JP2019117831A - 基板処理方法、基板処理装置、及び、成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
て、絶縁性樹脂基板の絶縁性を損なわずに、高い洗浄効果を得ることが可能となる。
(成膜装置の全体構成)
図1は、本発明の第1実施形態に係る成膜装置1の全体的な内部構成を模式的に示した上視図である。成膜装置1は、成膜処理される基板2が収容されるストッカ室11と、基板2の加熱処理を行う加熱室12と、基板2の被処理面に前処理や成膜処理を行う処理室13と、を備える。処理室13は、前処理エリア13Aと成膜エリア13Bを含んでおり、前処理エリア13Aには、成膜処理に先立って基板2の被処理面の洗浄等の前処理を行うための基板処理装置14が設けられ、成膜エリア13Bには、基板2の被処理面に成膜処理を行う成膜処理部としてのスパッタ装置15が設けられている。本実施形態の成膜装置1は、基板2を搬送しつつ加熱〜前処理〜成膜といった一連の処理を施す、いわゆるインライン型の構成を有している。
基板2に対する成膜処理が終了する。処理終了後の基板2はストッカ室11へと排出される。
Array)実装基板向けのメッキシード膜や、SAW(Surface Acoustic Wave)デバイス向けのメタル積層膜の成膜が挙げられる。また、LEDのボンディング部における導電性硬質膜、MLCC(Multi−Layered Ceramic Capacitor)の端子部膜の成膜なども挙げられる。その他、電子部品パッケージにおける電磁シールド膜やチップ抵抗器の端子部膜の成膜にも適用可能である。基板2のサイズは、50mm×50mm〜600mm×600mm程度の範囲のものが例示できる。基板2としては、ポリイミド系の樹脂からなる絶縁性樹脂基板が用いられる。また、異なる材料からなる基板に対して、ポリイミド系の樹脂コーティングされている基板を使用しても良い。
図3及び図4は、本実施形態に係る基板処理装置14の構成を示す模式図である。図3は、基板処理装置14の内部構成を上方からみた模式図であり、図4は、基板処理装置14の内部構成を基板2の搬送方向にみた模式図である。
用いた場合は、生成されるシアン化物を除去するための除害設備が必要になるため、本実施形態では、除害設備が不要な酸素ガスを用いる。
図5と図6を参照して、本実施形態の洗浄処理の制御を説明する。図5は基板2の搬送及びビーム照射の制御を示しており、図6はチャンバ内に導入するガスの流量の制御を示している。図5と図6におけるt1,t2,…は時刻を表している。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の基板処理装置14は、洗浄処理の開始時は第2のガスよりも第1のガスの比率が高く、洗浄処理の終了時は第1のガスよりも第2のガスの比率が高くなるように、雰囲気ガスにおける第1のガスと第2のガスの比率を変化させる点に特徴がある。それ以外の構成は第1実施形態のものと同一でよいので、説明を省略する。
図7と図8を参照して、本実施形態の洗浄処理の制御を説明する。図7は基板2の搬送
及びビーム照射の制御を示しており、図8はチャンバ内に導入するガスの流量の制御を示している。図7と図8におけるt1,t2,…は時刻を表している。
図9は、第3実施形態に係る基板処理装置14の構成を示している。本実施形態の基板処理装置14は、基板2を挟んだ両側にビーム照射部46A,46Bを設けている。この構成によると、1回の走査で、基板2の両面を同時に洗浄することができる。あるいは、基板支持部に2枚の基板2を平行に支持させることで、2枚の基板2を同時に洗浄することができる。したがって、第1及び第2実施形態よりも高い生産性をもつ基板処理装置を提供することができる。なお、洗浄処理の具体的な制御については、第1及び第2実施形態のものと同じでよい。
図10は、第4実施形態に係る基板処理装置14の構成を示している。第1〜第3実施形態は、イオンビームによる洗浄処理を行う構成であったのに対し、本実施形態は、逆スパッタ法によるプラズマ洗浄処理を行う構成である。
及び高周波電源48が設けられている点である。それ以外の構成は基本的に前述の実施形態と同じでよいので、説明を割愛する。
図11を参照して、本実施形態の洗浄処理の制御を説明する。図11はチャンバ内に導入するガスの流量の制御と、電圧印加部材47の制御を示している。
図12は、第5実施形態に係る成膜装置及び基板処理装置の全体的な内部構成を模式的に示した上視図である。この成膜装置1は、概略、チャンバ41、複数の基板2を支持する基板支持部42、第1のガス導入部43、第2のガス導入部44、制御部45、ビーム照射部46、及び、複数のターゲット151、152を有している。なお、前述の実施形態と同一ないし対応する構成部分については、理解の補助のため、同一の符号を付している。
まず、制御部45は、基板支持部42を一定の回転速度(たとえば20rpm)で時計回りに回転させる。回転が安定した段階で、制御部45は、ビーム照射部46からイオンビームを照射し、各基板2の表面を順に走査する。このビーム照射を約3分間行うことで(すなわち、各基板2は約60回ずつビーム走査される)、基板2の表面の洗浄処理が行われる。
第1から第5実施形態を例示して本発明の好ましい具体例を説明したが、本発明の範囲はこれらの具体例に限定されることはなく、その技術思想の範囲内で適宜変形することができる。例えば、第1から第5実施形態で述べた構成や制御内容については、技術的な矛盾がない限り、互いに組み合わせてもよい。また、第1のガス、第2のガス、基板の材質などは、第1から第5実施形態で例示したもの以外を用いてもよい。また、上記実施形態ではインライン型とカルーセル型の装置構成を例示したが、基板処理装置や成膜装置の構成はこれらに限らず、どのようなものでも構わない。
Claims (17)
- 絶縁性樹脂基板の洗浄方法であって、
第1のガスの雰囲気下で絶縁性樹脂基板の表面を洗浄する第1の洗浄工程と、
前記第1の洗浄工程の後に、第2のガスの雰囲気下で前記絶縁性樹脂基板の前記表面を洗浄する第2の洗浄工程と、を含み、
前記第1のガスは、物理的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記第2のガスは、化学的な洗浄作用を発生させるガスである
ことを特徴とする絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 絶縁性樹脂基板の洗浄方法であって、
第1のガスと第2のガスの少なくとも一方を含む雰囲気下で絶縁性樹脂基板の表面を洗浄する洗浄工程を含み、
前記第1のガスは、物理的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記第2のガスは、化学的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記洗浄工程の開始時は前記第2のガスよりも前記第1のガスの比率が高く、前記洗浄工程の終了時は前記第1のガスよりも前記第2のガスの比率が高くなるように、前記雰囲気における前記第1のガスと前記第2のガスの比率を変化させる
ことを特徴とする絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 前記洗浄工程の開始時から終了時にかけて、前記第1のガスの比率を段階的又は連続的に下げ、前記第2のガスの比率を段階的又は連続的に上げる
ことを特徴とする請求項2に記載の絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 前記洗浄工程の開始時の前記第2のガスの比率は0であり、終了時の前記第1のガスの比率は0である
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 前記第1のガスは、希ガスである
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 前記第1のガスは、アルゴンガスである
ことを特徴とする請求項5に記載の絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 前記第2のガスは、酸素ガスである
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の絶縁性樹脂基板の洗浄方法。 - 絶縁性樹脂基板の洗浄を行う基板処理装置であって、
絶縁性樹脂基板が配置されるチャンバと、
前記チャンバ内に第1のガスを導入するための第1のガス導入手段と、
前記チャンバ内に第2のガスを導入するための第2のガス導入手段と、
前記絶縁性樹脂基板の表面を洗浄する洗浄手段と、
制御手段と、を有し、
前記第1のガスは、物理的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記第2のガスは、化学的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記制御手段は、前記第1のガスの雰囲気下で前記絶縁性樹脂基板の表面を洗浄する第1の洗浄が行われた後、前記第2のガスの雰囲気下で前記絶縁性樹脂基板の前記表面を洗浄する第2の洗浄が行われるように、前記第1及び第2のガス導入手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 絶縁性樹脂基板の洗浄を行う基板処理装置であって、
絶縁性樹脂基板が配置されるチャンバと、
前記チャンバ内に第1のガスを導入するための第1のガス導入手段と、
前記チャンバ内に第2のガスを導入するための第2のガス導入手段と、
前記絶縁性樹脂基板の表面を洗浄する洗浄手段と、
制御手段と、を有し、
前記第1のガスは、物理的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記第2のガスは、化学的な洗浄作用を発生させるガスであり、
前記制御手段は、前記第1のガスと前記第2のガスの少なくとも一方を含む雰囲気下で前記絶縁性樹脂基板の表面を洗浄する際に、洗浄の開始時は前記第2のガスよりも前記第1のガスの比率が高く、前記洗浄の終了時は前記第1のガスよりも前記第2のガスの比率が高くなるように、前記第1及び第2のガス導入手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記洗浄の開始時から終了時にかけて、前記第1のガスの比率が段階的又は連続的に下がり、前記第2のガスの比率が段階的又は連続的に上がるように、前記第1及び第2のガス導入手段を制御する
ことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記洗浄の開始時の前記第2のガスの比率が0となり、終了時の前記第1のガスの比率が0となるように、前記第1及び第2のガス導入手段を制御する
ことを特徴とする請求項9又は10に記載の基板処理装置。 - 前記第1のガスは、希ガスである
ことを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第1のガスは、アルゴンガスである
ことを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記第2のガスは、酸素ガスである
ことを特徴とする請求項9〜13のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄手段は、前記絶縁性樹脂基板の前記表面の周囲にプラズマを発生させる手段である
ことを特徴とする請求項9〜14のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄手段は、前記絶縁性樹脂基板の前記表面にイオンビームを照射する手段であることを特徴とする請求項9〜14のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 請求項9〜14のいずれか1項に記載の基板処理装置と、
前記基板処理装置によって洗浄された絶縁性樹脂基板の表面に成膜処理を行う成膜処理部と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
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