JP2019139254A - 液晶配向膜の製造方法及び液晶素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[2]ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル、ポリイミド、ポリシロキサン及び付加重合により得られる重合体よりなる群から選ばれる少なくとも一種の重合体(P)と、ラジカル重合性基、環状エーテル基、環状チオエーテル基、オキサジン環含有基、オキサゾリン基、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、シラノール基、メチロール基、エーテル化メチロール基及び環状カーボネート基よりなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性基を有する液晶性化合物(Q)と、光配向性部位を有する分子量2,000以下の低分子化合物(R)と、を含む重合体組成物。
3.上記1.に記載の製造方法により液晶配向膜を形成した一対の基板を、液晶層を介して前記液晶配向膜が相対するように対向配置して液晶セルを構築する工程と、前記液晶セルに無偏光の放射線を照射する工程と、を含む液晶素子の製造方法。
≪重合体組成物≫
本発明における液晶配向膜は、重合体成分を含む重合体組成物を用いて製造される。具体的には、以下の[1]又は[2]の重合体組成物を用いる。
[1]ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル、ポリイミド、ポリシロキサン及び付加重合により得られる重合体よりなる群から選ばれる少なくとも一種の重合体(P)と、架橋性基と光配向性部位とを有する液晶性化合物(QR)と、を含む重合体組成物。
[2]上記重合体(P)と、架橋性基を有する液晶性化合物(Q)と、光配向性部位を有する分子量2,000以下の低分子化合物(R)と、を含む重合体組成物。
なお、上記[2]の重合体組成物に含有される液晶性化合物(Q)と低分子化合物(R)とは異なる化合物である。
上記重合体組成物[1]及び[2]に配合される重合体(P)は、ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル、ポリイミド、ポリシロキサン及び付加重合により得られる重合体よりなる群から選ばれる少なくとも一種である。
(ポリアミック酸)
本発明に係るポリアミック酸は、例えばテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることにより得ることができる。
(テトラカルボン酸二無水物)
ポリアミック酸の合成に使用するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば脂肪族テトラカルボン酸二無水物、脂環式テトラカルボン酸二無水物、芳香族テトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。これらの具体例としては、脂肪族テトラカルボン酸二無水物として、例えば1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物などを;
脂環式テトラカルボン酸二無水物として、例えば1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−3a,4,5,9b−テトラヒドロナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−8−メチル−3a,4,5,9b−テトラヒドロナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン、3−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−2,4−ジオン−6−スピロ−3’−(テトラヒドロフラン−2’,5’−ジオン)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、3,5,6−トリカルボキシ−2−カルボキシメチルノルボルナン−2:3,5:6−二無水物、2,4,6,8−テトラカルボキシビシクロ[3.3.0]オクタン−2:4,6:8−二無水物、4,9−ジオキサトリシクロ[5.3.1.02,6]ウンデカン−3,5,8,10−テトラオン、シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物などを;
などを;それぞれ挙げることができるほか、特開2010−97188号公報に記載のテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。
上記式(B−1)で表される化合物の具体例としては、例えば下記式(B−1−1)〜(B−1−4)のそれぞれで表される化合物などを挙げることができる。
これらの好ましい化合物(T)の使用量(2種以上使用する場合にはその合計量)は、ポリアミック酸の合成に使用するテトラカルボン酸二無水物の全量に対して、10モル%以上とすることが好ましく、20モル%以上とすることがより好ましく、30モル%以上とすることがさらに好ましい。
ポリアミック酸の合成に使用するジアミンとしては、例えば脂肪族ジアミン、脂環式ジアミン、芳香族ジアミン、ジアミノオルガノシロキサンなどが挙げられる。これらの具体例としては、脂肪族ジアミンとして、例えばメタキシリレンジアミン、1,3−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサンなどを;
脂環式ジアミンとして、例えば1,4−ジアミノシクロヘキサン、4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)などを;
で表される化合物などの配向性基含有ジアミン:
ジアミノオルガノシロキサンとして、例えば、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−テトラメチルジシロキサンなどを;それぞれ挙げることができるほか、特開2010−97188号公報に記載のジアミンを用いることができる。
窒素含有構造を有するジアミンが有していてもよい2級アミノ基及び3級アミノ基は、例えば下記式(N−1)で表される。
ポリアミック酸は、上記のようなテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを、必要に応じて分子量調整剤とともに反応させることにより得ることができる。ポリアミック酸の合成反応に供されるテトラカルボン酸二無水物とジアミンとの使用割合は、ジアミンのアミノ基1当量に対して、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物基が0.2〜2当量となる割合が好ましく、0.3〜1.2当量となる割合がより好ましい。
反応に使用する有機溶媒としては、例えば非プロトン性極性溶媒、フェノール系溶媒、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、ハロゲン化炭化水素、炭化水素などを挙げることができる。これらの有機溶媒のうち、非プロトン性極性溶媒及びフェノール系溶媒よりなる群(第一群の有機溶媒)から選択される1種以上、又は、第一群の有機溶媒から選択される1種以上と、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、ハロゲン化炭化水素及び炭化水素よりなる群(第二群の有機溶媒)から選択される1種以上との混合物を使用することが好ましい。後者の場合、第二群の有機溶媒の使用割合は、第一群の有機溶媒及び第二群の有機溶媒の合計量に対して、好ましくは50重量%以下であり、より好ましくは40重量%以下であり、更に好ましくは30重量%以下である。
本発明におけるポリアミック酸エステルは、例えば、[I]上記合成反応により得られたポリアミック酸とエステル化剤とを反応させる方法、[II]テトラカルボン酸ジエステルとジアミンとを反応させる方法、[III]テトラカルボン酸ジエステルジハロゲン化物とジアミンとを反応させる方法、などによって得ることができる。
なお、本明細書において「テトラカルボン酸ジエステル」とは、テトラカルボン酸が有する4個のカルボキシル基のうち2個がエステル化され、残りの2個がカルボキシル基である化合物を意味する。「テトラカルボン酸ジエステルジハロゲン化物」とは、テトラカルボン酸が有する4個のカルボキシル基のうち2個がエステル化され、残りの2個がハロゲン化された化合物を意味する。
ポリイミドは、例えば上記の如くして合成されたポリアミック酸を脱水閉環してイミド化することにより得ることができる。
ポリイミドは、その前駆体であるポリアミック酸が有していたアミック酸構造のすべてを脱水閉環した完全イミド化物であってもよく、アミック酸構造の一部のみを脱水閉環し、アミック酸構造とイミド環構造とが併存する部分イミド化物であってもよい。反応に使用するポリイミドは、そのイミド化率が20%以上であることが好ましく、30〜99%であることがより好ましく、40〜99%であることが更に好ましい。このイミド化率は、ポリイミドのアミック酸構造の数とイミド環構造の数との合計に対するイミド環構造の数の占める割合を百分率で表したものである。ここで、イミド環の一部がイソイミド環であってもよい。
本発明に係るポリオルガノシロキサンは、例えば加水分解性のシラン化合物を加水分解・縮合することにより得ることができる。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン等のエポキシ基含有シラン化合物;
3−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−(メタ)アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン等の不飽和結合含有アルコキシシラン化合物;トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物などを挙げることができる。加水分解性シラン化合物は、これらのうちの1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。なお、「(メタ)アクリロキシ」は、「アクリロキシ」及び「メタクリロキシ」を含む意味である。
上記の加水分解・縮合反応の際に使用する有機溶媒としては、例えば炭化水素、ケトン、エステル、エーテル、アルコールなどを挙げることができる。これらのうち、非水溶性又は難水溶性の有機溶媒を用いることが好ましい。有機溶媒の使用割合は、反応に使用するシラン化合物の合計100重量部に対して、好ましくは10〜10,000重量部であり、より好ましくは50〜1,000重量部である。
上記付加重合により得られる重合体(以下「重合体(PMA)」ともいう。)は、重合性不飽和結合を有するモノマーを重合して得ることができる。当該重合性不飽和結合としては、例えば(メタ)アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、マレイミド基などが挙げられる。こうした重合性不飽和結合を有するモノマーの具体例としては、例えば、(メタ)アクリル酸、α−エチルアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、ビニル安息香酸等の不飽和カルボン酸:(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸−2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリル、(メタ)アクリル酸トリメトキシシリルプロピル、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸−N,N−ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸メトキシポリエチレングリコール、(メタ)アクリル酸オクトキシポリエチレングリコール、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸4−ヒドロキシブチルグリシジルエーテル等の不飽和カルボン酸エステル:無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、シス−1,2,3,4−テトラヒドロフタル酸無水物等の不飽和多価カルボン酸無水物:などの(メタ)アクリル系化合物;
スチレン、メチルスチレン、ジビニルベンゼン等の芳香族ビニル化合物;
1,3−ブタジエン、2−メチル−1,3−ブタジエン等の共役ジエン化合物;
N−メチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド等のマレイミド基含有化合物;などが挙げられる。なお、重合性基不飽和結合を有するモノマーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
重合開始剤の使用割合は、反応に使用する全モノマー100重量部に対して、0.01〜30重量部とすることが好ましく、0.1〜20重量部とすることがより好ましい。
[a]重合体(P)が、ポリアミック酸、ポリイミド及びポリアミック酸エステルよりなる群から選ばれる少なくとも一種である態様。
[b]重合体(P)として、ポリアミック酸、ポリイミド及びポリアミック酸エステルよりなる群から選ばれる少なくとも一種と、ポリオルガノシロキサンとを含有する態様。
[c]重合体(P)がポリオルガノシロキサンである態様。
[d]重合体(P)がポリ(メタ)アクリレートである態様。
これらのうち、本発明の効果をより好適に得る観点において、[a]又は[b]の態様が好ましい。上記[b]の場合、ポリアミック酸、ポリイミド及びポリアミック酸エステルの合計の含有量を、重合体組成物に含有される重合体(P)の全体量に対して、5重量%以上とすることが好ましく、10重量%以上とすることがより好ましく、20重量%以上とすることがさらに好ましい。また、当該含有量の上限値は、99重量%以下とすることが好ましく、97重量%以下とすることがさらに好ましい。
液晶性化合物(QR)は、架橋性基と光配向性部位とを有する液晶性化合物である。ここで、本明細書において「液晶性化合物」は、剛直なメソゲン部位と柔軟な部位とを有する化合物をいう。剛直なメソゲン部位としては、例えば炭素数3〜30のシクロアルカン及び炭素数5〜30の芳香環(ただし、シクロアルカン及び芳香環における任意の炭素原子は、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子で置換されていてもよく、炭素原子に結合する水素原子は任意の1価の置換基で置換されていてもよい。)から選ばれる少なくとも1種の環構造を1〜10個含む構造であることが好ましい。
柔軟な部位としては、例えば飽和鎖状炭化水素基、オリゴエチレンオキサイド構造及びオリゴシロキサン構造(ただし、任意の炭素原子は、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子で置換されていてもよく、炭素原子に結合する水素原子は任意の1価の置換基で置換されていてもよい。)よりなる群から選ばれる少なくとも1種の構造であることが好ましい。
なお、上記置換基としては、例えばハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基などが挙げられる。
光架橋性基としては、光照射により二量化する構造部位を有する基であることが好ましく、例えばベンゾイル(メタ)アクリル酸又はその誘導体を基本骨格として含有するベンゾイル(メタ)アクリル基、桂皮酸又はその誘導体を基本骨格として含有する桂皮酸含有基、シンナミド又はその誘導体を基本骨格として含有するシンナミド含有基、カルコン又はその誘導体を基本骨格として含有するカルコン含有基、クマリン又はその誘導体を基本骨格として含有するクマリン含有基、チミン又はその誘導体を基本骨格として含有するチミン含有基、ウラシル又はその誘導体を基本骨格として含有するウラシル含有基などを挙げることができる。これらのうち、桂皮酸含有基、ベンゾイル(メタ)アクリル基又はクマリン含有基であることが好ましい。
環状エーテル基としては、例えばエポキシ基、オキセタニル基等が挙げられる。
上記ブロックイソシアネート基は、イソシアネート基を、活性水素を有する化合物や活性メチレン化合物などのブロック剤と反応させて常温で不活性とした基であればよい。なお、当該ブロック剤としては公知のものを用いることができる。
液晶性化合物(QR)が有する架橋性基としては、これらの中でも、ラジカル重合性基又は環状エーテル基であることが好ましく、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、又はオキセタニル基であることが好ましい。液晶性化合物(QR)が有する架橋性基の数は特に限定されないが、好ましくは1〜6個、より好ましくは1〜4個、さらに好ましくは1又は2個である。
液晶性化合物(QR)の分子量は特に限定されないが、2,000以下であることが好ましく、1,000以下であることがより好ましく、800以下であることがさらに好ましい。
液晶性化合物(QR)の具体例としては、例えば下記式(QR−1)〜式(QR−12)のそれぞれで表される化合物等が挙げられる。なお、液晶性化合物(QR)は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
液晶性化合物(Q)は、架橋性基を有する液晶性化合物である。液晶性化合物(Q)が有する架橋性基については、上記液晶性化合物(QR)が有する架橋性基の例示及び好ましい具体例の説明を適用することができる。ただし、液晶性化合物(Q)は、光配向性部位を有さない点で液晶性化合物(QR)と相違する。
液晶性化合物(Q)の液晶相は、ネマチック相又はスメクチック相が好ましく、ネマチック相がより好ましい。液晶性化合物(Q)の分子量は特に限定されないが、2,000以下であることが好ましく、1,000以下であることがより好ましく、800以下であることがさらに好ましい。
液晶性化合物(Q)の具体例としては、例えば下記式(Q−1)〜式(Q−7)のそれぞれで表される化合物等が挙げられる。なお、液晶性化合物(Q)は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
低分子化合物(R)は、光配向性部位を有する分子量2,000以下の化合物であれば特に限定されない。低分子化合物(R)が有する光配向性部位については、上記液晶性化合物(QR)が有する光配向性部位の例示及び好ましい具体例の説明を適用することができる。ただし、低分子化合物(R)は、架橋性基を有さない点で液晶性化合物(QR)と相違する。低分子化合物(R)の分子量は、1,000以下であることが好ましく、800以下であることがより好ましい。
低分子化合物(R)の具体例としては、例えば下記式(R−1)〜式(R−13)のそれぞれで表される化合物等が挙げられる。なお、低分子化合物(R)は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、液晶性化合物(Q)及び低分子化合物(R)のそれぞれについて、重合体組成物中における液晶性化合物(Q)の配合割合は、重合体(P)の100重量部に対して、0.8〜800重量部とすることが好ましく、3.5〜300重量部とすることがより好ましく、8〜200重量部とすることがさらに好ましい。低分子化合物(R)の配合割合は、重合体(P)の100重量部に対して、0.2〜200重量部とすることが好ましく、1.2〜150重量部とすることがより好ましく、2〜100重量部とすることがさらに好ましい。
R7は、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基、シクロヘキシル基、フェニル基又はベンジル基であり、より好ましくは、炭素数1〜5のアルキル基、シクロヘキシル基又はベンジル基である。
重合体(P)が有するカルボキシル基は、テトラカルボン酸二無水物の開環により生じるカルボキシル基であってもよく、あるいはカルボキシル基含有ジアミンに由来するカルボキシル基であってもよい。カルボキシル基含有ジアミンとしては、例えば3,5−ジアミノ安息香酸、2,4−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸、4,4’−ジアミノビフェニル−3−カルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルメタン−3−カルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルエタン−3−カルボン酸などのモノカルボン酸;
4,4’−ジアミノビフェニル−3,3’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノビフェニル−2,2’−ジカルボン酸、3,3’−ジアミノビフェニル−4,4’−ジカルボン酸、3,3’−ジアミノビフェニル−2,4’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルメタン−3,3’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルエタン−3,3’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル−3,3’−ジカルボン酸などのジカルボン酸;等が挙げられる。
本発明における重合体組成物は、本発明の目的及び効果を妨げない範囲内において、必要に応じて、上記以外のその他の成分を含有していてもよい。当該重合体組成物に配合してもよいその他の成分としては、例えば上記重合体(P)以外のその他の重合体、分子内に少なくとも一つのエポキシ基を有する化合物、官能性シラン化合物、界面活性剤、充填剤、顔料、消泡剤、増感剤、分散剤、酸化防止剤、密着助剤、帯電防止剤、レベリング剤、抗菌剤等が挙げられる。
上記その他の重合体としては、例えばポリアミック酸、ポリイミド、ポリアミック酸エステル、ポリシロキサン、ポリエステル、ポリアミド、セルロース誘導体、ポリアセタール、ポリスチレン誘導体、ポリ(スチレン−フェニルマレイミド)誘導体、ポリ(メタ)アクリレートなどの主骨格が挙げられる。上記その他の化合物の配合割合は、本発明の目的及び効果を妨げない範囲で各種化合物に応じて適宜選択することができる。
本発明における重合体組成物は、上記重合体(P)及び必要に応じて使用されるその他の成分が、好ましくは適当な有機溶媒中に分散又は溶解してなる液状の組成物として調製される。
上記重合体組成物を用いることにより、樹脂膜としての液晶配向膜を製造することができる。具体的には、本発明における液晶配向膜は、以下の工程[A]〜[C]を含む工程により製造することができる。工程[A]は、所望とする液晶表示素子の動作モードによって使用基板が異なる。工程[B]及び工程[C]は各動作モード共通である。
工程[A]:上記重合体組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程。
工程[B]:工程[A]で得られた塗膜に対して、偏光した放射線を照射する工程。
工程[C]:工程[B]における放射線照射の後及び該放射線照射時の少なくともいずれかに塗膜を加熱する工程。
先ず、上記[1]又は[2]の重合体組成物を基板上に塗布し、次いで塗布面を好ましくは加熱することにより基板上に塗膜を形成する。
(A−1)例えばTN(Twisted Nematic)型、STN型又はVA型の液晶表示素子を製造する場合、まず、パターニングされた透明導電膜が設けられている基板二枚を一対として、その各透明性導電膜形成面上に、上記で調製した重合体組成物を、好ましくはオフセット印刷法、スピンコート法、ロールコーター法又はインクジェット印刷法によりそれぞれ塗布する。基板としては、例えばフロートガラス、ソーダガラスなどのガラス;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリ(脂環式オレフィン)などのプラスチックからなる透明基板を用いることができる。
次いで、上記工程[A]で得られた塗膜に対し、偏光の放射線を照射して塗膜に液晶配向能を付与する。塗膜に照射する放射線としては、例えば150〜800nmの波長の光を含む紫外線及び可視光線を用いることができる。用いる放射線は、直線偏光であっても部分偏光であってもよい。また、放射線照射は基板面に垂直の方向から行ってもよく、斜め方向から行ってもよく、又はこれらを組み合わせて行ってもよい。
使用する光源としては、例えば低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマレーザーなどを使用することができる。好ましい波長領域の紫外線は、光源を、例えばフィルター、回折格子などと併用する手段などにより得ることができる。放射線の照射量は、好ましくは100〜50,000J/m2であり、より好ましくは300〜20,000J/m2である。
工程[C]は、溶剤を完全に除去し、加熱による再配向を促進させ、あるいは必要に応じて重合体に存在するアミック酸構造を熱イミド化することを目的として、工程[B]で偏光放射線を照射した後か、偏光放射線の照射と同時か、又はその両方において、塗膜を加熱する処理を実施する。露光装置の低コスト化や加熱再配向の観点からすると、工程[B]で偏光放射線を照射した後に加熱処理を施すことが好ましい。
工程[C]では、所定温度による一段階での加熱処理としてもよく、異なる加熱温度による複数段での加熱処理としてもよい。一段階での加熱処理の場合、その加熱温度は特に制限されないが、プレベーク温度よりも高温とすることが好ましい。具体的には、100〜300℃とすることが好ましく、120〜250℃とすることがより好ましく、150〜250℃とすることがさらに好ましい。加熱時間は、好ましくは5〜200分、より好ましくは10〜100分である。
第1加熱工程における加熱温度(第1温度)は、液晶表示素子の信頼性及び残像特性の改善効果の点で、重合体組成物中に配合される液晶性化合物(液晶性化合物(QR)及び液晶性化合物(Q))が液晶性を示す温度範囲(以下「液晶温度範囲Ra」ともいう。)の下限温度よりも20℃低い温度Tm1を下限とし、かつ液晶温度範囲Raの上限温度よりも20℃高い温度Tm2を上限とする範囲Rb(Tm1≦Rb≦Tm2)内の温度とすることが好ましい。範囲Rbの下限について、好ましくは液晶温度範囲Raの下限温度よりも10℃低い温度であり、より好ましくは液晶温度範囲Raの下限温度よりも5℃低い温度である。範囲Rbの上限については、好ましくは液晶温度範囲Raの上限温度よりも10℃高い温度であり、より好ましくは液晶温度範囲Raの上限温度よりも5℃高い温度である。第1温度での加熱時間は1〜60分とすることが好ましく、5〜30分とすることがより好ましい。
本発明に係る液晶配向膜の製造方法は、上記工程[A]〜工程[C]に加え更に、上記第2加熱工程による加熱前、該加熱時及び該加熱後の少なくともいずれかに、無偏光の紫外線を照射する工程[D]を含んでいてもよい。この工程[D]の処理を行うことで塗膜の液晶配向性が更に向上し、得られる液晶表示素子の信頼性及び残像特性の改善効果を高めることができる点で好適である。
塗膜に照射する放射線としては、例えば150〜800nmの波長の光を含む紫外線及び可視光線を用いることができる。照射する放射線の種類、波長及び光源の説明は、上記工程[B]の説明を適用することができる。照射する放射線の照射量は、好ましくは1,000〜500,000J/m2であり、より好ましくは5,000〜200,000J/m2である。塗膜に対する光照射は、通常0〜120℃の温度で行い、好ましくは5〜100℃であり、より好ましくは10〜80℃である。
本発明に係る液晶素子は、上記重合体組成物を用いて形成した液晶配向膜を具備する。当該液晶素子の動作モードは特に限定せず、例えばTN型、STN型、垂直配向型(VA−MVA型、VA−PVA型などを含む。)、IPS型、FFS型、光学補償ベンド型(OCB型)など種々の動作モードに適用することができる。
[工程[E]:液晶セルの構築]
(E−1)上記のようにして液晶配向膜が形成された基板を2枚準備し、対向配置した2枚の基板間に液晶を配置することにより液晶セルを製造する。液晶セルを製造するには、例えば以下の2つの方法が挙げられる。第一の方法は、従来から知られている方法である。先ず、それぞれの液晶配向膜が対向するように間隙(セルギャップ)を介して2枚の基板を対向配置し、2枚の基板の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせ、基板表面及びシール剤により区画されたセルギャップ内に液晶を注入充填した後、注入孔を封止することにより液晶セルを製造する。第二の方法は、ODF(One Drop Fill)方式と呼ばれる手法である。液晶配向膜を形成した2枚の基板のうちの一方の基板上の所定の場所に、例えば紫外光硬化性のシール剤を塗布し、さらに液晶配向膜面上の所定の数箇所に液晶を滴下した後、液晶配向膜が対向するように他方の基板を貼り合わせるとともに液晶を基板の全面に押し広げ、次いで基板の全面に紫外光を照射してシール剤を硬化することにより液晶セルを製造する。いずれの方法による場合でも、上記のようにして製造した液晶セルにつき、さらに、用いた液晶が等方相をとる温度まで加熱した後、室温まで徐冷することにより、液晶充填時の流動配向を除去することが望ましい。
液晶としては、ネマチック液晶及びスメクチック液晶を挙げることができ、その中でもネマチック液晶が好ましく、例えばシッフベース系液晶、アゾキシ系液晶、ビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液晶、エステル系液晶、ターフェニル系液晶、ビフェニルシクロヘキサン系液晶、ピリミジン系液晶、ジオキサン系液晶、ビシクロオクタン系液晶、キュバン系液晶などを用いることができる。また、これらの液晶に、例えばコレスチルクロライド、コレステリルノナエート、コレステリルカーボネートなどのコレステリック液晶;商品名「C−15」、「CB−15」(メルク社製)として販売されているようなカイラル剤;p−デシロキシベンジリデン−p−アミノ−2−メチルブチルシンナメートなどの強誘電性液晶などを、添加して使用してもよい。
[重合体の重量平均分子量Mw]
Mwは、以下の条件におけるGPCにより測定したポリスチレン換算値である。
カラム:東ソー(株)製、TSKgelGRCXLII
溶剤:テトラヒドロフラン
温度:40℃
圧力:68kgf/cm2
[重合体のイミド化率]
ポリイミドを含有する溶液を純水に投入し、得られた沈殿を室温で十分に減圧乾燥した後、重水素化ジメチルスルホキシドに溶解し、テトラメチルシランを基準物質として室温で1H−NMRを測定した。得られた1H−NMRスペクトルから、下記数式(EX−1)を用いてイミド化率を求めた。
イミド化率(%)=(1−A1/A2×α)×100 …(EX−1)
(数式(1)中、A1は化学シフト10ppm付近に現れるNH基のプロトン由来のピーク面積であり、A2はその他のプロトン由来のピーク面積であり、αは重合体の前駆体(ポリアミック酸)におけるNH基のプロトン1個に対するその他のプロトンの個数割合である。)
[エポキシ当量]
エポキシ当量は、JIS C 2105に記載の塩酸−メチルエチルケトン法により測定した。
[重合体溶液の溶液粘度]
重合体溶液の溶液粘度(mPa・s)は、E型回転粘度計を用いて25℃で測定した。
[合成例1]
テトラカルボン酸二無水物として2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物100モル部、並びにジアミンとして2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル80モル部、及び3,5−ジアミノ安息香酸20モル部をN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に溶解し、40℃で3時間反応を行い、ポリアミック酸(PAA−1)を10重量%含有する溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液を少量分取して測定した溶液粘度は120mPa・sであった。
使用するテトラカルボン酸二無水物及びジアミンの種類及び量を下記表1のとおり変更した以外は合成例1と同様にしてポリアミック酸(PAA−2)〜(PAA−4)をそれぞれ合成した。
<テトラカルボン酸二無水物>
t−1:2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物
t−2:1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物
t−3:1R,2S,4S,5R−1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(PMDA−HS)
<ジアミン>
d−1:2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル
d−2:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
d−3:3,5−ジアミノ安息香酸
d−4:上記式(D−2−6)で表される化合物
d−5:上記式(D−2−2)で表される化合物
テトラカルボン酸二無水物として2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物100モル部、ジアミンとして4,4’−ジアミノジフェニルエーテル20モル部、3,5−ジアミノ安息香酸70モル部、及び上記式(D−2−6)で表される化合物10モル部を、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)に溶解し、60℃で6時間反応を行い、ポリアミック酸を20重量%含有する溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液を少量分取し、NMPを加えてポリアミック酸濃度10重量%の溶液として測定した溶液粘度は60mPa・sであった。
次いで、得られたポリアミック酸溶液に、NMPを追加してポリアミック酸濃度7重量%の溶液とし、ピリジン及び無水酢酸を、使用したテトラカルボン酸二無水物の全体量に対してそれぞれ1.3倍モルずつ添加して、110℃で4時間、脱水閉環反応を行った。脱水閉環反応後、系内の溶媒を新たなNMPで溶媒置換(本操作によって脱水閉環反応に使用したピリジン及び無水酢酸を系外に除去した。以下同じ。)することにより、イミド化率約70%のポリイミド(PI−1)を16重量%含有する溶液を得た。
テトラカルボン酸二無水物として1R,2S,4S,5R−1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物30gをエタノール500mL中に添加した。得られた沈殿物を濾別し、エタノールで洗浄した後に減圧乾燥することにより、テトラカルボン酸ジエステルとして化合物(t−3E)を粉末状で得た。次いで、化合物(t−3E)100モル部をNMPに溶解させた後、ここにジアミンとして2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル50モル部、3,5−ジアミノ安息香酸40モル部、及び上記式(D−2−6)で表される化合物10モル部を加えて溶解させた。この溶液に、4−(4,6−ジメトキシ−1,3,5−トリアジン−2−イル)−4−メチルモルホリニウムクロリド(DMT−MM、15±2重量%水和物)300モル部を添加し、室温で4時間反応を行い、ポリアミック酸エステル(PAE−1)を10重量%含有する溶液を得た。得られた重合体(PAE−1)の重量平均分子量Mwは64,000、重合体粘度は90mPa・sであった。
撹拌機、温度計、滴下漏斗及び還流冷却管を備えた反応容器に、加水分解性シラン化合物として2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン100.0g、溶媒としてメチルイソブチルケトン500g、及び触媒としてトリエチルアミン10.0gを仕込み、室温で混合した。ここに脱イオン水100gを滴下漏斗から30分かけて滴下した後、還流下で混合しつつ、80℃において6時間反応を行った。反応終了後、有機層を取り出し、これを0.2重量%硝酸アンモニウム水溶液により洗浄後の水が中性になるまで洗浄した後、減圧下で溶媒及び水を留去することにより、ポリオルガノシロキサン(EPS−1)を粘調な透明液体として得た。このポリオルガノシロキサンについて、1H−NMR分析を行ったところ、化学シフト(δ)=3.2ppm付近にエポキシ基に基づくピークが理論強度どおりに得られ、反応中にエポキシ基の副反応が起こっていないことが確認された。このポリオルガノシロキサンのエポキシ当量を測定したところ、186g/当量であった。得られた重合体(EPS−1)の重量平均分子量Mwは5,500であった。
撹拌機、温度計及び還流冷却管を備えた反応容器に、重合性不飽和化合物としてメタクリル酸(重合に使用したモノマーの合計量100モル部に対して45モル部)、スチレン(同10モル部)、及び下記式(e−3)で表される化合物(同45モル部)を仕込み、重合性不飽和化合物の合計が50重量%になるようにジエチレングリコールエチルメチルエーテルを加えて溶解した。
ここに、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を重合性不飽和化合物の合計モル数に対して3モル%、及び連鎖移動剤としてα−メチルスチレンダイマーを重合開始剤の重量の0.5倍重量加えた。次いで、窒素気流で10分間バブリングして系内の窒素置換を行った後、窒素雰囲気下、70℃で5時間重合反応を行った。反応終了後、反応混合物を大過剰のメタノール中に注ぎ、反応生成物を沈澱させた。回収した沈殿物をメタノールで洗浄した後、減圧下、40℃において15時間乾燥することによりポリメタクリレート(PMAA−1)を得た。得られた重合体(PMAA−1)の重量平均分子量Mwは11,000であった。
使用する重合性不飽和化合物を、メタクリル酸(重合に使用したモノマーの合計量100モル部に対して30モル部)、スチレン(同10モル部)、上記式(e−3)で表される化合物(同30モル部)及びグリシジルメタクリレート(同30モル部)に変更した点以外は上記合成例8と同様の操作によりポリメタクリレート(PMAA−2)を得た。得られた重合体(PMAA−2)の重量平均分子量Mwは12,000であった。
[合成例10]
使用する重合性不飽和化合物を、下記式(e−4)で表される化合物(同100モル部)に変更した点以外は上記合成例8と同様の操作によりポリメタクリレート(PMAA−3)を得た。得られた重合体(PMAA−3)の重量平均分子量Mwは10,000であった。
(1)重合体組成物の調製
重合体(P)として上記合成例1で得たポリアミック酸(PAA−1)を含む溶液に、化合物(Q)として上記式(Q−1)で表される化合物を、ポリアミック酸(PAA−1)100重量部に対して10重量部、及び化合物(R)として上記式(R−1)で表される化合物を、ポリアミック酸(PAA−1)100重量部に対して5重量部加え、NMP及びブチルセロソルブ(BCS)からなる混合溶媒の組成がNMP:BCS=50:50(重量比)、固形分濃度6.0重量%の溶液とした。この溶液を孔径1μmのフィルターを用いて濾過することにより重合体組成物(S−1)を調製した。
櫛歯状にパターニングされたクロムからなる2系統の金属電極(電極A及び電極B)を有し、それら電極A及び電極Bに対して独立に電圧の印加が可能なガラス基板を準備した。このガラス基板と、電極が設けられていない対向ガラス基板とを一対とし、ガラス基板の電極を有する面と対向ガラス基板の一面とに、上記で調製した重合体組成物(S−1)を、スピンコーターを用いてそれぞれ塗布した。次いで、80℃のホットプレートで1分間プレベークを行った。この操作を繰り返し、透明導電膜上に塗膜を有するガラス基板を一対(2枚)得た。上記で得た塗膜に対し、Hg−Xeランプ及びグランテーラープリズムを用いて313nmの輝線を含む偏光紫外線2,000J/m2を基板法線方向から照射して光配向処理を施した。なお、この照射量は、波長313nm基準で計測される光量計を用いて計測した値である。
次に、上記式(Q−1)で表される化合物が80℃にて液晶性を示すことを確認し、続いて、偏光紫外線を照射した後のガラス基板を80℃のホットプレートで15分間加熱した。さらに、庫内を窒素置換した200℃のオーブンで1時間加熱(ポストベーク)することにより、平均膜厚0.08μmの塗膜(液晶配向膜)を形成した。
次に、上記一対の基板のうちの一方の基板につき、液晶配向膜を有する面の外縁に直径5.5μmの酸化アルミニウム球入りエポキシ樹脂接着剤を塗布した後、一対の基板を液晶配向膜面が相対するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化させた。次いで、液晶注入口より一対の基板間にネマチック液晶(メルク社製、MLC−6221)を充填した後、アクリル系光硬化接着剤で液晶注入口を封止した。さらに、基板の外側両面に、2枚の偏光板の変更方向が互いに直交するように偏光板を貼り合わせ、液晶表示素子を作製した。
上記で製造した液晶表示素子につき、23℃において5Vの電圧を60マイクロ秒の印加時間、167ミリ秒のスパンで印加した後、印加解除から167ミリ秒後の電圧保持率(VHR)を測定し、その値を初期VHR(VHRBF)とした。なお、測定装置としては、(株)東陽テクニカ製、VHR−1を使用した。次いで、初期VHR測定後の液晶表示素子につき、LEDランプ照射下の80℃オーブン中で200時間静置した後、室温中に静置して室温まで自然冷却した。冷却後の液晶セルにつき、上記と同様の方法により再度電圧保持率を測定した。この値をストレス付与後VHR(VHRAFBL)とした。電圧保持率の減少量ΔVHR(%)を下記数式(EX−2)から求め、信頼性を評価した。
ΔVHR=((VHRBF−VHRAFBL)÷VHRBF)×100…(EX−2)
ΔVHRが1.0%未満であった場合を信頼性「優良」(◎)、1.0%以上2.0%未満であった場合を信頼性「良好」(○)、2.0%以上3.0%未満であった場合を信頼性「可」(△)、3.0%以上であった場合を信頼性「不良」(×)と判断した。その結果、本実施例の液晶表示素子のΔVHRは1.2%であり、信頼性は「良好」(○)の評価であった。
上記で製造した液晶表示素子について、電極AにAC10V(60Hz)、電極BにAC0V(60Hz)をそれぞれ印加した状態で300時間、室温にて放置した。その後、電極Aと電極BとをAC0〜10V(60Hz)まで0.1V毎に同時に駆動させ、透過率50%における透過率差ΔTを測定した。
ΔTが1.0%未満であった場合をAC残像特性「優良」(◎)、1.0%以上2.0%未満であった場合を「良好」(○)、2.0%以上3.0%未満であった場合を「可」(△)、3.0%以上であった場合を「不良」(×)と判断した。その結果、本実施例の液晶表示素子のΔTは1.5%であり、残像特性は「良好」(○)の評価であった。
(1)重合体組成物の調製
使用する重合体の種類、添加剤の種類及び量、並びに溶剤組成を下記の表2に記載のとおり変更した点以外は上記実施例1(1)と同様にして重合体組成物(S−2)を調製した。
(2)液晶表示素子の製造
使用する重合体組成物を(S−2)に変更した点、塗膜に対して313nmの輝線を含む偏光紫外線の照射量を3,000J/m2に変更した点、及び80℃・15分間の加熱処理の後であってポストベークの前に、基板上の塗膜に対してメタルハライドランプを用いて365nmの輝線を含む無偏光紫外線10,000J/m2を基板法線方向から照射した点以外は上記実施例1(2)と同様の方法により液晶表示素子を作製した。
(3)信頼性の評価
上記で製造した液晶表示素子につき、上記実施例1の(3)と同様にして液晶表示素子の信頼性の評価を行った。その結果、この液晶表示素子ではΔVHR=0.5%であり、信頼性「優良」(◎)の評価であった。
(4)残像特性の評価
上記で製造した液晶表示素子につき、上記実施例1の(4)と同様にして液晶表示素子の残像特性の評価を行った。その結果、この液晶表示素子ではΔT=0.6%であり、残像特性「優良」(◎)の評価であった。
使用する重合体の種類、添加剤の種類及び量、並びに溶剤組成を下記の表2に記載のとおり変更した点以外は上記実施例1の(1)と同様にして重合体組成物を調製した。また、得られた重合体組成物を用い、上記実施例2の(2)において偏光紫外線の照射量及び無偏光紫外線の照射量を下記表3のとおり変更した点、及び参考例4については偏光紫外線の波長を313nmから365nmに変更した点(参考例3、実施例6,7及び比較例1〜3については実施例2と同じ波長)以外は上記実施例2の(2)と同様にして液晶表示素子を製造した。なお、参考例4の偏光紫外線の照射量は、波長365nm基準で計測される光量計を用いて計測した値である。また、得られた液晶表示素子につき、上記実施例1と同様にして液晶表示素子の信頼性及び残像特性の評価を行った。それらの結果を下記表3に示した。
(溶剤)
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
NEP:N−エチル−2−ピロリドン
BCS:ブチルセロソルブ
PG:1−ブトキシ−2−プロパノール
DMI:1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
PGDAc:プロピレングリコールジアセテート
DAA:ダイアセトンアルコール
DEDG:ジエチレングリコールジエチルエーテル
(1)重合体組成物の調製
使用する重合体の種類及び量、添加剤の種類及び量、並びに溶剤組成を上記の表2に記載のとおり変更した点以外は上記実施例1(1)と同様にして重合体組成物(S−5)を調製した。
(2)液晶表示素子の製造
櫛歯状にパターニングされたクロムからなる2系統の金属電極(電極A及び電極B)を有し、それら電極A及び電極Bに対して独立に電圧の印加が可能なガラス基板を準備した。このガラス基板と、電極が設けられていない対向ガラス基板とを一対とし、ガラス基板の電極を有する面と対向ガラス基板の一面とに、上記で調製した重合体組成物(S−5)を、スピンコーターを用いてそれぞれ塗布した。次いで、80℃のホットプレートで1分間プレベークを行った。この操作を繰り返し、透明導電膜上に塗膜(液晶配向膜)を有するガラス基板を一対(2枚)得た。上記で得た塗膜に対し、Hg−Xeランプ及びグランテーラープリズムを用いて365nmの輝線を含む偏光紫外線10,000J/m2を基板法線方向から照射して光配向処理を施した。なお、この照射量は、波長365nm基準で計測される光量計を用いて計測した値である。
その後、偏光紫外線を照射した後のガラス基板を80℃のホットプレートで15分間加熱した。次いで、加熱後の塗膜に対し、光源にメタルハライドランプを使用した紫外線照射装置を用いて、無偏光紫外線50,000J/m2を基板法線方向から照射した。なお、この照射量は、波長365nm基準で計測される光量計を用いて計測した値である。さらに、庫内を窒素置換した200℃のオーブンで1時間加熱(ポストベーク)することにより、平均膜厚0.08μmの塗膜を形成した。
次に、上記一対の基板のうちの一方の基板につき、液晶配向膜を有する面の外縁に直径5.5μmの酸化アルミニウム球入りエポキシ樹脂接着剤を塗布した後、一対の基板を液晶配向膜面が相対するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化させた。次いで、液晶注入口より一対の基板間にネマチック液晶(メルク社製、MLC−6221)を充填した後、アクリル系光硬化接着剤で液晶注入口を封止した。
得られた液晶セルにつき、電極間にAC0V(60Hz)を印加し、液晶が駆動していない状態で、光源にメタルハライドランプを使用した紫外線照射装置を用いて、365nmの輝線を含む無偏光紫外線30,000J/m2を基板板法線方向から照射した。なお、この照射量は、波長365nm基準で計測される光量計を用いて計測した値である。さらに、基板の外側両面に、2枚の偏光板の変更方向が互いに直交するように偏光板を貼り合わせ、液晶表示素子を作製した。
上記で製造した液晶表示素子につき、上記実施例1の(3)と同様にして液晶表示素子の信頼性の評価を行った。その結果、この液晶表示素子ではΔVHR=0.3%であり、信頼性「優良」(◎)の評価であった。
(4)残像特性の評価
上記で製造した液晶表示素子につき、上記実施例1の(4)と同様にして液晶表示素子の残像特性の評価を行った。その結果、この液晶表示素子ではΔT=0.4%であり、残像特性「優良」(◎)の評価であった。
使用する重合体の種類、添加剤の種類及び量、並びに溶剤組成を上記の表2に記載のとおり変更した点以外は上記実施例1の(1)と同様にして重合体組成物(S−8)を調製した。また、得られた重合体組成物(S−8)を用い、上記実施例2の(2)において偏光紫外線の照射量及び無偏光紫外線の照射量を上記表3に記載のとおり変更した以外は上記参考例5の(2)と同様にして液晶表示素子を製造した。また、得られた液晶表示素子につき、上記実施例1と同様にして液晶表示素子の信頼性及び残像特性の評価を行った。その結果、本実施例では、ΔVHR=2.7%であり信頼性「可」(△)、ΔT=2.5%であり残像特性「可」(△)の評価であった。
Claims (8)
- 下記[2]の重合体組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程[A]と、
前記工程[A]で得られた塗膜に対して、偏光した放射線を照射する工程[B]と、
前記工程[B]における放射線照射の後及び該放射線照射時の少なくともいずれかに前記塗膜を加熱する工程[C]と、を含む液晶配向膜の製造方法。
[2]ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル、ポリイミド、ポリシロキサン及び付加重合により得られる重合体よりなる群から選ばれる少なくとも一種の重合体(P)と、ラジカル重合性基、環状エーテル基、環状チオエーテル基、オキサジン環含有基、オキサゾリン基、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、シラノール基、メチロール基、エーテル化メチロール基及び環状カーボネート基よりなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性基を有する液晶性化合物(Q)と、光配向性部位を有する分子量2,000以下の低分子化合物(R)と、を含む重合体組成物。 - 前記工程[C]は、第1温度で加熱する第1加熱工程と、前記第1温度よりも高い温度で加熱する第2加熱工程とを含む、請求項1に記載の液晶配向膜の製造方法。
- 前記第1温度は、前記重合体組成物に配合される液晶性化合物が液晶性を示す温度範囲の下限温度よりも20℃低い温度を下限とし、かつ前記温度範囲の上限温度よりも20℃高い温度を上限とする範囲内の温度である、請求項2に記載の液晶配向膜の製造方法。
- 前記第2加熱工程による加熱前、該加熱時及び該加熱後の少なくともいずれかに、無偏光の放射線を照射する工程[D]を更に含む、請求項2又は3に記載の液晶配向膜の製造方法。
- 前記重合体(P)が第1官能基を有し、前記光配向性部位を有する化合物が第2官能基を有し、
前記第1官能基及び前記第2官能基のうち一方の基が、水酸基、カルボキシル基、リン酸基及びスルホン酸基よりなる群から選ばれる少なくとも一種であり、他方の基が、3級アミノ基及び窒素含有複素環基よりなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の液晶配向膜の製造方法。 - 前記第1官能基はカルボキシル基であり、前記第2官能基は、3級アミノ基及び窒素含有複素環基よりなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項5に記載の液晶配向膜の製造方法。
- 前記重合体(P)は、窒素含有複素環(ただし、ポリイミドが有するイミド環を除く。)、2級アミノ基及び3級アミノ基よりなる群から選ばれる少なくとも一種の窒素含有構造を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の液晶配向膜の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法により液晶配向膜を形成した一対の基板を、液晶層を介して前記液晶配向膜が相対するように対向配置して液晶セルを構築する工程と、
前記液晶セルに無偏光の放射線を照射する工程と、を含む液晶素子の製造方法。
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