CN109957751A - 绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置 - Google Patents

绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置。能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。绝缘性树脂基板的清洗方法包括：第一清洗工序，在所述第一清洗工序中，在第一气体的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面；及第二清洗工序，在所述第一清洗工序之后，在所述第二清洗工序中，在第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面。在此，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体。

Description

绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置
技术领域
本发明涉及绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置。
背景技术
在半导体器件的成膜装置中，有时在成膜处理之前利用离子束或等离子体进行基板表面的清洗处理。在这种清洗处理中，根据其目的选择气氛气体。例如，在专利文献1中公开了：为了进行有机类材料膜的除去处理而使用氩气与氧气的混合气体(Ar+O2)，另外，为了得到较高的灰化率(ashing rate)，优选将氩气与氧气的比率设定为97％：3％。作为用于高分子碎片的清洗处理的气氛气体，在专利文献2中公开了氧气与氮气的混合气体(O2+N2)、氢气与氩气的混合气体(H2+Ar)、氩气与氮气的混合气体(Ar+N2)、氧气与氩气的混合气体(O2+Ar)。另外，在专利文献3中公开了：在由电极膜/钙钛(perovskite)层/电极膜构成的层叠体的干蚀刻处理中，使用氩气、氧气及氯气的混合气体(Ar+O2+Cl2)、氩气与氧气的混合气体(Ar+O2)。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2006-278748号公报
专利文献2：日本特开2003-059902号公报
专利文献3：日本特开2006-019729号公报
发明要解决的课题
氩气等稀有气体的气氛下的清洗处理具有能够得到由物理清洗作用(蚀刻)带来的较高的清洗效果这样的优点。然而，稀有气体的气氛下的清洗处理不适合于由聚酰亚胺等绝缘性树脂材料构成的基板。这是因为，由于高能量的离子的碰撞，有时会失去基板表面的绝缘性。另一方面，氧气等气氛下的清洗处理是与基板的有机物反应并进行化学清洗的处理，虽然具有不损害基板表面的绝缘性这样的优点，但是存在清洗效果较低这样的缺点。
发明内容
本发明鉴于上述实际情况而作出，其目的在于提供一种能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性的技术。
用于解决课题的手段
本发明的第一技术方案提供一种绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，包括：第一清洗工序，在所述第一清洗工序中，在第一气体的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面；及第二清洗工序，在所述第一清洗工序之后，在所述第二清洗工序中，在第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体。
根据该方法，通过首先实施第一清洗工序，从而能够得到由物理清洗作用带来的较高的清洗效果。在此，虽然有时会由于第一清洗工序而失去绝缘性树脂基板的表面的绝缘性，但通过在第一清洗工序之后实施第二清洗工序，从而能够利用其化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。
本发明的第二技术方案提供一种绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，包括清洗工序，在所述清洗工序中，在包含第一气体和第二气体中的至少一方的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体，以所述清洗工序开始时所述第一气体的比率比所述第二气体的比率高且所述清洗工序结束时所述第二气体的比率比所述第一气体的比率高的方式使所述气氛气体中的所述第一气体和所述第二气体的比率变化。
根据该方法，能够在清洗工序开始时得到由物理清洗作用带来的较高的清洗效果。此时，虽然有时会失去绝缘性树脂基板的表面的绝缘性，但能够在清洗工序结束时利用第二气体的化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。
本发明的第三技术方案提供一种进行绝缘性树脂基板的清洗的基板处理装置，其特征在于，具有：腔室，所述腔室配置绝缘性树脂基板；第一气体导入部件，所述第一气体导入部件用于向所述腔室内导入第一气体；第二气体导入部件，所述第二气体导入部件用于向所述腔室内导入第二气体；清洗部件，所述清洗部件清洗所述绝缘性树脂基板的表面；及控制部件，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体，所述控制部件控制所述第一气体导入部件及第二气体导入部件，以便在进行在所述第一气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的表面的第一清洗后，进行在所述第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面的第二清洗。
根据该结构，通过首先实施第一清洗，从而能够得到由物理清洗作用带来的较高的清洗效果。在此，虽然有时会由于第一清洗而失去绝缘性树脂基板的表面的绝缘性，但通过在第一清洗之后实施第二清洗，从而能够利用其化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。
本发明的第四技术方案提供一种进行绝缘性树脂基板的清洗的基板处理装置，其特征在于，具有：腔室，所述腔室配置绝缘性树脂基板；第一气体导入部件，所述第一气体导入部件用于向所述腔室内导入第一气体；第二气体导入部件，所述第二气体导入部件用于向所述腔室内导入第二气体；清洗部件，所述清洗部件清洗所述绝缘性树脂基板的表面；及控制部件，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体，所述控制部件控制所述第一气体导入部件及第二气体导入部件，使得在包含所述第一气体和所述第二气体中的至少一方的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的表面时，清洗开始时所述第一气体的比率比所述第二气体的比率高，且所述清洗结束时所述第二气体的比率比所述第一气体的比率高。
根据该结构，能够在清洗开始时得到由物理清洗作用带来的较高的清洗效果。此时，虽然有时会失去绝缘性树脂基板的表面的绝缘性，但能够在清洗结束时利用第二气体的化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。
发明的效果
根据本发明，能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。
附图说明
图1是示意地示出串列(in line)型成膜装置的内部结构的俯视图。
图2是示出第一实施方式的成膜装置的工作的流程图。
图3是示出第一实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
图4是在基板的输送方向上观察基板处理装置的内部结构的示意图。
图5是示出第一实施方式中的基板的输送及离子束照射的控制的图。
图6是示出第一实施方式中的气体的流量的控制的图。
图7是示出第二实施方式中的基板的输送及离子束照射的控制的图。
图8是示出第二实施方式中的气体的流量的控制的图。
图9是示出第三实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
图10是示出第四实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
图11是示出第四实施方式中的气体的流量的控制和电压施加的控制的图。
图12是示出第五实施方式的成膜装置及基板处理装置的结构的示意图。
附图标记说明
1：成膜装置，2：基板，11：储存室，12：加热室，13：处理室，13A：预处理区域，13B：成膜区域，14：基板处理装置，15：溅射装置，41：腔室，42：基板支承部，43：第一气体导入部，44：第二气体导入部，45：控制部，46、46A、46B：离子束照射部，47：电压施加构件，48：高频电源，121：加热器，151、152：靶，410：轨道，421：电极，430：第一气体导入管，431：流量控制装置，432：开闭阀，440：第二气体导入管，441：流量控制装置，442：开闭阀。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的优选实施方式及实施例。但是，以下的实施方式及实施例仅例示性地示出本发明的优选结构，并不将本发明的范围限定于这些结构。另外，只要没有特别特定性的记载，以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等并不将本发明的范围仅限定于这些硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等。
<第一实施方式>
(成膜装置的整体结构)
图1是示意地示出本发明的第一实施方式的成膜装置1的整体内部结构的俯视图。成膜装置1具备：收容将要进行成膜处理的基板2的储存室11、进行基板2的加热处理的加热室12及在基板2的被处理面上进行预处理、成膜处理的处理室13。处理室13包括预处理区域13A和成膜区域13B，在预处理区域13A中设置有用于在成膜处理之前进行基板2的被处理面的清洗等预处理的基板处理装置14，在成膜区域13B中设置有作为在基板2的被处理面上进行成膜处理的成膜处理部的溅射装置15。本实施方式的成膜装置1具有输送基板2并实施加热～预处理～成膜这样的一系列处理的所谓串列型结构。
图2是示出成膜装置1的工作的流程图。在储存室11中收容有多块基板2。其中的作为处理对象的基板2被从储存室11向加热室12输送(步骤S101)，并由加热器121加热(步骤S102)。在本实施方式中，通过约十分钟左右的加热处理，从100℃到180℃左右对基板2进行加热。此后，基板2被从加热室12向处理室13的预处理区域13A输送(步骤S103)。在预处理区域13A中，利用基板处理装置14对基板2的被处理面实施清洗处理(步骤S104)。接着，向成膜区域13B输送基板2(步骤S105)，利用溅射装置15对基板2的被处理面实施溅射处理(步骤S106)。在溅射处理中使用的靶(target)151、152既可以是同种材料，也可以是不同的材料。通过以上处理，对基板2的成膜处理结束。处理结束后的基板2排出到储存室11。
本实施方式的成膜装置1例如能够应用于伴随着预处理的各种电极形成。作为具体例，例如可列举面向FC-BGA(Flip-Chip Ball Grid Array：倒装芯片球栅阵列)安装基板的电镀籽晶膜、面向SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)器件的金属层叠膜的成膜。另外，也可列举LED的接合部中的导电性硬质膜、MLCC(Multi-Layered Ceramic Capacitor：多层陶瓷电容器)的端子部膜的成膜等。除此以外，也能够应用于电子部件封装中的电磁屏蔽膜、贴片式电阻的端子部膜的成膜。基板2的尺寸能够例示50mm×50mm～600mm×600mm左右的范围的尺寸。作为基板2，能够使用由聚酰亚胺类的树脂构成的绝缘性树脂基板。另外，也可以使用对由不同的材料构成的基板涂覆聚酰亚胺类的树脂而成的基板。
(基板处理装置)
图3及图4是示出本实施方式的基板处理装置14的结构的示意图。图3是从上方观察基板处理装置14的内部结构的示意图，图4是在基板2的输送方向上观察基板处理装置14的内部结构的示意图。
本实施方式的基板处理装置14是用于进行绝缘性树脂基板的表面(被处理面)的清洗处理的装置，大致具有腔室41、基板支承部42、第一气体导入部43、第二气体导入部44、控制部45及离子束照射部46。
腔室41是构成处理室13的气密容器。利用未图示的排气泵将腔室41内维持在减压状态。基板支承部42是将基板2以垂直的状态支承并且能够在铺设于腔室41的底面的轨道410上移动的基板输送部件。第一气体导入部43是用于向腔室41内导入第一气体的装置，由将第一气体的供给源(未图示)与腔室41之间连接的气体导入管430、MFC(质量流量控制器)等流量控制装置431及开闭阀432等构成。另外，第二气体导入部44是用于向腔室41内导入第二气体的装置，由将第二气体的供给源(未图示)与腔室41之间连接的气体导入管440、流量控制装置441及开闭阀442等构成。离子束照射部46是通过向基板2的表面照射高能量的离子束来清洗基板2的表面的清洗部件。控制部45是用于控制基板处理装置14的各部分的工作的装置。具体而言，控制部45进行基板支承部42的移动、第一气体导入部43及第二气体导入部44的流量的控制、从离子束照射部46照射的离子束的控制等。
本实施方式的基板处理装置14的特征在于：在进行在第一气体的气氛下清洗基板2的表面的第一清洗后，进行在第二气体的气氛下清洗基板2的表面的第二清洗。在此，作为第一气体，使用产生物理清洗作用的气体，即，当在第一气体的气氛下向基板2照射了离子束时物理清洗作用在基板2的表面起作用(或者物理清洗作用成为主导性)的气体。例如，能够优选使用氩气(Ar)、氖气(Ne)等稀有气体。在本实施方式中，由于能够得到良好的蚀刻作用这样的优点，因此，使用氩气。另一方面，作为第二气体，使用产生化学清洗作用的气体，即，当在第二气体的气氛下向基板2照射了离子束时化学清洗作用在基板2的表面起作用(或者化学清洗作用成为主导性)的气体。例如，能够优选使用氧气(O2)、氮气(N2)等。但是，在使用氮气的情况下，需要用于除去生成的氰化物的除害设备，所以在本实施方式中使用不需要除害设备的氧气。
(清洗处理的控制)
参照图5和图6说明本实施方式的清洗处理的控制。图5示出基板2的输送及离子束照射的控制，图6示出向腔室内导入的气体的流量的控制。图5和图6中的t1、t2、…表示时刻。
首先，控制部45使基板2移动到开始位置(起始位置)，向第一气体导入部43的流量控制装置431和第二气体导入部44的流量控制装置441分别发送流量指示信号，将第一气体的流量F1与第二气体的流量F2的流量比率设定为F1：F2＝100％：0％(t1)。然后，控制部45在第一气体的气氛下一边使基板2以一定速度向图中右方移动，一边用从离子束照射部46照射的离子束扫描基板2的表面(t2)。如果基板2到达最终位置(也就是说，如果基板2的表面的扫描完成)，则控制部45停止离子束照射及基板2的移动(t3)。另外，第一气体的导入也停止。到此为止的t1～t3的处理是第一清洗工序。
此后，控制部45使基板2再次返回到开始位置，并且控制流量控制装置431、441，将第一气体与第二气体的流量比率设定为F1：F2＝0％：100％(t4)。然后，控制部45在第二气体的气氛下一边使基板2以一定速度向图中右方移动，一边用离子束扫描基板2的表面(t5)。如果基板2到达最终位置，则控制部45停止离子束照射(t6)。该t4～t6的处理是第二清洗工序。
根据上述那样的清洗处理，通过首先实施第一清洗工序，从而能够在第一气体的气氛下得到由物理清洗作用(蚀刻作用)带来的较高的清洗效果。在此，虽然有时会由于第一清洗工序而失去树脂基板表面的绝缘性，但通过在第一清洗工序之后实施第二清洗工序，从而能够利用其化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害树脂基板的绝缘性。而且，能够用改变气氛气体的种类地进行两次离子束扫描这样的简单控制来实现。此外，在本实施方式中，在第一清洗工序和第二清洗工序中分别实施一次离子束扫描，但也可以在各清洗工序中进行多次离子束扫描。关于离子束的扫描方向，在本实施方式中，仅公开了使基板从开始位置移动的扫描方向，但也可以是，在第一清洗工序结束后，在第二清洗工序中，使基板向返回到开始位置的方向移动地使离子束进行扫描。不仅可以是基板移动的结构，也可以通过将基板固定并使离子束照射部46移动或使离子束的照射方向变化，从而使离子束进行扫描。另外，虽然可以清洗基板整体，但也能够通过仅向需要的范围照射离子束从而仅清洗基板表面的一部分。
<第二实施方式>
接着，说明本发明的第二实施方式。本实施方式的基板处理装置14的特征在于：以清洗处理开始时第一气体的比率比第二气体的比率高，清洗处理结束时第二气体的比率比第一气体的比率高的方式使气氛气体中的第一气体和第二气体的比率变化。由于除此以外的结构与第一实施方式相同，所以省略说明。
(清洗处理的控制)
参照图7和图8说明本实施方式的清洗处理的控制。图7示出基板2的输送及离子束照射的控制，图8示出向腔室内导入的气体的流量的控制。图7和图8中的t1、t2、…表示时刻。
首先，控制部45使基板2向开始位置(起始位置)移动，并将第一气体与第二气体的流量比率设定为F1：F2＝100％：0％(t1)。然后，控制部45一边使基板2以一定速度向图中右方移动，一边用从离子束照射部46照射的离子束扫描基板2的表面(t2)。接着，控制部45在将第一气体与第二气体的流量比率变更为F1：F2＝66.7％：33.3％后(t3)，一边使基板2以一定速度向图中左方移动一边进行第二次离子束扫描(t4)。此后，在流量比率F1：F2＝33.3％：66.7％的气氛下进行第三次离子束扫描(t5～t6)，在流量比率F1：F2＝0％：100％的气氛下进行第四次离子束扫描(t7～t8)。在本实施方式中，如图8所示，向基板2的表面照射离子束的期间(离子束扫描过程中)将流量比率维持为一定。这是为了使表面处理的结果不产生不均。
根据上述那样的控制，在清洗处理开始时，在第一气体为主导性的气氛下进行清洗处理，能够得到由物理清洗作用(蚀刻作用)带来的较高的清洗效果。此时，虽然有时会失去树脂基板表面的绝缘性，但由于在清洗处理结束时在第二气体为主导性的气氛下进行处理，所以能够利用其化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害树脂基板的绝缘性。而且，能够用一边改变气氛气体的流量比率一边进行离子束扫描这样的简单控制来实现。
此外，在本实施方式中，如图8所示，将清洗处理开始时的第二气体的流量F2设定为0，将结束时的第一气体的流量F1设定为0，并使每种气体的流量线性地变化，但这种控制为一例。例如，既可以在清洗处理开始时将第二气体的流量设定为F2>0，也可以在清洗处理结束时将第一气体的流量设定为F1>0。另外，关于每种气体的流量，也可以使其非线性地变化或阶段性地变化。即，只要清洗处理开始时的流量成为F1>F2且结束时的流量成为F1<F2(换句话说，只要在清洗处理开始时第一气体的清洗作用成为主导性且在清洗处理结束时第二气体的清洗作用成为主导性)即可，可以任意控制每种气体的流量。
<第三实施方式>
图9示出第三实施方式的基板处理装置14的结构。本实施方式的基板处理装置14在隔着基板2的两侧设置有离子束照射部46A、46B。根据该结构，能够通过一次扫描同时清洗基板2的两个面。或者，通过使基板支承部平行地支承两块基板2，从而能够同时清洗两块基板2。因此，能够提供具有比第一及第二实施方式高的生产率的基板处理装置。此外，清洗处理的具体控制可以与第一及第二实施方式相同。
<第四实施方式>
图10示出第四实施方式的基板处理装置14的结构。第一～第三实施方式是进行利用离子束的清洗处理的结构，与此相对，本实施方式是进行利用反溅射法的等离子体清洗处理的结构。
本实施方式的基板处理装置14大致具有腔室41、基板支承部42、第一气体导入部43、第二气体导入部44、控制部45、电压施加构件47及高频电源48。与上述实施方式的不同点在于设置有电压施加构件47及高频电源48代替离子束照射部。由于除此以外的结构基本上与上述实施方式相同，所以省略说明。
(清洗处理的控制)
参照图11，说明本实施方式的清洗处理的控制。图11示出向腔室内导入的气体的流量的控制和电压施加构件47的控制。
首先，控制部45使基板2移动到基板处理装置14内的规定的处理位置(t1)。此时，电压施加构件47与基板支承部42的电极421紧贴，实现两者的电连接。接着，控制部45向第一气体导入部43的流量控制装置431和第二气体导入部44的流量控制装置441分别发送流量指示信号，将第一气体的流量F1与第二气体的流量F2的流量比率设定为F1：F2＝100％：0％(t2)。然后，控制部45控制电压施加构件47，经由电极421对基板支承部42施加规定的高频电压(t3)。通过该电压施加，在基板2的表面附近形成第一气体的等离子体P(参照图10)。通过等离子体P中的离子的碰撞来进行基板2的表面的清洗处理。
此后，控制部45在维持电压施加的状态下，使第一气体与第二气体的流量比率逐渐变化，最终设为F1：F2＝0％：100％(t4)。因此，最终进行利用第二气体的等离子体P的化学清洗处理。
根据上述那样的控制，在清洗处理开始时，在第一气体为主导性的气氛下进行清洗处理，能够得到由物理清洗作用(蚀刻作用)带来的较高的清洗效果。此时，虽然有时会失去树脂基板表面的绝缘性，但由于在清洗处理结束时在第二气体为主导性的气氛下进行处理，所以能够利用其化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害树脂基板的绝缘性。而且，能够用在施加电压的状态下改变气氛气体的流量比率这样的简单控制来实现。
此外，在本实施方式中，将清洗处理开始时的第二气体的流量F2设定为0，将结束时的第一气体的流量F1设定为0，并使每种气体的流量线性地变化，但这种控制为一例。例如，既可以在清洗处理开始时将第二气体的流量设定为F2>0，也可以在清洗处理结束时将第一气体的流量设定为F1>0。另外，关于每种气体的流量，也可以使其非线性地变化或阶段性地变化。另外，也可以如第一实施方式那样，以清洗处理的前半部分为F1：F2＝100％：0％，后半部分为F1：F2＝0％：100％的方式切换为两个阶段。即，只要清洗处理开始时的流量成为F1>F2且结束时的流量成为F1<F2(换句话说，只要在清洗处理开始时第一气体的清洗作用成为主导性且在清洗处理结束时第二气体的清洗作用成为主导性)即可，可以任意控制每种气体的流量。
<第五实施方式>
图12是示意地示出第五实施方式的成膜装置及基板处理装置的整体内部结构的俯视图。该成膜装置1大致具有腔室41、支承多块基板2的基板支承部42、第一气体导入部43、第二气体导入部44、控制部45、离子束照射部46及多个靶151、152。此外，为了帮助理解，对与上述实施方式相同或对应的结构部分标注相同的附图标记。
本实施方式的基板支承部42是能够绕顺时针旋转的圆盘状的工作台，是能够在其上表面以垂直的状态(竖起的状态)支承12块基板2的构造。将被处理面朝向外侧地配置各基板2。本实施方式的成膜装置1具有使基板支承部42旋转并实施加热～预处理～成膜这样的一系列处理的所谓转盘型结构。该成膜装置1例如适合于一条边约为100mm左右的尺寸比较小的基板2的处理。
(清洗处理的控制)
首先，控制部45使基板支承部42以一定的旋转速度(例如20rpm)绕顺时针旋转。在旋转稳定的阶段中，控制部45从离子束照射部46照射离子束，按顺序扫描各基板2的表面。通过进行约3分钟的该离子束照射(即，各基板2各被离子束扫描约60次)，从而进行基板2的表面的清洗处理。
在本实施方式中，也可以与上述第一实施方式(图6)同样地，在第一气体的气氛下进行前半部分的清洗处理，在第二气体的气氛下进行后半部分的清洗处理，或者与第二实施方式(图8)同样地，在清洗处理的实施过程中使第一气体和第二气体的流量比率变化。由此，能够起到与上述实施方式相同的作用效果。
<其他>
例示第一至第五实施方式说明了本发明的优选具体例，但本发明的范围不限定于这些具体例，能够在其技术思想的范围内适当变形。例如，关于在第一至第五实施方式中叙述的结构、控制内容，只要没有技术矛盾，可以相互组合。另外，第一气体、第二气体、基板的材质等可以使用第一至第五实施方式例示的气体和材质以外的气体和材质。另外，在上述实施方式中例示了串列型和转盘型的装置结构，但基板处理装置、成膜装置的结构不限于这些结构，可以是任意的结构。

Claims (17)

1.一种绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，包括：
第一清洗工序，在所述第一清洗工序中，在第一气体的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面；及
第二清洗工序，在所述第一清洗工序之后，在所述第二清洗工序中，在第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面，
所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，
所述第二气体是产生化学清洗作用的气体。
2.一种绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，
包括清洗工序，在所述清洗工序中，在包含第一气体和第二气体中的至少一方的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面，
所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，
所述第二气体是产生化学清洗作用的气体，
以所述清洗工序开始时所述第一气体的比率比所述第二气体的比率高且所述清洗工序结束时所述第二气体的比率比所述第一气体的比率高的方式使所述气氛中的所述第一气体和所述第二气体的比率变化。
3.根据权利要求2所述的绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，
从所述清洗工序开始时起到结束时，阶段性地或连续地降低所述第一气体的比率，并阶段性地或连续地提高所述第二气体的比率。
4.根据权利要求2所述的绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，
所述清洗工序开始时的所述第二气体的比率为0，且结束时的所述第一气体的比率为0。
5.根据权利要求2所述的绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，
所述第一气体为稀有气体。
6.根据权利要求5所述的绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，
所述第一气体为氩气。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，
所述第二气体为氧气。
8.一种基板处理装置，进行绝缘性树脂基板的清洗，其特征在于，具有：
腔室，所述腔室配置绝缘性树脂基板；
第一气体导入部件，所述第一气体导入部件用于向所述腔室内导入第一气体；
第二气体导入部件，所述第二气体导入部件用于向所述腔室内导入第二气体；
清洗部件，所述清洗部件清洗所述绝缘性树脂基板的表面；及
控制部件，
所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，
所述第二气体是产生化学清洗作用的气体，
所述控制部件控制所述第一气体导入部件及第二气体导入部件，以便在进行在所述第一气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的表面的第一清洗后，进行在所述第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面的第二清洗。
9.一种基板处理装置，进行绝缘性树脂基板的清洗，其特征在于，具有：
腔室，所述腔室配置绝缘性树脂基板；
第一气体导入部件，所述第一气体导入部件用于向所述腔室内导入第一气体；
第二气体导入部件，所述第二气体导入部件用于向所述腔室内导入第二气体；
清洗部件，所述清洗部件清洗所述绝缘性树脂基板的表面；及
控制部件，
所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，
所述第二气体是产生化学清洗作用的气体，
所述控制部件控制所述第一气体导入部件及第二气体导入部件，使得在包含所述第一气体和所述第二气体中的至少一方的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的表面时，清洗开始时所述第一气体的比率比所述第二气体的比率高，且所述清洗结束时所述第二气体的比率比所述第一气体的比率高。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部件控制所述第一气体导入部件及第二气体导入部件，使得从所述清洗开始时起到结束时，所述第一气体的比率阶段性地或连续地降低，且所述第二气体的比率阶段性地或连续地提高。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部件控制所述第一气体导入部件及第二气体导入部件，使得所述清洗开始时的所述第二气体的比率为0，且结束时的所述第一气体的比率为0。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体为稀有气体。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体为氩气。
14.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二气体为氧气。
15.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗部件是在所述绝缘性树脂基板的所述表面的周围产生等离子体的部件。
16.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗部件是向所述绝缘性树脂基板的所述表面照射离子束的部件。
17.一种成膜装置，其特征在于，具备：
权利要求9～14中任一项所述的基板处理装置；及
成膜处理部，所述成膜处理部在利用所述基板处理装置清洗后的绝缘性树脂基板的表面进行成膜处理。
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