JP2019217530A - 接合基板の製造方法及び接合基板 - Google Patents
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Abstract
Description
11 真空チャンバ
12 上側ステージ
12A 静電チャック
12B 圧接機構
13 下側ステージ
14,15 高速原子ビーム源
15a アルゴンビーム(高速原子ビーム)
17 圧電基板
18 支持基板
19 接合層
20,50 接合基板
21 絶縁層
Claims (6)
- タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか1つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか1つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板とを常温接合して製造した接合基板の製造方法であって、
前記支持基板に高速原子ビームを照射して、前記半導体材料をスパッタリングすることにより、前記圧電基板に前記半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料からなる接合層を形成する工程と、
前記接合層を介して、前記圧電基板と前記支持基板とを圧接する工程と、
を備えることを特徴とする接合基板の製造方法。 - 前記接合層を形成する工程では、前記接合層は、1(nm)以上100(nm)以下の厚みに形成されることを特徴とする請求項1に記載の接合基板の製造方法。
- 前記接合層を形成する工程の前に、
前記圧電基板に、前記半導体材料の酸化物または窒化物からなる絶縁層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の接合基板の製造方法。 - タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか1つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか1つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板と、前記支持基板の前記半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料で前記圧電基板の上に形成される接合層とを備え、前記接合層を介して、前記圧電基板と前記支持基板とが常温接合されたことを特徴とする接合基板。
- 前記接合層は、1(nm)以上100(nm)以下の厚みに形成されることを特徴とする請求項4に記載の接合基板。
- 前記圧電基板と前記接合層との間に、前記半導体材料の酸化物または窒化物からなる絶縁層を備えることを特徴とする請求項4または5に記載の接合基板。
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