JP2019215488A - 電気光学変調器 - Google Patents
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Abstract
Description
前記SIS型接合の幅方向に直交する偏光成分を有する光が前記誘電体層に入射され、該入射する光の波長をλ、前記電気光学変調器の入射光に対する実効屈折率をneffとした時、前記SIS型接合の幅が、λ/neff以下であることを特徴とする。
図3は、本発明の一実施形態に係る電気光学変調器の一例を示す断面図である。ここでは、第1の導電型をp型、第2の導電型をn型として説明するが、逆に第1の導電型をn型、第2の導電型をp型としてもよい。
本発明では、実効屈折率の変化量を大きくできる結果、所望の位相変化量Δθを得るためのアクティブ層の長さLを短くすることができる。
最大空乏層厚Xdは、熱平衡状態では下記数式(4)で与えられる。
図9−1及び図9−2における工程(a)−(i)は、図7に示す電気光学変調器を形成する方法の一例を示す工程断面図である。
図10はSIS接合型電気光変調器において、前記比較的薄い誘電体層として2nmのSiO2を採用した場合における、本発明に係るスロット光モードであるTM0モードの光を適用した場合(I)と、従来のTE0モードの光を適用した場合(II)の光変調効率(VπL)のSIS型接合の幅依存性を示すグラフである。この時、光変調効率の性能指標であるVπLは、変調効率が高い時により小さい値となる。また、この例において、SIS型接合の幅は導波路幅と同等とした。また、0.4μmにおいて、おおよそλ/neffとなるものとする。なお、実際には波長λが1.31μmに対して実効屈折率neffが2.8程度のため、λ/neffは468nm程度となる。本発明のTM0モードを用いた場合(I)では、導波路幅を小さくしても比較的高い変調効率が得られることが分かる。つまり、従来の導波路幅を0.4μmとすると、その1/2である0.2μmでは、本発明(I)と従来例(II)とでは変調効率に明確な差が確認でき、さらにそれよりも狭くすると、本発明では多少の変調効率の低下で収まるのに対し、従来例では大きく低下していることが分かる。このように、本発明に係る電気光学変調器では、電気容量を顕著に小さくすることが可能となり、低消費電力化と広帯域化が実現可能であった。
(付記1)
第1の導電型を呈するようにドープ処理された第1の半導体層と第2の導電型を呈するようにドープ処理された第2の半導体層の少なくとも一部が積層された構造からなり、前記積層された両半導体層の界面に、誘電体層が形成されたSIS(semiconductor−insulator−semiconductor)型接合において、前記第1および第2の半導体層に結合された電極からの電気信号により、自由キャリアが、前記誘導体層の両側で蓄積、除去、または反転することにより、光信号電界が感じる自由キャリア濃度が変調されることを利用した電気光学変調器であって、
前記SIS型接合の幅方向に直交する偏光成分を有する光が前記誘電体層に入射され、該入射する光の波長をλ、前記電気光学変調器の入射光に対する実効屈折率をneffとした時、前記SIS型接合の幅が、λ/neff以下であることを特徴とする電気光学変調器。
前記SIS型接合の幅が、λ/2neff以下である付記1に記載の電気光学変調器。
(付記3)
前記誘電体層に入射される光が該誘電体層に局在する光モードであるスロットモードの光であり、前記電気光学変調器の入力側に該スロットモード以外の光を該スロットモードに変換する第1の光モード変換器を備えることを特徴とする付記1又は2に記載の電気光学変調器。
(付記4)
前記電気光学変調器の出力側に、前記スロットモードの光を前記スロットモード以外の光に変換する第2の光モード変換器を備えることを特徴とする付記3に記載の電気光学変調器。
(付記5)
前記SIS型接合の幅方向が前記第1の半導体層を支持する基板面に平行な方向であり、前記スロットモードの光が0次の横方向磁界(TM0)モードの光であり、前記前記スロットモード以外の光が0次の横方向電界(TE0)モードの光である付記3又は4に記載の電気光学変調器。
前記第1および第2の半導体層に結合された電極は、前記第1および第2の半導体層にそれぞれ同一導電型の不純物を前記第1および第2の半導体層よりも高濃度にドープ処理された第1及び第2コンタクト領域に接続される第1電極と第2電極とを有する付記1〜5に記載の電気光学変調器。
(付記7)
前記第1の半導体層は、リブ導波路構造を有し、前記誘電体層は、該リブ導波路上部に形成されていることを特徴とする付記6に記載の電気光学変調器。
(付記8)
前記第1コンタクト領域が前記リブ導波路構造の高さと同じ高さに形成される付記7に記載の電気光学変調器。
(付記9)
前記第1あるいは第2の半導体層が、前記SIS型接合の幅方向に対して直交する方向に前記SIS型接合の幅からテーパー状に広がる部分を有することを特徴とする付記1〜8に記載の電気光学変調器。
前記誘電体層が、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、希土類酸化物、電気光学効果を有する強誘電体膜から選択されるいずれか1種類、あるいはこれらの少なくとも2種類からなる混合物または積層膜であることを特徴とする付記1〜9に記載の電気光学変調器。
(付記11)
前記第1及び第2の半導体層が、多結晶シリコン、歪シリコン、単結晶シリコン、Si1−xGex(0<x≦0.9)、化合物半導体からなる群から選択される少なくとも一層を含むことを特徴とする付記1〜10に記載の電気光学変調器。
(付記12)
前記第1の半導体層がシリコン層と該シリコン層と前記誘電体層間に形成されたSi1−xGex(0<x≦0.9)層とを含む付記10に記載の電気光学変調器。
(付記13)
前記第1の半導体層がシリコンを含む層であり、前記第2の半導体層が化合物半導体を含む層である付記11又は12に記載の電気光学変調器。
(付記14)
前記誘電体層に入射する光の電界方向に平行な方向に、前記第1あるいは第2の半導体層の結晶方位が自由キャリアの有効質量が小さい結晶方位となるように選択されることを特徴とする付記1〜13に記載の電気光学変調器。
(付記15)
前記電気光学変調器は、SOI基板上に形成されており、前記第1の半導体層が該SOI基板の一半導体層であり、該SOI基板の埋め込み酸化物層を下部クラッドとし、前記第2の半導体層とともに前記第1の半導体層を覆う上部クラッドとなる酸化物クラッドを有することを特徴とする付記1〜14に記載の電気光学変調器。
(付記16)
それぞれ平行に配置された第1及び第2のアームと、該第1及び第2のアームの入力側と光結合された光分岐構造と、該第1及び第2のアームの出力側と光結合された光合波構造とを備えたマッハ・ツェンダー干渉計であって、
前記第1及び第2のアームが、付記1〜15に記載の電気光学変調器を含むことを特徴とするマッハ・ツェンダー干渉計。
2 埋め込み酸化層
3 SOI基板
4 第1の半導体層
5 第2の半導体層
6 第1コンタクト領域
7 第2コンタクト領域
8 酸化物クラッド
9 第1電極
10 第2電極
11 誘電体層
12 電気光学変調器に入射する光の偏光方向
13 SiGe層
20 方向性結合器
21 TE0導波路
22 TE1導波路
23 光の滲みだし方向
30 モード変換部
31 導波路
32 上層部
33 導波路のテーパー先端部
50 マッハ・ツェンダー干渉計型光強度変調器
51 第1のアーム
52 第2のアーム
53 光分岐構造
54 光合波構造
55 第1の光モード変換器
56 位相変調部
57 第2の光モード変換器
58〜59 導波路
Claims (10)
- 第1の導電型を呈するようにドープ処理された第1の半導体層と第2の導電型を呈するようにドープ処理された第2の半導体層の少なくとも一部が積層された構造からなり、前記積層された両半導体層の界面に、誘電体層が形成されたSIS(semiconductor−insulator−semiconductor)型接合において、前記第1および第2の半導体層に結合された電極からの電気信号により、自由キャリアが、前記誘導体層の両側で蓄積、除去、または反転することにより、光信号電界が感じる自由キャリア濃度が変調されることを利用した電気光学変調器であって、
前記SIS型接合の幅方向に直交する偏光成分を有する光が前記誘電体層に入射され、該入射する光の波長をλ、前記電気光学変調器の入射光に対する実効屈折率をneffとした時、前記SIS型接合の幅が、λ/neff以下であることを特徴とする電気光学変調器。 - 前記SIS型接合の幅が、λ/2neff以下である請求項1に記載の電気光学変調器。
- 前記誘電体層に入射される光が該誘電体層に局在する光モードであるスロットモードの光であり、前記電気光学変調器の入力側に該スロットモード以外の光を該スロットモードに変換する第1の光モード変換器を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学変調器。
- 前記電気光学変調器の出力側に、前記スロットモードの光を前記スロットモード以外の光に変換する第2の光モード変換器を備えることを特徴とする請求項3に記載の電気光学変調器。
- 前記SIS型接合の幅方向が前記第1の半導体層を支持する基板面に平行な方向であり、前記スロットモードの光が0次の横方向磁界(TM0)モードの光であり、前記前記スロットモード以外の光が0次の横方向電界(TE0)モードの光である請求項3又は4に記載の電気光学変調器。
- 前記第1および第2の半導体層に結合された電極は、前記第1および第2の半導体層にそれぞれ同一導電型の不純物を前記第1および第2の半導体層よりも高濃度にドープ処理された第1及び第2コンタクト領域に接続される第1電極と第2電極とを有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の電気光学変調器。
- 前記第1の半導体層は、リブ導波路構造を有し、前記誘電体層は、該リブ導波路上部に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気光学変調器。
- 前記第1コンタクト領域が前記リブ導波路構造の高さと同じ高さに形成される請求項7に記載の電気光学変調器。
- 前記第1あるいは第2の半導体層が、前記SIS型接合の幅方向に対して直交する方向に前記SIS型接合の幅からテーパー状に広がる部分を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電気光学変調器。
- それぞれ平行に配置された第1及び第2のアームと、該第1及び第2のアームの入力側と光結合された光分岐構造と、該第1及び第2のアームの出力側と光結合された光合波構造とを備えたマッハ・ツェンダー干渉計であって、
前記第1及び第2のアームが、請求項1〜9のいずれか1項に記載の電気光学変調器を含むことを特徴とするマッハ・ツェンダー干渉計。
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