JP2019075415A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性を高めることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子21aを含む複数の電子部品21を具備した半導体装置1において、密閉された空間Sを形成する筐体10と、筐体10内に配置され、電子部品21が実装された第1基板20と、筐体10内の熱を空間Sの外部に放出するヒートシンク30と、第1基板20をヒートシンク30に固定する複数のネジ40と、筐体10内に配置され、ネジ40に接触する金属板50と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関する。
従来の半導体装置として、例えば特許文献1に記載されている技術が知られている。特許文献1に記載の半導体装置は、基板と、基板に実装され、半導体素子を含む複数の電子部品と、基板の板厚方向の一方に設けられたヒートシンクと、基板の板厚方向の他方に設けられたカバーと、ヒートシンクに接続された複数のねじと、複数のねじのそれぞれに接続されたナットと、を備えている。
特許文献1に記載の半導体装置では、電子部品で発生した熱は、ねじ等を介してヒートシンク及びナットに放熱される。しかしながら、このような構成では放熱性が不十分となる場合があり、半導体装置の放熱性を更に高めることが求められている。
本発明は、放熱性を高めることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る半導体装置は、半導体素子を含む複数の電子部品を具備した半導体装置において、密閉された空間を形成する筐体と、筐体内に配置され、電子部品が実装された基板と、筐体内の熱を空間の外部に放出するヒートシンクと、基板をヒートシンクに固定する複数のネジと、筐体内に配置され、ネジに接触する金属板と、を備える。
この半導体装置では、複数のネジによって基板がヒートシンクに固定されている。また、この半導体装置は、ネジに接触する金属板を備えている。これにより、筐体内の気体の熱が金属板及びネジを介してヒートシンクに伝導される。このように、筐体内の気体の熱がヒートシンクに伝導されるので、半導体装置の放熱性を高めることが可能である。
半導体装置は、基板と金属板との間に配置された放熱部材を更に備えてもよい。この構成によれば、基板に実装された電子部品から発生した熱は、放熱部材を介して基板から金属板に伝導される。金属板に伝導された熱は、ネジを介してヒートシンクに伝導される。これにより、電子部品から発生した熱をヒートシンクに効率よく伝導することができるので、半導体装置の放熱性を更に高めることが可能である。
金属板は、フィン構造を有していてもよい。この構成によれば、フィン構造によって筐体内の気体の熱が金属板に効率よく伝導されるので、半導体装置の放熱性を更に高めることが可能である。
半導体装置は、筐体内に配置され、電子部品が実装された他の基板を更に備え、密閉された空間は、筐体とヒートシンクとによって画成され、基板とヒートシンクとは互いに離間し、他の基板はヒートシンクに接触していてもよい。このように、他の基板がヒートシンクに接触しているので、他の基板に実装された電子部品から発生した熱をヒートシンクに効率よく伝導することができる。したがって、半導体装置の放熱性を更に高めることが可能である。
本発明の他の側面に係る半導体装置は、半導体素子を含む複数の電子部品を具備した半導体装置において、電子部品が実装された基板と、電子部品の熱を放出するヒートシンクと、基板をヒートシンクに固定する複数のネジと、ネジに接触する金属板と、基板と金属板との間に配置された放熱部材と、を備える。
この半導体装置では、複数のネジによって基板がヒートシンクに固定されている。また、この半導体装置は、ネジに接触する金属板と、基板と金属板との間に配置された放熱部材とを備えている。これにより、基板に実装された電子部品から発生した熱は、放熱部材を介して基板から金属板に伝導される。金属板に伝導された熱は、ネジを介してヒートシンクに伝導される。このように、電子部品から発生した熱が放熱部材、金属板、及びネジを介してヒートシンクに伝導されるので、半導体装置の放熱性を高めることが可能である。
本発明によれば、放熱性を高めることが可能な半導体装置が提供される。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1を参照して、本実施形態に係る半導体装置について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を概略的に示す断面図である。図1に示される半導体装置は半導体素子を含む複数の電子部品を具備しており、例えば電気自動車又は産業車両等のインバータとして用いられ得る。図1に示されるように、半導体装置1は、筐体10と、第1基板(基板)20と、ヒートシンク30と、複数のネジ40と、金属板50と、放熱部材60と、第2基板(他の基板)70と、を備えている。
筐体10は、開口10aを有する矩形の箱状である。筐体10の開口10aはヒートシンク30によって塞がれている。これにより、筐体10とヒートシンク30とによって密閉された空間Sが画成されている。筐体10は、例えば金属材料等によって形成される。
第1基板20は、例えば矩形状の基板である。第1基板20は、筐体10内(筐体10及びヒートシンク30によって画成された空間S内)においてヒートシンク30と離間して配置され、XY平面に沿って延在している。第1基板20は、電子部品21が実装されるヒートシンク30側の実装面20aと、実装面20aとは反対側(金属板50側)の非実装面20bとを有している。電子部品21には、例えばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等の半導体素子21a等が含まれる。第1基板20には複数の貫通孔22が設けられており、それぞれの貫通孔22にはネジ40が挿通されている。これにより、第1基板20は複数のネジ40によってヒートシンク30に固定されている。第1基板20とネジ40とは互いに離間しており、電気的に絶縁されている。
ヒートシンク30は、筐体10の開口10aを塞ぐベース部31と、筐体10内の熱を空間Sの外部に効率よく放出するための放熱フィン32と、を有している。ベース部31は、XY平面に沿って延在する板状を呈している。ベース部31の空間S側の一面には、第2基板70が接触している。放熱フィン32は、第2基板70が接触するベース部31の一面とは反対側に設けられている。ベース部31と放熱フィン32とは一体化されている。ヒートシンク30は、例えばアルミニウム等の金属によって構成される。
複数のネジ40は、第1基板20、金属板50、及び第2基板70をヒートシンク30に固定している。それぞれのネジ40は、XY平面に垂直なZ軸方向に第1基板20、金属板50、及び第2基板70を貫通している。本実施形態において、ネジ40は第1基板20のX軸方向両端側及び中央部をそれぞれ貫通している。それぞれのネジ40の先端部は、ヒートシンク30のベース部31に固定されている。ネジ40は、金属によって構成されている。ネジ40の熱伝導率は、例えば10〜50W/mK程度である。なお、ここで「ネジ」とはボルト等も含むものとする。
金属板50は、筐体10内に配置されている。金属板50は、XY平面に沿って延在する平板状を呈している。すなわち、金属板50は、第1基板20に対して略平行に配置されている。金属板50は、複数のネジ40によって第1基板20と一緒にヒートシンク30に固定されている。それぞれのネジ40は金属板50を貫通しており、金属板50は複数のネジ40の頭部に接触している。金属板50は、例えばアルミニウム又は銅等、高い熱伝導率を有する金属材料によって構成されている。金属板50の熱伝導率は、例えば100〜300W/mK程度である。
放熱部材60は、第1基板20と金属板50との間に配置されている。放熱部材60は、第1基板20の非実装面20b及び金属板50に接触しており、第1基板20に実装された電子部品21で発生した熱を金属板50に伝導する。金属板50に伝導された熱は、複数のネジ40を介してヒートシンク30に伝導され、半導体装置1の外部に放出される。放熱部材60は、例えば、電気的絶縁性及び高い熱伝導率を有するゲル状又はゴム状の材料によって構成される。放熱部材60の熱伝導率は、例えば1W/mK以上である。なお、放熱部材60を構成する材料は高い熱伝導率を有していればよく、ゲル状又はゴム状でなくてもよい。
また、第1基板20と金属板50との間には、複数のスペーサ80が配置されている。それぞれのスペーサ80には、ネジ40が貫通している。これにより、第1基板20と金属板50とは互いに離間した状態となっている。スペーサ80は、例えば、放熱部材60を構成する材料より高い硬度を有する絶縁性樹脂材料によって構成される。スペーサ80の熱伝導率は放熱部材60の熱伝導率より低く、例えば0.1W/mK程度である。
第2基板70は、例えば矩形の基板である。第2基板70は、筐体10内に配置され、XY平面に沿って延在している。第2基板70は、第1基板20と同様に、電子部品71が実装される第1基板20側の実装面70aと、実装面70aとは反対側(ヒートシンク30側)の非実装面70bと、を有している。実装面70aに実装される電子部品71には、例えばコントローラ及びコンデンサ等が含まれる。なお、電子部品71には、半導体素子が含まれていてもよい。第2基板70の非実装面70bは、ヒートシンク30のベース部31に接触している。第2基板70に実装された電子部品71で発生した熱は、第2基板70を介してヒートシンク30に伝導され、半導体装置1の外部に放出される。第2基板70には複数の貫通孔72が設けられており、それぞれの貫通孔72にはネジ40が挿通されている。これにより、第2基板70は、複数のネジ40によって第1基板20及び金属板50と一緒にヒートシンク30のベース部31に固定されている。第2基板70とネジ40とは互いに離間しており、電気的に絶縁されている。
第1基板20と第2基板70との間には、第1基板20と第2基板70とを接続する複数の接続部材90が配置されている。それぞれ接続部材90は、例えば貫通孔91を有する円筒状を呈している。接続部材90の貫通孔91にはネジ40が挿通されている。これにより、第1基板20と第2基板70とは互いに離間した状態となっている。接続部材90は、例えば導電性を有する材料によって構成されており、第1基板20の実装面20aと第2基板70の実装面70aとを電気的に接続している。なお、接続部材90は、電気的絶縁性を有する材料によって構成されていてもよい。この場合、第1基板20と第2基板70とは接続部材90によって物理的に接続される。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置1では、複数のネジ40によって第1基板20がヒートシンク30に固定されている。また、この半導体装置1は、ネジ40に接触する金属板50と、第1基板20と金属板50との間に配置された放熱部材60とを備えている。第1基板20と金属板50との間に配置されたスペーサ80は、第1基板20と金属板50とを確実に離間させる観点から、高い硬度を有する材料によって構成されている必要がある。このため、高い熱伝導率を有する材料によってスペーサ80を構成することが困難である。
これに対し、スペーサ80より高い熱伝導率を有する放熱部材60を第1基板20と金属板50との間に配置することにより、第1基板20と金属板50との熱的な接触面積を増やすことができる。第1基板20に実装された電子部品21から発生した熱は、放熱部材60を介して第1基板20から金属板50に伝導される。金属板50に伝導された熱は、ネジ40を介してヒートシンク30に伝導される。これにより、電子部品21から発生した熱をヒートシンク30に効率よく伝導することができるので、半導体装置1の放熱性を高めることが可能である。また、第1基板20を固定する既存のネジ40を利用して熱を伝導することができるので、熱をヒートシンク30に伝導するための部材を新たに設ける必要がない。したがって、半導体装置1の部品点数が増加することを抑制できる。
また、半導体装置1は、筐体10内に配置され、電子部品71が実装された第2基板70を更に備え、密閉された空間Sは、筐体10とヒートシンク30とによって画成され、第1基板20とヒートシンク30とは互いに離間し、第2基板70はヒートシンク30に接触している。このように、第2基板70がヒートシンク30に接触しているので、第2基板70に実装された電子部品71から発生した熱をヒートシンク30に効率よく伝導することができる。また、第1基板20とヒートシンク30とが互いに離間していても、第1基板20に実装された電子部品21から発生した熱を放熱部材60、金属板50、及びネジ40を介してヒートシンク30に伝導することができる。したがって、半導体装置1の放熱性を更に高めることが可能である。
さらに、半導体装置1は、複数のネジ40によって第1基板20がヒートシンク30に固定されている。また、この半導体装置1は、ネジ40に接触する金属板50を備えている。これにより、筐体10内(空間S内)の気体の熱が金属板50及びネジ40を介してヒートシンク30に伝導される。このように、筐体10内の気体の熱がヒートシンク30に伝導されるので、半導体装置1の放熱性を更に高めることが可能である。
次に、図2を参照して半導体装置の変形例について説明する。図2は、図1に示される半導体装置の変形例を概略的に示す断面図である。図2に示されるように、変形例に係る半導体装置2は、半導体装置1と同様に、筐体10と、第1基板20と、ヒートシンク30と、複数のネジ40と、金属板50と、放熱部材60と、第2基板70と、を備えている。半導体装置2が半導体装置1と相違する点は、金属板50がフィン構造51を有する点である。第1基板20と金属板50との間にはスペーサ80が配置されており、第1基板20と金属板50とは互いに離間している。なお、図2では、電子部品21,71は省略している。
半導体装置2の金属板50は、フィン構造51を有している。これにより、フィン構造51によって筐体10内の気体の熱が金属板50に効率よく伝導されるので、半導体装置2の放熱性を更に高めることが可能である。
次に、図3を参照して半導体装置の他の変形例について説明する。図3は、図1に示される半導体装置の他の変形例を概略的に示す断面図である。図3に示されるように、他の変形例に係る半導体装置3は、半導体装置2と同様に、筐体10と、第1基板20と、ヒートシンク30と、複数のネジ40と、金属板50と、第2基板70と、を備えている。半導体装置3が半導体装置2と相違する点は、第1基板20と金属板50との間に放熱部材60が配置されていない点である。半導体装置3では、半導体素子等の発熱しやすい電子部品(不図示)が第2基板70のみに実装され、第1基板20には発熱しやすい電子部品は実装されていない。したがって、半導体装置3では、第1基板20からヒートシンク30に熱を伝導する必要がないため、放熱部材60が不要である。
このような半導体装置3でも、半導体装置2と同様に、金属板50のフィン構造51によって筐体10内の気体の熱が金属板50に効率よく伝導されるので、半導体装置3の放熱性を十分に高めることが可能である。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。例えば、上記の実施形態では、半導体装置1が2つの基板(第1基板20及び第2基板70)を備える場合について説明したが、半導体装置1は3つ以上の基板を備えていてもよい。例えば、半導体装置1がヒートシンク30と離間した第3基板を更に備える場合、第1基板20と第3基板との間に金属板50を配置し、第3基板と金属板50との間にも放熱部材60を配置してもよい。これにより、第3基板に実装された電子部品で発生した熱もヒートシンク30に伝導することができる。また、第3基板に実装された電子部品の熱をネジ40に伝導するための新たな金属板を更に設けてもよい。
また、半導体装置1は、1つのみの基板(第2基板70)を備えていてもよい。この場合、金属板50と第2基板70との間に放熱部材60を配置してもよい。このとき、放熱部材60は、例えば第2基板70の実装面70aに実装された電子部品71間に配置される。これにより、第2基板70に実装された電子部品71から発生した熱は、放熱部材60、金属板50、及びネジ40を介してヒートシンク30に伝導される。また、第2基板70はヒートシンク30に接触しているので、電子部品71から発生した熱をヒートシンク30に直接伝導することができる。このように、複数の経路を介して電子部品71から発生した熱がヒートシンク30に伝導されるので、半導体装置1の放熱性を更に高めることができる。
また、上記の実施形態では、筐体10及びヒートシンク30によって密閉された空間Sが画成される例について説明したが、筐体10のみによって密閉された空間Sが画成されていてもよい。この場合、第2基板70は筐体10を挟んでヒートシンク30と対向して配置される。第2基板70に実装された電子部品の熱は、例えばネジ40を介してヒートシンク30に伝導される。
また、上記の実施形態では、密閉された空間Sが画成されている例について説明したが、空間Sは密閉されていなくてもよい。また、半導体装置1は、筐体10を有していなくてもよい。
また、上記の実施形態では、放熱部材60が第1基板20の非実装面20bに接触する例について説明したが、放熱部材60は第1基板20の実装面20aに接触していてもよい。すなわち、第1基板20の実装面20aが金属板50側に位置し、非実装面20bがヒートシンク30側に位置するように配置されていてもよい。
1,2,3…半導体装置、10…筐体、20…第1基板(基板)、30…ヒートシンク、40…ネジ、50…金属板、51…フィン構造、60…放熱部材、70…第2基板(他の基板)、S…空間。
Claims (5)
- 半導体素子を含む複数の電子部品を具備した半導体装置において、
密閉された空間を形成する筐体と、
前記筐体内に配置され、前記電子部品が実装された基板と、
前記筐体内の熱を前記空間の外部に放出するヒートシンクと、
前記基板を前記ヒートシンクに固定する複数のネジと、
前記筐体内に配置され、前記ネジに接触する金属板と、を備える、半導体装置。 - 前記基板と前記金属板との間に配置された放熱部材を更に備える、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属板は、フィン構造を有する、請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記筐体内に配置され、前記電子部品が実装された他の基板を更に備え、
前記密閉された空間は、前記筐体と前記ヒートシンクとによって画成され、
前記基板と前記ヒートシンクとは互いに離間し、
前記他の基板は前記ヒートシンクに接触する、請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体装置。 - 半導体素子を含む複数の電子部品を具備した半導体装置において、
前記電子部品が実装された基板と、
前記電子部品の熱を放出するヒートシンクと、
前記基板を前記ヒートシンクに固定する複数のネジと、
前記ネジに接触する金属板と、
前記基板と前記金属板との間に配置された放熱部材と、を備える、半導体装置。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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