JP2019220483A - 発光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】新規な発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供すること。または、エネルギー効率のよい発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供すること。または、同じ光を少ない電力で取り出せるため、消費電力が低減された発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供すること。または、無駄な電力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュール、発光パネルまたは発光装置を提供すること。【解決手段】絶縁表面２２１と、絶縁表面上に下部電極と、絶縁表面上に下部電極に向かって傾斜する側壁２２５ｓを具備する突起２２５と、下部電極の端部ならびに突起の側壁に重なる透光性の隔壁２２８と、下部電極、下部電極と重なる上部電極、下部電極および上部電極に挟持される発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子と、を有する。そして、突起の側壁は発光素子が射出する光を反射することができる構成に想到した。【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に
、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、または、それらの製造方法に関
する。特に、本発明は、発光モジュール、発光パネルおよび発光装置に関する。

第１の基板に設けられた第１の電極と、当該第１の電極との間に発光性の有機化合物を含
む層を挟持する第２の電極と、当該第２の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、
を第１の基板と第２の基板の間に有する構成が知られている（特許文献１）。

特開２０１３−３８０６９号公報

エネルギー効率のよい発光モジュール、発光パネルまたは発光装置が求められている。ま
たは、信頼性の高い発光モジュール、発光パネルまたは発光装置が求められている。また
は、エネルギー効率のよいまたは信頼性の高い発光パネルを作製することができる方法が
求められている。または、広い面積において輝度ムラが抑制された発光パネルもしくは発
光装置が求められている。

本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、新
規な発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、エネルギー効率のよい発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供するこ
とを課題の一とする。または、同じ光を少ない電力で取り出せるため、消費電力が低減さ
れた発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、無駄な電力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュール、発
光パネルまたは発光装置を提供することを課題の一とする。または、広い面積において輝
度ムラが抑制された発光パネルを提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、絶縁表面と、絶縁表面上に下部電極と、絶縁表面上に下部電極に向か
って傾斜する側壁を具備する突起と、下部電極の端部および突起の側壁に重なる透光性の
隔壁と、下部電極、下部電極と重なる上部電極、下部電極および上部電極に挟持される発
光性の有機化合物を含む層を備える発光素子と、発光素子を絶縁表面との間に封止する対
向基板と、を有する発光モジュールである。そして、突起の側壁は、発光素子が射出する
光を反射することができる。

また、本発明の一態様は、突起の側壁は、下部電極に向かって３０°以上７５°以下の角
度で傾斜する面を含む上記の発光モジュールである。

また、本発明の一態様は、下部電極は、発光性の有機化合物を含む層が発する光を反射す
る反射膜を備え、突起は、反射膜と同じ材料を含む側壁を備える上記の発光モジュールで
ある。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、発光素子が射出する光を反射することができる
突起を、透光性の隔壁の内部に備える。これにより、隔壁の内部に進入した光を隔壁の外
部に反射し、当該光が隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する。その結果
、エネルギー効率のよい発光モジュールを提供できる。または、同じ光を少ない電力で取
り出せるため、消費電力が低減された発光モジュールを提供できる。または、無駄な電力
による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュールを提供できる。

また、本発明の一態様は、隔壁が発光性の有機化合物を含む層の屈折率より低い屈折率を
備える材料を含む上記の発光モジュールである。

また、本発明の一態様は、発光素子と対向基板の間に光学接合層を有し、光学接合層は、
隔壁に含まれる材料の屈折率より高い屈折率を備える材料を含む上記の発光モジュールで
ある。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、発光性の有機化合物を含む層の屈折率より低い
屈折率を備える材料を含む隔壁を有する。これにより、発光性の有機化合物を含む層から
隔壁への光の進入を抑制できる。

また、隔壁に含まれる材料の屈折率より高い屈折率を備える材料を含む光学接合層を有す
る。これにより、光学接合層に進入する光の割合が増え、隔壁に進入する光の割合を抑制
できる。また、突起に反射された光が光学接合層に進入する割合を増やすことができる。

その結果、エネルギー効率のよい発光モジュールを提供できる。または、同じ光を少ない
電力で取り出せるため、消費電力が低減された発光モジュールを提供できる。または、無
駄な電力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュールを提供できる
。

また、本発明の一態様は、絶縁表面と、絶縁表面上に第１の下部電極および第２の下部電
極と、絶縁表面上に第１の下部電極に向かって傾斜する第１の側壁および第２の下部電極
に向かって傾斜する第２の側壁を具備する突起と、第１の下部電極の端部および突起の第
１の側壁並びに第２の下部電極の端部および突起の第２の側壁に重なる透光性の隔壁と、
第１の下部電極、第１の下部電極と重なる上部電極、第１の下部電極および上部電極に挟
持される発光性の有機化合物を含む層を備える第１の発光素子と、第２の下部電極、第２
の下部電極と重なる上部電極、第２の下部電極および上部電極に挟持される発光性の有機
化合物を含む層を備える第２の発光素子と、第１の発光素子と第２の発光素子を絶縁表面
との間に封止する対向基板と、を有する発光パネルである。そして、突起の第１の側壁は
第１の発光素子が射出する光を、突起の第２の側壁は第２の発光素子が射出する光を、そ
れぞれ反射することができる。

上記本発明の一態様の発光パネルは、第１の発光素子と第２の発光素子が射出する光を反
射することができる突起を、透光性の隔壁の内部に備える。これにより、隔壁の内部に進
入した光を隔壁の外部に反射し、隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する
。その結果、エネルギー効率のよい発光パネルを提供できる。または、同じ光を少ない電
力で取り出せるため、消費電力が低減された発光パネルを提供できる。または、無駄な電
力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光パネルを提供できる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面と、絶縁表面上に第１の下部電極および第２の下部電
極と、絶縁表面上に第１の下部電極に向かって傾斜する第１の側壁および第２の下部電極
に向かって傾斜する第２の側壁を具備する導電性の突起と、第１の下部電極の端部および
突起の第１の側壁並びに第２の下部電極の端部および突起の第２の側壁に重なる透光性の
隔壁と、第１の下部電極、第１の下部電極と重なる上部電極、第１の下部電極および上部
電極に挟持される発光性の有機化合物を含む層を備える第１の発光素子と、第２の下部電
極、第２の下部電極と重なる上部電極、第２の下部電極および上部電極に挟持される発光
性の有機化合物を含む層を備える第２の発光素子と、第１の発光素子と第２の発光素子を
絶縁表面との間に封止する対向基板と、を有する発光パネルである。そして、隔壁は、突
起と重なる開口部を備え、突起は、開口部において上部電極と電気的に接続し、突起の第
１の側壁は第１の発光素子が射出する光を、突起の第２の側壁は第２の発光素子が射出す
る光を、それぞれ反射することができる。

また、本発明の一態様は、突起の側壁は、下部電極に向かって３０°以上７５°以下の角
度で傾斜する面を含む上記の発光パネルである。

また、本発明の一態様は、第１の下部電極は、発光性の有機化合物を含む層が発する光を
反射する反射膜を備え、第２の下部電極は、発光性の有機化合物を含む層が発する光を反
射する反射膜を備え、突起は、第１の下部電極および第２の下部電極と同じ材料を含む側
壁を備える上記の発光パネルである。

上記本発明の一態様の発光パネルは、第１の発光素子と第２の発光素子が射出する光を反
射することができる突起を、透光性の隔壁の内部に備える。また、突起は導電性を備え、
その一部は上部電極と隔壁に設けられた開口部において電気的に接続される。

これにより、隔壁の内部に進入した光を隔壁の外部に反射し、隔壁の内部で著しく減衰ま
たは消失する現象を抑制する。また、上部電極に電気的に接続される導電性の突起は電流
の経路となり、電流を上部電極に均等に分配することができる。そして、上部電極の電気
抵抗に起因する電圧降下を軽減し、電流を上部電極に均一に流すことができる。

その結果、エネルギー効率のよい発光パネルを提供できる。または、同じ光を少ない電力
で取り出せるため、消費電力が低減された発光パネルを提供できる。または、無駄な電力
による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光パネルを提供できる。または、輝
度のムラが軽減された発光パネルを提供できる。

また、本発明の一態様は、隔壁が発光性の有機化合物を含む層の屈折率より低い屈折率を
備える材料を含む上記の発光パネルである。

また、本発明の一態様は、第１の発光素子と対向基板の間および第２の発光素子と対向基
板の間に光学接合層を有し、光学接合層は隔壁に含まれる材料の屈折率より高い屈折率を
備える材料を含む上記の発光パネルである。

上記本発明の一態様の発光パネルは、発光性の有機化合物を含む層の屈折率より低い屈折
率を備える材料を含む隔壁を有する。これにより、発光性の有機化合物を含む層から隔壁
への光の進入を抑制できる。

また、隔壁に含まれる材料の屈折率より高い屈折率を備える材料を含む光学接合層を有す
る。これにより、光学接合層に進入する光の割合が増え、隔壁に進入する光の割合を抑制
できる。また、突起に反射された光が光学接合層に進入する割合を増やすことができる。

その結果、エネルギー効率のよい発光パネルを提供できる。または、同じ光を少ない電力
で取り出せるため、消費電力が低減された発光パネルを提供できる。または、無駄な電力
による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光パネルを提供できる。

また、本発明の一態様は、突起が拡張部と拡張部より絶縁表面側に狭窄部を絶縁表面と垂
直に交わる断面に備える上記の発光パネルである。

また、本発明の一態様は、絶縁表面が突起と一部が重なる凹部を備え、突起を含む拡張部
と凹部に隣接する狭窄部を絶縁表面と垂直に交わる断面に備える上記の発光パネルである
。

上記本発明の一態様の発光パネルは、絶縁表面から離れた位置に拡張部を具備し、絶縁表
面と拡張部の間に狭窄部を具備する突起を有する。これにより、上部電極と突起を、突起
の拡張部と狭窄部の間において電気的に接続できる。

その結果、エネルギー効率のよい発光パネルを提供できる。または、輝度のムラが軽減さ
れた発光パネルを提供できる。または、作製が容易な発光パネルを提供できる。

また、本発明の一態様は、上記の発光パネルを有する発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、発光素子が射出する光を反射することができる突起を
、透光性の隔壁の内部に備え、エネルギー効率の改善された発光パネルを有する。これに
より、隔壁の内部に進入した光を隔壁の外部に反射し、隔壁の内部で著しく減衰または消
失する現象を抑制する。

その結果、エネルギー効率のよい発光装置を提供できる。または、同じ光を少ない電力で
取り出せるため、消費電力が低減された発光装置を提供できる。または、無駄な電力によ
る発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光装置を提供できる。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すもの
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一
態様である。

また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マ
トリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲス
ト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても
良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。

なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイスもしくは光源（照明装置含む
）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔ
ｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）
が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、ま
たは発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様によれば、新規な発光モジュール、新規な発光パネルまたは新規な発光装
置を提供できる。または、エネルギー効率のよい発光モジュール、発光パネル若しくは発
光装置を提供できる。または、同じ光を少ない電力で取り出せるため、消費電力が低減さ
れた発光モジュール、発光パネル若しくは発光装置を提供できる。または、無駄な電力に
よる発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュール、発光パネルまたは発光
装置を提供できる。

実施の形態に係る発光モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る発光素子を説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルに用いることができる突起と隔壁を説明する図。 実施例に係る発光パネルに用いることができる突起と隔壁の作製方法を説明する図。 実施例に係る発光パネルに用いることができる突起と隔壁の電子顕微鏡写真。 実施例に係る発光パネルに用いることができる突起と隔壁の電子顕微鏡写真。

＜本発明の一態様が解決することができる課題の例＞
下部電極、上部電極およびこれらの下部電極と上部電極に挟持される発光性の有機化合物
を含む層を備える発光素子（有機ＥＬ素子ともいう）が知られている。

なお、発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層ともいう）の厚さは極めて薄い（例えば、数
十ｎｍから数百ｎｍ程度）ため、ＥＬ層を挟持する下部電極と上部電極は短絡しやすい。
短絡を避けるために多くの有機ＥＬ素子を用いた発光モジュールにおいて、絶縁性の構造
物（隔壁という）が下部電極の端部を覆うように設けられている。

ＥＬ層が発する光は、透光性を有する下部電極または上部電極から射出される。また、Ｅ
Ｌ層が発する光の一部は、ＥＬ層の内部を伝搬し、ＥＬ素子の端部にある隔壁に向かう。

一度隔壁に進入した光は、隔壁から射出されにくく且つ減衰または消失しやすいため、発
光モジュールのエネルギー効率を低下する要因になっていた。

＜本発明の一態様＞
そこで、上記課題を解決するために、発光素子から隔壁に進入する光に着眼した。以下に
説明する実施の形態には、発光素子から隔壁に進入する光を有効に利用するための構成に
ついてされた、本発明の一態様が含まれる。

本発明の一態様の発光モジュールは、絶縁表面と、絶縁表面上に下部電極と、絶縁表面上
に下部電極に向かって傾斜する側壁を具備する突起と、下部電極の端部ならびに突起の側
壁に重なる透光性の隔壁と、下部電極、下部電極と重なる上部電極、下部電極および上部
電極に挟持される発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子と、を有する。そして、
突起の側壁は発光素子が射出する光を反射することができる。

上記本発明の一態様の発光モジュールによれば、発光素子に発せられた光が隔壁に進入し
ても、隔壁の内部に設けられた突起が当該光を反射する。これにより、隔壁の内部に進入
した光を隔壁の外部に反射し、隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する。
そして、発光素子の発する光を有効に活用できる。

その結果、エネルギー効率のよい発光モジュールを提供できる。または、同じ光を少ない
電力で取り出せるため、消費電力が低減された発光モジュールを提供できる。または、無
駄な電力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュールを提供できる
。または、この発光モジュールを同一基板上に複数備える、エネルギー効率のよい発光パ
ネルを提供できる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールの構成について、図１を参照しなが
ら説明する。

図１（Ａ）は本発明の一態様の発光モジュールの構造を説明する断面図である。また、図
１（Ｂ）は本発明の一態様の発光モジュールの構造を説明する断面図である。

発光モジュール２８０Ｒの構成について、図１（Ａ）を参照しながら説明する。

＜発光モジュール＞
本実施の形態で例示する発光モジュール２８０Ｒは、絶縁表面２２１と、絶縁表面２２１
上に第１の下部電極２５１Ｒと、絶縁表面２２１上に第１の下部電極２５１Ｒに向かって
傾斜する第１の側壁２２５ｓ（１）を具備する突起２２５を有する。

また、第１の下部電極２５１Ｒの端部および第１の側壁２２５ｓ（１）に重なる透光性の
隔壁２２８を有する。

また、第１の下部電極２５１Ｒ、第１の下部電極２５１Ｒと重なる上部電極２５２、第１
の下部電極２５１Ｒおよび上部電極２５２に挟持される発光性の有機化合物を含む層２５
３を備える第１の発光素子２５０Ｒを有する。

また、第１の発光素子２５０Ｒを絶縁表面２２１との間に封止する対向基板２７０と、を
有する。

そして、第１の側壁２２５ｓ（１）は、第１の発光素子２５０Ｒが射出する光を反射する
ことができる。

本実施の形態で例示する発光モジュール２８０Ｒは、第１の発光素子２５０Ｒが射出する
光を反射することができる突起２２５を、透光性の隔壁２２８の内部に備える。これによ
り、隔壁２２８の内部に進入した光を隔壁２２８の外部に反射し、隔壁の内部で著しく減
衰または消失する現象を抑制する。その結果、エネルギー効率のよい発光モジュールを提
供できる。または、同じ光を少ない電力で取り出せるため、消費電力が低減された発光モ
ジュールを提供できる。または、無駄な電力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善
された発光モジュールを提供できる。

また、第１の側壁２２５ｓ（１）は、第１の下部電極２５１Ｒに向かって３０°以上７５
°以下、好ましくは３０°以上６０°以下の角度θ１で傾斜する面を含む。発光素子が射
出する光は３０°より小さい角度で傾斜する面には入射し難い。７５°より大きい角度で
傾斜する面に入射する光は、上方向に取り出されにくい。

また、隔壁２２８は、発光性の有機化合物を含む層２５３の屈折率ｎ（ＥＬ）より低い屈
折率ｎ（Ｄ）を備える材料を含む。発光性の有機化合物を含む層２５３が発する光は、発
光性の有機化合物を含む層２５３の屈折率ｎ（ＥＬ）より低い屈折率ｎ（Ｄ）を備える隔
壁２２８に進入し難い。また、全反射の条件が満たされ易くなる。

また、発光モジュール２８０Ｒは、第１の発光素子２５０Ｒと対向基板２７０の間に光学
接合層２６０を有する。そして、光学接合層２６０は、隔壁２２８に含まれる材料の屈折
率ｎ（Ｄ）より高い屈折率ｎ（ＬＣ）を備える材料を含む。これにより、光学接合層２６
０に進入する光の割合が増え、隔壁２２８に進入する光の割合を抑制できる。また、突起
２２５に反射された光が光学接合層２６０に進入する割合を増やすことができる。

その結果、エネルギー効率のよい発光モジュールを提供できる。または、同じ光を少ない
電力で取り出せるため、消費電力が低減された発光モジュールを提供できる。または、無
駄な電力による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光モジュールを提供できる
。

また、本実施の形態で例示して説明する発光モジュール２８０Ｒは、着色層２６７Ｒを第
１の発光素子２５０Ｒが光を射出する方向に有する。所定の材料を含む着色層２６７Ｒは
、所定の波長を有する光を吸収する。これにより、第１の発光素子２５０Ｒが射出する光
に含まれる不要な光を除去することができる。

また、発光モジュール２８０Ｒは、反射防止層２６７ｐを発光モジュール２８０Ｒが光を
射出する側に有する。反射防止層２６７ｐは、発光モジュール２８０Ｒが観察者に向かっ
て反射する外光の強度を低減する層である。

反射防止層２６７ｐを備える構成により、発光モジュール２８０Ｒが射出する光に対する
反射される外光の強度の比を小さくすることができる。その結果、コントラストの高い良
好な発光を得ることができる。具体的には、発光モジュール２８０Ｒを表示装置に用いる
場合において、表示を鮮やかにすることができる。

以下に、本実施の形態で例示する発光モジュール２８０Ｒを構成する個々の要素について
説明する。

《絶縁表面》
絶縁表面２２１は、絶縁性を有する表面であれば特に限定されない。例えば、絶縁性の基
板の表面、基板上に設けられた絶縁膜の表面、基板上に島状に設けられた絶縁性の層の表
面などを絶縁表面２２１に適用することができる。

また、種々の機能層の上に形成された絶縁膜の表面を利用することもできる。例えば、基
板上に形成された電気回路を含む機能層上に形成された絶縁膜の表面を利用することがで
きる。

具体的には、発光素子の下部電極に電力を供給するか否かを選択するスイッチング素子を
含む機能層上に設けられた絶縁膜や、機能層の段差や凹凸を平坦にするための絶縁膜の表
面を利用することもできる。

なお、スイッチング素子としては、例えばトランジスタが挙げられる。具体的には、チャ
ネルが単結晶、多結晶または非晶質等を含む半導体層に形成されるトランジスタが挙げら
れる。また、有機半導体、化合物半導体、シリコン、ゲルマニウム、酸化物半導体等を半
導体層に用いることができる。

絶縁表面を有する基板としては、ガラス、セラミックス、無機膜、樹脂板若しくは樹脂フ
ィルムまたはこれらから選ばれた複数の材料の積層体、これらから選ばれた材料が表面に
設けられた導電性を有する基板などを適用できる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等のガラスを用いることができる。

また、絶縁表面を有する無機膜としては、例えば金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金
属酸窒化物膜またはこれらから選ばれた複数の膜の積層膜などを適用できる。具体的には
酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

また、絶縁表面を有する樹脂としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂またはこれらから選択された複数の樹
脂の複合体を含む板状材料、これらから選択された材料を薄く加工したフィルム状材料、
またはこれらから選択された複数を含む積層体などを用いることができる。

《下部電極》
第１の下部電極２５１Ｒは、第１の発光素子２５０Ｒに適用できるものであれば特に限定
されない。第１の発光素子２５０Ｒに適用可能な材料の詳細は実施の形態５において説明
する。

図１に例示する第１の下部電極２５１Ｒは、透光性を有する導電膜であり、第１の下部電
極２５１Ｒは反射膜２５１に重ねて設けられている。

《上部電極》
上部電極２５２は、透光性を有し第１の発光素子２５０Ｒに適用できるものであれば特に
限定されない。第１の発光素子２５０Ｒに適用可能な材料の詳細は実施の形態５において
説明する。

図１に例示する上部電極２５２は、半透過・半反射性を有する導電膜であり、透光性およ
び導電性を有する金属酸化物膜を、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ
以下程度）の厚さの金属薄膜に積層した積層体が、適用されている。

《第１の発光素子》
第１の発光素子２５０Ｒは、第１の下部電極２５１Ｒと上部電極２５２に電力を供給する
ことで発光するものであれば特に限定されない。第１の発光素子２５０Ｒに適用可能な材
料の詳細は実施の形態５において説明する。

図１に例示する第１の発光素子２５０Ｒは、複数の発光ユニットと、発光ユニットに挟ま
れる中間層を備える（タンデム構造ともいう）発光性の有機化合物を含む層２５３を有す
る。また、発光性の有機化合物を含む層２５３は、赤色を呈する光、緑色を呈する光およ
び青色を呈する光を含み、白色を呈する光を発する。

また、第１の下部電極２５１Ｒと上部電極は、微小共振器（マイクロキャビティ）を構成
する。微小共振器の内部に発光素子を配置することにより、発光素子が発する光が干渉し
合い、特定の色を呈する光を効率よく取り出すことができる。

《突起》
突起２２５は、第１の発光素子２５０Ｒが発する光を反射する第１の側壁２２５ｓ（１）
を有する。

第１の側壁２２５ｓ（１）は、第１の発光素子２５０Ｒが発する可視光に対し高い反射率
を有するものが好ましい。

可視光を反射する膜としては、例えば金属を用いれば良く、具体的には、銀、アルミニウ
ム、白金、金、銅等の金属材料若しくはこれらを含む合金材料またはこれらから選択され
た複数の材料の積層膜が挙げられる。

例えば、銀を含む合金としては、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げるこ
とができる。アルミニウムを含む合金としては、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金
、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金等が挙げられる。

例えば、積層膜としては、チタン膜−アルミニウム膜−チタン膜の順に積層された膜など
を用いることができる。

また、第１の側壁２２５ｓ（１）は、第１の下部電極２５１Ｒに向かって３０°以上７５
°以下、好ましくは３０°以上６０°以下の角度で傾斜する面を含むものが好ましい。

傾斜する面を含む第１の側壁２２５ｓ（１）を突起２２５に形成する方法としては、なだ
らかな端部を有するレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを後退させながら突起
２２５になる膜をエッチングする方法が挙げられる。なお、第１の側壁２２５ｓ（１）を
形成する方法の詳細は実施の形態４において説明する。

《隔壁》
隔壁２２８は透光性を有し、第１の下部電極２５１Ｒに重なる開口部を有する。第１の下
部電極２５１Ｒに重なる隔壁２２８の端部は、第１の下部電極２５１Ｒに対し順テーパを
有する。また、第１の下部電極２５１Ｒと上部電極が短絡しないように、端部に生じる段
差の大きさが低減されている。具体的には、第１の下部電極２５１Ｒからなだらかに連続
した曲率を持って立ち上がるＳ字状の断面を、隔壁の端部に有する。なお、隔壁の端部の
角度は、５°以上４５°以下、好ましくは５°以上３０°以下である。

隔壁２２８に用いることができる材料としては、有機材料または無機材料またはこれらの
複合材料が挙げられる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若
しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを隔壁２２
８に用いることができる。また、感光性を有する樹脂を用いることもできる。

隔壁２２８は、屈折率が１．４５以上１．６５以下、好ましくは１．４５以上１．６０以
下の材料を含む。

《対向基板》
対向基板２７０は、第１の発光素子２５０Ｒが発する光を透過する。

対向基板２７０は、意図しない不純物が第１の発光素子２５０Ｒに拡散する現象を防ぐこ
とができるもの（ガスバリア性を有するもの）が好ましい。例えば、水蒸気の透過率が１
０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下であるものが好
ましい。

対向基板２７０は、不要な外力が第１の発光素子２５０Ｒに加わる現象を防ぐことができ
るものが好ましい。

なお、対向基板２７０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備え、その厚さおよび大
きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されない。また、単層構造であっても、２層
以上の層が積層された構造であってもよい。

透光性を有する対向基板２７０は、１．５以上１．６５以下の屈折率を有するものが好ま
しい。

《光学接合層》
光学接合層２６０は、第１の発光素子２５０Ｒが射出する光に対し１．５より大きく３．
０以下の屈折率を備える材料が好ましい。

例えば、有機材料、液晶材料または高分子材料を適用できる。具体的には、ポリエステル
、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂ま
たはこれらから選択された複数の樹脂の複合体を用いることができる。

例えば、通常光線または異常光線の一方についての屈折率が１．６５以下であり、他方に
ついての屈折率が１．７５以上である複屈折率を有する樹脂または液晶を光学接合層２６
０に用いることができる。

具体的には、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック
液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分
散型液晶（ＰＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バ
ナナ型液晶等の液晶、またはこれらの液晶とカイラル剤等の混合材料を用いることができ
る。

これにより、光学接合層２６０の屈折率を、第１の発光素子２５０Ｒ側から対向基板２７
０側に向けて傾斜をつけて減少するようにすることができる。

また、隔壁２２８はリブとして機能して、光学接合層２６０に含まれる液晶の配向が制御
される。これにより、光学接合層２６０の屈折率が連続的に変化する。

また、配向膜を第１の発光素子２５０Ｒまたは対向基板２７０に、光学接合層２６０に接
するように設けてもよい。

配向膜に適用できる膜としては、複屈折を有する材料を配向するものであればよい。例え
ば、極性を表面に有する膜、極性を有する置換基を表面に有する膜、立体構造を表面に有
する膜、規則的な立体構造を表面に有する膜等を適用できる。

例えば、ラビング法を施して、複屈折を有する材料の配向を制御することができる膜を適
用できる。具体的には、疎水性の置換基を含むポリイミド膜などの配向膜を適用できる。
なお、疎水性の置換基としては、アルキル基、フッ素を含む置換基等を挙げることができ
る。

光を所定の方向から照射して、複屈折を有する材料の配向を制御することができる膜を適
用できる。具体的には、アゾベンゼン誘導体やポリビニルシンナメート等を含むポリイミ
ド膜などの配向膜を適用できる。

所定の方向から蒸着された材料が、複屈折を有する材料の配向を制御することができる膜
を適用できる。具体的には、酸化珪素等の蒸着膜を適用できる。

特に好ましくは、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミック酸、アクリル等の樹脂材
料などを適用できる。

《着色層》
着色層２６７Ｒは、所定の波長を有する光を吸収する。

着色層２６７Ｒが選択的に透過する光の色としては、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄
等を挙げることができる。

着色層２６７Ｒに適用することができる材料としては、顔料が分散された樹脂、染料を含
む樹脂等を挙げることができる。

着色層２６７Ｒに適用することができる顔料としては、キナクリドン系（レッド・マゼン
タ）、アンスラキノン系（レッド・イエロー）、ポリアゾ系イエロー、ベンゾイミダゾロ
ン系（イエロー・オレンジ）、銅フタロシアニン系（グリーン・ブルー）、溶性アゾ顔料
、不溶性アゾ顔料等が挙げられる。

＜変形例＞
また、本実施の形態で例示する発光モジュールの変形例について、図１（Ｂ）を参照しな
がら説明する。

図１（Ｂ）は本発明の一態様の発光モジュール２８０ＲＡの断面図である。

本実施の形態の変形例で例示する発光モジュール２８０ＲＡは、突起２２５Ａの構成が異
なる他は発光モジュール２８０Ｒ（図１（Ａ）参照）と同じ構成を有する。よって、ここ
では突起２２５Ａの構成について説明し、他の構成は発光モジュール２８０Ｒの説明を援
用する。

発光モジュール２８０ＲＡの第１の下部電極２５１Ｒは、発光性の有機化合物を含む層２
５３が発する光を反射する反射膜２５１を備える。また、突起２２５Ａは、反射膜２５１
と同じ材料を含む膜を側壁２５１ｓ（１）に備える、上記の発光モジュールである。

発光性の有機化合物を含む層２５３が発する光に対し高い反射率（例えば８０％以上好ま
しくは９０％以上より好ましくは９８％以上）を備える材料を第１の下部電極２５１Ｒと
、突起２２５Ａの側壁に備える。これにより、隔壁の内部に進入した光を隔壁の外部に反
射し、隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する。その結果、エネルギー効
率のよい発光モジュールを提供できる。または、同じ光を少ない電力で取り出せるため、
消費電力が低減された発光モジュールを提供できる。または、無駄な電力による発熱が抑
制されるため、信頼性が改善された発光モジュールを提供できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルの構成について、図２および図３を参照
しながら説明する。

図２（Ａ）は本発明の一態様の発光パネルの構造を説明する上面図である。

図２（Ｂ）は図２（Ａ）の一部を拡大して図示した上面図である。

図２（Ｃ）は図２（Ｂ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。

本実施の形態で例示する発光パネル２００は領域２０１を有する。領域２０２は領域２０
１の一部である。複数の発光モジュールが、領域２０１に設けられている（図２（Ａ）参
照）。

領域２０２は、発光モジュール２８０Ｒと発光モジュール２８０Ｇを有する（図２（Ｂ）
参照）。すなわち、発光パネル２００は、実施の形態１で説明する発光モジュールを、同
一の絶縁表面に、隣接して複数有する構成である。なお、１つの発光モジュールが１つの
副画素に含まれ、複数の副画素（例えば３つ）が１つの画素（たとえば領域２０２）を構
成している。

発光パネルの構成について、図２（Ｃ）を参照しながら説明する。

＜発光パネル＞
本実施の形態で例示する発光パネル２００は、絶縁表面２２１と、絶縁表面２２１上に第
１の下部電極２５１Ｒおよび第２の下部電極２５１Ｇと、絶縁表面２２１上に第１の下部
電極２５１Ｒに向かって傾斜する第１の側壁２２５ｓ（１）および第２の下部電極２５１
Ｇに向かって傾斜する第２の側壁２２５ｓ（２）を具備する突起２２５を有する。

また、第１の下部電極２５１Ｒの端部および第１の側壁２２５ｓ（１）並びに第２の下部
電極２５１Ｇの端部および第２の側壁２２５ｓ（２）に重なる透光性の隔壁２２８を有す
る。

また、第１の下部電極２５１Ｒ、第１の下部電極２５１Ｒと重なる上部電極２５２、第１
の下部電極２５１Ｒおよび上部電極２５２に挟持される発光性の有機化合物を含む層２５
３を備える第１の発光素子２５０Ｒと、第２の下部電極２５１Ｇ、第２の下部電極２５１
Ｇと重なる上部電極２５２、第２の下部電極２５１Ｇおよび上部電極２５２に挟持される
発光性の有機化合物を含む層２５３を備える第２の発光素子２５０Ｇを有する。

また、第１の発光素子２５０Ｒと第２の発光素子２５０Ｇを絶縁表面２２１との間に封止
する対向基板２７０と、を有する。

そして、突起２２５の第１の側壁２２５ｓ（１）は第１の発光素子２５０Ｒが射出する光
を、第２の側壁２２５ｓ（２）は第２の発光素子２５０Ｇが射出する光を、それぞれ反射
することができる。

上記本発明の一態様の発光パネル２００は、第１の発光素子２５０Ｒと第２の発光素子２
５０Ｇが射出する光を反射することができる突起２２５を、透光性の隔壁２２８の内部に
備える。これにより、隔壁２２８の内部に進入した光を隔壁２２８の外部に反射し、隔壁
２２８の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する。その結果、エネルギー効率の
よい発光パネルを提供できる。または、同じ光を少ない電力で取り出せるため、消費電力
が低減された発光パネルを提供できる。または、無駄な電力による発熱が抑制されるため
、信頼性が改善された発光パネルを提供できる。

また、突起２２５の側壁は、下部電極に向かって３０°以上７５°以下、好ましくは３０
°以上６０°以下の角度で傾斜する面を含む。例えば、第１の側壁２２５ｓ（１）は第１
の下部電極２５１Ｒに向かって３０°以上７５°以下、好ましくは３０°以上６０°以下
の角度で傾斜する面を含む。同様に、第２の側壁２２５ｓ（２）は第２の下部電極２５１
Ｇに向かって３０°以上７５°以下、好ましくは３０°以上６０°以下の角度で傾斜する
面を含む。発光素子が射出する光は３０°より小さい角度で傾斜する面には入射し難い。
７５°より大きい角度で傾斜する面に入射する光は、上方向に取り出されにくい。

また、隔壁２２８は、発光性の有機化合物を含む層２５３の屈折率より低い屈折率を備え
る材料を含む。発光性の有機化合物を含む層２５３が発する光は、発光性の有機化合物を
含む層２５３の屈折率より低い屈折率を備える隔壁２２８に進入し難い。また、全反射の
条件が満たされ易くなる。

また、発光パネル２００は、第１の発光素子２５０Ｒと対向基板２７０の間および第２の
発光素子２５０Ｇと対向基板２７０の間に、光学接合層２６０を有する。そして、光学接
合層２６０は、隔壁２２８に含まれる材料の屈折率より高い屈折率を備える材料を含む。
これにより、光学接合層２６０に進入する光の割合が増え、隔壁２２８に進入する光の割
合を抑制できる。また、突起２２５に反射された光が光学接合層２６０に進入する割合を
増やすことができる。

その結果、エネルギー効率のよい発光パネルを提供できる。または、同じ光を少ない電力
で取り出せるため、消費電力が低減された発光パネルを提供できる。または、無駄な電力
による発熱が抑制されるため、信頼性が改善された発光パネルを提供できる。

また、本実施の形態で例示して説明する発光パネルは、発光モジュール２８０Ｒと発光モ
ジュール２８０Ｇを有する。

発光モジュール２８０Ｒは、着色層２６７Ｒを第１の発光素子２５０Ｒが光を射出する方
向に有する。また、発光モジュール２８０Ｇは、着色層２６７Ｇを第２の発光素子２５０
Ｇが光を射出する方向に有する。なお、異なる色を呈する光を発する発光モジュールを複
数個用いて画素を構成することができる。例えば、赤色、緑色、青色を呈する光を発する
発光モジュールを用いて、画素を構成することができる。また、赤色、緑色、青色に加え
てシアン、マゼンタ、黄色または白色を呈する光を発する発光モジュールを設けてもよい
。このように、発光色が多様な発光モジュールを設けることにより、発光パネルの発する
光を豊かに変えることができる。

なお、隣接する発光素子を分離するために、隔壁をその間に設ける必要がある。したがっ
て、発光パネルに設ける発光モジュールの種類を増やすまたは精細度を高めると、発光素
子の面積に対する隔壁の面積の比が大きくなり、隔壁に進入する光が増加する傾向が認め
られる。従って、発光素子が発する光を効率よく取り出すための構成を適用することが望
まれる。

また、発光パネル２００のエネルギー効率は、精細度が高いほど改善されやすく、２５０
ｐｐｉ以上６００ｐｐｉ以下、好ましくは３００ｐｐｉ以上６００ｐｐｉ以下の精細度を
備える発光装置において、良好な効果が得られる。

所定の材料を含む着色層は、所定の波長を有する光を吸収する。これにより、発光素子が
射出する光に含まれる不要な光を除去することができる。

また、発光パネル２００は、反射防止層２６７ｐを発光パネル２００が光を射出する側に
有する。反射防止層２６７ｐは、発光パネル２００が観察者に向かって反射する外光の強
度を低減する層である。

反射防止層２６７ｐを備える構成により、発光パネル２００が射出する光に対する反射す
る外光の強度の比を小さくすることができる。その結果、コントラストの高い良好な発光
を得ることができる。具体的には、発光パネル２００を表示装置に用いる場合において、
表示を鮮やかにすることができる。

以下に、本実施の形態で例示する発光パネル２００を構成する個々の要素について説明す
る。なお、実施の形態１で説明する構成はその説明を援用するものとし、実施の形態１で
説明されていない構成について説明する。

《スペーサ》
発光パネル２００はスペーサ２２９を隔壁２２８と対向基板２７０の間に有する。スペー
サ２２９は隔壁２２８と対向基板２７０の距離を一定に保つことができる。

スペーサ２２９は、島状に加工された膜状、柱状または球状の形態を備える。

スペーサ２２９に適用することができる材料としては、例えば、有機材料、無機材料など
を挙げることができる。

有機材料としては、例えばポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リカーボネート若しくはアクリル樹脂またはこれらから選択された複数の樹脂の複合体な
どが挙げられる。

無機材料としては、例えば金属、金属酸化物、金属窒化物若しくは金属酸窒化物またはこ
れらから選ばれた複数の材料などを適用できる。具体的にはアルミニウム、チタン、モリ
ブデン、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

また、スペーサ２２９に適用することができる材料としては、例えば、フィラー、感光性
樹脂などが挙げられる。

《遮光層》
発光パネル２００は遮光層２６７ＢＭを隔壁２２８と対向基板２７０の間に有する。遮光
層２６７ＢＭは不要な光を吸収することができる。不要な光としては、発光パネル２００
に入射する外光の他、一の発光モジュールに隣接して設けられた他の発光モジュールの発
光素子の光等を挙げることができる。

遮光層２６７ＢＭに適用することができる材料としては、顔料を分散した樹脂、染料を含
む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜が挙げられる。

遮光層２６７ＢＭに適用することができる顔料としては、カーボンブラック、金属酸化物
、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を挙げることができる。

《突起》
突起２２５は、第１の発光素子２５０Ｒが発する光を反射する第１の側壁２２５ｓ（１）
と、第２の発光素子２５０Ｇが発する光を反射する第２の側壁２２５ｓ（２）と、を有す
る。すなわち、一の突起２２５は、２つの発光素子が発する光を反射することができる。

なお、発光パネル２００の第１の下部電極２５１Ｒは、発光性の有機化合物を含む層が発
する光を反射する反射膜２５１を備える。また、第２の下部電極２５１Ｇは、発光性の有
機化合物を含む層が発する光を反射する反射膜を備える。突起２２５は、反射膜２５１と
同じ材料を含む側壁を備えることができる。

例えば、発光性の有機化合物を含む層２５３が発する光に対し高い反射率（例えば８０％
以上好ましくは９０％以上より好ましくは９８％以上）を備える材料を第１の下部電極２
５１Ｒと、突起２２５の側壁に備える。これにより、隔壁の内部に進入した光を隔壁の外
部に反射し、隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する。

＜変形例１．＞
また、本実施の形態で例示する発光パネルの変形例について、図３を参照しながら説明す
る。

図３（Ａ）は本実施の形態で例示する発光パネルの変形例を説明する上面図である。

図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。

本実施の形態の変形例で例示する発光パネル２００Ｂは、突起２２５と隔壁２２８Ｂの構
成が異なる他は発光パネル２００（図２参照）と同じ構成を有する。よって、ここでは突
起２２５と隔壁２２８Ｂの構成について説明し、他の構成は発光パネル２００の説明を援
用する。なお、図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における断面は、図２（Ｃ）に図示する断
面と同じである。

本実施の形態の変形例で例示する発光パネル２００Ｂは、絶縁表面２２１上に第１の下部
電極に向かって傾斜する第１の側壁および第２の下部電極に向かって傾斜する第２の側壁
を具備する導電性の突起２２５を有する。

また、発光パネル２００Ｂは、第１の下部電極２５１Ｒの端部および第１の側壁２２５ｓ
（１）並びに第２の下部電極２５１Ｇの端部および第２の側壁２２５ｓ（２）に重なる透
光性の隔壁２２８Ｂを有する。なお、隔壁２２８Ｂは、開口部２２８Ｈにおいて第１の側
壁２２５ｓ（１）および第２の側壁２２５ｓ（２）の一部を覆わない。

また、隔壁２２８Ｂは、突起２２５と重なる開口部２２８Ｈを備える（図３（Ａ）参照）
。そして、突起２２５は、開口部２２８Ｈにおいて上部電極２５２と電気的に接続する。

これにより、上部電極２５２に電気的に接続される導電性の突起２２５は電流の経路とな
り、電流を上部電極２５２に均等に分配することができる。そして、上部電極２５２の電
気抵抗に起因する電圧降下を軽減し、電流を上部電極２５２に均一に流すことができる。

その結果、輝度のムラが軽減された発光パネルを提供できる。

また、本実施の形態の変形例で例示する発光パネル２００Ｂは、拡張部２２５Ｗと拡張部
２２５Ｗより絶縁表面２２１側に狭窄部２２５Ｎを、絶縁表面２２１と垂直に交わる断面
に備える突起２２５を有する（図３（Ｂ）参照）。

突起２２５の拡張部２２５Ｗの形状はひさし状ということができ、狭窄部２２５Ｎの形状
はくびれ状ということができる。

成膜速度の指向性が絶縁表面に垂直な方向について高い成膜方法を用いて、突起２２５が
設けられた絶縁表面に、発光性の有機化合物を含む層２５３を成膜することにより、発光
性の有機化合物を含む層２５３が成膜されない部分を、拡張部２２５Ｗの陰になる狭窄部
２２５Ｎに形成できる。

次いで、成膜速度の指向性が低い成膜方法を用いて、上部電極２５２を成膜することによ
り、拡張部２２５Ｗの陰になる狭窄部２２５Ｎにおいて、突起２２５と上部電極２５２を
電気的に接続することができる。

なお、成膜速度の指向性が高い成膜方法としては、蒸着源からの距離が約２０ｃｍ以上あ
る蒸着法が挙げられ、指向性が低い成膜方法としてはスパッタリング法が挙げられる。

この方法はシャドーマスク法を用いない。これにより、例えば基板の所定の位置にシャド
ーマスクを合わせる手間が省けるため、生産の効率を高めることができる。

その結果、エネルギー効率のよい発光パネルを提供できる。または、輝度のムラが軽減さ
れた発光パネルを提供できる。または、作製が容易な発光パネルを提供できる。

以下に、本実施の形態で例示する発光パネル２００Ｂに用いる隔壁２２８Ｂと突起２２５
の構成について説明する。

《突起》
本実施の形態の変形例に用いる突起２２５は導電性を有する。特に、導電性が上部電極２
５２より高い導電性を備えるものが好ましい。

また、突起２２５は上部電極２５２に沿って延在する構成が好ましい。

突起２２５に用いることができる材料としては、金属または金属で被覆された絶縁材料な
どが挙げられる。

《隔壁》
開口部２２８Ｈを備える他は、実施の形態１で説明する隔壁２２８と同じ構成を隔壁２２
８Ｂに適用することができる。

開口部２２８Ｈは突起２２５と重なる位置に設けられ、突起２２５が開口部２２８Ｈから
露出する。開口部２２８Ｈを４つの発光モジュールの間に配置する例を図３（Ａ）に示す
。

なお、複数の開口部２２８Ｈを一の突起に重なるように設けると好ましい。これにより、
上部電極２５２を一の突起２２５と複数の位置で電気的に接続することができる。このよ
うに接続された突起２２５は電力または電流を上部電極２５２に均等に供給することがで
きる。

開口部２２８Ｈは、電流が上部電極２５２に均等に流れるように設けるとよい。例えば、
発光パネル２００Ｂの全面に均等に設けてもよいし、不均等に設けてもよい。

具体的には、上部電極２５２に電力を供給することができる配線が、発光パネルの一辺に
偏って設けられている場合、当該配線から遠ざかるほど高い頻度で開口部２２８Ｈを設け
る構成としてもよい。

＜変形例２．＞
また、本実施の形態で例示する発光パネルの変形例２について、図４を参照しながら説明
する。

図４は本実施の形態で例示する発光パネルの変形例２を説明する断面図である。

図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。図４（Ｂ）は図３（
Ａ）の切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。

本実施の形態の変形例２で例示する発光パネル２００Ｃは、突起２２５Ｃの構成が異なる
他は発光パネル２００Ｂ（図３参照）と同じ構成を有する。よって、ここでは突起２２５
Ｃの構成について説明し、他の構成は発光パネル２００Ｂの説明を援用する。

本実施の形態の変形例で例示する発光パネル２００Ｃは、第１の下部電極２５１Ｒは発光
性の有機化合物を含む層２５３が発する光を反射する反射膜２５１を備える。また、突起
２２５Ｃは、反射膜２５１と同じ材料を含む膜を拡張部２２５Ｗに備える（図４（Ｂ）参
照）。

＜変形例３．＞
また、本実施の形態で例示する発光パネルの変形例３について、図５を参照しながら説明
する。

図５は本実施の形態で例示する発光パネルの変形例３を説明する断面図である。

図５（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。図５（Ｂ）は図３（
Ａ）の切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。

本実施の形態の変形例３で例示する発光パネル２００Ｄは、突起２２５Ｄおよび絶縁表面
２２１Ｄの構成が異なる他は発光パネル２００Ｂ（図３参照）と同じ構成を有する。よっ
て、ここでは突起２２５Ｄおよび絶縁表面２２１Ｄについて説明し、他の構成は発光パネ
ル２００Ｂの説明を援用する。

本実施の形態の変形例で例示する発光パネル２００Ｄは、発光性の有機化合物を含む層２
５３が発する光を反射する反射膜２５１を第１の下部電極２５１Ｒに備える。また、突起
２２５Ｄは、反射膜２５１と同じ材料を含む膜を側壁２２５ｓ（１）に備える（図５（Ａ
）参照）。

発光性の有機化合物を含む層２５３が発する光に対し高い反射率（例えば８０％以上好ま
しくは９０％以上より好ましくは９８％以上）を備える材料を第１の下部電極２５１Ｒと
、突起２２５Ｄの側壁に備える。これにより、隔壁の内部に進入した光を隔壁の外部に反
射し、隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する。

また、発光パネル２００Ｄは、隔壁２２８の開口部２２８Ｈに凹部２２１ｅが形成された
絶縁表面２２１Ｄを有する。なお、凹部２２１ｅは、突起２２５Ｄの下に広がり、一部が
重なる。これにより、発光パネル２００Ｄは、突起２２５Ｄを含む拡張部２２５Ｗと、凹
部２２１ｅに隣接する絶縁表面２２１Ｄにより形成される狭窄部２２５Ｎとを有する。

拡張部２２５Ｗの形状はひさし状ということができ、狭窄部２２５Ｎの形状はくびれ状と
いうことができる。

＜変形例４．＞
また、本実施の形態で例示する発光パネルの変形例４について、図１２を参照しながら説
明する。

図１２は本実施の形態で例示する発光パネルの変形例４を説明する断面図である。

図１２（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。また、図１２（Ｂ
−１）および図１２（Ｂ−２）は図３（Ａ）の切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。

本実施の形態の変形例４で例示する発光パネル２００Ｅは、突起２２５Ｅの構成および絶
縁表面２２１Ｅの構成が異なる他は、発光パネル２００Ｂ（図３参照）と同じ構成を有す
る。よって、ここでは突起２２５Ｅおよび絶縁表面２２１Ｅの構成について説明し、他の
構成は発光パネル２００Ｂの説明を援用する。

本実施の形態の変形例で例示する発光パネル２００Ｅは、発光性の有機化合物を含む層２
５３が発する光を反射し且つ導電性を有する反射膜２５１を第１の下部電極２５１Ｒに備
える。また、突起２２５Ｅは樹脂を含む心材部２２５ｅと反射膜２５１と同じ材料を含む
膜を側壁２２５ｓ（１）に備える。（図１２参照）。

下部電極上に設けられる発光性の有機化合物を含む層が発する光に対し高い反射率（例え
ば８０％以上好ましくは９０％以上より好ましくは９８％以上）を備える材料を、第１の
下部電極２５１Ｒと、突起２２５Ｅの側壁に備える。これにより、隔壁の内部に進入した
光を隔壁２２８の外部に反射し、隔壁の内部で著しく減衰または消失する現象を抑制する
。

また、樹脂を突起２２５Ｅの心材部２２５ｅに適用することにより、金属を適用する場合
に比べて容易に高さの高い突起２２５を形成することができる。心材部２２５ｅに用いる
ことができる樹脂としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂またはこれらから選択された複数の樹脂の複合体
が挙げられる。または、感光性の樹脂を用いることができる。

発光パネル２００Ｅは透光性の隔壁２２８の内部に突起２２５Ｅ備える。突起２２５Ｅに
ある側壁２２５ｓ（１）の、反射膜２５１と同じ材料を含む膜は、第１の下部電極２５１
Ｒと分離され、第１の下部電極２５１Ｒから電気的に絶縁されている。

また、本実施の形態の変形例４で例示する他の発光パネル２００Ｅ（２）は、透光性の隔
壁２２８の内部に突起２２５Ｅ（２）を備える（図１２（Ｃ）参照）。図１２（Ｃ）は図
３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。

突起２２５Ｅ（２）は、樹脂等を含む絶縁性の心材部２２５ｅと、第１の下部電極２５１
Ｒ側から延在する反射膜２５１を側壁２２５ｓ（１）に、第２の下部電極２５１Ｇ側から
延在する反射膜２５１を側壁２２５ｓ（２）に備える。なお、側壁２２５ｓ（１）の反射
膜２５１と、側壁２２５ｓ（２）の反射膜２５１は、互いに分離されることにより、電気
的に絶縁されている。この構成によれば、下部電極と突起の間隔を狭めることができる。
これにより、隔壁２２８の面積を小さく、発光素子の面積を大きくすることができる。

発光パネル２００Ｅ（２）は、心材部２２５ｅの下端から絶縁表面２２１Ｅの凹部２２１
ｅに重なるように延在する反射膜２５１を、隔壁２２８の開口部２２８Ｈに有する（図１
２（Ｂ−１）参照）。

また、発光パネル２００Ｅは、凹部２２１ｅが形成された絶縁表面２２１Ｅを隔壁２２８
の開口部２２８Ｈに有する。

これにより、発光パネル２００Ｅは、延在する反射膜２５１と同じ材料を含む膜を含む拡
張部２２５Ｗと、凹部２２１ｅに隣接する絶縁表面２２１Ｅにより形成される狭窄部２２
５Ｎとを有する。

なお、発光パネル２００Ｅの変形例として、拡張部２２５Ｗと狭窄部２２５Ｎを、エッチ
ングがされやすい膜が基板側に積層された反射膜を用いて形成することもできる（図１２
（Ｂ−２）参照）。この場合は、絶縁表面に凹部を設けなくてもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルの作製方法について、図６乃至図８を参
照しながら説明する。

図６は本発明の一態様の発光パネルに適用可能な突起と隔壁の作製方法を説明する断面図
である。具体的には、発光パネル２００Ｂに適用することができる突起２２５および隔壁
２２８Ｂの作製方法を説明する図である。

なお、図６（Ａ−１）乃至（Ｅ−１）は図３（Ａ）に示す上面図の切断線Ｘ１−Ｘ２にお
ける断面を説明する図であり、図６（Ａ−２）乃至（Ｅ−２）は切断線Ｙ１−Ｙ２におけ
る断面を説明する図である。

本実施の形態では、突起２２５と隔壁２２８Ｂを、あらかじめガラス基板上に形成された
絶縁膜の絶縁表面２２１に作製する場合について、図６を参照しながら説明する。なお、
画素回路がガラス基板上に設けられていてもよい。そして、当該画素回路と下部電極を電
気的に接続するための開口部が、絶縁膜に設けられていてもよい。

＜第１のステップ＞
第１のステップにおいて、反射膜２５１を形成する。

可視光を反射する膜を、絶縁表面２２１上に成膜する。例えば、金属膜を、スパッタリン
グ法等を用いて成膜する。

具体的には、厚さ５０ｎｍのチタン膜、厚さ２００ｎｍのアルミニウム膜および厚さ５ｎ
ｍのチタン膜を、スパッタリング法を用いて絶縁膜の開口部と絶縁表面２２１にこの順に
積層する。

次いで、レジストマスクを第１のフォトマスクを用いて形成する。不要な部分をエッチン
グ法により除去し、反射膜２５１を形成する。なお、反射膜２５１は開口部を介して画素
回路と電気的に接続され、後に形成する下部電極に電力を供給する。

＜第２のステップ＞
第２のステップにおいて、反射膜２５１を覆う保護膜２２３を形成する（図６（Ａ−１）
および図６（Ａ−２）参照）。

なお、保護膜２２３は、突起２２５の形成するための第３のステップにおいて反射膜２５
１を保護するための膜である。そして、突起２２５の形成後に選択的に除去される。従っ
て、反射膜２５１から選択的に除去することができる材料を、保護膜２２３に用いる。保
護膜２２３に用いることができる材料としては、例えば金属酸化物等を挙げることができ
る。

例えば、保護膜２２３になる膜を、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成する。

具体的には、厚さ１００ｎｍの珪素を含むインジウムスズ酸化物膜を、スパッタリング法
を用いて反射膜２５１を覆うように成膜する。

＜第３のステップ＞
第３のステップにおいて、傾斜する側壁を有する突起を、保護膜２２３上に形成する（図
６（Ｂ−１）および図６（Ｂ−２）参照）。

可視光を反射する膜を、スパッタリング法等を用いて保護膜２２３上に成膜する。例えば
、アルミニウムや銀等、可視光に対し高い反射率を有する金属を用いることができる。ま
た、融点の高い金属（例えば、チタン、モリブデン等）を積層して用いることができる。
なお、本実施の形態では、膜２２５ａと膜２２５ａよりエッチングされにくい膜２２５ｂ
および膜２２５ｃを膜２２５ａに積層する。これにより、ステップ４において膜２２５ａ
を狭窄部とすることができ、膜２２５ｂを拡張部とすることができる。

具体的には、膜２２５ｃとして厚さ１００ｎｍのチタン膜、膜２２５ａとして厚さ１００
０ｎｍのアルミニウム膜および膜２２５ｂとして厚さ１００ｎｍのチタン膜を、この順に
スパッタリング法を用いて保護膜２２３上に積層する。

次いで、レジストマスク２９１を第２のフォトマスクを用いて形成する。そして、可視光
を反射する膜の不要な部分をエッチング法により除去し、傾斜する側壁を備える突起２２
５を形成する。

なお、レジストマスク２９１の端部の厚さをなだらかな傾きで薄くなるように形成する。
例えば、レジストマスク２９１の厚さを薄くする、または／およびベーク温度を高くする
。このような形状のレジストマスク２９１を用いることにより、レジストマスク２９１の
端部を後退させながら、膜２２５ａ、膜２２５ｂおよび膜２２５ｃを除去できる。その結
果、傾斜する側壁を突起２２５に設けることができる。

次いで、レジストマスク２９１を除去し、その後、突起２２５と重ならない部分にある保
護膜２２３を除去する。

＜第４のステップ＞
第４のステップにおいて、拡張部２２５Ｗと狭窄部２２５Ｎを突起２２５に形成する（図
６（Ｃ−１）および図６（Ｃ−２）参照）。

レジストマスクを第３のフォトマスクを用いて形成し、反射膜２５１を保護する。

次いで、狭窄部になる膜２２５ａを選択的にエッチングし、狭窄部２２５Ｎを形成する。
また、膜２２５ｂはエッチングされにくいため、拡張部２２５Ｗが形成される。

具体的には、厚さ１０００ｎｍのアルミニウム膜を、硝酸、酢酸またはリン酸を含むエッ
チング液を用いてエッチングする。ウエットエッチング法を用いると、エッチングは等方
的に進行するため、傾斜する側壁を後退させることができる。

＜第５のステップ＞
第５のステップにおいて、下部電極を形成する（図６（Ｄ−１）および図６（Ｄ−２）参
照）。

なお、本実施の形態では、厚さが８２ｎｍの第１の下部電極２５１Ｒを厚さが３７ｎｍの
第１の層、厚さが４０ｎｍの第２の層および厚さが５ｎｍの第３の層を積層して形成し、
厚さが４５ｎｍの第２の下部電極２５１Ｇを第２の層および第３の層を積層して形成し、
図示されていない厚さが５ｎｍの第３の下部電極を第３の層で形成する場合について説明
する。

第１の層になる透光性を有する導電膜を、反射膜２５１上にスパッタリング法またはゾル
ゲル法等を用いて成膜する。

具体的には、厚さ３７ｎｍの珪素を含むインジウムスズ酸化物膜を、スパッタリング法を
用いて反射膜２５１を覆って成膜する。

次いで、レジストマスクを第４のフォトマスクを用いて形成する。そして、不要な部分を
エッチング法により除去し、第１の層を第１の下部電極２５１Ｒが形成される反射膜２５
１上に重ねて形成する。

第２の層になる透光性を有する導電膜を、第１の層と反射膜２５１上にスパッタリング法
またはゾルゲル法等を用いて成膜する。

具体的には、厚さ４０ｎｍの珪素を含むインジウムスズ酸化物膜を、スパッタリング法を
用いて第１の層と反射膜２５１を覆って成膜する。

次いで、レジストマスクを第５のフォトマスクを用いて形成する。そして、不要な部分を
エッチング法により除去し、第２の層を第１の下部電極２５１Ｒと第２の下部電極２５１
Ｇが形成される反射膜２５１上に重ねて形成する。

第３の層になる透光性を有する導電膜を、第２の層と反射膜２５１上にスパッタリング法
またはゾルゲル法等を用いて成膜する。

具体的には、厚さ５ｎｍの珪素を含むインジウムスズ酸化物膜を、スパッタリング法を用
いて第２の層と反射膜２５１を覆って成膜する。

次いで、レジストマスクを第６のフォトマスクを用いて形成する。そして、不要な部分を
エッチング法により除去し、第３の層を第１の下部電極２５１Ｒ、第２の下部電極２５１
Ｇおよび図示されていない第３の下部電極が形成される反射膜２５１上に重ねて形成する
（図６（Ｄ−１）および図６（Ｄ−２）参照）。

＜第６のステップ＞
第６のステップにおいて、下部電極の端部および突起２２５の側壁に重なる透光性の隔壁
２２８を形成する。また、スペーサ２２９を隔壁２２８に重ねて形成する。

可視光を透過する膜を、第１の下部電極２５１Ｒ、第２の下部電極２５１Ｇおよび図示さ
れていない第３の下部電極の端部並びに突起２２５の側壁を覆うように成膜する。例えば
、有機膜をコーティング法、印刷法またはインクジェット法等を用いて成膜する。または
、無機膜をゾルゲル法またはＣＶＤ法等を用いて成膜する。

具体的には、感光性のポリイミドを含む膜を成膜する。そして、開口部を、第１の下部電
極２５１Ｒ、第２の下部電極２５１Ｇおよび第３の下部電極並びに突起２２５に重なる位
置に、第７のフォトマスクを用いて形成する。なお、隔壁２２８の厚さを、例えば１．５
μｍにする。

また、スペーサ２２９は隔壁２２８と同様な材料および方法を用いて形成できる。

具体的には、感光性のポリイミドを含む膜を成膜する。そして、隔壁２２８に重なる位置
に、第８のフォトマスクを用いて形成する（図６（Ｅ−１）および図６（Ｅ−２）参照）
。なお、スペーサ２２９の厚さを、例えば２．０μｍにする。

以上の第１のステップから第６のステップを有する方法により、発光パネル２００Ｂに適
用することができる突起２２５および隔壁２２８を作製できる。

＜第７のステップ＞
第７のステップにおいて、第１の発光素子２５０Ｒを第１の下部電極２５１Ｒを用いて作
製し、第２の発光素子２５０Ｇを第２の下部電極２５１Ｇを用いて作製する（図２（Ｃ）
参照）。なお、発光素子に用いることができる材料および発光素子の作製方法は実施の形
態５に詳細に説明する。

下部電極上に発光性の有機化合物を含む層２５３と半透過・半反射性を有する上部電極２
５２をこの順に形成する。

例えば、下部電極側に第１の発光ユニット、中間層および第２の発光ユニットをこの順に
積層して、発光性の有機化合物を含む層２５３を形成することができる。

例えば、発光性の有機化合物を含む層２５３を、絶縁表面２２１に垂直な方向について指
向性が強い成膜方法を用いて突起２２５が設けられた絶縁表面２２１に向けて成膜する。
これにより、発光性の有機化合物を含む層２５３が成膜されない部分を、拡張部２２５Ｗ
の陰になる狭窄部２２５Ｎに形成できる（図３（Ｂ）参照）。

なお、指向性の強い成膜方法としては、蒸着源からの距離が約２０ｃｍ以上ある蒸着法が
挙げられ、指向性の弱い成膜方法としてはスパッタリング法が挙げられる。

また、青色を呈する光を発する蛍光性の有機化合物を含む層を第１の発光ユニットに、緑
色を呈する光を発する燐光性の有機化合物を含む層および赤色を呈する光を発する燐光性
の有機化合物を含む層をこの順に第２の発光ユニットに設ける。

例えば、上部電極２５２を、金属薄膜を光が透過する程度の厚さで成膜し、これに透光性
と導電性を備える金属酸化物膜を積層することにより形成することができる。

具体的には、マグネシウムと銀を厚さが５ｎｍになるように共蒸着し、スパッタリング法
を用いてインジウムスズ酸化物膜を７０ｎｍになるように成膜する。なお、スパッタリン
グ法は指向性が弱いため、拡張部２２５Ｗの陰になる狭窄部２２５Ｎにおいて、突起２２
５と上部電極２５２を電気的に接続することができる。

＜第８のステップ＞
第８のステップにおいて、発光素子および発光素子と対向基板２７０に接する光学接合層
２６０を、絶縁表面２２１と対向基板２７０の間に封止する（図３（Ｂ）参照）。

封止材を、発光素子を囲むように絶縁表面２２１または／および対向基板２７０に設ける
。そして、絶縁表面２２１と対向基板２７０を、封止材を用いて貼り合わせ、その間に発
光素子を封止する。

例えば、低融点のガラス層が発光素子を囲むように設けられた対向基板２７０を準備する
。絶縁表面２２１と封止材が接し且つ発光素子を絶縁表面２２１と対向基板２７０の間に
挟むように、対向基板２７０を配置する。この状態で、レーザビームを封止材に照射して
、封止材に含まれる低融点のガラスを溶融することにより、絶縁表面２２１と対向基板２
７０を融着して封止する。

また、光学接合層２６０に用いる流動性を有する材料を、インクジェット法、滴下法、コ
ーティング法または印刷法等を用いて、発光素子または／および対向基板２７０に塗布す
る。そして、封止材を用いて絶縁表面２２１と対向基板２７０を貼り合わせることにより
、流動性を有する材料を発光素子と共に封止する。

なお、着色層２６７Ｒ、着色層２６７Ｇおよび遮光層２６７ＢＭは、フォトリソグラフィ
法、インクジェット法または印刷法等を用いて対向基板２７０に形成できる。

また、低融点のガラスを含む層は、ディスペンサやスクリーン印刷法を用いて形成された
有機材料と低融点のガラスを含むペースト層から形成できる。例えば、半導体レーザをペ
ースト層に照射して局所的に加熱し、ペースト層に含まれる有機材料を焼きとばすことが
できる。この方法によれば、着色層や遮光層を形成した後に、低融点のガラスを含む層を
形成することができる。

＜変形例１＞
また、本実施の形態で例示する発光パネルの作製方法の変形例について、図７を参照しな
がら説明する。

図７は本発明の一態様の発光パネルに適用可能な突起と隔壁の作製方法を説明する断面図
である。具体的には、図４を用いて説明する発光パネル２００Ｃに適用することができる
突起２２５Ｃの作製方法を説明する図である。

なお、図７（Ａ−１）乃至（Ｅ−１）は図３（Ａ）に示す上面図の切断線Ｘ１−Ｘ２にお
ける断面を説明する図であり、図７（Ａ−２）乃至（Ｅ−２）は切断線Ｙ１−Ｙ２におけ
る断面を説明する図である。

本実施の形態の変形例で例示する発光パネルの作製方法は、突起２２５Ｃを、反射膜２５
１を形成する前に形成する点、拡張部２２５Ｗが反射膜２５１を含む点が、図６を参照し
ながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法とは異なる。よって、ここでは異なる方法
について説明し、同様の方法を用いることができる作製方法は、発光パネル２００Ｂの作
製方法の説明を援用する。

＜第１のステップ＞
第１のステップにおいて、傾斜する側壁を有する突起２２５Ｃを絶縁表面２２１上に形成
する（図７（Ａ−１）および図７（Ａ−２）参照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第３のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスク２９１を第１のフォトマスクを用いて形
成する。

＜第２のステップ＞
第２のステップにおいて、反射膜２５１を形成する（図７（Ｂ−１）および図７（Ｂ−２
）参照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第１のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第２のフォトマスクを用いて形成する
。

＜第３のステップ＞
第３のステップにおいて、下部電極を形成する（図７（Ｃ−１）および図７（Ｃ−２）参
照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第５のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第３のフォトマスク乃至第５のフォト
マスクを用いて形成する。

＜第４のステップ＞
第４のステップにおいて、拡張部２２５Ｗと狭窄部２２５Ｎを突起２２５Ｃに形成する（
図６（Ｃ−１）および図６（Ｃ−２）参照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第４のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第６のフォトマスクを用いて形成する
。

＜第５のステップ＞
第５のステップにおいて、下部電極の端部および突起２２５の側壁に重なる透光性の隔壁
２２８を形成する。また、スペーサ２２９を隔壁２２８に重ねて形成する。

第５のステップ以降は、図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説
明した第６のステップ以降と同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第７のフォトマスクを用いて形成する
。

＜変形例２＞
また、本実施の形態で例示する発光パネルの作製方法の変形例について、図８を参照しな
がら説明する。

図８は本発明の一態様の発光パネルに適用可能な突起と隔壁の作製方法を説明する断面図
である。具体的には、図５を用いて説明する発光パネル２００Ｄに適用することができる
突起２２５Ｄおよび隔壁２２８の作製方法を説明する図である。

なお、図８（Ａ−１）乃至（Ｅ−１）は図３（Ａ）に示す上面図の切断線Ｘ１−Ｘ２にお
ける断面を説明する図であり、図８（Ａ−２）乃至（Ｅ−２）は切断線Ｙ１−Ｙ２におけ
る断面を説明する図である。

＜第１のステップ＞
第１のステップにおいて、傾斜する側壁を有する突起２２５Ｄを絶縁表面２２１上に形成
する（図８（Ａ−１）および図８（Ａ−２）参照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第３のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスク２９１を第１のフォトマスクを用いて形
成する。

＜第２のステップ＞
第２のステップにおいて、反射膜２５１を形成する（図８（Ｂ−１）および図８（Ｂ−２
）参照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第１のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第２のフォトマスクを用いて形成する
。

＜第３のステップ＞
第３のステップにおいて、下部電極を形成する（図８（Ｃ−１）および図８（Ｃ−２）参
照）。

図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明した第５のステップと
同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第３のフォトマスク乃至第５のフォト
マスクを用いて形成する。

＜第４のステップ＞
第４のステップにおいて、下部電極の端部および突起２２５Ｄの側壁に重なる透光性の隔
壁２２８を形成する。また、スペーサ２２９を隔壁２２８に重ねて形成する（図８（Ｄ−
１）および図８（Ｄ−２）参照）。

第５のステップは、図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説明し
た第６のステップと同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態の変形例ではレジストマスクを第６のフォトマスクを用いて形成する
。

＜第５のステップ＞
第５のステップにおいて、絶縁表面２２１を、隔壁２２８をマスクに用いて除去する（図
８（Ｅ−１）および図８（Ｅ−２）参照）。

例えば、アッシング法を用いて絶縁表面２２１の一部を除去することにより、凹部２２１
ｅを形成することができる。

以上の第１のステップから第５のステップを有する方法により、発光パネル２００Ｄに適
用することができる突起２２５Ｄおよび絶縁表面２２１Ｄを形成できる。

＜第６のステップ＞
第６のステップにおいて、第１の発光素子２５０Ｒを第１の下部電極２５１Ｒを用いて作
製し、第２の発光素子２５０Ｇを第２の下部電極２５１Ｇを用いて作製する（図５（Ａ）
参照）。なお、発光素子に用いることができる材料および発光素子の作製方法は実施の形
態５に詳細に説明する。

第６のステップ以降は、図６を参照しながら説明する発光パネル２００Ｂの作製方法で説
明した第６のステップ以降と同様の方法を適用できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図９を参照しながら説明
する。

図９（Ａ）は本発明の一態様の発光装置の構造を説明する上面図である。

図９（Ｂ）は図９（Ａ）の一部を拡大して図示した上面図である。

＜上面図の説明＞
本実施の形態で例示する発光装置５００は表示領域５０１を有する（図９（Ａ）参照）。

表示領域５０１には、複数の画素５０２が設けられ、画素５０２には複数の副画素が設け
られている。また、副画素には、発光モジュールと発光モジュールを駆動する電力を供給
することができる画素回路が設けられている。

また、表示領域５０１には、一の方向に延在する突起５２５と一の突起に沿って複数の開
口部５２８Ｈが設けられている。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線およびデータ信号を供給することがで
きる配線と電気的に接続される。

また、発光装置５００は選択信号を供給することができる走査線駆動回路５０３ｇと、デ
ータ信号を供給することができるデータ線駆動回路５０３ｓを備える。

＜断面図の説明＞
発光装置５００は、基板５１０および基板５１０に対向して対向基板５７０を有する（図
９（Ｂ）参照）。また、副画素５０２Ｒおよびデータ線駆動回路５０３ｓを有する。対向
基板５７０は、基板５１０と封止材５０５を用いて貼り合わされている。また、画素回路
並びに第１の発光素子５５０Ｒを基板５１０と対向基板５７０の間に有する。

《副画素の構成》
発光装置５００は、第１の着色層５６７Ｒを対向基板５７０に有する。なお、第１の着色
層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第１の発光素子
５５０Ｒが発する光の一部は光学接合層５６０および第１の着色層５６７Ｒを透過して発
光装置５００の外部に射出される。

発光装置５００は、遮光層５６７ＢＭを対向基板５７０に有する。遮光層５６７ＢＭは、
第１の着色層５６７Ｒを囲むように設けられている。

発光装置５００は、第１の発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接して、光学接合
層５６０を有する。

第１の発光素子５５０Ｒ、光学接合層５６０および第１の着色層５６７Ｒは、発光モジュ
ール５８０Ｒを構成する。

なお、発光装置５００は、反射防止層５６７ｐを表示領域５０１に重なる位置に備える。

また、副画素５０２Ｒは、発光モジュール５８０Ｒに電力を供給することができるトラン
ジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。

発光装置５００は、第１の発光素子５５０Ｒを絶縁膜５２１上に有する。絶縁膜５２１は
トランジスタ５０２ｔを覆って設けられている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因す
る凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物がトランジスタ５
０２ｔ等に拡散する現象を抑制することができる層を積層した絶縁膜を絶縁膜５２１に適
用することができる。

発光装置５００は、絶縁膜５２１上に第１の下部電極５５１Ｒ、第１の下部電極５５１Ｒ
に向かって傾斜する側壁を具備する突起５２５と、第１の下部電極５５１Ｒの端部および
突起５２５の側壁に重なる透光性の隔壁５２８を有する（図９（Ｃ）参照）。

なお、発光モジュール５８０Ｒは第１の下部電極５５１Ｒ、上部電極５５２、第１の下部
電極５５１Ｒと上部電極５５２の間に発光性の有機化合物を含む層５５３を有する。また
、発光性の有機化合物を含む層５５３は、第１の発光ユニット５５３ａ、第２の発光ユニ
ット５５３ｂおよび第１の発光ユニット５５３ａと第２の発光ユニット５５３ｂの間に中
間層５５４を備える。

《データ線駆動回路の構成》
データ線駆動回路５０３ｓは、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。なお、
駆動回路を画素回路と同一基板上に、同一の工程で形成することもできる。

《他の構成》
発光装置５００は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１８が配線５
１１に設けられている。なお、端子５１８には、データ信号、同期信号等の信号を供給す
ることができるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０９が電気的に接続されて
いる。

なお、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書に
おける発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けら
れた状態をも含むものとする。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構
成について説明する。具体的には、一対の電極に発光性の有機化合物を含む層が挟持され
た発光素子の一例について、図１０を参照しながら説明する。

本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極、上部電極及び下部電極と上部電極の間に
発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。下部電極または上部電極の
いずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は下部電極と上部電極の間に設
けられ、該ＥＬ層の構成は下部電極と上部電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。以
下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれに限定されないことはい
うまでもない。

＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図１０（Ａ）に示す。図１０（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１
０１と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、Ｅ
Ｌ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。
注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する
。

本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層ま
たは積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例１は発光ユニットを１
つ備えるということができる。

発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく
、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）
物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正
孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。

発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図１０（Ｂ）に示す。図１０（Ｂ）に示す
発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、
電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層され
ている。

＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の一例を図１０（Ｃ）に示す。図１０（Ｃ）に例示する発光素子は、
陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。
さらに、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられてい
る。なお、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成
例１が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の
構成例１の記載を参酌できる。

中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域
以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電
子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファー１１０４ａが陰極１１０２側から順次積
層された構造を適用することができる。

中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０
２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４
ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２へ移動し、電子は電子リレー層１
１０４ｂへ移動する。電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域
１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファー１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入
バッファー１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニ
ット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生
した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファー１１０４ａを経て、発光ユニ
ット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。

また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子
注入バッファー１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしま
う等の相互作用を防ぐことができる。

当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極
に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間
層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからであ
る。

＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図１０（Ｄ）に示す。図１０（Ｄ）に例示する発光素子は、
陽極１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備えている
。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には
中間層１１０４が設けられている。

なお、陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図１０（Ｅ）に
例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の
発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の
発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目
の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を
設ける構成とする。

また、当該発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１
と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例３の中間層１１０
４には、上述の発光素子の構成例２と同様の構成が適用可能である。よって、詳細につい
ては、発光素子の構成例１、または発光素子の構成例２の記載を参酌できる。

発光ユニットの間に設けられた中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明す
る。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると
、中間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光
ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けら
れた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光
ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入
された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光
物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異な
る発光ユニットにおいて発光に至る。

なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成され
る場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの
一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発
生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。

発光素子の構成例１乃至構成例３は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、
発光素子の構成例３の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。

＜微小共振器を含む構成＞
なお、反射膜と反射膜に重なる半透過・半反射膜とで構成された微小共振器（マイクロキ
ャビティ）を、発光素子を挟むように配置してもよい。微小共振器の内部に発光素子を配
置することにより、発光素子が発する光が干渉し合い、特定の色を呈する光を効率よく取
り出すことができる。

なお、本明細書において半透過・半反射膜は入射する光の一部を透過し且つ反射する膜を
いう。また、微小共振器に用いる半透過・半反射膜は、光の吸収が少ない膜が好ましい。

取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存する。反射膜と半透過
・半反射膜の距離を調整するための光学調整層を、発光素子に設ける場合がある。

光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の
他、ＥＬ層を適用できる。

例えば、透光性を有する導電膜と反射膜の積層膜または透光性を有する導電膜と半透過・
半反射膜の積層膜を、光学調整層を兼ねる下部電極または上部電極に用いることができる
。

また、厚さが調整された中間層を光学調整層に用いてもよい。または、正孔輸送性の高い
物質と当該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性の物質を含み、その厚さが調整
された領域を光学調整層に用いてもよい。この構成の電気抵抗はＥＬ層を構成する他の構
成に比べて低い。これにより、光学調整のために厚さを厚くしても、発光素子の駆動電圧
の上昇を抑制できるため好ましい。

＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極
、陰極、並びにＥＬ層の順に説明する。

《１．陽極に用いることができる材料》
陽極１１０１は導電性を有する金属、合金、電気伝導性化合物等およびこれらの混合物の
単層または積層体で構成される。特に、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）
材料をＥＬ層に接する構成が好ましい。

金属、または合金材料としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）
、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（
Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料またはこれらを
含む合金材料が挙げられる。

電気伝導性化合物としては、例えば、金属材料の酸化物、金属材料の窒化物、導電性高分
子が挙げられる。

金属材料の酸化物の具体例として、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム−錫酸化物、チタンを含
有したインジウム−錫酸化物、インジウム−チタン酸化物、インジウム−タングステン酸
化物、インジウム−亜鉛酸化物、タングステンを含有したインジウム−亜鉛酸化物等が挙
げられる。また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステ
ン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。

金属材料の酸化物を含む膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法
などを応用して作製しても構わない。

金属材料の窒化物の具体例として、窒化チタン、窒化タンタル等が挙げられる。

導電性高分子の具体例として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（ス
チレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸
）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等が挙げられる。

なお、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大きさを
考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関
数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発
生領域および第１の電荷発生領域に適用することができる材料は、後述する。

《２．陰極に用いることができる材料》
陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域１１０４ｃを、発光ユニット１１０３との間に
設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることが
できる。

なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電
膜を用いて形成する。例えば、陰極１１０２または陽極１１０１の一方を、可視光を透過
する導電膜を用いて形成し、他方を、可視光を反射する導電膜を用いて形成すると、一方
の面に光を射出する発光素子を構成できる。また、陰極１１０２および陽極１１０１の両
方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成すると、両方の面に光を射出する発光素子を
構成できる。

可視光を透過する導電膜としては、例えば、インジウム−錫酸化物、珪素若しくは酸化珪
素を含有したインジウム−錫酸化物、チタンを含有したインジウム−錫酸化物、インジウ
ム−チタン酸化物、インジウム−タングステン酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、タング
ステンを含有したインジウム−亜鉛酸化物等が挙げられる。また、光を透過する程度（好
ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。

可視光を反射する導電膜としては、例えば金属を用いれば良く、具体的には、銀、アルミ
ニウム、白金、金、銅等の金属材料またはこれらを含む合金材料が挙げられる。銀を含む
合金としては、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げることができる。アル
ミニウムの合金としては、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金、アルミニウム−チタ
ン合金、アルミニウム−ネオジム合金等が挙げられる。

《３．ＥＬ層に用いることができる材料》
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下
に具体例を示す。

正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、
例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物
、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）
や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３
，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

なお、第２の電荷発生領域を用いて正孔注入層を形成してもよい。正孔注入層に第２の電
荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いる
ことができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１
の電荷発生領域と共に後述する。

《３．１正孔輸送層》
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正
孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性
の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、
発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物（例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（
１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ））
やカルバゾール誘導体（例えば、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フ
ェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ））などが挙げられる。また、高分子化
合物（例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ））等を用いることがで
きる。

《３．２発光層》
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層
以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることがで
きる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好まし
い。

発光物質として蛍光性化合物（例えば、クマリン５４５Ｔ）や燐光性化合物（例えば、ト
リス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３））等
を用いることができる。

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励
起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。

ホスト材料として用いることができる材料としては、上述の正孔輸送性の高い物質（例え
ば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、高分子化合物等）、後述の電子輸送性の
高い物質（例えば、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾ
ール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体等）などを用いることができる。

《３．３電子輸送層》
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電
子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性
の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、
発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子輸送性の高い物質としては、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯
体（例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ））、オキサゾー
ル系やチアゾール系配位子を有する金属錯体（例えば、ビス［２−（２−ヒドロキシフェ
ニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２））、その他の化合物（例え
ば、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ））などが挙げられる。また、高分子化合
物（例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリ
ジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ））等を用いることができる。

《３．４電子注入層》
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電
子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成
とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減で
きるため好ましい。

電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（
Ｃｓ））、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム（Ｃａ））、またはこれらの化合物（
例えば、酸化物（具体的には酸化リチウム等）、炭酸塩（具体的には炭酸リチウムや炭酸
セシウム等）、ハロゲン化物（具体的にはフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（
ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）））などが挙げられる。

また、電子注入性の高い物質を含む層を電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層（
具体的には、Ａｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものなど）で形成してもよい
。なお、電子輸送性の高い物質に対するドナー性物質の添加量の質量比は０．００１以上
０．１以下の比率が好ましい。

ドナー性の物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはこれら
の化合物の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッ
ケロセン等の有機化合物を用いることもできる。

《３．５電荷発生領域》
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とア
クセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高
い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層
とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第１の電荷発生領域を
陰極側に設ける積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接
する構造となり、第２の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプタ
ー性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。

なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．
０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。

電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表におけ
る第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリ
ブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している
。

また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カル
バゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー
等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ
以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の
高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

《電子リレー層》
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質
がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１
０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷
発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー
層が接する発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ
−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。

電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、ペリレン誘導体（例えば、３，４，９，
１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ））や、含窒素縮合芳香族
化合物（例えば、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカ
ルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ））などが挙げられる。

なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用
いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ
基などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおけ
る電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。

《電子注入バッファー》
電子注入バッファーは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入バッファー１１
０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３への電子の注入を容
易にする層である。電子注入バッファー１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発
光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。

電子注入性が高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、または
これらの化合物などが挙げられる。

また、電子注入性の高い物質を含む層を電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層で
形成してもよい。

＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。下部電極上にこれらの層を適宜組み合わ
せてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式
法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、転写法、印刷法、インクジェ
ット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用い
て形成してもよい。ＥＬ層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。

以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製するこ
とができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は
発光物質の種類を変えることにより選択できる。

また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて
、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含
む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈す
る光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、
あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。

さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるも
のが好ましく、例えば、一つの発光素子が、青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光
を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図１１を参照しながら説明する
。

本発明の一態様の電子機器は、本発明の一態様の発光モジュールを備える表示部を有し、
当該表示部に画像を表示できる。例えば、放送もしくは配信される映像情報または情報記
録媒体に保存された映像情報を表示できる。情報処理装置が処理した情報を表示できる。
または、操作パネル等に操作の用に供される画像を表示できる。

映像情報を表示する電子機器の一例として、テレビジョン装置やデジタルフォトフレーム
をその一例に挙げることができる。

情報処理装置の一例として、コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラまた
は携帯情報端末などを挙げることができる。

その他の電子機器として、時計、携帯電話機、携帯型ゲーム機および大型ゲーム機（パチ
ンコ機など）、音響再生装置の操作パネルなどを挙げることができる。

＜テレビジョン装置＞
テレビジョン装置７１００は、スタンド７１０５が支持する筐体７１０１に組み込まれた
表示部７１０３を有する（図１１（Ａ）参照）。また、本発明の一態様の発光モジュール
を備える表示部７１０３を有し、画像を表示できる。

リモートコントローラ７１１０は、テレビジョン装置７１００を操作することができ、例
えば表示部７１０３に表示する映像情報の選択または音量の調整等をすることができる。

リモートコントローラ７１１０は情報入出力パネル７１０７および操作キー７１０９等を
有する。

表示部７１０３に表示する映像は、放送または配信される情報を受信するための受信機や
モデムから供給される。

インターネットに接続し、情報を双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など
）に通信してもよい。

＜情報処理装置＞
情報処理装置の一例として、コンピュータを図１１（Ｂ）に示す。コンピュータは、本体
７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０
５、ポインティングデバイス７２０６等を備える。また、本発明の一態様の発光モジュー
ルを備える表示部７２０３を有し、画像を表示できる。

＜遊技機＞
携帯型遊技機の一例を図１１（Ｃ）に示す。例示する携帯型遊技機は、筐体７３０１と、
連結部７３０３により開閉可能に連結されている筐体７３０２の２つの筐体で構成されて
いる。筐体７３０１には第１の表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には第２の表
示部７３０５が組み込まれている。また、本発明の一態様の発光モジュールを備える第１
の表示部７３０４および第２の表示部７３０５を有し、画像を表示できる。

また、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段
（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速
度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、
電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機
能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。

記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して第１の表示部７３０４お
よび第２の表示部７３０５に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報
を共有する機能を有する。

＜携帯電話＞
携帯電話機の一例を図１１（Ｄ）に示す。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込
まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７
４０５、マイク７４０６などを備えている。また、本発明の一態様の発光モジュールを備
える表示部７４０２を有し、画像を表示できる。

表示部７４０２は、近接センサを有し、指などで触れるまたは近づけることで、情報を入
力することができる。

また、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けて、携
帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に
切り替えるようにすることができる。

表示部７４０２は、二次元型のイメージセンサとして機能させることもできる。例えば、
表示部７４０２に触れた掌の掌紋、指の指紋等、近赤外光を発光するバックライトまたは
センシング用光源を用いて撮像できる掌静脈、指静脈等の画像を用いて、本人認証を行う
ことができる。

＜携帯情報端末＞
折りたたみ式の携帯情報端末の一例を図１１（Ｅ）に示す。携帯情報端末７４５０は、ヒ
ンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、操作ボ
タン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、携帯情報端
末７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７
４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた表示部７４５２
Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、２つの表示部を筐体で保護する
ことができる。また、本発明の一態様の発光モジュールを備える表示部７４５２Ｌと表示
部７４５２Ｒを有し、画像を表示できる。

また、携帯情報端末７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏ
ｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、ビデオカメラを搭載することもできる。例
えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けること
で、携帯情報端末７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的
に切り替えるようにすることができる。

また、携帯情報端末７４５０はネットワークに接続できる。携帯情報端末７４５０はイン
ターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から
操作する端末として用いることができる。

＜照明装置＞
照明装置の一例を図１１（Ｆ）に示す。照明装置７５００は、筐体７５０１に組み込まれ
た発光装置７５０３ａ、発光装置７５０３ｂ、発光装置７５０３ｃおよび発光装置７５０
３ｄを備える。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。また、
本発明の一態様の発光モジュールを備える発光装置を有する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

本実施例では、本発明の一態様の発光パネルに適用可能な突起と隔壁の作製方法について
、図１３および図１４を参照しながら説明する。

なお、図１３（Ａ−１）乃至（Ｄ−１）は図３（Ａ）に示す上面図の切断線Ｘ１−Ｘ２に
おける断面を説明する図であり、図１３（Ａ−２）乃至（Ｄ−２）は切断線Ｙ１−Ｙ２に
おける断面を説明する図である。

図１３は本発明の一態様の発光パネルに適用可能な突起と隔壁の作製方法を説明する断面
図である。具体的には、突起２２５Ｆおよび隔壁２２８Ｆの作製方法を説明する図である
。なお、本実施例で実施した突起と隔壁の作製方法は、実施の形態３で説明した突起と隔
壁の作製方法の変形例と言うことができる。

図１４は、図１３を用いて説明する方法で作製した突起２２５Ｆと隔壁２２８Ｆの断面の
走査透過電子顕微鏡法による観察像（Ｚコントラスト像）の写真である。

本実施例では、突起２２５Ｆと隔壁２２８Ｆを、あらかじめガラス基板上に形成された画
素回路の絶縁膜の絶縁表面２２１に作製した。なお、当該画素回路と下部電極を電気的に
接続するための図示されていない開口部が、絶縁膜の絶縁表面２２１に設けられている。

＜第１のステップ＞
第１のステップにおいて、反射膜２５１を形成した。

具体的には、厚さ５０ｎｍのチタン膜、厚さ２００ｎｍのアルミニウム膜および厚さ５ｎ
ｍのチタン膜を、スパッタリング法を用いて絶縁膜の絶縁表面２２１と図示されていない
開口部とにこの順に積層した。

レジストマスクを形成し、ドライエッチング法により不要な部分を除去し、反射膜２５１
を形成した。なお、反射膜２５１は図示されていない開口部を介して画素回路と電気的に
接続され、後に形成する下部電極に電力を供給することができる。

＜第２のステップ＞
第２のステップにおいて、反射膜２５１を覆う保護膜２２３を形成した（図１３（Ａ−１
）および図１３（Ａ−２）参照）。

なお、保護膜２２３は、突起２２５Ｆを形成する第３のステップにおいて反射膜２５１を
保護するための膜である。

具体的には、厚さ１００ｎｍの珪素を含むインジウムスズ酸化物膜を、スパッタリング法
を用いて反射膜２５１を覆うように成膜し、レジストマスクを用いたエッチング法により
突起を形成する部分から除去した。

＜第３のステップ＞
第３のステップにおいて、傾斜する側壁を有する突起を、保護膜２２３上に形成する（図
１３（Ｂ−１）および図１３（Ｂ−２）参照）。

具体的には、厚さ１００ｎｍのチタン膜、厚さ１０００ｎｍのアルミニウム膜および厚さ
１００ｎｍのチタン膜を、この順にスパッタリング法を用いて保護膜２２３上に積層した
。

レジストマスクを形成し、エッチング法により可視光を反射する膜の不要な部分を除去し
、傾斜する側壁を備える突起２２５Ｆを形成した。なお、突起２２５Ｆは、チタンの膜２
２５ｃ、アルミニウムの膜２２５ａおよびチタンの膜２２５ｂがこの順で積層された構造
を有する。

次いで、レジストマスクを除去し、その後、保護膜２２３を除去した。

＜第４のステップ＞
第４のステップにおいて、下部電極を形成した。

具体的には、珪素を含むインジウムスズ酸化物膜を用いて、厚さが８２ｎｍの第１の下部
電極２５１Ｒ、厚さが４５ｎｍの第２の下部電極２５１Ｇおよび図示されていない厚さが
５ｎｍの第３の下部電極を作製した。

なお、珪素を含むインジウムスズ酸化物膜は、スパッタリング法を用いて反射膜２５１上
に成膜し、レジストマスクを用いたエッチング法により不要な部分を除去した。

＜第５のステップ＞
第５のステップにおいて、下部電極の端部および突起２２５Ｆの側壁に重なる透光性の隔
壁２２８Ｆを形成した。また、スペーサ２２９を隔壁２２８Ｆに重ねて形成した（図１３
（Ｃ−１）および図１３（Ｃ−２）参照）。

具体的には、感光性のポリイミドを含む膜を成膜した。そして、開口部を、第１の下部電
極２５１Ｒ、第２の下部電極２５１Ｇおよび図示されていない第３の下部電極並びに突起
２２５Ｆに重なる位置に形成した。

なお、隔壁２２８Ｆの厚さを１．５μｍにした。また、スペーサ２２９を隔壁２２８Ｆと
同じ材料を用いて形成し、高さを２．０μｍにした。

＜第６のステップ＞
第６のステップにおいて、拡張部２２５Ｗと狭窄部２２５Ｎを突起２２５Ｆに形成した（
図６（Ｄ−１）および図６（Ｄ−２）参照）。

開口部にある突起２２５Ｆを除いた部分を保護するレジストマスク（図示せず）を形成し
、開口部にある突起２２５Ｆのアルミニウムの膜２２５ａを、硝酸およびリン酸を含むエ
ッチング液を用いて選択的にウエットエッチングした。

エッチングされにくいチタンの膜２２５ｂを含む拡張部２２５Ｗと、アルミニウムの膜２
２５ａを含む狭窄部２２５Ｎを突起２２５Ｆに形成することができた。その後、レジスト
マスクを除去した。

以上の第１のステップから第６のステップを有する方法により作製した突起２２５Ｆおよ
び隔壁２２８Ｆの断面の、走査透過電子顕微鏡法を用いた観察像（Ｚコントラスト像）の
写真を図１４に示す。

このように、下部電極に向かって６８．６°の角度で傾斜する側壁を備える突起２２５Ｆ
を形成できた。

また、狭窄部からひさし状に１２０７ｎｍ延在する拡張部を形成することができた。

本実施例では、本発明の一態様の発光パネルに適用可能な突起と隔壁について、図１５を
参照しながら説明する。具体的には、実施の形態２の変形例４で説明した構造を有する突
起と隔壁を作製した結果を説明する。

なお、図１５は、本実施例で作製した突起と隔壁の断面の走査透過電子顕微鏡法による観
察像（Ｚコントラスト像）の写真である。

本実施例では、隔壁２２８Ｅおよび突起２２５Ｅまたは突起２２５Ｅ（２）を、あらかじ
めガラス基板上に形成された画素回路の絶縁膜の絶縁表面２２１Ｅ上に作製した。なお、
心材部２２５ｅを感光性のポリイミドを用いて形成した。

このように、下部電極に向かって６８．９°の角度で傾斜する側壁を備える突起２２５Ｅ
を形成できた（図１５（Ａ）参照）。また、下部電極に向かって４４．４°の角度で傾斜
する側壁を備える突起２２５Ｅを形成できた（図１５（Ｂ）参照）。このように、樹脂を
突起の心材部２２５ｅに含ませることにより、多様な角度で傾斜する側壁を備える突起を
提供できる。

２００ 発光パネル
２００Ｂ 発光パネル
２００Ｃ 発光パネル
２００Ｄ 発光パネル
２００Ｅ 発光パネル
２０１ 領域
２０２ 領域
２２１ 絶縁表面
２２１Ｄ 絶縁表面
２２１Ｅ 絶縁表面
２２１ｅ 凹部
２２３ 保護膜
２２５ 突起
２２５ａ 膜
２２５Ａ 突起
２２５ｂ 膜
２２５ｃ 膜
２２５Ｃ 突起
２２５Ｄ 突起
２２５ｅ 心材部
２２５Ｅ 突起
２２５Ｅ（２） 突起
２２５Ｆ 突起
２２５Ｎ 狭窄部
２２５ｓ 側壁
２２８ 隔壁
２２８Ｂ 隔壁
２２８Ｅ 隔壁
２２８Ｆ 隔壁
２２８Ｈ 開口部
２２９ スペーサ
２５０Ｇ 発光素子
２５０Ｒ 発光素子
２５１ 反射膜
２５１Ｒ 第１の下部電極
２５１Ｇ 第２の下部電極
２５１ｓ 側壁
２５２ 上部電極
２５３ 発光性の有機化合物を含む層
２６０ 光学接合層
２６７ＢＭ 遮光層
２６７Ｇ 着色層
２６７ｐ 反射防止層
２６７Ｒ 着色層
２７０ 対向基板
２８０Ｇ 発光モジュール
２８０Ｒ 発光モジュール
２８０ＲＡ 発光モジュール
２９１ レジストマスク
５００ 発光装置
５０１ 表示領域
５０２ 画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｓ データ線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ 封止材
５１０ 基板
５１１ 配線
５１８ 端子
５２１ 絶縁膜
５２５ 突起
５２８ 隔壁
５２８Ｈ 開口部
５５１Ｒ 第１の下部電極
５５２ 上部電極
５５３ａ 発光ユニット
５５３ｂ 発光ユニット
５５３ 発光性の有機化合物を含む層
５５４ 中間層
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 光学接合層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 対向基板
５８０Ｒ 発光モジュール
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファー
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１３ 正孔注入層
１１１４ 正孔輸送層
１１１５ 発光層
１１１６ 電子輸送層
１１１７ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 情報入出力パネル
７１０９ 操作キー
７１１０ リモートコントローラ
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４５０ 携帯情報端末
７４５１Ｌ 筐体
７４５１Ｒ 筐体
７４５２Ｌ 表示部
７４５２Ｒ 表示部
７４５３ 操作ボタン
７４５４ ヒンジ
７４５５Ｌ 左側スピーカ
７４５５Ｒ 右側スピーカ
７４５６ 外部接続ポート
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ 発光装置
７５０３ｂ 発光装置
７５０３ｃ 発光装置
７５０３ｄ 発光装置

Claims (1)

1. 絶縁表面上の第１の電極と、
   前記第１の電極上の発光層と、
   前記発光層上の第２の電極と、
   前記絶縁表面上の導電膜と、
   前記第２の電極上、及び前記導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の電極の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域と、前記第１の絶縁膜と接しない領域と、を有し、
   前記第２の電極の側面は、前記第１の絶縁膜と接する発光モジュール。