JP2019071332A - 配線基板、電子機器、板金部品の取り付け方法及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】板金部材と半田との干渉の発生を抑制する。【解決手段】配線基板は、第１の面、第１の面とは反対側の第２の面、並びに第１の面及び第２の面に繋がる側面を有する基材と、側面に設けられた導体と、側面に設けられ、導体の、第１の面の側に延在する第１の部分と第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、導体に対して突出した突起部と、を含む。【選択図】図１Ｂ

Description

開示の技術は、配線基板、電子機器、板金部品の取り付け方法及び配線基板の製造方法に関する。

基材の側面に部品を半田付けするための電極を備えた配線基板に関する技術として、以下の技術が知られている。例えば、基材の側面に形成された切欠部内に電子部品が半田付けされる複数の側面電極を備えたプリント配線基板が知られている。側面電極の各々は、相対的に高い部分と相対的に低い部分を有し、基材またはソルダーレジストからなる仕切り部によって仕切られている。

特開２０１３−１７９１５７号公報

携帯電話やスマートフォンなどの無線通信端末は、外部から到来する電磁波による誤動作、及び自身が発する電磁波による通信用電波への干渉を防止するための構造を有する。例えば、無線通信用の電子部品を搭載した配線基板は、固定電位に接続されたシールド板金で覆われる。シールド板金による電磁波の遮蔽効果を高めるためには、配線基板の主面である第１の面及び第１の面とは反対側の第２の面のみならず、配線基板の側面もシールド板金で覆うことが好ましい。この場合、配線基板の形状及び寸法に合わせて折り曲げ加工が施された第１のシールド板金によって、配線基板の第１の面及び側面の一部が覆われ、同様の折り曲げ加工が施された第２のシールド板金によって配線基板の第２の面及び側面の他の一部が覆われる。第１のシールド板金は配線基板の側面に設けられた導体（電極）に半田付けされ、その後、第２のシールド板金が配線基板の側面に設けられた導体（電極）に半田付けされる。

ここで、第１のシールド板金の取り付けに用いる半田が第２のシールド板金の取り付け部にまで濡れ広がるおそれがある。この場合、第２のシールド板金の配線基板が、第１のシールド板金の取り付けに用いた半田と干渉し、第２のシールド板金の配線基板への取り付けが困難となるおそれがある。

開示の技術は、板金部材と半田との干渉の発生を抑制することを目的とする。

開示の技術に係る配線基板は、第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、前記側面に設けられた導体と、を含む。配線基板は、前記側面に設けられ、前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部と、を含む。

開示の技術は、板金部材と半田との干渉の発生を抑制する、という効果を奏する。

開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成を示す斜視図である。 図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の部分的な断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 図３Ａにおける４Ａ−４Ａ線に沿った断面図である。 図３Ｂにおける４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。 図３Ｃにおける４Ｃ−４Ｃ線に沿った断面図である。 図３Ｄにおける４Ｄ−４Ｄ線に沿った断面図である。 図３Ｅにおける４Ｅ−４Ｅ線に沿った断面図である。 図３Ｆにおける４Ｆ−４Ｆ線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係るインクジェット装置を用いてめっき膜の表面に樹脂インクを塗布する方法を示す図である。 開示の技術の実施形態に係る電子機器の構成を示す斜視図である。 図６Ａにおける６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板にシールド板金の取り付ける方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板にシールド板金の取り付ける方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板にシールド板金の取り付ける方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板にシールド板金の取り付ける方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板にシールド板金の取り付ける方法の一例を示す断面図である。 比較例に係る配線基板にシールド板金を取り付ける場合を示す断面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 図１０Ａにおける１１Ａ−１１Ａ線に沿った断面図である。 図１０Ｂにおける１１Ｂ−１１Ｂ線に沿った断面図である。 図１０Ｃにおける１１Ｃ−１１Ｃ線に沿った断面図である。 図１０Ｄにおける１１Ｄ−１１Ｄ線に沿った断面図である。 図１０Ｅにおける１１Ｅ−１１Ｅ線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す平面図である。 図１２Ａにおける１３Ａ−１３Ａ線に沿った断面図である。 図１２Ｂにおける１３Ｂ−１３Ｂ線に沿った断面図である。 図１２Ｃにおける１３Ｃ−１３Ｃ線に沿った断面図である。 図１２Ｄにおける１３Ｄ−１３Ｄ線に沿った断面図である。 図１２Ｅにおける１３Ｅ−１３Ｅ線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係るビルドアップ材１１ｂの構成を示す平面図である。 開示の技術の他の実施形態に係る電子機器の構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与し、重複する説明は適宜省略する。

［第１の実施形態］
図１Ａは、開示の技術の実施形態に係る配線基板１の構成を示す斜視図、図１Ｂは、図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。

配線基板１は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁体からなる基材１１を含んで構成されている。基材１１は、第１の面Ｓ１、第１の面Ｓ１とは反対側の第２の面Ｓ２、並びに第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２に繋がる側面Ｓ３及びＳ４を有する。配線基板１は、基材１１の複数箇所に設けられた導体１２を有する。導体１２の各々は、後述するシールド板金の配線基板１への取り付けに用いられる。導体１２の各々は、グランド電位等の固定電位に接続される。なお、各図において、導体１２を固定電位に接続するためのパターン形状については図示を省略している。基材１１の側面Ｓ３に沿って設けられた導体１２の各々は、基材１１の第１の面Ｓ１に延在する導体部分１２Ａ、第２の面Ｓ２に延在する導体部分１２Ｂ、及び基材１１の側面Ｓ３に延在し且つ導体部分１２Ａ及び１２Ｂに接続された導体部分１２Ｃを有する。基材１１の側面Ｓ４に沿って設けられた導体１２の各々は、基材１１の第１の面Ｓ１に延在する導体部分１２Ａ、第２の面Ｓ２に延在する導体部分１２Ｂ、及び基材１１の側面Ｓ４に延在し且つ導体部分１２Ａ及び１２Ｂに接続された導体部分１２Ｄを有する。配線基板１は、基材１１の第１の面Ｓ１、第２の面Ｓ２及び内層に、配線基板１に搭載される電子部品に電気的に接続される配線パターン（図示せず）を含み得る。

基材１１の側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃの表面には、基材１１の第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２との中間位置に、導体部分１２Ｃの表面に対して突出した突起部２０Ｃが設けられている。突起部２０Ｃは、導体部分１２Ｃの、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２とを隔てている。

同様に、基材１１の側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄの表面には、基材１１の第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２との中間位置に、導体部分１２Ｄの表面に対して突出した突起部２０Ｄが設けられている。突起部２０Ｄは、導体部分１２Ｄの、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２とを隔てている。

突起部２０Ｃ及び２０Ｄは、導体１２よりも半田に対する濡れ性が低い材料で構成されている。突起部２０Ｃ及び２０Ｄは、例えば、樹脂材料で構成されていてもよく、樹脂材料として、ソルダーレジスト用インク及び、配線基板１に文字、記号、マーク等を描画する場合に使用される樹脂インクを用いることができる。突起部２０Ｃ及び２０Ｄの高さｈ（図２参照）は、例えば、２０μｍ〜３０μｍ程度であり、突起部２０Ｃ及び２０Ｄの幅ｗ（基材１１の厚さ方向に沿った長さ 図２参照）は、例えば、４０μｍ〜１００μｍ程度である。

基材１１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２は、ソルダーレジスト１３によって覆われている。

図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ及び図３Ｆは、それぞれ、配線基板１の製造方法の一例を示す平面図である。図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅ及び図４Ｆは、それぞれ、図３Ａ〜図３Ｆにおける、４Ａ−４Ａ線、４Ｂ−４Ｂ線、４Ｃ−４Ｃ線、４Ｄ−４Ｄ線、４Ｅ−４Ｅ線及び４Ｆ−４Ｆ線に沿った断面図である。

初めに、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁体からなる基材１１の第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２に銅箔１５を貼り付け、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２との間を貫通する貫通孔１４を形成する（図３Ａ、図４Ａ）。

次に、めっき法を用いて、銅箔１５の表面及び貫通孔１４の内壁にめっき膜１６を形成する。めっき膜１６の材料として銅を用いることができる。（図３Ｂ、図４Ｂ）。

次に、導体１２をパターニングする。これにより、貫通孔１４の外周を囲む導体パターンが形成される。基材１１の第１の面Ｓ１及びＳ２において、めっき膜１６及び銅箔１５が積層された部分は、導体部分１２Ａ及び１２Ｂを構成し、めっき膜１６が貫通孔１４の内壁を覆う部分は、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄを構成する（図３Ｃ、図４Ｃ）。

次に、基材１１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２にそれぞれ、ソルダーレジスト１３を形成する（図３Ｄ、図４Ｄ）。

次に、貫通孔１４を通過する切断線Ｌ（図３Ｄ参照）に沿って基材１１を切断する。これにより、基材１１の側面Ｓ３（または側面Ｓ４）となる面が表出し、貫通孔１４の内壁を覆うめっき膜１６が露出する（図３Ｅ、図４Ｅ）。

次に、基材１１の側面Ｓ３及びＳ４を覆うめっき膜１６（導体部分１２Ｃ及び１２Ｄ）の表面に、それぞれ樹脂インクを塗布することにより突起部２０Ｃ及び２０Ｄを形成する（図３Ｆ、図４Ｆ）。樹脂インクは、ソルダ−レジストインク及び、配線基板の表面に文字、記号、マーク等を描画する場合に使用されるものを用いることができる。樹脂インクの塗布は、例えば、インクジェット法によって行うことができる。

図５は、インクジェット装置２００を用いてめっき膜１６（導体部分１２Ｃ及び１２Ｄ）の表面に樹脂インクを塗布する方法を示す図である。インクジェット装置２００は、樹脂インクを収容したインクカートリッジ２１１、及び吐出口２１３から樹脂インクの液滴を吐出する吐出ユニット２１２を有するインク吐出部２１０と、インク吐出部２１０におけるインクの吐出を制御するコントロールユニット２２０と、を備える。吐出口２１３から基材１１の側面Ｓ３（またはＳ４）を覆うめっき膜１６（導体部分１２Ｃまたは１２Ｄ）に向けて樹脂インクの液滴が吐出される。樹脂インクの液滴をめっき膜１６に付着させた後、１００℃〜１５０℃程度の熱処理によって樹脂インクを硬化させる。これにより、めっき膜１６の表面に突起部２０Ｃ及び２０Ｄが形成される。

図６Ａは、配線基板１を含んで構成される開示の技術の第１の実施形態に係る電子機器２の構成を示す斜視図、図６Ｂは、図６Ａにおける６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。電子機器２は、配線基板１と、配線基板１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２に搭載された電子部品３０と、シールド板金４０Ａ及び４０Ｂとを含んで構成されている。電子機器２は、例えば、携帯電話やスマートフォンなどの無線通信端末を構成するものであってもよく、電子部品３０は、例えば、無線通信用の集積回路を内蔵した半導体チップであってもよい。シールド板金４０Ａ及び４０Ｂは、それぞれ、配線基板１の形状及び寸法に合わせて板金の２か所に９０°の折り曲げ加工が施されている。

シールド板金４０Ａは、配線基板１の第１の面Ｓ１に搭載された電子部品３０を遮蔽するように第１の面Ｓ１を覆っている。シールド板金４０Ａは、更に、配線基板１の側面Ｓ３及びＳ４の、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第１の面Ｓ１の側の領域を覆っている。シールド板金４０Ａは、配線基板１の第１の面Ｓ１に延在する導体部分１２Ａに半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ａは更に、配線基板１の側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、突起部２０Ｃからみて第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１に半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ａは更に、配線基板１の側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、突起部２０Ｄからみて第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１に半田５０を介して接合されている。

シールド板金４０Ｂは、配線基板１の第２の面Ｓ２に搭載された電子部品３０を遮蔽するように第２の面Ｓ２を覆っている。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１の側面Ｓ３及びＳ４の、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側の領域を覆っている。シールド板金４０Ｂは、配線基板１の第２の面Ｓ２に延在する導体部分１２Ｂに半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１の側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、突起部２０Ｃからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２に半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１の側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、突起部２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２に半田５０を介して接合されている。

シールド板金４０Ａ及び４０Ｂは、導体１２を介してグランド電位に接続される。シールド板金４０Ａ及び４０Ｂによって配線基板１を覆うことで、電子部品３０から発せられる電磁波による通信用電波への干渉、及び外部から到来する電磁波による電子部品３０の誤動作の発生が抑制される。配線基板１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２のみならず、側面Ｓ３及びＳ４もシールド板金４０Ａ及び４０Ｂで覆うことで、電磁波を遮蔽する効果が促進される。

図７Ａ〜図７Ｅは、配線基板１にシールド板金４０Ａ及び４０Ｂを取り付ける方法の一例を示す断面図である。

はじめに、配線基板１の第１の面Ｓ１に搭載される電子部品３０用のフットプリント及び配線基板１の第１の面Ｓ１に延在する導体部分１２Ａに、ペースト状の半田５０を印刷する（図７Ａ）。

次に、配線基板１の第１の面Ｓ１に、電子部品３０及びシールド板金４０Ａを搭載する。配線基板１の第１の面Ｓ１、並びに配線基板１の側面Ｓ３及びＳ４の、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第１の面Ｓ１の側の領域は、シールド板金４０Ａによって覆われる（図７Ｂ）。

次に、リフロー処理によって半田５０を溶融させる。シールド板金４０Ａは、配線基板１の第１の面Ｓ１に延在する導体部分１２Ａに半田付けされる。シールド板金４０Ａは更に、配線基板１の側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、突起部２０Ｃからみて第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１に半田付けされる。シールド板金４０Ａは更に、配線基板１の側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、突起部２０Ｄからみて第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１に半田付けされる（図７Ｃ）。

導体部分１２Ｃ及び１２Ｄの表面には、それぞれ、半田５０に対する濡れ性が導体１２よりも低い突起部２０Ｃ及び２０Ｄが設けられている。これにより、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄのうち、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２及び１２Ｄ＿２に半田５０が濡れ広がることを抑制することができる。

次に、第２の面Ｓ２が上面となるように配線基板１を１８０°回転させた後、配線基板１の第２の面Ｓ２に搭載される部品電子３０用のフットプリント及び配線基板１の第２の面Ｓ２に延在する導体部分１２Ｂに、ペースト状の半田５０を印刷する（図７Ｄ）。

次に、配線基板１の第２の面Ｓ２に、電子部品３０及びシールド板金４０Ｂを搭載する。配線基板１の第２の面Ｓ２、並びに配線基板１の側面Ｓ３及びＳ４の、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側の領域は、シールド板金４０Ｂによって覆われる。上記したように、シールド板金４０Ａを取り付ける際に、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄの、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２及び１２Ｄ＿２への半田５０の濡れ広がりが抑制される。これにより、シールド板金４０Ａを取り付ける際に用いた半田５０と干渉を生じることなく、シールド板金４０Ｂを配線基板１に取り付けることが可能となる。その後、リフロー処理によって半田５０を溶融させる。シールド板金４０Ｂは、配線基板１の第２の面Ｓ２に延在する導体部分１２Ｂに半田付けされる。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１の側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、突起部２０Ｃからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２に半田付けされる。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１の側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、突起部２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２に半田付けされる（図７Ｅ）。

図８は、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄの表面に突起部が設けられていない比較例に係る配線基板１Ｘに、シールド板金４０Ａ及び４０Ｂを取り付ける場合を示す断面図である。比較例に係る配線基板１Ｘによれば、シールド板金４０Ａの取り付けに用いる半田５０が、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄを伝って、シールド板金４０Ｂの取り付け位置にまで濡れ広がるおそれがある。この場合、シールド板金４０Ｂの側面Ｓ３及びＳ４を覆う部分が、シールド板金４０Ａの取り付けに用いた半田５０と干渉し、シールド板金４０Ｂの配線基板１Ｘへの取り付けが困難となる。

一方、開示の技術の実施形態に係る配線基板１は、導体部分１２Ｃの、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１と基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２とを隔てる突起部２０Ｃを備える。配線基板１は更に、導体部分１２Ｄの、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２とを隔てる突起部２０Ｄを有する。これにより、シールド板金４０Ａを配線基板１に取り付ける際に、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２及び１２Ｄ＿２に半田５０が濡れ広がることを抑制することができる。従って、シールド板金４０Ｂと半田５０との干渉の発生を抑制することが可能となり、シールド板金４０Ｂの配線基板１への取り付けが容易となる。

［第２の実施形態］
図９は、開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１Ａの構成を示す断面図である。なお、図９に示す断面は、図１Ｂに示す断面に対応している。配線基板１Ａは、突起部２０Ｃ及び２０Ｄが、基材１１の側面Ｓ３及びＳ４から突出した構造部分によって構成されており、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄが、突起部２０Ｃ及び２０Ｄによって分断されている点が第１の実施形態に係る配線基板１（図１Ｂ参照）と異なる。

すなわち、配線基板１Ａにおいて、基材１１の側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２とが、突起部２０Ｃを間に挟んで分断されている。同様に、基材１１の側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２とが、突起部２０Ｄを間に挟んで分断されている。突起部２０Ｃ及び２０Ｄは、基材１１と同じ材料で構成されていてもよい。

図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ及び図１０Ｅは、配線基板１Ａの製造方法の一例を示す平面図である。図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１１Ｄ及び図１１Ｅは、それぞれ、図１０Ａ〜図１０Ｅにおける、１１Ａ−１１Ａ線、１１Ｂ−１１Ｂ線、１１Ｃ−１１Ｃ、１１Ｄ−１１Ｄ及び１１Ｅ−１１Ｅ線に沿った断面図である。

初めに、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁体からなる基材１１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２にそれぞれ銅箔１５を貼り付ける。次に、基材１１の第１の面Ｓ１から第２の面Ｓ２に向けて凹んだ凹部１７Ａを形成する。続いて、凹部１７Ａに対応する位置に、基材１１の第２の面Ｓ２から第１の面Ｓ１に向けて凹んだ凹部１７Ｂを形成する（図１０Ａ、図１１Ａ）。

次に、めっき法を用いて、銅箔１５の表面及び凹部１７Ａ及び１７Ｂの各々の内壁にめっき膜１６を形成する。めっき膜１６の材料として銅を用いることができる（図１０Ｂ、図１１Ｂ）。

次に、導体１２をパターニングする。これにより、凹部１７Ａ及び１７Ｂの各々の外周を囲む導体パターンが形成される。基材１１の第１の面Ｓ１及びＳ２において、めっき膜１６及び銅箔１５が積層された部分は、導体部分１２Ａ及び１２Ｂを構成し、めっき膜１６が凹部１７Ａ、１７Ｂの内壁を覆う部分は、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄを構成する（図１０Ｃ、図１１Ｃ）。

次に、基材１１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２にそれぞれ、ソルダーレジスト１３を形成する（図１０Ｄ、図１１Ｄ）。

次に、凹部１７Ａ及び１７Ｂを通過する切断線Ｌ（図１０Ｄ参照）に沿って基材１１を切断する。これにより、基材１１の側面Ｓ３（または側面Ｓ４）となる面が表出し、凹部１７Ａ及び１７Ｂの内壁を覆うめっき膜１６が露出する。凹部１７Ａの底面と凹部１７Ｂの底面との間に挟まれた基材１１の一部分によって、突起部２０Ｃ（または突起部２０Ｄ）が形成される（図１０Ｅ、図１１Ｅ）。

図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃ、図１２Ｄ及び図１２Ｅは、配線基板１Ａの製造方法の他の例を示す平面図である。図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃ、図１３Ｄ及び図１３Ｅは、それぞれ、図１２Ａ〜図１２Ｅにおける、１３Ａ−１３Ａ線、１３Ｂ−１３Ｂ線、１３Ｃ−１３Ｃ、１３Ｄ−１３Ｄ及び１３Ｅ−１３Ｅ線に沿った断面図である。図１４は、基材１１の材料として用いられるビルドアップ材１１ｂの平面図である。

図１４に示すように、ビルドアップ材１１ｂには予め貫通孔１８を形成しておく。ビルドアップ材１１ｂとしてプリプレグを用いることができる。基材１１の材料であるコア材１１ａの両面に、それぞれ貫通孔１８を有する複数のビルドアップ材１１ｂを貫通孔１８の位置が互いに重なるように積層する。これにより、第１の面Ｓ１から第２の面Ｓ２に向けて凹んだ凹部１７Ａと、第２の面Ｓ２から第１の面Ｓ１に向けて凹んだ凹部１７Ｂと、を有する基材１１が形成される（図１２Ａ、図１３Ａ）。

次に、基材１１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２にそれぞれ銅箔１５を貼り付け、凹部１７Ａ及び１７Ｂ（貫通孔１８）の形成部の銅箔１５を除去する。これにより、凹部１７Ａ及び１７Ｂの内壁が露出する（図１２Ｂ、図１３Ｂ）。

次に、めっき法を用いて、銅箔１５の表面及び凹部１７Ａ及び１７Ｂ（貫通孔１８）の各々の内壁にめっき膜１６を形成する。めっき膜１６の材料として銅を用いることができる。その後、導体１２をパターンニングする。これにより、凹部１７Ａ及び１７Ｂの各々の外周を囲む導体パターンが形成される。基材１１の第１の面Ｓ１及びＳ２において、めっき膜１６及び銅箔１５が積層された部分は、導体部分１２Ａ及び１２Ｂを構成し、めっき膜１６が凹部１７Ａ、１７Ｂの内壁を覆う部分は、導体部分１２Ｃ及び１２Ｄを構成する（図１２Ｃ、図１３Ｃ）。

次に、基材１１の第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２にそれぞれ、ソルダーレジスト１３を形成する（図１２Ｄ、図１３Ｄ）。

次に、凹部１７Ａ及び１７Ｂ（貫通孔１８）を通過する切断線Ｌ（図１２Ｄ参照）に沿って基材１１を切断する。これにより、基材１１の側面Ｓ３（または側面Ｓ４）となる面が表出し、凹部１７Ａ及び１７Ｂ（貫通孔１８）の内壁を覆うめっき膜１６が露出する。凹部１７Ａの底面と凹部１７Ｂの底面との間に挟まれた基材１１の一部分（すなわち、コア材１１ａ）によって、突起部２０Ｃ（または突起部２０Ｄ）が形成される（図１２Ｅ、図１３Ｅ）。

図１５は、配線基板１Ａを含んで構成される開示の技術の第２の実施形態に係る電子機器２Ａの構成を示す断面図である。なお、図１５に示す断面は、図６Ｂに示す断面に対応している。電子機器２Ａは、第１の実施形態に係る電子機器２（図６Ｂ参照）と同様、配線基板１Ａと、配線基板１Ａの第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２に搭載された電子部品３０と、シールド板金４０Ａ及び４０Ｂとを含んで構成されている。

シールド板金４０Ａは、配線基板１Ａの第１の面Ｓ１に搭載された電子部品３０を遮蔽するように第１の面Ｓ１を覆っている。シールド板金４０Ａは、更に、配線基板１Ａの側面Ｓ３及びＳ４の、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第１の面Ｓ１の側の領域を覆っている。シールド板金４０Ａは、配線基板１Ａの第１の面Ｓ１に延在する導体部分１２Ａに半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ａは更に、配線基板１Ａの側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、突起部２０Ｃからみて第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１に半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ａは更に、配線基板１Ａの側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、突起部２０Ｄからみて第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１に半田５０を介して接合されている。

シールド板金４０Ｂは、配線基板１Ａの第２の面Ｓ２に搭載された電子部品３０を遮蔽するように第２の面Ｓ２を覆っている。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１Ａの側面Ｓ３及びＳ４の、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側の領域を覆っている。シールド板金４０Ｂは、配線基板１Ａの第２の面Ｓ２に延在する導体部分１２Ｂに半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１Ａの側面Ｓ３に延在する導体部分１２Ｃのうち、突起部２０Ｃからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２に半田５０を介して接合されている。シールド板金４０Ｂは更に、配線基板１Ａの側面Ｓ４に延在する導体部分１２Ｄのうち、突起部２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２に半田５０を介して接合されている。

シールド板金４０Ａ及び４０Ｂは、導体１２を介してグランド電位に接続される。シールド板金４０Ａ及び４０Ｂによって配線基板１Ａを覆うことで、電子部品３０から発せられる電磁波による通信用電波への干渉、及び外部から到来する電磁波による電子部品３０の誤動作の発生が抑制される。配線基板１Ａの第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２のみならず、配線基板１の側面Ｓ３及びＳ４をもシールド板金４０Ａ及び４０Ｂで覆うことで、電磁波を遮蔽する効果が促進される。

配線基板１Ａへのシールド板金４０Ａ及び４０Ｂの取り付け方法は、第１の実施形態に係る配線基板１へのシールド板金４０Ａ及び４０Ｂの取り付け方法と同様であるので、説明は省略する。

開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１Ａは、導体部分１２Ｃの、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｃ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２とを隔てる突起部２０Ｃを備える。配線基板１Ａは、更に、導体部分１２Ｄの、基材１１の第１の面Ｓ１の側に延在する部分１２Ｄ＿１と、基材１１の第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｄ＿２とを隔てる突起部２０Ｄを有する。これにより、シールド板金４０Ａを配線基板１Ａに取り付ける際に、突起部２０Ｃ及び２０Ｄからみて第２の面Ｓ２の側に延在する部分１２Ｃ＿２及び１２Ｄ＿２に半田５０が濡れ広がることを抑制することができる。従って、シールド板金４０Ｂと半田５０との干渉の発生を抑制することが可能となり、シールド板金４０Ｂの配線基板１Ａへの取り付けが容易となる。

なお、配線基板１及び１Ａは、開示の技術における配線基板の一例である。基材１１は、開示の技術に係る基材の一例である。導体部分１２Ｃ及び１２Ｄは、開示の技術における導体の一例である。突起部２０Ｃ及び２０Ｄは、開示の技術における突起部の一例である。電子機器２及び２Ａは、開示の技術における電子機器の一例である。電子部品３０は、開示の技術における電子部品の一例である。シールド板金４０Ａ及び４０Ｂは、開示の技術における板金部品の一例である。

以上の第１および第２の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、
前記側面に設けられた導体と、
前記側面に設けられ、前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部と、
を含む配線基板。

（付記２）
前記導体は、
前記第１の部分に接続され、前記第１の面に延在する部分と、
前記第２の部分に接続され、前記第２の面に延在する部分と、
を含む付記１に記載の配線基板。

（付記３）
前記突起部は、樹脂インクで構成されている
付記１または付記２に記載の配線基板。

（付記４）
前記突起部は、前記基材と同じ材料で構成されている
付記１または付記２に記載の配線基板。

（付記５）
第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、前記側面に設けられた導体と、前記側面に設けられ、前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部と、を含む配線基板と、
前記第１の面及び前記第２の面に設けられた電子部品と、
前記第１の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第１の面の側の領域を覆い、前記導体の前記第１の部分に半田付けされた第１の板金部品と、
前記第２の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第２の面の側の領域を覆い、前記導体の前記第２の部分に半田付けされた第２の板金部品と、
を含む電子機器。

（付記６）
前記導体は、
前記第１の部分に接続され、前記第１の面に延在する部分と、
前記第２の部分に接続され、前記第２の面に延在する部分と、
を含む付記５に記載の電子機器。

（付記７）
前記突起部は、樹脂インクで構成されている
付記５または付記６に記載の電子機器。

（付記８）
前記突起部は、前記基材と同じ材料で構成されている
付記５または付記６に記載の電子機器。

（付記９）
第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、前記側面に設けられた導体と、を含む配線基板に、前記第１の面、前記第２の面及び前記側面を覆う板金部品を取り付ける板金部品の取り付け方法であって、
前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部を設け、
前記第１の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第１の面の側を覆う第１の板金部品を、前記導体の前記第１の部分に半田付けし、
前記第２の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第２の面の側を覆う第２の板金部品を、前記導体の前記第２の部分に半田付けする、
板金部品の取り付け方法。

（付記１０）
第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材に、前記第１の面と前記第２の面との間を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁を覆う導体を形成する工程と、
前記貫通孔を通る切断線に沿って前記基材を切断する工程と、
前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部を、前記導体の表面に形成する工程と、
を含む配線基板の製造方法。

（付記１１）
前記導体の表面に樹脂インクを塗布することにより前記突起部を形成する
付記１０に記載の製造方法。

（付記１２）
第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材に、前記第１の面から前記第２の面に向けて凹んだ第１の凹部を形成する工程と、
前記基材の前記第１の凹部に対応する位置に、前記第２の面から前記第１の面に向けて凹んだ第２の凹部を形成する工程と、
前記第１の凹部の内壁及び前記第２の凹部の内壁をそれぞれ覆う導体を形成する工程と、
前記基材の、前記第１の凹部及び前記第２の凹部を通る切断線に沿って前記基材を切断する工程と、
を含む配線基板の製造方法。

（付記１３）
コア材の両面に、それぞれ貫通孔を有する複数のビルドアップ材を、前記貫通孔の位置が互いに重なるように積層する工程と、
前記複数のビルドアップ材の各々の前記貫通孔の内壁を覆う導体を形成する工程と、
前記コア材及び前記複数のビルドアップ材を含む基材を、前記貫通孔を通る切断線に沿って切断する工程と、
を含む配線基板の製造方法。

１、１Ａ 配線基板
２、２Ａ 電子機器
１１ 基材
１２ 導体
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ 導体部分
２０Ｃ、２０Ｄ 突起部
３０ 電子部品
４０Ａ、４０Ｂ シールド板金
５０ 半田

Claims (9)

1. 第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、
   前記側面に設けられた導体と、
   前記側面に設けられ、前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部と、
   を含む配線基板。
2. 前記突起部は、樹脂インクで構成されている
   請求項１に記載の配線基板。
3. 前記突起部は、前記基材と同じ材料で構成されている
   請求項１に記載の配線基板。
4. 第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、前記側面に設けられた導体と、前記側面に設けられ、前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部と、を含む配線基板と、
   前記第１の面及び前記第２の面に設けられた電子部品と、
   前記第１の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第１の面の側の領域を覆い、前記導体の前記第１の部分に半田付けされた第１の板金部品と、
   前記第２の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第２の面の側の領域を覆い、前記導体の前記第２の部分に半田付けされた第２の板金部品と、
   を含む電子機器。
5. 第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材と、前記側面に設けられた導体と、を含む配線基板に、前記第１の面、前記第２の面及び前記側面を覆う板金部品を取り付ける板金部品の取り付け方法であって、
   前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部を設け、
   前記第１の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第１の面の側を覆う第１の板金部品を、前記導体の前記第１の部分に半田付けし、
   前記第２の面、及び前記側面の、前記突起部からみて前記第２の面の側を覆う第２の板金部品を、前記導体の前記第２の部分に半田付けする、
   板金部品の取り付け方法。
6. 第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材に、前記第１の面と前記第２の面との間を貫通する貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔の内壁を覆う導体を形成する工程と、
   前記貫通孔を通る切断線に沿って前記基材を切断する工程と、
   前記導体の、前記第１の面の側に延在する第１の部分と前記第２の面の側に延在する第２の部分とを隔て、前記導体よりも半田に対する濡れ性が低い材料からなり、前記導体に対して突出した突起部を、前記導体の表面に形成する工程と、
   を含む配線基板の製造方法。
7. 前記導体の表面に樹脂インクを塗布することにより前記突起部を形成する
   請求項６に記載の製造方法。
8. 第１の面、前記第１の面とは反対側の第２の面、並びに前記第１の面及び前記第２の面に繋がる側面を有する基材に、前記第１の面から前記第２の面に向けて凹んだ第１の凹部を形成する工程と、
   前記基材の前記第１の凹部に対応する位置に、前記第２の面から前記第１の面に向けて凹んだ第２の凹部を形成する工程と、
   前記第１の凹部の内壁及び前記第２の凹部の内壁をそれぞれ覆う導体を形成する工程と、
   前記基材の、前記第１の凹部及び前記第２の凹部を通る切断線に沿って前記基材を切断する工程と、
   を含む配線基板の製造方法。
9. コア材の両面に、それぞれ貫通孔を有する複数のビルドアップ材を、前記貫通孔の位置が互いに重なるように積層する工程と、
   前記複数のビルドアップ材の各々の前記貫通孔の内壁を覆う導体を形成する工程と、
   前記コア材及び前記複数のビルドアップ材を含む基材を、前記貫通孔を通る切断線に沿って切断する工程と、
   を含む配線基板の製造方法。