JP2022515825A

JP2022515825A - 磁気共鳴撮像におけるヒステリシスの補正

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Publication number: JP2022515825A
Application number: JP2021537745A
Authority: JP
Inventors: オハローラン，ラファエル; ユゴン，セドリック; サコリック，ローラ; ディヴォルン，ハドリエン
Original assignee: ハイパーファイン，インコーポレイテッド
Priority date: 2018-12-28
Filing date: 2019-11-15
Publication date: 2022-02-22
Also published as: BR112021012557A2; US20200209334A1; EP3903117B1; US20200209335A1; MX2021007856A; EP4414734A2; EP3903117A2; IL284396A; AU2019417058A1; CN113498479A; US11867787B2; WO2020139476A2; WO2020139476A3; US20240142556A1; US20220043094A1; KR20210143722A; TW202032153A; CA3125092A1; US11156688B2

Abstract

磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための装置。本装置は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサと、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体とを含んでいてもよい。本方法は、少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するために、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを含んでいてもよい。

Description

磁気共鳴イメージング（MRI）は、多くの応用のための重要なイメージングモダリティを提供し、人体の内部の画像を生成するために臨床および研究の場で広く利用されている。一般に、MRIは、印加された電磁場から生じる状態変化に応答して原子が発する電磁波である磁気共鳴（MR）信号を検出することに基づいている。たとえば、核磁気共鳴（NMR）技術は、撮像される物体内の原子（たとえば、人体の組織中の原子）の核スピンの再整列または緩和の際に、励起された原子の核から放出されるMR信号を検出することに関わる。検出されたMR信号は、画像を生成するように処理されてもよく、これは、医学的応用の文脈において、診断、治療および／または研究目的のために、体内の内部構造および／または生物学的プロセスの調査を可能にする。

MRIは、他のモダリティーの安全上の懸念なしに（たとえば、X線などの電離放射線に被験者をさらす必要なしに、または放射性物質を身体に導入せずに）比較的高い解像度およびコントラストを有する非侵襲的画像を生成することができるため、生物学的撮像のための魅力的な撮像モダリティーを提供する。さらに、MRIは、軟部組織コントラストを提供するのに特に好適であり、これは、他の撮像モダリティーが十分に画像化できない主題を画像化するために利用することができる。さらに、MR技術は、他のモダリティーが取得できない構造および／または生物学的プロセスに関する情報を捕捉することができる。しかしながら、MRIには、所与の撮像用途について、設備の比較的高いコスト、臨床MRIスキャナへのアクセスを得ることにおける限られた利用可能性および／または困難および／または画像取得プロセスの長さに関わりうるいくつかの欠点がある。

臨床的MRIの傾向は、スキャン時間、画像解像度、および画像コントラストの一つまたは複数を改善するためにMRIスキャナの磁場強度を増加させることであったが、これはコストを押し上げ続けている。設置されているMRIスキャナの大多数は1.5または3テスラ（T）で動作し、これは主磁場B₀の磁場強度をいう。臨床MRIスキャナのための大まかなコスト見積もりは、1テスラあたり約100万ドルであり、これは、そのようなMRIスキャナの運用に伴う実質的な運用、サービス、および保守のコストは算入していない。

さらに、従来の高磁場MRIシステムは、典型的には、物体（たとえば、患者）が撮像される強力で均一な静磁場（B₀）を生成するために、大きな超伝導磁石および関連する電子回路を必要とする。そのようなシステムのサイズは、磁石、電子回路、温度管理システム、および制御コンソール・エリアのための複数の部屋を含む典型的なMRI装置ではかなりのものである。MRIシステムのサイズおよび費用は一般にその使用を、病院および学術研究センターのような、MRIシステムを購入して維持する十分なスペースおよびリソースをもつ施設に限定する。高磁場MRIシステムの高いコストおよび実質的なスペース要件は、MRIスキャナの限られた可用性につながる。よって、MRIスキャンが有益なのに上記の制限の一つまたは複数のために実際的でないまたは不可能である臨床状況がよくある。これについては下記でさらに論じる。

いくつかの実施形態は、磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための装置であって、当該装置は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサと、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに下記を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体とを有する、装置を含む。本方法は、少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するために、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを含む。

いくつかの実施形態は、磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための方法であって、当該方法は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサにより、少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するために、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを実行することを含む。

いくつかの実施形態は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体を含む。前記方法は、少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するために、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを含む。

いくつかの実施形態は、少なくとも1つの勾配コイルを有する磁気共鳴撮像（MRI）システム内のヒステリシスを測定する方法を含み、該方法は：第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；前記MRIシステムの撮像領域に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、段階と；測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とを含む。

いくつかの実施形態は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに、少なくとも1つの勾配コイルを含む磁気共鳴撮像（MRI）システムにおいてヒステリシスを測定する方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体を含み、該方法は：第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；前記MRIシステムの撮像領域に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、段階と；測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とを含む。

いくつかの実施形態は、磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための装置であって、当該装置は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサと、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体とを有する、装置を含む。本方法は：第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；前記MRIシステムの撮像領域に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、段階と；測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とを含む。

いくつかの実施形態は、磁気共鳴撮像（MRI）システムにおけるヒステリシスを測定するための複数要素プローブを含み、該複数要素プローブは：RF送信コイルと；複数のRF受信要素と；複数の液体サンプルとを含み、各液体サンプルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる。

いくつかの実施形態は、少なくとも1つの電磁石を有する磁気共鳴撮像（MRI）システムにおけるヒステリシスを測定する方法を含み、該方法は、複数要素プローブを用いて前記MRIシステムの撮像領域における磁場を測定することを含む。前記複数要素プローブは：RF送信コイルと；複数のRF受信要素と；複数の液体サンプルとを含み、各液体サンプルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる。

開示される技術のさまざまな側面および実施形態は、以下の図を参照して説明される。図は必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことが理解されるべきである。

磁気共鳴撮像システムの例示的な構成要素を示す。

いくつかの実施形態による、複数の永久磁石を含むB₀磁石を示す。

図2Aに示されたB₀磁石を部分的に形成する永久磁石リングの例示的構成の上面図を示す。

図3に示されるB₀磁石を部分的に形成する永久磁石リングの例示的構成の上面図を示す。

いくつかの実施形態による、B₀磁石のための永久磁石セグメントの例示的なリングを示す図である。いくつかの実施形態による、B₀磁石のための永久磁石セグメントの例示的なリングを示す図である。

CおよびDは、いくつかの実施形態による、図5Eに示される永久磁石リングを形成するために使用できる永久磁石セグメントの異なる図を示す。 CおよびDは、いくつかの実施形態による、図5Eに示される永久磁石リングを形成するために使用できる永久磁石セグメントの異なる図を示す。

いくつかの実施形態による、B₀磁石についての永久磁石リングを示す。

FおよびGは、いくつかの実施形態による、図5Hに示される永久磁石リングを形成するために使用できる永久磁石セグメントの異なる図を示す。 FおよびGは、いくつかの実施形態による、図5Hに示される永久磁石リングを形成するために使用できる永久磁石セグメントの異なる図を示す。

いくつかの実施形態による、B₀磁石の永久磁石リングを示す。

AおよびBは、いくつかの実施形態による、可搬型低磁場MRIシステムを示す。

本明細書に記載される技術のいくつかの実施形態による、磁場を生成するためにコイルを通じて電流を駆動する駆動回路を示す。

いくつかの実施形態によるコンピュータ・システムを示す。

いくつかの実施形態による勾配パルス・シーケンスを示す。

いくつかの実施形態による、測定されたヒステリシス曲線を示す。

いくつかの実施形態による、磁性粒子のヒステロン・モデルを示す。

いくつかの実施形態による、複数ヒステロン・モデルに基づくヒステリシス効果のプライザハ・モデルを示す。

いくつかの実施形態による、例示的な時間依存の印加磁場を示す。

いくつかの実施形態による、プライザハ・モデルの適用を示す。

いくつかの実施形態による、複数ヒステロン・モデルに基づくヒステリシス効果のプライザハ・モデルを示す;

いくつかの実施形態による、複数要素プローブの概略図を示す。

いくつかの実施形態による、複数要素プローブの受信要素を示す。

いくつかの実施形態による、複数要素プローブの上面図である。

いくつかの実施形態による、複数要素プローブの斜視図である。

いくつかの実施形態による、複数要素プローブの側面図である。

いくつかの実施形態による、複数要素プローブの端面図である。

いくつかの実施形態による、MRIシステムにおいて誘起されるヒステリシス効果を測定する方法を示す。

いくつかの実施形態による、MRIシステムを制御するために使用されるパルス・シーケンスの一部を示す。

いくつかの実施形態による、例示的な勾配クラッシュ振幅シーケンスを示す。

いくつかの実施形態による、測定された一定および勾配磁場ヒステリシス効果を示す。

いくつかの実施形態による、フィッティングされた重みをもつヒステリシス効果のプライザハ・モデルを示す。

いくつかの実施形態による、ヒステリシス対勾配曲線を示す。

いくつかの実施形態による、ヒステリシス対時間曲線を示す。

いくつかの実施形態による、磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御する方法を示す。

ヒステリシス効果を補正することなくMRIシステムから帰結する例示的なMRI画像を示す。

いくつかの実施形態による、ヒステリシス効果を補正するMRIシステムから帰結する例示的なMRI画像を示す。

MRIスキャナ市場は、特に医療または臨床MRI用途については、圧倒的に高磁場システムが優勢である。上記で論じたように、医療撮像における一般的な潮流は、ますます大きな磁場強度をもつMRIスキャナを生産することであり、臨床MRIスキャナの大半は1.5Tまたは3Tで動作する。研究場面では7Tおよび9Tといった、より高い磁場強度が使われる。本稿での用法では、「高磁場」とは一般に、臨床場面において現在使われているMRIシステムを指し、より具体的には、1.5T以上の主磁場（すなわちB₀磁場）で動作するMRIシステムを指す。ただし、0.5Tから1.5Tまでの間で動作する臨床システムもしばしば「高磁場」と特徴付けられる。約0.2Tから0.5Tまでの間の磁場強度は「中磁場」と特徴付けられ、高磁場領域での場の強さが増し続けるにつれて、0.5Tから1Tまでの間の範囲の磁場強度は中磁場とも特徴付けられた。対照的に、「低磁場」は一般に約0.2T以下のB₀磁場で動作するMRIシステムを指す。ただし、0.2Tから約0.3Tまでの間のB₀磁場をもつシステムは、高磁場領域のハイエンドにおける磁場強度の上昇の結果として、時に低磁場と特徴付けられてきた。低磁場領域内で、0.1T未満のB₀磁場で動作する低磁場MRIシステムは、本稿では「超低磁場」（very low-field）と称され、10mT未満のB₀磁場で動作する低磁場MRIシステムは本稿では「極低磁場」（ultra-low field）と称される。

上記で論じたように、通常のMRIシステムは特別な施設を必要とする。MRIシステムが動作するためには電磁遮蔽された部屋が必要とされ、部屋の床は構造的に強化される必要がある。高電力電子回路およびスキャン技師の制御エリアのためにさらなる余地が設けられる必要がある。サイトへの安全なアクセスも提供される必要がある。さらに、電子回路のための電力を提供するために専用の三相電気接続が設置される必要があり、電子回路は冷水供給によって冷却される必要があり、追加的なHVAC能力が提供される必要がある。これらのサイト要件はコスト高であるばかりでなく、MRIシステムが配備できる位置を著しく制限する。通常の臨床MRIスキャナは、運用および維持両方のためにかなりの専門知識を必要とする。これらの高度な訓練を受けた技師およびサービスエンジニアは、MRIシステムを運用することに、大きな継続的な運用コストを追加する。結果として、通常のMRIはしばしば禁止的なコストになり、アクセス可能性において厳しく制限され、MRIが、必要とされるときはいつでもどこでも幅広い範囲の臨床撮像解決策を与えることのできる広く利用可能な診断ツールとなることの妨げとなる。患者は、前もって予定された時間と場所において限られた数の施設のうちの一つを訪れる必要があり、診断、手術、患者モニタリングなどに関して支援することにMRIが類のないほど有効な多くの医療用途においてMRIが使われることの妨げとなる。

上記で論じたように、高磁場MRIシステムは、そうしたシステムのサイズ、重量、電力消費および遮蔽要件を受け容れるために、特別に適応された施設を必要とする。たとえば、1.5T MRIシステムは典型的には4～10トンの間の重量であり、3T MRIシステムは典型的には8～20トンの間の重量である。さらに、高磁場MRIシステムは一般に、かなりの量の重く、高価な遮蔽を必要とする。多くの中磁場スキャナは、部分的には非常に大きな永久磁石および／またはヨークを使うため、一層重く、重量は10～20トンの間である。商業的に利用可能な低磁場MRIシステム（たとえば0.2TのB₀磁場で動作するもの）も典型的には、B₀場を生成するために使われる強磁性材料の量の多さに、遮蔽における追加的な重量が相まって、10トン以上の範囲である。この重い設備を受け容れるために、部屋（これは典型的には30～50平方メートルの最小サイズをもつ）は、強化された床（たとえばコンクリートの床）をもって構築される必要があり、電磁放射がMRIシステムの動作に干渉することを防ぐために特別に遮蔽される必要がある。このように、利用可能な臨床MRIシステムは可動でなく、病院または施設内の大きな専用スペースのかなりの費用を要するとともに、動作のためのスペースを準備するかなりのコストに加えて、システムを運用および維持する専門知識においてさらに追加的な継続的なコストを要する。

さらに、現在利用可能なMRIシステムは典型的には、大量の電力を消費する。たとえば、一般的な1.5Tおよび3T MRIシステムは典型的には動作中に20～40kWの電力を消費する。一方、利用可能な0.5Tおよび0.2T MRIシステムは、一般に5～20kWを消費する。本稿で電力消費を論じるとき、特に断わりのない限り、関心対象の区間にわたって消費される平均電力が参照される。たとえば、上記で挙げた20～40kWは、画像取得の過程において通常のMRIシステムによって消費される平均電力を示す。画像取得の過程は、この平均電力消費を有意に超えるピーク電力消費の比較的短い期間（たとえば、傾斜コイルおよび／または高周波（RF）コイルがパルス・シーケンスの比較的短い期間にわたってパルス駆動されるとき）を含みうる。ピークの（または大きな）電力消費の区間は典型的にはMRIシステム自身の電力蓄積要素（たとえばキャパシタ）により対処される。このように、平均電力消費は、一般にはそれがデバイスを動作させるために必要とされる電力接続の型を決めるので、より有意な特性である。よって、利用可能な臨床MRIシステムは専用の電源をももつ必要があり、典型的には、MRIシステムを動作させるためにグリッドへの専用の三相接続を要する。その際、三相電力をMRIによって利用される単相電力に変換するために追加的な電子回路が必要とされる。通常の臨床MRIシステムを配備することの多くの物理的な要件は、利用可能性の有意な問題を生み、MRIが利用されることのできる臨床用途を厳しく制約する。

よって、高磁場MRIの上記の多くの要件のため、多くの状況において設置は禁止的になり、その配備は大規模機関の病院または特別な施設に制限され、その使用は緊密にスケジュールされた予約に制約され、患者は前もってスケジュールされた時点において専用の施設を訪れる必要がある。このように、高磁場MRIの上記の多くの制約は、MRIが撮像モダリティーとして十全に利用されることの妨げとなる。上述した高磁場MRIの欠点にもかかわらず、高磁場でのSNRのかなりの向上の魅力のため、業界は臨床および医療MRI用途での使用のためにますます高い磁場強度に向かい続けており、これがMRIスキャナのコストおよび複雑さをさらに増し、その利用可能性をさらに制限し、汎用のおよび／または一般的に利用可能な撮像解決策としてのその使用の妨げとなる。

低磁場領域（特に非常に超低磁場領域）で生成されるMR信号の低いSNRは、比較的低コスト、低電力および／またはポータブルMRIシステムの開発の妨げとなってきた。従来の「低磁場」MRIシステムは、有用な画像を達成するために、典型的に低磁場領域として特徴付けられるもの（たとえば、臨床的に利用可能な低磁場システムは、約0.2Tのフロアを有する）のハイエンドにおいて動作する。従来の低磁場MRIシステムは、高磁場MRIシステムよりはいくぶん安価であるものの、同じ欠点の多くを共有している。特に、従来の低磁場MRIシステムは、大型で、固定され、不動な設備であり、かなりの電力を消費し（専用の三相電力接続を必要とする）、特別に遮蔽された部屋および大きな専用スペースを必要とする。低磁場MRIの課題は、有用な画像を生成することができる比較的低コスト、低電力および／またはポータブルMRIシステムの開発を妨げてきた。

本発明者らは、病院および研究施設における現行のMRI設備を超えた多様な環境におけるMRI技術の大規模な配備可能性を改善できる、ポータブルな、低磁場の、低電力の、および／または低コストのMRIシステムを可能にする技術を開発した。結果として、MRIは、緊急治療室、小規模クリニック、医師のオフィスにおいて、モバイル・ユニットにおいて、フィールドなどにおいて配備することができ、幅広い多様な撮像手順およびプロトコルを実行するために患者のところ（たとえば、ベッドサイド）に運び込まれることができる。いくつかの実施形態は、ポータブル、低コスト、低電力のMRIを容易にし、臨床状況においてMRIの利用可能性を著しく増加させる超低磁場のMRIシステム（たとえば、0.1T、50mT、20mTなど）を含む。

低磁場領域における臨床MRIシステムの開発には多くの課題がある。本明細書で使用されるところでは、用語「臨床MRIシステム」は、臨床的に有用な画像を生成するMRIシステムを指し、これは、特定の撮像用途を与えられた場合に、その意図された目的のために医師または臨床担当者にとって有用であるのに十分な解像度および適切な収集時間を有する画像を指す。よって、臨床的に有用な画像の解像度／収集時間は、画像が得られる目的に依存する。低磁場領域で臨床的に有用な画像を得ることにおける多くの課題の中に、比較的低いSNRがある。特に、SNRとB₀磁場強度の関係は、0.2Tより上の磁場強度では近似的にB₀ ^5/4であり、0.1Tを下回る磁場強度では近似的にB₀ ^3/2である。よって、SNRは磁場強度の低下とともに実質的に低下し、非常に低い磁場強度ではSNRの一層顕著な低下が経験される。磁場強度を下げることから帰結するSNRのこの実質的な低下は、超低磁場領域における臨床MRIシステムの開発を妨げてきた重要な要因である。特に、超低磁場強度での低いSNRという課題は、超低磁場領域で動作する臨床MRIシステムの開発の妨げとなってきた。結果として、臨床MRIシステムは約0.2Tの範囲以上に制限されてきた。そうしたシステムは、大きく、重い（そしてコストのかかる）MRIシステムであり、かなりの電力を消費し、一般に、固定された専用スペース（または遮蔽されたテント）と専用電源を必要とする。

本発明者らは、臨床的に有用な画像を生成することができる低磁場および超低磁場MRIシステムを開発するためには、SNRを増加させるべきであることを認識し、理解した。従来、高磁場MRIシステムでは無視されていたノイズおよび誤差の源（そうした誤差は高磁場システムにおける磁場の強度に比べて小さいため）が、低磁場MRIシステムのSNRを低下させ、結果として得られる画像の品質に有意な影響を与える可能性がある。よって、これらのノイズおよび誤差の源は、大磁場MRIシステムの開発では対処されなかった問題を生み出し、これらの問題は、低磁場MRIシステムにおいて、可能な最高のSNRを保証するために対処することが重要である。

本発明者らは、強磁性材料における誘導磁化に起因するヒステリシス効果が、低磁場MRIシステムにおいて、SNRを低下させ、および／または撮像誤差を引き起こすことを認識するに至った。MRIシステムの多くのコンポーネントおよび関連する環境は、MRIシステムの一つまたは複数の電磁石によって誘起される磁化を受けやすい強磁性材料から形成されるか、またはこれらを含む。さまざまなコンポーネントの強磁性材料が磁化されると、結果として得られる磁場は、B₀磁場、線形勾配磁場および高次項を含むMRIシステムの撮像領域における磁場に影響を及ぼす。高磁場MRIシステムでは、システムのさまざまなコンポーネントの強磁性材料の誘導磁化によって生成される磁場は、MRIシステムの磁石の高磁場強度に比べてこれらの磁場の大きさが小さいために無視されうる。しかしながら、ヒステリシス効果は、低磁場MRIシステムでは、SNRを増加させるために対処されるべきである。

たとえば、低磁場MRIシステムは、強磁性ヨークによって接続された永久磁石プレートを有する磁気システムを含んでいてもよい（たとえば、下記の図2Aを参照）。そのような低磁場MRIシステムは、低磁場MRIシステムの撮像領域内の勾配磁場のために使用される一つまたは複数の勾配コイルを含む。勾配パルス・シーケンスは、撮像領域内の磁場が時間の関数として変化するように、勾配コイルによって生成される磁場を制御するために使用される。勾配コイルによって生成された動的磁場は、永久磁石板、強磁性ヨーク、および強磁性材料で作られたMRIシステムの他のコンポーネントにおいて磁化を誘導する。誘導磁化は、勾配コイルによって生成される磁場に加えて、撮像領域に磁場を生成するヒステリシス効果である。結果として、撮像領域に存在する実際の磁場は、勾配コイルによってもはや精密に制御されず、代わりに、勾配コイルによって生成される磁場と、誘導磁化によって生成される磁場（および、B₀磁石のようなMRIシステムの他の磁石によって生成される磁場）との和となる。磁場を精密に制御できないことは、SNRおよび結果として得られるMRI画像の品質を低下させる。

低磁場MRIシステムにおけるヒステリシス効果によって引き起こされる誤差を低減するための1つのアプローチは、撮像ルーチン中に消磁パルスを含めることである。しかしながら、消磁パルスの追加は、撮像ルーチンを実行するのに要する時間を増加させ、および／またはヒステリシス効果についての不完全な補正をもたらす余分な勾配補正ローブを必要とする。

本発明者らは、追加の消磁パルスを加えることによって撮像ルーチンの継続時間を増加させない、ヒステリシス効果から生じる撮像誤差を低減する技術を開発した。本発明者らは、低磁場MRIシステムにおいて誘起されるヒステリシス効果が、患者を撮像するために低磁場MRIシステムを使う前に測定されうることを認識するに至った。次いで、測定値を使用して、ヒステリシス効果のヒステリシス・モデルを作成することができ、それが、後続の撮像中にこれらの効果を補償するために使用されることができる。たとえば、ヒステリシス・モデルは、MRIシステムの撮像領域に所望の磁場強度を生成するよう、MRIシステムの電磁石（たとえば、勾配コイル）を制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定するために、ターゲット・パルス・シーケンスを修正するために使用されうる。ヒステリシス効果は、電磁石を制御するために使用されるパルス・シーケンスを決定する際に考慮に入れられるので、いくつかの実施形態では、所望の磁場強度は、MRIシステムの誘導磁化の寄与と、補正されたパルス・シーケンスによって制御される電磁系によって生成される磁場とを反映しうる。

よって、いくつかの実施形態では、ヒステリシス・モデルが、MRIシステムの一つまたは複数の電磁石を制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定するために使用される。誘導磁化の正確な位置は、決定される必要はないことに留意されたい。たとえば、ヨーク、他の磁気コンポーネント、ハウジング、電子コンポーネント、および／またはMRIシステムの任意の数の他のコンポーネントは、強磁性材料から作られることがあり、ヒステリシス効果を示すことがある。各コンポーネントに関連する誘導磁化の量は、決定される必要はない。撮像ルーティングの前にヒステリシス効果を測定することによって、測定時に存在する任意の強磁性材料からの誘導磁化がまとめてヒステリシス・モデルによって考慮に入れられうる。そのような技術を用いて、本発明者らは、約15%のSNRの増加を観察した。

いくつかの実施形態では、MRIシステムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための装置は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサと；前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されたときに、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに、方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体とを含み、前記方法は、少なくとも1つのターゲット勾配パルス・シーケンスを受領する段階と；前記少なくとも1つのターゲット勾配パルス・シーケンスおよび前記少なくとも1つの勾配コイルについての少なくとも1つの制御設定の履歴に基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを駆動するための、修正された勾配磁場パルス・シーケンスを決定する段階と；補正された勾配パルス・シーケンスを使用して、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを含む。

いくつかの実施形態では、MRIシステムは、強磁性ヨークを含み、前記ヒステリシス・モデルは、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって少なくとも前記強磁性ヨークにおいて誘起されるヒステリシスの効果を表わす。

いくつかの実施形態では、補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ターゲット・パルス・シーケンスのターゲット勾配パルス・シーケンス内のパルスの振幅を調整することを含んでいてもよい。代替的に、または追加的に、補正されたパルス・シーケンスを決定することは、RF送信コイルを制御するために使用される補正された送信高周波（RF）パルス・シーケンスおよび／またはRF受信コイルを制御するために使用される補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することを含んでいてもよい。たとえば、補正された送信RFパルス・シーケンスを決定することは、補正された送信RFパルス・シーケンスの送信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含んでいてもよく；補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することは、補正された受信RFパルス・シーケンスの受信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含んでいてもよい。

本発明者らは、ヒステリシス効果を測定するために、複数要素プローブがMRIシステム内に配置されうることをさらに認識するに至った。複数要素プローブは、MRIシステムの撮像領域内の磁場を測定するためのいくつかの受信要素を含む。次いで、測定値を用いて、MRIシステムに誘起されるヒステリシス効果のモデルを決定する。MRIシステムで誘起されるヒステリシス効果は、電磁石に印加されるパルス・シーケンスの履歴に依存する。よって、誘導磁化から生じる撮像領域内の磁場は、複数の異なるパルス・シーケンスについて測定されうる。

いくつかの実施形態では、MRIシステムにおけるヒステリシスを測定するための複数要素プローブは：RF送信コイルと；複数のRF受信要素と；複数の液体サンプルとを含み、各液体サンプルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる。

いくつかの実施形態は、少なくとも1つの電磁石を有する磁気MRIシステムにおけるヒステリシスを測定する方法を含み、該方法は：複数要素プローブを用いてMRIシステムの撮像領域内の磁場を測定することを含み、該複数要素プローブは：RF送信コイルと；複数のRF受信要素と；複数の液体もしくはゲル・サンプルとを含み、各液体もしくはゲル・サンプルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる。

いくつかの実施形態は、少なくとも1つの勾配コイルを含むMRIシステムにおけるヒステリシスを測定する方法を含み、該方法は：第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；前記MRIシステムの撮像領域内に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域内の第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的に、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから得られる、段階と；測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階と、を含む。

図1は、MRIシステム100の典型的なコンポーネントのブロック図である。図1の例示的な例では、MRIシステム100は、コンピューティング装置104、コントローラ106、パルス・シーケンス記憶装置108、電力管理システム110、および磁気系コンポーネント120を含む。システム100は例示的であり、MRIシステムが、図1に示したコンポーネントに加えてまたはその代わりに、任意の好適な型の一つまたは複数の他のコンポーネントを有していてもよいことを理解しておくべきである。しかしながら、MRIシステムは、一般にはこれらの高レベルのコンポーネントを含むであろう。ただし、下記でさらに詳細に論じるように、具体的なMRIシステムについてのこれらのコンポーネントの実装は大きく変わりうる。

図1に示されるように、磁気系コンポーネント120はB₀磁石122、シム・コイル124、RF送信および受信コイル126および傾斜コイル〔勾配コイル〕128を有する。磁石122は、主磁場B₀を生成するために使用されうる。磁石122は、所望される主磁場を生成できる磁気系コンポーネントの任意の好適な型または組み合わせでありうる。上記で論じたように、高磁場領域では、B₀磁石は典型的には、一般にソレノイド幾何で提供される超伝導材料を用いて形成され、これはB₀磁石を超伝導状態に保つために低温冷却システムを必要とする。このように、高磁場B₀磁石は、高価であり、複雑であり、大量の電力を消費する（たとえば、低温冷却システムは、B₀磁石を超伝導状態に保つために必要とされる極低温を維持するためにかなりの電力を必要とする）、大きな専用スペース、および特化した専用の電力接続（たとえば、電力グリッドへの専用の三相電力接続）を必要とする。従来の低磁場B₀磁石（たとえば、0.2Tで動作するB₀磁石）も、しばしば、伝導材料を使用して実装され、これらの同じ一般的要件を有する。他の従来の低磁場B₀磁石は、永久磁石を使用して実装され、それは、低い磁場強度で有用な画像を取得することができないために、従来の低磁場システムが制限される磁場強度（たとえば、0.2Tから0.3Tまでの間）を生成するために、5～20トンの重さの非常に大きな磁石である必要がある。このように、従来のMRIシステムのB₀磁石単独では、ポータブル性と手頃な価格の両方が妨げられる。

勾配コイル128は、勾配場を提供するように構成されてもよく、たとえば、3つの実質的に直交する方向（X、Y、Z）においてB₀場に勾配を生成するように構成されてもよい。勾配コイル128は、周波数または位相の関数として受信されたMR信号の空間位置をエンコードするために、B₀場（磁石122および／またはシム・コイル124によって生成されるB₀場）を系統的に変化させることによって、発されるMR信号をエンコードするように構成されてもよい。たとえば、勾配コイル128は、特定の方向に沿った空間位置の線形関数として周波数または位相を変化させるように構成されてもよいが、非線形勾配コイルを使用することによって、より複雑な空間エンコード・プロファイルが提供されてもよい。たとえば、第1の勾配コイルは、第1の（X）方向においてB₀磁場を選択的に変化させてその方向における周波数エンコードを実行するように構成されてもよく、第2の勾配コイルは、第1んお方向と実質的に直交する第2の（Y）方向においてB₀磁場を選択的に変化させて位相エンコードを実行するように構成されてもよく、第3の勾配コイルは、第1および第2の方向に実質的に直交する第3の（Z）方向においてB₀磁場を選択的に変化させて、体積撮像用途のためのスライス選択を可能にしてもよい。上述したように、従来の勾配コイルはまた、典型的には、大型の高価な勾配電源によって動作させられて、かなりの電力を消費する。これについては下記でさらに詳細に論じる。

MRIは、送信コイルと受信コイル（しばしば高周波コイルと呼ばれる）をそれぞれ用いて、MR信号を励起し、発されたMR信号を検出することによって実行される。送受信コイルは、送信および受信のための別個のコイル、送信および／または受信のための複数のコイルまたは送信および受信のために同じコイルを含むことができる。このように、送信／受信コンポーネントは、送信するための一つまたは複数のコイル、受信するための一つまたは複数のコイル、および／または送信および受領するための一つまたは複数のコイルを含んでいてもよい。送信／受信コイルは、MRIシステムの送信および受領磁気系コンポーネントのためのさまざまな構成を総称してTx/Rxコイルと称されることも多い。これらの用語は、本明細書では交換可能に使用される。図1では、RF送信および受信コイル126は、振動磁場B₁を誘導するためにRFパルスを生成するために使用されうる一つまたは複数の送信コイルを含む。送信コイルは、任意の好適なタイプのRFパルスを生成するように構成されうる。

電力管理システム110は、低磁場MRIシステム100の一つまたは複数のコンポーネントに動作電力を提供するための電子回路を含む。たとえば、下記でより詳細に論じるように、電力管理システム110は、一つまたは複数の電源、勾配電力コンポーネント、送信コイル・コンポーネント、および／またはMRIシステム100のコンポーネントにエネルギーを与え動作させるために好適な動作電力を提供するために必要とされる任意の他の好適な電力電子回路を含んでいてもよい。図1に示されるように、電力管理システム110は、電源112、電力コンポーネント114、送信／受信スイッチ116、および熱管理構成要素118（たとえば、超伝導磁石用の極低温冷却装置）を有する。電源112は、MRIシステム100の磁気コンポーネント120に動作電力を提供するための電子回路を含む。たとえば、電源112は一つまたは複数のB₀コイル（たとえばB₀磁石122）に、低磁場MRIシステムのための主磁場を生成するよう動作電力を提供するための電子回路を含んでいてもよい。RF送信コイルまたはRF受信コイルのどちらが動作させられるかを選択するために送受切り換えスイッチ116が使われてもよい。

電力コンポーネント114は、一つまたは複数のRF受信コイル（たとえば、コイル126）によって検出されたMR信号を増幅する一つまたは複数のRF受信（Rx）前置増幅器〔プリアンプ〕、一つまたは複数のRF送信コイル（たとえば、コイル126）に電力を提供するように構成された一つまたは複数のRF送信（Tx）電力コンポーネント、一つまたは複数の勾配コイル（たとえば、勾配コイル128）に電力を提供するように構成された一つまたは複数の勾配電力コンポーネント、および一つまたは複数のシム・コイル（たとえば、シム・コイル124）に電力を提供するように構成された一つまたは複数のシム電力コンポーネントを含んでいてもよい。

従来のMRIシステムでは、電力コンポーネントは、大型で、高価であり、かなりの電力を消費する。典型的には、電力電子回路〔パワーエレクトロニクス〕は、MRIスキャナ自体とは別の部屋を占める。電力電子回路は、かなりのスペースを必要とするだけでなく、かなりの電力を消費し、壁に取り付けられたラックが支持されることを必要とする高価で複雑なデバイスである。よって、従来のMRIシステムの電力電子回路も、MRIのポータブル性および手頃な価格を妨げる。

図1に示されるように、MRIシステム100は、電力管理システム110に命令を送信し、電力管理システム110から情報を受信するための制御電子回路を有するコントローラ106（コンソールとも呼ばれる）を含む。コントローラ106は、所望のシーケンスで磁気コンポーネント120を動作させるために電力管理システム110に送られる命令（たとえば、RF送信および受信コイル126を動作させるためのパラメータ、勾配コイル128を動作させるためのパラメータなど）を決定するために使用される一つまたは複数のパルス・シーケンスを実装するように構成されてもよい。図1に示されるように、コントローラ106はまた、受信されたMRデータを処理するようにプログラムされたコンピューティング装置104と対話する。たとえば、コンピューティング装置104は、受領されたMRデータを処理して、任意の好適な画像再構成プロセスを使用して一つまたは複数のMR画像を生成することができる。コントローラ106は、コンピューティング装置によるデータの処理のために、一つまたは複数のパルス・シーケンスに関する情報をコンピューティング装置104に提供することができる。たとえば、コントローラ106は、一つまたは複数のパルス・シーケンスに関する情報をコンピューティング装置104に提供してもよく、コンピューティング装置は、少なくとも部分的には該提供された情報に基づいて、画像再構成プロセスを実行してもよい。従来のMRIシステムでは、コンピューティング装置104は、典型的には、MRデータに対して計算コストの高い処理を比較的迅速に実行するように構成された一つまたは複数の高性能ワークステーションを含む。そのようなコンピューティング装置は、それ自体が比較的高価な設備である。

いくつかの実施形態では、コントローラ106は、コンピュータ・ハードウェア・プロセッサ（図示せず）と、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに一つまたは複数の方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体（図示せず）とを含んでいてもよい。方法は、MRIシステム100を制御するために使用するパルス・シーケンスを決定する方法を含んでいてもよい。追加的または代替的に、方法は、MRIシステム100において誘起されるヒステリシス効果を測定する、および／またはMRIシステム100に関連するヒステリシス・モデルを決定する方法を含んでいてもよい。

いくつかの実施形態では、コントローラ106は、一つまたは複数のパルス・シーケンスのそれぞれについての情報を記憶するパルス・シーケンス記憶装置108からパルス・シーケンスに関する情報を取得することによって、パルス・シーケンスを実装するように構成されてもよい。特定のパルス・シーケンスのためにパルス・シーケンス記憶装置108によって記憶される情報は、その特定のパルス・シーケンスをコントローラ106が実現することを許容する任意の好適な情報でありうる。たとえば、あるパルス・シーケンスについてパルス・シーケンス記憶装置108に記憶される情報は、そのパルス・シーケンスに従って磁気系コンポーネント120を動作させるための一つまたは複数のパラメータ（たとえば、RF送信および受信コイル126を動作させるためのパラメータ、勾配コイル128を動作させるためのパラメータなど）、そのパルス・シーケンスに従って電力システム110を動作させるための一つまたは複数のパラメータ、コントローラ106によって実行されると、コントローラ106にそのパルス・シーケンスに従って動作するようMRIシステム100Bを制御させる命令を含む一つまたは複数のプログラム、および／または任意の他の好適な情報を含んでいてもよい。パルス・シーケンス記憶装置108に記憶された情報は、一つまたは複数の非一時的な記憶媒体に記憶されてもよい。

いくつかの実施形態では、パルス・シーケンス記憶装置108はまた、MRIシステム100において誘起される測定されたヒステリシスに関係する情報を記憶してもよい。たとえば、測定データ自体が記憶されてもよい。追加的または代替的に、ヒステリシス・モデルがパルス・シーケンス記憶装置108に記憶されてもよい。あるいはまた、他の実施形態では、ヒステリシスに関する情報は、パルス・シーケンス記憶装置108とは別の記憶装置に記憶されてもよい。

上記から理解されるはずだが、現在利用可能な臨床MRIシステム（高磁場、中磁場および低磁場システムを含む）は、かなりの専用の、特別に設計されたスペース、ならびに専用の電力接続を必要とする、大型で、高価で、固定された設備である。本発明者らは、より低コスト、より低電力および／またはポータブルであり、MRIの利用可能性および適用可能性を著しく増大させる、超低磁場を含む低磁場のMRIシステムを開発した。いくつかの実施形態によれば、MRIシステムが患者のところに運ばれ、必要とされる場所で利用されることを可能にするポータブルMRIシステムが提供される。

上記で論じたように、いくつかの実施形態は、MRI装置を必要とされる場所（たとえば、緊急治療室および手術室、プライマリーケア・オフィス、新生児集中治療室、専門科、救急および移動輸送車両、および現場）まで移動されることを可能にするポータブルなMRIシステムを含む。サイズ、重量、電力消費、および比較的制御されていない電磁ノイズ環境において（たとえば、特別に遮蔽された部屋の外で）動作する能力を含む、ポータブルMRIシステムの開発に直面する多くの課題がある。上記で論じたように、現在利用可能な臨床MRIシステムは、約4～20トンの範囲である。よって、現在利用可能な臨床MRIシステムは、撮像デバイス自体のサイズおよび重量のため、ポータブルではない。現在利用可能なシステムは、MRIスキャナを収容するための特別に遮蔽された部屋および電力電子回路および技師制御エリアをそれぞれ収容するための追加の部屋を含む、かなりの専用スペースを必要とするという事実を考えればなおさらである。本発明者らは、MRIシステムが所望の位置に搬送されることを許容するような好適な重さおよびサイズのMRIシステムを開発した。そのいくつかの例が以下でさらに詳細に論じられる。

ポータブル性のさらなる側面は、MRIシステムを幅広い多様な場所および環境で動作させることができることを含む。上記で論じたように、現在利用可能な臨床MRIスキャナは、装置の正しい動作を可能にするために特別に遮蔽された部屋に設置する必要があり、これは、現在利用可能な臨床MRIスキャナのコスト、利用可能性の欠如、および非ポータブル性に寄与する（数ある）理由の1つである。よって、特別に遮蔽された部屋の外で動作し、より詳細には、一般的にポータブルな、カートで運べる、または他の仕方で移動可能なMRIを可能にするために、MRIシステムは、多様なノイズ環境での動作ができなければならない。本発明者らは、MRIシステムが特別に遮蔽された部屋の外で動作することを可能にするノイズ抑制技術を開発した。これは、特別に遮蔽された部屋を必要としないポータブル／移動可能なMRIおよび固定されたMRI設備の両方を容易にする。ノイズ抑制技術は、特別に遮蔽された部屋の外での動作を可能にするが、これらの技術は、遮蔽された環境、たとえば、より安価で、ゆるいまたはアドホックな遮蔽環境においてノイズ抑制を実行するために使用することもでき、よって、限られた遮蔽を備えた区域との関連で使用できる。諸側面はこの観点では制限されない。

ポータビリティのさらなる側面は、MRIシステムの電力消費に関わる。上記で論じたように、現在の臨床MRIシステムは、大量の電力を消費し（たとえば、動作中の平均電力消費が20kWから40kWの範囲）、よって専用の電力接続（たとえば、必要な電力を送達することができるグリッドへの専用の三相電力接続）を必要とする。専用の電力接続の必要性は、適切な電力接続を特別に備えた高価な専用の部屋以外の多様な場所でMRIシステムを動作させる際のさらなる障害である。本発明者らは、標準的な壁のコンセント（たとえば、米国では120V/20A接続）または一般的な大型家電コンセント（たとえば、220～240V/30A）などの幹線電気を使用して動作可能な低電力MRIシステムを開発した。これは、一般的な電源コンセントが提供される場所であればどこでも装置を動作させることができるようにした。「壁に差し込む」機能は、三相電源接続のような特別な専用電源を必要とせずに、ポータブル／移動式MRIおよび固定式MRIシステム設備の両方を容易にする。

上記で論じたように、従来のMRIシステムのサイズ、コスト、および消費電力に対するかなりの寄与因子は、MRIシステムの磁気系コンポーネントに電力を供給するための電力電子回路である。従来のMRIシステムのための電力電子回路は、しばしば別個の部屋を必要とし、高価であり、対応する磁気系コンポーネントを動作させるためにかなりの電力を消費する。特に、勾配コイルおよび勾配コイルを冷却するためだけに利用される熱管理システムは、一般に、専用の電力接続を必要とし、標準的な壁コンセントからの運用を禁止する。本発明者らは、いくつかの実施形態によれば、MRIシステムの磁気系コンポーネントと同じポータブルな、カートで運べる、または他の仕方で移動可能な装置に収容されることができるMRIシステムの勾配コイルに電力を供給することができる低電力、低ノイズの勾配電源を開発した。いくつかの実施形態によれば、MRIシステムの勾配コイルに電力を供給するための電力電子回路は、システムがアイドル状態のときに50W未満、およびMRIシステムが動作中（すなわち、画像取得中）のときは100～200Wを消費する。本発明者らは、ポータブルMRIスキャナのフットプリント内にすべて収まるポータブルな低磁場MRIシステムを動作させるための電力電子回路（たとえば、低電力、低ノイズの電力電子回路）を開発した。いくつかの実施形態によれば、革新的な機械的設計により、システムが必要とされる多様な臨床環境の範囲内で操作可能なMRIスキャナの開発が可能となった。

低電力、低コスト、および／またはポータブルなMRIシステムの開発の核心には、B₀磁石の磁界強度の低減があり、これが、サイズ、重量、費用、および電力消費の低減を容易にすることができる。しかしながら、上記で論じたように、磁場強度の低下は、SNRにおける対応する有意な低下をもたらす。このようなSNRの有意な低下のため、臨床MRIシステムは、約0.2Tという現在のフロアより下まで磁場強度を低下させることができず、システムは、依然として、特化した専用のスペースを必要とする大きく、重く、高価な固定装置である。0.1Tから0.2Tの間で動作するいくつかのシステムが開発されているが、これらのシステムは、手、腕または膝などの四肢をスキャンするための特化された装置であることが多い。本発明者らは、臨床的に有用な画像を得ることができる低磁場および超低磁場で動作するMRIシステムを開発した。いくつかの実施形態は、MR信号を生成する際の非常に効率的なパルス・シーケンスを含み、および／またはいくつかの実施形態は、発されたMR信号を検出するための最適化された受信コイルを含む。その例は、下記でさらに詳細に論じられる。MRIシステムにおいて誘起されたヒステリシス効果を測定し、モデリングし、次いで、ヒステリシス・モデルを用いて補正されたパルス・シーケンスを決定することにより、上述し、下記でさらに詳細に論じるように、誘起された磁場によって引き起こされる、撮像領域における磁場の変動から帰結する撮像誤差の低減が容易になる。

いくつかの実施形態によれば、本発明者らによって開発された設計はまた、MRIスキャナを動作させ、維持するコストおよび複雑さをも低減する。たとえば、従来の臨床MRIシステムは、動作および維持の両方のためにかなりの専門知識を必要とし、これらのシステムのかなりの継続的コストにつながる。本発明者らは、最小限の訓練を受けたまたは訓練を受けていない人員がシステムを動作させるおよび／または維持することを可能にする、使いやすいMRIシステムを開発した。いくつかの実施形態によれば、自動化されたセットアップ・プロセスにより、MRIスキャナは、動作に備えるために、その環境を自動的にプローブし、該環境に適応することができる。ネットワーク接続性により、MRIシステムは、所望のスキャン・プロトコルを自動的に実行するように構成された使いやすいインターフェースを有するタブレット、ノートパッド、またはスマートフォンのようなモバイルデバイスから操作することができる。取得された画像は、データ共有、遠隔医療、および／または深層学習のために、安全なクラウドサーバーにすぐに転送される。さらに、いくつかの実施形態では、MRIシステムにおいて誘起されるヒステリシス効果を測定するために、使いやすい複数要素プローブが使用される。自動化された測定プロセスにより、MRIシステムは自動的にMRIシステムについてのヒステリシス・モデルを測定し、決定することができる。さらに、補正されたパルス・シーケンスの決定は自動化されるので、MRIシステムの強磁性コンポーネントの誘導磁化から生じる誤差を低減するために特別な専門知識は必要とされない。

下記は、より低コスト、より低電力および／またはポータブルな低磁場MRIに関係するさまざまな概念およびその実施形態のより詳細な記述である。本明細書に記載される実施形態は、多数の仕方のうちの任意のもので実装されうることが理解されるべきである。具体的な実装の例は、例示的な目的のためにのみ以下に提供される。提供される実施形態および特徴／機能は、個別に、すべて合わせて、または2つ以上の任意の組み合わせで使用されうることが理解されるべきである。本明細書に記載される技術の諸側面はこの点に関して限定されない。

高磁場MRIの高コスト、サイズ、重量、および電力消費の有意な寄与因子は、B₀磁石に電力を供給し、その熱管理を実行するのに必要な装置ととともに、B₀磁石自体である。特に、高磁場MRIに特徴的な磁場強度を生成するために、B₀磁石は、典型的には、配線を超伝導状態に保つために極低温冷却システムを必要とする超伝導ワイヤを使用して、ソレノイド幾何に構成された電磁石として実装される。超伝導材料自体が高価であるだけでなく、超伝導状態を維持するための極低温設備も高価で複雑である。

本発明者らは、低磁場のコンテキストは、高磁場領域では実現可能でないB₀磁石設計が可能であることを認識するに至った。たとえば、少なくとも部分的には、より低い磁場強度のため、超伝導材料および対応する極低温冷却システムをなくすことができる。部分的には低磁場強度のため、非超伝導材料（たとえば、銅）を用いて構築されたB₀電磁石が、低磁場領域では使用されうる。しかしながら、そのような電磁石は、それでも、動作中に比較的大量の電力を消費する可能性がある。たとえば、0.2T以上の磁場を発生させるために銅導体を使う電磁石を動作させるには、専用のまたは特化した電力接続（たとえば、専用の三相電力接続）が必要である。本発明者らは、幹線電気（すなわち、標準的な壁の電源）を使用して動作させることができるMRIシステムを開発した。これは、MRIシステムが、標準的な壁のコンセント（たとえば、米国では120V/20A接続）または一般的な大型機器コンセント（たとえば、220～240V/30A）のような一般的な電源接続を有する任意の場所で電力供給を受けることを可能にした。こうして、低電力MRIシステムは、MRIシステムが必要とされる場所で動作させられることを可能にする（たとえば、患者がMRIシステムのところに連れて行かれるのではなく、MRIシステムが患者のところまで運ばれることができる）、ポータブル性および可用性を容易にする。その例については、以下でさらに詳しく論じる。さらに、標準的な壁電力から動作することにより、三相電力を単相電力に変換し、グリッドから直接提供される電力を平滑化するために従来必要とされていた電子回路をなくすことができる。代わりに、壁の電力が直接DCに変換され、MRIシステムのコンポーネントに電力を供給するために分配されることができる。

図2Aは、いくつかの実施形態に従った、永久B₀磁石を示す。特に、B₀磁石200は、二平面幾何に配置された永久磁石210a、210bと、それらの永久磁石によって生成された電磁束を捕捉して該磁束を対向する永久磁石に伝達して、永久磁石210aと210bの間の磁束密度を増加させるヨーク220とによって形成される。永久磁石210a、210bのそれぞれは、複数の同心の永久磁石から形成される。特に、図2に見えるように、永久磁石210bは、永久磁石214aの外側リング、永久磁石214bの中間リング、永久磁石214cの内側リング、および中心の永久磁石ディスク214dを有する。永久磁石210aは、永久磁石210bと同じセットの永久磁石要素を含んでいてもよい。

使用される永久磁石材料は、システムの設計要件に依存して選択されうる。たとえば、いくつかの実施形態によれば、永久磁石（またはその一部）は、NdFeBでできていてもよい。NdFeBは、いったん磁化されたら材料の単位体積当たりに比較的高い磁場を生成する。いくつかの実施形態によれば、永久磁石またはその一部を形成するためにSmCo材料が使用される。NdFeBはより高い磁場強度を生じる（そして一般にSmCoより安価である）が、SmCoはより少ない熱ドリフトを示し、よって、温度変動があるときに、より安定な磁場を提供する。他の型の永久磁石材料が使用されてもよい。諸側面はこの点に関して限定されない。一般に、使用される永久磁石材料の型（単数または複数）は、少なくとも部分的には、所与のB₀磁石実装の磁場強度、温度安定性、重量、コスト、および／または使いやすさの要件に依存する。

永久磁石リングは、永久磁石210aと210bとの間の中央領域（視野）において所望の強度の均一な磁場を生成するように、サイズ決めされ、配置される。図2Aに示された例示的な実施形態では、各永久磁石リングは複数のセグメントを含み、各セグメントは半径方向に積層された複数のブロックを使用して形成される。ブロックは、周のまわりに互いに隣接して位置されてそれぞれのリングを形成する。本発明者らは、各永久磁石の幅（リングの接線方向）を変化させることによって、より少ない材料を使用しながら、有用なスペースの無駄をより少なくすることができることを理解するに至った。たとえば、有用な磁場を生じない、スタックとスタックの間のスペースは、ブロックの幅を、たとえばブロックの半径方向位置の関数として変化させることによって、減少させることができ、これにより、より緊密なフィットにより、無駄なスペースを減少させ、所与のスペースにおいて生成できる磁場の量を最大化することができる。ブロックの寸法は、所望の強度および均一性の磁場の生成を容易にするために、任意の所望の仕方で変化させることができる。これについては、下記でさらに詳細に論じられる。

B₀磁石200はさらに、永久磁石210aおよび210bによって生成された磁束を捕捉し、該磁束をB₀磁石の反対側に向けて、永久磁石210aと210bの間の磁束密度を増加させ、B₀磁石の視野内の磁場強度を増加させるように構成および配置されたヨーク220を有する。磁束を捕捉して該磁束を永久磁石210aと210bの間の領域に向けることにより、より少ない永久磁石材料を使用して所望の磁場強度を達成することができ、それにより、B₀磁石のサイズ、重量およびコストを低減することができる。あるいはまた、所与の永久磁石について、磁場強度を増加させることができ、よって、使用する永久磁石材料の量を増加させる必要なく、システムのSNRを改善する。例示的なB₀磁石200の場合、ヨーク220は、フレーム222とプレート224aおよび224bとを有する。プレート224aおよび224bは、永久磁石210aおよび210bによって生成された磁束を捕捉し、それをフレーム222に導き、ヨークの磁気戻り経路を介して循環させて、B₀磁石の視野内の磁束密度を増加させる。ヨーク220は、該ヨークのための所望の磁気特性を提供するよう、任意の所望の強磁性材料、たとえば、低炭素鋼、CoFeおよび／またはシリコン鋼などで構築されうる。いくつかの実施形態によれば、プレート224aおよび224b（および／またはフレーム222またはその一部）は、勾配コイルが最も一般的に（prevalently）渦電流を誘起できる領域においてはシリコン鋼等で構築されてもよい。

例示的なフレーム222は、それぞれプレート224aおよび224bに取り付けられるアーム223aおよび223bを含み、支持体〔サポート〕225aおよび225bは、永久磁石によって生成される磁束の磁気戻り経路を提供する。アームは、一般に、永久磁石によって生成される磁束のための戻り経路のための十分な断面を提供しながら、永久磁石を支持するのに必要とされる材料の量を減らすように設計される。アーム223aは、B₀磁石によって生成されるB₀磁場のための磁気戻り経路内に2つの支持体を有する。支持体225aおよび225bは、間にギャップ227が形成されるように生成され、永久磁石によって生成される磁束のための十分な断面を提供しながら、フレームに対してある程度の安定性を、および／または構造に対して軽さを提供する。たとえば、磁束の戻り経路のために必要とされる断面は、2つの支持構造の間で分割されることができ、よって、フレームの構造的完全性を増しながら、十分な戻り経路を提供する。さらなる支持体がこの構造に加ええられてもよいことが理解されるべきである。この技術は、2つの支持体や何らかの特定の数の複数の支持体構造との使用に限定されない。

上記で論じたように、例示的な永久磁石210aおよび210bは、中心の永久磁石ディスクのまわりに同心円状に配置された永久磁石材料の複数のリングを備える。各リングは、それぞれのリングを形成するため強磁性材料の複数のスタックを含んでいてもよく、各スタックは一つまたは複数のブロックを含んでいてもよく、ブロックは任意の数を有しうる（いくつかの実施形態では、および／または、いくつかのリングでは単一ブロックを含みうる）。各リングを形成するブロックは、所望の磁場を生成するような寸法および配置にされてもよい。本発明者らは、コストを減らし、重量を削減し、および／または生成される磁場の均一性を改善するために、ブロックはいくつかの仕方で寸法決めされうることを認識するに至った。これについては、いくつかの実施形態に従って、一緒にB₀磁石の永久磁石を形成する例示的なリングとの関連で、より詳細に論じる。

図2Bは、永久磁石210を上から見下ろした図を示す。永久磁石210は、たとえば、図2Aに示されるB₀磁石200の永久磁石210aおよび210bの設計として使用されうる。永久磁石210は、同心円状のリング210a、210b、210cを含み、各リングは、強磁性ブロックの複数のスタックで構築され、中心に強磁性ディスク210dがある。永久磁石が取り付けられたヨークのフレームの方向が矢印22によって示される。ヨークが対称的でない（たとえばヨーク220）実施形態では、ヨークは、永久磁石（ヨークはそれらの永久磁石について磁束を捕捉し集束させる）によって生成される磁場をも非対称にし、B₀磁場の一様性に負の影響を与える。

いくつかの実施形態によれば、ブロック寸法は、永久磁石によって生成される磁場に対するヨークの影響を補償するために変えられる。たとえば、図2Bでラベル付けされた4つの領域215a、215b、215c、および215dにおけるブロックの寸法は、それぞれのブロックが位置する領域に依存して変化させてもよい。特に、ブロックの高さ（たとえば、円形磁石210の平面に垂直なブロックの寸法）は、フレームに最も近い領域215aにおける対応するブロックよりも、フレームから最も遠く離れた領域215cのほうが大きくてもよい。ブロック高さは、一つまたは複数のリングまたはその一部分において変更することができる。ヨークの効果を補償する技術は、何らかの特定のブロック、ブロックのセット、および／または何らかの特定の寸法を変更することに限定されない。ヨーク効果を補償するためにブロック寸法を変化させる一例が以下でさらに詳細に論じられる。

図3は、いくつかの実施形態によるB₀磁石300を示す。B₀磁石300は、図2Aおよび図2Bに示されるB₀磁石200と設計コンポーネントを共有してもよい。特に、B₀磁石300は、二平面幾何に配置された永久磁石310aおよび310bと、それらに結合されたヨーク320によって形成される。該ヨークは、永久磁石によって生成された電磁束を捕捉し、該磁束を対向する永久磁石に伝えて、永久磁石310aと310bとの間の磁束密度を増加させる。永久磁石310a、310bのそれぞれは、永久磁石314aの外側リングと、永久磁石314bの中間リングと、永久磁石314cの内側リングと、中心の永久磁石ディスク314dとを含む、複数の同心円状の永久磁石から形成される。このことは、永久磁石310bによって示されている。永久磁石310aは、永久磁石310bと同じセットの永久磁石要素を含んでいてもよい。使用される永久磁石材料は、システムの設計要件に依存して選択されうる（たとえば、所望される特性に依存して、NdFeB、SmCoなど）。

永久磁石リングは、永久磁石310aと310bとの間の中央領域（視野）における所望の強度の均一な磁場を生成するように、サイズ決めされ、配置される。特に、図3に示された例示的な実施形態では、各永久磁石リングは、所望のB₀磁場を生成するようなサイズおよび位置にされた複数の円弧セグメントを含む。これについては、以下でさらに詳細に論じる。図2Aおよび図2Bに示したヨーク220と同様に、ヨーク320は、永久磁石310aおよび310bによって生成された磁束を捕捉し、それをB₀磁石の反対側に導いて永久磁石310aと310bの間の磁束密度を増加させるような構成および配置にされる。それにより、ヨーク320は、より少ない永久磁石材料でB₀磁石の視野内の磁場強度を増加させ、B₀磁石のサイズ、重量、およびコストを低減する。ヨーク320はまた、フレーム322、プレート324a、324bをも含む。これらは、ヨーク320に関連して上述したものと同様に、永久磁石310aによって、およびヨークの磁気戻り経路を介して生成された磁束を捕捉し、循環させ、B₀磁石の視野内の磁束密度を増加させる。ヨーク320の構造は、たとえば、B₀磁石のコストおよび重量を低減するために、使用される材料の量を最小化しつつ、永久磁石によって生成される磁束を受け入れ、十分な安定性を提供するのに十分な材料を提供するために、上述の構造と同様であってもよい。

図4は、永久磁石410の上から見下ろした図を示す。永久磁石410は、たとえば、図3に示されるB₀磁石300の永久磁石410aおよび410bのデザインとして使用されてもよい。永久磁石410は、それぞれが強磁性材料の複数の円弧セグメントから構築される同心円状のリング410a、1410b、および410cと、中心にある強磁性ディスク410dとを含む。ヨークが対称的でない（たとえばヨーク320）実施形態では、ヨークは、永久磁石（ヨークはそれらの永久磁石について磁束を捕捉し、集束させる）によって生成される磁場をも非対称にし、B₀磁場の一様性に負の影響を与える。いくつかの実施形態によれば、永久磁石によって生成される磁場に対するヨークの効果を補償するために、円弧セグメントの一つまたは複数の寸法が変えられる。たとえば、図4においてラベル付けされた4つの四分円415a、415b、415c、および415d内の円弧セグメントの一つまたは複数の寸法は、B₀磁場に対するヨークの効果を補償するために、変化をつけられてもよい。これについては、以下でさらに詳細に論じる。

図5Aおよび5Bは、いくつかの実施形態による、内側リング510（たとえば、図4に示されるリング410c）の異なる図を示す。例示的なリング510は、それぞれがリングの45°の部分にわたる複数（図5Aおよび5Bに示された例示的なリング510では8個）の強磁性円弧セグメント（たとえば、NdFeB、SmCoなどで形成されたセグメント）を含む。例示的なリング510では、円弧セグメント（たとえば、例示的な円弧セグメント505）は、内側半径R1および外側半径R2ならびに高さまたは深さz₈を有するリングを提供するように寸法決めされる。いくつかの実施形態によれば、内側リング510は、R1が45～47mm（たとえば、46.08mm）、R2が62～64mm（たとえば、62.91mm）およびz₈が22～25mm（たとえば、23.46mm）という寸法をもつ。円弧セグメントの数およびその寸法は、所望のB₀磁場（たとえば、所望の磁場強度および／または均一性）を生成するために、所望に応じて選択されてもよいことが理解されるべきである。諸側面は、この点に関して限定されない。

図5Cおよび5Dは、図5Eに示される中間リング510（たとえば、図4に示されるリング410b）を形成するために使用できるセグメント515の異なる図を示す。たとえば、セグメント515は、図5Eに示されるように、四分円Q1～Q4内のセグメント（やはりたとえば、図4に示されるリング410bの四分円415a～d内のセグメント）を提供するために使用できる。例示的な部分1815'は、複数の強磁性円弧セグメント（たとえば、NdFeB、SmCoなどで形成されるセグメント）を含む。図5C～5Eでは、それぞれ45°の部分にわたる2つの円弧セグメント（たとえば、例示的な円弧セグメント505'）がリング510'の四分円を形成する。リング510'の例示的な部分515'では、円弧セグメントは、内側半径R1および外側半径R2、ならびに高さまたは深さz₉を有するリングを提供するように寸法決めされ、この寸法は、所望の磁場を達成するために各四分円について選択できる。その非限定的な例を以下に与える。

図5Fおよび5Gは、図5Hに示される外側リング510"（たとえば、図4に示されるリング410a）を形成するために使用できるセグメント515の異なる図を示す。たとえば、図5Hに示される四分円Q1～Q4内のセグメント（やはりたとえば、図4に示されるリング410aの四分円415a～d内のセグメント）を提供するために使用できる。例示的な部分515"は、複数の強磁性円弧セグメント（たとえば、NdFeB、SmCoなどで形成されるセグメント）を含む。図5F～5Hでは、それぞれリング510"の18°の部分にわたる5つの円弧セグメント（たとえば、例示的な円弧セグメント505"）が、リング510"の四分円を形成する。リング510"の例示的なセグメント515では、円弧セグメントは、内側半径R1および外側半径R2ならびに高さもしくは深さz₁₀を有するリングを提供するように寸法決めされ、この寸法は、所望の磁場を達成するために各四分円について選択できる。

上記で論じたように、本発明者らは、実質的に任意の環境において配備でき、撮像手順を受ける患者のところに持ち込むことができる、低電力のポータブルな低磁場MRIシステムを開発した。このようにして、緊急治療室、集中治療室、手術室、および他の多くの場所にいる患者が、従来MRIが利用可能でなかった状況において、MRIの恩恵を受けることができる。ポータブルMRIを容易にする諸側面について、以下でさらに詳細に論じる。

図6Aおよび6Bは、いくつかの実施形態による、低電力のポータブルな低磁場MRIシステムを示す。ポータブルMRIシステム600は、MRIシステムの撮像領域（視野）内の磁束密度を増加させるために、磁束を捕捉し、チャネリングするように構成された強磁性ヨーク620によって互いに磁気的に結合された少なくとも1つの第1の永久磁石610aと少なくとも1つの第2の永久磁石610bとを含むB₀磁石605を備える。永久磁石610aおよび610bは、本明細書に記載される技術のいずれかを含む任意の好適な技術を使って（たとえば、図2Aに示されるB₀磁石200および／または図3に示されるB₀磁石300との関連で記載され、その付属の記述において記載される技術、設計および／または材料の任意のものを使って）構築されてもよい。ヨーク620はまた、本明細書に記載の技術のいずれかを使って（たとえば、図2Aおよび図3に示されるヨーク220および420との関連で記載され、その付属の記述において記載される技術、設計および／または材料の任意のものを使って）構築されてもよい。いくつかの実施形態では、B₀磁石605は、本明細書に記載される電磁石技術の任意のものを使用する電磁石を使用して形成されてもよいことが理解されるべきである。

B₀磁石605は、システムの勾配コイル（たとえば、x-勾配、y-勾配およびz-勾配コイル）および／またはもしあればシム・コンポーネント（たとえば、シム・コイルまたは永久磁石シム）、B₀補正コイルなどの、一つまたは複数の他の磁気系コンポーネントとともに、筐体612内に収容され、または囲まれてもよい。B₀磁石が、必要に応じて、患者の解剖学的構造を受け入れるための傾斜を提供するよう傾けられる（たとえば、その質量中心のまわりに回転される）ことができるよう、B₀磁石605は、ゴニオメトリックステージのような位置決め機構690によって、ベース650に結合されるか、または他の仕方で取り付けまたはマウントされてもよい。図6Aでは、B₀磁石は、傾斜のなしに水平に示され、図6Bでは、B₀磁石は、スキャンされる患者の解剖学的構造を支持する表面を傾斜させるために回転した後に示される。位置決め機構690が、B₀磁石600の重量を支持するように配置されたベース650の一つまたは複数の荷重支持構造に固定されてもよい。

B₀磁石を支持するための荷重支持構造を提供することに加えて、ベース650は、ポータブルMRIシステム600を動作させるために必要とされる電子回路670を収容するように構成された内部空間をも含む。たとえば、ベース650は、勾配コイル（たとえば、X、YおよびZ）およびRF送信／受信コイルを動作させるための電力コンポーネントを収容してもよい。本発明者らは、比較的低コストであるように設計され、ポータブルMRIシステムのベース内に取り付ける（すなわち、従来行なわれているような固定設備の別の部屋で静的にラックに設置するのではなく）ために構築された、低磁場領域において勾配コイルに好適に電力を供給するように構成された、一般的に低電力、低ノイズおよび低コストの勾配増幅器を開発した。勾配コイルを動作させるための好適な電力コンポーネントの例は、以下でさらに詳細に説明される（たとえば、図1および図20との関連で説明される電力コンポーネント）。いくつかの実施形態によれば、MRIシステムの勾配コイルに電力を供給するための電力電子回路は、システムがアイドルであるときは50W未満、およびMRIシステムが動作中（すなわち、画像取得中）であるときは100～300Wを消費する。ベース650はまた、RFコイル増幅器（すなわち、システムの送信／受信コイルを動作させるための電力増幅器）、電源、コンソール、電力分配ユニット、およびMRIシステムを動作させるために必要とされる他の電子機器をも収容してもよい。そのさらなる詳細は下記に記載される。

いくつかの実施形態によれば、ポータブルMRIシステム600を動作させるために必要とされる電子回路670は、1kW未満の電力を消費し、いくつかの実施形態では、750W未満の電力を消費し、いくつかの実施形態では、500W未満の電力を消費する（たとえば、永久B₀磁石解決策を利用するMRIシステム）。MRI装置の低電力動作を容易にするための技術は、以下でさらに詳細に論じられる。しかしながら、より大きな電力を消費するシステムも利用されてもよい。諸側面はこの点で限定されない。図6Aおよび図6Bに示される例示的なポータブルMRIシステム600は、単相電力を供給するコンセント（たとえば、標準的なまたは大型機器用のコンセント）などの感染電気の源に接続するように構成された単一の電力接続675を介して電力供給されてもよい。よって、ポータブルMRIシステムは、単一の利用可能な電源コンセントにプラグを差し込まれ、そこから動作させられることができ、専用電源の必要性をなくす（たとえば、専用の三相電源の必要性をなくし、三相電力をMRIシステムの対応するコンポーネントに分配されるべき単相電力に変換するためのさらなる電力変換電子回路の必要性をなくす）とともに、MRIシステムの利用可能性、ならびにポータブルMRIシステムが使用されうる状況および場所を増加させる。

図6Aおよび図6Bに示されるポータブルMRIシステム600はまた、ポータブルMRIシステムが異なる位置に搬送されることを可能にする搬送機構680をも備える。搬送機構は、たとえば、MRIが必要とされる位置へのポータブルMRIシステムの移動を容易にするように構成された一つまたは複数のコンポーネントを含むことができる。いくつかの実施形態によれば、搬送機構は、駆動ホイール684に結合されたモーター686を含む。このようにして、搬送機構680は、MRIシステム600を所望の位置に搬送する際に電動支援を提供する。搬送機構680は、支持および安定性を補助するとともに搬送を容易にするために複数のキャスター682をも含んでいてもよい。

いくつかの実施形態によれば、搬送機構680は、所望の位置への搬送中にポータブルMRIシステムを案内するために、コントローラ（たとえば、ジョイスティックまたは人が操作できる他のコントローラ）を使用して制御される電動支援〔電動アシスト〕を含む。いくつかの実施形態によれば、搬送機構は、MRIシステムに力が加えられたときを検出し、応答して、搬送機構に係合して、検出された力の方向に電動支援を提供するように構成されたパワーアシスト手段を備える。たとえば、図6Aおよび図6Bに示されるベース650のレール655は、レールに力が（たとえば、レールにつかまって押している（pushing on the rail）人員によって）加えられるときを検出し、搬送機構に係合して、加えられた力の方向に車輪を駆動するための電動支援を提供するように構成されてもよい。結果として、ユーザーは、ユーザーによって加えられる力の方向に応答する搬送機構の支援を得て、ポータブルMRIシステムを案内することができる。また、パワーアシスト機構は、衝突に対する安全機構をも提供してもよい。特に、他の物体（たとえば、壁、ベッドまたは他の構造）との接触の力も検出されてもよく、搬送機構は、それに応じて、物体から離れる方向へのモーター駆動された移動応答をもって反応する。いくつかの実施形態によれば、電動支援はなくしてもよく、ポータブルMRIシステムは、人員に手動の力を用いてシステムを所望の位置まで運ばせることによって、搬送されてもよい。

ポータブルMRIシステム600は、システムの撮像領域に電磁シールドを提供するスライド660を含む。スライド660は、MRIシステムの開放感を保持するために透明または半透明であってもよく、閉ざされたボア内で実行される従来のMRIの間に閉所恐怖症を経験する可能性のある患者を支援する。スライド660はまた、空気の流れにより開放感を増大させるため、および／または動作中にMRIシステムによって生成される音響ノイズを散逸させるために穿孔されてもよい。電磁ノイズが撮像領域に到達するのを防ぐために、スライドの中に遮蔽体665が組み込まれていてもよい。いくつかの実施形態によれば、スライド660は、撮像領域に遮蔽665を提供し、システムの開放感を促進する伝導性メッシュによって形成されてもよい。このように、スライド660は、電磁遮蔽を提供してもよく、電磁遮蔽は、患者がシステム内に位置決めされることを許容するため可動であり、ひとたび患者が位置決めされたとき、または、収集中に、人員による調整を許容し、および／または、外科医が患者へのアクセスすることを可能にする、などである。このように、可動シールドは、ポータブルMRIシステムが遮蔽されていない部屋で利用されることを可能にするだけでなく、それがなければ利用可能でない手順が実行されることを可能にする柔軟性を容易にする。さまざまなレベルの電磁遮蔽を提供する例示的なスライドは、下記でさらに詳細に論じられる。

いくつかの実施形態によれば、ポータブルMRIシステムは、スライドを含まず、これは、実質的に開いた撮像領域を提供し、システム内の患者のより簡単な配置を容易にし、閉所恐怖症の感覚を軽減し、および／またはMRIシステム内に位置決めされた患者へのアクセスを改善する（たとえば、医師または外科医が、撮像手順の前、間、または後に、患者をシステムから取り出す必要なく、患者にアクセスすることを可能にする）。本発明者らは、撮像領域の遮蔽がないまたは実質的にないことを含む、さまざまなレベルの電磁遮蔽でMRIを実行することを容易にする技術を開発した。これは、環境中の電磁ノイズを抑制するように適応されたノイズ抑制システムを含む。いくつかの実施形態によれば、ポータブルMRIシステム600は、本明細書に記載されるノイズ抑制および／または回避技術のうちの一つまたは複数を使用するノイズ低減システムを備えていてもよい。それはたとえば、ポータブルMRIシステム600の所与のシールド配置のシールド構成と協調して、ノイズ抑制／相殺応答を動的に適応させる。よって、ポータブルな低磁場MRIシステム600は、患者および／または所望の場所に搬送され、特別に遮蔽された部屋（たとえば、救急治療室、手術室、NICU、一般開業医の診察室、クリニック）の外で動作させられ、および／またはどこに位置していようと患者のベッドサイドに直接運び込まれることができ、必要なときに必要な場所でMRIが実行されることを可能にする。実質的に任意の位置で動作させることができるポータブルMRIを容易にするために、本発明者らは、いくつかの実施形態によれば、幹線電気（たとえば、標準的または工業用の壁のコンセントからの単相電力）によって電力供給されるように構成された低電力MRIシステムを開発した。これについては下記でさらに詳細に説明する。

上記で論じたように、従来のMRIシステムは、かなりの電力を消費し、動作するために専用の三相電源を必要とする。特に、超伝導材料を用いてB₀磁石を形成する従来のMRIシステムは、導体を超伝導状態に保つためにかなりの電力を消費する極低温冷却システムを必要とする。加えて、勾配増幅器を動作させるために使用される電力増幅器は、大量の電力を引き出す大電力コンポーネントであり、典型的には、システムの電子コンポーネントを収容する別個の部屋に格納される。さらに、従来のMRIシステムの送受信コイル・システムを動作させるように構成された電力コンポーネントも、かなりの量の電力を消費する。多くの従来の高磁場MRIシステムは、やはりかなりの電力を引き出すHVACシステムを必要とする。

従来のMRIシステムは、特化した専用のスペースを必要とする固定の設備である。結果として、MRIシステムを動作させるための専用の三相電力接続の要求は、従来のMRI設備の多くの専用の特化した特徴の1つに過ぎないので、これらのシステムにとって決定的な制限ではない。しかしながら、専用の三相電源を必要とすることは、ポータブルMRIシステムを動作させることができる場所に著しい制約を課す。よって、本発明者らは、MRIシステムのポータブル性を容易にする低電力MRIシステムを開発した。たとえば、いくつかの実施形態によれば、低電力MRIシステムは、幹線電源（たとえば、標準的なまたは工業用のコンセントからの単相電力）を使用して動作するように構成される。低電力MRIシステムの例示的な諸側面は、下記でさらに詳細に論じられる。

いくつかの実施形態によれば、低電力MRIシステムは、永久B₀磁石（たとえば、図2Aおよび図3に示されるものなど、本明細書で論じられる永久磁石のいずれか）を備える。永久B₀磁石は、いったん磁化されると、それ自身の永久磁場を生じるので、その磁場を生成するよう永久B₀磁石を機能させるために電力は必要とされない。結果として、MRIシステムの全体的な電力消費に対する顕著な（しばしば支配的な）寄与因子をなくすことができ、幹線電気を使って（たとえば、標準的な壁のコンセントまたは一般的な大型家電製品用コンセントを介して）電力供給されることができるMRIシステムの開発を容易にする。これについては、例示的な低電力MRIシステムとの関連で下記でさらに詳細に説明する。

さらに、勾配コイル・システムを動作させるように適応された従来の電力コンポーネントは、一般に、少なくとも部分的には、費用およびノイズ・レベルのために、低磁場MRIでの使用には適さず、電力消費、サイズおよび重量のため、低電力および／またはポータブルなMRIには適さない。たとえば、現在利用可能なMRIシステムにおいて勾配コイルを動作させるために使用される従来の電力コンポーネントのコストは、高磁場MRI設備の総コストと比較して相対的に重要でないことを考慮すれば受け入れられるかもしれないが、このコストは、より低コストの代替として設計される低磁場MRIシステムのコンテキストでは容認できないほど高いことがありうる。よって、高磁場MRIのために従来使用されている電力コンポーネントのコストは、いくつかの、より低コストの低磁場MRIシステムにとっては、不釣合いに大きく、よって、満足いくものではない。

さらに、低磁場（特に超低磁場および極低磁場領域）における比較的低いSNRは、従来の勾配コイル電力成分を不適切なものにする。特に、勾配コイルを駆動するための従来の電力コンポーネントは、それらが十分に低いノイズでコイルを駆動するように設計されていないので、一般に低磁場MRIシステムには適さない。そのような電力コンポーネントによって注入されるノイズは、高磁場MRIシステムの高SNR領域においては受け容れ可能でありうるが、そのようなコンポーネントは、一般に、低磁場MRIシステムにおいて受け入れ可能な画像品質を提供するのに十分に低いノイズ・レベルを提供しない。たとえば、従来の電力コンポーネントは、低磁場のコンテキストで使用するための出力の不満足な変動（たとえば、リップル）を示すことがあり、低磁場MRIシステムの勾配コイル・システムに比較的大きなノイズを注入する。

さらに、現在利用可能なMRIシステムの勾配コイル・システムを駆動するように構成された従来の電力コンポーネントは、電力効率が良いように設計されておらず、大量の電力を消費する。加えて、現在利用可能なMRIシステムの勾配コイル・システムを動作させるように構成された従来の電力コンポーネントは、大型で重い装置であり、典型的には、他の電子コンポーネントとともに、MRI装置に隣接する別の部屋でラックに設置される。よって、従来の勾配電力コンポーネントは、低電力のポータブルMRIシステムでの使用には好適でない。

図7は、いくつかの実施形態による、MRIシステムのコイル705を通じて電流を駆動して、所望のパルス・シーケンスに従って磁場を生成するための駆動回路を示す。電力コンポーネント703は、コントローラ701からの制御信号に基づいて、コイル705を通じて電流を駆動する。コントローラ701は、上述のように、コントローラ701によって実装される（または一つまたは複数の他のコントローラによって提供される）パルス・シーケンスに基づいて、電力コンポーネント703を駆動するための制御信号を生成することができる。いくつかの実施形態では、コイル705は、勾配コイル128であってもよい。しかしながら、コイル705は、磁石122のコイル、シム・コイル124、またはRF送信および／または受信コイル126であってもよいので、本明細書に記載の技術は、この点に関して限定されない。いくつかの実施形態では、コントローラ701は、図1のコントローラ106に対応し、駆動電力コンポーネント703は、図1の電力コンポーネント114に対応してもよい。

勾配コイルに電力を供給するように構成された電力コンポーネントは、典型的には、比較的高い電力を提供し、典型的には、所望のパルス・シーケンスが忠実に送達されることができるように、勾配コイルに提供される電流に対する精密な制御を提供する必要がある。指令された電流を勾配コイルに送達する際の不正確さは、送達される勾配パルス・シーケンスと意図された（および予期された）パルス・シーケンスとの間の差異に起因して、信号対雑音比の減少をもたらす。所望のパルス・シーケンスによって要求される電流波形を忠実に生成するよう、勾配コイルを駆動するように構成された電力コンポーネントはまた、指令された電流レベル間の急速な遷移を含め、指令された電流を勾配コイルに送達する際に反応がよいべきである。よって、本発明者らは、所望のパルス・シーケンスを忠実に再現するために、一つまたは複数の勾配コイルに、比較的低ノイズおよび比較的高効率で、電流を正確かつ精密に提供するように制御されることができる電力コンポーネントを開発した。そのいくつかの実施形態について、下記でさらに詳細に論じる。

いくつかの実施形態では、電力コンポーネント703は、コイル705を通じて所望の電流を駆動する「電流モード」電力コンポーネントであってもよい。所望の電流は、コントローラ701からの電流指令に応答して、電力コンポーネント703によって生成されてもよい。この点に関し、電力コンポーネント703は、電流指令（コイル705に提供されるべき電流を示す電圧レベルとして、コントローラによって提供されてもよい）によって制御される電流源として動作してもよい。コントローラ701は、電力コンポーネント703が選択されたパルス・シーケンスに従って変化する電流値を生じるように電流指令を変化させてもよい。たとえば、コントローラ701は、電力コンポーネントに、複数の勾配パルスを含むパルス・シーケンスに従って一つまたは複数の勾配コイルを駆動するように命令することができる。各勾配パルスについて、電力コンポーネントは、勾配パルスの立ち上がりエッジでは、対応する勾配コイルに提供される電流をランプ状に上げ、勾配パルスの立ち下がりエッジでは、勾配コイルに提供される電流をランプ状に下げる必要があることがありうる。複数のそのような勾配パルスを提供するように勾配コイルを駆動するように構成された電力コンポーネントの例示的な動作が下記さらに詳細に説明される。

図8は、本明細書に記載する実施形態が実装されうる例示的コンピュータ・システムの図である。たとえば、MRIシステムにおけるヒステリシス効果を測定するための方法（たとえば、下記の図16を参照）、およびMRIシステムの勾配コイルを制御するための方法（たとえば、下記の図17を参照）は、コンピュータ・システム800上で、および／またはコンピュータ・システム800を使用して実装されてもよい。コンピュータ・システム800は、一つまたは複数のコンピュータ・ハードウェア・プロセッサ802と、非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体（たとえば、メモリ804および一つまたは複数の不揮発性記憶媒体806）を含む一つまたは複数の製造物とを含んでいてもよい。プロセッサ802は、メモリ804および不揮発性記憶装置806へのデータの書き込みおよびそこからのデータの読み出しを、任意の好適な仕方で制御することができる。本明細書で提供される開示の諸側面はこの点に関して限定されない。本明細書に記載される機能のいずれかを実行するために、プロセッサ802は、プロセッサ802による実行のためのプロセッサ実行可能命令を記憶する非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体のはたらきをしうる一つまたは複数の非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体（たとえば、メモリ804）に記憶された一つまたは複数のプロセッサ実行可能命令を実行することができる。

図9Aは、一つまたは複数の勾配コイルを制御し、MRIシステムの撮像領域に磁場を生成するために、MRIシステムによって使用されうる勾配パルス・シーケンスの例を示す。図9Aにおける破線は、時間の関数としての理想化された勾配パルス・シーケンスを表わす。パルス・シーケンスは、勾配コイルに、最大値から最小値まで振動する磁場を生成させ、振動の最大値と最小値は時間とともに減衰する。変動する磁場は、MRIシステムのコンポーネントの誘導磁化につながる。図9Aにおける実線は、結果として得られる勾配ヒステリシス（すなわち、誘導磁化）を時間の関数として表わす。誘導磁化は、撮像領域においてそれ自身の磁場を生成し、それが勾配コイルによって生成される磁場と重ね合わされて、ヒステリシス効果を生じる。ヒステリシス効果が示されている図9Bは、ヒステリシス勾配磁場（すなわち、誘導磁化によって生成された勾配磁場）を、減衰する振動パルス・シーケンスの過程にわたって勾配コイルによって生成される勾配磁場強度の関数としてプロットしている。図9Bにおけるヒステリシス効果のプロットからわかるように、ヒステリシス効果の大きさは、MRIシステムの勾配コイルによって生成される磁場の強度、および勾配コイルによって生成される磁場が増加しているか減少しているかに依存する。

MRIシステムのようなシステムにおけるヒステリシス効果は、たとえば、材料の磁気特性を特徴付けるために重み付け関数を使用するプライザハ（Preisach）モデルを用いて測定され、モデル化されうる。プライザハ・モデルおよび重み付け関数決定のの詳細は、参照によりここにその全体において組み込まれる非特許文献１に記載されている。プライザハ・モデルをMRIシステムに適用する場合、MRIシステム全体としての磁気特性が特徴付けられ、ヨーク、電子回路、筐体、またはMRIシステムの近傍にある他の任意の強磁性体の特徴付けを含みうる。
"Difficult in identification of Preisach hysteresis model weighting function using first order reversal curves method in soft magnetic materials"、Applied Mathematics and Computation Vol.319, pp.469-485（15 February 2018）、http://dx.doi.org/10.1016/j.amc.2017.05.017

プライザハ・モデルは、「ヒステロン（hysteron）」として知られる長方形のヒステリシス・ループを有する理想的な双極子のモデルを用いて、MRIシステムのヒステリシス効果をモデル化する。図10Aは、いくつかの実施形態により、ヒステロンを示している。ヒステロンは、ヒステリシス・ループ2300を特徴付ける3つのパラメータ、すなわち、下の磁場強度値1001（Hd）、上の磁場強度値1003（Hu）、および双極子モーメント値（ms）をもち、msは、ヒステリシス・ループ1000の上の磁化値1005および下の磁化値1007を定義する。外部磁場が増加し、上の磁場強度値1003より大きくなると、双極子磁気モーメントは、上の磁化値1005に切り替わる。同様に、外部磁場が減少し、下の磁場強度値1001より小さくなると、双極子磁気モーメントは、下の磁化値1007に切り替わる。外部磁場強度が、下の磁場強度値1001と上の磁場強度値1003との間にある場合は、双極子磁気モーメントの状態は、前の状態に依存する。

プライザハ・モデルは、ヒステロンの2次元アレイにおいて配列された複数のヒステロンを使用する。ここで、アレイの特定の行における各ヒステロンは同じ上の磁場強度値1003を有し、アレイの特定の列における各ヒステロンは同じ下の磁場強度値1001を有する。図10Bは、5つの行および5つの列を含む簡略化されたプライザハ・モデル1050の概略図を示す。いくつかの実施形態で使用されるプライザハ・モデルは、任意の数の行および列を有しうることが理解されるべきである。たとえば、いくつかの実施形態は、数十、数百または数千の行および列を含んでいてもよい。図10Bに示されるように、第1列におけるヒステロンはすべて、同じ下の磁場強度値1001を有する。第2列におけるヒステロンも、互いに同じ下の磁場強度値1001を有するが、第1列よりも高い下の磁場強度値1001である。同様に、プライザハ・モデル1050の右の、より高い番号の列に進むにつれて、下の磁場強度値1001が増加する。同様に、第1行におけるヒステロンはすべて、同じ上の磁場強度値1003をもつ。第2行におけるヒステロンも、互いに同じ上の磁場強度値1003を有するが、第1行よりも小さい上の磁場強度値1003である。同様に、プライザハ・モデル1050を下の、より高い番号の行に進むにつれて、上の磁場強度値1003が減少する。

プライザハ・モデル1050は、形状が三角形の二次元アレイである。モデルの右下部分にはヒステロンはない。上の磁場強度値1003は下の磁場強度値1001よりも大きくなければならないため、そのようなヒステロンは、物理的に実現不可能なヒステリシス・ループに対応するからである。三角形の形状の底辺に沿う対角線に沿ったヒステロンは、下の磁場強度値1001が上の磁場強度値1003に等しいヒステロンに対応する。

プライザハ・モデル1050を使うと、MRIシステムの磁化は、次の式を使って決定されうる：

ここで、H(t)はたとえば勾配コイルから外部印加される磁場の強さであり、

は、外部磁場H(t)に作用するヒステリシス演算子であり、H_uおよびH_dの値およびH(t)の変化の方向（たとえば、外部磁場が増大しつつあるか減少しつつあるか）に依存して値＋m_sまたは－m_sを与える。重み付け関数w(H_u,H_d)は、MRIシステムの基本磁気モーメントの値を指定し、いくつかの実施形態によれば、MRIシステムのヒステリシスの測定を行なうことによって決定される。よって、MRIシステムのプライザハ・モデルは、外部印加される磁場の現在の値と印加磁場の履歴（たとえば、プライザハ・モデルの前の状態によって表わされる）とに基づく、任意の所与の時点での状態を有する。よって、外部印加される磁場が変化するにつれ、プライザハ・モデルの状態も変化する。

プライザハ・モデルのダイナミクスは、図11Aおよび11Cに示されるように、時間依存の外部磁場を用いて示されてもよい。それらの図は、線形に変化するが、高い値と低い値との間で振動する磁場を示しており、該高い値と低い値の絶対値は時間とともに減少する。図11Aにおけるアスタリスクは、しばらく前にオンにされた後の、現在大きさが増加しつつある外部磁場の現在の値を示す。図11Bは、この特定の時点におけるプライザハ・モデルの状態を示している。上向きに分極したヒステロンは黒丸として示され、白丸は下向きの分極をもつヒステロンを表わす。瞬間的な外部磁場強度は、図11Bでは水平線1101によって示されている。時間が進むにつれて、水平線1101は、ヒステロンのアレイの下から上へ移動する。水平線1101の現在レベルより下にあるヒステロンは、上向き分極配位にある。水平線1101の現在レベルより上のヒステロンは、プライザハ・モデルの前の状態と比較して変化しないままである。

図11Cにおけるアスタリスクは、しばらく前にスイッチングされ、しばらく前にオンにされた後の、現在大きさが減少しつつある外部磁場の現在の値を示す。図11Dは、この特定の時点におけるプライザハ・モデルの状態を示している。図11Bの場合と同様に、上向きに分極したヒステロンは黒丸として示され、白丸は下向きの分極をもつヒステロンを表わす。瞬間的な外部磁場強度は、図11Dでは垂直線1103によって示されている。時間が進むにつれて、垂直線1103は、ヒステロンのアレイの右側から左側へ移動する。垂直線1103の現在レベルの右にあるすべてヒステロンは、下向き分極配位にある。垂直線1103の現在レベルの左にあるヒステロンは、プライザハ・モデルの前の状態と比較して変化しないままである。

プライザハ・モデルの上記の記述は、モデルの状態、および（たとえば、勾配コイルから）印加される外部磁場が増加および／または減少するにつれて状態がどのように変化するかを説明する。図12は、H_d-H_u平面内の離散的な位置のそれぞれがそれぞれの四角1201によって表わされるプライザハ・モデル1200の別の図を示す。それぞれの四角は、MRIシステムの勾配コイルを制御するために使用される補正されたパルス・シーケンスを生じるようにターゲット・パルス・シーケンスを調整するために使用される重みに関連付けられる。いくつかの実施形態では、勾配パルス・シーケンスにおけるパルスの振幅は、プライザハ・モデルの状態に基づいて変更される。たとえば、特定のヒステロンが下向き分極にあると判別された場合、勾配パルス・シーケンスのパルスの振幅に対して調整は行われなくてもよい。だが、同じヒステロンが上向きの分極状態にあると判別された場合は、そのパルスの振幅に重みが加えられる。このように、特定のヒステロンに基づいてパルスの振幅を変化させるのは、そのヒステロンの状態が2つの状態のいずれかにある場合にのみである。あるいはまた、重みは、特定のヒステロンが下向き分極にあると判別された場合に、重みが勾配コイル・シーケンスにおけるパルスの振幅から減算され、同じヒステロンが上向き分極状態にあると判別された場合には、重みがパルスの振幅に加算されるように決定されてもよい。このように、ヒステロンの両方の状態について、特定のヒステロンに基づいてパルスの振幅を変化させるが、変化は反対方向である。

プライザハ・モデル1200のそれぞれの四角1201に関連付けられる重みは、患者を撮像する前に較正ステージで行なわれたヒステリシス効果の測定に基づいて決定されてもよい。MRIシステムの誘導磁化を測定するために、複数要素プローブがMRIシステムの撮像領域内に配置される。それにより誘起される勾配磁場が測定されうるように、複数要素プローブの各受信要素は、撮像領域内の異なる位置に配置される。次いで、MRIシステムのさまざまな電磁石は、複数のパルスを含むパルス・シーケンスを使って、たとえば図7のコントローラ701によって制御され、動的な磁場が生成され、それが、印加された磁場のヒステリシス効果を決定するために磁場プローブによって測定される。

図13Aは、いくつかの実施形態による、複数要素磁場プローブを示す。複数要素磁場プローブ1300は、複数のRF受信要素1301a～h、筐体1302、RF送信コイル1303、複数の電気コネクタ1305、制御電子回路1307、ベース支持体1309、締結具1311、および複数の液体サンプル1321を含む。複数要素磁場プローブ1300は、特定の数のコンポーネントおよびコンポーネントの配置を有するように図示されているが、図示されたプローブは単に一例であり、コンポーネントの他の配置が使用されてもよいことが理解されるべきである。筐体1302の直径が、複数要素磁場プローブ1300のサイズを決定してもよく、該プローブは直径が約12cmであってもよい。サイズは、大きなSNRを有するのに十分大きいが、磁場の不均一性が低減されるように十分小さいように選択される。

複数要素磁場プローブ1300は、複数要素磁場プローブ1300が、B₀磁石、勾配コイル、およびシム・コイルによって生成されるさまざまな磁場を経験するよう、MRIシステム内に位置される。RF送信コイル1303は、液体サンプル1321の分子に歳差運動を引き起こすRFパルスを生成するように制御される。受信要素1301は、それぞれの液体サンプル1321からの結果として生じるMRI信号を測定し、該信号を制御電子回路1307に送信する。

図13Bは、いくつかの実施形態による、図13AからのRF受信要素1301のうちの1つを示す。いくつかの実施形態では、RF受信要素1301のそれぞれは、対応する液体サンプル1321のまわりに巻き付けられたコイルを含んでいてもよい。コイル1323は、金属（たとえば、銅）のような任意の好適な導体から形成された伝導性ワイヤであってもよい。いくつかの実施形態では、コイル1323は、液体サンプル1321がソレノイド内にあるように、多層リッツ（Litz）・ソレノイドを含んでいてもよい。たとえば、2層リッツ・ソレノイドが使用されてもよい。RF受信要素1301のそれぞれは、RF受信要素1301を制御電子回路1307に電気的に接続するツイストペア・リッツ・ケーブル1325をも含んでいてもよい。液体サンプル1321およびコイル1323はさらに、エポキシのシェル1322内に埋め込まれていてもよい。

いくつかの実施形態では、RF受信要素1301は、筐体1302内に配置される。RF受信要素1301は、互いに等間隔にされてもよい。たとえば、各RF受信要素1301の位置は、仮想の立方体のコーナーに対応してもよい。いくつかの実施形態では、RF受信要素1301は、仮想の立方体のコーナーが、該立方体が内接する仮想の球と交差するところに配置されてもよい。仮想の球は、たとえば、約12cmの直径を有してもよい。

いくつかの実施形態では、液体サンプル1321は、水および／または鉱油を含んでいてもよい。液体サンプル1321は、液体を所定の位置にセットするための寒天をも含んでいてもよい。代替的または追加的に、液体サンプル1321は、液体サンプルの緩和時間を減少させるために硫酸銅を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、液体サンプル1321およびRF受信要素は、非強磁性材料から作製された支持部材1304を使用して、所定の位置に保持されてもよい。液体サンプル1321は、本願を通じて液体であるとして記載されるが、いくつかの実施形態では、液体サンプル1321はゲル・サンプルであってもよいことが理解されるべきである。

いくつかの実施形態では、RF送信コイル1303は、筐体1302の外側または内側に巻かれる伝導性ワイヤを含む。RF送信コイル1303は、RF受信要素1301を囲む複数の円形ループを含んでいてもよい。図13に示される磁場プローブ1300では、RF送信コイル1303は、6つの円形ループを含む。RF送信コイル1303は、より多くのループまたはより少数のループを含んでいてもよいことが理解されるべきである。

いくつかの実施形態では、筐体1302は、MRIシステムの撮像領域内の表面に配置されるように構成されたベース1309によって支持される。ベース1309は、MRIシステムのアイソセンターに磁場プローブ1300を位置決めするように構成された締結具1311を含んでいてもよい。たとえば、締結具1311は、MRIシステム内に位置する対応する形の締結具に嵌合する、ベース1309中に切られた特定の形状であってもよい。締結具1311がMRIシステムの締結具と係合すると、MRIシステムのオペレーターは、磁場プローブ1300がMRIシステムのアイソセンターに位置することを確信することができる。

例示的な磁場プローブ1300のさらなる図が、図13C～13Gに示される。支持部材1304は、これらの図面において、より明瞭に示される。いくつかの実施形態では、支持部材1304は、複数のRF受信要素1301を受け入れるための開口を含む。

磁場プローブ1300は、ひとたびMRIシステム内に配置されると、MRIシステムの撮像領域内の磁場を測定するために使用されてもよい。次いで、MRIシステム内の磁場の測定値は、図12のプライザハ・モデル1200の重みを決定するために使用されてもよい。図14は、いくつかの実施形態による、少なくとも1つの勾配コイルを含むMRIシステムにおけるヒステリシスを測定するための方法1400のフローチャートである。

工程1402では、方法1400は、第1のパルス・シーケンスを使用して少なくとも1つの勾配コイルを制御することを含む。上記で論じたように、コントローラ106は、勾配コイル128によって生成される磁場を制御するためにパルス・シーケンスを使用することができる。第1のパルス・シーケンスは、MRIシステム100内の異なる電磁石に関連する複数のパルス・シーケンスを含んでいてもよい。たとえば、第1のパルス・シーケンスは、B₀磁石122、シム・コイル124、RF送信および受信コイル126、および勾配コイル128を制御するための一つまたは複数のパルスを含んでいてもよい。第1のパルス・シーケンスは、MRIシステムにおけるヒステリシス効果を測定するために特に設計されたパルス・シーケンスであってもよい。

図15Aは、いくつかの実施形態による、MRIシステムのヒステリシス効果を測定するために使用される例示的な第1のパルス・シーケンスの一部1500を示す。図示された部分1500は、2つの異なるRF送信パルス間で経過する時間である単一の繰り返し時間（TR）のためのパルス・シーケンスである。パルス・シーケンスの部分1500は、RF送信パルス1501と、読み取りウィンドウ1503と、勾配クラッシュ・パルス1505とを含む。読み取りウィンドウ1503は、RFパルス1501と勾配クラッシュ・パルス1505との間にある。しかしながら、実施形態は、第1のパルス・シーケンスの一部として追加的なパルスを含んでいてもよい。たとえば、部分1500は、複数回繰り返されてもよい。いくつかの実施形態では、勾配クラッシュ・パルス1505は、各反復工程後に振幅が変化してもよい。第1のパルス・シーケンスを指定するために使用される一つまたは複数のパラメータが、電磁石を制御するためのコントローラによってメモリ内でアクセスされてもよい。該パラメータは、パルスのタイミング、パルスの中心周波数、パルスの位相、および／またはパルスの振幅を含んでいてもよい。

図15Bは、いくつかの実施形態による、例示的な勾配クラッシュ振幅シーケンス1550を示す。勾配クラッシュ振幅シーケンスは、パルス・シーケンスの部分1500のそれぞれのその後の反復工程についての勾配クラッシュ・パルス1505の振幅を与える。図15Bは勾配クラッシュ・パルスの振幅のみを示しているが、すべての勾配クラッシュ・パルスは、RF送信パルス1501および読み取りウィンドウ1503が付随していることに留意されたい。

いくつかの実施形態では、x勾配コイル、y勾配コイル、およびz勾配コイルが使用される場合、勾配クラッシュ振幅シーケンス1550の3つの独立した部分がある。たとえば、まず、x勾配クラッシュ・パルスのみが使用され、続いてy勾配クラッシュ・パルス、続いて最後にz勾配クラッシュ・パルスとなる。実施形態によっては順序は異なる可能性があるが、クラッシュ・パルスは、各勾配コイルについての勾配パルス・シーケンス全体が完了するまで、一度に1つの勾配コイルを制御するために使用されるだけであり、その後、パルス・シーケンスは、次の勾配コイルに続くことが理解されるべきである。図15Bに示される例では、まずx勾配コイルが、振幅が変化するパルスのシーケンス1511によって制御され、このシーケンスは、振幅が無視できるほどになるまで減衰する最大振幅と最小振幅との間で振動する。x勾配パルス・シーケンスが完了した後、y勾配パルス・シーケンスが、振幅が変化するパルスのシーケンス1513で始まり、このシーケンスは、振幅が無視できるほどになるまで減衰する最大振幅と最小振幅との間で振動する。最後に、y勾配パルス・シーケンスが完了した後、z勾配パルス・シーケンス1515が、振幅が変化するパルスのシーケンスで始まり、このシーケンスは、振幅が無視できるほどになるまで減衰する最大振幅と最小振幅との間で振動する。このように、図15Bに示されるように、勾配クラッシュ・パルスの振幅が単調に増加する各勾配パルス・シーケンスの部分と、勾配クラッシュ・パルスの振幅が単調に減少する部分とがある。

図14に戻ると、方法1400は、MRIシステムの撮像領域内の第1の複数の磁場強度を、複数要素RFプローブを用いて測定することを含む工程1604において継続する。いくつかの実施形態では、工程1604は、工程1604と同時に実行されてもよい。たとえば、各RF送信パルス1501は、その間に磁場強度の測定が行なわれる読み取りウィンドウ1503が付随する。よって、測定は、パルス・シーケンスを使用して勾配コイルを制御している間に行なわれる。しかしながら、いくつかの実施形態では、磁場強度の測定が実行されている間は、RF送信コイルおよび勾配コイルの両方が「オン」ではない。このようにして、勾配コイルによって生成される磁場の存在なしに、誘導磁場が測定される。

磁場強度を測定した後、コンピュータ・ハードウェア・プロセッサを使用して、磁場プローブ中の各要素からの位相を抽出し、該位相を線形空間項（たとえば、x、y、z勾配項）および一定磁場項（たとえば、B₀項）に分離する。図16は、MRIシステムの各軸についての抽出された位相のそれぞれの別個の部分についてのヒステリシス効果を示している。一番上の行のプロットは、x勾配コイルが上述の勾配パルス・シーケンスによって制御されるときの測定されたヒステリシス効果に対応し；中央の行のプロットは、y勾配コイルが上述の勾配パルス・シーケンスによって制御されるときの測定されたヒステリシス効果に対応し；一番下の行のプロットは、x勾配コイルが上述の勾配パルス・シーケンスによって制御されるときの測定されたヒステリシス効果に対応する。第1列におけるプロットは、各軸についての定数B₀項を表わし；第2列のプロットは、x軸に沿った線形項を表わし；第3列のプロットは、y軸に沿った線形項を表わし；第4列のプロットは、z軸に沿った線形項を表わす。見て取れるように、線形項については、有意なヒステリシス効果は、使用される勾配コイルに対応する軸に沿ってのみ存在する。たとえば、x勾配コイルを駆動することから生じるヒステリシスに対応する最上行では、線形項における有意なヒステリシスはx軸に沿ってのみ見出される。同様に、y勾配コイルを駆動することから生じるヒステリシスに対応する中央の行においては、線形項における有意なヒステリシスは、y軸に沿ってのみ見出される。同様に、z勾配コイルを駆動することから生じるヒステリシスに対応する最下行では、線形項における有意なヒステリシスは、z軸に沿ってのみ見出される。

図16に示されるデータから、線形項におけるヒステリシス効果は、勾配コイルに関連する方向ついて補正される必要があるだけであることがわかる。換言すれば、特定の方向についてのターゲット勾配パルス・シーケンスの振幅を調整してその特定の方向についての補正された勾配パルス・シーケンスを決定するとき、コントローラは、その特定の方向についてのターゲット勾配パルス・シーケンスを考慮に入れ、補正された勾配パルス・シーケンスを、他の方向についてのターゲット勾配パルス・シーケンスに基づかせない。よって、いくつかの実施形態では、3つの方向のそれぞれについて、別個の独立したヒステリシス・モデル（たとえば、プライザハ・モデル）がある。

やはり図16のプロットから見て取れるように、定数B₀項は、y軸に沿ったヒステリシスのみを示す。これは、このデータのために使用された例示的なMRIシステムでは、B₀磁場がy軸に沿って向き付けられているためである。よって、y勾配コイルはy軸に沿って磁化を誘起するので、誘導磁化は線形y項だけでなく定数B₀項にも影響する。x勾配コイルおよびz勾配コイルは、B₀項においてヒステリシス効果を生じない。しかしながら、他のMRIシステムではB₀磁場が異なる方向に向いていることがあり、その場合、他の方向が定数B₀項においてヒステリシスを経験しうることが理解されるべきである。

工程1406では、方法1400は、測定された第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定することを含む。工程1406は、工程1402および工程1404の後に実行される。図17Aは、図17Bの勾配クラッシュ・パルス振幅の関数としてのヒステリシスおよび図17Cの時間の関数としてヒステリシスの測定されたパワー測定値を逐次反復的にフィッティングする結果として得られるプライザハ・モデルの重みの例を示す。プライザハ・モデルの重みは、重みを初期値に初期化することによって逐次反復的に決定される。勾配クラッシュ・パルス振幅が増加するにつれて、プライザハ・モデルの諸列は、たとえば測定された磁場強度と初期化された重みとの間の単純な差をとることによって設定される。次いで、勾配クラッシュ・パルス振幅が減少するにつれ、プライザハ・モデルの諸行は、たとえば測定された磁場強度と初期化された重みとの間の単純な差をとることによって、同様の仕方で設定される。プライザハ・モデルを通じた初期ループの後、重みは今や、初期化された値と異なるように更新された。重みをさらに更新するために、第2のループについて同じプロセスが再度実行されてもよい。このプロセスは、プライザハ・モデルの重みが閾値量変化しなくなるまで逐次反復されうる。あるいはまた、重みを推定するアルゴリズムは、設定された数のループを実行することができる。

上述したように、x、y、およびz方向のそれぞれについてプライザハ・モデルがあってもよい。よって、同じ逐次反復的フィッティング手順が、3方向のそれぞれについて実行されてもよい。

工程1408では、方法1400は、ヒステリシス・モデルのパラメータをメモリに記憶することを含む。パラメータには、x方向に関連するプライザハ・モデルの重み、y方向に関連するプライザハ・モデルの重み、およびz方向に関連するプライザハ・モデルの重みを含みうる。いくつかの実施形態では、それぞれの重みに関連する下の磁場強度値および上の磁場強度値（たとえば、図10A～10Bのヒステロンを参照）が、重みとともにメモリに格納されてもよい。

ヒステリシス効果を測定し、ヒステリシス・モデルのパラメータをメモリに記憶した後、ヒステリシス・モデルは、MRIシステムの誘導磁化から生じる誤差を低減するよう、ターゲット・パルス・シーケンスから補正されたパルス・シーケンスを決定するために使用されてもよい。図18は、MRIシステムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための方法1800のフローチャートである。

工程1802では、方法1800は、少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを受領することを含む。いくつかの実施形態では、ターゲット・パルス・シーケンスは、パルス・シーケンス・リポジトリ108または任意の他の好適な記憶装置からコントローラ106によって受領されうる。ターゲット・パルス・シーケンスは、MRIシステムのさまざまな電磁石を制御するための複数のパルスを含んでいてもよい。それはたとえば、RF送信および受信コイル126および／または勾配コイル128を制御するためのパルスを含んでいてもよい。よって、ターゲット・パルス・シーケンスは、x勾配コイルのみを制御するためのパルス・シーケンスであるx勾配パルス・シーケンス、y勾配コイルのみを制御するためのパルス・シーケンスであるy勾配パルス・シーケンス、z勾配コイルのみを制御するためのパルス・シーケンスであるz勾配パルス・シーケンス、RF送信コイルを制御するためのパルス・シーケンスであるRF送信パルス・シーケンス、およびRF受信コイルを制御するためのパルス・シーケンスであるRF受信パルス・シーケンスのようないくつかのサブシーケンスを含んでいてもよい。

工程1804では、方法1800は、少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされるMRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定することを含む。いくつかの実施形態では、ヒステリシス・モデルは、勾配パルス・シーケンスの履歴に基づく「状態」を有し、補正されたパルス・シーケンスは、その状態に基づく。たとえば、ヒステリシス・モデルは、上述のように、一つまたは複数のプライザハ・モデルを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、ヒステリシス・モデルは、複数の異なるパラメータを含み、その少なくともサブセットは、複数要素プローブを用いて得られた以前に得られたヒステリシス測定値から決定される。

いくつかの実施形態では、補正されたパルス・シーケンスの決定は、パルス・シーケンスの開始時に始まり、複数のパルスを通じて逐次反復される。たとえば、勾配パルス・シーケンスは、複数のターゲット勾配パルスを含んでいてもよい。各ターゲット勾配パルスの振幅は、補正された勾配パルス・シーケンスを決定するために調整されてもよい。任意の所与の勾配パルスに対する調整は、勾配パルス・シーケンス内の前の勾配パルスの振幅に少なくとも基づいていてもよい。

パルス・シーケンスのすべてのパルスを通じて逐次反復した後、プロセスは、少なくとももう1回、パルス・シーケンス全体について逐次反復されてもよい。前の反復工程の結果は、それぞれのその後の反復工程のための入力として使用される。たとえば、アルゴリズムは、最初、ターゲット・パルス・シーケンスを入力として使用して実行されてもよい。最初の反復工程の結果は、第1の補正されたパルス・シーケンスである。次いで、第1の補正されたパルス・シーケンスは、第2の反復工程の出発点として使用されてもよい。第2の反復工程では、第1の補正されたパルス・シーケンスとヒステリシス・モデルとを用いて第2の補正されたパルス・シーケンスが決定される。実施形態が逐次反復的でいえるのは、第1の反復工程においてパルス・シーケンス中の特定のパルスの振幅に対してなされた補正が、第1の反復工程において調整できなかった仕方で、パルス・シーケンス中の前のパルスの振幅に影響を与える可能性があるためである。よって、少なくとも第2の反復工程は、より正確な補正されたパルス・シーケンスの決定を助けることができる。任意の回数の反復工程が使用されうる。しかしながら、ヒステリシスによる補正は比較的小さいので、いくつかの実施形態は、2つの反復工程のみを含む。

いくつかの実施形態では、補正されたパルス・シーケンスの決定は、勾配パルス・シーケンスの一つまたは複数の勾配パルスの振幅に対して、プライザハ・モデルからの一つまたは複数の重みを加算することを含んでいてもよい。ターゲット勾配パルス・シーケンスの各パルスの振幅に対してどの重みが加算されるかは、上記のように、プライザハ・モデルの状態に依存する。

いくつかの実施例では、補正されたパルス・シーケンスの決定は、RF送信パルスの中心周波数または位相、および／またはRF受信パルスの中心周波数または位相を調整することを含んでいてもよい。これは、上述のように、ある勾配コイルによって生じるヒステリシスが、B₀磁場の強度に影響を及ぼす可能性があるためである。B₀磁場の強度が変化すると、患者内の原子の歳差周波数が変化する。よって、RF送信パルスおよび／またはRF送信パルスの中心周波数および／または位相は、B₀磁場の変化に起因する変化した歳差周波数にマッチするように調整される。

工程1806では、方法1800は、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するよう、補正されたパルス・シーケンスを使用して、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することを含む。

図19A～Bは、本開示に記載されるヒステリシス効果を補正することから得られるSNRの改善を示す。図19Aは、補正されたパルス・シーケンスを使用することによってヒステリシス効果を補正しない撮像から得られた患者のMRI画像である。図19Bは、補正されたパルス・シーケンスを使用することによってヒステリシス効果を補正する撮像から得られた、同じ患者のMRI画像である。SNRの15%の増加が観察され、結果として、臨床診断のために使用されうる、より良好なMRI画像が得られる。

こうして本開示において記載される技術のいくつかの側面および実施形態を記載してきたが、当業者にはさまざまな変更、修正および改善が容易に思いつくであろうことは理解しておくものとする。そのような変更、修正および改善は本稿に記載される技術の精神および範囲内であることが意図されている。たとえば、当業者は、本稿に記載される機能を実行するためおよび／または本稿に記載される結果および／または利点の一つまたは複数を得るための多様な他の手段および／または構造を容易に構想するであろう。そのような変形および／または修正の一つ一つが本稿に記載される実施形態の範囲内であると見なされる。当業者は、本稿に記載される個別的な実施形態の多くの等価物を認識する、あるいは高々日常的な試行を使って見きわめることができるであろう。したがって、上記の実施形態は単に例として呈示されており、付属の請求項およびその等価物の範囲内で、発明的な実施形態が具体的に記述されている以外の仕方で実施されてもよいことは理解しておくものとする。加えて、本稿に記載される二つ以上の特徴、システム、物品、材料、キットおよび／または方法の任意の組み合わせが、かかる特徴、システム、物品、材料、キットおよび／または方法が互いに整合しないものでない限り、本開示の範囲内に含まれる。

上記の実施形態は数多くの仕方のうち任意のもので実装されることができる。プロセスまたは方法の実行に関わる本開示の一つまたは複数の側面および実施形態は、プロセスまたは方法を実行するまたはその実行を制御するために装置（たとえばコンピュータ、プロセッサまたは他の装置）によって実行可能なプログラム命令を利用してもよい。これに関し、さまざまな発明概念が、一つまたは複数のコンピュータまたは他のプロセッサ上で実行されたときに上記のさまざまな実施形態の一つまたは複数を実装する方法を実行する一つまたは複数のプログラムをエンコードされた、コンピュータ可読記憶媒体（または複数のコンピュータ可読記憶媒体）（たとえば、コンピュータ・メモリ、一つまたは複数のフロッピーディスク、コンパクトディスク、光ディスク、磁気テープ、フラッシュメモリ、フィールドプログラマブルゲートアレイもしくは他の半導体デバイスまたは他の有体なコンピュータ記憶媒体）として具現されてもよい。コンピュータ可読媒体またはメディアは可搬であってもよく、それに記憶されたプログラム（単数または複数）が一つまたは複数の異なるコンピュータまたは他のプロセッサにロードされて上記の諸側面のさまざまなものを実装することができる。いくつかの実施形態では、コンピュータ可読媒体は非一時的な媒体であってもよい。

用語「プログラム」または「ソフトウェア」は本稿では、一般的な意味で、上記のさまざまな側面を実装するようコンピュータまたは他のプロセッサをプログラムするために用いることのできる任意の型のコンピュータ・コードまたはコンピュータ実行可能命令の組を指す。さらに、ある側面によれば、実行されたときに本開示の方法を実行する一つまたは複数のコンピュータ・プログラムが単一のコンピュータまたはプロセッサ上に存在する必要がなく、本開示のさまざまな側面を実装するいくつかの異なるコンピュータまたはプロセッサの間にモジュール式に分散されていてもよいことも理解しておくべきである。

コンピュータ実行可能命令は、一つまたは複数のコンピュータまたは他のデバイスによって実行される、プログラム・モジュールのような多くの形であることができる。一般に、プログラム・モジュールは、特定のタスクを実行するまたは特定の抽象的データ型を実装するルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造などを含む。典型的には、プログラム・モジュールの機能は、さまざまな実施形態において所望に応じて組み合わされたり分散されたりしてもよい。

また、データ構造は任意の好適な形でコンピュータ可読媒体に記憶されてもよい。例示の簡単のため、データ構造は、該データ構造中の位置を通じて関係付けられるフィールドを有するよう示されることがある。そのような関係は、同様に、フィールド間の関係を伝達するコンピュータ可読媒体内の位置をもつフィールドのための記憶を割り当てることによって達成されてもよい。しかしながら、データ構造のフィールド中の情報間の関係を確立するためには、ポインタ、タグまたはデータ要素間の関係を確立する他の機構の使用を通じることを含め、いかなる好適な機構が使用されてもよい。

本発明の上述の実施形態は、多数の方法のいずれかで実装できる。たとえば、実施形態は、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせを用いて実装されうる。ソフトウェアで実装されるとき、ソフトウェア・コードは、単一コンピュータにおいて提供されようと複数のコンピュータの間に分散されようと、いかなる好適なプロセッサまたはプロセッサの集合で実行されることもできる。上述の機能を実行する任意のコンポーネントまたはコンポーネントの集まりは、上述の機能を制御するコントローラとして概括的に考えられる。コントローラは、専用ハードウェアを用いて、または上述の機能を実行するためのマイクロコードまたはソフトウェアを用いてプログラムされた汎用ハードウェア（たとえば、一つまたは複数のプロセッサ）を用いてなど、多くの仕方で実装でき、コントローラがシステムの複数のコンポーネントに対応する場合には、複数の仕方の組み合わせで実装されてもよい。

さらに、コンピュータは、限定しない例としてのラックマウント型コンピュータ、デスクトップ型コンピュータ、ラップトップ型コンピュータ、またはタブレット型コンピュータのようないくつかの形態のいずれかで、具現されうることが理解されるべきである。さらに、コンピュータは、携帯情報端末（PDA: Personal Digital Assistant）、スマートフォンまたは他の任意の好適なポータブルもしくは固定の電子装置を含む、一般にはコンピュータとは見なされていないが好適な処理機能をもつ装置において具現されてもよい。

また、コンピュータは一つまたは複数の入力および出力装置を有していてもよい。これらの装置は、中でも、ユーザー・インターフェースを呈示するために使用されることができる。ユーザー・インターフェースを提供するために使用されることのできる出力装置の例は、出力の視覚的な呈示のためのプリンターまたはディスプレイ画面または出力の可聴呈示のためのスピーカーまたは他のサウンド生成装置を含む。ユーザー・インターフェースのために使用できる入力装置の例は、キーボードおよびマウス、タッチパッドおよびデジタイズ用タブレットのようなポインティングデバイスを含む。もう一つの例として、コンピュータは音声認識を通じて、または他の可聴フォーマットで、入力情報を受領してもよい。

そのようなコンピュータは、企業ネットワークおよび知的なネットワーク（IN: intelligent network）またはインターネットのような、ローカル・エリア・ネットワークまたは広域ネットワークを含む任意の好適な形で一つまたは複数のネットワークによって相互接続されてもよい。そのようなネットワークはいかなる好適な技術に基づいていてもよく、いかなる好適なプロトコルに従って動作してもよく、無線ネットワーク、有線ネットワークまたは光ファイバー・ネットワークを含んでいてもよい。

また、記載されるように、いくつかの側面は一つまたは複数の方法として具現されてもよい。該方法の一部として実行される工程は、任意の好適な仕方で順序付けられてもよい。よって、例示的な実施形態において逐次的な工程として示されていたとしても、いくつかの工程を同時に実行することを含め、例示したのとは異なる順序で工程が実行される実施形態も構築されうる。

本稿で定義され、使用されるあらゆる定義は、辞書の定義、参照によって組み込まれた文書における定義および／または定義されている用語の通常の意味より優先して支配すると理解されるべきである。

本願で明細書および請求項において使われる単数形の表現は、そうでないことが明確に示されるのでない限り、「少なくとも一つ」を意味すると理解されるべきである。

本願で明細書および請求項において使用される句「および／または」は、結ばれている要素の「いずれかまたは両方」、すなわち、場合によっては両方ともが存在する要素を、場合によっては一方のみが存在する要素を意味すると理解されるべきである。「および／または」をもって挙げられる複数の要素も同じように、すなわち、そのように結ばれている要素の「一つまたは複数」として解釈されるべきである。「および／または」節によって具体的に特定される要素以外の他の要素が、具体的に特定されたそのような要素に関係したものであろうと関係していないものであろうと、任意的に存在してもよい。よって、限定しない例として、「Aおよび／またはB」への言及は、「含む／有する」といった開放型の言辞と一緒に使われるとき、ある実施形態ではAのみ（任意的にはB以外の要素を含む）を；別の実施形態ではBのみ（任意的にはA以外の要素を含む）を；さらに別の実施形態ではAおよびBの両方（任意的には他の要素を含む）などを指すことができる。

本願で明細書および請求項において使用されるところでは、一つまたは複数の要素のリストに言及しての「少なくとも一つの」という句は、該要素リストの要素の任意の一つまたは複数から選択される少なくとも一つの要素を意味するが、必ずしも該要素リスト内に個々に挙げられている一つ一つの要素の少なくとも一つを含むとは限らず、要素リスト内の要素のいかなる組み合わせも排除しないと理解すべきである。この定義は、個々に特定されている要素に関係したものであろうと関係していないものであろうと、「少なくとも一つ」という句が指す要素リスト内で個々に特定されている要素以外の要素が任意的に存在してもよいことをも許容する。よって、限定しない例として、「AおよびBの少なくとも一つ」（または等価だが「AまたはBの少なくとも一つ」または等価だが「Aおよび／またはBの少なくとも一つ」）は、ある実施形態では、Bなしで少なくとも一つ、任意的には二つ以上のA（そして任意的にはB以外の要素を含む）を；別の実施形態では、Aなしで少なくとも一つ、任意的には二つ以上のB（そして任意的にはA以外の要素を含む）を；さらに別の実施形態では、少なくとも一つ、任意的には二つ以上のAおよび少なくとも一つ、任意的には二つ以上のB（そして任意的には他の要素を含む）などを指すことができる。

また、本稿で使われる表現や用語は説明のためであって、限定するものと見なすべきではない。本稿における「含む」「有する」または「もつ」「包含する」「関わる」およびそれらの変形の使用は、列挙された項目およびその等価物ならびに追加的な項目を包含することを意図している。

請求項および上記の明細書において、「有する」「含む」「担持する」「もつ」「包含する」「関わる」「保持する」「構成される」などといったあらゆる移行句はオープンなものと理解される。すなわち、含むがそれに限定されないことを意味する。「…からなる」および「本質的には…からなる」という移行句のみが、それぞれクローズドまたは半クローズドの移行句である。

Claims

磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための装置であって、当該装置は：
少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサと；
前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体とを有しており、前記方法は：
少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；
前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；
前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するよう前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを含む、
装置。
前記補正されたパルス・シーケンスが補正された勾配パルス・シーケンスを含み、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することは、前記MRIシステムの撮像領域の少なくとも一部に形成される勾配磁場の強度が、前記ターゲット・パルス・シーケンスが達成するように設計されているターゲット磁場強度と実質的に等しくなるように、前記少なくとも1つの勾配コイルを前記補正された勾配パルス・シーケンスで駆動することを含む、請求項１に記載の装置。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ヒステリシス・モデルの現在の状態にさらに基づく、請求項１または２に記載の装置。
前記ヒステリシス・モデルは、複数の重みと、それぞれの複数の下の磁場強度値と、それぞれの複数の上の磁場強度値とを含み、前記複数の重みのそれぞれは、前記複数の下の磁場強度値のそれぞれのものおよび前記上の磁場強度値のそれぞれのものと関連付けられる、請求項１ないし３のうちいずれか一項に記載の装置。
前記ヒステリシス・モデルがプライザハ・モデルを含む、請求項１ないし４のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数の重みのそれぞれは、複数要素プローブを用いて得られた少なくとも1つの以前に得られたヒステリシス測定値を用いて決定される、請求項１ないし５のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムは強磁性ヨークを含み、前記ヒステリシス・モデルは、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって少なくとも前記強磁性ヨークに誘起されるヒステリシスの効果を表わす、請求項１ないし６のうちいずれか一項に記載の装置。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記補正されたパルス・シーケンスを逐次反復的に決定することを含む、請求項１ないし７のうちいずれか一項に記載の装置。
前記補正されたパルス・シーケンスを逐次反復的に決定することが：
前記ターゲット・パルス・シーケンスおよび前記ヒステリシス・モデルに基づいて初期の補正されたパルス・シーケンスを決定し；
前記初期の補正されたパルス・シーケンスおよび前記ヒステリシス・モデルに基づいて最終的な補正されたパルス・シーケンスを決定することを含み、
前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することは、前記MRIシステムの撮像領域の少なくとも一部に形成される勾配磁場の強度がターゲット磁場強度値と実質的に等しくなるように、前記少なくとも1つの勾配コイルを、前記最終的なパルス・シーケンスの最終的な勾配パルス・シーケンスで駆動することを含む、
請求項１ないし８のうちいずれか一項に記載の装置。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ターゲット・パルス・シーケンスのターゲット勾配パルス・シーケンス内のパルスの振幅を調整することを含む、請求項１ないし９のうちいずれか一項に記載の装置。
前記ターゲット・パルス・シーケンスが複数のターゲット勾配パルスを含むターゲット勾配パルス・シーケンスを含み、
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、補正された勾配パルス・シーケンスの複数の補正された勾配パルスについての複数の補正されたパルス振幅を決定することを含み；
第1の補正された勾配パルスの第1の補正されたパルス振幅を決定することは、前記補正された勾配パルス・シーケンスにおいて前記第1の補正された勾配パルスよりも早く生起する第2の補正された勾配パルスの第2の補正されたパルス振幅に少なくとも基づく、
請求項１ないし１０のうちいずれか一項に記載の装置。
前記補正された勾配パルス・シーケンスを決定することは、前記補正された勾配パルス・シーケンスの開始勾配パルスから前記補正された勾配パルス・シーケンスの最終勾配パルスまで逐次反復することによって、前記補正されたパルス・シーケンスのすべてのパルスの振幅を決定することを含み、前記補正された勾配パルス・シーケンスのある特定の補正された勾配パルスの振幅は、前記補正された勾配パルス・シーケンスの少なくとも1つの以前の補正された勾配パルスに基づく、請求項１ないし１１のうちいずれか一項に記載の装置。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、RF送信コイルを制御するために使用される補正された送信高周波（RF）パルス・シーケンスおよび／またはRF受信コイルを制御するために使用される補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することを含む、請求項１ないし１２のうちいずれか一項に記載の装置。
補正された送信RFパルス・シーケンスを決定することは、前記補正された送信RFパルス・シーケンスの送信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含み；
補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することは、前記補正された受信RFパルス・シーケンスの受信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含む、
請求項１ないし１３のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムをさらに含む、請求項１ないし１４のうちいずれか一項に記載の装置。
前記少なくとも1つの勾配コイルをさらに含む、請求項１ないし１５のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムが強磁性ヨークを有する、請求項１ないし１６のうちいずれか一項に記載の装置。
前記強磁性ヨークは：
強磁性材料を含む第1のプレートと；
強磁性材料を含む第2のプレートと；
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートに結合された強磁性材料を含むフレームとを含む、
請求項１ないし１７のうちいずれか一項に記載の装置。
前記フレームは複数の支持体を含み、前記複数の支持体のそれぞれは、強磁性材料を含み、隣接する支持体からギャップによって離間されている、請求項１ないし１８のうちいずれか一項に記載の装置。
前記フレームは、前記第1のプレートに結合された強磁性材料を含む第1のアーム部分と、前記第2のプレートに結合された強磁性材料を含む第2のアーム部分とを含み、前記複数の支持体は、前記第1のアーム部分と前記第2のアーム部分との間に結合される、請求項１ないし１９のうちいずれか一項に記載の装置。
前記ギャップは、空気ギャップである、請求項１ないし２０のうちいずれか一項に記載の装置。
前記フレームは実質的にC字形である、請求項１ないし２１のうちいずれか一項に記載の装置。
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートは実質的に円形である、請求項１ないし２２のうちいずれか一項に記載の装置。
前記強磁性ヨークは、低炭素鋼、コバルト鋼（CoFe）および／またはシリコン鋼でできた少なくとも1つの部分を含む、請求項１ないし２３のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムが低磁場MRIシステムである、請求項１ないし２４のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約0.2T以下である、請求項１ないし２５のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約0.1T以下かつ約50mT以上である、請求項１ないし２６のうちいずれか一項に記載の装置。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約20mT以下かつ約10mT以上である、請求項１ないし２７のうちいずれか一項に記載の装置。
磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御する方法であって、当該方法は、少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサにより：
少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；
前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；
前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するよう前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを実行することを含む、
方法。
前記補正されたパルス・シーケンスが補正された勾配パルス・シーケンスを含み、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することは、前記MRIシステムの撮像領域の少なくとも一部に形成される勾配磁場の強度が、前記ターゲット・パルス・シーケンスが達成するように設計されているターゲット磁場強度と実質的に等しくなるように、前記少なくとも1つの勾配コイルを前記補正された勾配パルス・シーケンスで駆動することを含む、請求項１ないし２９のうちいずれか一項に記載の方法。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ヒステリシス・モデルの現在の状態にさらに基づく、請求項１ないし３０のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ヒステリシス・モデルは、複数の重みと、それぞれの複数の下の磁場強度値と、それぞれの複数の上の磁場強度値とを含み、前記複数の重みのそれぞれは、前記複数の下の磁場強度値のそれぞれのものおよび前記上の磁場強度値のそれぞれのものと関連付けられる、請求項１ないし３１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ヒステリシス・モデルがプライザハ・モデルを含む、請求項１ないし３２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数の重みのそれぞれは、複数要素プローブを用いて得られた少なくとも1つの以前に得られたヒステリシス測定値を用いて決定される、請求項１ないし３３のうちいずれか一項に記載の方法。
前記MRIシステムは強磁性ヨークを含み、前記ヒステリシス・モデルは、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって少なくとも前記強磁性ヨークに誘起されるヒステリシスの効果を表わす、請求項１ないし３４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記補正されたパルス・シーケンスを逐次反復的に決定することを含む、請求項１ないし３５のうちいずれか一項に記載の方法。
前記補正されたパルス・シーケンスを逐次反復的に決定することが：
前記ターゲット・パルス・シーケンスおよび前記ヒステリシス・モデルに基づいて初期の補正されたパルス・シーケンスを決定し；
前記初期の補正されたパルス・シーケンスおよび前記ヒステリシス・モデルに基づいて最終的な補正されたパルス・シーケンスを決定することを含み、
前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することは、前記MRIシステムの撮像領域の少なくとも一部に形成される勾配磁場の強度がターゲット磁場強度値と実質的に等しくなるように、前記少なくとも1つの勾配コイルを、前記最終的なパルス・シーケンスの最終的な勾配パルス・シーケンスで駆動することを含む、
請求項１ないし３６のうちいずれか一項に記載の方法。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ターゲット・パルス・シーケンスのターゲット勾配パルス・シーケンス内のパルスの振幅を調整することを含む、請求項１ないし３７のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ターゲット・パルス・シーケンスが複数のターゲット勾配パルスを含むターゲット勾配パルス・シーケンスを含み、
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、補正された勾配パルス・シーケンスの複数の補正された勾配パルスについての複数の補正されたパルス振幅を決定することを含み；
第1の補正された勾配パルスの第1の補正されたパルス振幅を決定することは、前記補正された勾配パルス・シーケンスにおいて前記第1の補正された勾配パルスよりも早く生起する第2の補正された勾配パルスの第2の補正されたパルス振幅に少なくとも基づく、
請求項１ないし３８のうちいずれか一項に記載の方法。
前記補正された勾配パルス・シーケンスを決定することは、前記補正された勾配パルス・シーケンスの開始勾配パルスから前記補正された勾配パルス・シーケンスの最終勾配パルスまで逐次反復することによって、前記補正されたパルス・シーケンスのすべてのパルスの振幅を決定することを含み、前記補正された勾配パルス・シーケンスのある特定の補正された勾配パルスの振幅は、前記補正された勾配パルス・シーケンスの少なくとも1つの以前の補正された勾配パルスに基づく、請求項１ないし３９のうちいずれか一項に記載の方法。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、RF送信コイルを制御するために使用される補正された送信高周波（RF）パルス・シーケンスおよび／またはRF受信コイルを制御するために使用される補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することを含む、請求項１ないし４０のうちいずれか一項に記載の方法。
補正された送信RFパルス・シーケンスを決定することは、前記補正された送信RFパルス・シーケンスの送信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含み；
補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することは、前記補正された受信RFパルス・シーケンスの受信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含む、
請求項１ないし４１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記MRIシステムが強磁性ヨークを有する、請求項１ないし４２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記強磁性ヨークは：
強磁性材料を含む第1のプレートと；
強磁性材料を含む第2のプレートと；
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートに結合された強磁性材料を含むフレームとを含む、
請求項１ないし４３のうちいずれか一項に記載の方法。
前記フレームは複数の支持体を含み、前記複数の支持体のそれぞれは、強磁性材料を含み、隣接する支持体からギャップによって離間されている、請求項１ないし４４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記フレームは、前記第1のプレートに結合された強磁性材料を含む第1のアーム部分と、前記第2のプレートに結合された強磁性材料を含む第2のアーム部分とを含み、前記複数の支持体は、前記第1のアーム部分と前記第2のアーム部分との間に結合される、請求項１ないし４５のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ギャップは、空気ギャップである、請求項１ないし４６のうちいずれか一項に記載の方法。
前記フレームは実質的にC字形である、請求項１ないし４７のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートは実質的に円形である、請求項１ないし４４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記強磁性ヨークは、低炭素鋼、コバルト鋼（CoFe）および／またはシリコン鋼でできた少なくとも1つの部分を含む、請求項１ないし４９のうちいずれか一項に記載の方法。
前記MRIシステムが低磁場MRIシステムである、請求項１ないし５０のうちいずれか一項に記載の方法。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約0.2T以下である、請求項１ないし５１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約0.1T以下かつ約50mT以上である、請求項１ないし５２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約20mT以下かつ約10mT以上である、請求項１ないし５３のうちいずれか一項に記載の方法。
少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに、磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御する方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体とを有しており、前記方法は：
少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスを指定する情報を受領する段階と；
前記少なくとも1つのターゲット・パルス・シーケンスと、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって引き起こされる前記MRIシステムにおける誘導磁化のヒステリシス・モデルとに基づいて、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御するための補正されたパルス・シーケンスを決定する段階と；
前記補正されたパルス・シーケンスを使用して、患者を撮像するために一つまたは複数の勾配パルスを生成するよう前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階とを含む、
少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正されたパルス・シーケンスが補正された勾配パルス・シーケンスを含み、前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することは、前記MRIシステムの撮像領域の少なくとも一部に形成される勾配磁場の強度が、前記ターゲット・パルス・シーケンスが達成するように設計されているターゲット磁場強度と実質的に等しくなるように、前記少なくとも1つの勾配コイルを前記補正された勾配パルス・シーケンスで駆動することを含む、請求項１に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ヒステリシス・モデルの現在の状態にさらに基づく、請求項１ないし５６のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記ヒステリシス・モデルは、複数の重みと、それぞれの複数の下の磁場強度値と、それぞれの複数の上の磁場強度値とを含み、前記複数の重みのそれぞれは、前記複数の下の磁場強度値のそれぞれのものおよび前記上の磁場強度値のそれぞれのものと関連付けられる、請求項１ないし５７のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記ヒステリシス・モデルがプライザハ・モデルを含む、請求項１ないし５８のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数の重みのそれぞれは、複数要素プローブを用いて得られた少なくとも1つの以前に得られたヒステリシス測定値を用いて決定される、請求項１ないし５９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記MRIシステムは強磁性ヨークを含み、前記ヒステリシス・モデルは、前記少なくとも1つの勾配コイルの動作によって少なくとも前記強磁性ヨークに誘起されるヒステリシスの効果を表わす、請求項１ないし６０のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記補正されたパルス・シーケンスを逐次反復的に決定することを含む、請求項１ないし６１のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正されたパルス・シーケンスを逐次反復的に決定することが：
前記ターゲット・パルス・シーケンスおよび前記ヒステリシス・モデルに基づいて初期の補正されたパルス・シーケンスを決定し；
前記初期の補正されたパルス・シーケンスおよび前記ヒステリシス・モデルに基づいて最終的な補正されたパルス・シーケンスを決定することを含み、
前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することは、前記MRIシステムの撮像領域の少なくとも一部に形成される勾配磁場の強度がターゲット磁場強度値と実質的に等しくなるように、前記少なくとも1つの勾配コイルを、前記最終的なパルス・シーケンスの最終的な勾配パルス・シーケンスで駆動することを含む、
請求項１ないし６２のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、前記ターゲット・パルス・シーケンスのターゲット勾配パルス・シーケンス内のパルスの振幅を調整することを含む、請求項１ないし６３のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記ターゲット・パルス・シーケンスが複数のターゲット勾配パルスを含むターゲット勾配パルス・シーケンスを含み、
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、補正された勾配パルス・シーケンスの複数の補正された勾配パルスについての複数の補正されたパルス振幅を決定することを含み；
第1の補正された勾配パルスの第1の補正されたパルス振幅を決定することは、前記補正された勾配パルス・シーケンスにおいて前記第1の補正された勾配パルスよりも早く生起する第2の補正された勾配パルスの第2の補正されたパルス振幅に少なくとも基づく、
請求項１ないし６４のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正された勾配パルス・シーケンスを決定することは、前記補正された勾配パルス・シーケンスの開始勾配パルスから前記補正された勾配パルス・シーケンスの最終勾配パルスまで逐次反復することによって、前記補正されたパルス・シーケンスのすべてのパルスの振幅を決定することを含み、前記補正された勾配パルス・シーケンスのある特定の補正された勾配パルスの振幅は、前記補正された勾配パルス・シーケンスの少なくとも1つの以前の補正された勾配パルスに基づく、請求項１ないし６５のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記補正されたパルス・シーケンスを決定することは、RF送信コイルを制御するために使用される補正された送信高周波（RF）パルス・シーケンスおよび／またはRF受信コイルを制御するために使用される補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することを含む、請求項１ないし６６のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
補正された送信RFパルス・シーケンスを決定することは、前記補正された送信RFパルス・シーケンスの送信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含み；
補正された受信RFパルス・シーケンスを決定することは、前記補正された受信RFパルス・シーケンスの受信RFパルスの中心周波数または位相を調整することを含む、
請求項１ないし６７のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記MRIシステムが強磁性ヨークを有する、請求項１ないし６８のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記強磁性ヨークは：
強磁性材料を含む第1のプレートと；
強磁性材料を含む第2のプレートと；
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートに結合された強磁性材料を含むフレームとを含む、
請求項１ないし６９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記フレームは複数の支持体を含み、前記複数の支持体のそれぞれは、強磁性材料を含み、隣接する支持体からギャップによって離間されている、請求項１ないし７０のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記フレームは、前記第1のプレートに結合された強磁性材料を含む第1のアーム部分と、前記第2のプレートに結合された強磁性材料を含む第2のアーム部分とを含み、前記複数の支持体は、前記第1のアーム部分と前記第2のアーム部分との間に結合される、請求項１ないし７１のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記ギャップは、空気ギャップである、請求項１ないし７２のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記フレームは実質的にC字形である、請求項１ないし７３のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートは実質的に円形である、請求項１ないし６９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記強磁性ヨークは、低炭素鋼、コバルト鋼（CoFe）および／またはシリコン鋼でできた少なくとも1つの部分を含む、請求項１ないし７５のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記MRIシステムが低磁場MRIシステムである、請求項１ないし７６のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約0.2T以下である、請求項１ないし７７のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約0.1T以下かつ約50mT以上である、請求項１ないし７８のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記MRIシステムのB₀磁場強度は、約20mT以下かつ約10mT以上である、請求項１ないし７９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
少なくとも1つの勾配コイルを有する磁気共鳴撮像（MRI）システムにおけるヒステリシスを測定する方法であって、当該方法は：
第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記MRIシステムの撮像領域に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、段階と；
測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とを含む、
方法。
前記第1のパルス・シーケンスを指定する少なくとも1つのパラメータ値にアクセスする段階をさらに含む、請求項１ないし８１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数の磁場強度を測定することが、前記第1の複数の磁場強度の測定中に前記少なくとも1つの勾配コイルが磁場を生成しないように、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御した後に実行される、請求項１ないし８２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が減少する、請求項１ないし８３のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が増加する、請求項１ないし８４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶することは、前記第1の複数の磁場強度に基づく複数の重みと、複数の下の磁場強度値と、複数の上の磁場強度値とを記憶することを含み、前記複数の重みのそれぞれの重みは、前記複数の下の磁場強度値のうちの1つおよび前記複数の上の磁場強度値のうちの1つと関連付けられる、請求項１ないし８５のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ヒステリシス・モデルの前記重みを推定することが、前記第1の磁場強度とターゲット磁場強度との差に基づいて前記複数の重みの各重みを推定することを含む、請求項１ないし８６のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数の磁場強度を測定した後に、さらに：
第2の複数のパルスを含む第2のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記複数要素プローブを用いて、前記撮像領域における第2の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第2の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的に、前記第2のパルス・シーケンスの前記第2の複数のパルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記第2の磁場強度に基づいて前記複数の重みを更新する段階とを含む、
請求項１ないし８７のうちいずれか一項に記載の方法。
複数のパルスを含む後続のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを逐次反復的に制御する段階であって、第1の反復工程は、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することを含む、段階と；
前記複数要素プローブを用いて、後続の複数の磁場強度を逐次反復的に測定する段階であって、前記後続の複数の磁場強度のそれぞれは、前記後続のパルス・シーケンスにおける前記複数のパルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記後続の複数の磁場強度に基づいて前記複数の重みを逐次反復的に更新する段階とをさらに含む、
請求項１ないし８８のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれの前に、RF駆動パルスを用いて前記MRIシステムの高周波（RF）コイルを制御する段階をさらに含む、請求項１ないし８９のうちいずれか一項に記載の方法。
各RF駆動パルスおよび前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数の駆動パルスのそれぞれの後に、読み取りウィンドウを含むことをさらに含む、請求項１ないし９０のうちいずれか一項に記載の方法。
前記少なくとも1つの勾配コイルが、x勾配コイル、y勾配コイル、およびz勾配コイルを含む、請求項１ないし９１のうちいずれか一項に記載の方法。
第1のパルス・シーケンスが、x勾配駆動パルスのサブシーケンス、y勾配駆動パルスのサブシーケンス、およびz勾配駆動パルスのサブシーケンスを含む、請求項１ないし９２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数要素RFプローブを前記MRIシステムのアイソセンターに配置する段階をさらに含む、請求項１ないし９３のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数要素RFプローブは、複数のRF受信要素を備える、請求項１ないし９４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数のRF受信要素のそれぞれがコイルを含む、請求項１ないし９５のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数要素RFプローブは、複数の液体サンプルを含み、前記複数の液体サンプルのそれぞれは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる、請求項１ないし９６のうちいずれか一項に記載の方法。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが寒天を含む、請求項１ないし９７のうちいずれか一項に記載の方法。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが硫酸銅を含む、請求項１ないし９８のうちいずれか一項に記載の方法。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが鉱油を含む、請求項１ないし９９のうちいずれか一項に記載の方法。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つがゲル・サンプルである、請求項１ないし１００のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数のRF受信要素の各コイルは、2層のリッツ・ソレノイドを含む、請求項１ないし１０１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数要素プローブは、RF送信コイルを含む、請求項１ないし１０２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記RF送信コイルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれよりも大きい円筒状コイルである、請求項１ないし１０３のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数のRF受信要素は、前記RF送信コイル内に配置される、請求項１ないし１０４のうちいずれか一項に記載の方法。
少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに、少なくとも1つの勾配コイルを含む磁気共鳴撮像（MRI）システムにおけるヒステリシスを測定する方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、前記方法は、
第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記MRIシステムの撮像領域に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、段階と；
測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とを含む、
少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記方法が、前記第1のパルス・シーケンスを指定する少なくとも1つのパラメータ値にアクセスする段階をさらに含む、請求項１ないし１０６のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記第1の複数の磁場強度を測定することが、前記第1の複数の磁場強度の測定中に前記少なくとも1つの勾配コイルが磁場を生成しないように、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御した後に実行される、請求項１ないし１０７のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が減少する、請求項１ないし１０８のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が増加する、請求項１ないし１０９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶することは、前記第1の複数の磁場強度に基づく複数の重みと、複数の下の磁場強度値と、複数の上の磁場強度値とを記憶することを含み、前記複数の重みのそれぞれの重みは、前記複数の下の磁場強度値のうちの1つおよび前記複数の上の磁場強度値のうちの1つと関連付けられる、請求項１ないし１１０のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記ヒステリシス・モデルの前記重みを推定することが、前記第1の磁場強度とターゲット磁場強度との差に基づいて前記複数の重みの各重みを推定することを含む、請求項１ないし１１１のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記方法が、前記第1の複数の磁場強度を測定した後に、さらに：
第2の複数のパルスを含む第2のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記複数要素プローブを用いて、前記撮像領域における第2の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第2の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的に、前記第2のパルス・シーケンスの前記第2の複数のパルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記第2の磁場強度に基づいて前記複数の重みを更新する段階とを含む、
請求項１ないし１１２のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記方法がさらに：
複数のパルスを含む後続のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを逐次反復的に制御する段階であって、第1の反復工程は、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することを含む、段階と；
前記複数要素プローブを用いて、後続の複数の磁場強度を逐次反復的に測定する段階であって、前記後続の複数の磁場強度のそれぞれは、前記後続のパルス・シーケンスにおける前記複数のパルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記後続の複数の磁場強度に基づいて前記複数の重みを逐次反復的に更新する段階とをさらに含む、
請求項１ないし１１３のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記方法が、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれの前に、RF駆動パルスを用いて前記MRIシステムの高周波（RF）コイルを制御する段階をさらに含む、請求項１ないし１１４のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記方法が、各RF駆動パルスおよび前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数の駆動パルスのそれぞれの後に、読み取りウィンドウを含むことをさらに含む、請求項１ないし１１５のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記少なくとも1つの勾配コイルが、x勾配コイル、y勾配コイル、およびz勾配コイルを含む、請求項１ないし１１６のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
第1のパルス・シーケンスが、x勾配駆動パルスのサブシーケンス、y勾配駆動パルスのサブシーケンス、およびz勾配駆動パルスのサブシーケンスを含む、請求項１ないし１１７のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数要素RFプローブを前記MRIシステムのアイソセンターに配置する段階をさらに含む、請求項１ないし１１８のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数要素RFプローブは、複数のRF受信要素を備える、請求項１ないし１１９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数のRF受信要素のそれぞれがコイルを含む、請求項１ないし１２０のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数要素RFプローブは、複数の液体サンプルを含み、前記複数の液体サンプルのそれぞれは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる、請求項１ないし１２１のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが寒天を含む、請求項１ないし１２２のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが硫酸銅を含む、請求項１ないし１２３のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが鉱油を含む、請求項１ないし１２４のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つがゲル・サンプルである、請求項１ないし１２５のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数のRF受信要素の各コイルは、2層のリッツ・ソレノイドを含む、請求項１ないし１２０のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数要素プローブは、RF送信コイルを含む、請求項１ないし１２７のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記RF送信コイルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれよりも大きい円筒状コイルである、請求項１ないし１２８のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
前記複数のRF受信要素は、前記RF送信コイル内に配置される、請求項１ないし１２９のうちいずれか一項に記載の少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
磁気共鳴撮像（MRI）システムの少なくとも1つの勾配コイルを制御するための装置であって、当該装置は：
少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサと；
前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサによって実行されると、前記少なくとも1つのコンピュータ・ハードウェア・プロセッサに方法を実行させるプロセッサ実行可能命令を記憶している少なくとも1つのコンピュータ読み取り可能記憶媒体とを有しており、前記方法は：
第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記MRIシステムの撮像領域に配置された複数要素RFプローブを使用して、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、段階と；
測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とを含む、
装置。
前記方法が、前記第1のパルス・シーケンスを指定する少なくとも1つのパラメータ値にアクセスする段階をさらに含む、請求項１ないし１３１のうちいずれか一項に記載の装置。
前記第1の複数の磁場強度を測定することが、前記第1の複数の磁場強度の測定中に前記少なくとも1つの勾配コイルが磁場を生成しないように、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御した後に実行される、請求項１ないし１３２のうちいずれか一項に記載の装置。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が減少する、請求項１ないし１３３のうちいずれか一項に記載の装置。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が増加する、請求項１ないし１３４のうちいずれか一項に記載の装置。
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶することは、前記第1の複数の磁場強度に基づく複数の重みと、複数の下の磁場強度値と、複数の上の磁場強度値とを記憶することを含み、前記複数の重みのそれぞれの重みは、前記複数の下の磁場強度値のうちの1つおよび前記複数の上の磁場強度値のうちの1つと関連付けられる、請求項１ないし１３５のうちいずれか一項に記載の装置。
前記ヒステリシス・モデルの前記重みを推定することが、前記第1の磁場強度とターゲット磁場強度との差に基づいて前記複数の重みの各重みを推定することを含む、請求項１ないし１３６のうちいずれか一項に記載の装置。
前記方法が、前記第1の複数の磁場強度を測定した後に、さらに：
第2の複数のパルスを含む第2のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記複数要素プローブを用いて、前記撮像領域における第2の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第2の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的に、前記第2のパルス・シーケンスの前記第2の複数のパルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記第2の磁場強度に基づいて前記複数の重みを更新する段階とを含む、
請求項１ないし１３７のうちいずれか一項に記載の装置。
前記方法がさらに：
複数のパルスを含む後続のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを逐次反復的に制御する段階であって、第1の反復工程は、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することを含む、段階と；
前記複数要素プローブを用いて、後続の複数の磁場強度を逐次反復的に測定する段階であって、前記後続の複数の磁場強度のそれぞれは、前記後続のパルス・シーケンスにおける前記複数のパルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記後続の複数の磁場強度に基づいて前記複数の重みを逐次反復的に更新する段階とをさらに含む、
請求項１ないし１３８のうちいずれか一項に記載の装置。
前記方法が、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれの前に、RF駆動パルスを用いて前記MRIシステムの高周波（RF）コイルを制御する段階をさらに含む、請求項１ないし１１４のうちいずれか一項に記載の装置。
前記方法が、各RF駆動パルスおよび前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数の駆動パルスのそれぞれの後に、読み取りウィンドウを含むことをさらに含む、請求項１ないし１４０のうちいずれか一項に記載の装置。
前記少なくとも1つの勾配コイルが、x勾配コイル、y勾配コイル、およびz勾配コイルを含む、請求項１ないし１４１のうちいずれか一項に記載の装置。
第1のパルス・シーケンスが、x勾配駆動パルスのサブシーケンス、y勾配駆動パルスのサブシーケンス、およびz勾配駆動パルスのサブシーケンスを含む、請求項１ないし１４２のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数要素RFプローブを前記MRIシステムのアイソセンターに配置する段階をさらに含む、請求項１ないし１４３のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数要素RFプローブは、複数のRF受信要素を備える、請求項１ないし１４４のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数のRF受信要素のそれぞれがコイルを含む、請求項１ないし１４５のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数要素RFプローブは、複数の液体サンプルを含み、前記複数の液体サンプルのそれぞれは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる、請求項１ないし１４６のうちいずれか一項に記載の装置。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが寒天を含む、請求項１ないし１４７のうちいずれか一項に記載の装置。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが硫酸銅を含む、請求項１ないし１４８のうちいずれか一項に記載の装置。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つが鉱油を含む、請求項１ないし１４９のうちいずれか一項に記載の装置。
前記液体サンプルのうち少なくとも1つがゲル・サンプルである、請求項１ないし１５０のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数のRF受信要素の各コイルは、2層のリッツ・ソレノイドを含む、請求項１ないし１５１のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数要素プローブは、RF送信コイルを含む、請求項１ないし１５２のうちいずれか一項に記載の装置。
前記RF送信コイルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれよりも大きい円筒状コイルである、請求項１ないし１５３のうちいずれか一項に記載の装置。
前記複数のRF受信要素は、前記RF送信コイル内に配置される、請求項１ないし１５４のうちいずれか一項に記載の装置。
磁気共鳴撮像（MRI）システムにおけるヒステリシスを測定するための複数要素プローブであって、当該複数要素プローブは：
RF送信コイルと；
複数のRF受信要素と；
複数の液体サンプルとを含み、各液体サンプルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる、
複数要素プローブ。
前記複数のRF受信要素のそれぞれはコイルを含む、請求項１５６に記載の複数要素プローブ。
前記液体サンプルのうちの少なくとも1つが寒天を含む、請求項１ないし１５７のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記液体サンプルのうちの少なくとも1つが硫酸銅を含む、請求項１ないし１５８のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
それぞれのRF受信要素および前記液体サンプルのうちの少なくとも1つは、エポキシ中に配置される、請求項１ないし１５９のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記複数のRF受信要素の各コイルは、2層のリッツ・ソレノイドを含む、請求項１ないし１６０のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記RF送信コイルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれよりも大きい円筒形コイルである、請求項１ないし１６１のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記複数のRF受信要素のそれぞれは、リッツ・ツイストペア・ケーブルに電気的に接続されている、請求項１ないし１６２のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記複数のRF受信要素は、前記RF送信コイル内に配置される、請求項１ないし１６３のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
筐体をさらに備え、前記複数のRF受信要素および前記RF送信コイルは、前記筐体内に含まれる、請求項１ないし１６４のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記筐体は、前記複数要素プローブを前記MRIシステムにマウントするように構成された締結具を備える、請求項１ないし１６５のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記締結具は、前記MRIシステムのアイソセンターに前記複数要素プローブをマウントするように構成されている、請求項１ないし１６６のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記筐体は実質的に円筒形である、請求項１ないし１６７のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
前記RF送信コイルは内部容積を画定し、前記RF受信要素は、前記内部容積内に配置される、請求項１ないし１６８のうちいずれか一項に記載の複数要素プローブ。
少なくとも1つの電磁石を有する磁気共鳴撮像（MRI）システムにおけるヒステリシスを測定する方法であって、当該方法は：
複数要素プローブを使って前記MRIシステムの撮像領域における磁場を測定することを含み、前記複数要素プローブは：
RF送信コイルと；
複数のRF受信要素と；
複数の液体サンプルとを含み、各液体サンプルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれのコイル内に含まれる、
方法。
前記複数のRF受信要素のそれぞれはコイルを含む、請求項１７０に記載の方法。
前記液体サンプルのうちの少なくとも1つが寒天を含む、請求項１ないし１７１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記液体サンプルのうちの少なくとも1つが硫酸銅を含む、請求項１ないし１７２のうちいずれか一項に記載の方法。
それぞれのRF受信要素および前記液体サンプルのうちの少なくとも1つは、エポキシ中に配置される、請求項１ないし１７３のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数のRF受信要素の各コイルは、多層のリッツ・ソレノイドを含む、請求項１ないし１７４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記RF送信コイルは、前記複数のRF受信要素のそれぞれよりも大きい円筒形コイルである、請求項１ないし１７５のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数のRF受信要素のそれぞれは、リッツ・ツイストペア・ケーブルに電気的に接続されている、請求項１ないし１７６のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数のRF受信要素は、前記RF送信コイル内に配置される、請求項１ないし１７７のうちいずれか一項に記載の方法。
筐体をさらに備え、前記複数のRF受信要素および前記RF送信コイルは、前記筐体内に含まれる、請求項１ないし１７８のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数要素プローブを前記MRIシステム内に配置することをさらに含む、請求項１ないし１７９のうちいずれか一項に記載の方法。
前記複数要素プローブを前記MRIシステム内に配置することは、締結具を使って前記複数要素プローブを前記MRIシステムのアイソセンターにマウントすることを含む、請求項１ないし１８０のうちいずれか一項に記載の方法。
前記筐体は実質的に円筒形である、請求項１ないし１８１のうちいずれか一項に記載の方法。
前記RF送信コイルは内部容積を画定し、前記RF受信要素は、前記内部容積内に配置される、請求項１ないし１８２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記少なくとも1つの電磁石が少なくとも1つの勾配コイルを有し、当該方法は：
第1の複数のパルスを含む第1のパルス・シーケンスを使用して前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階をさらに含み、
撮像領域における磁場を測定することが、前記MRIシステムの前記撮像領域における第1の複数の磁場強度を測定することを含み、前記第1の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的には、前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれのものから帰結する、
請求項１７０に記載の方法。
測定された前記第1の複数の磁場強度に基づいてヒステリシス・モデルのパラメータを推定する段階と；
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶する段階とをさらに含む、
請求項１８４に記載の方法。
前記第1のパルス・シーケンスを指定する少なくとも1つのパラメータ値にアクセスする段階をさらに含む、請求項１８５に記載の方法。
前記第1の複数の磁場強度を測定することと、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御することが同時に実行される、請求項１８６のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が減少する、請求項１ないし１８７のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数のパルスのうちの少なくとも一部のパルスは、時間の経過とともに振幅が増加する、請求項１ないし１８８のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ヒステリシス・モデルのパラメータを記憶することは、前記第1の複数の磁場強度に基づく複数の重みと、複数の下の磁場強度値と、複数の上の磁場強度値とを記憶することを含み、前記複数の重みのそれぞれの重みは、前記複数の下の磁場強度値のうちの1つおよび前記複数の上の磁場強度値のうちの1つと関連付けられる、請求項１ないし１８９のうちいずれか一項に記載の方法。
前記ヒステリシス・モデルの前記重みを推定することが、前記第1の磁場強度とターゲット磁場強度との差に基づいて前記複数の重みの各重みを推定することを含む、請求項１ないし１９０のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1の複数の磁場強度を測定した後に、さらに：
第2の複数の駆動パルスを含む第2のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを制御する段階と；
前記複数要素プローブを用いて、前記撮像領域における第2の複数の磁場強度を測定する段階であって、前記第2の複数の磁場強度のそれぞれは、少なくとも部分的に、前記第2のパルス・シーケンスの前記第2の複数の駆動パルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記第2の磁場強度に基づいて前記複数の重みを更新する段階とを含む、
請求項１ないし１９１のうちいずれか一項に記載の方法。
複数の駆動パルスを含む後続のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを逐次反復的に駆動する段階であって、第1の反復工程は、前記第1のパルス・シーケンスを用いて前記少なくとも1つの勾配コイルを駆動することを含む、段階と；
前記複数要素プローブを用いて、後続の複数の磁場強度を逐次反復的に測定する段階であって、前記後続の複数の磁場強度のそれぞれは、前記後続のパルス・シーケンスにおける前記複数の駆動パルスのそれぞれから生じる、段階と；
前記後続の複数の磁場強度に基づいて前記複数の重みを逐次反復的に更新する段階とをさらに含む、
請求項１ないし１９２のうちいずれか一項に記載の方法。
前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数のパルスのそれぞれの前に、RF駆動パルスを用いて前記MRIシステムの高周波（RF）コイルを駆動する段階をさらに含む、請求項１ないし１９３のうちいずれか一項に記載の方法。
各RF駆動パルスおよび前記第1のパルス・シーケンスの前記第1の複数の駆動パルスのそれぞれの駆動パルスの後に、読み取りウィンドウを含むことをさらに含む、請求項１ないし１９４のうちいずれか一項に記載の方法。
前記少なくとも1つの勾配コイルが、x勾配コイル、y勾配コイル、およびz勾配コイルを含む、請求項１ないし１９５のうちいずれか一項に記載の方法。
第1のパルス・シーケンスが、x勾配駆動パルスのサブシーケンス、y勾配駆動パルスのサブシーケンス、およびz勾配駆動パルスのサブシーケンスを含む、請求項１ないし１９６のうちいずれか一項に記載の方法。