JP2019135733A - 熱処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】自然酸化膜が形成された半導体基板であってもドーパントを浅く導入することができる熱処理方法を提供する。【解決手段】ドーパントを含む薄膜が成膜された半導体ウェハーを水素を含む雰囲気中にてアニール温度Ｔ１に加熱する水素アニールを行う。ドーパントを含む薄膜と半導体ウェハーとの間には不可避的に自然酸化膜が形成されているのであるが、水素アニールを行うことによって、ドーパント原子は比較的容易に自然酸化膜中を拡散して半導体ウェハーの表面と自然酸化膜との界面に集積する。次に、窒素雰囲気中で半導体ウェハーを予備加熱温度Ｔ２に予備加熱した後に、半導体ウェハーの表面をピーク温度Ｔ３に１秒未満加熱するフラッシュ加熱処理を行う。ドーパント原子が半導体ウェハーの表面から浅く拡散して活性化され、低抵抗かつ極浅い接合を得ることができる。【選択図】図１２

Description

本発明は、半導体基板にドーパントを導入する熱処理方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、単結晶のシリコンまたはゲルマニウムへのドーパントの導入は必要不可欠な工程である。ドーパントを導入することによって、ｎ型半導体またはｐ型半導体が作成される。ドーパントの導入は、典型的にはシリコン等の半導体基板にボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）等のドーパント原子をイオン打ち込み法によって注入し、その半導体基板にアニール処理を施してドーパント原子を活性化させることによって実現される。ところが、イオン打ち込み法には単結晶シリコン等に結晶欠陥を生じさせるという問題がある。
また、近年、従来の平面型（プレーナ型）のデバイス構造を立体的な構造としてデバイス性能を高める試みがなされている（例えば、ＦｉｎＦＥＴ等）。このような立体的な構造の場合、従来より主流であったイオン打ち込み法では必要な箇所へのドーパント注入が困難なことがある。このため、イオン打ち込み法とは異なるドーパント導入技術として、ボロンやリン等のドーパントを添加した酸化物の薄膜（ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜等）を半導体基板上に成膜し、それにアニール処理を施すことによってドーパント原子を当該薄膜から半導体中に拡散させることが提案されている（例えば、特許文献１等）。
特開２００７−２０１３３７号公報
しかしながら、ドーパントを含む薄膜と半導体基板との間には極めて薄いものの自然酸化膜が不可避的に形成されてしまい、この自然酸化膜が障壁となって当該薄膜から半導体基板へのドーパント原子の拡散を阻害する。アニール処理時に大きな熱量を与えることによって自然酸化膜を通過させてドーパント原子を半導体基板に拡散させることは可能であるものの、大きな熱量を与えるとドーパント原子が深く拡散することとなる。その結果、接合が過剰に深くなり、理想的な低抵抗かつ極浅い接合を得ることができなくなる。
典型的にはドーパントを含む薄膜を成膜する前に、フッ酸（ＨＦ）を用いた洗浄処理を行うことによって半導体基板の表面から自然酸化膜を除去するようにしている。しかし、厳密には除去処理を終了した直後から新たな自然酸化膜が成長を開始するため、ドーパントを含む薄膜を成膜する時点では半導体基板の表面に不可避的に自然酸化膜が存在している。また、上述した立体的な構造を有するＦｉｎＦＥＴ等の場合、フッ酸処理を行うとＦｉｎ幅が腐食されて細くなり、設計通りのサイズのデバイス製造ができなくなるため、フッ酸による洗浄処理自体が困難である。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、自然酸化膜が形成された半導体基板であってもドーパントを浅く導入することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、半導体基板にドーパントを導入する熱処理方法において、ドーパントを含む薄膜が成膜された半導体基板を水素を含む雰囲気中にて第１の温度に加熱する水素アニール工程と、水素とは異なるガスの雰囲気中にて前記半導体基板を前記第１の温度よりも高温の第２の温度に１秒未満加熱するミリセカンドアニール工程と、を備えることを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記水素アニール工程と前記ミリセカンドアニール工程との間に、前記半導体基板を前記第１の温度よりも高く、かつ、前記第２の温度よりも低い温度に加熱する予備加熱工程をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記第１の温度は３００℃以上６００℃以下であることを特徴とする。
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記ミリセカンドアニール工程では窒素雰囲気中にて前記半導体基板を加熱することを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記ミリセカンドアニール工程では、前記半導体基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記半導体基板を加熱することを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記半導体基板にはドーパントを含む二酸化ケイ素の膜が成膜されることを特徴とする。
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記ドーパントを含む薄膜と前記半導体基板の表面との間には自然酸化膜が形成されていることを特徴とする。
請求項１から請求項７の発明によれば、ドーパントを含む薄膜が成膜された半導体基板を水素を含む雰囲気中にて第１の温度に加熱した後、水素とは異なるガスの雰囲気中にて半導体基板を第１の温度よりも高温の第２に温度に１秒未満加熱するため、薄膜に含まれるドーパントを一旦半導体基板と自然酸化膜との界面に集積させた後に浅く拡散させることができ、自然酸化膜が形成された半導体基板であってもドーパントを浅く導入することができる。
本発明に係る熱処理方法を実施する際に使用する熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 本発明に係る熱処理方法の手順を示すフローチャートである。 ドーパントを含む薄膜が成膜された半導体ウェハーの断面構造を模式的に示す図である。 ドーパントが半導体ウェハーに拡散する様子を模式的に示す図である。 ドーパントの拡散層が形成された半導体ウェハーの断面構造を模式的に示す図である。 半導体ウェハーの表面温度の変化を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明に係る熱処理方法を実施するための熱処理装置について説明する。図１は、本発明に係る熱処理方法を実施する際に使用する熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。熱処理装置１は、チャンバー６内に処理ガスを供給するガス供給部９０を備える。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａが穿設されている。チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａが設けられている部位には放射温度計２０が取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。放射温度計２０は、半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を透明窓２１を介して受光し、その赤外光の強度から半導体ウェハーＷの温度を測定する。
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給部９０の供給配管８３に連通接続されている。供給配管８３は二叉に分岐され、そのうちの一方は水素供給源９３に接続され、他方は窒素供給源９４に接続されている。供給配管８３から分岐されて水素供給源９３に接続された配管にはバルブ９１が設けられ、窒素供給源９４に接続された配管にはバルブ９２が設けられている。バルブ９１が開放されると水素供給源９３から供給配管８３に水素ガス（Ｈ２）が送り出される。一方、バルブ９２が開放されると窒素供給源９４から供給配管８３に窒素ガス（Ｎ２）が送り出される。バルブ９１およびバルブ９２の双方が開放されると供給配管８３には水素と窒素との混合ガスが送給される。水素供給源９３、窒素供給源９４、バルブ９１、バルブ９２および供給配管８３によって熱処理装置１のガス供給部９０が構成される。供給配管８３から送給された処理ガスは緩衝空間８２に流入し、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。なお、水素および窒素のそれぞれの供給流量は分岐された配管に設けられた図示省略の流量調整バルブ等によって調整可能とされている。
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ａに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬが配列される領域は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された円筒形状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
次に、本発明に係る熱処理方法について説明する。図８は、本発明に係る熱処理方法の手順を示すフローチャートである。本実施形態において処理対象となる半導体基板はシリコン（Ｓｉ）の半導体ウェハーＷである。まず、シリコンの半導体ウェハーＷの表面にドーパントを含む薄膜を成膜する（ステップＳ１）。ステップＳ１の成膜処理は上述した熱処理装置１とは異なる成膜装置によって実行される。なお、ステップＳ１の成膜工程の前に、半導体ウェハーＷの表面にフッ酸等による洗浄処理を行うようにしても良い。
図９は、ドーパントを含む薄膜が成膜された半導体ウェハーＷの断面構造を模式的に示す図である。シリコンの半導体ウェハーＷの表面には二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の自然酸化膜１０１が形成されている。この自然酸化膜１０１は意図して形成されたものではなく、フッ酸等による半導体ウェハーＷの表面洗浄処理を行って除去したとしても除去処理後に直ちに再成長を開始して不可避的に形成されるものである。従って、必然的にドーパントを含む薄膜１０２は自然酸化膜１０１の上に成膜される。すなわち、ドーパントを含む薄膜１０２と半導体ウェハーＷの表面との間に自然酸化膜１０１が挟み込まれることとなる。
本実施形態においては、ドーパントを含む薄膜１０２として、ボロン（Ｂ）を含む二酸化ケイ素（ＢＳＧ:Boron Silicate Glass）の膜を成膜する。このようなＢＳＧの膜は、例えばスピンコート法によって半導体ウェハーＷに成膜することができる。成膜された薄膜１０２の膜厚は例えば約１０ｎｍである。なお、自然酸化膜１０１の膜厚は例えば約１ｎｍである。
次に、ドーパントを含む薄膜１０２が成膜された半導体ウェハーＷが熱処理装置１のチャンバー６内に搬入される（ステップＳ２）。具体的には、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときに、バルブ９２を開放してチャンバー６内に窒素ガスを供給し、搬送開口部６６から窒素ガスを流出させて半導体ウェハーＷの搬入にともなう外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制するようにしても良い。
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、ドーパントを含む薄膜１０２が成膜された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
また、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖されて熱処理空間６５が密閉空間とされた後、チャンバー６内に水素を含む雰囲気が形成される（ステップＳ３）。具体的には、バルブ９１およびバルブ９２の双方が開放されてガス供給孔８１から熱処理空間６５に水素と窒素との混合ガスが処理ガスとして供給される。また、バルブ８９が開放されてガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された処理ガスが下方へと流れて熱処理空間６５の下部から排気され、チャンバー６内が水素を含む雰囲気に置換される。チャンバー６内に形成された水素を含む雰囲気中における水素の濃度は例えば約４vol%である。また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。
チャンバー６内に水素を含む雰囲気が形成された後、ハロゲン加熱部４のハロゲンランプＨＬによって半導体ウェハーＷの水素アニールが実行される（ステップＳ４）。図１２は、半導体ウェハーＷの表面温度の変化を示す図である。チャンバー６内に水素を含む雰囲気が形成された後、時刻ｔ１にハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して半導体ウェハーＷの加熱が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプター７４を透過して半導体ウェハーＷの裏面から照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
ハロゲンランプＨＬによる加熱処理を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定のアニール温度Ｔ１（第１の温度）に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度がアニール温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。水素アニールのアニール温度Ｔ１は、３００℃以上６００℃以下であり、より好ましくは４００℃以上５００℃以下である。
時刻ｔ２に半導体ウェハーＷの温度がアニール温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをそのアニール温度Ｔ１に予め設定された水素アニール時間の間維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度がアニール温度Ｔ１に到達した時刻ｔ２に制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、時刻ｔ３まで半導体ウェハーＷの温度をほぼアニール温度Ｔ１に維持する。時刻ｔ２から時刻ｔ３までの水素アニール時間は、１秒以上１時間以下であり、より好ましくは１分以上３０分以下である。
ハロゲンランプＨＬによる加熱時には、半導体ウェハーＷの全体が均一にアニール温度Ｔ１に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
表面に自然酸化膜１０１を挟んでドーパントを含む薄膜１０２が成膜された半導体ウェハーＷを水素雰囲気中にてアニール温度Ｔ１に加熱することにより、二酸化ケイ素中におけるドーパント原子の拡散速度が増加する。その結果、薄膜１０２に含まれるドーパント原子が自然酸化膜１０１中を拡散して半導体ウェハーＷの表面と自然酸化膜１０１との界面に高濃度に集積するものと考えられる。
アニール温度Ｔ１が６００℃以下であれば、薄膜１０２に含まれるドーパント原子が自然酸化膜１０１を超えて半導体ウェハーＷの表面に拡散するおそれはない。また、アニール温度Ｔ１が３００℃以上であれば、ドーパント原子が自然酸化膜１０１中を拡散することは可能である。このような理由により、水素アニールのアニール温度Ｔ１は、３００℃以上６００℃以下に限定される。
所定の水素アニール時間が経過した時刻ｔ３に、チャンバー６内が水素雰囲気から窒素雰囲気に置換される（ステップＳ５）。具体的には、バルブ９１が閉止されてバルブ９２のみが開放され、熱処理空間６５には窒素ガスのみが供給される。また、バルブ８９は継続して開放されており、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、熱処理空間６５における水素濃度が低下し、時刻ｔ４にはチャンバー６内が窒素雰囲気に置換される。なお、バルブ９１およびバルブ９２の双方を閉止してガス供給を行うことなく排気のみを行ってチャンバー６内を一旦大気圧未満にまで減圧した後に、バルブ９２のみを開放してチャンバー６内を窒素雰囲気とするようにしても良い。チャンバー６内を一旦減圧することにより、チャンバー６内を円滑かつ迅速に窒素雰囲気に置換することができる。
チャンバー６内が窒素雰囲気に置換された時刻ｔ４に半導体ウェハーＷの予備加熱（アシスト加熱）が開始される（ステップＳ６）。予備加熱工程に移行すると、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を水素アニール工程のときよりも高めて半導体ウェハーＷの裏面に照射されるハロゲン光の強度を強くする。これにより、半導体ウェハーＷの温度がアニール温度Ｔ１からさらに上昇する。
水素アニール工程と同様に予備加熱時にも、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ２となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ２は、水素アニールのアニール温度Ｔ１よりも高く、６００℃以上１１００℃以下である。半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ２に到達した後、制御部３はハロゲンランプＨＬの出力を調整して半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ２に到達して所定時間が経過した時刻ｔ５にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う（ステップＳ７）。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射により、薄膜１０２および自然酸化膜１０１を含む半導体ウェハーＷの表面は瞬間的にピーク温度Ｔ３（第２の温度）にまで昇温した後、急速に降温する。ピーク温度Ｔ３は、予備加熱温度Ｔ２よりも高く、シリコンの半導体ウェハーＷの融点未満である。
半導体ウェハーＷを窒素雰囲気中で予備加熱温度Ｔ２に予備加熱してからフラッシュ加熱することによって、図１０に示すように、半導体ウェハーＷの表面と自然酸化膜１０１との界面に集積されていたドーパント原子が半導体ウェハーＷの表面に拡散するとともに、その拡散したドーパント原子が活性化される。その結果、半導体ウェハーＷの表面にはドーパントの拡散層が形成される。図１１は、ドーパントの拡散層１０３が形成された半導体ウェハーＷの断面構造を模式的に示す図である。
フラッシュ加熱時のフラッシュ光照射時間は１００ミリセカンド以下の極めて短い時間である。よって、半導体ウェハーＷの表面温度がピーク温度Ｔ３となっている時間は１秒未満である。すなわち、フラッシュ加熱は、半導体ウェハーＷの表面をピーク温度Ｔ３に１秒未満加熱するミリセカンドアニールである。半導体ウェハーＷの表面をピーク温度Ｔ３に加熱する時間が１秒未満の短時間であるため、ドーパント原子が半導体ウェハーＷの表面から深く拡散するのを抑制することができる。さらに、水素とは異なるガスの雰囲気中にてミリセカンドアニールを行っているので、ドーパント原子が半導体ウェハーＷの表面から深く拡散することをより一層抑制することができる。また、半導体ウェハーＷの表面を比較的高温のピーク温度Ｔ３にまで昇温することによって、拡散したドーパント原子の活性化率を高めて拡散層１０３の低抵抗化を実現することができる。すなわち、半導体ウェハーＷの表面をピーク温度Ｔ３に１秒未満加熱するフラッシュ加熱によって、低抵抗かつ極浅い接合を得ることができるのである。
フラッシュ加熱処理が終了した後、ハロゲンランプＨＬも消灯することにより、半導体ウェハーＷが急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する（ステップＳ８）。
本実施形態においては、ドーパントを含む薄膜１０２が成膜された半導体ウェハーＷに水素アニールを行った後に、その半導体ウェハーＷにフラッシュ加熱処理を施している。ドーパントを含む薄膜１０２と半導体ウェハーＷの表面との間には不可避的に自然酸化膜１０１が存在している。このため、水素アニールを行うことなく、単に半導体ウェハーＷを予備加熱してからフラッシュ加熱を行っただけでは、自然酸化膜１０１が障壁となり、薄膜１０２に含まれるドーパント原子が自然酸化膜１０１を超えて半導体ウェハーＷの表面に拡散することはできない。一方、半導体ウェハーＷを例えば数秒以上ピーク温度Ｔ３程度の高温に加熱すれば、薄膜１０２に含まれるドーパント原子は自然酸化膜１０１を通過して半導体ウェハーＷの表面に拡散する。しかし、既述したように、大きな熱量を与えると、ドーパント原子が半導体ウェハーＷの表面から過剰に深く拡散することとなる。
そこで、本実施形態においては、まずドーパントを含む薄膜１０２が成膜された半導体ウェハーＷを水素を含む雰囲気中にてアニール温度Ｔ１に加熱する水素アニールを行っている。水素アニールを行うことにより、薄膜１０２に含まれるドーパント原子は比較的容易に自然酸化膜１０１中を拡散して半導体ウェハーＷの表面と自然酸化膜１０１との界面に集積する。また、水素アニールを行うことによって、ドーパントを含む薄膜１０２中の欠陥が水素終端されるため、ドーパントの外方拡散を防ぐことができる。
そして、その後に当該半導体ウェハーＷの表面を窒素雰囲気中にてピーク温度Ｔ３に１秒未満加熱するフラッシュ加熱処理を行っている。これにより、半導体ウェハーＷの表面と自然酸化膜１０１との界面に集積されていたドーパント原子が半導体ウェハーＷの表面から浅く拡散して活性化され、低抵抗かつ極浅い接合を得ることができる。すなわち、水素アニールにより薄膜１０２に含まれるドーパント原子を一旦半導体ウェハーＷの表面と自然酸化膜１０１との界面に集積させた後にフラッシュ加熱処理を行うことにより、自然酸化膜１０１が形成された半導体ウェハーＷであってもドーパントを浅く導入することができるのである。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、ドーパントを含む薄膜１０２として、ボロンを含む二酸化ケイ素の膜を成膜していたが、これに代えてリン（Ｐ）を含む二酸化ケイ素（ＰＳＧ：Phosphorus Silicate Glass）膜を成膜するようにしても良い。
また、ドーパントを含む薄膜１０２は、ＢＳＧやＰＳＧの膜に限定されるものではなく、ＭＬＤ（Molecular mono layer doping）やＡＬＤ（Atomic layer doping）によって形成された膜であっても良い。薄膜１０２に含まれるドーパントとしては、ボロン、リン、ヒ素（Ａｓ）等が例示される。
また、上記実施形態においては、水素アニールを行った後に半導体ウェハーＷにフラッシュ加熱処理を施していたが、これに限定されるものではなく、水素アニール後に半導体ウェハーＷの表面をピーク温度Ｔ３に１秒未満加熱するミリセカンドアニールを行う形態であれば良い。フラッシュ加熱処理以外のミリセカンドアニールとしては、例えばレーザーアニール処理が例示される。
また、水素アニール後にフラッシュ加熱処理を行う雰囲気は窒素雰囲気に限定されるものではなく、水素とは異なる他の（窒素以外の）ガス雰囲気であっても良い。例えば、アンモニア（ＮＨ３）のような活性ガスの雰囲気中にて水素アニール後のフラッシュ加熱処理を行うようにしても良い。或いは、水素アニール後のフラッシュ加熱処理は、チャンバー６内を大気圧未満にまで減圧した減圧雰囲気、好ましくは真空雰囲気にて実行するようにしても良い。減圧雰囲気（または真空雰囲気）であればチャンバー６内が極低酸素濃度となるため、ドーパント原子の活性化率をより高めることができる。
また、上記実施形態においては、熱処理装置１のチャンバー６内で水素アニールおよびフラッシュ加熱処理の双方を行っていたが、水素アニールとフラッシュ加熱処理とを異なる装置で実行するようにしても良い。具体的には、フラッシュ加熱処理を行う熱処理装置１とは別に水素アニールを行う専用のアニール装置を設けるようにしても良い。このようなアニール装置としては、例えば水素雰囲気中にて対象物の加熱処理を行う雰囲気炉を用いることができる。また、１つの熱処理装置１に対して複数のアニール装置（または多段で処理できるアニール装置）を設けるのが好ましい。フラッシュ加熱時間に比較して水素アニール時間が顕著に長い場合には、１つの熱処理装置１に対して複数のアニール装置を設けることにより、スループットの低下を抑制することができる。
また、水素アニール時におけるチャンバー６内の水素濃度は、４vol%に限定されるものではなく、それ以上であっても良いし、それ以下であっても良い。
また、処理対象となる半導体基板はシリコンの半導体ウェハーＷに限定されるものではなく、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体ウェハーであっても良い。
また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの水素アニールおよび予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて水素アニールおよび予備加熱を行うようにしても良い。
１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７７ 基板支持ピン
８３ 供給配管
９０ ガス供給部
９３ 水素供給源
９４ 窒素供給源
１０１ 自然酸化膜
１０２ 薄膜
１０３ 拡散層
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (7)

  1. 半導体基板にドーパントを導入する熱処理方法であって、
    ドーパントを含む薄膜が成膜された半導体基板を水素を含む雰囲気中にて第１の温度に加熱する水素アニール工程と、
    水素とは異なるガスの雰囲気中にて前記半導体基板を前記第１の温度よりも高温の第２の温度に１秒未満加熱するミリセカンドアニール工程と、
    を備えることを特徴とする熱処理方法。
  2. 請求項１記載の熱処理方法において、
    前記水素アニール工程と前記ミリセカンドアニール工程との間に、前記半導体基板を前記第１の温度よりも高く、かつ、前記第２の温度よりも低い温度に加熱する予備加熱工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。
  3. 請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
    前記第１の温度は３００℃以上６００℃以下であることを特徴とする熱処理方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記ミリセカンドアニール工程では窒素雰囲気中にて前記半導体基板を加熱することを特徴とする熱処理方法。
  5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記ミリセカンドアニール工程では、前記半導体基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記半導体基板を加熱することを特徴とする熱処理方法。
  6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記半導体基板にはドーパントを含む二酸化ケイ素の膜が成膜されることを特徴とする熱処理方法。
  7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記ドーパントを含む薄膜と前記半導体基板の表面との間には自然酸化膜が形成されていることを特徴とする熱処理方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10573532B2 (en) 2018-06-15 2020-02-25 Mattson Technology, Inc. Method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process
CN116013844B (zh) * 2023-03-27 2023-06-16 四川上特科技有限公司 一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50117374A (ja) * 1974-02-28 1975-09-13
JPH0368133A (ja) * 1989-08-07 1991-03-25 Toshiba Corp 固相拡散方法
JPH0387021A (ja) * 1989-05-02 1991-04-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2014045065A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2016184670A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法、および熱処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100410574B1 (ko) * 2002-05-18 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 데카보렌 도핑에 의한 초박형 에피채널을 갖는반도체소자의 제조 방법
JP3699946B2 (ja) * 2002-07-25 2005-09-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2007201337A (ja) 2006-01-30 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8883597B2 (en) * 2007-07-31 2014-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabrication of a FinFET element
TWI539493B (zh) 2010-03-08 2016-06-21 黛納羅伊有限責任公司 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物
JP6157809B2 (ja) * 2012-07-19 2017-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6006040B2 (ja) * 2012-08-27 2016-10-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9576790B2 (en) * 2013-10-16 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of boron and carbon containing materials

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50117374A (ja) * 1974-02-28 1975-09-13
JPH0387021A (ja) * 1989-05-02 1991-04-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH0368133A (ja) * 1989-08-07 1991-03-25 Toshiba Corp 固相拡散方法
JP2014045065A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2016184670A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法、および熱処理装置

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