式存在之元件。以「及/或」列示之多個元件應視為呈相同方式，亦即，如此結合之元件中之「一或多者」。可視情況存在除由「及/或」從句特定識別之元件以外的其他元件，無論與特定識別之彼等元件相關還是不相關。因此，作為一非限制性實例，當結合諸如「包括」之開放式語言使用時，對「A及/或B」之一提及在一項實施例中可係指僅A(視情況包含除B以外之元件)；在另一實施例中，係指僅B(視情況包含除A以外之元件)；在再一實施例中，係指A及B兩者(視情況包含其他元件)；等等。
如本文中在說明書中且在申請專利範圍中所使用，在提及一或多個元件之一清單時之片語「至少一者」應理解為意指選自該元件清單中之該等元件中之任何一或多者之至少一個元件，但未必包含該元件清單內所特定列出之每一元件中之至少一者，且不排除該元件清單中之元件之任何組合。此定義亦允許可視情況存在除片語「至少一者」所指之元件清單內特定識別之元件以外之元件，無論與特定識別之彼等元件相關還是不相關。因此，作為一非限制性實例，在一項實施例中，「A及B中之至少一者」(或等效地，「A或B中之至少一者」，或等效地，「A及/或B中之至少一者」)可係指至少一個(視情況包含一個以上)A，而不存在B(且視情況包含除B以外之元件)；在另一實施例中，係指至少一個(視情況包含一個以 上)B，而不存在A(且視情況包含除A以外之元件)；在又一實施例中，係指至少一個(視情況包含一個以上)A及至少一個(視情況包括一個以上)B(且視情況包含其他元件)；等等。
而且，本文中所使用之措辭及術語係出於闡述目的且不應視為具限制性。本文中使用「包含」、「包括」、「具有」、「含有」、「涉及」及其變化形式意欲囊括其後所列示之項目及其等效物以及額外項目。
上文在申請專利範圍中而且在說明書中，所有過渡性片語(諸如「包括」、「包含」、「攜載」、「具有」、「含有」、「涉及」、「固持」、「由...構成」及諸如此類)應理解為係開放式，亦即，意指包含但不限於。僅過渡性片語「由...組成」及「基本上由...組成」應分別係封閉或半封閉式過渡性片語。
100‧‧‧系統
105‧‧‧材料
110‧‧‧磁性線圈/線圈
140‧‧‧框架
150‧‧‧磁化頭

Claims (73)

  1. 一種產生一永久磁體墊片(shim)之方法，該永久磁體墊片經組態以改良由包含一永久磁體之一B0磁體產生之一B0磁場之一輪廓(profile)，該方法包括：判定該B0磁場與一所要B0磁場之一偏差(deviation)；判定在被應用於磁性材料時產生對該所判定偏差中之至少部分偏差進行校正之一校正磁場之一磁圖案(magnetic pattern)；及藉由將一磁化頭自動橫越(traversing)該磁性材料而將該磁圖案應用於該磁性材料以產生該永久磁體墊片，其中判定該磁圖案包括將該磁性材料邏輯上分割成複數個區域，該複數個區域包含一第一複數個區域及一第二複數個區域，及其中將該磁圖案應用於該磁性材料造成該第一複數個區域具有一第一磁化(magnetization)，且該第二複數個區域具有不同於該第一磁化之一第二磁化。
  2. 如請求項1之方法，其中判定該磁圖案包括判定指示該複數個區域中之哪些區域貢獻於該校正磁場之一磁圖案。
  3. 如請求項2之方法，其中判定該磁圖案包括判定指示經指示為貢獻於該校正磁場之區域之一磁化極性之一磁圖案。
  4. 如請求項2之方法，其中判定該磁圖案包括判定指示經指示為貢獻於 該校正磁場之區域之一磁化強度之一磁圖案。
  5. 如請求項2之方法，其中判定該磁圖案包括判定指示該複數個區域中之哪些區域不貢獻於該校正磁場之一磁圖案。
  6. 如請求項5之方法，其中應用該磁圖案包括執行將對應於經指示為不貢獻於該校正磁場之區域之磁性材料移除之至少一個減材程序(subtractive process)。
  7. 如請求項6之方法，其中應用該磁圖案包括切割該磁性材料以將經指示為不貢獻於該校正磁場之區域移除。
  8. 如請求項2之方法，其中應用該磁圖案包括執行將磁性材料提供至經指示為貢獻於該校正磁場之區域之至少一個增材程序(additive process)。
  9. 如請求項2之方法，其中應用該磁圖案包括用一磁化頭橫越該磁性材料，該磁化頭將經指示為貢獻於該校正磁場之每一區域磁化。
  10. 如請求項4之方法，其中應用該磁圖案包括至少一個增材程序，其係以對應於各別所指示磁化強度之一量將磁性材料提供至經指示為貢獻於該校正磁場之區域。
  11. 如請求項2之方法，其中判定該磁圖案包括獲得該磁性材料之一模 型，且其中邏輯上分割該磁性材料包括將該模型邏輯上分割成該複數個區域。
  12. 如請求項11之方法，其中判定該磁圖案包括使用判定該磁圖案之該模型來執行一最佳化。
  13. 如請求項12之方法，其中邏輯上分割該模型包括將該模型進行曲面細分(tessellating)。
  14. 如請求項13之方法，其中判定該磁圖案包括經由複數個反覆(iteration)來重複該最佳化，且其中針對每一反覆，以高於一先前反覆之一解析度將該模型之至少一部分進行曲面細分。
  15. 如請求項14之方法，其中在每一反覆時，判定一中間磁圖案，且其中針對一下一(next)反覆，以一更高解析度將藉由該各別中間圖案經指示為貢獻於該校正磁圖案的區域進行曲面細分。
  16. 如請求項1之方法，其中該校正磁場對由製造該B0磁體中之可變性(variability)所產生的至少部分非均勻性進行校正。
  17. 如請求項1之方法，其中該校正磁場對該B0磁體之一設計中所固有(inherent)及/或由該B0磁體之該設計所引入的至少部分非均勻性進行校正。
  18. 如請求項17之方法，其中該校正磁場對由一鐵磁軛(ferromagnetic yoke)之一存在所產生的至少部分非均勻性進行校正。
  19. 如請求項1之方法，其中該校正磁場至少部分地校正一B0偏移(offset)。
  20. 如請求項1之方法，其中該第一磁化具有一第一極性，且該第二磁化具有不同於該第一極性之一第二極性。
  21. 如請求項20之方法，其中該第一極性係與該第二極性相反。
  22. 如請求項1之方法，其中該第一磁化具有不同於該第二磁化之一場強度(field strength)。
  23. 如請求項1之方法，其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該B0磁場之一方向上被磁化。
  24. 如請求項1之方法，其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上對準之一方向上被磁化。
  25. 如請求項1之方法，其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上相反之一方向上被磁化。
  26. 如請求項1之方法，其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上相反之一方向上被磁化，且該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上對準之一方向上被磁化。
  27. 如請求項1之方法，其中該磁性材料包括邏輯上分割成該複數個區域之一實質上平坦表面，且其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該平坦表面之一方向上被磁化。
  28. 如請求項1之方法，其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該B0磁場之一方向上被磁化。
  29. 如請求項1之方法，其中該磁性材料包括邏輯上被分割成該複數個區域之一實質上平坦表面，且其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該平坦表面之一方向上被磁化。
  30. 如請求項1之方法，其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該B0磁場之一方向上被磁化，且該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該B0磁場之一方向上被磁化。
  31. 如請求項1之方法，其中該磁性材料包括邏輯上被分割成該複數個區域之一實質上平坦表面，且其中將該磁圖案應用於該磁性材料引起該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該平坦表面之一方向上被磁化，且該 複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該平坦表面之一方向上被磁化。
  32. 如請求項1之方法，其中判定該磁圖案包括判定最小化貢獻於該校正磁場之區域之一總數之一磁圖案。
  33. 如請求項1之方法，其中判定該磁圖案包括判定最大化貢獻於該校正磁場之區域之一總數之一磁圖案。
  34. 如請求項1之方法，其中判定該B0磁場之該偏差包括量測由該B0磁體產生之該B0磁場。
  35. 如請求項1之方法，其中判定該B0磁場之該偏差包括基於該B0磁體之性質來計算該偏差。
  36. 一種用於改良由包含一永久B0磁體之一B0磁體產生之一B0磁場之一輪廓之永久磁體墊片，該永久磁體墊片包括：磁性材料，其被應用有一預定磁圖案，該預定磁圖案產生一校正磁場以改良該B0磁場之該輪廓其中將該磁圖案應用於該磁性材料，其包含具有一第一磁化之一第一複數個區域及具有一第二磁化之一第二複數個區域，其中該第二磁化不同於該第一磁化。
  37. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該校正磁場對由製造該B0磁體中 之可變性所產生的至少部分非均勻性進行校正。
  38. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該校正磁場對該B0磁體之一設計中所固有及/或由該B0磁體之該設計所引入的至少部分非均勻性進行校正。
  39. 如請求項38之永久磁體墊片，其中該校正磁場對由一鐵磁軛之一存在所產生的至少部分非均勻性進行校正。
  40. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該校正磁場至少部分地校正一B0偏移。
  41. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該磁性材料邏輯上被分割成複數個區域，其包含該第一複數個區域及該第二複數個區域。
  42. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該第一磁化具有一第一極性，且該第二磁化具有不同於該第一極性之一第二極性。
  43. 如請求項42之永久磁體墊片，其中該第一極性係與該第二極性相反。
  44. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該第一磁化具有不同於該第二磁化之一場強度。
  45. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該B0磁場之一方向上被磁化。
  46. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上對準之一方向上被磁化。
  47. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上相反之一方向上被磁化。
  48. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上對準之一方向上被磁化，且該複數個區域中之至少一者在與該B0磁場實質上相反之一方向上被磁化。
  49. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該磁性材料包括邏輯上被分割成該複數個區域之一實質上平坦表面，且其中該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該平坦表面之一方向上被磁化。
  50. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該B0磁場之一方向上被磁化。
  51. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該磁性材料包括邏輯上分割成該複數個區域之一實質上平坦表面，且其中該複數個區域中之至少一者在實 質上平行於該平坦表面之一方向上被磁化。
  52. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該B0磁場之一方向上被磁化，且該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該B0磁場之一方向上被磁化。
  53. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該磁性材料包括邏輯上被分割成該複數個區域之一實質上平坦表面，且其中該複數個區域中之至少一者在實質上平行於該平坦表面之一方向上被磁化，且該複數個區域中之至少一者在實質上垂直於該平坦表面之一方向上被磁化。
  54. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該B0磁體在等於或小於大致0.2T且大於或等於大致0.1T之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  55. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該B0磁體在等於或小於大致0.1T且大於或等於大致50mT之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  56. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該B0磁體在等於或小於大致50mT且大於或等於大致20mT之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  57. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該B0磁體在等於或小於大致20mT且大於或等於大致10mT之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  58. 如請求項36之永久磁體墊片，其中該永久磁體墊片產生一校正磁場，以改良由一低場磁性共振成像系統之一雙平面B0磁體產生之該B0磁場之該輪廓。
  59. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域之大小並不是均勻的。
  60. 如請求項41之永久磁體墊片，其中該複數個區域之大小係均勻的。
  61. 一種低場磁性共振成像系統，其包括：一B0磁體，其經組態以在小於或等於大致0.2T之一場強度下產生一B0磁場；及至少一個永久磁體墊片，其包括被應用有一預定磁圖案之磁性材料，該預定磁圖案產生一校正磁場以改良該B0磁場之一輪廓其中將該磁圖案應用於該磁性材料，其包含具有一第一磁化之一第一複數個區域及具有一第二磁化之一第二複數個區域，其中該第二磁化不同於該第一磁化。
  62. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該校正磁場藉由改良該B0磁場之均質性(homogeneity)來改良該B0磁場之該輪廓。
  63. 如請求項62之低場磁性共振成像系統，其中該校正磁場藉由對由製造該B0磁體產生之至少部分非均勻性進行校正來改良該B0磁場之該均質 性。
  64. 如請求項62之低場磁性共振成像系統，其中該校正磁場藉由校正該B0磁體之一設計中所固有或由該B0磁體之該設計所引入之至少部分非均勻性來改良該B0磁場之該均質性。
  65. 如請求項62之低場磁性共振成像系統，進一步包括經磁性耦合至該B0磁體以增加該低場磁性共振成像系統之一成像區域內之磁通量密度之一鐵磁軛，且其中該校正磁場藉由校正由該鐵磁軛產生之至少部分非均勻性來改良均質性。
  66. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該校正磁場藉由至少部分地校正一B0偏移來改良該B0磁場之該輪廓。
  67. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該B0磁體包括一永久B0磁體。
  68. 如請求項67之低場磁性共振成像系統，其中該永久B0磁體包括經配置成複數個同心環之複數個永久磁體節段(segment)。
  69. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該B0磁體包括至少一個B0電磁體。
  70. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該B0磁體在等於或小於大致0.2T且大於或等於大致0.1T之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  71. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該B0磁體在等於或小於大致0.1T且大於或等於大致50mT之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  72. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該B0磁體在等於或小於大致50mT且大於或等於大致20mT之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
  73. 如請求項61之低場磁性共振成像系統，其中該B0磁體在等於或小於大致20mT且大於或等於大致10mT之一B0磁場強度下，產生一B0磁場。
TW107140607A 2016-03-22 2017-03-22 磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統 TWI713934B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662311821P 2016-03-22 2016-03-22
US62/311,821 2016-03-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201928367A TW201928367A (zh) 2019-07-16
TWI713934B true TWI713934B (zh) 2020-12-21

Family

ID=59896408

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107140607A TWI713934B (zh) 2016-03-22 2017-03-22 磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統
TW106109613A TWI657248B (zh) 2016-03-22 2017-03-22 磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106109613A TWI657248B (zh) 2016-03-22 2017-03-22 磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統

Country Status (12)

Country Link
US (7) US10613168B2 (zh)
EP (3) EP4379760A3 (zh)
JP (1) JP6927996B2 (zh)
KR (1) KR102320584B1 (zh)
CN (1) CN109073681B (zh)
AU (1) AU2017236982A1 (zh)
BR (1) BR112018069045A2 (zh)
CA (3) CA3018183C (zh)
IL (1) IL261801A (zh)
MX (1) MX2018011524A (zh)
TW (2) TWI713934B (zh)
WO (1) WO2017165513A1 (zh)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6674645B2 (ja) 2014-09-05 2020-04-01 ハイパーファイン リサーチ，インコーポレイテッド 低磁場磁気共鳴撮像方法及び装置
US10813564B2 (en) 2014-11-11 2020-10-27 Hyperfine Research, Inc. Low field magnetic resonance methods and apparatus
WO2016077438A2 (en) 2014-11-11 2016-05-19 Hyperfine Research, Inc. Pulse sequences for low field magnetic resonance
WO2016168249A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Hyperfine Research, Inc. Magnetic coil power methods and apparatus
MX2017014426A (es) 2015-05-12 2018-04-10 Hyperfine Res Inc Metodos y aparatos de bobina de radiofrecuencia.
EP4379760A3 (en) 2016-03-22 2024-06-19 Hyperfine Operations, Inc. Methods and apparatus for magnetic field shimming
US10408898B2 (en) * 2016-03-31 2019-09-10 Schlumberger Technology Corporation Optimization of magnet arrangement for nuclear magnetic resonance well logging tools
TWI685668B (zh) 2016-09-29 2020-02-21 美商超精細研究股份有限公司 磁共振成像系統，以及搭配該磁共振成像系統使用之調諧系統
US10627464B2 (en) 2016-11-22 2020-04-21 Hyperfine Research, Inc. Low-field magnetic resonance imaging methods and apparatus
CN109983474A (zh) 2016-11-22 2019-07-05 海珀菲纳研究股份有限公司 用于磁共振图像中的自动检测的系统和方法
US10585153B2 (en) 2016-11-22 2020-03-10 Hyperfine Research, Inc. Rotatable magnet methods and apparatus for a magnetic resonance imaging system
US10539637B2 (en) 2016-11-22 2020-01-21 Hyperfine Research, Inc. Portable magnetic resonance imaging methods and apparatus
US20180220949A1 (en) * 2017-02-08 2018-08-09 Pablo Jose Prado Apparatus and method for in-vivo fat and iron content measurement
JP6498261B1 (ja) * 2017-12-05 2019-04-10 昭和電工株式会社 磁気センサの製造方法及び磁気センサ集合体
WO2019176684A1 (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 ソニー株式会社 配向装置、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体
CN108445543B (zh) * 2018-03-16 2020-11-03 爱德森（厦门）电子有限公司 一种提高电磁检测安检门灵敏度与抗干扰能力装置
EP3781959A1 (en) 2018-04-20 2021-02-24 Hyperfine Research, Inc. Deployable guard for portable magnetic resonance imaging devices
CA3099068A1 (en) 2018-05-21 2019-11-28 Hyperfine Research, Inc. Radio-frequency coil signal chain for a low-field mri system
EP3797307A4 (en) * 2018-05-21 2022-02-16 Hyperfine, Inc. B0 MAGNETIC METHOD AND APPARATUS FOR A MAGNETIC RESONANCE IMAGING SYSTEM
CN108802644B (zh) * 2018-05-24 2020-09-15 上海东软医疗科技有限公司 梯度线圈的匀场方法和装置
TW202015621A (zh) 2018-07-19 2020-05-01 美商超精細研究股份有限公司 在磁共振成像中患者定位之方法及設備
CA3107326A1 (en) 2018-07-30 2020-02-06 Hyperfine Research, Inc. Deep learning techniques for magnetic resonance image reconstruction
TW202012951A (zh) 2018-07-31 2020-04-01 美商超精細研究股份有限公司 低場漫射加權成像
CN113557526A (zh) 2018-08-15 2021-10-26 海珀菲纳股份有限公司 用于抑制磁共振图像中的伪影的深度学习技术
US10782371B2 (en) * 2018-08-31 2020-09-22 X Development Llc NMR apparatus with permanent magnets, magnetic field sensors, and magnetic coils
US11875937B2 (en) 2018-11-29 2024-01-16 Epsitau Ltd. Lightweight asymmetric array of magnet elements
AU2019387265A1 (en) 2018-11-29 2021-07-22 Epsitau Ltd. Lightweight asymmetric magnet arrays with mixed-phase magnet rings
AU2019387628A1 (en) 2018-11-29 2021-07-22 Epsitau Ltd. Lightweight asymmetric magnet arrays
EP3899565A2 (en) 2018-12-19 2021-10-27 Hyperfine, Inc. System and methods for grounding patients during magnetic resonance imaging
JP2022515825A (ja) 2018-12-28 2022-02-22 ハイパーファイン，インコーポレイテッド 磁気共鳴撮像におけるヒステリシスの補正
JP7173865B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-16 株式会社ジャパンディスプレイ 操作支援装置
TW202041197A (zh) 2019-03-12 2020-11-16 美商超精細研究股份有限公司 嬰兒磁振造影之系統及方法
EP3938799A2 (en) 2019-03-14 2022-01-19 Hyperfine, Inc. Deep learning techniques for generating magnetic resonance images from spatial frequency data
JP2022530622A (ja) * 2019-04-26 2022-06-30 ハイパーファイン，インコーポレイテッド 磁気共鳴画像法システムの動的制御のための技術
US11686790B2 (en) 2019-05-07 2023-06-27 Hyperfine Operations, Inc. Systems, devices, and methods for magnetic resonance imaging of infants
CN110165847B (zh) * 2019-06-11 2021-01-26 深圳市瑞达美磁业有限公司 不同宽度波形的径向各向异性多极实心磁体的生产方法
CN114556128A (zh) 2019-08-15 2022-05-27 海珀菲纳运营有限公司 涡流缓解系统和方法
WO2021067587A1 (en) * 2019-10-02 2021-04-08 X Development Llc Magnetometry based on electron spin defects
CA3156997A1 (en) 2019-10-08 2021-04-15 Hyperfine Operations, Inc. System and methods for detecting electromagnetic interference in patients during magnetic resonance imaging
EP4049054A1 (en) 2019-10-25 2022-08-31 Hyperfine Operations, Inc. Systems and methods for detecting patient motion during magnetic resonance imaging
EP4049052A2 (en) 2019-10-25 2022-08-31 Hyperfine Operations, Inc. Artefact reduction in magnetic resonance imaging
KR102189812B1 (ko) * 2019-10-30 2020-12-11 연세대학교 산학협력단 공심형 고온초전도 사극자석의 능동형 자기장 보정 장치
WO2021108216A1 (en) 2019-11-27 2021-06-03 Hyperfine Research, Inc. Techniques for noise suppression in an environment of a magnetic resonance imaging system
CN112858974A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 西门子(深圳)磁共振有限公司 局部区域的匀场方法、局部线圈及磁共振成像装置
WO2021119063A1 (en) 2019-12-10 2021-06-17 Hyperfine Research, Inc. Ferromagnetic frame for magnetic resonance imaging
USD912822S1 (en) 2019-12-10 2021-03-09 Hyperfine Research, Inc. Frame for magnets in magnetic resonance imaging
USD932014S1 (en) 2019-12-10 2021-09-28 Hyperfine, Inc. Frame for magnets in magnetic resonance imaging
WO2021118987A1 (en) 2019-12-10 2021-06-17 Hyperfine Research, Inc. Magnetic resonance imaging magnet assembly systems and methods
CN111103561B (zh) * 2019-12-10 2021-01-05 厦门大学 一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计及制作方法
WO2021119079A1 (en) 2019-12-10 2021-06-17 Hyperfine Research, Inc. Permanent magnet assembly for magnetic resonance imaging with non-ferromagnetic frame
US11415651B2 (en) 2019-12-10 2022-08-16 Hyperfine Operations, Inc. Low noise gradient amplification components for MR systems
CN110873855B (zh) * 2020-01-20 2020-04-21 华中科技大学 一种基于磁通压缩的脉冲磁体装置及高通量测量方法
TWI814176B (zh) 2020-12-22 2023-09-01 財團法人工業技術研究院 磁場結構
CN112820531B (zh) * 2021-02-02 2022-06-24 贵州广播电视大学(贵州职业技术学院) 一种带环形槽基座与永磁体的粘接装置及方法
CN113458391A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 百琪达智能科技（宁波）股份有限公司 一种钕铁硼成型平行压机系统
EP4131782A1 (en) * 2021-08-04 2023-02-08 Schneider Electric Industries SAS Electrical contactless switch
WO2023049989A1 (en) * 2021-09-28 2023-04-06 Nanalysis Corp. Magnet configurations
CN114239266B (zh) * 2021-12-15 2024-09-20 中国科学院电工研究所 一种磁共振成像超导磁体的无源匀场优化方法
WO2023178242A2 (en) * 2022-03-16 2023-09-21 Pmai Llc Methods and apparatus for mobile mri employing a permanent magnet
CN115191787B (zh) * 2022-07-14 2023-07-11 慕思健康睡眠股份有限公司 一种磁悬浮垫及床

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1534306A (zh) * 2003-03-21 2004-10-06 GEҽҩϵͳ����Ƽ���˾ 磁场控制的填隙的方法
TW200624787A (en) * 2004-09-27 2006-07-16 Koninkl Philips Electronics Nv Magnetic sensor for input devices
WO2015043684A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen Method for a targeted shaping of the magnetic field of permanent magnets
US20160069972A1 (en) * 2014-09-05 2016-03-10 Hyperfine Research, Inc. Ferromagnetic augmentation for magnetic resonance imaging

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0591542B1 (en) * 1992-03-18 2003-01-02 Sumitomo Special Metals Company Limited Magnetic field generator for mri
US6023165A (en) 1992-09-28 2000-02-08 Fonar Corporation Nuclear magnetic resonance apparatus and methods of use and facilities for incorporating the same
US5635839A (en) * 1994-11-04 1997-06-03 Picker International, Inc. High order passive shimming assembly for MRI magnets
DE19520203C1 (de) 1995-06-01 1996-11-21 Siemens Ag Verfahren zur Vermeidung von Bildabschattungen bei Kernspintomographiegeräten, die mit Multiechosequenzen betrieben werden
IT1305407B1 (it) * 1998-03-05 2001-05-04 Esaote Spa Metodo per la correzione e/o la taratura di campi magnetici inparticolare nei magneti per macchine per il rilevamento di immagini
GB9924833D0 (en) * 1999-10-20 1999-12-22 Btg Int Ltd Permanent magnet and shim design
DE10133655B4 (de) * 2001-07-11 2004-02-26 Siemens Ag Magnet-Resonanz-Tomographiegerät mit verbesserter örtlicher und zeitlicher Stabilisierung der Homogenität des magnetischen Grundfeldes
JP3619485B2 (ja) 2001-10-24 2005-02-09 ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー Ｒｆコイルおよび磁気共鳴撮影装置
JP2003303413A (ja) * 2002-04-04 2003-10-24 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気転写装置
US6984982B2 (en) * 2002-07-29 2006-01-10 Ge Medical Systems Global Technology Company Llc Method and system for shimming an MRI magnet assembly
US7148890B2 (en) * 2003-04-02 2006-12-12 Sun Microsystems, Inc. Displacement mapping by using two passes through the same rasterizer
EP1646884B1 (en) * 2003-05-30 2015-01-07 Koninklijke Philips N.V. Magnetic resonance imaging scanner with molded fixed shims
EP1493590A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-05 Sicpa Holding S.A. Method and means for producing a magnetically induced design in a coating containing magnetic particles
US7843196B2 (en) 2003-09-19 2010-11-30 Xbo Medical Systems Co., Ltd. Compact whole-body open magnet for magnetic resonance imaging
WO2005029111A1 (en) 2003-09-19 2005-03-31 Multi-Dimension Technology, Llc Cylindrical bi-planar gradient coil for mri
US6906606B2 (en) * 2003-10-10 2005-06-14 General Electric Company Magnetic materials, passive shims and magnetic resonance imaging systems
JP4145248B2 (ja) * 2004-01-22 2008-09-03 信越化学工業株式会社 永久磁石式磁界発生装置
US7019609B2 (en) * 2004-06-21 2006-03-28 General Electric Company Magnetic field generating device and method of shimming thereof
US7714578B2 (en) 2005-03-16 2010-05-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical decoupling, tuning and shimming of magnetic resonance coils
CN100397093C (zh) * 2005-03-31 2008-06-25 西门子（中国）有限公司 磁共振设备的不规则被测体的匀场方法
EP1911023A2 (en) * 2005-07-21 2008-04-16 Nxp B.V. Magnetic rom information carrier
CN101438187B (zh) 2006-03-11 2012-08-08 希固纳诺图有限责任公司 紧凑且便携低场脉冲nmr分散体分析器
US7295012B1 (en) * 2006-04-28 2007-11-13 General Electric Company Methods and apparatus for MRI shim elements
CN101090021B (zh) * 2006-06-12 2011-08-24 西门子（中国）有限公司 永磁磁共振系统的磁场元件的温度控制方法
DE102006052076A1 (de) 2006-11-04 2008-05-08 Bruker Biospin Ag Probenhalter für NMR-Messungen mit Feldhomogenisierung im Probenvolumen durch die Grenzflächen des Probenbehälters
GB0803358D0 (en) 2008-02-25 2008-04-02 Siemens Magnet Technology Ltd Method and apparatus for shimming a magnet
CA2728108C (en) 2008-06-24 2016-09-27 Alberta Health Services Magnetic assembly and method for defining a magnetic field for an imaging volume
WO2010080350A2 (en) 2008-12-18 2010-07-15 Grum Teklemariam Compact inhomogeneous permanent magnetic field generator for magnetic resonance imaging
RU2519517C2 (ru) 2009-04-30 2014-06-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство и способ для воздействия и/или обнаружения магнитных частиц и для магнитно-резонансной томографии
IT1397713B1 (it) 2010-01-22 2013-01-24 Esaote Spa Macchina per risonanza magnetica nucleare con mezzi per la correzione dell'omogeneità del campo magnetico.
DE102010002316B4 (de) 2010-02-24 2011-12-08 Bruker Biospin Gmbh Analysesystem mit Kopplung von GPC und NMR-Spektroskopie, insbesondere für die Analyse von polymerhaltigen Messproben
US8536870B2 (en) * 2010-04-21 2013-09-17 William F. B. Punchard Shim insert for high-field MRI magnets
US8604793B2 (en) * 2010-10-21 2013-12-10 General Electric Company Superconducting magnet having cold iron shimming capability
US9182465B2 (en) * 2011-03-04 2015-11-10 Siemens Aktiengesellschaft MRT gradient system with integrated main magnetic field generation
US9588200B2 (en) * 2011-03-25 2017-03-07 Hitachi, Ltd. Method for adjusting static magnetic field homogeneity, static magnetic field generation device for magnetic resonance imaging, magnetic field adjustment system, and program
US9285441B1 (en) * 2011-06-08 2016-03-15 Abqmr, Inc. Magnetic field correction system
CN202870284U (zh) * 2012-07-26 2013-04-10 宁波鑫高益磁材有限公司 用于磁共振成像永磁体的有源匀场系统
CN103713269A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 西门子(深圳)磁共振有限公司 用于磁体的匀场片、匀场条以及磁体和磁共振系统
DE102012220462B4 (de) 2012-11-09 2023-12-28 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur SAR Reduktion mittels B0 spezifischer HF Anregung
WO2016077438A2 (en) 2014-11-11 2016-05-19 Hyperfine Research, Inc. Pulse sequences for low field magnetic resonance
US10813564B2 (en) 2014-11-11 2020-10-27 Hyperfine Research, Inc. Low field magnetic resonance methods and apparatus
WO2016168249A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Hyperfine Research, Inc. Magnetic coil power methods and apparatus
MX2017014426A (es) 2015-05-12 2018-04-10 Hyperfine Res Inc Metodos y aparatos de bobina de radiofrecuencia.
EP4379760A3 (en) 2016-03-22 2024-06-19 Hyperfine Operations, Inc. Methods and apparatus for magnetic field shimming
TWI685668B (zh) 2016-09-29 2020-02-21 美商超精細研究股份有限公司 磁共振成像系統，以及搭配該磁共振成像系統使用之調諧系統
US10539637B2 (en) 2016-11-22 2020-01-21 Hyperfine Research, Inc. Portable magnetic resonance imaging methods and apparatus
US10627464B2 (en) 2016-11-22 2020-04-21 Hyperfine Research, Inc. Low-field magnetic resonance imaging methods and apparatus
US10585153B2 (en) 2016-11-22 2020-03-10 Hyperfine Research, Inc. Rotatable magnet methods and apparatus for a magnetic resonance imaging system
CN109983474A (zh) 2016-11-22 2019-07-05 海珀菲纳研究股份有限公司 用于磁共振图像中的自动检测的系统和方法
EP3781959A1 (en) 2018-04-20 2021-02-24 Hyperfine Research, Inc. Deployable guard for portable magnetic resonance imaging devices
CA3099068A1 (en) 2018-05-21 2019-11-28 Hyperfine Research, Inc. Radio-frequency coil signal chain for a low-field mri system
EP3797307A4 (en) 2018-05-21 2022-02-16 Hyperfine, Inc. B0 MAGNETIC METHOD AND APPARATUS FOR A MAGNETIC RESONANCE IMAGING SYSTEM
TW202015621A (zh) 2018-07-19 2020-05-01 美商超精細研究股份有限公司 在磁共振成像中患者定位之方法及設備
CA3107326A1 (en) 2018-07-30 2020-02-06 Hyperfine Research, Inc. Deep learning techniques for magnetic resonance image reconstruction
KR20210037683A (ko) 2018-07-31 2021-04-06 하이퍼파인 리서치, 인크. 의료 이미징 디바이스 메시징 서비스
TW202012951A (zh) 2018-07-31 2020-04-01 美商超精細研究股份有限公司 低場漫射加權成像
CN113557526A (zh) 2018-08-15 2021-10-26 海珀菲纳股份有限公司 用于抑制磁共振图像中的伪影的深度学习技术
EP3899565A2 (en) 2018-12-19 2021-10-27 Hyperfine, Inc. System and methods for grounding patients during magnetic resonance imaging
JP2022515825A (ja) 2018-12-28 2022-02-22 ハイパーファイン，インコーポレイテッド 磁気共鳴撮像におけるヒステリシスの補正
TW202041197A (zh) 2019-03-12 2020-11-16 美商超精細研究股份有限公司 嬰兒磁振造影之系統及方法
EP3938799A2 (en) 2019-03-14 2022-01-19 Hyperfine, Inc. Deep learning techniques for generating magnetic resonance images from spatial frequency data
JP2022530622A (ja) 2019-04-26 2022-06-30 ハイパーファイン，インコーポレイテッド 磁気共鳴画像法システムの動的制御のための技術
US11686790B2 (en) 2019-05-07 2023-06-27 Hyperfine Operations, Inc. Systems, devices, and methods for magnetic resonance imaging of infants
CN114556128A (zh) 2019-08-15 2022-05-27 海珀菲纳运营有限公司 涡流缓解系统和方法
USD912822S1 (en) 2019-12-10 2021-03-09 Hyperfine Research, Inc. Frame for magnets in magnetic resonance imaging

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1534306A (zh) * 2003-03-21 2004-10-06 GEҽҩϵͳ����Ƽ���˾ 磁场控制的填隙的方法
TW200624787A (en) * 2004-09-27 2006-07-16 Koninkl Philips Electronics Nv Magnetic sensor for input devices
WO2015043684A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen Method for a targeted shaping of the magnetic field of permanent magnets
US20160069972A1 (en) * 2014-09-05 2016-03-10 Hyperfine Research, Inc. Ferromagnetic augmentation for magnetic resonance imaging

Also Published As

Publication number Publication date
CA3123142A1 (en) 2017-09-28
EP4105665C0 (en) 2024-02-14
US20230366959A1 (en) 2023-11-16
BR112018069045A2 (pt) 2019-01-29
KR20190022456A (ko) 2019-03-06
US20200150202A1 (en) 2020-05-14
TWI657248B (zh) 2019-04-21
WO2017165513A1 (en) 2017-09-28
TW201743065A (zh) 2017-12-16
US20170276747A1 (en) 2017-09-28
US10788550B2 (en) 2020-09-29
CA3018183A1 (en) 2017-09-28
US10145913B2 (en) 2018-12-04
US11294006B2 (en) 2022-04-05
JP6927996B2 (ja) 2021-09-01
KR102320584B1 (ko) 2021-11-04
US11740302B2 (en) 2023-08-29
EP3433624B1 (en) 2022-05-04
CA3018183C (en) 2021-08-24
CA3123141A1 (en) 2017-09-28
EP3433624B8 (en) 2022-06-15
US20220206093A1 (en) 2022-06-30
EP3433624A1 (en) 2019-01-30
CN109073681A (zh) 2018-12-21
EP4105665A1 (en) 2022-12-21
IL261801A (en) 2018-10-31
US10794974B2 (en) 2020-10-06
EP4379760A3 (en) 2024-06-19
AU2017236982A1 (en) 2018-10-04
US20210033687A1 (en) 2021-02-04
EP3433624A4 (en) 2019-11-27
CN109073681B (zh) 2020-10-23
MX2018011524A (es) 2019-07-04
EP4105665B1 (en) 2024-02-14
TW201928367A (zh) 2019-07-16
US20170276749A1 (en) 2017-09-28
US20190011510A1 (en) 2019-01-10
JP2019515710A (ja) 2019-06-13
US10613168B2 (en) 2020-04-07
EP4379760A2 (en) 2024-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI713934B (zh) 磁體墊片、用於產生磁體墊片之方法與系統及低場磁性共振成像系統
US11867787B2 (en) Correcting for hysteresis in magnetic resonance imaging
US10132897B2 (en) Correcting the magnetic field of a medical apparatus with a gantry
Li et al. Finite element analysis of gradient z-coil induced eddy currents in a permanent MRI magnet
Lopez et al. An improved equivalent magnetization current method applied to the design of local breast gradient coils

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees