JP2019212745A - インプリント用テンプレート、その製造方法、およびインプリント方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】欠陥のないパターン構造体を製造可能なインプリント用テンプレートを提供する。【解決手段】第1面、第1面に対向する第2面、並びに第1面の外縁及び第2面の外縁の間に連続する側面を有し、第1面に凹凸パターンが形成されてなるパターン基板と、少なくとも凹凸パターンを露出させ得る開口部、及びパターン基板の側面との間に第1間隙を設けるようにして側面を取り囲む側壁部を含む枠体と、パターン基板の側面及び枠体の側壁部の間の第1間隙に位置し、パターン基板及び枠体を接合する接合部と、を備え、パターン基板の第1面を上方に向けた側面視において、パターン基板の第1面と、枠体の上面と、第1間隙に位置する接合部の上面とが実質的に面一であるインプリント用テンプレートが提供される。【選択図】 図1

Description

本開示は、インプリント用テンプレート、その製造方法、およびインプリント方法に関する。
微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に微細な凹凸パターン(以下、単に「凹凸パターン」と呼ぶ。)を形成した型部材であるインプリント用テンプレート(以下、単に「テンプレート」という場合がある。)を用い、凹凸パターンをインプリント樹脂等の被加工物に転写することで上記テンプレートの凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。ナノインプリント技術を用いれば、上記テンプレートの凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体を安価な装置で製造することができる。
近年、半導体装置の量産化や、液晶ディスプレイ等に用いられる光学部品等の大面積化を実現可能にするために、種々のナノインプリント技術が提案されている。
例えば、凹凸パターンを有するモールドを多数シート上に並べて配置することにより作製されてなるロール・トゥ・ロール用連続モールド構成体を転写用ロールに貼り付け、ロール・トゥ・ロールで上記凹凸パターンを転写してレプリカモールドを製造する技術が提案されている(特許文献1参照)。また、基材上に複数の個片の基本微細構造体同士を並べて配置することにより、大面積の微細構造体を製造する技術が提案されている(特許文献2参照)。
国際公開2013/031460号 特開2012−195599号公報
上記特許文献1においては、凹凸パターンを有するモールドをシート上に並べて配置し、隣り合うモールド同士の間の隙間に充填した硬化性樹脂を硬化させることにより、ロール・トゥ・ロール用連続モールド構成体が作製される。しかし、特許文献1においては、隣り合うモールド同士の隙間に充填され、硬化した硬化性樹脂の表面とモールドの表面との間に段差を生じさせてしまうことがある。そのような段差を有するロール・トゥ・ロール用連続モールド構成体を用いて転写樹脂に凹凸パターンを転写すると、凹凸パターンと共に段差も転写樹脂に転写されてしまい、その結果、形成されるパターン構造体に欠陥が生じてしまうおそれがある。また、当該段差が転写樹脂に転写されなかったとしても、段差を有することで、転写樹脂に対して上記モールド構成体を均一に押圧することができず、その結果としてパターン構造体に欠陥が生じてしまうおそれがある。
また、上記特許文献2においては、基本微細構造体同士を可能な限り近接させて基材上に配置することにより微細構造体が作製されるが、隣り合う基本微細構造体の間にわずかな隙間を存在させてしまうため、基本微細構造体の表面と基材の表面との間に段差を生じさせてしまう。そのような段差を有する微細構造体を用いて転写樹脂に凹凸パターンを転写すると、凹凸パターンと共に段差も転写されてしまい、その結果、形成されるパターン構造体に欠陥が生じてしまうおそれがある。
また、上記テンプレートにおける凹凸パターンは、例えば、一般的に高精度の電子線描画装置(以下、単に「描画装置」と呼ぶ。)を用いた電子線リソグラフィにより形成される。描画装置を用いて凹凸パターンが形成されるテンプレート用基材として、通常、6インチ(152mm×152mm)程度の小面積のものが用いられるのが一般的である。
上記テンプレート用基材に凹凸パターンが形成されてなるテンプレート(マスターとも言う。)において、凹凸パターンが形成されているパターン領域の周辺部の、凹凸パターンが描かれていない余白領域(非パターン領域)が少ない場合、そのままでは取り扱いが困難である。このため、通常、所定の枠体(ホルダーと言う場合がある。)にテンプレートがセットされて使用される。ところが、ホルダーにマスターがセットされてなるホルダー一体型テンプレートの表面(凹凸パターン面)に段差を生じさせてしまうと、ホルダー一体型テンプレートを用いてインプリント樹脂に凹凸パターンを転写したときに、凹凸パターンとともに段差もインプリント樹脂に転写されてしまい、形成されるパターン構造体に欠陥が生じてしまうおそれがある。また、上記ホルダー一体型テンプレートにおいて、ホルダーとマスターとの間に空隙が存在する場合、インプリント樹脂が空隙に侵入してしまい、それが原因でインプリント用テンプレートに欠陥が生じてしまうおそれがある。
上記課題に鑑みて、本開示は、欠陥のないパターン構造体を製造可能なインプリント用テンプレート、その製造方法、及び上記インプリント用テンプレートを用いたインプリント方法を提供することを一目的とする。
上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第1面、当該第1面に対向する第2面、並びに当該第1面の外縁及び当該第2面の外縁の間に連続する側面を有し、前記第1面に凹凸パターンが形成されてなるパターン基板と、少なくとも前記凹凸パターンを露出させ得る開口部、及び前記パターン基板の前記側面との間に第1間隙を設けるようにして前記側面を取り囲む側壁部を含む枠体と、前記パターン基板の前記側面及び前記枠体の前記側壁部の間の第1間隙に位置し、前記パターン基板及び前記枠体を接合する接合部と、を備え、前記パターン基板の前記第1面を上方に向けた側面視において、前記パターン基板の前記第1面と、前記枠体の上面と、前記第1間隙に位置する前記接合部の上面とが、実質的に面一であるインプリント用テンプレートが提供される。
前記枠体の厚さは、前記パターン基板の厚さより厚くてもよく、前記枠体は、前記パターン基板の前記第2面に対向する底部をさらに有し、前記枠体の前記底部には、前記第1間隙に連続する貫通孔が設けられていてもよい。また、前記枠体の前記底部は、前記パターン基板の前記第2面との間に前記第1間隙に連続する第2間隙を設けるようにして前記パターン基板の前記第2面に対向しており、前記貫通孔は、前記第2間隙を介して前記第1間隙に連続していてもよい。
前記枠体の前記側壁部のうち、少なくとも前記接合部に当接する部位の表面が粗面化されていてもよく、前記パターン基板及び前記枠体のそれぞれの熱膨張係数が実質的に同一であってもよい。また、前記パターン基板及び前記枠体がガラス製であってもよく、前記接合部が硬化樹脂により構成されていてもよい。
前記枠体の前記側壁部は、外枠部と、当該外枠部に連続し、当該外枠部内を複数の領域に区分する仕切り枠部とを含み、前記外枠部内の前記複数の領域のそれぞれに、前記パターン基板が配置されており、前記第1間隙は、前記外枠部の内側壁面及び前記仕切り枠部の側壁面と前記複数の領域のそれぞれに配置されている前記パターン基板の前記側面との間の間隙、又は前記仕切り枠部の側壁面と前記複数の領域のそれぞれに配置されている前記パターン基板の前記側面との間の間隙であってもよい。
本開示の一実施形態として、平坦化されてなる平坦面及び当該平坦面に対向する対向面を有する平板と、第1面、当該第1面に対向する第2面並びに前記第1面の外縁及び前記第2面の外縁の間に連続する側面を有し、前記第1面に凹凸パターンが形成されてなるパターン基板と、前記パターン基板の前記側面との間に第1間隙を形成可能な側壁部と、前記凹凸パターンを露出可能な開口部とを有する枠体とを準備する工程と、前記パターン基板の前記第1面を前記平板の前記平坦面に対向させるように、かつ前記パターン基板の前記側面を前記側壁部で取り囲むようにして、前記平坦面上に前記パターン基板及び前記枠体を載置する工程と、前記平坦面上に載置された前記パターン基板の前記側面及び前記枠体の前記側壁部の間に存在する前記第1間隙に、前記パターン基板及び前記枠体を接合するための接合材用組成物を充填する工程と、前記第1間隙に充填された前記接合材用組成物を硬化させることで前記パターン基板及び前記枠体を接合する接合部を形成する工程と、前記接合部を形成した後、前記平板を除去する工程と、を備えるインプリント用テンプレートの製造方法が提供される。
前記枠体は、前記側壁部と、前記開口部と、底部とを有する有底筒形状であって、前記パターン基板の厚さよりも厚く、前記枠体の前記底部には、貫通孔が形成されており、前記枠体が前記平坦面上に載置された状態において、前記パターン基板の前記第2面及び前記枠体の前記底部の間に存在する第2間隙を介して、前記パターン基板の前記側面及び前記枠体の前記側壁部の間に存在する第1間隙に前記貫通孔が連通しており、前記接合材用組成物を充填する工程において、前記貫通孔から前記接合材用組成物が注入されることで前記第1間隙に前記接合材用組成物が充填されることができる。
前記枠体の前記側壁部は、外枠部と、当該外枠部に連続し、当該外枠部内を複数の領域に区分する仕切り枠部とを含み、前記パターン基板は、前記枠体の前記外枠部内の前記複数の領域のそれぞれに配置されていてもよい。また、上記開示において、前記枠体の前記側壁部の側壁面のうち、前記接合部と当接する部位の表面が少なくとも粗面化されていてもよく、前記パターン基板及び前記枠体が、互いに実質的に同一の熱膨張係数を有する材料により構成されていてもよい。
前記パターン基板、及び前記枠体がガラス製であってもよく、前記接合材用組成物として、硬化性樹脂組成物を用いることができ、当該硬化性樹脂組成物の25℃の粘度が1Pa・s〜5Pa・sであればよい。また、前記硬化性樹脂組成物は活性エネルギー線硬化性樹脂組成物であり、前記平板は透明材料により構成されており、前記接合部を形成する工程において、前記平板の厚さ方向に沿って前記対向面側から前記平坦面側に向かって前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物に活性エネルギー線を照射することができる。
前記平板の前記平坦面上における前記接合材用組成物と接触する領域に離型層が設けられていてもよい。また、前記平板には、前記平坦面上における前記パターン基板及び前記枠体のそれぞれが載置される位置に開口し、前記平板の厚さ方向に貫通する吸着孔が形成されており、前記平板の前記平坦面上に前記パターン基板及び前記枠体を載置した後、前記吸着孔を介して前記パターン基板及び前記枠体を前記平板の前記平坦面に真空吸着させてもよい。
前記パターン基板の前記第1面及び前記平板の前記平坦面のそれぞれにアライメントマークが形成されており、前記パターン基板の前記第1面に形成されている前記アライメントマークの位置と、前記平板の前記平坦面に形成されている前記アライメントマークの位置とを合わせるようにして、前記パターン基板を前記平坦面上に載置することができる。
前記パターン基板の前記第1面は、前記凹凸パターンが形成されているパターン領域及び当該パターン領域の外周を取り囲む非パターン領域を含み、前記平板には、前記パターン領域を物理的に包摂可能な大きさであって、前記平板の厚さ方向に貫通する穴部を有し、前記パターン基板は、前記平板の前記穴部から前記パターン領域を露出させるように、かつ、前記非パターン領域を前記平坦面に当接させるようにして、当該平坦面上に載置されればよい。
本開示の一実施形態として、本開示のインプリント用テンプレートと被転写面を有する基材とを準備し、前記被転写面上のインプリント樹脂に前記インプリント用テンプレートの前記凹凸パターンを転写する工程と、前記凹凸パターンが転写された前記インプリント樹脂と前記インプリント用テンプレートとを引き離す工程と、を有するインプリント方法が提供される。
本開示によれば、欠陥のないパターン構造体を製造可能なインプリント用テンプレート、その製造方法、及びインプリント方法を提供することができる。
図1(A)は、本開示の一実施形態におけるインプリント用テンプレートの概略構成を示す平面図であり、図1(B)は、図1(A)に示されるインプリント用テンプレートのX−X断面を示す概略断面図である。 図2(A)及び図2(B)は、本開示の他の実施形態におけるインプリント用テンプレートの概略構成を示す断面図である。 図3は、本開示の他の実施形態におけるインプリント用テンプレートの概略構成を示す断面図である。 図4(A)は、本開示の他の実施形態における多面付けインプリント用テンプレートの概略構成を示す平面図であり、図4(B)は、図4(A)に示される多面付けインプリント用テンプレートのY−Y断面を示す概略断面図である。 図5は、本開示の一実施形態におけるインプリント用テンプレートの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図6は、本開示の一実施形態におけるインプリント用テンプレートの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図7は、本開示の他の実施形態における多面付けインプリント用テンプレートの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図8は、本開示の他の実施形態における多面付けインプリント用テンプレートの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図9は、図5(B)に示される工程において、パターン基板及び平板のそれぞれに形成されているアライメントマークを用いて、パターン基板を平板の平坦面に載置する方法を説明する模式図である。 図10は、図5(C)に示される工程において、平板に形成されている吸着孔を介して、パターン基板及び枠体を平板の平坦面に真空吸着させる方法を説明する模式図である。 図11は、本開示の一実施形態におけるインプリント方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図12は、図5に示される平板の平坦面上に離型層が形成されており、離型層上にインプリント用テンプレートが形成されている態様を示した模式図である。 図13は、図5(B)に示される工程の変形例であり、平板に形成されている穴部からパターン基板のパターン領域(凹凸パターン)を露出させるようにパターン基板を平板の平坦面に載置する方法を説明する模式図である。
本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。
本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
[インプリント用テンプレート]
図1(A)は、本開示の一実施形態におけるインプリント用テンプレートの概略構成を示す平面図であり、図1(B)は、図1(A)に示されるインプリント用テンプレートのX−X断面を示す概略断面図である。図2及び図3は、それぞれ、本開示の他の実施形態におけるインプリント用テンプレートの概略構成を示す断面図である。
本開示の一実施形態におけるインプリント用テンプレート1は、パターン基板11、枠体12、及び接合部13で構成されている。パターン基板11は、第1面11F、第1面11Fに対向する第2面11R、並びに第1面11Fの外縁及び第2面11Rの外縁の間に連続する側面11Sを有する。第1面11Fには、第1面11Fからパターン基板11の厚さ方向に凹んでなる複数の凹部11PDを有するラインアンドスペース状の凹凸パターン11Pが形成されている(図1(A)参照。)。
凹凸パターン11Pの形状、寸法等は、後述するインプリント法により凹凸パターン11Pが転写されて製造されるパターン構造体においての要求形状、要求寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、凹凸パターン11Pの形状としては、上記ラインアンドスペース状の他、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。また、凹凸パターン11Pの寸法は、例えば50nm〜2000nm程度に設定され得る。なお、凹凸パターン11Pの寸法とは、凹凸パターン11Pがラインアンドスペース状又は格子状である場合にはその凹部又は凸部の短手方向の幅を意味し、凹凸パターン11Pがピラー状又はホール状である場合にはその凹部又は凸部の直径又は一辺の長さを意味するものとする。
パターン基板11としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、螢石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板;ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板;シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長150nm〜400nmの光線の透過率が60%以上であることを意味し、好ましくは90%以上、特に好ましくは95%以上である。
パターン基板11は、枠体12を構成する材料と実質的に同一の熱膨張係数を有する材料により構成され得る。本開示において「熱膨張係数が実質的に同一」とは、パターン基板11の構成材料の熱膨張係数と及び枠体12の構成材料の熱膨張係数との差が、±1.0×10-5/℃以下であることを意味する。パターン基板11は、枠体12を構成する材料と同一の材料により構成されていればよい。パターン基板11及び枠体12のそれぞれを構成する材料の熱膨張係数が実質的に同一であることにより、パターン基板11及び枠体12のそれぞれの寸法安定性を同程度にすることができる。
図1(A)に示されるパターン基板11の平面視形状は略矩形状であるが、これに限定されるものではなく、例えば略円形状等であってもよい。本実施形態に係るインプリント用テンプレート1が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラスにより構成される場合、通常、当該パターン基板11の平面視形状は略矩形状である。
パターン基板11の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば、500μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、パターン基板11の大きさ(平面視における大きさ)も特に限定されるものではないが、例えばパターン基板11の平面視形状が略矩形状である場合、20mm×20mm〜200mm×200mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12は、凹凸パターン11Pを露出させ得る開口部12H、パターン基板11の側面11Sとの間に第1間隙S1(図5(C)参照)を設けるようにして側面11Sを取り囲む側壁部12W、及び、パターン基板11の第2面11Rに対向する底部12Bを有する(図1(B)参照)。
底部12Bは、パターン基板11の第2面11Rとの間に第2間隙S2(図5(C)参照)を設けるようにして当該第2面11Rに対向している。第2間隙S2は、第1間隙S1に連続しており、底部12Bには、第2間隙S2を介して第1間隙S1に連続する貫通孔12BH(図5(C)参照)が設けられている(図1(B)参照)。
枠体12の側壁部12Wのパターン基板11の側面11Sに対向する側壁面、底部12Bのパターン基板11の第2面11Rに対向する底面及び貫通孔12BHの内壁は、粗面化されている。これにより、枠体12と接合部13との接合強度を増大させることができる。当該側壁面、底面及び内壁の算術平均粗さRaは、枠体12と接合部13との接合強度を増大させ得る程度であればよく、例えば、1μm〜10μm程度であればよい。なお、枠体12と接合部13との接合強度を増大させ得る限りにおいて、枠体12の側壁部12Wの側壁面、底部12Bの底面及び貫通孔12BHの内壁のうち、少なくとも接合部13と当接する部位の表面が粗面化されていればよく、その意味では少なくとも側壁部12Wの側壁面が粗面化されていればよい。なお、上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:2013の規格に準拠している。
枠体12としては、パターン基板11として用いられ得る上記各種基板を構成する材料と同種の材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、螢石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂材料、これらのうちから任意に選択された2以上の材料を積層してなる積層体;ニッケル、チタン、アルミニウム等の金属材料;シリコン、窒化ガリウム等の半導体材料等が挙げられる。なお、枠体12を構成する材料の熱膨張係数は、パターン基板11を構成する材料の熱膨張係数と実質的に同一であればよく、枠体12を構成する材料は、パターン基板11を構成する材料と同一材料であるのが好ましい。
枠体12の外郭の平面視形状は略矩形状であるが、これに限定されるものではなく、パターン基板11の平面視形状に実質的に同一の形状であってもよいし、パターン基板11の平面視形状と異なる形状であってもよい。例えば、パターン基板11の平面視形状が略円形状である場合、枠体12の外郭の平面視形状を略円形状としてもよいし、略矩形状としてもよい。また、枠体12の開口部12Hの平面視形状は略矩形状であるが、パターン基板11の第1面11F(凹凸パターン11P)を露出させ得る形状である限りにおいてこれに限定されるものではなく、パターン基板11の第1面11Fの形状に実質的に同一の形状であってもよいし、第1面11Fの形状と異なる形状であってもよい。例えば、パターン基板11の第1面11Fの形状が略円形状である場合、開口部12Hの平面視形状を略円形状としてもよいし、略矩形状としてもよい。
枠体12の外郭の大きさ(平面視における大きさ)や枠体12の開口部12Hの大きさ(平面視における大きさ)は、パターン基板11の大きさ(平面視における大きさ)に応じて適宜設定され得る。枠体12の外郭の大きさは、枠体12の外郭の平面視形状が略矩形状である場合、50mm×50mm〜300mm×300mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、枠体12の開口部12Hの大きさ(平面視における大きさ)は、パターン基板11の凹凸パターン11Pを露出させ得る大きさであれば特に限定されるものではなく、枠体12の開口部12Hの平面視形状が略矩形状である場合、20mm×20mm〜200mm×200mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12の厚さ12Tは、パターン基板11の厚さより厚ければよく、例えば500μm〜20mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、枠体12の側壁部12Wの側壁面の高さ12HD(枠体12の厚さ方向における長さ)は、例えば、500μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。
接合部13は第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHに位置している。パターン基板11と枠体12とは、接合部13を介して互いに接合され得る。接合部13は、硬化樹脂により構成され得る。接合部13を構成する硬化樹脂としては、熱硬化樹脂、及び、紫外線や電子線等の活性エネルギー線を照射することにより硬化する活性エネルギー線硬化樹脂が挙げられる。熱硬化樹脂としては、例えば、メラミン樹脂、ポリエステル−メラミン樹脂、エポキシ−メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、熱硬化型ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリエステル樹脂等が挙げられる。活性エネルギー線硬化樹脂としては、例えば、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等を用いることができる。
本実施形態におけるインプリント用テンプレート1は、パターン基板11の第1面11Fを上方に向けた側面視において、第1面11Fと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとが、実質的に面一になるように構成されている(図1(B)参照)。本開示において「実質的に面一」とは、第1面11Fと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとが略同一平面であることをいい、例えば、パターン基板11の第1面11Fと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとで形成されるインプリント用テンプレート1の上面における最大高さ粗さRzが1μm以下であることを意味する。なお、上記最大高さ粗さRzは、JIS B0601:2013の規格に準拠している。
本実施形態におけるインプリント用テンプレート1においては、パターン基板11の第1面11Fと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとが実質的に面一である限りにおいて、図2に示されるように、枠体12がパターン基板11の第2面11Rに対向する底部12Bを有していなくてもよいし(図2(A)参照)、底部12Bの一部を有していなくてもよい(図2(B)参照)。なお、底部12Bの一部を有していない態様として、枠体12は、側壁部12Wに連続し、パターン基板11の第2面11Rの外縁の一部の領域に対向する環状の底部12Bを有していてもよい。
本実施形態におけるパターン基板11は、図3に示されるように、第1面11Fから突出する複数の凸部11PPを有する凹凸パターン11Pが形成されてなるものであってもよい。ここで、図3において、第1面11Fにおける凹凸パターン11Pが形成されている領域をパターン領域11FPとし、凹凸パターン11Pが形成されていない領域を非パターン領域11FNとする。図3に示されるインプリント用テンプレート1は、パターン基板11の第1面11Fを上方に向けた側面視において、第1面11Fにおける非パターン領域11FNと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとが、実質的に面一になるように構成されている(図3参照)。
本実施形態におけるインプリント用テンプレート1は、上述の通り、パターン基板11の第1面11F、枠体12の上面12F、接合部13の上面13Fが実質的に面一であり、インプリント用テンプレート1の上面(パターン面)に段差をほぼ有しないことから、本実施形態におけるインプリント用テンプレート1を後述するインプリント方法において用いることにより、インプリント樹脂に対してインプリント用テンプレート1の上面(パターン面)を均一に押圧することができ、欠陥のないパターン構造体を製造することができる。
[多面付けインプリント用テンプレート]
図4(A)は、本開示の他の実施形態における多面付けインプリント用テンプレートの概略構成を示す平面図であり、図4(B)は、図4(A)に示される多面付けインプリント用テンプレートのY−Y断面を示す概略断面図である。なお、上記インプリント用テンプレート1と同様の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。図4(A)及び(B)には、複数の(ここでは4つの)パターン基板11が縦横に多面付けされている多面付けインプリント用テンプレート1が示されている。
図4(A)及び(B)に示されるように、多面付けインプリント用テンプレート1が備える枠体12の側壁部12Wは、外枠部12WBと、外枠部12WBに連続し、外枠部12WB内を複数の(ここでは4つの)略矩形状の領域12H1、12H2、12H3、12H4に区分する仕切り枠部12WPとを含む。上記各領域12H1、12H2、12H3、12H4のそれぞれに、パターン基板11が配置されている(図4(A)参照)。外枠部12WB及び仕切り枠部12WPは、各領域12H1〜12H4に配置されるパターン基板11の側面11Sとの間に第1間隙S1(図7(C)参照)を設けるようにして当該パターン基板11の側面11Sを取り囲んでいる(図4(B)参照)。
枠体12は、各領域12H1〜12H4に配置される各パターン基板11の第2面11Rに対向する各底部12Bを有する。各底部12Bは、各パターン基板11の第2面11Rとの間に第2間隙S2(図7(C)参照)を設けるようにして当該第2面11Rに対向している。第2間隙S2は、第1間隙S1に連続しており、各底部12Bには、第2間隙S2を介して第1間隙S1に連続する貫通孔12BH(図7(C)参照)が設けられている(図4(B)参照)。
接合部13は第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHにそれぞれ位置している。各パターン基板11と枠体12とは、各接合部13を介して互いに接合され得る。本実施形態における多面付けインプリント用テンプレート1は、各パターン基板11の第1面11Fを上方に向けた側面視において、各パターン基板11の第1面11Fと、枠体12(外枠部12WB、仕切り枠部12WP)の上面12Fと、各接合部13の上面13Fとが、実質的に面一になるように構成されている(図4(B)参照)。
本実施形態における多面付けインプリント用テンプレート1を後述するインプリント方法において用いることにより、上述同様の理由から、欠陥のないパターン構造体を製造することができる。また、多面付けインプリント用テンプレート1を後述するインプリント方法において用いることにより、複数のパターン構造体を一度に製造することができるため、大面積のパターン構造体を製造することができる。
[インプリント用テンプレートの製造方法]
図5及び図6は、本開示の一実施形態におけるインプリント用テンプレートの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。本実施形態においては、図1に示されるインプリント用テンプレート1を製造するための製造方法を例として説明する。
<準備工程>
まず、平板100、パターン基板11、及び枠体12を準備する。平板100は、平坦化されてなる平坦面100F及び当該平坦面100Fに対向する対向面100Rを有する(図5(A))。平板100としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、螢石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板;ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板;シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等を用いることができる。平板100として、表面平坦性が高いガラス基板を用いるのが特に好ましい。
平板100の平坦面100Fの最大高さ粗さRzは、1μm以下であればよく、100nm以下であるのが好ましく、10nm以下であるのが特に好ましい。なお、上記最大高さ粗さRzは、JIS B0601:2013の規格に準拠し、23℃の測定環境下で、測定装置として、LEXT OLS4000(オリンパス社製)を使用して測定される値である。
平板100の平面視形状、大きさ(平面視における大きさ)、及び厚さ等は、特に限定されるものではなく、インプリント用テンプレート1の平面視形状や大きさ等に応じて適宜設定され得る。平板100の平面視形状として、例えば略矩形状、略円形状等が挙げられる。また、平板100の大きさは、平板100の平面視形状が略矩形状である場合、50mm×50mm〜300mm×300mm程度の範囲で適宜設定され得る。さらに、平板100の厚さは、例えば500μm〜20mm程度の範囲で適宜設定され得る。
パターン基板11は、第1面11F、第1面11Fに対向する第2面11R並びに第1面11Fの外縁及び第2面11Rの外縁の間に連続する側面11Sを有しており、パターン基板11の第1面11Fには凹凸パターン11Pが形成されている(図5(B)参照)。枠体12は、パターン基板11の側面11Sとの間に第1間隙S1を形成可能な側壁部12Wと、凹凸パターン11Pを露出可能な開口部12Hと、第1間隙S1に連続する第2間隙S2をパターン基板11の第2面11Rとの間に形成可能な底部12Bとを有する(図5(C)参照)。底部12Bには、第2間隙S2を介して第1間隙S1に連続する貫通孔12BHが形成されている。
パターン基板11及び枠体12を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、螢石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂材料、これらのうちから任意に選択された2以上の材料を積層してなる積層体;ニッケル、チタン、アルミニウム等の金属材料;シリコン、窒化ガリウム等の半導体材料等が適宜設定され得るが、パターン基板11及び枠体12が、互いに実質的に同一の熱膨張係数を有する材料により構成されるのが好ましい。また、後述する形成工程において、インプリント用テンプレート1側から活性エネルギー線を照射させる場合、パターン基板11及び枠体12は透明なガラス材料で構成され得る。
パターン基板11の平面視形状、大きさ(平面視における大きさ)、及び厚さ等は特に限定されるものではなく、後述するインプリント方法によって製造されるパターン構造体の形状や大きさ等に応じて適宜設定され得る。本実施形態におけるパターン基板11の平面視形状は略矩形状であるが、特に限定されるものではなく、例えば略円形状等であってもよい。また、パターン基板11の大きさは、パターン基板11の平面視形状が略矩形状である場合、20mm×20mm〜200mm×200mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、パターン基板11の厚さは、例えば500μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12の外郭の平面視形状、大きさ(平面視における大きさ)、及び厚さ等は、パターン基板11の平面視形状、大きさ、及び厚さ等に応じて適宜設定され得る。本実施形態における枠体12の外郭の平面視形状はパターン基板11の平面視形状に実質的に同一の略矩形状であるが、これに限定されるものではなく、パターン基板11の平面視形状と異なる形状であってもよい。例えば、パターン基板11の平面視形状が例えば略円形状である場合、枠体12の外郭の平面視形状を略矩形状としてもよい。また、枠体12の開口部12Hの平面視形状はパターン基板11の第1面11Fの平面視形状と実質的に同一の略矩形状であるが、これに限定されるものではなく、パターン基板11の第1面11Fの平面視形状と異なる形状であってもよい。例えばパターン基板11の第1面11Fの平面視形状が略円形状である場合、枠体12の開口部12Hの平面視形状を略矩形状としてもよい。
枠体12の外郭の大きさは、枠体12の外郭の平面視形状が略矩形状である場合、50mm×50mm〜300mm×300mm程度の範囲で適宜設定され得る。枠体12の開口部12Hの大きさ(平面視における大きさ)は、パターン基板11を露出可能な程度の大きさであればよく、枠体12の平面視形状が略矩形状である場合、20mm×20mm〜200mm×200mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、枠体12の厚さ12Tは、例えば500μm〜20mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12の側壁部12Wの側壁面の高さ12HD(枠体12の厚さ方向における長さ)は、後述する載置工程において、パターン基板11の側面11Sを枠体12の側壁部12Wにて取り囲んだときに、パターン基板11の第2面11Rと枠体12の底部12Bとの間に第2間隙S2が形成される程度の高さに適宜設定され得る。例えば、高さ12HDは、500μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12の側壁部12Wのパターン基板11の側面11Sに対向する側壁面、底部12Bのパターン基板11の第2面11Rに対向する底面及び貫通孔12BHの内壁は、粗面化されている。これにより、枠体12と接合部13との接合強度を増大させることができる。当該側壁面、底面及び内壁の算術平均粗さRaは、枠体12と接合部13との接合強度を増大させ得る程度であればよく、例えば、1μm〜10μm程度であればよい。なお、枠体12と接合部13との接合強度を増大させ得る限りにおいて、枠体12の側壁部12Wの側壁面、底部12Bの底面及び貫通孔12BHの内壁のうち、少なくとも接合部13と当接する部位の表面が粗面化されていればよく、その意味では少なくとも側壁部12Wの側壁面が粗面化されていればよい。上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:2013の規格に準拠している。なお、図2(A)に示される、底部12Bを有していない枠体12は、枠体12の母材となる基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通穴としての開口部12Hを形成することにより作製され得る。このため、底部12Bを有する枠体12のように、母材となる基板の一方の面から凹部を形成することで、開口部12H及び底部12Bを形成し、その上でさらに底部12Bに貫通孔12BHを形成する場合と比較して、底部12Bを有していない枠体12の作製は容易である。よって、底部12Bを有していない枠体12を用いることにより、底部12Bを有する枠体12を用いる場合に比較して、インプリント用テンプレート1の製造に要するコストを低減することができる。
<載置工程>
次に、パターン基板11の第1面11Fを平板100の平坦面100Fに対向させるように平坦面100F上にパターン基板11を載置し(図5(B))、パターン基板11の側面11Sと側壁部12Wとの間に第1間隙S1を形成するように、かつパターン基板11の側面11Sを側壁部12Wで取り囲むようにして平坦面100F上に枠体12を載置する(図5(C))。枠体12が平坦面100F上に載置された状態において、パターン基板11の第2面11R及び枠体12の底部12Bの間に存在する第2間隙S2を介して、上記第1間隙S1に貫通孔12BHが連通している(図5(C)参照)。なお、図2(A)に示すような枠体12が用いられる場合、枠体12を平板100の平坦面100F上に載置してから、パターン基板11の側面11Sと側壁部12Wとの間に第1間隙S1を形成するように、かつパターン基板11の側面11Sが枠体12の側壁部12Wに囲まれるようにして、平坦面100F上にパターン基板11を載置してもよい。
<充填工程>
続いて、パターン基板11及び枠体12を接合するための接合材用組成物13BMを貫通孔12BHから注入し、第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHに接合材用組成物13BMを充填する(図6(A))。接合材用組成物13BMとしては、充填された接合材用組成物13BMが枠体12と平板100との間から染み出してしまうのを防止する観点から、25℃の粘度が1Pa・s〜5Pa・sである硬化性樹脂組成物であるのが好ましい。硬化性樹脂組成物として、熱硬化性樹脂組成物、紫外線や電子線等の活性エネルギー線を照射することにより硬化され得る活性エネルギー線硬化性樹脂組成物が挙げられる。本工程においては、硬化性樹脂組成物として、例えば、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物が用いられる。
<形成工程>
次に、第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHに充填された接合材用組成物13BMを硬化させることでパターン基板11及び枠体12を接合する接合部13を形成する(図6(B)参照)。本工程においては、矢印Rで示されるように、透明材料により構成される平板100の厚さ方向に沿って対向面100R側から平坦面100F側に向かって、活性エネルギー線硬化樹脂組成物である接合材用組成物13BMに平板100を介して活性エネルギー線を照射することで、接合材用組成物13BMを硬化させることができる。もちろん、枠体12及びパターン基板11が透明材料により構成される場合、枠体12の底部12B側から活性エネルギー線を照射してもよい。
<平板除去工程>
接合部13を形成した後、平板100を除去する(図6(C)参照)。以上の工程を経ることにより、パターン基板11の第1面11Fと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとが実質的に面一であるインプリント用テンプレート1が形成され得る。
[多面付けインプリント用テンプレートの製造方法]
図7及び図8は、本開示の他の実施形態における多面付けインプリント用テンプレートの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。本実施形態においては、図4に示される多面付けインプリント用テンプレート1を製造するための製造方法を例として説明する。なお、図5及び図6を用いて説明したインプリント用テンプレートの製造方法に用いられる各部材と同様の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。
<準備工程>
まず、平坦面100F及びこの平坦面100Fに対向する対向面100Rを有する平板100を準備する(図7(A))。本実施形態における平板100の大きさ(平面視における大きさ)としては、多面付けインプリント用テンプレート1を構成するパターン基板11の大きさ(平面視における大きさ)や数等に応じて適宜設定され得る。例えば、平板100の大きさ(平面視における大きさ)は、平板100の平面視形状が略矩形状である場合、100mm×100mm〜600mm×600mm程度の範囲で適宜設定され得る。さらに、平板100の厚さは、例えば500μm〜20mm程度の範囲で適宜設定され得る。
複数(ここでは4つであり、図示上は2つ)のパターン基板11を準備する。各パターン基板11の大きさ(平面視における大きさ)としては、特に限定されるものではないが、パターン基板11の平面視形状が略矩形状である場合、20mm×20mm〜200mm×200mm程度の範囲で適宜設定され得る。なお、各パターン基板11の平面視形状は、上述同様、略矩形状や略円形状等として適宜設定され得る。また、各パターン基板11の厚さについても、上述同様、500μm×10mm程度の範囲で適宜設定され得る。
本工程において準備される枠体12は、各パターン基板11の側面11Sとの間に第1間隙S1を形成可能な側壁部12Wと、第1間隙S1に連続する第2間隙S2を各パターン基板11の第2面11Rとの間に形成可能な底部12Bとを有する。側壁部12Wは、外枠部12WBと、当該外枠部12WBに連続する仕切り枠部12WPとを含む。仕切り枠部12WPは、外枠部12WB内を複数の略矩形状の領域12H1、12H2、12H3、12H4に区分する。各底部12Bには、第2間隙S2を介して第1間隙S1に連続する貫通孔12BHが形成されている。
枠体12の領域12H1〜12H4の平面視形状は各パターン基板11の第1面11Fの平面視形状と実質的に同一の略矩形状であるが、これに限定されるものではなく、各パターン基板11の第1面11Fの平面視形状と異なる形状であってもよい。例えば、各パターン基板11の第1面11Fの平面視形状が略円形状である場合、領域12H1〜12H4の平面視形状を略矩形状としてもよい。枠体12の外郭の大きさ(平面視における大きさ)としては、上記複数のパターン基板11の大きさ(平面視における大きさ)や数に応じて適宜設定され得る。枠体12の外郭の大きさは、枠体12の外郭の平面視形状が略矩形状である場合、100mm×100mm〜600mm×600mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、枠体12の厚さ12Tは、上述同様、各パターン基板11の厚さに応じて、500μm×20mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12の領域12H1〜12H4の大きさ(平面視における大きさ)は、パターン基板11のそれぞれを露出可能な大きさであればよく、枠体12の領域12H1〜12H4の平面視形状が略矩形状である場合、20mm×20mm〜200mm×200mm程度の範囲で適宜設定され得る。また、枠体12の側壁部12W(外枠部12WB及び仕切り枠部12WP)の側壁面の高さ12HDは、上述同様、後述する載置工程において、各パターン基板11の側面11Sを枠体12の側壁部12W(外枠部12WBの内側壁面や仕切り枠部12WPの側壁面)で取り囲んだときに、断面視において、各パターン基板11の第2面11Rと枠体12の底部12Bとの間に第2間隙S2が形成される程度の高さに適宜設定され得る。例えば、高さ12HDは、500μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。
枠体12の側壁部12W(外枠部12WB及び仕切り枠部12WP)の各パターン基板11の側面11Sに対向する側壁面(外枠部12WBの内側壁面及び仕切り枠部12WPの側壁面)、各底部12Bのパターン基板11の第2面11Rに対向する底面及び各貫通孔12BHの内壁は、粗面化されている。これにより、枠体12と接合部13との接合強度を増大させることができる。当該側壁面、底面及び内壁の算術平均粗さRaは、枠体12と接合部13との接合強度を増大させ得る程度であればよく、例えば、1μm〜10μm程度であればよい。なお、枠体12と接合部13との接合強度を増大させ得る限りにおいて、枠体12の側壁部12W(外枠部12WB及び仕切り枠部12WP)の側壁面、底部12Bの底面及び貫通孔12BHの内壁のうち、少なくとも接合部13と当接する部位の表面が粗面化されていればよく、その意味では少なくとも側壁部12W(外枠部12WB及び仕切り枠部12WP)の側壁面(外枠部12WBの内側壁面及び仕切り枠部12WPの側壁面)が粗面化されていればよい。また、上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:2013の規格に準拠している。
<載置工程>
次に、平板100の平坦面100F上に、複数(ここでは4つ、図示上では2つ)のパターン基板11を、当該パターン基板11の第1面11Fを平坦面100Fに対向させるように、載置する(図7(B))。この際、各パターン基板11は、隣り合うパターン基板11同士の間に所定の隙間を空けるようにして平坦面100F上の所定部位に位置決めされて平坦面100F上に載置される。上記所定の隙間の幅として、この後、枠体12を平坦面100Fに載置する際に、枠体12の仕切り枠部12WPを上記隙間内に収容可能な幅であり、仕切り枠部12WPの側壁面と各パターン基板11の側面11Sとの間に所定の間隔(後述する第1間隙S1)を形成可能な幅が適宜設定され得る。また、平板100の平坦面100F上に各パターン基板11が載置された際に、平板100の平坦面100Fの外周部分に、枠体12の側壁部12Wを載置可能な余白領域が形成される。
各パターン基板11を平板100の平坦面100F上に載置した後、枠体12を平坦面100F上に載置する(図7(C))。枠体12は、各パターン基板11の側面11Sと側壁部12W(外枠部12WB及び仕切り枠部12WP)との間に第1間隙S1を形成するように、かつ、各パターン基板11の側面11Sを、側壁部12W(外枠部12WBの内側壁面及び仕切り枠部12WPの側壁面)で取り囲むようにして、平坦面100F上に載置される。平板100の平坦面100F上に枠体12が載置された状態において、各パターン基板11の側面11Sと、側壁部12W(外枠部12WBの内側壁面及び仕切り枠部12WPの側壁面)との間に第1間隙S1が存在し、各パターン基板11の第2面11Rと、枠体12の底部12Bとの間に第2間隙S2が存在する。底部12Bの貫通孔12BHは、第2間隙S2を介して第1間隙S1に連通している。
<充填工程>
続いて、各パターン基板11及び枠体12を接合するための接合材用組成物13BMを貫通孔12BHから注入し、第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHに接合材用組成物13BMを充填する(図8(A))。接合材用組成物13BMとしては、上述と同様の理由により、25℃の粘度が1Pa・s〜5Pa・sである硬化性樹脂組成物であるのが好ましい。本実施形態においては、硬化性樹脂組成物として、例えば、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、あるいは、メラミン樹脂、ポリエステル−メラミン樹脂、エポキシ−メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、熱硬化型ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリエステル樹脂等の熱硬化樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物が用いられる。
<形成工程>
次に、上記第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHに充填された接合材用組成物13BMを硬化させることで各パターン基板11及び枠体12を接合する接合部13が形成され得る(図8(B)参照)。本工程においては、矢印Rで示されるように、透明材料により構成される平板100の厚さ方向に沿って対向面100R側から平坦面100F側に向かって活性エネルギー線硬化樹脂組成物である接合材用組成物13BMに平板100を介して活性エネルギー線を照射することで、接合材用組成物13BMを硬化させることができる。もちろん、枠体12及びパターン基板11が透明材料により構成される場合、枠体12の底部12B側から活性エネルギー線を照射してもよい。
<平板除去工程>
接合部13を形成した後、平板100を除去する(図8(C)参照)。以上の工程を経ることにより、各パターン基板11の第1面11Fと、枠体12の上面12Fと、接合部13の上面13Fとが実質的に面一である多面付けインプリント用テンプレート1が形成され得る。
[アライメントマーク]
図9は、図5(B)に示される工程において、パターン基板及び平板のそれぞれに形成されているアライメントマークを用いて、パターン基板を平板の平坦面に載置する方法を説明する模式図である。本図においては、平板100の平坦面100F上に所定形状のアライメントマーク100Mが形成されており、当該アライメントマーク100Mは金属膜パターンで構成されている。アライメントマーク100Mを構成する金属膜パターンは、クロム(Cr)等を含む金属膜をパターニングしてなるものである。アライメントマーク100Mの平面視における大きさ(寸法)は、撮像装置200で観察可能である限りにおいて特に限定されるものではないが、100μm×100μm〜2mm×2mm程度の範囲で適宜設定され得る。アライメントマーク100Mの膜厚も、撮像装置200で観察可能である限りにおいて特に限定されるものではなく、2nm〜100nm程度の範囲で適宜設定され得る。また、パターン基板11の第1面11Fに凹状のアライメントマーク11Mが形成されている。アライメントマーク11Mの平面視における大きさ(寸法)は、100μm×100μm〜2mm×2mm程度の範囲で適宜設定され得る。アライメントマーク11Mの深さは、100nm〜100μm程度の範囲で適宜設定され得る。アライメントマーク11Mの平面視における大きさ(寸法)が上記数値範囲内の大きさで設定され、アライメントマーク11Mの深さが上記数値範囲内の深さで設定されることで、アライメントマーク100Mをアライメントマーク11Mに接触させないように、平板100の平坦面100Fにパターン基板11を載置することができる。これにより、パターン基板11の第1面11Fと平板100の平坦面100Fとが互いに隙間なく密着し得るように、平板100の平坦面100F上にパターン基板11を載置することができる。また、各アライメントマークを撮像装置200で観察可能とする観点から、パターン基板11及び平板100は透明なガラス材料で構成され得る。なお、アライメントマーク100Mは、アライメントマーク11Mと同様に凹状のアライメントマークであってもよいが、金属膜パターンであるのが好ましい。アライメントマーク100Mが金属膜パターンであることにより視認性を向上させることができる。
アライメントマーク100M及びアライメントマーク11Mの平面視形状としては、上記撮像装置200等によって観察可能である限りにおいて特に限定されるものではなく、例えば十字状、×字状、矩形状、円形状、カギ形状等が挙げられる。また、本実施形態において、上記アライメントマーク100Mは、平板100の平坦面100Fに少なくとも2つ形成されていればよく、同様に、上記アライメントマーク11Mは、パターン基板11の第1面11Fに少なくとも2つ形成されていればよい。なお、平板100、パターン基板11のそれぞれに、上記各アライメントマークが3つ以上形成されていることにより、位置合わせの精度を高めることができる。また、アライメントマーク100Mが平板100の対向面100Rに形成されていてもよく、アライメントマーク11Mがパターン基板11の第2面11Rに形成されていてもよい。
パターン基板11の第1面11Fに形成されているアライメントマーク11Mと、平板100の平坦面100Fに形成されているアライメントマーク100Mとを指標にして、パターン基板11と平板100との位置合わせを行い、パターン基板11を平坦面100F上に載置する(図9参照)。例えば、X方向、Y方向、及びZ方向に移動可能なステージ(不図示)上に平板100を、その平坦面100F側が上面となるようにして載置する。パターン基板11を、その第1面11Fを平板100の平坦面100Fに対向させた状態で、所定の保持装置(不図示)により保持しておく。アライメントマーク100Mとアライメントマーク11Mとを撮像装置200で観察しながら、平板100が載置されているステージをX方向、Y方向、あるいは、Z方向に相対的に移動させる。そして、パターン基板11のアライメントマーク11Mと、平板100のアライメントマーク100Mとを指標にして、パターン基板11と平板100との位置合わせを行い(図9(A))、両者を位置合わせした状態で、上記ステージをZ方向に上昇させることにより、パターン基板11が平板100の平坦面100F上に載置され得る(図9(B))。これにより、平板100の平坦面100F上にパターン基板11が載置される際、平坦面100F上の所定部位にパターン基板11が正確に位置合わせされ得る。
なお、上記保持装置がX方向、Y方向、及びX方向に移動可能に構成されており、上記ステージが固定されている態様であってもよい。この場合、固定されているステージ上に平板100を載置し、上記各アライメントマークを撮像装置200で観察しながら、パターン基板11を保持する保持装置をX方向、Y方向、あるいはZ方向に相対的に移動させつつ、パターン基板11のアライメントマーク11Mの位置と、平板100のアライメントマーク100Mの位置との位置合わせを行ってもよい。
[真空吸着]
図10は、図5(C)に示される工程において、平板に形成されている吸着孔を介して、パターン基板及び枠体を平板の平坦面に真空吸着させる方法を説明する模式図である。平板100には、平坦面100F上におけるパターン基板11及び枠体12のそれぞれが載置される位置に開口し、平板100の厚さ方向に貫通する吸着孔100SHが形成されている(図10参照)。
図5(C)において、平板100の平坦面100F上にパターン基板11及び枠体12を載置した後、吸着孔100SHを介してパターン基板11及び枠体12を平板100の平坦面100Fに真空吸着させる(図10参照)。図10において、吸着孔100SHは、平坦面100F上におけるパターン基板11の第1面11Fの外縁部が載置される位置や、枠体12の上面12Fの所定部位(図10において枠体12の側壁部12Wの中央付近)に開口しているが、これに限定されるものではなく、パターン基板11や枠体12を吸着可能な位置に開口するものであればよい。また、図10に示されるように、平板100には、合計4つの吸着孔100SHが形成されているが、これに限定されるものではなく、パターン基板11の大きさ(平面視における大きさ)に応じて、吸着孔100SHの形成数が適宜設定され得る。
吸着孔100SHを介してパターン基板11及び枠体12を平板100の平坦面100Fに真空吸着させることにより、パターン基板11及び枠体12が平板100の平坦面100Fに強固に密着され、パターン基板11の第1面11Fや枠体12の上面12Fにおいて歪みや反りが存在していたとしても、その歪みや反りが矯正され得る。その状態(歪みや反りが矯正された状態)で第1間隙S1、第2間隙S2及び貫通孔12BHに接合材用組成物13BMを充填し、硬化させて接合部13を形成する。その結果、パターン基板11の第1面11F、枠体12の上面12F及び接合部13の上面13Fをより面一にすることができる。
[インプリント方法]
図11は、本開示の一実施形態におけるインプリント方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。ここでは、図1に示されるインプリント用テンプレート1を用いたインプリント方法を例として説明する。
<準備工程>
まず、図1に示されるインプリント用テンプレート1と、被転写面400F及び被転写面400Fに対向する対向面400Rを有する基材400とを準備する(図11(A)参照)。基材400としては、例えば、石英ガラス基材、ソーダガラス基材、フッ化カルシウム基材、フッ化マグネシウム基材、アクリルガラス等は、これらのうちから任意に選択される2以上の基材を積層してなる積層基材等の透明基材;ニッケル基材、チタン基材、アルミニウム基材等の金属基材等;シリコン基材、窒化ガリウム基材等の半導体基材等が挙げられる。基材400の形状、大きさ(平面視における大きさ)、厚さは特に限定されるものではなく、本インプリント法によって形成されるパターン構造体の形状や大きさ等に応じて適宜設定され得る。
<樹脂供給工程>
基材400の被転写面400Fに、インプリント樹脂500を供給する(図11(A)参照)。インプリント樹脂500としては、従来公知の紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。インプリント樹脂500の供給量は、本実施形態におけるインプリント方法により作製されるパターン構造体の残膜厚及びインプリント用テンプレート1の凹凸パターン11Pの容積等に応じて適宜算出され、決定され得る。
<転写工程>
続いて、インプリント樹脂500にインプリント用テンプレート1の凹凸パターン11Pを接触させることで、インプリント用テンプレート1の凹凸パターン11Pをインプリント樹脂500に転写する(図11(B)参照)。
<硬化工程>
次に、インプリント用テンプレート1を介して活性エネルギー線(紫外線等)Lを枠体12の底部12B側から照射し、インプリント樹脂500を硬化させる(図11(C)参照)。
<基材除去工程>
最後に、硬化したインプリント樹脂500とインプリント用テンプレート1とを引き離す(図11(D)参照)。これにより、基材400の被転写面400F上に、インプリント用テンプレート1の凹凸パターン11Pが転写されてなるパターン構造体500’が形成され得る。
上述したように、本実施形態に係るインプリント用テンプレート1を用いてインプリント処理を行うことで、無欠陥のパターン構造体500’が製造され得る。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計思想や均等物をも含む趣旨である。
図12は、図5に示される平板の平坦面上に離型層が形成されており、離型層上にインプリント用テンプレートが形成されている態様を示した模式図である。平板100の平坦面100F上に離型層300が設けられていてもよい(図12参照)。離型層300の厚さとしては、平板100の平坦面100Fの平坦度を損なわない限りにおいて特に限定されるものではなく、1nm〜1μmの範囲で適宜設定され得る。また、離型層300を構成する材料として、例えばオプツールDSX(ダイキン工業社製)等が挙げられる。
なお、離型層300は、図12に示されるように平坦面100Fの全面に設けられるものに限定されるものではなく、例えば、平坦面100F上における接合材用組成物13BMと接触する領域に設けられるものであってもよい。平坦面100F上に離型層300を設けることにより、図6(C)において、平板100を除去する際に、インプリント用テンプレート1と平板100とを容易に引き離すことができる。
図13は、図5(B)に示される工程の変形例であり、平板100に形成されている穴部100Hからパターン基板11のパターン領域(凹凸パターン11P)を露出させるようにパターン基板11を平板100の平坦面100Fに載置する方法を説明する模式図である。ここでは、パターン基板11の第1面11Fから突出してなる複数の凸部11PPを有する凹凸パターン11Pが形成されている領域をパターン領域11FPとし、パターン領域11FPの外周を取り囲む、パターンが形成されていない領域を非パターン領域11FNとする。平板100には、パターン領域11FPを物理的に包摂可能な大きさであって、平板100の厚さ方向に貫通する穴部100Hが形成されている(図13(A)参照)。
上記パターン基板11は、平板100の穴部100Hからパターン領域11FPを露出させるように、かつ、非パターン領域11FNを平坦面100Fに当接させるようにして、平坦面100F上に載置される(図13(B)参照)。穴部100Hが形成されてない平板100の平坦面100F(図5(A)参照)上に、上記凸部11PPを有する凹凸パターン11Pが形成されているパターン基板11を、第1面11Fを平坦面100Fに対向させるようにして載置する場合、凹凸パターン11P(凸部11PP)と平坦面100Fとが当接してしまうことで、凹凸パターン11P(凸部11PP)の破損が生じ得る。本変形例によれば、第1面11Fを平坦面100Fに対向させるようにして、穴部100Hが形成されている平板100にパターン基板11が載置される際、凹凸パターン11Pの凸部11PPを、平板100の穴部100Hに逃がす(退避させる)ことができる。それにより、凹凸パターン11P(凸部11PP)と平坦面100Fとが当接することがなく、凹凸パターン11P(凸部11PP)の破損を防止することができる。
1…インプリント用テンプレート
11…パターン基板
11P…凹凸パターン
12…枠体
12H…開口部
12W…側壁部
12WB…外枠部
12WP…仕切り枠部
12B…底部
12BH…貫通孔
13…接合部
13BM…接合材用組成物
100…平板
100SH…吸着孔
100H…穴部
11FP…パターン領域
11FN…非パターン領域
11M、100M…アライメントマーク

Claims (23)

  1. 第1面、当該第1面に対向する第2面、並びに当該第1面の外縁及び当該第2面の外縁の間に連続する側面を有し、前記第1面に凹凸パターンが形成されてなるパターン基板と、
    少なくとも前記凹凸パターンを露出させ得る開口部、及び前記パターン基板の前記側面との間に第1間隙を設けるようにして前記側面を取り囲む側壁部を含む枠体と、
    前記パターン基板の前記側面及び前記枠体の前記側壁部の間の第1間隙に位置し、前記パターン基板及び前記枠体を接合する接合部と、
    を備え、
    前記パターン基板の前記第1面を上方に向けた側面視において、前記パターン基板の前記第1面と、前記枠体の上面と、前記第1間隙に位置する前記接合部の上面とが、実質的に面一である
    インプリント用テンプレート。
  2. 前記枠体の厚さが、前記パターン基板の厚さより厚い
    請求項1に記載のインプリント用テンプレート。
  3. 前記枠体は、前記パターン基板の前記第2面に対向する底部をさらに有し、
    前記枠体の前記底部には、前記第1間隙に連続する貫通孔が設けられている
    請求項1又は2に記載のインプリント用テンプレート。
  4. 前記枠体の前記底部は、前記パターン基板の前記第2面との間に前記第1間隙に連続する第2間隙を設けるようにして前記パターン基板の前記第2面に対向しており、
    前記貫通孔は、前記第2間隙を介して前記第1間隙に連続している
    請求項3に記載のインプリント用テンプレート。
  5. 前記枠体の前記側壁部のうち、少なくとも前記接合部に当接する部位の表面が粗面化されている
    請求項1〜4のいずれかに記載のインプリント用テンプレート。
  6. 前記パターン基板及び前記枠体のそれぞれの熱膨張係数が実質的に同一である
    請求項1〜5のいずれかに記載のインプリント用テンプレート。
  7. 前記パターン基板及び前記枠体がガラス製である
    請求項1〜6のいずれかに記載のインプリント用テンプレート。
  8. 前記接合部が硬化樹脂により構成される
    請求項1〜7のいずれかに記載のインプリント用テンプレート。
  9. 前記枠体の前記側壁部は、外枠部と、当該外枠部に連続し、当該外枠部内を複数の領域に区分する仕切り枠部とを含み、
    前記外枠部内の前記複数の領域のそれぞれに、前記パターン基板が配置されており、
    前記第1間隙は、前記外枠部の内側壁面及び前記仕切り枠部の側壁面と前記複数の領域のそれぞれに配置されている前記パターン基板の前記側面との間の間隙、又は前記仕切り枠部の側壁面と前記複数の領域のそれぞれに配置されている前記パターン基板の前記側面との間の間隙である
    請求項1〜8のいずれかに記載のインプリント用テンプレート。
  10. 平坦化されてなる平坦面及び当該平坦面に対向する対向面を有する平板と、第1面、当該第1面に対向する第2面並びに前記第1面の外縁及び前記第2面の外縁の間に連続する側面を有し、前記第1面に凹凸パターンが形成されてなるパターン基板と、前記パターン基板の前記側面との間に第1間隙を形成可能な側壁部と、前記凹凸パターンを露出可能な開口部とを有する枠体とを準備する工程と、
    前記パターン基板の前記第1面を前記平板の前記平坦面に対向させるように、かつ前記パターン基板の前記側面を前記側壁部で取り囲むようにして、前記平坦面上に前記パターン基板及び前記枠体を載置する工程と、
    前記平坦面上に載置された前記パターン基板の前記側面及び前記枠体の前記側壁部の間に存在する前記第1間隙に、前記パターン基板及び前記枠体を接合するための接合材用組成物を充填する工程と、
    前記第1間隙に充填された前記接合材用組成物を硬化させることで前記パターン基板及び前記枠体を接合する接合部を形成する工程と、
    前記接合部を形成した後、前記平板を除去する工程と、を備える
    インプリント用テンプレートの製造方法。
  11. 前記枠体は、前記側壁部と、前記開口部と、底部とを有する有底筒形状であって、前記パターン基板の厚さよりも厚く、
    前記枠体の前記底部には、貫通孔が形成されており、
    前記枠体が前記平坦面上に載置された状態において、前記パターン基板の前記第2面及び前記枠体の前記底部の間に存在する第2間隙を介して、前記パターン基板の前記側面及び前記枠体の前記側壁部の間に存在する第1間隙に前記貫通孔が連通しており、
    前記接合材用組成物を充填する工程において、前記貫通孔から前記接合材用組成物を注入することで前記第1間隙に前記接合材用組成物を充填する
    請求項10に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  12. 前記枠体の前記側壁部は、外枠部と、当該外枠部に連続し、当該外枠部内を複数の領域に区分する仕切り枠部とを含み、
    前記パターン基板は、前記枠体の前記外枠部内の前記複数の領域のそれぞれに配置される
    請求項10又は11に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  13. 前記枠体の前記側壁部の側壁面のうち、前記接合部と当接する部位の表面が少なくとも粗面化されている
    請求項10〜12のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  14. 前記パターン基板及び前記枠体が、互いに実質的に同一の熱膨張係数を有する材料により構成される
    請求項10〜13のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  15. 前記パターン基板、及び前記枠体がガラス製である
    請求項10〜14のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  16. 前記接合材用組成物が、硬化性樹脂組成物である
    請求項10〜15のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  17. 前記硬化性樹脂組成物の25℃の粘度が1Pa・s〜5Pa・sである
    請求項16に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  18. 前記硬化性樹脂組成物は活性エネルギー線硬化性樹脂組成物であり、
    前記平板は透明材料により構成されており、
    前記接合部を形成する工程において、前記平板の厚さ方向に沿って前記対向面側から前記平坦面側に向かって前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物に活性エネルギー線を照射する
    請求項16又は17に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  19. 前記平板の前記平坦面上における前記接合材用組成物と接触する領域に離型層が設けられている
    請求項10〜18のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  20. 前記平板には、前記平坦面上における前記パターン基板及び前記枠体のそれぞれが載置される位置に開口し、前記平板の厚さ方向に貫通する吸着孔が形成されており、
    前記平板の前記平坦面上に前記パターン基板及び前記枠体を載置した後、前記吸着孔を介して前記パターン基板及び前記枠体を前記平板の前記平坦面に真空吸着させる
    請求項10〜19のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  21. 前記パターン基板の前記第1面及び前記平板の前記平坦面のそれぞれにアライメントマークが形成されており、
    前記パターン基板の前記第1面に形成されている前記アライメントマークの位置と、前記平板の前記平坦面に形成されている前記アライメントマークの位置とを合わせるようにして、前記パターン基板を前記平坦面上に載置する
    請求項10〜20のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  22. 前記パターン基板の前記第1面は、前記凹凸パターンが形成されているパターン領域及び当該パターン領域の外周を取り囲む非パターン領域を含み、
    前記平板には、前記パターン領域を物理的に包摂可能な大きさであって、前記平板の厚さ方向に貫通する穴部を有し、
    前記パターン基板は、前記平板の前記穴部から前記パターン領域を露出させるように、かつ、前記非パターン領域を前記平坦面に当接させるようにして、当該平坦面上に載置される
    請求項10〜21のいずれかに記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
  23. 請求項1〜9の何れかに記載のインプリント用テンプレートと被転写面を有する基材とを準備し、前記被転写面上のインプリント樹脂に前記インプリント用テンプレートの前記凹凸パターンを転写する工程と、
    前記凹凸パターンが転写された前記インプリント樹脂と前記インプリント用テンプレートとを引き離す工程と、を有する
    インプリント方法。
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