JP2019161173A - ウェーハの熱処理方法およびウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一般的に、熱処理炉は、ウェーハの重なり方向に並んで配置された複数のヒータによって加熱される。
このような構成において、ボートの搬入出が繰り返されると、熱処理炉内における特に開口付近の温度変化が大きくなるため、複数のヒータのうち最も下側に位置し、開口付近を加熱しているヒータ(以下、「第1ヒータ」という場合がある)が他のヒータよりも劣化しやすくなる。
特許文献1の方法は、ボートの搬入期間内におけるヒータ素線の温度の最大値を監視し、その最大値が所定温度以上高くシフトした場合に、ヒータ素線の寿命が近いと判断する。
しかしながら、特許文献1のような方法では、ヒータの温度測定結果に基づく寿命予測に基づいてヒータを交換するため、ヒータの劣化がウェーハの熱処理に大きな影響を与えない状況でもヒータが交換されてしまい、無駄なヒータの交換作業が発生するおそれがある。
第1ヒータが劣化しても、ボート搬入時の一時的な温度低下(以下、「搬入時温度低下」という場合がある)が比較的小さい場合、次バッチの温度低下もそれほど大きくなく下限値未満にならないと考えられる。そして、次バッチにおける第1処理領域および第2処理領域の温度変化は、設定炉内温度に基づく変化とほぼ同じになると推定できる。この場合、ヒータの劣化がウェーハの熱処理に与える影響はほとんど無いため、第1処理領域および第2処理領域において、次バッチで同じ要求品質のウェーハを熱処理しても、意図した品質のウェーハを製造できる。
また、ウェーハの選別基準として、ヒータの温度測定結果を用いるのではなく、熱処理炉内の温度測定結果を用いるため、ヒータの劣化が熱処理に与える影響を把握することができる。したがって、ヒータの劣化がウェーハの熱処理に大きな影響を与えない状況において、ヒータが交換されることを抑制できる。
なお、本発明のウェーハとしては、シリコン、SiC、GaAs、GaNなどの半導体材料から構成された半導体ウェーハが例示できる。
なお、本発明において、第1温度低下量および次バッチ低下量推定値とは、例えば搬入工程開始からX分後の第1炉内温度センサの温度測定結果に基づき算出する場合、X分後の温度測定結果と、X分後における設定炉内温度との差を意味し、X分後の温度測定結果と、X分後よりも前または後の搬入工程開始からY分後における設定炉内温度との差を意味するものではない。
本発明によれば、次バッチ温度推定値の最大値に基づいて選別工程を行うことができ、ヒータの劣化がウェーハの熱処理に与える影響を精度良く判定できる。
BMDは、ウェーハが700℃付近で熱処理される時間が長いほど多く発生する。
本発明によれば、次バッチ温度算出工程で算出された次バッチ低下量推定値の最大値が第1上限値を超える場合、次バッチにおいて、第1処理領域よりも熱処理炉の開口側に位置する第2処理領域の温度は、700℃付近から一度下がった後、再び上がって700℃付近を超える。つまり、第2処理領域は、700℃付近の温度領域を2回通過することになる。このため、第2処理領域で熱処理されたウェーハのBMDの個数は、第1処理領域で熱処理されたウェーハよりも多くなる。そこで、第2処理領域において、BMD個数の許容範囲が基準許容範囲よりも大きいウェーハのみを熱処理することを許容することによって、第1処理領域および第2処理領域において意図しない品質のウェーハが製造されることを抑制できる。
本発明によれば、次バッチ温度算出工程で算出された次バッチ低下量推定値の最大値が第1上限値より大きい第2上限値を超える場合、次バッチにおいて、第2処理領域は、700℃付近の温度領域を2回通過することになるが、第2上限値以下の場合と比べて、700℃付近の温度領域を通過する時間が長くなる。その結果、第2処理領域で熱処理されたウェーハのBMDの個数は、第2上限値以下の場合と比べて多くなる。そこで、第2処理領域において、全てのウェーハの熱処理を禁止することによって、BMDが多すぎることによる品質不良のウェーハが製造されることを抑制できる。
まず、本発明の関連技術を図面に基づいて説明する。
図1および図2に示すように、熱処理装置1は、ボート2と、熱処理炉3と、閉塞部4と、第1〜第5ヒータ51〜55と、第1〜第5炉内温度センサ61〜65と、制御部7とを備え、ボート2に保持された複数のウェーハWを熱処理する。
ライナー管31は、例えばSiC(炭化珪素)により形成されている。ライナー管31の下端には、炉芯管32の開口321を囲み、ライナー管31を支持するハウジング311が設けられている。
炉芯管32は、例えば石英により形成され、その内部空間に、炉芯管32の軸方向と複数のウェーハWの重なり方向とが一致するように、ボート2を搬入および搬出可能に構成されている。炉芯管32は、その外周面がライナー管31のハウジング311に密着し、かつ、当該炉芯管32の下端がライナー管31の下端よりも下方に位置するように設けられている。炉芯管32の外周面におけるライナー管31から下方に突出した位置には、排気装置11に接続された排気管33と、ガス供給装置12に接続されたガス供給管34とが設けられている。
第1〜第5ヒータ51〜55は、例えばライナー管31の外周面にヒータ素線が巻き付けられたコイルにより構成されている。第1〜第5ヒータ51〜55は、それぞれ第1〜第5電源511〜551に接続され、互いに異なるパワーを供給できるようになっている。
なお、第1〜第5ヒータ51〜55は、一体に成型されているため個別に交換することは困難であり、例えば第1ヒータ51のヒータ素線のみが断線しても、第1〜第5ヒータ51〜55の全てを一度に交換することが一般的に行われている。
第1〜第5炉内温度センサ61〜65は、例えば熱電対により構成され、上下方向に延びる石英またはSiCなどの保護管66によって保持されている。
制御部7は、第1〜第5炉内温度センサ61〜65における熱処理領域32Aの温度測定結果に基づいて、熱処理領域32Aが記憶部71に記憶された設定炉内温度となるように、第1〜第5電源511〜551を制御し、第1〜第5ヒータ51〜55に供給するパワーを調整する。
記憶部71には、熱処理の各工程における熱処理領域32Aの設定炉内温度、温度測定結果、圧力、ガス流量などが記憶されている。
ウェーハWの熱処理方法は、搬入工程と、熱処理工程と、搬出工程とを備えている。また、搬入工程、熱処理工程および搬出工程の間、後述するように、第1〜第5炉内温度センサ61〜65で温度を測定する測温工程と、熱処理領域32Aが設定炉内温度となるように第1〜第5ヒータ51〜55のパワーを制御するパワー制御工程とが行われる。
なお、搬入工程、熱処理工程および搬出工程の間、制御部7は、排気装置11とガス供給装置12を使用して、熱処理領域32Aを窒素ガスなどの所定の雰囲気に保つ。
そして、制御部7は、熱処理領域32Aが設定炉内温度とほぼ等しくなると、制御部7は、所定時間経過するまで当該加熱状態を維持する。
その後、図示しない搬送装置または作業者がボート2からウェーハWを取り出し、必要に応じて次バッチで処理するウェーハWをボート2に保持させる。そして、上述の搬入工程、熱処理工程および搬出工程を行う。
なお、搬入工程および熱処理工程のうち少なくとも一方における設定炉内温度は、第1〜第5ヒータ51〜55が加熱可能な領域ごとに異なる値に設定されていても良いし、同じ値に設定されていても良い。
上述の搬入工程時には、熱処理領域32Aが一時的に開放されるため、熱処理領域32Aの温度は一時的に低下する。しかし、制御部7は、第1〜第5炉内温度センサ61〜65の温度測定結果に基づいて、熱処理領域32Aが設定炉内温度となるように、第1〜第5ヒータ51〜55のパワーを制御する。その結果、最終的には、第1〜第5炉内温度センサ61〜65の温度測定結果と設定炉内温度とがほぼ同じになると考えられる。
まず、図1に二点鎖線で示すように、ライナー管31の外周面における第1〜第5炉内温度センサ61〜65とほぼ同じ高さ位置に、第1〜第5ヒータ温度センサ91〜95を設けた。第1〜第5ヒータ温度センサ91〜95は、第1〜第5炉内温度センサ61〜65と同様に熱電対により構成され、第1〜第5ヒータ51〜55の温度を測定する。
そして、第1〜第5ヒータ51〜55を交換せずに、上記関連技術と同様のウェーハWの熱処理を繰り返し行い、第1〜第5炉内温度センサ61〜65と、第1〜第5ヒータ温度センサ91〜95とで温度測定を行った。熱処理を繰り返すと、最終的には、第1ヒータ51のヒータ素線が断線した。
また、第1ヒータ51の断線直前のバッチでは、図4に示すように、第1炉内温度センサ61の温度測定結果に基づく搬入時温度低下が最も大きくなり、次に第2炉内温度センサ62の搬入時温度低下が大きくなった。このように、搬入時温度低下が大きくなると、ウェーハWの熱処理に影響を及ぼす可能性があると考えられる。
なお、図3および図4における横軸の0分は、ウェーハWを保持したボート2の上昇が開始した時間である。
ここで、第1ヒータ最大温度差は、搬入工程開始からX分後の第1ヒータ温度センサ91の温度測定結果に基づき得られる場合、当該X分後の第1ヒータ温度センサ91の温度測定結果と、X分後における設定炉内温度との差である。同様に、第1最大温度低下量は、搬入工程開始からY分後の第1炉内温度センサ61の温度測定結果と、Y分後における設定炉内温度との差である。
なお、図5では、全てのバッチのデータを図示せず、一部のデータのみを図示した。
この結果から、B1バッチ目までは、第1ヒータ51の劣化はなかったと考えられる。また、B2バッチ目で第1ヒータ51が少し劣化し、それ以降、第1ヒータ51および第2ヒータ52が限界近くまで劣化していく状態が続いたと考えられる。
この結果から、B1バッチ目までは、第1ヒータ51に加え、第2〜第5ヒータ52〜55も劣化がなかったと考えられる。
また、B2バッチ目以降、まず、上述のように第1ヒータ51が劣化し、その後第2ヒータ52が劣化したため、初めのうちは第2〜第5ヒータ52〜55の加熱によって第1ヒータ51の劣化の影響が小さかったが、その後第2ヒータ52の劣化に伴い、第3ヒータ53〜第5ヒータ55の加熱によって第1ヒータ51の劣化の影響をカバーしきれなくなり、第1最大温度低下量が徐々に増加したと考えられる。
このことから、図1に示すように、熱処理領域32Aのうち、第2炉内温度センサ62と同じ高さ位置(第2炉内温度センサ62に対向する位置)よりも上側(ボート2の搬入方向側)の第1処理領域32Bでは、第1ヒータ51の劣化が熱処理に与える影響がほとんど無いと考えられる。一方、熱処理領域32Aにおける第1処理領域32Bよりも下側(ボート2の搬出方向側)の第2処理領域32Cでは、熱処理に与える影響が大きい場合があると考えられる。
具体的には、熱処理装置1の第1〜第5ヒータ51〜55を新品に交換した後、ボート2の最上部から最下部の間に100枚のウェーハWを保持させた。そして、ボート2の上昇開始時における熱処理領域32Aの設定炉内温度を700℃とし、熱処理領域32Aの閉塞後、700℃よりも高い温度で、上記関連技術と同様の熱処理を行った。このような熱処理を第1〜第5ヒータ51〜55を交換せずに繰り返した。
そして、任意のバッチにおいて、最下部のウェーハWのBMDの個数を最上部のウェーハWのBMDの個数で除したBMD比を求め、当該BMD比と第1最大温度低下量との関係を調べた。その結果を図6に示す。なお、図6の縦軸の「Btm/Top」はBMD比を意味する。
以上のことから、第1最大温度低下量が25℃以下の場合には、第1ヒータ51の劣化が下部側のウェーハWの熱処理に与える影響がほとんど無いが、25℃を超えると下部側のウェーハWの熱処理に与える影響があることがわかった。
次に、本発明の一実施形態に係るウェーハの製造方法について説明する。
ウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをスライスして複数のウェーハWを得る工程と、当該ウェーハWをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハWを後述する熱処理方法によって処理する工程とを少なくとも備えている。
第1〜第3閾値は、次バッチにおける第1最大温度低下量の推定値(次バッチ低下量推定値)が当該第1〜第3閾値を超える場合、第1ヒータ51の劣化が第2処理領域32Cでの熱処理に与える影響が大きいため、次バッチにおいて当該第2処理領域32Cで熱処理するウェーハWの要求品質を、第1処理領域32Bで熱処理するウェーハWの要求品質よりも低くするときに用いられ。例えば、第1閾値が最も小さく、第3閾値が最も大きく設定されている場合、閾値が大きくなるほど、当該閾値を超える場合における第2処理領域32CのウェーハWの要求品質は低くなるように設定される。
本実施形態では、第1〜第3閾値と第1処理領域32Bおよび第2処理領域32Cで熱処理するウェーハWの要求品質との関係は、以下の表1に示すように設定されている。
そして、制御部7は、第1最大温度低下量に基づいて次バッチ低下量推定値Tnを算出する(ステップS2:次バッチ温度算出工程)。このステップS2において、制御部7は、ステップS1で算出した第1最大温度低下量(以下、「現バッチの第1最大温度低下量」という)と、少なくとも前バッチを含む過去の第1最大温度低下量とに基づいて、第1最大温度低下量の変化割合を算出する。なお、ここで算出する変化割合は、現バッチを含む過去の所定のバッチ数(例えば3バッチ)における第1最大温度低下量の変化割合の平均値であっても良いし、過去のヒータ素線が断線したときの第1最大温度低下量の変化割合の記録から算出した平均値であっても良い。
そして、この算出した変化割合と、低下量推定情報と、現バッチの第1最大温度低下量とに基づいて、次バッチ低下量推定値Tnを算出する。例えば、ステップS2で算出した変化割合がR1であり、変化割合がR1の場合に次バッチで第1最大温度低下量がT1(℃)増加するという内容を低下量推定情報が含んでいる場合、制御部7は、現バッチの第1最大温度低下量にT1(℃)を加えた値を次バッチ低下量推定値Tnとして算出する。
上記実施形態によれば、次バッチ低下量推定値Tnが第1閾値を超えると判断した場合に、第2処理領域32Cで熱処理するウェーハWを第1処理領域32BのウェーハWと異なる条件で選別することによって、第1処理領域32Bおよび第2処理領域32Cにおいて意図しない品質のウェーハWが製造されることを抑制できる。
また、ウェーハの選別基準として、熱処理領域32Aの温度測定結果を用いるため、第1〜第5ヒータ51〜55の劣化が熱処理に与える影響を適切に把握することができ、第1〜第5ヒータ51〜55の劣化がウェーハWの熱処理に大きな影響を与えない状況において、第1〜第5ヒータ51〜55が交換されることを抑制できる。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
次バッチにおける第1温度低下量の推定値を積分して得られた値を、次バッチ低下量推定値として算出しても良い。
第1炉内温度センサ61での温度測定結果に基づく次バッチ温度推定値が、下限値未満の場合に、第1処理領域32Bおよび第2処理領域32Cで熱処理するウェーハWを選別しても良い。例えば、次バッチ温度推定値が第1下限値以上の場合に、ステップS4の処理を行い、第1下限値未満かつ当該第1下限値よりも小さい第2下限値以上の場合に、ステップS6の処理を行い、第2下限値未満かつ当該第2下限値よりも小さい第3下限値以上の場合にステップS8の処理を行い、第3下限値未満の場合にステップS9の処理を行っても良い。
本実施形態の第2閾値は設けなくても良い。
熱処理装置1としてウェーハWを上下方向に重ねて熱処理するいわゆる縦型炉を例示したが、ウェーハWを水平方向に重ねて処理するいわゆる横型炉に本発明のウェーハの熱処理方法を適用しても良い。
700℃未満でウェーハWを熱処理するときに、本発明のウェーハの熱処理方法を適用しても良い。
COPとは、結晶格子を構成すべき原子が欠けた空孔の凝集体である。ウェーハW表面から数μmの深さまでに存在するCOPは、熱処理によって消滅させることができる。その消滅できる深さは、熱処理の温度および時間に依存し、温度が高く時間が長いほど深くなる。
本発明のウェーハの熱処理方法を無欠陥領域深さの品質管理に用いる場合、例えば、次バッチ低下量推定値Tnが第1閾値以下のときに、第1,第2処理領域32B,32Cにおける無欠陥領域深さの要求品質を所定の基準値(例えば5μm)以上(基準品質)に設定し、第1閾値を超えるときに、第1処理領域32Bの要求品質を基準品質のまま維持するとともに、第2処理領域32Cの要求品質を基準値の半分以上(第1品質)に設定することが例示できる。
また、本発明のウェーハの熱処理方法をデバイス工程において適用しても良い。この場合、次バッチ低下量推定値Tnが第1閾値以下か否かに応じて、第1,第2処理領域32B,32Cで熱処理するウェーハWの要求品質を異ならせれば良く、ウェーハWはシリコンウェーハの他、SiC、GaAs、GaNなどの半導体ウェーハであっても良い。
Claims (6)
- 複数のウェーハを所定間隔ごとに重なるように保持するボートと、
一面が開口する筒状に形成され、前記筒状の軸方向と前記複数のウェーハの重なり方向とが一致するように前記ボートを搬入および搬出可能な熱処理炉と、
前記熱処理炉の開口を閉塞する閉塞部と、
前記重なり方向に並んで配置され、前記熱処理炉内を加熱する複数のヒータと、
前記重なり方向に並んで配置され、前記熱処理炉内の温度を測定する複数の炉内温度センサと、
前記熱処理炉内が設定炉内温度となるように前記複数のヒータのパワーを制御する制御部とを備える熱処理装置を用いたウェーハの熱処理方法であって、
加熱された前記熱処理炉内に前記ボートを搬入し、前記閉塞部で前記熱処理炉の開口を閉塞する搬入工程と、
前記複数のウェーハを熱処理する熱処理工程と、
前記搬入工程中および前記熱処理工程中に、前記制御部で前記熱処理炉内が前記設定炉内温度となるように前記複数のヒータのパワーを制御するパワー制御工程と、
前記搬入工程中および前記熱処理工程中に、前記熱処理炉内の温度を前記複数の炉内温度センサで測定する測温工程と、
前記複数の炉内温度センサのうち最も前記ボートの搬出方向側に位置する第1炉内温度センサの温度測定結果に基づいて、次バッチにおける前記第1炉内温度センサの温度測定結果を次バッチ温度推定値として算出する次バッチ温度算出工程と、
前記次バッチ温度推定値が下限値未満であると判断した場合、前記第1炉内温度センサに対して前記ボートの搬入方向側に隣接する第2炉内温度センサに対向する位置よりも、前記搬入方向側の第1処理領域で熱処理するウェーハと、当該第1処理領域よりも前記搬出方向側の第2処理領域で熱処理するウェーハとを異なる条件で選別する選別工程とを備えていることを特徴とするウェーハの熱処理方法。 - 請求項1に記載のウェーハの熱処理方法において、
前記次バッチ温度算出工程は、前記第1炉内温度センサの温度測定結果を前記設定炉内温度から減じた第1温度低下量に基づいて、前記次バッチ温度推定値を前記設定炉内温度から減じた次バッチ低下量推定値を算出し、
前記選別工程は、前記次バッチ温度算出工程の算出結果が上限値を超えると判断した場合、前記次バッチ温度推定値が前記下限値未満であると判断することを特徴とするウェーハの熱処理方法。 - 請求項2に記載のウェーハの熱処理方法において、
前記次バッチ温度算出工程は、前記第1温度低下量の最大値に基づいて、前記次バッチ温度推定値を前記設定炉内温度から減じた次バッチ低下量推定値の最大値を算出することを特徴とするウェーハの熱処理方法。 - 請求項3に記載のウェーハの熱処理方法において、
前記ウェーハは、シリコンウェーハであり、
前記パワー制御工程における前記設定炉内温度は、700℃以上であり、
前記選別工程は、前記次バッチ温度算出工程における前記次バッチ低下量推定値の最大値の算出結果が第1上限値を超えると判断した場合、BMD(Bulk Micro Defect)の個数の許容範囲が前記第1処理領域で熱処理されるウェーハの基準許容範囲よりも大きいウェーハのみを前記第2処理領域で熱処理することを許容することを特徴とするウェーハの熱処理方法。 - 請求項4に記載のウェーハの熱処理方法において、
前記選別工程は、前記次バッチ低下量推定値の最大値の算出結果が前記第1上限値より大きい第2上限値を超えると判断した場合、全てのウェーハを前記第2処理領域で熱処理することを禁止することを特徴とするウェーハの熱処理方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のウェーハの熱処理方法を備えていることを特徴とするウェーハの製造方法。
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