JP2019507006A - 双極性アイオノマー膜 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2016年2月3日提出の米国仮出願第62/290692号に従属し、且つその優先権を主張する。
本発明は、アメリカ合衆国エネルギー省により拠出された、契約番号第DE−SC0006457号の下で政府に支援されて行われた。政府はこの発明の特定の権利を有する。
本開示は、電気化学用途において使用するための、例えば電気化学セル内のセパレータとして使用するためのイオン交換膜に関する。
バナジウムのレドックスフロー電池(VRB)は、頑丈で複数のKWhの長寿命のフロー電池であり、エネルギー密度約20Wh/リットルを有し、大量の再生エネルギーを液体の形態で経済的に貯蔵でき、且つ、風力およびソーラーの断続的な再生可能発電所、例えばエネルギー貯蔵装置、またはオフピークの電力生成の貯蔵として有用である。VRBは、荷電されたアノード液とカソード液とを、貯蔵槽から、膜の両側でカーボンフエルトのアノードおよびカソードと接触するイオン透過膜によって分離された電気化学的半電池を通じて、ポンプ輸送することによって機能する。セルは、電子がアノード液から電力負荷を通じてカソード液へと流れることによって放電する一方で、イオン透過膜を通じて流れるイオン、通常はプロトンによって電荷平衡が保持される。
正の半電池 e-+VO2 ++2H+ ←→ VO2++H2O Eo=1.00V
全体 VO2 ++2H++V2+ ←→ VO2++H2O+V3+ 有効(Net)Eo=1.255V
バナジウムイオンは、アノード液(V3+/V2+対)とカソード液(VO2+/VO2 +対)との両方を構成し、そのことにより、電池が大々的に簡素化され且つ寿命が改善され、なぜなら、セパレータがリークしても、リークする種の組成がアノード液とカソード液との両方について同一であるために化学的な相互汚染はなく、荷電状態が変化するだけである。
以下の概要は、本開示の独自の革新的な特徴のいくつかを理解を容易にするために提供され、完全な説明を意図するものではない。本開示の様々な態様の完全な理解は、明細書全体、特許請求の範囲、図面および要約を全体として捉えることによって得られる。
以下の説明は単に典型的な性質のものであり、本発明の範囲、その用途または使用方法を限定することは意図されておらず、もちろん変化することができる。本発明は、本願内に含まれる限定されない定義および用語に関して記載される。それらの定義および用語は、本発明の範囲または実施における限定として機能することを意図されておらず、説明および記述のためだけにのみ示される。方法または組成が個々の段階の順として、または特定の材料を使用して記載される一方で、段階または材料は互換性があり、従ってその記載は、当業者によって容易に理解されるとおり、多くの方式で配置される複数の部分または段階を含み得ることが理解される。
RSO3H+R’NH2 → RSO2NHR’+H2O
(前記式中、Rはスルホン酸ポリマー含有部分であり、且つR’は複素環式アミン部分である)。
RSO3H+R’NH2 → RSO3 - +NH3R’
(前記式中、Rはスルホン酸ポリマー含有部分であり、且つR’は複素環式アミン部分である)。
プロトン抵抗率
プロトン抵抗率を、4探針の、膜の厚み方向に固定の伝導率のセル内で、2Mの硫酸電解質、1.3cm2の電極面積、および白金電極を使用して測定する。ACインピーダンスを、EGG Princeton Applied Research Potentiostat/Galvanostat Model 273Aを用いて、600KHz〜10Hzで走査された10mvの信号を使用して測定する。バルク抵抗は、インピーダンスの複素平面の実インピーダンス軸上の高周波数の半円の低いインピーダンスの交点から導出される。次いで、バルク抵抗が、膜を含有しない試験設備の抵抗から減算され、膜の抵抗が得られる。抵抗率を面積に対して正規化し、面積抵抗としてオームcm2として報告する。
試験膜の片側上で3Mの硫酸中、1.0Mの硫酸バナジル(VO2+イオン)を有し、および他の側上で浸透圧のバランスを取るために3Mの硫酸中、1.0MのMg2SO4を有する、固定された拡散セル内で、バナジウムイオンの輸送を測定する。一定の時間の後、Mg2SO4チャンバー中のバナジウムの濃度を分光学的に測定する。バナジウムイオンのリークを、1cm2あたり、1日あたり(/cm2日)のバナジウムのモル数として報告する。
双極性膜のイオン交換容量(IEC)を酸塩基滴定によって測定する。IECは、フィルム中でアクセス可能なプロトン交換部位の数に関して有用な情報をもたらす。乾燥した双極性膜を飽和NaCl溶液中に2時間/60℃で浸漬し、次いで24時間/30℃で浸漬して、Na+をH+と交換し、放出されたH+を酸塩基滴定して、プロトンのミリ当量(mequiv.)g-1を測定する。IECを、IEC=(H+のミリ当量)/膜の乾燥質量=meq/グラムによって計算する。
膜の多孔度をガーレー(Gurley)の透気度装置によって測定する。ガーレー数が86400秒/10cc 0.20in2を上回る膜を非多孔質とみなす。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムを片側上で、前記フィルムの片側にブチルゴム膜を機械的に付着させることによって、ブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけの上でアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.05%の5−アミノイソキノリン水溶液(Alfa Aesar L01223)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率0.30オームcm2、およびイオン交換容量0.821meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送2.75×10-5モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して4倍遅く、且つプロトン伝導率は同等である。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムを片側上で、前記フィルムの片側にブチルゴム膜を機械的に付着させることによって、ブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけの上でアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.125%の5−アミノイソキノリン水溶液(Alfa Aesar L01223)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率1.0オームcm2、およびイオン交換容量0.749meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送9.2×10-6モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して12倍遅い。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムを片側上で、前記フィルムの片側にブチルゴム膜を機械的に付着させることによって、ブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけの上でアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%の5−アミノイソキノリン水溶液(Alfa Aesar L01223)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率1.3オームcm2、およびイオン交換容量0.67meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送5.7×10-6モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して19倍遅い。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムをブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけをアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%のアデニン水溶液(Aldrich A8626)中に、80℃で2時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率0.34オームcm2、およびイオン交換容量0.869meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送1.7×10-5モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して6倍遅く、且つプロトン伝導率は同等である。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムをブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけをアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%の3−アミノイミダゾ(1,2)ピリジン水溶液(Sigma Aldrich 685755)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率0.30オームcm2、およびイオン交換容量0.702meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送5.9×10-6モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して19倍遅く、且つプロトン伝導率は同等である。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムをブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけをアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%の2−アミノベンズイミダゾール水溶液(Alfa−Aesar L02066)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率14.3オームcm2、およびイオン交換容量0.504meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送3.6×10-7モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して312倍遅い。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムをブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけをアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%の4−アミノピペリジン水溶液(Alfa−Aesar L20127)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率0.21オームcm2、およびイオン交換容量0.0meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送2.3×10-5モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して8倍遅い。
厚さ15μm、孔径0.2μm、ガーレー透気度2.2秒/100cc 0.20in2および乾燥質量9mgを有する、1 5/16インチの直径のポリエステル膜のディスク(Sterlitech Corp.、PET0247100)を、ガラスビーカー中で、0.4グラムの15%ペルフルオロスルホン酸ポリマー溶液(Ion Power Inc. EW1100)中に10分間、室温で浸す。浸した後、過剰な溶液を流し出し、湿った膜を80℃で20分間乾燥させる。乾燥後、1.0グラムの水を添加して、膜をガラス表面から取り外し、次いで、膜を80℃で10分間、再度乾燥させる。乾燥した膜を130℃、且つポリテトラフルオロエチレン(PTFE)(Teflon(登録商標))シートの間の圧力1キログラム/in2で、20分間、熱処理する。その膜を、50グラムの0.10%の3−アミノイミダゾ(1,2)ピリジン水溶液中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水中で洗浄する。フィルムの片側をブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけをアミノ化させる。その膜は、質量26mg、厚さ19μm、ガーレー透気度>86400秒/10cc 0.20in2、および2Mの硫酸中でのプロトンの面積抵抗率0.83オームcm2、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸中でのバナジルイオン輸送3.95×10-7モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して278倍遅い。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムを片側上で、前記フィルムの片側にブチルゴム膜を機械的に付着させることによって、ブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけの上でアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に80℃で2時間浸す。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率0.29オームcm2、およびイオン交換容量0.849meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジウム輸送1.1×10-4モル/日cm2を有する。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムを片側上で、前記フィルムの片側にブチルゴム膜を機械的に付着させることによって、ブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけの上でアミノ化させる。そのフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%の1200MWのポリエチレンイミン水溶液(Polysciences Inc 24313)中に、80℃で3時間浸し、次いで、蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率20オームcm2、およびイオン交換容量0.378meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送1.3×10-6モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して87倍遅い。
0.470gのペルフルオロスルホン酸(PFSA)(Nafion(登録商標)117)フィルムを片側上で、前記フィルムの片側にブチルゴム膜を機械的に付着させることによって、ブチルゴムで塞いで、フィルムの片側だけの上でアミノ化させる。その塞がれたフィルムを50グラムの蒸留水中に30分間、80℃で浸して、フィルムを予め膨潤させる。水で膨潤されたフィルムを次に、50グラムの0.25%のポリアミドアミン超分岐デンドリマーの高分子電解質デンドリマー、エチレンジアミンコア、ジェネレーション4.0の水溶液(Aldrich 412449)中に80℃で2時間浸し、次いで蒸留水で濯ぎ落とす。そのフィルムは、2Mの硫酸中でプロトンの面積抵抗率3.1オームcm2、およびイオン交換容量0.789meq/グラム、および1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸におけるバナジルイオン輸送1.0×10-5モル/日cm2を有する。バナジルイオンの輸送は、改質されていないPFSAに対して11倍遅い。
1. スルホン化ポリマーと、
複素環式分子、任意に複数の窒素を含有する複素環式分子と
を含む膜であって、前記複素環式分子が前記スルホン化ポリマーに共有結合している、前記膜。
2. 前記複素環式分子が、9.0未満、任意に3.0〜9.0のpKaを有する、態様1に記載の膜。
3. 前記膜のガーレーの透気度数が86400秒/10cc 0.20in2を上回る、態様1に記載の膜。
4. プロトン抵抗率が20オームcm2以下である、態様1に記載の膜。
5. バナジウム輸送が、1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸中で1.1×10-4モル/日cm2以下である、態様1に記載の膜。
6. 前記膜の厚さが10〜1000μmである、態様1に記載の膜。
7. 前記複素環式分子が、アデニン、アミノイソキノリン、アミノベンズイミダゾール、アミノイミダゾピリジン、4−アミノピペリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、任意に組み合わせた態様1〜6に記載の膜。
8. 前記スルホン化ポリマーが、ペル(フルオロスルホン酸/ポリテトラフルオロエチレン)コポリマー、スルホン化ポリスチレン、スルホン化トリフルオロポリスチレン、スルホン化ポリスチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化スチレン−ブタジエン、スルホン化ポリパラフェニレン、スルホン化ポリ(エーテルエーテルケトン)、スルホン化ポリ(エーテル−ケトン−エーテル−ケトン−ケトン)、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリ(エーテルスルホン)、スルホン化2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキシド、スルホン化ポリ(フタラジノンエーテルケトン)、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリホスファゼン、スルホン化ポリベンズイミダゾール、スルホン化ポリフェニルスルホン、ポリ(フッ化ビニリデン)−グラフト−ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトン)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトンケトン)およびスルホン化ポリフルオレニルエーテルケトン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのポリマーを含む、任意に組み合わせた態様1〜6に記載の膜。
9. 前記ポリマーが非多孔質のフィルムの形態である、任意に組み合わせた態様1〜6に記載の膜。
10. 前記スルホン化ポリマーが不織布または微孔質の支持フィルムと結合されている、任意に組み合わせた態様1〜6に記載の膜。
11. 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルム内の複数の孔内に収容されている、態様10に記載の膜。
12. 前記支持フィルムが、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリオレフィン、ニトロセルロース、セルロース、混合セルロースエステル、またはそれらの組み合わせを含む、態様10に記載の膜。
13. 前記支持フィルムが、孔の断面寸法0.01〜1000μmを有する、態様11に記載の膜。
14. 態様1、7および8の組み合わせ。
15. 態様2、7および8の組み合わせ。
16. 態様1、7、8および9の組み合わせ。
17. 態様2、7、8および9の組み合わせ。
18. 態様1、7、8および10の組み合わせ。
19. 態様2、7、8および10の組み合わせ。
20. ペルフルオロスルホン酸を含むスルホン化ポリマーと、
アデニン、アミノイソキノリン、アミノベンズイミダゾール、アミノイミダゾピリジン、4−アミノピペリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される複素環式分子と
を含む膜であって、前記複素環式分子が前記スルホン化ポリマーに共有結合またはイオン結合している、前記膜。
21. 前記膜が、86400秒/10cc 0.20in2より大きいガーレーの透気度数を有する、態様20。
22. プロトン抵抗率が20オームcm2以下である、態様20。
23. バナジウム輸送が、1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸中で1.1×10-4モル/日cm2以下である、態様20。
24. 前記膜の厚さが10〜1000μmである、態様20、21、22、23のいずれかまたはそれらの組み合わせ。
25. ペルフルオロスルホン酸を含むスルホン化ポリマーと、
アデニン、アミノイミダゾピリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される複素環式分子と
を含む膜であって、前記複素環式分子が前記スルホン化ポリマーに共有結合またはイオン結合している、前記膜。
26. ペルフルオロスルホン酸を含むスルホン化ポリマーと、
アデニン、アミノイミダゾピリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される複素環式分子と
からなる膜であって、前記複素環式分子が前記スルホン化ポリマーに共有結合またはイオン結合している、前記膜。
27. 前記膜が、電気化学電池または燃料電池内にある、任意に組み合わせた態様1〜26。
28. 前記膜がバナジウムのレドックス電池内にある、任意に組み合わせた態様1〜26。
29. 前記膜が、直接メタノール型燃料電池内にある、任意に組み合わせた態様1〜26。
1. M.Gattrell, J.Park, B.MacDougall, J.Apte, S.McCarthy,およびC.W.Wu, “A study of the mechanism of the vanadium 4+/5+ redox reaction in acidic solutions,” Journal of the Electrochemical Society (J.Electrochem.Soc.), 2004, vol.151, no1, pp.A123−A130
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3. Zempachi Ogumi, Yoshiharu Uchimoto, Masanori Tsujikawa, Kazuaki YasudaおよびZen−Ichiro Takehara, Modification of ion exchange Membrane by Plasma Process. Journal of Membrane Science 54,(1990), 163−74
4. Qingtao Luo, Huaming Zhang, Jian Chen, Peng QianおよびYunfeng Zhai, Modification of Nafion(登録商標) membrane using interfacial polymerization for vanadium redox flow battery applications. Journal of Membrane Science 311 (2008) 98−103
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8. 米国特許第4849311号明細書(US4849311) Itoh, et al. 1989年7月18日
9. 米国特許第5547551号明細書(US5547551) 1996年8月20日
Claims (53)
- スルホン化ポリマーと、
複数の窒素を含有する複素環式分子と
を含む膜であって、前記複素環式分子が前記スルホン化ポリマーに共有結合またはイオン結合している、前記膜。 - 前記複素環式分子が、スルホン化ポリマーへの結合後に、9.0未満のpKaを有する、請求項1に記載の膜。
- 前記膜のガーレーの透気度数が、86400秒/10cc 0.20in2を上回る、請求項1に記載の膜。
- プロトン抵抗率が、20オームcm2以下である、請求項1に記載の膜。
- バナジウム輸送が、1.0Mの硫酸バナジル/3Mの硫酸中で1.1×10-4モル/日cm2以下である、請求項1に記載の膜。
- 前記膜の厚さが、10〜1000μmである、請求項1に記載の膜。
- 前記複素環式分子が、アデニン、アミノイソキノリン、アミノベンズイミダゾール、アミノイミダゾピリジン、4−アミノピペリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜。
- 前記スルホン化ポリマーが、ペル(フルオロスルホン酸/ポリテトラフルオロエチレン)コポリマー、スルホン化ポリスチレン、スルホン化トリフルオロポリスチレン、スルホン化ポリスチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化スチレン−ブタジエン、スルホン化ポリパラフェニレン、スルホン化ポリ(エーテルエーテルケトン)、スルホン化ポリ(エーテル−ケトン−エーテル−ケトン−ケトン)、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリ(エーテルスルホン)、スルホン化2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキシド、スルホン化ポリ(フタラジノンエーテルケトン)、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリホスファゼン、スルホン化ポリベンズイミダゾール、スルホン化ポリフェニルスルホン、ポリ(フッ化ビニリデン)−グラフト−ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトン)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトンケトン)およびスルホン化ポリフルオレニルエーテルケトン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのポリマーを含む、請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜。
- 前記ポリマーが、非多孔質のフィルムの形態である、請求項6に記載の膜。
- 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルムと結合されている、請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜。
- 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルム内の複数の孔内に収容されている、請求項10に記載の膜。
- 前記支持フィルムが、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリオレフィン、ニトロセルロース、セルロース、混合セルロースエステル、またはそれらの組み合わせを含む、請求項10に記載の膜。
- 前記支持フィルムが、孔の断面寸法0.01〜1000μmを有する、請求項11に記載の膜。
- アノードおよびアノード液を含む、負の半電池、
カソードおよびカソード液を含む、正の半電池、および
前記負の半電池と前記正の半電池との間に配置された、請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜
を含む、電気化学電池。 - 前記膜が、片側の上でのみ複素環式化合物を含む、前記電気化学電池。
- 前記複素環式化合物が、負の半電池に近位の側の上にある、請求項15に記載の電気化学電池。
- 前記複素環式分子が、アデニン、アミノイソキノリン、アミノベンズイミダゾール、アミノイミダゾピリジン、4−アミノピペリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項14に記載の電気化学電池。
- 前記スルホン化ポリマーが、ペル(フルオロスルホン酸/ポリテトラフルオロエチレン)コポリマー、スルホン化ポリスチレン、スルホン化トリフルオロポリスチレン、スルホン化ポリスチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化スチレン−ブタジエン、スルホン化ポリパラフェニレン、スルホン化ポリ(エーテルエーテルケトン)、スルホン化ポリ(エーテル−ケトン−エーテル−ケトン−ケトン)、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリ(エーテルスルホン)、スルホン化2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキシド、スルホン化ポリ(フタラジノンエーテルケトン)、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリホスファゼン、スルホン化ポリベンズイミダゾール、スルホン化ポリフェニルスルホン、ポリ(フッ化ビニリデン)−グラフト−ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトン)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトンケトン)およびスルホン化ポリフルオレニルエーテルケトン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのポリマーを含む、請求項14に記載の電気化学電池。
- 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルムと結合されている、請求項14に記載の電気化学電池。
- 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルム内の複数の孔内に収容されている、請求項19に記載の電気化学電池。
- 前記支持フィルムが、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリオレフィン、ニトロセルロース、セルロース、混合セルロースエステル、またはそれらの組み合わせを含む、請求項19に記載の電気化学電池。
- バナジウムのレドックス電池の形態である、請求項14に記載の電気化学電池。
- 前記アノード液と前記カソード液との両方がバナジウムを含む、請求項14に記載の電気化学電池。
- 複素環式化合物が、スルホンアミドによって前記スルホン化ポリマーに共有結合されている、請求項14に記載の電気化学電池。
- アノード、
カソード、および
前記アノードと前記カソードとの間に配置された請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜
を含む、燃料電池。 - 前記膜が、片側の上でのみ複素環式化合物を含む、請求項25に記載の燃料電池。
- 前記複素環式化合物が、アノードに近位の側の上にある、請求項25に記載の燃料電池。
- 前記複素環式分子が、アデニン、アミノイソキノリン、アミノベンズイミダゾール、アミノイミダゾピリジン、4−アミノピペリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項25に記載の燃料電池。
- 前記スルホン化ポリマーが、ペル(フルオロスルホン酸/ポリテトラフルオロエチレン)コポリマー、スルホン化ポリスチレン、スルホン化トリフルオロポリスチレン、スルホン化ポリスチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化スチレン−ブタジエン、スルホン化ポリパラフェニレン、スルホン化ポリ(エーテルエーテルケトン)、スルホン化ポリ(エーテル−ケトン−エーテル−ケトン−ケトン)、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリ(エーテルスルホン)、スルホン化2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキシド、スルホン化ポリ(フタラジノンエーテルケトン)、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリホスファゼン、スルホン化ポリベンズイミダゾール、スルホン化ポリフェニルスルホン、ポリ(フッ化ビニリデン)−グラフト−ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトン)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトンケトン)およびスルホン化ポリフルオレニルエーテルケトン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのポリマーを含む、請求項25に記載の燃料電池。
- 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルムと結合されている、請求項25に記載の燃料電池。
- 前記スルホン化ポリマーが、不織布または微孔質の支持フィルム内の複数の孔内に収容されている、請求項30に記載の燃料電池。
- 前記支持フィルムが、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリオレフィン、ニトロセルロース、セルロース、混合セルロースエステル、またはそれらの組み合わせを含む、請求項30に記載の燃料電池。
- 直接メタノール型燃料電池の形態である、請求項25に記載の燃料電池。
- 複素環式化合物が、スルホンアミド、酸無水物またはエステルを介して前記スルホン化ポリマーに共有結合されている、請求項25に記載の燃料電池。
- 請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜の製造方法であって、
スルホン化ポリマーの少なくとも1つの表面と、複素環式分子、任意に複数の窒素を含有する複素環式分子を含む溶液とを、反応時間の間、反応温度で接触させて、フィルムを形成する段階、
前記フィルムを溶液から取り出す段階、および
前記フィルムを乾燥させる段階、
を含む、前記方法。 - 前記スルホン化ポリマーを、膨潤溶剤中で予め膨潤させることをさらに含む、請求項35に記載の膜の製造方法。
- 前記膨潤溶剤が、水、アルコール、アミド、環式アミド、塩化メチレンまたはそれらの混合物を含む、請求項36に記載の方法。
- 反応時間が、1秒〜24時間である、請求項35に記載の方法。
- 前記接触温度が、25℃〜150℃である、請求項35に記載の方法。
- 前記複素環式分子溶液の溶剤が、水、アルコール、N−メチルピロリドン、アミド、エステル、ケトン、塩化アルキル、塩化メチレン、芳香族溶剤、およびそれらの混合物を含む、請求項35に記載の方法。
- 乾燥温度が、30℃〜150℃である、請求項35に記載の方法。
- 前記膜の片側が塞がれて、前記複素環式分子との接触が防止される、請求項35に記載の方法。
- 前記膜が、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリオレフィン、ニトロセルロース、セルロース、混合セルロースエステル、またはそれらの組み合わせを含む多孔質膜で塞がれる、請求項42に記載の方法。
- 前記多孔質膜が、0.01〜1000μmの孔径を有する、請求項43に記載の方法。
- 前記スルホン化ポリマーが、ペル(フルオロスルホン酸/ポリテトラフルオロエチレン)コポリマー、スルホン化ポリスチレン、スルホン化トリフルオロポリスチレン、スルホン化ポリスチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化スチレン−ブタジエン、スルホン化ポリパラフェニレン、スルホン化ポリ(エーテルエーテルケトン)、スルホン化ポリ(エーテル−ケトン−エーテル−ケトン−ケトン)、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリ(エーテルスルホン)、スルホン化2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキシド、スルホン化ポリ(フタラジノンエーテルケトン)、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリホスファゼン、スルホン化ポリベンズイミダゾール、スルホン化ポリフェニルスルホン、ポリ(フッ化ビニリデン)−グラフト−ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトン)、ポリ(アリーレンチオエーテルケトンケトン)およびスルホン化ポリフルオレニルエーテルケトン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項35に記載の方法。
- 前記複素環式分子が、アデニン、アミノイソキノリン、アミノベンズイミダゾール、アミノイミダゾピリジン、4−アミノピペリジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項35に記載の方法。
- 前記複素環式分子が、9.0未満のpKaを有する、請求項35に記載の方法。
- 請求項1から6までのいずれか1項に記載の膜の製造方法であって、
多孔質の支持膜の孔を、スルホン化ポリマーの溶液で充填する段階、
前記溶液を乾燥させて、固体のフィルムを形成する段階、
前記固体のフィルムを、高められた温度で熱処理する段階、
前記固体のフィルムの少なくとも1つの表面と、前記複素環式分子の溶液とを、反応時間の間、反応温度で接触させる段階
を含む、前記方法。 - 前記固体のフィルムを前記溶液から取り出すこと、および前記固体のフィルムを、60℃より高く且つ130℃未満の乾燥温度で乾燥させることをさらに含む、請求項48に記載の方法。
- 前記熱処理段階が、80℃より高く且つ250℃未満の温度である、請求項48に記載の方法。
- 前記多孔質の支持膜の片側を塞いで、前記複素環式分子の溶液と接触することを防ぐことをさらに含む、請求項48に記載の方法。
- 接触段階が、1秒〜24時間である、請求項48に記載の方法。
- 接触段階が、25℃〜150℃の温度である、請求項48に記載の方法。
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