JP2019508676A - 接地装置のための監視システム - Google Patents
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Abstract
Description
上記の実施形態に加えて、またはこれに代えて、電気センサは、電圧センサを含む。
上記の実施形態に加えて、またはこれに代えて、電気センサは、デバイス内で発生している可能性のある異常状態または閾値状態を捕捉するのに十分な、秒当たりのデータポイント(data points)を提供するサンプリングレート(sampling rate)で電気的パラメータを検出する。
上記の実施形態に加えて、またはこれに代えて、プロセッサは、サンプリング期間の直後のある期間の間、電気的パラメータを表すデータを分析しないようにさらに構成されている。
上記の実施形態に加えて、またはこれに代えて、プロセッサは、各秒当たり0.01秒から各秒当たり0.5秒の範囲のサンプリング期間の間、電気センサからの電気的パラメータを表すデータを分析するように構成され、プロセッサは、各秒当たり0.5秒から各秒当たり0.99秒の範囲の引き続く期間の間、電気センサからの電気的パラメータを表すデータを分析しないように構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはそれに代えて、接地部材は、第1の接地ロープを含む。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、絶縁された接触部材は、接地に電気的に接続されていない第2の接地ロープを含む。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、電圧センサは、各秒の一部のみをサンプリングするように構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリングレートはサンプリング時に約20MHz以上である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、プロセッサは、潜在的な異常状態または閾値状態を識別するために、サンプリング期間中に電流センサからのデータのスナップショットを分析するようにさらに構成されている。
本開示の別の例示的な実施形態は、回転シャフトと、回転シャフトと電気的に接触して配置される接地部材とを有するデバイスのための監視システムである。監視システムは、接地部材を流れる電流を検出するように構成され、第1の時間間隔の間、第1のサンプリングレートでサンプリングするように構成された電流センサを含む。電圧センサは、回転シャフト内の電圧を検出するように構成され、第2の時間間隔の間、第2のサンプリングレートで周期的にサンプリングするように構成され、第2のサンプリングレートは第1のサンプリングレートよりも高く、第1の時間間隔は第2の時間間隔より長く、かつ第2の時間間隔と重複している。プロセッサは、電流センサおよび電圧センサと動作可能に結合され、電流センサおよび電圧センサからデータを受信するように構成されている。プロセッサは、電流センサによって検出された電流を示すデータおよび電圧センサによって検出された電圧を示すデータを分析するように構成されている。メモリは、プロセッサと動作可能に結合され、電流センサからのデータおよび電圧センサからのデータを表す情報を記憶するように構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、電圧センサは、各秒の一部のみをサンプリングするように構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリングレートはサンプリング時に約20MHz以上である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、プロセッサは、潜在的な異常状態または閾値状態を識別するために、サンプリング期間中に電流センサからのデータのスナップショットを分析するようにさらに構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、潜在的な異常状態または閾値状態は、分析のための外部要求によって示される。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第1のサンプリングレートは約100kHz以上である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、各秒の一部は、各秒の約1/10である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリングレートはサンプリング時に約40MHz以上である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリング期間は、第1のサンプリング期間よりも短い。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第1のサンプリング期間は、第2のサンプリング期間と重複する。
本開示の別の例示的な実施形態は、回転シャフトを有するデバイスのためのシャフト監視システムである。シャフト監視システムは、回転シャフトと摺動電気接触するように構成された導電性部材を含む。電気センサは、回転シャフトに関連する電気的パラメータを検出するために、導電性部材と結合されるように構成されている。プロセッサは、電気センサと動作可能に結合され、電気的パラメータを表す電気センサからのデータを受信して分析するように構成されている。プロセッサは、さらに、サンプリングレートおよび回転シャフトの回転速度に関連するサンプリング期間において、電気センサからの電気的パラメータを表すデータを周期的に分析するように構成されている。メモリは、プロセッサと動作可能に結合され、電気センサによって提供されるデータを表すプロセッサによって処理されたデータを記憶するように構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、電気センサは、電圧センサを含む。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、プロセッサは、サンプリング期間の直後のある期間の間であって、サンプリング期間より長い期間の間、電気的パラメータを表すデータを分析しないようにさらに構成されている。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、プロセッサは、第2の電気センサと動作可能に結合され、第2の電気的パラメータを表す第2の電気センサからデータを受信し、分析するようにさらに構成されている。
本開示の別の例示的な実施形態は、デバイス内の回転する導電性シャフト内の漂遊電気を監視する方法である。この方法は、第1のサンプリング期間中に第1のサンプリングレートで第1の電気的パラメータのデータを受信し、第2のサンプリング期間中に第2のサンプリングレートで第2の電気的パラメータのデータを周期的に受信することを含む。第2のサンプリングレートは、第1のサンプリングレートよりも高い。その後、第1の電気的パラメータのデータのスナップショットが分析され、潜在的な異常状態または閾値状態が識別される。潜在的な異常または閾値状態が第1の電気的パラメータのデータ(date)のスナップショットに見られる場合、第2の電気的パラメータのデータのスナップショットが分析される。分析される第2の電気的パラメータのデータのスナップショットは、分析された第1の電気的パラメータのデータのスナップショットと少なくとも部分的に時間的に整列する。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、電流は電流センサによって検出されるか、または電流は測定された電圧に基づいて計算される。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、電圧は電圧センサによって検出されるか、または電圧は測定された電流に基づいて計算される。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、潜在的な異常状態または閾値状態は、分析のための外部要求によって示される。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2の電気的パラメータのデータは、各秒の一部だけ周期的に受信される。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリングレートは、サンプリング時に約20MHz以上である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第1のサンプリング期間は、回転シャフトの完全な1回転以上である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリング期間は、第1のサンプリング期間の約1/10である。
上記いずれかの実施形態に加えて、またはこれに代えて、第2のサンプリング期間は、完全に第1のサンプリング期間内に入る。
本明細書において、すべての数値は、明示的に示されているかを問わず、用語「約」によって修飾されるものと仮定する。用語「約」は、引用された値と同等であると当業者が考える(すなわち、同じ機能あるいは結果を有する)数値範囲を示す。多くの実例において、用語「約」は、最も近い有効数字に丸められる数を含み得る。
本明細書および添付の特許請求の範囲において使用されるように、単数「a」、「an」および「the」は、内容が他の方法で明白に示されない限り、複数の指示物を含む。本明細書および添付の特許請求の範囲において使用されるように、用語「または」は、特に明確な記載がない限り、通常その意味において「および/または」を含んで使用される。
Claims (15)
- 回転シャフトを有するデバイス用のシャフト接地および監視システムであって、前記シャフト接地および監視システムは、
回転シャフトに摺動電気接触するように構成された接地部材であって、接地に接続されるように構成されている接地部材と、
前記接地部材を介して流れる電気の表示を提供する電気的パラメータを検出するように構成された電気センサと、
前記電気センサと動作可能に結合されるプロセッサであって、前記電気的パラメータを表す前記電気センサからのデータを受信して分析するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサは、サンプリング期間であって前記回転シャフトの回転速度に関連しているサンプリング期間の間、電気センサからの前記電気的パラメータを表すデータを周期的に分析するとともに前記サンプリング期間の直後のある期間にわたり電気的パラメータを表すデータを分析しないようにさらに構成されていることと、
前記プロセッサに動作可能に結合されるとともに、前記電気センサによって提供されたデータを表すプロセッサによって処理されたデータを記憶するように構成されたメモリと、
を含む、シャフト接地および監視システム。 - 前記電気センサは、前記デバイス内で発生している可能性のある異常状態または閾値状態を捕捉するのに十分な、秒当たりのデータポイントを提供するサンプリングレートで前記電気的パラメータを検出する、請求項1に記載のシャフト接地および監視システム。
- 前記サンプリング期間は、前記回転シャフトの完全な1回転以上である、請求項1または請求項2のいずれかに記載のシャフト接地および監視システム。
- 前記プロセッサが、前記電気的パラメータを表すデータを分析していない前記サンプリング期間の直後の期間は、前記プロセッサが前記電気的パラメータを表すデータを分析しているサンプリング期間よりも長い、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシャフト接地および監視システム。
- 前記プロセッサは、各秒当たり0.01秒から各秒当たり0.5秒の範囲のサンプリング期間の間、前記電気センサからの前記電気的パラメータを表すデータを分析するように構成され、同プロセッサは、各秒当たり0.5秒から各秒当たり0.99秒の範囲の引き続く期間にわたって、前記電気センサからの前記電気的パラメータを表すデータを分析しないように構成されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシャフト接地および監視システム。
- 前記プロセッサは、各秒当たり0.05秒から各秒当たり0.25秒の範囲のサンプリング期間の間、前記電気センサからの前記電気的パラメータを表すデータを分析するように構成され、同プロセッサは、各秒当たり0.75秒から各秒当たり0.95秒の範囲の引き続く期間にわたって、前記電気センサからの前記電気的パラメータを表すデータを分析しないように構成されている、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のシャフト接地および監視システム。
- 回転シャフトと、前記回転シャフトと電気的に接触して配置される接地部材とを有するデバイスのための監視システムであって、前記監視システムは、
接地部材を流れる電流を検出するように構成され、第1の時間間隔の間、第1のサンプリングレートでサンプリングするように構成されている電流センサと、
回転シャフト内の電圧を検出するように構成され、第2の時間間隔の間、第2のサンプリングレートで周期的にサンプリングするように構成されている電圧センサであって、第2のサンプリングレートは第1のサンプリングレートよりも高く、第1の時間間隔は第2の時間間隔より長く、かつ第2の時間間隔と重複している、電圧センサと、
前記電流センサおよび前記電圧センサと動作可能に結合されているプロセッサであって、前記電流センサによって検出された電流を示すデータおよび前記電圧センサによって検出された電圧を示すデータを受信するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサは前記電流センサからのデータおよび前記電圧センサからのデータを分析するように構成されていることと、
プロセッサと動作可能に結合されているメモリであって、前記電流センサからのデータおよび前記電圧センサからのデータを表す情報を記憶するように構成されているメモリと、
を含む監視システム。 - 前記プロセッサは、潜在的な異常状態または閾値状態を識別するために、サンプリング期間中に前記電流センサからのデータのスナップショットを分析するようにさらに構成されている、請求項7に記載の監視システム。
- 前記プロセッサが、前記電流センサからのデータのスナップショットから潜在的な異常または閾値条件を識別しない場合、前記プロセッサは、前記電流センサからのデータのスナップショットを表す1つまたは複数の値をメモリに記憶するようにさらに構成されている、請求項7に記載の監視システム。
- 前記プロセッサが、前記電流センサからのデータのスナップショットから潜在的な異常または閾値条件を識別する場合、前記プロセッサは、さらに、前記電流センサからのデータのスナップショットを表す1つまたは複数の値をメモリに記憶して、潜在的な異常または閾値条件に関する更なる情報を提供するために前記電圧センサからのデータの時間的に整列されているスナップショットを分析するように構成されている、請求項7に記載の監視システム。
- 回転シャフトを有するデバイス用のシャフト接地および監視システムであって、前記シャフト接地および監視システムは、
前記回転シャフトに摺動接触し、かつ前記回転シャフトと電気的に接触するように構成されている接地部材であって、接地に接続されるように構成されている接地部材と、
前記回転シャフトに摺動接触するように構成され、接地から電気的に絶縁されている絶縁された接触部材と、
請求項7に記載の監視システムと、
を含み、
前記電流センサは、前記接地部材を介して前記回転シャフトから前記接地に流れる電流を検出するために前記接地部材に結合されており、前記電圧センサは、前記シャフト内の電圧を検出するために前記絶縁された接触部材と結合されている、シャフト接地および監視システム。 - 接地装置を含むデバイス内の導電性回転シャフトを監視する方法において、前記方法は、
前記接地装置と動作可能に結合された電流センサから第1のサンプリング期間中に第1のサンプリングレートでデータを受信するステップと、
回転シャフト内の電圧を検出するように構成された電圧センサから第2のサンプリング期間中に第2のサンプリングレートでデータを周期的に受信するステップであって、第2のサンプリングレートは第1のサンプリングレートよりも高い前記ステップと、
潜在的な異常状態または閾値状態を識別するために、前記電流センサからのデータのスナップショットを分析するステップと、
潜在的な異常または閾値状態が前記電流センサからのデータのスナップショットに見られる場合、電圧センサからのデータのスナップショットを分析するステップと、
を含み、
分析される前記電圧センサからのデータのスナップショットは、分析された前記電流センサからのデータのスナップショットと少なくとも部分的に時間的に整列している、方法。 - 前記潜在的な異常状態または閾値状態が前記電流センサからのデータのスナップショットに見られる場合、将来的な分析のために前記電流センサからのデータのスナップショットを記憶するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記潜在的な異常状態または閾値状態が前記電流センサからのデータのスナップショットに見られない場合、前記電流センサからのデータのスナップショットに関する代表的な情報をメモリへ記憶するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1のサンプリング期間は、前記第2のサンプリング期間と少なくとも部分的に時間的に重複している、請求項12乃至14のいずれか一項に記載の方法。
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