JP7454687B2 - デバイスおよび光スイッチ - Google Patents
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Description
本出願は、米国仮特許出願第62/967,166号、名称「Low Loss High Efficiency Photonic Phase Shifter」、2020年1月29日出願に対する優先権を主張するものであり、当該出願全体が、十分に、完全に本明細書に記載されているかのように、参照により本明細書に組み込まれる。
図2~図8は、様々な実施形態によるフォトニック移相器の様々な構成を示す簡略化した断面図である。図2~図8に示す構成は、概略的な図であり、必ずしも一定の縮尺で描かれていないことに留意されたい。図2~図8に示す構成は、いくつかの重要な設計特徴が異なるが、これらは、いくつかの特徴も共通して有する。例えば、以下でより詳細に説明するように、図2~図8のそれぞれは、2つの電気接点を呈し、各電気接点は、誘電体電極(240、340、440、540、640、740、及び840、並びに242、342、442、542、642、742、及び842)に接続される導線(230、330、430、530、630、730、及び830、並びに232、332、432、532、632、732、及び832)を含む。いくつかの実施形態では、導線は、金属、又は代替的に半導体材料から構成し得る。
図9は、いくつかの実施形態によるフォトニック移相器構成の上から下への図である。図示のように、移相器は、第1の導線(930)と、第2の導線(932)と、第1の誘電体部分(940)と、第2の誘電体部分(942)と、スラブ層(920)と、導波路構造体(951)の隆起部分とを含み得る。
図10は、いくつかの実施形態による、簡略化したシステムの図であり、クライオスタットと共に、電気光スイッチをハイブリッド量子コンピューティング・システムに組み込むことを示す。低温、例えば、液体ヘリウム温度で動作させるため、本発明の実施形態は、本明細書で説明する電気光スイッチを、冷却システムを含むシステムに統合する。したがって、本発明の実施形態は、例えば、図8に示すハイブリッド・コンピューティング・システム内で使用し得る光移相器を提供する。ハイブリッド・コンピューティング・システム1101は、ハイブリッド量子コンピューティング(QC)サブシステム1105に通信可能に結合されるユーザ・インターフェース・デバイス1103を含む。ユーザ・インターフェース・デバイス1103は、あらゆる種類のユーザ・インターフェース・デバイス、例えば、表示器、キーボード、マウス、タッチスクリーン等を含む端末とし得る。更に、ユーザ・インターフェース・デバイス自体は、パーソナル・コンピュータ(PC)、ラップトップ、タブレット・コンピュータ等のコンピュータとし得る。いくつかの実施形態では、ユーザ・インターフェース・デバイス1103は、ユーザがハイブリッドQCサブシステム1105と対話し得るインターフェースを提供する。例えば、ユーザ・インターフェース・デバイス1103は、テキスト・エディタ、対話型開発環境(IDE)、コマンド・プロンプト、グラフィカル・ユーザ・インターフェース等のソフトウェアを稼働させることができ、ユーザが、1つ又は複数の量子アルゴリズムを稼働させるようにQCサブシステムをプログラムするか又はQCサブシステムと対話できるようにする。他の実施形態では、QCサブシステム1105は、事前にプログラムでき、ユーザ・インターフェース・デバイス1103は、単に、ユーザが量子計算を開始し、進行を監視し、ハイブリッドQCサブシステム1105から結果を受信し得るインターフェースとし得る。ハイブリッドQCサブシステム1105は、1つ又は複数の量子コンピューティング・チップ1109に結合される従来のコンピューティング・システム1107を更に含む。いくつかの例では、従来のコンピューティング・システム1107及び量子コンピューティング・チップ1109は、他の電子構成要素1111、例えば、パルス・ポンプ・レーザー、マイクロ波発振器、電源、ネットワーキング・ハードウェア等に結合し得る。
図11は、いくつかの実施形態による、図2に示す導波路構造体の断面を示す簡略図であり、誘起される電界の方向は、矢印で示される。図示のように、小矢印は、誘起される電界の方向を示し、電界の方向は、全体的に、デバイスの誘電体部分を通る明確なx方向に沿って向けられる。電界は、図示のように、誘電体部分の上下の両方で凸状に湾曲する。更に、明確なx方向で向けられる大矢印(1150)は、スラブ層及び導波路を通じて進行し得る光モードの偏光方向を示す。
Claims (33)
- デバイスであって、前記デバイスは、
第1のクラッディング層と、
第1の導線及び第1の誘電体部分を備える第1の電気接点であって、前記第1の導線は、前記第1の誘電体部分に結合される、第1の電気接点と、
第2の導線及び第2の誘電体部分を備える第2の電気接点であって、前記第2の導線は、前記第2の誘電体部分に結合され、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、間隙領域によって隔てられる、第2の電気接点と、
チタン酸バリウムから構成されるスラブ層を備える導波路構造体であって、前記スラブ層は、前記第1の電気接点の前記第1の誘電体部分及び前記第2の電気接点の前記第2の誘電体部分に結合される、導波路構造体と、
前記スラブ層に結合される隆起部分であって、前記第1の電気接点と前記第2の電気接点との間に配設される隆起部分と、
第2のクラッディング層と
を備え、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記導波路構造体内で電界をエネルギー効率良く制御できるように、第1の方向において、チタン酸バリウムの前記第1の方向における比誘電率よりも大きい比誘電率を有し、前記第1の方向は、前記第1の誘電体部分を前記第2の誘電体部分から隔てる方向を含み、前記第1の方向は、前記スラブ層に平行である、デバイス。 - 前記隆起部分は、前記スラブ層の第1の側に配設し、前記第1のクラッディング層内に延在し、
前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記第1の側とは反対の前記スラブ層の第2の側で前記スラブ層に結合する、請求項1に記載のデバイス。 - 前記スラブ層は、前記隆起部分とは異なる材料から構成される、請求項1に記載のデバイス。
- デバイスであって、前記デバイスは、
第1のクラッディング層と、
第1の導線及び第1の誘電体部分を備える第1の電気接点であって、前記第1の導線は、前記第1の誘電体部分に結合される、第1の電気接点と、
第2の導線及び第2の誘電体部分を備える第2の電気接点であって、前記第2の導線は、前記第2の誘電体部分に結合される、第2の電気接点と、
第1の材料から構成されるスラブ層を備える導波路構造体であって、前記スラブ層は、前記第1の電気接点の前記第1の誘電体部分及び前記第2の電気接点の前記第2の誘電体部分に結合される、導波路構造体と、
第2のクラッディング層と
を備え、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記導波路構造体内で電界をエネルギー効率良く制御できるように、前記第1の材料の第1の方向における比誘電率よりも大きい、前記第1の方向における比誘電率を有する、デバイス。 - 前記導波路構造体は、前記スラブ層に結合される第1の隆起部分を更に備え、前記第1の隆起部分は、前記第1の電気接点と前記第2の電気接点との間に配設する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記スラブ層は、チタン酸バリウムから構成し、
前記第1の隆起部分は、窒化ケイ素から構成する、請求項5に記載のデバイス。 - 前記第1の隆起部分は、前記第1の材料から構成する、請求項5に記載のデバイス。
- 前記第1の隆起部分は、前記スラブ層の第1の側に配設し、前記第1のクラッディング層内に延在し、
前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記スラブ層の前記第1の側で前記スラブ層に結合する、請求項5に記載のデバイス。 - 前記第1の隆起部分は、前記スラブ層の第1の側に配設し、前記第1のクラッディング層内に延在し、
前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記第1の側とは反対の前記スラブ層の第2の側で前記スラブ層に結合する、請求項5に記載のデバイス。 - 前記第1の電気接点及び前記第2の電気接点は、前記スラブ層の前記第2の側に配設する、請求項9に記載のデバイス。
- 前記第1の電気接点は、前記スラブ層の前記第2の側から前記スラブ層の前記第1の側まで前記スラブ層を貫通することによって、前記第1の誘電体部分に結合し、
前記第2の電気接点は、前記スラブ層の前記第2の側から前記スラブ層の前記第1の側まで前記スラブ層を貫通することによって、前記第2の誘電体部分に結合する、請求項9に記載のデバイス。 - 前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、チタン酸ストロンチウムから構成する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記導波路構造体は、第1の条片導波路部分と第2の条片導波路部分とを更に備え、
前記第1の条片導波路部分及び前記第2の条片導波路部分は、第2の材料及び第3の材料からそれぞれ構成し、
前記スラブ層は、前記第1の条片導波路部分と前記第2の条片導波路部分との間に配設する、請求項4に記載のデバイス。 - 前記第2の材料及び前記第3の材料は、窒化ケイ素である、請求項13に記載のデバイス。
- 前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記スラブ層と同一平面である第2の層内に含まれ、前記スラブ層の第1の側に隣接して配設する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、間隙領域によって隔てられる、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の材料は、前記第1のクラッディング層及び前記第2のクラッディング層の屈折率よりも大きい屈折率を有する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の方向において、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分の比誘電率と、前記第1の材料の比誘電率との比率は、2以上である、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の方向は、前記スラブ層に平行な方向を含み、前記第1の誘電体部分を前記第2の誘電体部分から隔てる、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の誘電体部分は、前記スラブ層の第1の側で前記スラブ層に結合し、
前記第2の誘電体部分は、前記第1の側とは反対の前記スラブ層の第2の側で前記スラブ層に結合する、請求項4に記載のデバイス。 - 前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、
チタン酸バリウムストロンチウム、
酸化ハフニウム、
酸化ジルコニウム、
酸化チタン、
酸化グラフェン、
酸化タンタル、
チタン酸鉛ジルコニウム、
チタン酸鉛ランタンジルコニウム、又は
ニオブ酸ストロンチウムバリウム
の1つから構成する、請求項4に記載のデバイス。 - 前記スラブ層は、チタン酸バリウムから構成する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記スラブ層は、
チタン酸バリウムストロンチウム、
ニオブ酸リチウム、
チタン酸鉛ジルコニウム、
チタン酸鉛ランタンジルコニウム、
酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム、又は
ニオブ酸ストロンチウムバリウム
の1つから構成する、請求項4に記載のデバイス。 - 前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記導波路構造体において前記第1の方向に沿って電界を生成するように構成する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記導波路構造体は、電気光学係数が前記第1の方向に沿って整合される非ゼロ値を有する
ことを特徴とする、請求項24に記載のデバイス。 - 前記第1の電気接点、前記第2の電気接点及び前記導波路構造体を77ケルビン以下で維持するように構成される極低温デバイス
を更に備える、請求項4に記載のデバイス。 - 前記第1の方向において、1mKを超える第1の温度では、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分の比誘電率は、前記第1の材料の比誘電率よりも大きい、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の方向において、1mKを超え、77K未満である第1の温度では、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分の比誘電率は、前記第1の材料の比誘電率よりも大きい、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の導線及び前記第2の導線は、金属から構成する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の導線及び前記第2の導線は、半導体材料から構成する、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の誘電体部分、前記第2の誘電体部分、及び前記導波路構造体は、第1の厚さを有する単一層内に配設し、
前記導波路構造体は、前記第1の誘電体部分と前記第2の誘電体部分との間に配設する、請求項4に記載のデバイス。 - 前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分はそれぞれ、第1の厚さを有するそれぞれの隆起構造体を含み、前記第1の厚さは、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分のスラブ構造体の第2の厚さよりも大きく、
前記導波路構造体は、前記第1の誘電体部分と前記第2の誘電体部分との間に配設し、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分の隆起構造体に結合し、
前記導波路構造体は、前記第1の厚さを有する、請求項4に記載のデバイス。 - 光スイッチであって、前記光スイッチは、
少なくとも1つの入力ポートと、
少なくとも1つの出力ポートと、
ビーム・スプリッタに結合されるマッハ-ツェンダー干渉計であって、第1のアーム及び第2のアームを備えるマッハ-ツェンダー干渉計と、
前記マッハ-ツェンダー干渉計の前記第1のアーム内に含まれるフォトニック移相器と
を備え、前記フォトニック移相器は、
第1のクラッディング層と、
第1の誘電体部分に結合される第1の導線を備える第1の電気接点と、
第2の誘電体部分に結合される第2の導線を備える第2の電気接点と、
第1の材料から構成されるスラブ層を備える導波路構造体であって、前記スラブ層は、前記第1の電気接点の前記第1の誘電体部分及び前記第2の電気接点の前記第2の誘電体部分に結合される、導波路構造体と、
第2のクラッディング層と
を備え、前記第1の誘電体部分及び前記第2の誘電体部分は、前記導波路構造体内で電界をエネルギー効率良く制御できるように、第1の方向において、前記第1の材料の前記第1の方向における比誘電率よりも大きい比誘電率を有する、光スイッチ。
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---|---|---|---|---|
CN115151849A (zh) | 2020-01-29 | 2022-10-04 | 普赛昆腾公司 | 低损耗高效率光子移相器 |
WO2021178332A1 (en) | 2020-03-03 | 2021-09-10 | Psiquantum, Corp. | Fabrication method for photonic devices |
US11966084B2 (en) * | 2021-08-25 | 2024-04-23 | University Of Rochester | Lithography-free integrated photonic FPGA |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006039569A (ja) | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Jds Uniphase Corp | バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器 |
JP2009080378A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Nec Corp | 光学素子、光集積デバイスおよびその製造方法 |
JP2011164604A (ja) | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Advantest Corp | 基板構造体および製造方法 |
WO2011108617A1 (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 日本電気株式会社 | アサーマル光導波素子 |
JP2014081406A (ja) | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光変調装置 |
US10451951B1 (en) | 2017-10-05 | 2019-10-22 | Hrl Laboratories, Llc | Push-pull photonic modulator |
JP2019215488A (ja) | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 日本電気株式会社 | 電気光学変調器 |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4801557A (en) | 1987-06-23 | 1989-01-31 | Northwestern University | Vapor-phase epitaxy of indium phosphide and other compounds using flow-rate modulation |
US5296460A (en) | 1988-02-19 | 1994-03-22 | Northwestern University | CVD method for forming Bi -containing oxide superconducting films |
US5185317A (en) | 1988-02-19 | 1993-02-09 | Northwestern University | Method of forming superconducting Tl-Ba-Ca-Cu-O films |
US5064684A (en) * | 1989-08-02 | 1991-11-12 | Eastman Kodak Company | Waveguides, interferometers, and methods of their formation |
US5270298A (en) * | 1992-03-05 | 1993-12-14 | Bell Communications Research, Inc. | Cubic metal oxide thin film epitaxially grown on silicon |
US5442585A (en) * | 1992-09-11 | 1995-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device having dielectric thin film |
US5911018A (en) * | 1994-09-09 | 1999-06-08 | Gemfire Corporation | Low loss optical switch with inducible refractive index boundary and spaced output target |
US5635741A (en) * | 1994-09-30 | 1997-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films by erbium donor doping |
US5663556A (en) | 1995-03-02 | 1997-09-02 | Northwestern University | Optoelectronic ferroelectric sensor and signal generating device |
US6122429A (en) | 1995-03-02 | 2000-09-19 | Northwestern University | Rare earth doped barium titanate thin film optical working medium for optical devices |
US5753300A (en) | 1995-06-19 | 1998-05-19 | Northwestern University | Oriented niobate ferroelectric thin films for electrical and optical devices and method of making such films |
DE69637984D1 (de) | 1995-12-28 | 2009-09-17 | Panasonic Corp | Optischer Wellenleiter, Vorrichtung zur Umwandlung optischer Wellenlängen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6684007B2 (en) | 1998-10-09 | 2004-01-27 | Fujitsu Limited | Optical coupling structures and the fabrication processes |
US6112429A (en) | 1998-11-20 | 2000-09-05 | Griffin Produce, Inc. | Method and apparatus for washing and drying harvested vegetables |
JP2000208871A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波路型光素子,導波路型光素子の製造方法,光モジュ―ル,及び光モジュ―ルの製造方法 |
US6477285B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | Integrated circuits with optical signal propagation |
AU2001288387A1 (en) | 2000-08-25 | 2002-03-04 | Microcoating Technologies, Inc. | Electronic and optical devices and methods of forming these devices |
US6493497B1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-12-10 | Motorola, Inc. | Electro-optic structure and process for fabricating same |
US20020181825A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-05 | Motorola, Inc. | Optical clock signal distribution |
US20030017625A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an optical device in a semiconductor structure |
US20030015712A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Motorola, Inc. | Fabrication of an optical communication device within a semiconductor structure |
US6594414B2 (en) * | 2001-07-25 | 2003-07-15 | Motorola, Inc. | Structure and method of fabrication for an optical switch |
US6585424B2 (en) * | 2001-07-25 | 2003-07-01 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-rheological lens |
US7020374B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
US7768421B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-08-03 | Panasonic Corporation | Control signal receiving apparatus |
US7224869B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-05-29 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low loss electrodes for electro-optic modulators |
US7426326B2 (en) * | 2004-03-12 | 2008-09-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low loss bridge electrode with rounded corners for electro-optic modulators |
US7224878B1 (en) | 2004-11-12 | 2007-05-29 | Northwestern University | BaTiO3 thin film waveguides and related modulator devices |
US7894696B2 (en) * | 2005-06-28 | 2011-02-22 | California Institute Of Technology | Integrated optical modulator |
WO2007065447A1 (en) | 2005-09-01 | 2007-06-14 | Semus A/S | Phase modulator and interferometer based on electro-optic effects in assymetrically strained group-iv material |
TW200839330A (en) | 2006-04-26 | 2008-10-01 | Honeywell Int Inc | Low-loss optical device structure |
US7283689B1 (en) * | 2006-06-29 | 2007-10-16 | Intel Corporation | Optical waveguide having high dielectric constant contrast between cladding and core |
US7421179B1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-09-02 | Wei Jiang | Apparatus and method for switching, modulation and dynamic control of light transmission using photonic crystals |
US7583882B2 (en) | 2006-11-10 | 2009-09-01 | University Of Alabama In Huntsville | Waveguides for ultra-long range surface plasmon-polariton propagation |
US20090231686A1 (en) * | 2008-01-12 | 2009-09-17 | Robert Atkins | Multi-functional integrated optical waveguides |
US8346025B2 (en) | 2009-05-18 | 2013-01-01 | Alcatel Lucent | Compact electrooptic modulator |
JP5233911B2 (ja) | 2009-08-26 | 2013-07-10 | 株式会社リコー | 電気光学素子 |
US8428404B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-04-23 | Oracle America, Inc. | Optical device on inverted, substrateless chip |
US9494734B1 (en) | 2012-07-27 | 2016-11-15 | Faquir Chand Jain | Article and method for implementing electronic devices on a substrate using quantum dot layers |
US9664931B1 (en) * | 2012-11-16 | 2017-05-30 | Hrl Laboratories, Llc | Electro-optic modulation structures |
US9703125B2 (en) | 2013-03-26 | 2017-07-11 | Nec Corporation | Silicon-based electro-optic modulator |
US9671670B2 (en) | 2013-06-03 | 2017-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Inductance-tuned electro-optic modulators |
CN105308488A (zh) * | 2013-06-13 | 2016-02-03 | 加利福尼亚大学董事会 | 亚电压驱动的100兆赫带宽的电光调制器 |
US9535308B2 (en) * | 2013-09-25 | 2017-01-03 | Oracle International Corporation | Enhanced optical modulation using slow light |
JP5930124B2 (ja) * | 2013-12-11 | 2016-06-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 電気光学素子 |
US9829726B2 (en) | 2014-02-17 | 2017-11-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Electro-optical modulator |
CN103901638B (zh) * | 2014-04-22 | 2016-06-08 | 电子科技大学 | 具有四层石墨烯结构的光调制器 |
GB2525427A (en) * | 2014-04-24 | 2015-10-28 | Ibm | Waveguide structure |
WO2016154764A2 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-06 | ETH Zürich | Electrooptic modulator |
CN106992192B (zh) | 2016-01-20 | 2020-12-29 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种光电处理器 |
JP6457440B2 (ja) | 2016-07-06 | 2019-01-23 | 株式会社フジクラ | 光変調器および光変調素子の製造方法 |
CN205942163U (zh) | 2016-07-11 | 2017-02-08 | 派尼尔科技(天津)有限公司 | 一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构 |
CN109477936B (zh) | 2016-07-13 | 2022-03-29 | 洛克利光子有限公司 | 集成结构以及其制造方法 |
US10831043B2 (en) | 2016-11-23 | 2020-11-10 | Rockley Photonics Limited | Electro-optically active device |
JP2019008163A (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 日本電気株式会社 | 電界吸収型光変調器 |
CN109387820A (zh) | 2017-08-08 | 2019-02-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 光扫描设备、光接收设备及激光雷达系统 |
US10163825B1 (en) * | 2017-10-26 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
US10424845B2 (en) * | 2017-12-06 | 2019-09-24 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Method and apparatus for communication using variable permittivity polyrod antenna |
US10770414B2 (en) * | 2018-06-25 | 2020-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure |
US11009727B2 (en) * | 2018-11-13 | 2021-05-18 | International Business Machines Corporation | Integrated waveguide structure with pockels layer having a selected crystal orientation |
US10627696B1 (en) * | 2019-03-18 | 2020-04-21 | Psiwuantum, Corp. | Active photonic devices incorporating high dielectric constant materials |
JP7196736B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-12-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、及び光導波路デバイス |
US11256115B1 (en) * | 2019-06-21 | 2022-02-22 | Psiquantum, Corp. | Active photonic devices with enhanced Pockels effect via isotope substitution |
US11508677B2 (en) * | 2019-08-29 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor package for high-speed data transmission and manufacturing method thereof |
US10901296B1 (en) * | 2019-09-23 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Electro-optical device with active electro-optical waveguide structure |
CN115151849A (zh) * | 2020-01-29 | 2022-10-04 | 普赛昆腾公司 | 低损耗高效率光子移相器 |
US20210278738A1 (en) * | 2020-03-03 | 2021-09-09 | Psiquantum, Corp. | Phase shifter employing transparent electrodes |
US20210278708A1 (en) * | 2020-03-03 | 2021-09-09 | Psiquantum, Corp. | Phase shifter employing electro-optic material sandwich |
-
2021
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-
2024
- 2024-03-11 JP JP2024036634A patent/JP2024063242A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006039569A (ja) | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Jds Uniphase Corp | バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器 |
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