JP2019160584A - 光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑える。【解決手段】第１部材３１０は、面３１２を有している。基板１００の第１面１０２に対する垂直方向の断面において、面３１２は、基板１００の第１面１０２に対し、基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて鋭角に傾いている。第１部材３１０は、第１部分３１０ａ及び第２部分３１０ｂを含んでいる。第２部分３１０ｂは、第１部分３１０ａよりも基板１００の第１面１０２から離れている。基板１００の第１面１０２に対する垂直方向の断面において、第２部分３１０ｂは、第１部分３１０ａよりも、発光領域１４０から離れる方向に向けて突出している。【選択図】図３

Description

本発明は、光装置に関する。

近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、第１電極、有機層及び第２電極を有している。第１電極、有機層及び第２電極は、発光部を構成している。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発することができる。

特許文献１には、ＯＬＥＤの一例が記載されている。このＯＬＥＤは、第１面及び第１面の反対側の第２面を有する基板を含んでいる。基板の第１面側には、第１電極、有機層及び第２電極が位置している。有機層から発せられた光は、基板を透過して基板の第２面から出射される。基板の端部には、傾斜面が形成されている。有機層から発せられた光は、基板の内部を伝搬することがある。基板内を伝搬する光は、基板の端部の傾斜面によって基板の第２面側に反射される。

特許文献２には、照明器具の一例が記載されている。照明器具は、光源、センサ及び遮蔽部材を含んでいる。光源は、センサの検出結果に基づいて、オン又はオフに切り替わる。光源からの光又は熱によってセンサでは誤検出が発生するおそれがある。特許文献２では、遮蔽部材がセンサを光源から遮蔽している。したがって、光源によるセンサの誤検出を抑えることができる。

特開２０１０−２７２３２７号公報 特開２０１０−２７４４１号公報

上述したように、近年、ＯＬＥＤが発光装置として開発されている。一定の用途（例えば、自動車のテールランプ）においては、このような発光装置が、受光素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））を有する装置（例えば、光センサ又は撮像装置）と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
第１面と、前記第１面に沿った一方向の第１側の端部と、を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
透光性を有し、前記一方向において前記発光部よりも前記第１側に位置する第１部材と、
受光素子と、
を含み、
前記第１面に対する垂直方向の断面において、前記第１部材は、前記一方向に沿って前記第１側に向かう方向から前記基板の前記第１面の法線方向に向けて鋭角に傾いた面を有する光装置である。

実施形態に係る光装置を説明するための図である。 図１に示した発光装置の平面図である。 図２のＰ−Ｐ断面図である。 実施形態に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。 比較例に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。 センサ装置の詳細の第１例を説明するための図である。 センサ装置の詳細の第２例を説明するための図である。 実施例に係る発光装置の平面図である。 図８のＡ−Ａ断面図である。 図８のＢ−Ｂ断面図である。 比較例に係る発光装置を説明するための断面図である。 基板の第１面側から見た場合の第１部材の輝度の第１のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 基板の第１面側から見た場合の第１部材の輝度の第２のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 基板の第１面側から見た場合の第１部材の輝度の第３のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 基板の第１面側から見た場合の第１部材の輝度の第４のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 基板の第１面側から見た場合の第１部材の輝度の第５のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図３の変形例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る光装置３０を説明するための図である。図２は、図１に示した発光装置１０の平面図である。図３は、図２のＰ−Ｐ断面図である。

図１から図３を用いて、光装置３０の概要を説明する。光装置３０は、基板１００、発光部１４２、第１部材３１０及び受光素子２２０を含んでいる。基板１００は、第１面１０２を有している。基板１００は、第１辺１０６ａを有している。第１辺１０６ａは、第１面１０２に沿った方向Ｘの第１側Ｓ１の端部である。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。発光部１４２は、方向Ｘの第１側Ｓ１側の端部を有している。発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第１部材３１０は、透光性を有している。方向Ｘ（基板１００の第１面１０２に平行な方向）において、第１部材３１０は、発光部１４２の第１側Ｓ１の端部よりも第１側Ｓ１側に位置している。第１部材３１０は、面３１２を有している。基板１００の第１面１０２に対する垂直方向の断面（例えば、図３に示す断面）において、面３１２は、基板１００の第１面１０２に対し、基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて鋭角（図３に示す例では、角度θ（０°＜θ＜９０°））に傾いている。特に、面３１２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１に向かう方向から基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて鋭角（図３に示す例では、角度θ（０°＜θ＜９０°））に傾いている。第１部材３１０は、第１部分３１０ａ及び第２部分３１０ｂを含んでいる。第２部分３１０ｂは、第１部分３１０ａよりも基板１００の第１面１０２から離れている。基板１００の第１面１０２に対する垂直方向の断面において、第２部分３１０ｂは、第１部分３１０ａよりも、発光領域１４０から離れる方向に向けて突出している。

上述した構成によれば、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、面３１２は、基板１００の第１面１０２に対し、基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて鋭角（図３に示す例では、角度θ（０°＜θ＜９０°））に傾いている。面３１２の傾きによって、図４及び図５を用いて後述するように、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を面３１２の傾きによって抑えることができる。したがって、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図１を用いて、光装置３０の詳細を説明する。

光装置３０は、発光装置１０及びセンサ装置２０を含んでいる。

センサ装置２０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。

発光装置１０は、基板１００、発光部１４２、封止部材３００を含んでいる。発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を基板１００の第１面１０２から順に含んでいる。

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、封止部材３００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側に位置している。第２面１０４は、基板１００の屈折率より低い屈折率を有する領域（例えば、空気）に接している。

基板１００は、透光性を有する材料からなっている。したがって、光は基板１００を透過することができる。

基板１００は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。樹脂は、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はポリイミドにすることができる。基板１００が樹脂からなる場合、基板１００のうちの第１面１０２及び第２面１０４の少なくとも一方は、無機バリア層（例えば、ＳｉＮ_ｘ又はＳｉＯＮ）によって覆われていてもよい。有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水蒸気）が基板１００を透過することを無機バリア層によって抑えることができる。

第１電極１１０は、透明導電材料を含んでおり、透光性を有している。透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ））又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、カーボンナノチューブ、導電性高分子（例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）又は透光性を有する金属薄膜（例えば、Ａｇ）若しくは透光性を有する合金薄膜（例えば、ＡｇＭｇ）とすることができる。

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発する発光層（ＥＭＬ）を含んでおり、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を適宜含んでいてもよい。第１電極１１０からＥＭＬに正孔が注入され、第２電極１３０からＥＭＬに電子が注入されて、ＥＭＬにおいて正孔及び電子が再結合して光が発せられる。

第２電極１３０は、遮光性導電材料を含んでおり、遮光性、特に光反射性を有している。遮光性導電材料は、例えば、金属、特に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。

図１に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションである。つまり、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して、基板１００の第２面１０４から出射される。

封止部材３００は、発光部１４２を封止している。図１に示す例において、封止部材３００は、透光性を有する封止缶（例えば、ガラス缶）であり、第１部材３１０及び第２部材３２０を含んでいる。第１部材３１０は、封止部材３００の一部分、すなわち、側壁である。第２部材３２０は、封止部材３００の他の一部分、すなわち、蓋となっている。図１に示す例では、発光部１４２と封止部材３００の間の領域は、中空となっている。封止部材３００は、第１面１０２に取り付けられており、一例において、接着層（不図示）を介して基板１００の第１面１０２に接着させることができる。他の例において、発光部１４２と封止部材３００の間の領域には、液体が充填されていてもよい。一例において、液体は、フッ素オイルにすることができる。さらに他の例において、発光部１４２と封止部材３００の間の領域には、固体が充填されていてもよい。一例において、固体は、硬化可能な液体（例えば、紫外線硬化によって硬化可能な液体）を硬化させたものにすることができる。

センサ装置２０は、受光素子２２０を含んでいる。受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えば、フォトダイオード（ＰＤ）である。センサ装置２０は、発光装置１０の外側に位置している。図１に示す例では、受光素子２２０は、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、基板１００の第１面１０２から基板１００の外側に向けてずれており、基板１００の第１面１０２に沿った方向において、第１部材３１０の外側に向けてずれている。受光素子２２０がこの位置にある場合、受光素子２２０は、第１部材３１０の面３１２から漏れた光を誤検出しやすい。これに対して、本実施形態においては、上述したように、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を抑えることができるため、受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図２を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

図２に示す例において、基板１００は、実質的に矩形形状を有しており、第１辺１０６ａ、第２辺１０６ｂ、第３辺１０６ｃ及び第４辺１０６ｄを有している。第１辺１０６ａは、方向Ｙに延伸している。第２辺１０６ｂは、第１辺１０６ａの反対側にある。第３辺１０６ｃは、第１辺１０６ａと第２辺１０６ｂの間にあって、第１辺１０６ａに交わる方向（方向Ｘ）に延伸している。第４辺１０６ｄは、第３辺１０６ｃの反対側にある。他の例において、基板１００は、矩形以外の形状を有していてもよい。

第１部材３１０は、発光部１４２を囲んでいる。第２部材３２０は、第１部材３１０によって囲まれた領域の全体に亘って広がっている。このようにして、発光部１４２は、封止部材３００の第１部材３１０及び第２部材３２０によって外部の領域から遮断されている。

図３を用いて、封止部材３００の詳細を説明する。

図３は、基板１００の第１面１０２に対する垂直方向の断面、特に、方向Ｘに沿った断面を示している。第１側Ｓ１は、方向Ｘにおける基板１００の端部（例えば、図２に示した第１辺１０６ａ）側を示している。

第１部材３１０の面３１２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１に向かう方向から基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて角度θ（０°＜θ＜９０°）傾いている。したがって、図４及び図５を用いて後述するように、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を抑えることができる。

第１部材３１０の面３１２は、基板１００の第１面１０２に直接交わってもよいし、又は第１部材３１０と異なる部材（例えば、第１部材３１０を基板１００の第１面１０２に接着させるための接着層）を介して基板１００の第１面１０２に交わっていてもよい。第１部材３１０と基板１００の第１面１０２の間に第１部材３１０と異なる部材がある場合、第１部材３１０の面３１２が基板１００の第１面１０２と直接交わっていなくても、第１部材３１０の面３１２が基板１００の第１面１０２に対して角度θ傾いていることで、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を抑えることができる。

第１部材３１０は、第１部分３１０ａ及び第２部分３１０ｂを含んでいる。第１部分３１０ａは、第２部分３１０ｂよりも基板１００の第１面１０２に近接しており、図３に示す例では、第１部材３１０のうち基板１００の第１面１０２に最隣接している。他の例において、第１部分３１０ａは、第１部材３１０のうち基板１００の第１面１０２に最隣接した部分以外の部分であってもよい。第２部分３１０ｂは、第１部分３１０ａよりも基板１００の第１面１０２から離れており、図３に示す例では、第１部材３１０のうち基板１００の第１面１０２から最も離れている。他の例において、第２部分３１０ｂは、第１部材３１０のうち基板１００の第１面１０２から最も離れた部分以外の部分であってもよい。方向Ｘにおいて、第２部分３１０ｂのうちの第１側Ｓ１の端部は、第１部分３１０ａのうちの第１側Ｓ１の端部よりも、第１側Ｓ１に向けて突出している。このようにして、第１部材３１０の面３１２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１に向かう方向から基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて角度θ（０°＜θ＜９０°）傾いている。

基板１００の第１面１０２の法線方向における基板１００の第１面１０２と第１部材３１０の面３１２の間の距離ｄは、第１側Ｓ１に向かうにつれて大きくなっている。このようにして、第１部材３１０の面３１２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１に向かう方向から基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて角度θ（０°＜θ＜９０°）傾いている。

図４は、実施形態に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。図５は、比較例に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。

比較例（図５）に係る発光装置１０は、第１部材３１０の面３１２が、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１に向かう方向から基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて直角に傾いている点を除いて、実施形態（図４）に係る発光装置１０と同様である。

図４及び図５において、黒矢印で示すように、発光部１４２（例えば、図１）から発せられた光は、全反射によって基板１００内を伝搬して封止部材３００の内部に入射することがある。封止部材３００の面３１２は、封止部材３００の屈折率より低い屈折率を有する領域（例えば、空気）に接している。比較例（図５）では、この光は、第１部材３１０の面３１２に小さな入射角で入射して、面３１２を透過しやすい。したがって、第１部材３１０の面３１２から発光部１４２から発せられた光が漏れてしまう場合がある。これに対して、実施形態（図４）では、この光は、第１部材３１０の面３１２に大きな入射角で入射して、面３１２において全反射されやすい。したがって、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を抑えることができる。

一例において、第１部材３１０の屈折率は、基板１００の屈折率より低くてもよい。特に、第１部材３１０は、ガラスより屈折率の低い材料からなっていてもよい。第１部材３１０の屈折率がある程度低く、例えば基板１００の屈折率より低い場合、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を抑えることができる。

図６は、センサ装置２０の詳細の第１例を説明するための図である。

センサ装置２０は、発光素子２１０及び受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、測距センサ、特にＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、発光素子２１０は、センサ装置２０の外部に向けて光を発し、受光素子２２０は、発光素子２１０から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子２１０は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード（ＬＤ）にすることができ、受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、光が発光素子２１０から発せられてから受光素子２２０によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置２０から対象物までの距離を検出することができる。

センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられた光が受光素子２２０に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図１から図３を用いて説明した例によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図７は、センサ装置２０の詳細の第２例を説明するための図である。

センサ装置２０は、複数の受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子２２０は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、複数の受光素子２２０によって、センサ装置２０の外部の対象物の像を検出することができる。

センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられて受光素子２２０に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図１から図３を用いて説明したによれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

以上、本実施形態によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図８は、実施例に係る発光装置１０の平面図である。図９は、図８のＡ−Ａ断面図である。図１０は、図８のＢ−Ｂ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。

シミュレーションにおいて、図８から図１０に示す発光装置１０を検討した。

図８を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

発光装置１０は、発光領域１４０を含んでいる。発光領域１４０は、透光性を有している。具体的には、発光領域１４０は、複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４を含んでいる。複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４は、方向Ｙに延伸しており、方向Ｘに交互に並んでいる。発光装置１０の外部の光は、各透光部１４４を透過することができる。したがって、発光領域１４０は、透光性を有している。

図８に示す例では、基板１００の第３辺１０６ｃと発光領域１４０の第３辺１０６ｃ側の端部の間で第１部材３１０が方向Ｙに延伸している。図８に示す第１部材３１０は、シミュレーションにおいて、封止部材の一部分として仮想的に配置されたものである。

図９を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に積層されている。有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して、基板１００の第２面１０４から出射される。

透光部１４４は、遮光部材（例えば、第２電極１３０）と重なっていない。したがって、発光装置１０の外部の光は、透光部１４４を透過することができる。

図１０を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

基板１００は、第１面１０２と第２面１０４の間に厚さＴを有している。第１部材３１０は、基板１００の第１面１０２から高さＨを有している。第１部材３１０は、基板１００の第１面１０２に接している部分において幅Ｗを有している。第１部材３１０の面３１２は、基板１００の第１面１０２に対して角度θ傾いている。

シミュレーションの条件は、次のとおりとしている。第１部材３１０の屈折率は、基板１００の屈折率と同一としており、１．５２としている。発光部１４２の配光分布は、ランバーシアン光源の分布としている。

図１１は、比較例に係る発光装置１０を説明するための断面図である。比較例に係る発光装置１０は、第１部材３１０の面３１２が基板１００の第１面１０２に対して直角に傾いている点を除いて、実施例に係る発光装置１０と同様である。

図１２は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第１部材３１０の輝度の第１のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

比較例では、第１部材３１０の両端において輝度のピークが現れている。図１２のグラフ内の右側のピークは、第１部材３１０の面３１２に相当する位置のピークである。

これに対して、実施例では、第１部材３１０の両端における輝度のピークが抑えられている。特に図１２に示す例では、角度θが３５°、４０°及び４５°のとき、第１部材３１０の両端における輝度のピークが抑えられている。したがって、一例において、角度θは、３５°以上４５°以下であることが好ましいといえる。特に、輝度のピークが抑えられている角度θは、第１部材３１０の屈折率に依存する場合があるといえる。したがって、図１２に示す結果より、第１部材３１０の屈折率が１．５２又はその近傍（例えば、１．３０以上１．７０以下、好ましくは１．４０以上１．６０以下）であるとき、角度θは、３５°以上４５°以下であることが好ましいといえる。

図１３は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第１部材３１０の輝度の第２のシミュレーション結果のグラフを示す図である。図１３におけるシミュレーションは、実施例において基板１００の第１面１０２と第２面１０４の間における厚さＴが２倍になっている点を除いて、図１２におけるシミュレーションと同様である。

図１３においても、実施例では、第１部材３１０の両端における輝度のピークが抑えられている。したがって、実施例では、基板１００の第１面１０２と第２面１０４の間における厚さによらず、第１部材３１０の両端における輝度のピークを抑えることができるといえる。

図１４は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第１部材３１０の輝度の第３のシミュレーション結果のグラフを示す図である。図１４におけるシミュレーションは、実施例において第１部材３１０高さＨが２倍になっている点を除いて、図１２におけるシミュレーションと同様である。

図１４においても、実施例では、第１部材３１０の両端における輝度のピークが抑えられている。したがって、実施例では、第１部材３１０の高さによらず、第１部材３１０の両端における輝度のピークを抑えることができるといえる。

図１５は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第１部材３１０の輝度の第４のシミュレーション結果のグラフを示す図である。図１５におけるシミュレーションは、実施例において第１部材３１０のうちの基板１００の第１面１０２に接している部分の幅Ｗが２倍になっている点を除いて、図１２におけるシミュレーションと同様である。

図１５においても、実施例では、第１部材３１０の両端における輝度のピークが抑えられている。したがって、実施例では、第１部材３１０のうちの基板１００の第１面１０２に接している部分の幅によらず、第１部材３１０の両端における輝度のピークを抑えることができるといえる。

図１６は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第１部材３１０の輝度の第５のシミュレーション結果のグラフを示す図である。図１６におけるシミュレーションは、実施例において発光部１４２の配光分布がランバーシアン光源の分布に代えてマイクロキャビティ光源の分布になっている点を除いて、図１２におけるシミュレーションと同様である。

図１６においても、実施例では、第１部材３１０の両端における輝度のピークが抑えられている。したがって、実施例では、発光部１４２の配光分布によらず、第１部材３１０の両端における輝度のピークを抑えることができるといえる。

図１７は、図３の変形例を示す図である。

第１部材３１０の面３１２は、通常の封止部材と同様にして、基板１００の第１面１０２に直角に傾いている。第１部材３１０の面３１２には、部材３３０が取り付けられている。一例において、部材３３０は、光学接着剤を介して第１部材３１０の面３１２に接着させることができる。部材３３０は、面３１２の反対側に面３３２を有している。面３３２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１に向かう方向から基板１００の第１面１０２の法線方向に向けて鋭角（図１７に示す例では、角度θ（０°＜θ＜９０°））に傾いている。したがって、図３に示した例と同様にして、部材３３０の面３３２から漏れる光の量を抑えることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
２０ センサ装置
３０ 光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１０６ａ 第１辺
１０６ｂ 第２辺
１０６ｃ 第３辺
１０６ｄ 第４辺
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光領域
１４２ 発光部
１４４ 透光部
２１０ 発光素子
２２０ 受光素子
３００ 封止部材
３１０ 第１部材
３１０ａ 第１部分
３１０ｂ 第２部分
３１２ 面
３２０ 第２部材
３３０ 部材
３３２ 面

Claims (7)

1. 第１面と、前記第１面に沿った一方向の第１側の端部と、を有する基板と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
   透光性を有し、前記一方向において前記発光部よりも前記第１側に位置する第１部材と、
   受光素子と、
   を含み、
   前記第１面に対する垂直方向の断面において、前記第１部材は、前記一方向に沿って前記第１側に向かう方向から前記基板の前記第１面の法線方向に向けて鋭角に傾いた面を有する光装置。
2. 請求項１に記載の光装置において、
   前記基板の前記第１面に垂直な方向から見て、前記第１部材は、前記発光部を囲んでいる、光装置。
3. 請求項１又は２に記載の光装置において、
   前記発光部を封止する封止部材を含み、
   前記第１部材は、前記封止部材の一部分である、光装置。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記鋭角は、３５°以上４５°以下である、光装置。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記基板の前記第１面の法線方向における前記基板の前記第１面と前記第１部材の間の距離は、前記発光部から離れる方向に向かうにつれて大きくなっている、光装置。
6. 請求項１から５までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記受光素子を含む測距センサを含む光装置。
7. 請求項１から５までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記受光素子を含む撮像センサを含む光装置。

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