JP2019084562A - レーザー加工装置 - Google Patents

レーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019084562A
JP2019084562A JP2017214473A JP2017214473A JP2019084562A JP 2019084562 A JP2019084562 A JP 2019084562A JP 2017214473 A JP2017214473 A JP 2017214473A JP 2017214473 A JP2017214473 A JP 2017214473A JP 2019084562 A JP2019084562 A JP 2019084562A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
laser beam
workpiece
axis direction
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017214473A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6998178B2 (ja
Inventor
圭司 能丸
Keiji Nomaru
圭司 能丸
雄二 波多野
Yuji Hatano
雄二 波多野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2017214473A priority Critical patent/JP6998178B2/ja
Priority to TW107135087A priority patent/TWI778144B/zh
Priority to CN201811283324.5A priority patent/CN109746572B/zh
Priority to KR1020180131923A priority patent/KR102616529B1/ko
Publication of JP2019084562A publication Critical patent/JP2019084562A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6998178B2 publication Critical patent/JP6998178B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Abstract

【課題】板状の被加工物に対してレーザー光線を照射して加工する際に、被加工物に対するレーザー光線の照射が妨げられることのないレーザー加工装置を提供する。【解決手段】集光器86の直下に位置付けられ、被加工物10の上面に液体Wの層を生成する液体層生成器40を備え、液体層生成器40は、集光器86が照射するレーザー光線の通過を許容する透明板と、透明板を含む天壁と、天壁の外側から垂下し被加工物10との間に隙間を形成する下端部を有する側壁と、から構成された筐体42と、筐体42の内部空間に液体Wを供給し内部空間を液体Wで満たす液体供給部と、から構成され、筐体42には、被加工物10に照射されるレーザー光線の照射位置に向けて液体を噴射する液体噴射ノズルが配設される、レーザー加工装置2。【選択図】図1

Description

本発明は、板状の被加工物にレーザー光線を照射して加工するレーザー加工装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン、照明機器等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線の集光点を、被加工物の表面に位置付けて照射するアブレーション加工によって分割の起点となる溝を形成するタイプのもの(例えば、特許文献1を参照。)、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、被加工物の内部に位置付けて照射し、被加工物の内部に分割の起点となる改質層を形成するタイプのもの(例えば、特許文献2を参照。)、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を、被加工物の所要位置に位置付けて照射し、被加工物の表面から裏面に至り、分割の起点となる細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するタイプもの(例えば、特許文献3を参照。)と、が存在し、被加工物の種類、加工精度等に応じて、レーザー加工装置が適宜選択される。
上記したレーザー加工装置のうち、特にアブレーション加工を施すタイプにおいては、被加工物(ウエーハ)の表面にレーザー光線を照射した際に生じるデブリ(レーザー加工屑)が、ウエーハに形成されたデバイスの表面に飛散して付着し、デバイスの品質を低下させるおそれがあることから、レーザー加工を実施する前に、ウエーハの表面に、加工に用いるレーザー光線を透過する液状樹脂を被覆してデブリの付着を防止し、レーザー加工を施した後に、該液状樹脂を除去することが提案されている(例えば、特許文献4を参照。)。
特開平10−305420号公報 特許第3408805号公報 特開2014−221483号公報 特開2004−188475号公報
特許文献4に記載された技術によれば、液状樹脂が被覆されていることで、デバイスの表面にデブリが付着することを防止することができ、加工品質は確保される。しかし、液状樹脂を塗布する工程、加工後に液状樹脂を除去する工程が必要であり、生産性に問題がある。さらに、液状樹脂は、繰り返し利用することができないため、不経済であるという問題がある。
また、ウエーハを水没させた状態でレーザー光線を照射してデブリを水に浮遊させることでウエーハの表面に付着するのを防止する技術も提案されている。しかし、ウエーハが水没した状態でウエーハに対してレーザー光線を照射する場合、ウエーハのレーザー光線が照射された部位から微細な泡が発生するため、この泡によってレーザー光線の進行が妨げられ、所望の加工ができないという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、板状の被加工物に対してレーザー光線を照射して加工する際に、被加工物に対するレーザー光線の照射が妨げられることのないレーザー加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状の被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該集光器とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、該集光器の直下に位置付けられ、被加工物の上面に液体の層を生成する液体層生成器を備え、該液体層生成器は、該集光器が照射するレーザー光線の通過を許容する透明板と、該透明板を含む天壁と、該天壁の外側から垂下し被加工物との間に隙間を形成する下端部を有する側壁と、から構成された筐体と、該筐体の内部空間に液体を供給し内部空間を液体で満たす液体供給部と、から構成され、該筐体には、被加工物に照射されるレーザー光線の照射位置に向けて液体を噴射する液体噴射ノズルが配設される、レーザー加工装置が提供される。
該レーザー光線照射手段には、該発振器から発振されたレーザー光線を分散させる分散手段が配設されていてもよい。
本発明のレーザー加工装置は、板状の被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該集光器とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、該集光器の直下に位置付けられ、被加工物の上面に液体の層を生成する液体層生成器を備え、該液体層生成器は、該集光器が照射するレーザー光線の通過を許容する透明板と、該透明板を含む天壁と、該天壁の外側から垂下し被加工物との間に隙間を形成する下端部を有する側壁と、から構成された筐体と、該筐体の内部空間に液体を供給し内部空間を液体で満たす液体供給部と、から構成され、該筐体には、被加工物に照射されるレーザー光線の照射位置に向けて液体を噴射する液体噴射ノズルが配設されることにより、被加工物に対するレーザー光線の照射が妨げられることのないレーザー加工装置が提供される。また、本発明を、アブレーション加工を実施するレーザー加工装置に適用した場合は、ウエーハの表面に液状樹脂を被覆しなくても、レーザー加工時に発生するデブリがデバイスに付着ことを抑制することができ、デバイスの加工品質が低下することを防止する。
本実施形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。 図1に示すレーザー加工装置の一部を分解して示す分解斜視図である。 図1に示すレーザー加工装置に装着される(a)液体層生成器の斜視図、及び(b)液体層生成器を分解して示す分解斜視図である。 図1に示すレーザー加工装置に装着されるレーザー光線照射手段の光学系の概略を説明するためのブロック図である。 図1に示すレーザー加工装置に装着される液体層生成器に関し、加工時における作動状態を示す一部拡大断面図である。
以下、本発明の実施形態に係るレーザー加工装置について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本実施形態のレーザー加工装置2、及びレーザー加工装置2によって加工される板状の被加工物(例えば、シリコン製のウエーハ10)の斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、基台21上に配置され、板状の被加工物を保持する保持手段22と、保持手段22を移動させる移動手段23と、基台21上の移動手段23の側方に矢印Zで示すZ方向に立設される垂直壁部261、及び垂直壁部261の上端部から水平方向に延びる水平壁部262からなる枠体26と、液体供給機構4と、レーザー光線照射手段8と、を備えている。図に示すように、ウエーハ10は、例えば、粘着テープTを介して環状のフレームFに支持され、保持手段22のチャックテーブル34に保持される。なお、上記したレーザー加工装置2は、説明の都合上省略されたハウジング等により全体が覆われており、内部に粉塵や埃等が入らないように構成される。
図2は、図1に記載されたレーザー加工装置2について、液体供給機構4の一部を構成する液体回収プール60をレーザー加工装置2から取り外し、かつ分解した状態を示す斜視図である。
図2を参照しながら、本実施形態に係るレーザー加工装置2について詳細に説明する。
枠体26の水平壁部262の内部には、保持手段22に保持されるウエーハ10にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段8を構成する光学系が収容される。水平壁部262の先端部下面側には、レーザー照射機構8の一部を構成する集光器86が配設されると共に、集光器86に対して図中矢印Xで示す方向で隣接する位置にアライメント手段88が配設される。アライメント手段88は、保持手段22に保持される被加工物を撮像してレーザー加工を施すべき領域を検出し、集光器86と、被加工物の加工位置との位置合わせを行うために利用される。
アライメント手段88には、ウエーハ10の表面を撮像する可視光線を使用する撮像素子(CCD)が備えられる。ウエーハ10を構成する材質によっては、赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)とを含むことが好ましい。
保持手段22は、図2に矢印Xで示すX軸方向において移動自在に基台21に搭載された矩形状のX軸方向可動板30と、図2に矢印Yで示すY軸方向において移動自在にX軸方向可動板30に搭載された矩形状のY軸方向可動板31と、Y軸方向可動板31の上面に固定された円筒状の支柱32と、支柱32の上端に固定された矩形状のカバー板33とを含む。カバー板33にはカバー板33上に形成された長穴を通って上方に延びるチャックテーブル34が配設されている。チャックテーブル34は、円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成される。チャックテーブル34の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック35が配置されている。吸着チャック35は、支柱32を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されており、吸着チャック35の周囲には、クランプ36が均等に4つ配置されている。クランプ36は、ウエーハ10をチャックテーブル34に固定する際に、ウエーハ10を保持するフレームFを把持する。X軸方向は図2に矢印Xで示す方向であり、Y軸方向は矢印Yで示す方向であってX軸方向に直交する方向である。X軸方向、Y軸方向で規定される平面は実質上水平である。
移動手段23は、X軸方向移動手段50と、Y軸方向移動手段52と、を含む。X軸方向移動手段50は、モータ50aの回転運動を、ボールねじ50bを介して直線運動に変換してX軸方向可動板30に伝達し、基台21上の案内レール27、27に沿ってX軸方向可動板30をX軸方向において進退させる。Y軸方向移動手段52は、モータ52aの回転運動を、ボールねじ52bを介して直線運動に変換し、Y軸方向可動板31に伝達し、X軸方向可動板30上の案内レール37、37に沿ってY軸方向可動板31をY軸方向において進退させる。なお、図示は省略するが、X軸方向移動手段50、Y軸方向移動手段52には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル34のX軸方向の位置、Y軸方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、X軸方向移動手段50、Y軸方向移動手段52、及び図示しない回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル34を正確に位置付けることが可能になっている。上記したX軸方向移動手段50が、保持手段22を加工送り方向に移動させる加工送り手段であり、Y軸方向移動手段52が、保持手段22を割り出し送り方向に移動させる割り出し送り手段となる。
図1〜図3を参照しながら、液体供給機構4について説明する。液体供給機構4は、図1に示すように、液体層生成器40と、液体供給ポンプ44と、濾過フィルター45と、液体回収プール60と、液体層生成器40及び液体供給ポンプ44を接続するパイプ46aと、液体回収プール60及び濾過フィルター45を接続するパイプ46bと、を備えている。なお、パイプ46a、パイプ46bは、部分的に、あるいは、全体をフレキシブルホースで形成されていることが好ましい。
液体層生成器40は、図3(a)に示すように、集光器86の直下に位置付けられ、より具体的には、集光器86の下端部に取り付けられる。液体層生成器40の分解図を図3(b)に示す。図3(b)から理解されるように、液体層生成器40は、筐体42と、液体供給部43とから構成される。
筐体42は、平面視で略矩形状をなし、天壁421と、側壁422とにより構成される。天壁421は、平面視で略正方形状であり、中央部には、集光器86の下端部が挿入され固定される円形開口部421aが形成される。円形開口部421aの底部には、後述するレーザー光線LBの通過を許容する透明板423が配設され、円形開口部421aの底部を閉塞している。すなわち、天壁421は、透明板423を含み構成される。天壁421には、円形開口部421aを囲う様に4箇所に上下方向(X軸方向)に貫通するエア抜き孔421bが配設される。透明板423は、透明なガラスによって形成されるが、これに限定されず、例えば、アクリル等の樹脂製の透明板であってもよい。
側壁422は、天壁421の外側から垂下される部材であり、筐体42によって形成される内部空間422aの側面を覆うように形成される。図3(b)に示されるように、側壁422は、X軸方向において対向しY軸方向に延びる二つの第一枠部材422b、422bと、X軸方向に延び液体供給部43が連結される側壁を構成する第二枠部材422cと、第二枠部材422cと対向しX軸方向に延びる第三枠部材422dと、第二枠部材422cに形成された液体噴射ノズル422eと、により構成される。
第二枠部材422cの液体供給部43が連結される側には、液体導入口422g、422gが形成されている。第一枠部材422b、422bの内部には、Y軸方向に延びる液体通路422h、422hが形成され、液体導入口422g、422gに連結される。さらに、二つの第一枠部材422b内側側面には、内部空間422aに向けて開口された液体供給口422iが形成されており、液体供給口422iは、液体通路422hに連結される。すなわち、液体導入口422gは、液体通路422h、及び液体供給口422iを介して内部空間422aに連通される。
液体噴射ノズル422eは、第二枠部材422cの中央に形成される。第二枠部材422cの上面には、噴射ノズル導入口422fが形成されており、噴射ノズル導入口422fは、液体噴射ノズル422eを介して内部空間422aに連通される。噴射ノズル422eによって形成される通路は、通路断面積が徐々に狭くなるように、且つ内部空間422aの下方に向けて形成されている。この液体噴射ノズル422eの作用については、追って詳細に説明する。
液体供給部43は、液体を内部に導入するための供給口43aと、内部に形成される内部通路43bと、内部通路43bを介して連通された中央排出口43c、副排出口43d、43dと、を備えている。図3(b)に示すように、液体供給部43を筐体42に連結する際には、中央排出口43cが噴射ノズル導入口422fに接続され、副排出口43dが、液体導入口422gに接続される。
液体層生成器40は、上記したような構成を備えており、液体供給部43の供給口43aは、内部通路43b、中央排出口43c、副排出口43d、液体噴射ノズル422e、及び液体通路422hを介して筐体42の内部空間422aに連通される。
図1、及び図2に戻り、液体回収プール60について説明する。図2に示すように、液体回収プール60は、外枠体61と、二つの防水カバー66を備えている。
外枠体61は、図中矢印Xで示すX軸方向に延びる外側壁62aと、図中矢印Yで示すY軸方向に延びる外側壁62bと、外側壁62a、及び62bの内側に所定間隔をおいて平行に配設される内側壁63a、63bと、外側壁62a、62b、及び内側壁63a、63bの下端を連結する底壁64とを備える。外側壁62a、62b、内側壁63a、63b、及び底壁64により、長手方向がX軸方向に沿い、短手方向がY軸方向に沿う長方形の液体回収路70が形成される。液体回収路70を構成する内側壁63a、63bの内側には、上下に貫通する開口が形成される。液体回収路70を構成する底壁64には、X軸方向、及びY軸方向において微少な傾斜が設けられており、液体回収路70の最も低い位置となる角部(図中左方の隅部)には、液体排出孔65が配設される。液体排出孔65には、パイプ46bが接続され、パイプ46bを介して濾過フィルター45に接続される。なお、外枠体61は、腐食や錆に強いステンレス製の板材により形成されることが好ましい。
二つの防水カバー66は、門型形状からなる固定金具66aと、固定金具66aを両端に固着される蛇腹状の樹脂製のカバー部材66bと、を備えている。固定金具66aは、Y軸方向において対向して配設される外枠体61の二つの内側壁63aを跨ぐことができる寸法で形成されている。二つの防水カバー66の固定金具66aの一方は、それぞれ、外枠体61のX軸方向において対向するように配設される内側壁63bに固定される。このように構成された液体回収プール60は、レーザー加工装置2の基台21上に図示しない固定具により固定される。保持手段22のカバー板33は、二つの防水カバー66の固定金具66a同士で挟むようにして取り付けられる。なお、カバー部材33のX軸方向における端面は、固定金具66aと同一の門型形状をなしており、固定金具66aと同様に、外枠体61の内側壁63aをY軸方向で跨ぐ寸法である。したがって、カバー部材33は、液体回収プール60の外枠体61を基台21に設置した後、防水カバー66に取り付けられる。上記した構成によれば、カバー板33がX軸方向移動手段50によってX軸方向に移動されると、カバー板33は、液体回収プール60の内側壁63aに沿って移動する。なお、防水カバー66、及びカバー部材33の取付方法については、上記した手順に限定されず、例えば、二つの防水カバー66を外枠体61の内側壁63bに取り付ける前に、予めカバー部材33を取り付けておき、基台21に先に取り付けた外枠体61に対して、カバー部材33と共に防水カバー66を取り付けるようにしてもよい。
図1に戻り説明を続けると、液体供給機構4は、上記した構成を備えていることにより、液体供給ポンプ44の吐出口44aから吐出された液体Wが、パイプ46aを経由して、液体層生成器40に供給される。液体層生成器40に供給された液体Wは、液体層生成器40の筐体42の液体噴射ノズル422e、液体供給口422iから内部空間422aに向け噴射される。液体層生成器40から噴射された液体Wは、カバー板33、もしくは、防水カバー66上を流れ、液体回収プール60に流下する。液体回収プール60に流下した液体Wは、液体回収路70を流れ、液体回収路70の最も低い位置に設けられた液体排出孔65に集められる。液体排出孔65に集められた液体Wは、パイプ46bを経由して濾過フィルター45に導かれ、濾過フィルター45にて、レーザー加工屑(デブリ)や塵、埃等が取り除かれて、液体供給ポンプ44に戻される。このようにして、液体供給ポンプ44によって吐出された液体Wが液体供給機構4内を循環する。
図4は、レーザー光線照射手段8の光学系の概略を示すブロック図である。図4に示すように、レーザー光線照射手段8は、パルス状のレーザー光線LBを発振する発振器82と、発振器82が発振したレーザー光線LBの出力を調整するアッテネーター(図示は省略する)と、発振器82から発振されたレーザー光線LBの光路を適宜変更する反射ミラー(図示は省略する)と、レーザー光線LBの照射方向を分散させる分散手段としてのポリゴンミラー91と、集光器86と、を含む。発振器82は、例えば、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線LBを発振する。
集光器86の上部に配設されるポリゴンミラー91は、ポリゴンミラー91を矢印Rで示す方向に高速回転させる図示しないモータを備える。集光器86の内部には、レーザー光線LBを集光して被加工物に照射する集光レンズ(fθレンズ)86aが配設されている。図に示すように、ポリゴンミラー91は、複数枚のミラーMが、ポリゴンミラー91の回転軸に対して同心状に配置されている。fθレンズ86aは、上記したポリゴンミラー91の下方に位置しており、ポリゴンミラー91によって反射されたレーザー光線LBを集光してチャックテーブル34上のウエーハ10に照射する。ポリゴンミラー91が回転することで、ミラーMによって反射されるレーザー光線LBの角度が所定範囲で変化し、レーザー光線LBが、ウエーハ10上の加工送り方向(X軸方向)の所定範囲において分散して照射される。
さらに、レーザー光線照射手段8は、図示しない集光点位置調整手段を備えている。集光点位置調整手段の具体的な構成の図示は省略するが、例えば、ナット部が集光器86に固定され矢印Zで示すZ方向に延びるボールねじと、このボールねじの片端部に連結されたモータとを有する構成でよい。このような構成によりモータの回転運動を直線運動に変換し、Z方向に配設される案内レール(図示は省略する。)に沿って集光器86を移動させ、これによって、集光器86によって集光されるレーザー光線LBの集光点のZ方向の位置を調整する。
本発明のレーザー加工装置2は、概ね上記したとおりの構成を備えており、その作用について、以下に説明する。
本実施形態のレーザー加工装置2によってレーザー加工を実施するに際し、粘着テープTを介して環状のフレームFに支持された板状の被加工物、例えば、表面にデバイスが形成されたシリコン(Si)からなるウエーハ10を用意する。ウエーハ10を用意したならば、図1に示すチャックテーブル34の吸着チャック35上に、デバイスが形成された表面を上にしてウエーハ10を載置し、クランプ36等により固定する。吸着チャック35上にウエーハ10を固定したならば、図示しない吸引源を作動して、吸着チャック35上に吸引力を生成し、ウエーハ10を吸着し保持する。
ウエーハ10を吸着チャック35に保持したならば、移動手段23によってチャックテーブル34をX軸方向、及びY軸方向に適宜移動させ、チャックテーブル34上のウエーハ10をアライメント手段88の直下に位置付ける。ウエーハ10をアライメント手段88の直下に位置付けたならば、アライメント手段88によりウエーハ10上を撮像する。次いで、アライメント手段88により撮像したウエーハ10の画像に基づいて、パターンマッチング等の手法により、ウエーハ10と、集光器86との位置合わせを行う。この位置合わせによって得られた位置情報に基づいて、チャックテーブル34を移動させることにより、ウエーハ10上の加工開始位置の上方に集光器86を位置付ける。次いで、図示しない集光点位置調整手段によって集光器86をZ方向に移動させ、ウエーハ10のレーザー光線LBの照射開始位置である分割予定ラインにおける片端部の表面高さに集光点を位置付ける。
図5に液体層生成器40のY軸方向に切断した一部拡大断面図を示す。図5から理解されるように、液体層生成器40は、集光器86の下端部に配設されており、ウエーハ10の表面高さに集光点を位置付けた際に、液体層生成器40を構成する液体供給部43、及び筐体42を構成する側壁422の下端部と、ウエーハ10の表面とで、例えば、0.5mm〜2.0mm程度の僅かな隙間が形成されるように設定されている。
集光器86とウエーハ10との位置合わせを実施したならば、液体回収プール60の液体回収路70を介して、液体供給機構4に対し必要十分な液体Wを補填し、液体供給ポンプ44を作動する。液体供給機構4を循環する液体Wとしては、例えば、純水が利用される。
液体供給機構4は、上記した構成を備えていることにより、液体供給ポンプ44の吐出口44aから吐出された液体Wが、パイプ46aを経由して、液体層生成器40に供給される。図5に示すように、液体層生成器40に供給された液体Wは、液体供給部43、及び筐体42の液体通路422h、液体供給口422iを介して内部空間422に供給される。さらに、液体噴射ノズル422eの先端部から内部空間422aに対して液体Wが噴射される。筐体42の側壁422の下端部とウエーハ10との間に形成される隙間は、液体通路422h、及び液体噴射ノズル422eの通路断面積よりも小さく形成されている。そして、内部空間422a内に存在していた空気は、天壁421に形成されたエア抜き孔421bから徐々に排出されることにより、徐々に、内部空間422aが液体Wで満たされた状態となる。筐体42の側壁422の下端部とウエーハ10との間の隙間、及びエア抜き孔421bから排出された液体Wは、その後流下されて、液体回収プール60にて回収される。液体回収プール60にて流下した液体Wは、液体回収路70を流れ、液体回収路70の最も低い位置に設けられた液体排出孔65に集められる。液体排出孔65に集められた液体Wは、パイプ46bを経由して濾過フィルター45に導かれ、濾過フィルター45にて、清浄化されて、液体供給ポンプ44に戻される。このようにして、液体供給ポンプ44によって吐出された液体Wが液体供給機構4内を循環する。
液体供給機構4が作動を開始して、所定時間(数分程度)経過することにより、筐体42の内部空間422aの空気は完全に排出され、液体Wで満たされることにより液体Wの層が形成された状態で安定的に循環する状態となる。
液体供給機構4を液体Wが安定的に循環している状態で、レーザー光線照射手段8を作動させながら、X軸方向移動手段50を作動させることにより、チャックテーブル34を加工送り方向(X軸方向)に所定の移動速度で移動させる。集光器86から照射されるレーザー光線LBは、液体層生成器40の透明板423、及び内部空間422aを満たす液体Wの層を通過してウエーハ10の被加工位置(分割予定ライン)に照射される。ウエーハ10にレーザー光線LBを照射する際は、図4に基づき説明したように、ポリゴンミラー91の回転に伴い、ウエーハ10に対して加工送り方向であるX軸方向にレーザー光線LBが分散されて照射される。所定のミラーMにレーザー光線LBが照射された後は、ポリゴンミラー91の回転方向Rにおける下流側に位置する次のミラーMにレーザー光線LBが照射され、ウエーハ10に対してレーザー光線LBが継続して分散されて照射される。発振器82からレーザー光線LBが発振され、ポリゴンミラー91が回転している間、このようなレーザー加工が繰り返される。なお、ポリゴンミラー91を構成するミラーMの枚数、ポリゴンミラー91の回転速度等は、被加工物に応じて適宜決定される。
なお、上記したレーザー加工装置2におけるレーザー加工条件は、例えば、以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長 :226nm、355nm、532nm、1064nm
平均出力 :10〜100W
繰り返し周波数 :0〜300MHz
パルス幅 :50fs〜1ns
加工送り速度 :10〜1000mm/s
上記した状態でアブレーション加工が実施されると、ウエーハ10のレーザー光線LBが照射される位置にある液体Wに気泡が発生する。これに対し、本実施形態では、図5に示すように、ウエーハ10上に形成される液体層生成器40の内部空間422aに対して液体Wが常に流されると共に、レーザー光線の照射位置に向けて液体対噴射ノズル422eから液体Wが噴射される。これにより、レーザー光線LBの照射位置近傍に発生した気泡は、ウエーハ10上のレーザー光線照射位置から速やかに筐体42の外部に排出され除去される。特に、本実施形態によれば、筐体42に形成された液体噴出ノズル422eは、レーザー光線LBが分散する方向であるX軸方向に直交する方向、すなわちY軸方向から液体Wを噴射する。これにより、アブレーション加工により発生する気泡を避けてウエーハ10にレーザー光線LBを照射することができ、良好なアブレーション加工を継続して実施することができる。
さらに、ウエーハ10上のレーザー光線LBの照射位置に対して液体Wを継続して噴射することにより、液体W中に放出されたデブリが、ウエーハ10上から気泡と共に速やかに除去される。上記した気泡、及びデブリを含む液体Wは、図1から理解されるように、カバー板33、及び防水カバー66上を流れ、液体回収プール60の液体回収路70に導かれる。液体回収路70に導かれた液体Wは、アブレーション加工により発生した気泡を外部に放出しながら流れ、液体回収路70の最底部に形成された液体排出孔65から排出される。液体排出孔65から排出された液体Wは、パイプ46bを介して濾過フィルター45に導かれ、再び液体供給ポンプ44に供給される。このようにして液体Wが液体供給機構4を循環することで、濾過フィルター45によって適宜デブリや塵等が捕捉され、液体Wが清浄な状態で維持される。
上記したアブレーション加工を所定の分割予定ラインに実施したならば、移動手段23を作動させることにより、既にレーザー加工を施した分割予定ラインにY軸方向で隣接する未加工の分割予定ラインの片端部に集光器86を位置付けて、上記したアブレーション加工と同様のレーザー加工を実施する。そして、隣接した全ての分割予定ラインに対してアブレーション加工を実施したならば、チャックテーブル34を90度回転させることで、先に加工した所定方向の分割予定ラインに直交する未加工の分割予定ラインに対しても同様のアブレーション加工を実施する。このようにして、ウエーハ10上の全ての分割予定ラインに対してアブレーション加工を実施することができる。
本実施形態によれば、液体層生成器40に配設された透明板423及び液体Wの層を介してレーザー光線LBがウエーハ10に照射されてレーザー加工が施されると共に、ウエーハ10の表面から発生する気泡や、レーザー加工により発生するデブリ等が液体Wと共に速やかに除去される。これにより、ウエーハ10の表面から発生する気泡がレーザー加工の妨げになることがなく、また、加工後のデバイスにデブリが付着すること等を防止して加工品質を低下させることがない。
上記した実施形態では、発振器82から照射されたレーザー光線LBを、ポリゴンミラー91により分散させて集光レンズ86に導くように構成したが、これに限定されず、ポリゴンミラー91に代えて、反射方向が固定されるミラーであってもよい。さらに、上記した実施形態では、ウエーハ10になされるレーザー加工は、アブレーション加工である例を提示したが、被加工物の内部に改質層を形成する加工(例えば、特許文献2に記載のレーザー加工。)、所謂シールドトンネルを形成する加工(例えば、特許文献3に記載のレーザー加工。)に適用することを妨げない。
2:レーザー加工装置
4:液体供給機構
8:レーザー光線照射手段
10:ウエーハ(板状の被加工物)
21:基台
22:保持手段
23:移動手段
26:枠体
261:垂直壁部
262:水平壁部
30:X方向可動板
31:Y方向可動板
33:カバー板
34:チャックテーブル
35:吸着チャック
40:液体層生成器
42:筐体
421:天壁
421a:円形開口部
421b:エア抜き孔
422:側壁
422a:内部空間
422b:第一の枠部材
422c:第二の枠部材
422d:第三の枠部材
422e:液体噴射ノズル
422f:噴射ノズル供給孔
422g:液体導入口
422h:液体通路
422i:液体供給口
423:透明板
43:液体供給部
43a:供給口
43b:内部通路
43c:中央排出口
43d:副排出口
44:液体供給ポンプ
45:濾過フィルター
50:X方向移動手段
52:Y方向移動手段
60:液体回収プール
60A:空間部
65:液体排出孔
66:蛇腹カバー
70:液体回収路
86:集光器
88:アライメント手段

Claims (2)

  1. 板状の被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該集光器とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、
    該集光器の直下に位置付けられ、被加工物の上面に液体の層を生成する液体層生成器を備え、
    該液体層生成器は、
    該集光器が照射するレーザー光線の通過を許容する透明板と、該透明板を含む天壁と、該天壁の外側から垂下し被加工物との間に隙間を形成する下端部を有する側壁と、から構成された筐体と、該筐体の内部空間に液体を供給し内部空間を液体で満たす液体供給部と、から構成され、
    該筐体には、被加工物に照射されるレーザー光線の照射位置に向けて液体を噴射する液体噴射ノズルが配設される、レーザー加工装置。
  2. 該レーザー光線照射手段には、該発振器から発振されたレーザー光線を分散させる分散手段が配設される、請求項1に記載のレーザー加工装置。
JP2017214473A 2017-11-07 2017-11-07 レーザー加工装置 Active JP6998178B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017214473A JP6998178B2 (ja) 2017-11-07 2017-11-07 レーザー加工装置
TW107135087A TWI778144B (zh) 2017-11-07 2018-10-04 雷射加工裝置
CN201811283324.5A CN109746572B (zh) 2017-11-07 2018-10-31 激光加工装置
KR1020180131923A KR102616529B1 (ko) 2017-11-07 2018-10-31 레이저 가공 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017214473A JP6998178B2 (ja) 2017-11-07 2017-11-07 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019084562A true JP2019084562A (ja) 2019-06-06
JP6998178B2 JP6998178B2 (ja) 2022-01-18

Family

ID=66401900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017214473A Active JP6998178B2 (ja) 2017-11-07 2017-11-07 レーザー加工装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6998178B2 (ja)
KR (1) KR102616529B1 (ja)
CN (1) CN109746572B (ja)
TW (1) TWI778144B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102466684B1 (ko) * 2020-12-01 2022-11-15 서울대학교 산학협력단 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법
CN115458468B (zh) * 2022-11-11 2023-03-24 扬州韩思半导体科技有限公司 一种半导体晶圆激光切割装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040197433A1 (en) * 2001-12-17 2004-10-07 Shouichi Terada Film removing apparatus, film removing method and substrate processing system
JP2006122982A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2007144494A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2012152823A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Atton Corp 斜角方向から照射されるスキャンされたレーザービームを用いた対象物の加工方法及びその装置
JP2016036818A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016047547A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57190795A (en) * 1981-05-20 1982-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laser working device
JPS59178189A (ja) * 1983-03-29 1984-10-09 Inoue Japax Res Inc レ−ザ加工装置
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
US20030062126A1 (en) * 2001-10-03 2003-04-03 Scaggs Michael J. Method and apparatus for assisting laser material processing
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
DE102011107982A1 (de) * 2011-07-20 2013-01-24 Rena Gmbh Werkzeugkopf (LCP-Kopf)
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6189178B2 (ja) * 2013-10-29 2017-08-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2016122821A2 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 Imra America, Inc. Laser-based modification of transparent materials
TWI571344B (zh) * 2015-06-18 2017-02-21 Liquid laser coupling system and liquid laser processing device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040197433A1 (en) * 2001-12-17 2004-10-07 Shouichi Terada Film removing apparatus, film removing method and substrate processing system
JP2006122982A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2007144494A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2012152823A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Atton Corp 斜角方向から照射されるスキャンされたレーザービームを用いた対象物の加工方法及びその装置
JP2016036818A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016047547A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201918313A (zh) 2019-05-16
CN109746572B (zh) 2022-04-01
JP6998178B2 (ja) 2022-01-18
KR20190051822A (ko) 2019-05-15
TWI778144B (zh) 2022-09-21
CN109746572A (zh) 2019-05-14
KR102616529B1 (ko) 2023-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI768137B (zh) 雷射加工裝置
TWI778159B (zh) 雷射加工裝置
TWI778142B (zh) 雷射加工裝置
JP2019130552A (ja) レーザー加工方法
JP6998178B2 (ja) レーザー加工装置
JP6968659B2 (ja) レーザー加工装置
CN109676248B (zh) 激光加工装置
JP2022107953A (ja) レーザー加工装置
TWI768138B (zh) 雷射加工裝置
JP7328020B2 (ja) レーザー加工装置
TWI804637B (zh) 雷射加工裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6998178

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150