JP2019083276A - 半導体素子パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】積層体の組み立て精度が低くても、樹脂かぶりや半導体素子の破損を抑制しうる半導体素子パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】支持部材と、その上に配置された半導体素子と、半導体素子上の空間を取り囲むように配置された筒状のスペーサと、スペーサの半導体素子とは反対側の開口部を塞ぐように配置された透明板とを有する積層体を準備する工程と、積層体の積層方向の一方に配置され、かつキャビティ側に弾性部材が配置された第１金型と、積層体の積層方向の他方に配置された第２金型とを有する金型を準備し、積層体によって弾性部材が変形するように、第１金型と前記第２金型とを型締めする工程と、第１金型と第２金型とにより形成されたキャビティ内に樹脂を充填し、固化させて、積層体の半導体素子、スペーサおよび透明板を取り囲むように封止する工程と、を含む、半導体素子パッケージの製造方法。【選択図】図４

Description

本発明は、半導体素子パッケージの製造方法に関する。

半導体素子は、周囲の湿度の変化によって特性が変化しやすいことから、パッケージ化されて用いられる。半導体素子の一つであるＣＣＤやＣ−ＭＯＳなどの固体撮像素子をパッケージ化する場合、パッケージの内部に搭載された半導体素子とパッケージの外部との間に光の伝達路を確保する必要がある。したがって、固体撮像素子のパッケージは、固体撮像素子の受光領域が透明板で覆われた構造を有する。

図１は、特許文献１の固体撮像素子パッケージの構成を示す断面図である。図１に示されるように、特許文献１には、パドル２と、パドル２上に配置された半導体チップ１と、半導体チップ１上に配置されたフィルム壁部４と、フィルム壁部４上に配置されたガラスリッド５と、ガラスリッド５の上面を露出させ、半導体チップ１を包含するようにパッケージ本体をモールドするモールド樹脂７と、パッケージ本体内に配置され、半導体チップ１と電気的に接続されたインナーリード３ａおよびインナーリード３ａと電気的に接続され、モールド樹脂７の外部に延出されたアウターリード３ｂを含むリード３と、を有する固体撮像素子パッケージが開示されている。

このような固体撮像素子パッケージは、１）パドル２およびリード３と、半導体素子１と、フィルム壁部４と、ガラスリッド５とをこの順に積層するとともに、半導体チップ１とインナーリード３ａとを電気的に接続して積層体を得る工程と、２）得られた積層体を、モールド樹脂７でトランスファーモールドする工程と、を経て製造されている。

特許文献２には、配線基板と、配線基板上に配置された半導体素子と、半導体素子上に配置されたスペーサと、スペーサ上に配置された透明部材と、透明部材、スペーサおよび半導体素子のそれぞれの外周部を覆う封止樹脂とを有する半導体装置が開示されている。

このような半導体装置は、１）配線基板と、それと電気的に接続された半導体素子と、スペーサと、透明部材とをこの順に積層して積層体を得る工程と、２）得られた積層体の外周部を封止樹脂で封止する工程と、を経て製造されている。

特開平６−５３４６２号公報 特開２００７−１４１９５７号公報

特許文献１や２に示されるような積層体の封止は、通常、金型を用いたトランスファーモールドによって行われる。しかしながら、特許文献１や２に示されるような積層体は、半導体チップ１（以下、「半導体素子」という）とガラスリッド５（以下、「透明板」という）との間、または半導体素子と透明部材（以下、「透明板」という）との間に空間を有するため、傾きが生じたり、高さにばらつきが生じたりしやすく、組み立て精度が低くなりやすい。そのような積層体を、金型内に配置して型締めすると、透明板の少なくとも一部が金型内のキャビティを形成する面と密着せず、透明板と金型内のキャビティを形成する面との間に隙間が形成されやすい。それにより、当該隙間に樹脂が入り込んで、透明板の表面の一部が樹脂で覆われてしまう（樹脂かぶりを生じてしまう）という問題があった。また、金型内で積層体に加わる圧力に偏りが生じやすいため、積層体の一部または複数の積層体のうち一部の積層体に圧力が集中して加わりやすく、半導体素子の破損を生じやすいという問題もあった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、積層体の組み立て精度が低くても、樹脂かぶりや半導体素子の破損を抑制しうる半導体素子パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体素子パッケージの製造方法は、支持部材と、前記支持部材上に配置された半導体素子と、前記半導体素子上の空間を取り囲むように前記支持部材上または前記半導体素子上に配置された筒状のスペーサと、前記スペーサの前記半導体素子とは反対側の開口部を塞ぐように配置された透明板とを有する積層体を準備する工程と、前記積層体の積層方向の一方に配置され、かつキャビティ側に弾性部材が配置された第１金型と、前記積層体の積層方向の他方に配置された第２金型とを有する金型を準備し、前記積層体によって前記弾性部材が変形するように、前記第１金型と前記第２金型とを型締めする工程と、前記第１金型と前記第２金型とにより形成されたキャビティ内に樹脂材料を充填し、固化させて、前記積層体の前記半導体素子、前記スペーサおよび前記透明板を取り囲むように封止する工程と、を含む、構成を採る。

本発明は、積層体の組み立て精度が低くても、樹脂かぶりや半導体素子の破損を抑制しうる半導体素子パッケージの製造方法を提供することができる。それにより、半導体素子パッケージの製造工程での歩留まりを向上させることができる。

図１は、従来の半導体素子パッケージの構成を示す断面図である。 図２Ａ、Ｂは、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの構成を示す斜視図である。 図３は、図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線の断面図である。 図４Ａ、Ｂは、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造工程の一部を示す図である。 図５Ａ、Ｂは、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造工程の一部を示す図である。 図６Ａ、Ｂは、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造工程の一部を示す図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。まず、半導体素子パッケージの構成について説明する。

（半導体素子パッケージの構成）
図２ＡおよびＢは、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００の構成を示す斜視図である。図２Ａは、半導体素子パッケージ１００の斜視図であり、図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線で切断したときの部分斜視図である。図３は、図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線の断面図である。図２Ｂでは、金属配線１６０の図示を省略している。

図２Ａ、Ｂおよび図３に示されるように、半導体素子パッケージ１００は、支持部材１１０と、半導体素子１２０と、筒状のスペーサ１３０と、透明板１４０と、封止部材１５０と、金属配線１６０と、を有する。

支持部材１１０は、半導体素子１２０を支持する。支持部材１１０は、半導体素子１２０を支持可能な部材であればよく、特に限定されないが、例えば放熱板やベースプレート、セラミック板、またはプリント基板でありうる。

放熱板は、通常、金属板である。放熱板を構成する金属材料の例には、銅、鉄、アルミニウム、これらの合金および４２アロイなどが含まれる。中でも、放熱性が高いことから、４２アロイまたは銅合金が好ましい。ベースプレートは、特に制限されないが、例えば樹脂板である。プリント基板は、樹脂基材などの絶縁基材と、それにパターン状に配置された導線とを含む基板であり、例えばガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板などである。支持部材１１０は、一種類だけで構成されてもよいし、二種類以上を組み合わせて構成されてもよい。本実施の形態では、支持部材１１０は、プリント基板である。

半導体素子１２０は、支持部材１１０上に配置されている。半導体素子１２０は、例えばＣ−ＭＯＳやＣＣＤなどの固体撮像素子である。半導体素子１２０の表面の中央部付近は受光領域となっており、透明板１４０を介して入射する光を受光する。

半導体素子１２０は、金属配線１６０のインナーリード部１６０ａと電気的に接続されている（図３参照）。電気的な接続は、例えばワイヤーボンディングやフリップチップで行うことができ、本実施の形態では、ワイヤーボンディングで行われている。

スペーサ１３０は、半導体素子１２０上の空間を取り囲むように、支持部材１１０上または半導体素子１２０上に配置された筒状の部材である。具体的には、スペーサ１３０は、半導体素子１２０の表面の受光領域、すなわち、中央部を囲むように配置されればよく、半導体素子１２０の表面の中央部を囲むように半導体素子１２０上に配置されてもよいし、半導体素子１２０の全体を囲むように支持部材１１０上に配置されてもよい。本実施の形態では、スペーサ１３０は、半導体素子１２０の表面の中央部を囲むように半導体素子１２０上に配置されている。そして、スペーサ１３０は、透明板１４０を支持するとともに、半導体素子１２０と透明板１４０との間に空間を形成する。また、本実施の形態のように、スペーサ１３０を半導体素子１２０上に配置することで、得られる半導体素子パッケージ１００において、半導体素子１２０とインナーリード部１６０ａとの電気的な接続部を、封止部材１５０の内部に埋め込むことができるので、振動などが加わったときの電気的な接続部の断線などを抑制しうる。

スペーサ１３０の形状は、筒状であればよく、円筒状であってもよいし、角筒状であってもよい。本実施の形態では、スペーサ１３０の形状は、円筒状である。なお、スペーサ１３０の両端面は、原則として平行である。

スペーサ１３０の高さ（ｈ）や厚み（ｔ）は、封止工程において透明板１４０を支持でき、かつ樹脂の注入圧などに耐える範囲で、半導体素子パッケージ１００の用途（具体的には、半導体素子パッケージ１００全体の大きさや半導体素子１２０の大きさ、受光範囲の大きさなど）に応じて適宜設定される。スペーサ１３０の高さがある程度以上であると、半導体素子１２０上に形成される空間の容積を適度に大きくしうるので、半導体素子パッケージ１００の断熱性を高めやすい。スペーサ１３０の高さがある程度以下であると、半導体素子パッケージ１００の大型化を抑制しやすい。

スペーサ１３０の厚みがある程度以上であると、半導体素子パッケージ１００の製造工程において、透明板１４０の重さや、封止工程での樹脂の注入圧などで変形するのを高度に抑制しやすい。さらに、弾性部材２１２の変形に対抗する力も大きくしうるので、弾性部材２１２を良好に変形させやすい。スペーサ１３０の厚みがある程度以下であると、半導体素子パッケージ１００の大型化を抑制しやすい。

スペーサ１３０の開口径は、半導体素子１２０の受光領域を囲むことができる大きさであればよい。スペーサ１３０の開口径とは、スペーサ１３０の半導体素子１２０とは反対側の開口部の内径である。

スペーサ１３０を構成する材料は、後述する金型の温度に耐える耐熱性と、透明板１４０を安定に支持し、かつ金型の圧力に耐える程度の強度とを有するものであればよく、特に制限されない。また、得られる半導体素子パッケージ１００において、封止部材１５０とスペーサ１３０との間の界面剥離を抑制し、耐湿性を高める観点などから、スペーサ１３０を構成する材料は、封止部材１５０を構成する材料との線膨張係数の差が小さいことが好ましい。スペーサ１３０を構成する材料は、これらの要件を満たすものであれば、特に制限されず、金属材料、エンジニアリングプラスチックなどの樹脂材料、セラミック材料のいずれであってもよい。本実施の形態では、スペーサ１３０を構成する材料は、金属材料である。

透明板１４０は、スペーサ１３０の半導体素子１２０とは反対側の開口部を塞ぐように配置されている。それにより、透明板１４０は、半導体素子１２０上に形成された空間を密閉するとともに、半導体素子１２０が検出する光を透過させる。透明板１４０は、半導体素子１２０が検出する光を透過可能な板であればよく、特に限定されないが、例えば透明ガラス板または透明樹脂板である。透明板１４０の両面は、原則として平行である。

透明板１４０の厚みは、後述する金型の温度に耐える耐熱性と、金型の圧力に耐える強度とを有する範囲で、半導体素子パッケージ１００の用途（具体的には、半導体素子パッケージ１００全体の大きさや半導体素子１２０の大きさ、受光範囲の大きさなど）に応じて適宜設定される。

封止部材１５０は、半導体素子１２０、スペーサ１３０および透明板１４０を取り囲むように配置されている。それにより、封止部材１５０は、半導体素子１２０、スペーサ１３０および透明板１４０（スペーサ１３０が支持部材１１０上に配置されている場合は、半導体素子１２０を除く）を封止する。本実施の形態では、封止部材１５０は、半導体素子１２０、スペーサ１３０および透明板１４０のそれぞれの外周部を封止するように配置されている。ただし、封止部材１５０は、透明板１４０の表面を覆わないものとする。

封止部材１５０は、樹脂材料で構成されている。樹脂材料に含まれる樹脂は、特に制限されず、熱可塑性樹脂であってもよいし、熱硬化性樹脂であってもよい。中でも、耐熱性に優れた半導体素子パッケージ１００が得られる観点などから、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂の例には、エポキシ樹脂、ポリイミド、フェノール樹脂および不飽和ポリエステル樹脂などが含まれる。樹脂材料は、必要に応じて充填材などをさらに含んでもよい。

金属配線１６０は、インナーリード部１６０ａと、アウターリード部１６０ｂと、を有する。インナーリード部１６０ａは、封止部材１５０中に埋め込まれるか、またはスペーサ１３０で囲まれた空間に露出するように配置され、かつ半導体素子１２０と電気的に接続されている。アウターリード部１６０ｂは、インナーリード部１６０ａと電気的に接続され（不図示）、かつ支持部材１１０の裏面または封止部材１５０の外側に露出している。

金属配線１６０は、支持部材１１０の表面に配置された、ボンディングパッドなどのインナーリード部１６０ａと、支持部材１１０の裏面に配置された、裏面電極などのアウターリード部１６０ｂとを有するものであってもよいし、半導体素子１２０の周囲を囲むように配置された複数本のリードを有するリードフレームであってもよい。本実施の形態では、金属配線１６０は、支持部材１１０の表面に配置された、ボンディングパッドなどのインナーリード部１６０ａと、支持部材１１０の裏面に配置された、裏面電極などのアウターリード部１６０ｂとを有する（図３参照）。

金属配線１６０を構成する材料は、導電性を有する材料であればよく、特に限定されない。金属配線１６０を構成する材料の例には、銅、鉄、アルミニウム、これらの合金および４２アロイなどが含まれる。中でも、４２アロイまたは銅合金が好ましい。

（半導体素子パッケージの製造方法）
次に、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００の製造方法について説明する。半導体素子パッケージ１００は、インサート成形により製造することができる。インサート成形は、トランスファー成形または射出成形などでありうる。

図４Ａ〜６Ｂは、半導体素子パッケージの製造工程を示す断面図である。同図では、金属配線１６０の図示を省略している。

図４Ａ〜６Ｂに示されるように、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００の製造方法は、１）支持部材１１０と、半導体素子１２０と、筒状のスペーサ１３０と、透明板１４０と、金属配線１６０（不図示）とを有する複数の積層体２００を準備する工程と、２）複数の積層体２００を、第１金型２１０と第２金型２２０との間に配置した後、型締めする工程と、３）第１金型２１０と第２金型２２０とにより形成されたキャビティ２４０内に樹脂材料１７０を充填し、固化させて、積層体２００を封止する工程と、４）得られた封止体２６０を個片化する工程と、を含む。

１）の工程について
支持部材１１０と、支持部材１１０上に配置された半導体素子１２０と、半導体素子１２０上の空間を取り囲むように支持部材１１０上または半導体素子１２０上（本実施の形態では半導体素子１２０上）に配置された筒状のスペーサ１３０と、スペーサ１３０の半導体素子１２０とは反対側の開口部を塞ぐように配置された透明板１４０と、半導体素子１２０と電気的に接続されたインナーリード部１６０ａおよびそれと電気的に接続されたアウターリード部１６０ｂを有する金属配線１６０（不図示）とを有する複数の積層体２００を準備する（図４Ａ参照）。本実施の形態では、複数の積層体２００は、支持部材１１０を共有している。

積層体２００は、作製してもよいし、市販品を用いてもよい。各部材間は、例えば接着剤などで接着されていてもよい。

２）の工程について
得られた複数の積層体２００を、第１金型２１０と第２金型２２０とを有する金型２３０の、キャビティ２４０（図４Ｂ参照）が形成される領域内に配置する（図４Ａ参照）。

第１金型２１０は、積層体２００の積層方向の一方（本実施の形態では、透明板１４０側）に配置されている。第１金型２１０は、第１金型本体２１１と、弾性部材２１２とを有する。弾性部材２１２は、第１金型本体２１１のキャビティ２４０（図４Ｂ参照）側の面に配置されている。本実施の形態では、第１金型本体２１０が、キャビティ２４０を形成するための凹部２１３を有しており、弾性部材２１２は、凹部２１３の底面（積層体２００の積層方向の一方と対向する面）に配置されている。

弾性部材２１２は、第１金型２１０と第２金型２２０とを型締めした時に、積層体２００によって弾性変形し、積層体２００の組み立て精度のばらつきを吸収できる程度の弾性率や厚みを有することが好ましい。

弾性部材２１２を構成する材料は、金型２３０の温度に耐える耐熱性を有し、かつ上記弾性率を満たすものであれば特に制限されないが、その例には、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）およびフッ素樹脂などのエンジニアリングプラスチックが含まれる。中でも、良好な耐熱性を有しつつ、適度に弾性変形しうる観点などから、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。

また、第１金型２１０のキャビティ２４０側の面上に、離型フィルム２５０を配置する（図４Ａ参照）。

離型フィルム２５０を構成する材料は、少なくとも金型２３０の温度に耐えつつ、得られる封止体２６０を第１金型２１０から離型しやすいものであればよく、好ましくはさらに弾性変形しうるものであればよく、特に制限されないが、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などのフッ素系樹脂、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、４−メチル−１−ペンテンなどのポリオレフィンなどでありうる。

離型フィルム２５０の厚みは、型締めした時に、積層体２００の傾きや高さのばらつきを十分に吸収できる程度の厚みがあればよく、特に制限されない。

第２金型２２０は、積層体２００の積層方向の他方（本実施の形態では、支持部材１１０側）に配置されている。

次いで、第１金型２１０と第２金型２２０との間に配置された積層体２００によって、弾性部材２１２と離型フィルム２５０が変形するように、第１金型２１０と第２金型２２０とを型締めする（図４Ｂ参照）。

それにより、積層体２００が傾いていたり、複数の積層体２００の間で積層方向の高さが異なっていたりするなど、複数の積層体２００の組み立て精度が低い場合であっても、弾性部材２１２と離型フィルム２５０の変形によって、これらの組み立て精度の低さを吸収することができる。それにより、積層体２００の積層方向の一方の面（本実施の形態では、透明板１４０の表面）全体を、離型フィルム２５０を介して第１金型２１０のキャビティ２４０側の面と密着させることができるので、積層体２００と離型フィルム２５０との間に樹脂が入り込む隙間が形成されるのを抑制できる。さらに、金型２３０内で積層体２００に加わる圧力の偏りを生じにくくしうるので、積層体２００の一部または複数の積層体２００のうち一部の積層体２００に圧力が集中して加わることによって生じる半導体素子１２０の破損を抑制できる。

３）の工程について
第１金型２１０と第２金型２２０とにより形成されたキャビティ２４０内に、樹脂材料１７０を充填し、固化させる（図５Ａ参照）。

樹脂材料１７０は、前述の封止部材１５０を構成する樹脂材料である。樹脂材料１７０に含まれる樹脂が熱可塑性樹脂である場合は、溶融状態の樹脂材料１７０をキャビティ２４０内に充填した後、冷却して固化させればよい。樹脂材料１７０に含まれる樹脂が熱硬化性樹脂である場合は、溶融状態の樹脂材料１７０をキャビティ２４０内に充填した後、熱硬化させればよい。本実施の形態では、熱硬化性樹脂を含む樹脂材料１７０をキャビティ２４０内に充填した後、熱硬化させる。

このようにして、積層体２００の半導体素子１２０、スペーサ１３０および透明板１４０を取り囲むように、樹脂材料１７０で封止する。それにより、複数の積層体２００が、樹脂材料１７０からなる封止部材１５０で封止された封止体２６０が得られる。

前述の通り、弾性部材２１２と離型フィルム２５０の変形によって、複数の積層体２００の一方の面（本実施の形態では透明板１４０）全体を、離型フィルム２５０を介して、第１金型２１０のキャビティ２４０側の面と密着させることができる。それにより、積層体２００と離型フィルム２５０との間に隙間が形成されにくく、樹脂材料１７０が入り込みにくいので、積層体２００の透明板１４０の表面に樹脂材料１７０がかぶさるのを抑制できる。

４）の工程について
第１金型２１０と第２金型２２０とを型開きし（図５Ｂ参照）、封止体２６０を金型２３０から取り出す。そして、得られた封止体２６０を個片化して（図６Ａ参照）、半導体素子パッケージ１００を得る（図６Ｂ参照）。

個片化する方法は、特に制限されないが、例えばダイサーにより切断する方法などでありうる。

（変形例）
なお、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、複数の積層体２００が、支持部材１１０を共有する例を示したが、これに限定されず、各積層体２００が、個別に支持部材１１０を有してもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、弾性部材２１２が、積層体２００の透明板１４０と対向するように配置される例を示したが、これに限定されず、積層体２００の支持部材１１０と対向するように配置されてもよい。また、弾性部材２１２が、第１金型２１０のみに配置される例を示したが、これに限定されず、第１金型２１０と第２金型２２０の両方にそれぞれ配置されてもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、弾性部材２１２が、第１金型２１０の凹部２１３の底面の全体に配置される例を示したが、これに限定されず、第１金型２１０の凹部２１３の底面の、積層体２００と対向する領域を含む一部のみに配置されてもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、第１金型２１０が、キャビティ２４０を形成するための凹部２１３を有する例を示したが、これに限定されず、第２金型２２０が凹部を有してもよいし、第１金型２１０と第２金型２２０の両方が凹部を有してもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、離型フィルム２５０が、第１金型２１０のキャビティ２４０側の面上に配置される例を示したが、これに限定されず、配置されなくてもよいし、第２金型２２０のキャビティ２４０側の面上に配置されてもよいし、離型フィルム２５０が第１金型２１０のキャビティ２４０側の面上と第２金型２２０のキャビティ２４０側の面上の両方に配置されてもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、第１金型２１０と第２金型２２０との間に形成されるキャビティ２４０内に配置される積層体２００の数が、複数個である例を示したが、これに限定されず、１個であってもよい。その場合、４）の工程（個片化工程）は不要である。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの製造方法では、積層体２００が、アウターリード部１６０ｂを有する例を示したが、これに限定されず、アウターリード部１６０ｂを有しなくてもよい。すなわち、積層体２００は、半導体素子１２０と電気的に接続されたインナーリード部１６０ａを有していればよく、アウターリード部１６０ｂを有していなくてもよい。その場合、３）の工程（封止工程）の後、得られる封止体２６０の支持部材１１０の裏面にアウターリード部１６０ｂを形成すればよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００では、支持部材１１０の外周部が、封止部材１５０で覆われていない例を示したが、これに限定されず、封止部材１５０で覆われていてもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００では、透明板１４０の両面が平行である例を示したが、これに限定されず、平行でなくてもよい。例えば、透明板１４０の少なくとも一方の面は、凸面や凹面などの曲面であってもよい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００では、スペーサ１３０の両端面が平行である例を示したが、これに限定されず、平行でなくてもよい。両端面が平行ではないスペーサ１３０を含む半導体素子パッケージの製造方法では、積層体２００において透明板１４０が傾くことがあるが、そのような場合でも弾性部材２１２により傾きを吸収することができるので、透明板１４０の樹脂かぶりや半導体素子１２０の破損を抑制できる。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００では、支持部材１１０が、プリント基板であり、金属配線１６０が、プリント基板の表面に配置された、ボンディングパッドなどのインナーリード部１６０ａと、プリント基板の裏面に配置された、裏面電極などのアウターリード部１６０ｂとを有する例を示したが、これに限定されない。例えば、支持部材１１０が放熱板であり、金属配線１６０が、放熱板を囲むように配置されたインナーリード部およびアウターリード部を含むリードフレームであってもよい。放熱板の厚みは、熱容量を高めて半導体素子パッケージ１００の放熱性を高める観点では、０．３〜２ｍｍであることが好ましく、０．４〜１．２ｍｍであることがより好ましい。

また、本実施の形態に係る半導体素子パッケージ１００では、スペーサ１３０が円筒状である例を示したが、これに限定されず、角筒状であってもよい。

本発明の半導体素子パッケージは、例えば固体撮像装置に用いることができる。

１００ 半導体素子パッケージ
１１０ 支持部材
１２０ 半導体素子
１３０ スペーサ
１４０ 透明板
１５０ 封止部材
１６０ 金属配線
１６０ａ インナーリード部
１６０ｂ アウターリード部
１７０ 樹脂材料
２００ 積層体
２１０ 第１金型
２１１ 第１金型本体
２１２ 弾性部材
２１３ 凹部
２２０ 第２金型
２３０ 金型
２４０ キャビティ
２５０ 離型フィルム
２６０ 封止体

Claims (5)

1. 支持部材と、前記支持部材上に配置された半導体素子と、前記半導体素子上の空間を取り囲むように前記支持部材上または前記半導体素子上に配置された筒状のスペーサと、前記スペーサの前記半導体素子とは反対側の開口部を塞ぐように配置された透明板とを有する積層体を準備する工程と、
   前記積層体の積層方向の一方に配置され、かつキャビティ側に弾性部材が配置された第１金型と、前記積層体の積層方向の他方に配置された第２金型とを有する金型を準備し、前記積層体によって前記弾性部材が変形するように、前記第１金型と前記第２金型とを型締めする工程と、
   前記第１金型と前記第２金型とにより形成されたキャビティ内に樹脂材料を充填し、固化させて、前記積層体の前記半導体素子、前記スペーサおよび前記透明板を取り囲むように封止する工程と、を含む、
   半導体素子パッケージの製造方法。
2. 前記弾性部材は、ポリエーテルエーテルケトンで構成されている、
   請求項１に記載の半導体素子パッケージの製造方法。
3. 前記積層体において、前記透明板は、前記弾性部材と対向している、
   請求項１または２に記載の半導体素子パッケージの製造方法。
4. 前記第１金型の前記キャビティ側の面上に離型フィルムを配置する工程をさらに含み、
   前記積層体によって、前記離型フィルムおよび前記弾性部材が変形するように、前記第１金型と前記第２金型とを型締めする、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載に記載の半導体素子パッケージの製造方法。
5. 前記第１金型と前記第２金型との間に、前記積層体は、複数配置されている、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体素子パッケージの製造方法。

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